JPH06268053A - Susceptor for semiconductor wafer - Google Patents
Susceptor for semiconductor waferInfo
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- JPH06268053A JPH06268053A JP5584393A JP5584393A JPH06268053A JP H06268053 A JPH06268053 A JP H06268053A JP 5584393 A JP5584393 A JP 5584393A JP 5584393 A JP5584393 A JP 5584393A JP H06268053 A JPH06268053 A JP H06268053A
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハーを保持
するためのサセプターに関するものである。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a susceptor for holding a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造装置では、ＰＶＤ，ＣＶＤ，
拡散，アニール等の工程を実施する。この際には、半導
体ウエハーをサセプター上に設置し、加熱する枚葉式処
理法が工業的に行われている。このウエハーを加熱する
際には、サセプター上に半導体ウエハーを載せて固定し
たり、静電チャックに半導体ウエハーを吸着して固定し
たりして、赤外線ランプで間接加熱する。また、本発明
者は、円盤状セラミックス基体中に高融点金属製の抵抗
発熱体を埋設し、この基体の表面に半導体ウエハーを固
定し、抵抗発熱体に通電して半導体ウエハーを加熱する
技術を、公開している。2. Description of the Related Art In semiconductor manufacturing equipment, PVD, CVD,
Steps such as diffusion and annealing are performed. At this time, a single wafer processing method in which a semiconductor wafer is placed on a susceptor and heated is industrially performed. When heating this wafer, the semiconductor wafer is placed and fixed on the susceptor, or the semiconductor wafer is attracted and fixed to an electrostatic chuck, and indirectly heated by an infrared lamp. The present inventor has also proposed a technique of embedding a resistance heating element made of a refractory metal in a disk-shaped ceramic substrate, fixing a semiconductor wafer to the surface of this substrate, and energizing the resistance heating element to heat the semiconductor wafer. , Is open to the public.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、半導
体製造用装置においては、プラズマによる反応を用いる
ことが多くなってきており、ＲＩＥ，ＰＥＣＶＤ，ＥＣ
Ｒ等の実用化が盛んである。しかし、こうした装置で
は、半導体ウエハーの温度制御が非常に困難である。However, in recent years, in a semiconductor manufacturing apparatus, a reaction by plasma is often used, and RIE, PECVD, EC are used.
Practical use of R etc. is active. However, in such an apparatus, it is very difficult to control the temperature of the semiconductor wafer.
【０００４】例えばＥＣＲ等では、プロセス圧力が10-4
torrであり、一般のスパッタに比べ高真空化が進んでい
るうえ、プラズマ出力も大きくなってきている。従っ
て、プラズマイオンのボンバードメントによって半導体
ウエハーに急激に熱が流入する。この熱量は約１W/cm2
程度であり、温度に換算すると、１分間に 100℃ほど温
度が上昇することになる。このため、半導体ウエハーの
温度制御ができなくなっていた。For example, in ECR, the process pressure is 10 -4.
It is a torr, and the vacuum level is higher than that of general sputtering, and the plasma output is also increasing. Therefore, heat rapidly flows into the semiconductor wafer due to the bombardment of plasma ions. This heat is about 1W / cm 2
When converted to temperature, the temperature rises by 100 ° C per minute. Therefore, the temperature of the semiconductor wafer cannot be controlled.
【０００５】一つの方法としては、サセプター内に冷却
液を循環させ、半導体ウエハーを急速に冷却することが
考えられる。しかし、これでは冷却液の供給、排出系が
必要であるし、かつサセプターを同時に高温まで加熱す
ることができない。One method is to circulate a cooling liquid in the susceptor to rapidly cool the semiconductor wafer. However, this requires a system for supplying and discharging a cooling liquid, and cannot heat the susceptor to a high temperature at the same time.
【０００６】本発明者は、サセプターの表面に凹部を設
け、この上に半導体ウエハーを設置し、半導体ウエハー
の温度が急上昇すると、上記の凹部に冷却ガスを流すこ
とも検討した。しかし、冷却ガスを流すと、装置内の真
空度が下がるので、プラズマ反応が阻害される。また半
導体ウエハーに供給される熱量が多くなると、冷却能力
が不充分であり、温度の急上昇を止めることができな
い。The inventor of the present invention also considered that a recess is provided on the surface of the susceptor, a semiconductor wafer is placed on the recess, and when the temperature of the semiconductor wafer rises rapidly, a cooling gas is caused to flow into the recess. However, when the cooling gas is flown, the degree of vacuum in the apparatus is lowered, so that the plasma reaction is hindered. Further, when the amount of heat supplied to the semiconductor wafer is large, the cooling capacity is insufficient, and it is impossible to stop the rapid rise in temperature.
【０００７】本発明の課題は、半導体ウエハー用のサセ
プターにおいて、半導体ウエハー上で熱量の出入りがあ
り、温度が変動するときに、半導体ウエハーの温度を制
御できるようにすることである。An object of the present invention is to make it possible to control the temperature of a semiconductor wafer in a susceptor for a semiconductor wafer when the amount of heat goes in and out of the semiconductor wafer and the temperature fluctuates.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、緻密質セラミ
ックスからなる基材内に熱電変換素子が埋設されてい
る、半導体ウエハー用サセプターに係るものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer susceptor in which a thermoelectric conversion element is embedded in a base material made of dense ceramics.
【０００９】[0009]
【作用】本発明のサセプターによれば、緻密質セラミッ
クスからなる基材内に熱電変換素子が埋設されているの
で、半導体ウエハー上で熱量の出入りがあるときに、熱
電変換素子を動作させることによって、半導体ウエハー
の温度を制御することができる。この熱電変換素子と
は、金属や半導体中の温度が一様でなくなると、キャリ
アの移動がおこると、ゼーベック効果、ペルチェ効果、
トムソン効果、エッチングハウゼン効果、ネルンスト効
果などの電気効果が生じる機能を有しているものであ
る。According to the susceptor of the present invention, since the thermoelectric conversion element is embedded in the base material made of dense ceramics, the thermoelectric conversion element can be operated when heat quantity goes in and out on the semiconductor wafer. , The temperature of the semiconductor wafer can be controlled. This thermoelectric conversion element, Seebeck effect, Peltier effect, when carrier movement occurs when the temperature in the metal or semiconductor becomes uneven
It has a function of producing electrical effects such as the Thomson effect, the Etchhausen effect, and the Nernst effect.
【００１０】しかも、熱電変換素子は、緻密質セラミッ
クスからなる基材内に埋設されているので、半導体製造
用のプラズマガス、腐食性ガスから保護される。従っ
て、長期間に亘って、半導体ウエハーの温度を制御する
機能が、損なわれない。しかも、高温下や高真空下で
も、問題なく使用できる。Moreover, since the thermoelectric conversion element is embedded in the base material made of dense ceramics, it is protected from plasma gas and corrosive gas for semiconductor production. Therefore, the function of controlling the temperature of the semiconductor wafer is not impaired for a long period of time. Moreover, it can be used without problems even under high temperature or high vacuum.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は、本発明の実施例に係るサセプター１
を模式的に示す断面図である。サセプター１の基材２
は、緻密質セラミックスからなる。基材２の平面的形状
は、円形の他、楕円形、正方形等であってよい。FIG. 1 is a susceptor 1 according to an embodiment of the present invention.
It is a sectional view showing typically. Base material 2 of susceptor 1
Is made of dense ceramics. The planar shape of the base material 2 may be an elliptical shape, a square shape, etc. in addition to a circular shape.
【００１２】基材２の内部に、Ｐ型半導体素子３とＮ型
半導体素子４とからなる熱電変換素子が埋設されてい
る。Ｐ型半導体素子３は、平板状部３ａと、平板状部３
ａから突出した棒状端子３ｂとからなっている。Ｎ型半
導体素子４は、平板状部４ａと、平板状部４ａから突出
した棒状端子４ｂとからなっている。平板状部４ａの貫
通孔４ｃを、棒状端子３ｂが通っている。棒状端子３
ｂ，４ｂの末端が、それぞれサセプターの背面に露出し
ている。A thermoelectric conversion element consisting of a P-type semiconductor element 3 and an N-type semiconductor element 4 is embedded inside the base material 2. The P-type semiconductor element 3 includes a flat plate portion 3a and a flat plate portion 3a.
and a bar-shaped terminal 3b protruding from a. The N-type semiconductor element 4 includes a flat plate-shaped portion 4a and a rod-shaped terminal 4b protruding from the flat plate-shaped portion 4a. The rod-shaped terminal 3b passes through the through hole 4c of the flat plate portion 4a. Rod terminal 3
The ends of b and 4b are exposed on the back surface of the susceptor.
【００１３】棒状端子３ｂがケーブル５Ａの一端に接続
され、ケーブル５Ａの他端が電源６の極６ａに接続され
ている。棒状端子４ｂがケーブル５Ｂの一端に接続さ
れ、ケーブル５Ｂの他端が電源６の極６ｂに接続されて
いる。ケーブル５Ａ，５Ｂは、棒状端子４ａ，４ｂの各
々と熱電変換効果の少ない材料で構成されており、電源
６内には放熱部がある。The rod-shaped terminal 3b is connected to one end of the cable 5A, and the other end of the cable 5A is connected to the pole 6a of the power source 6. The rod-shaped terminal 4b is connected to one end of the cable 5B, and the other end of the cable 5B is connected to the pole 6b of the power supply 6. The cables 5A and 5B are made of a material having a small thermoelectric conversion effect with each of the rod-shaped terminals 4a and 4b, and the power source 6 has a heat radiating portion.
【００１４】極６ｂを正極とし、極６ａを負極とし、熱
電変換素子に電圧を加えると、矢印Ａ方向に電流が流
れ、Ｎ型半導体素子４とＰ型半導体素子３との間で吸熱
する。この結果、設置面２ａ上に設置された半導体ウエ
ハーを効果的に冷却し、その温度を制御することができ
る。When the electrode 6b is used as the positive electrode and the electrode 6a is used as the negative electrode and a voltage is applied to the thermoelectric conversion element, a current flows in the direction of arrow A, and heat is absorbed between the N-type semiconductor element 4 and the P-type semiconductor element 3. As a result, it is possible to effectively cool the semiconductor wafer installed on the installation surface 2a and control the temperature thereof.
【００１５】極６ｂを負極とし、極６ａを正極とし、熱
電変換素子に電圧を加えると、矢印Ｂ方向に電流が流
れ、Ｎ型半導体素子４とＰ型半導体素子３との間で発熱
する。この結果、設置面２ａ上に設置された半導体ウエ
ハーを効果的に加熱し、その温度を制御することができ
る。When the electrode 6b is used as the negative electrode and the electrode 6a is used as the positive electrode, and a voltage is applied to the thermoelectric conversion element, a current flows in the direction of arrow B and heat is generated between the N-type semiconductor element 4 and the P-type semiconductor element 3. As a result, it is possible to effectively heat the semiconductor wafer installed on the installation surface 2a and control the temperature thereof.
【００１６】図２に示す実施例においては、ケーブル５
Ａと５Ｂとの間に、リレースイッチ８，負荷７が配線さ
れている。設置面２ａ上に設置された半導体ウエハーに
対し、プラズマイオンのボンバードメントによって熱量
が与えられると、素子３，４が熱電変換素子として働
く。このときリレースイッチ８をオンにすると、矢印Ａ
のように電流が流れる。この結果、熱量が電力として消
費され、半導体ウエハーが冷却される。In the embodiment shown in FIG. 2, the cable 5
The relay switch 8 and the load 7 are wired between A and 5B. When heat is applied to the semiconductor wafer placed on the placement surface 2a by bombardment of plasma ions, the elements 3 and 4 function as thermoelectric conversion elements. At this time, when the relay switch 8 is turned on, the arrow A
The current flows like. As a result, the amount of heat is consumed as electric power and the semiconductor wafer is cooled.
【００１７】図１の実施例においては、特に、印加電圧
を制御することにより、半導体ウエハーの冷却及び加熱
を自由に制御できるという利点がある。一方、図２の例
では、自己起電力を利用し、負荷７を流れる電流を測定
すれば、起電力の大きさから半導体ウエハーの温度を検
出することができるし、基材２が加熱中であれば冷却す
ることもできる。The embodiment shown in FIG. 1 has an advantage that the cooling and heating of the semiconductor wafer can be freely controlled by controlling the applied voltage. On the other hand, in the example of FIG. 2, the temperature of the semiconductor wafer can be detected from the magnitude of the electromotive force by using the self-electromotive force and measuring the current flowing through the load 7. It can also be cooled if present.
【００１８】基材２を構成する緻密質セラミックスとし
ては、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン、炭化
珪素、アルミナ、チタニア等が好ましい。また、熱電冷
却素子の材料は、Bi2Te3−Sb2Te3系化合物, PbTe系化合
物, TAGS, Si0.8Ge0.2, FeSi 2 系化合物，SiC 系化合物
などを例示できる。特に、FeSi2, SiCは、セラミック製
造技術によって、複雑な形状のｐ−ｎ接合素子を簡単に
作ることができるので、好ましい。As the dense ceramics constituting the base material 2,
For silicon nitride, aluminum nitride, sialon, carbonization
Silicon, alumina, titania and the like are preferable. Also, thermoelectric cooling
The material of the device is Bi2Te3−Sb2Te3Compounds, PbTe compounds
Thing, TAGS, Si0.8Ge0.2, FeSi 2Compounds, SiC compounds
Can be exemplified. Especially FeSi2, SiC is ceramic
Manufacturing technology makes it easy to create pn junction devices with complex shapes
It is preferable because it can be made.
【００１９】サセプター１は、例えば、次の方法によっ
て製造することができる。まず、図３に示すように、焼
結後のセラミックス基材９，10，Ｐ型半導体素子３，Ｎ
型半導体素子４を準備する。基材９は、Ｐ型半導体素子
３の表面を覆うためのものであり、平板状である。基材
10には、半導体素子３及び４を収容可能な凹部10ａが設
けられており、かつ貫通孔４ｃに嵌合可能な突起10ｂが
設けられている。The susceptor 1 can be manufactured, for example, by the following method. First, as shown in FIG. 3, the ceramic base material 9, 10 after sintering, the P-type semiconductor element 3, N
The type semiconductor element 4 is prepared. The base material 9 is for covering the surface of the P-type semiconductor element 3 and has a flat plate shape. Base material
A concave portion 10a that can accommodate the semiconductor elements 3 and 4 is provided in 10 and a projection 10b that can be fitted into the through hole 4c is provided.
【００２０】そして、まずＮ型半導体素子４を凹部10ａ
に密着させ、棒状端子４ｂを貫通孔10ｄに貫通させ、突
起10ｂを貫通孔４ｃに嵌合させる。次いで、棒状端子３
ｂを貫通孔10ｃに挿通させ、平板状部３ａを４ａに密着
させる。この上から基材９を載せ、接合する。接合方法
は、ろう接合、ガラス接合が用いられる。半導体素子
は、セラミック系の焼結体の他、メタル製のもの、プリ
ントタイプの薄膜等が用いられる。First, the N-type semiconductor element 4 is formed in the recess 10a.
Then, the rod-shaped terminal 4b is passed through the through hole 10d, and the protrusion 10b is fitted into the through hole 4c. Then, the rod-shaped terminal 3
b is inserted into the through hole 10c, and the flat plate portion 3a is brought into close contact with 4a. The base material 9 is placed on this and bonded. As a joining method, brazing or glass joining is used. As the semiconductor element, a ceramic-based sintered body, a metal-made one, a print-type thin film, or the like is used.
【００２１】本発明者は、上記した製法でサセプター１
を試作し、作動実験を行った。即ち、Ｐ型半導体素子３
を、マンガンをドープしたFeSi2 で形成し、Ｎ型半導体
素子４を、コバルトをドープしたFeSi2 で形成した。基
材９，10は、いずれも窒化珪素で形成した。窒化珪素中
には、焼結助剤として、Y2O3を添加した。30重量％のY2
O3，30重量％のAl2O3, 30 重量％のSiO2及び10重量％の
Si3N4 の混合粉末を用い、1500℃で加熱してオキシナイ
トライドガラスを形成することによって、基材９と10と
を接合した。The present inventor has made the susceptor 1 by the above-described manufacturing method.
Was prototyped and an operation test was conducted. That is, the P-type semiconductor element 3
Was formed of FeSi 2 doped with manganese, and the N-type semiconductor element 4 was formed of FeSi 2 doped with cobalt. Both the base materials 9 and 10 were made of silicon nitride. Y 2 O 3 was added into silicon nitride as a sintering aid. 30 wt% Y 2
O 3 , 30 wt% Al 2 O 3 , 30 wt% SiO 2 and 10 wt%
The base materials 9 and 10 were joined by using a mixed powder of Si 3 N 4 and heating at 1500 ° C. to form an oxynitride glass.
【００２２】基材９，10及びＰ，Ｎ半導体素子３，４
は、予め緻密な焼結体を使用し、一体化しているが、セ
ラミックスの成形体を一体焼結する事も可能である。更
に、基材９，10，ＰＮ半導体素子３，４は、スパッタ、
ＣＶＤ法によって形成する事も可能である。Substrates 9, 10 and P, N semiconductor elements 3, 4
In the above, a dense sintered body is used in advance and integrated, but it is also possible to integrally sinter a ceramic molded body. Further, the base materials 9 and 10 and the PN semiconductor elements 3 and 4 are sputtered,
It can also be formed by the CVD method.
【００２３】なお、基材９，10、及びＰＮ半導体素子
３，４は、接合界面にスキ間が無く、吸熱、加熱が速や
かに基材９，10とＰＮ半導体素子３，４の間で行なわれ
るよう、固体接触している状況が好ましく、一体化が重
要となる。このため、各材料の熱膨張率はできるだけ近
い方が良い。AlN やSi3N4, SiCを基材９，10に使用した
時には、半導体素子はSiC,SiGe等が好ましい。The base materials 9 and 10 and the PN semiconductor elements 3 and 4 have no gaps at the bonding interface, and heat absorption and heating are performed quickly between the base materials 9 and 10 and the PN semiconductor elements 3 and 4. As described above, it is preferable to be in solid contact, and integration is important. Therefore, the thermal expansion coefficients of the respective materials should be as close as possible. When AlN, Si 3 N 4 or SiC is used as the base material 9 or 10, the semiconductor element is preferably SiC or SiGe.
【００２４】そして、図１に示すように配線すると、半
導体素子３，４の接合界面と電源６の温度差ΔＴによっ
て、ゼーベック電界Ｅが生じる。Ｅ＝α・ΔＴ。αはゼ
ーベック係数である。効率良い熱電変換のためには、熱
電物質の性能指数Ｚ＝α2 ／Ｋ・Ｐの大きいものが必要
である。Ｋ，Ｐは各々、熱伝導率、電気抵抗率を示して
いる。When wiring is performed as shown in FIG. 1, a Seebeck electric field E is generated due to the temperature difference ΔT between the junction interface between the semiconductor elements 3 and 4 and the power source 6. E = α · ΔT. α is the Seebeck coefficient. For efficient thermoelectric conversion, a thermoelectric substance having a large figure of merit Z = α 2 / K · P is required. K and P indicate the thermal conductivity and the electrical resistivity, respectively.
【００２５】極６ｂを正極とし、極６ａを負極とし、10
0 Ｖの直流電圧を加えた。この結果、矢印Ａ方向に５Ａ
の電流が流れ、設置面２ａの温度は−15℃まで低下し
た。なお、室温は25℃であった。The pole 6b serves as a positive electrode and the pole 6a serves as a negative electrode.
A DC voltage of 0 V was applied. As a result, 5A in the direction of arrow A
Current flowed, and the temperature of the installation surface 2a dropped to -15 ° C. The room temperature was 25 ° C.
【００２６】また、図１に示すように配線し、極６ｂを
負極とし、極６ａを正極とし、100Ｖの直流電圧を加え
た。この結果、矢印Ｂ方向に５Ａの電流が流れ、設置面
２ａの温度は65℃まで上昇した。室温は25℃であった。Wiring was performed as shown in FIG. 1, the pole 6b was used as the negative electrode, the pole 6a was used as the positive electrode, and a DC voltage of 100 V was applied. As a result, a current of 5 A flows in the direction of arrow B, and the temperature of the installation surface 2a rises to 65 ° C. Room temperature was 25 ° C.
【００２７】次に、図２に示すように配線した。設置面
２ａを外部より赤外線ランプで加熱し、温度を 800℃に
した。回路の発熱部の温度は室温とした。リレースイッ
チ８をオンにし、ケーブル全体を閉回路にすると、５Ａ
の電流が流れた。この電流の値を検出することにより、
加熱温度を検出することができる。更に、ケーブルを閉
回路にした後、１分後には、設置面２ａの温度が 690℃
まで低下した。Next, wiring was performed as shown in FIG. The installation surface 2a was heated from outside by an infrared lamp to raise the temperature to 800 ° C. The temperature of the heat generating part of the circuit was room temperature. If you turn on the relay switch 8 and close the entire cable, 5A
Current flowed. By detecting the value of this current,
The heating temperature can be detected. Furthermore, 1 minute after the cable is closed circuit, the temperature of the installation surface 2a is 690 ° C.
Fell to.
【００２８】図４の実施例においては、サセプター21の
内部に、更に抵抗発熱体11を埋設した。ただし、図１，
図２に示したものと同じ部材には同じ符号を付け、その
説明は省略する。基材２の内部には、高融点金属からな
る抵抗発熱体11が埋設されており、抵抗発熱体11の端部
に、棒状端子12が接続されている。各棒状端子12にリー
ド線14が接続され、リード線14が交流電源13に接続され
ている。In the embodiment shown in FIG. 4, a resistance heating element 11 is further embedded inside the susceptor 21. However, in FIG.
The same members as those shown in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. A resistance heating element 11 made of a high melting point metal is embedded inside the base material 2, and a rod-shaped terminal 12 is connected to an end of the resistance heating element 11. A lead wire 14 is connected to each rod-shaped terminal 12, and the lead wire 14 is connected to an AC power supply 13.
【００２９】そして、設置面２ａ上に、直接又は他のサ
セプターを介して、半導体ウエハーを設置し、抵抗発熱
体11に通電して発熱させる。半導体ウエハーの温度に変
動があったときには、熱電変換素子によって温度の調節
を行う。Then, a semiconductor wafer is placed on the placement surface 2a directly or via another susceptor, and the resistance heating element 11 is energized to generate heat. When the temperature of the semiconductor wafer changes, the temperature is adjusted by the thermoelectric conversion element.
【００３０】図５の実施例においては、基体２の内部に
抵抗発熱体11を埋設するのと共に、ケーブル５Ａ，５Ｂ
にリレースイッチ８、負荷７を接続した。この部分の動
作は、図２に示したものと同じである。In the embodiment shown in FIG. 5, the resistance heating element 11 is embedded in the base body 2 and the cables 5A and 5B are provided.
The relay switch 8 and the load 7 were connected to. The operation of this part is the same as that shown in FIG.
【００３１】半導体素子は、平面状でなくとも、ＰＮの
接合面がサセプター内に存在すればよい。冷却，加熱の
必要な所にのみ素子を設置したり、ＰＮ接合がくし歯状
に入りくんでいる状況でもよい。The semiconductor element need not have a plane shape as long as the PN junction surface is present in the susceptor. The element may be installed only where cooling and heating are required, or the PN junction may be in a comb-like shape.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上述べたように、本発明のサセプター
によれば、緻密質セラミックスからなる基材内に熱電変
換素子が埋設されているので、半導体ウエハー上で熱量
の出入りがあるときに、熱電変換素子を動作させること
によって、半導体ウエハーの温度を制御することができ
る。As described above, according to the susceptor of the present invention, since the thermoelectric conversion element is embedded in the base material made of dense ceramics, when a heat quantity goes in and out of the semiconductor wafer, The temperature of the semiconductor wafer can be controlled by operating the thermoelectric conversion element.
【００３３】しかも、熱電変換素子は、緻密質セラミッ
クスからなる基材内に埋設されているので、半導体製造
用のプラズマガス、腐食性ガスから保護される。従っ
て、長期間に亘って、半導体ウエハーの温度を制御する
機能が、損なわれない。しかも、高温下や高真空下で
も、問題なく使用できる。Moreover, since the thermoelectric conversion element is embedded in the base material made of dense ceramics, it is protected from plasma gas and corrosive gas for semiconductor production. Therefore, the function of controlling the temperature of the semiconductor wafer is not impaired for a long period of time. Moreover, it can be used without problems even under high temperature or high vacuum.
【図１】本発明のサセプターを模式的に示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a susceptor of the present invention.
【図２】本発明のサセプターを模式的に示す断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view schematically showing a susceptor of the present invention.
【図３】サセプター１の製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the susceptor 1.
【図４】本発明のサセプターを模式的に示す断面図であ
る。FIG. 4 is a sectional view schematically showing a susceptor of the present invention.
【図５】本発明のサセプターを模式的に示す断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view schematically showing a susceptor of the present invention.
１，21 サセプター ２ 基材 ３ Ｐ型半導体素子 ４ Ｎ型半導体素子 ５Ａ，５Ｂ ケーブル ６，13 電源 11 抵抗発熱体 Ａ，Ｂ 電流が流れる方向 1,21 Susceptor 2 Base material 3 P-type semiconductor element 4 N-type semiconductor element 5A, 5B cable 6,13 Power supply 11 Resistance heating element A, B Current flow direction
Claims (1)
電変換素子が埋設されている、半導体ウエハー用サセプ
ター。1. A susceptor for a semiconductor wafer, in which a thermoelectric conversion element is embedded in a base material made of dense ceramics.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5584393A JP3091804B2 (en) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | Susceptor for semiconductor wafer and method for measuring temperature of semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5584393A JP3091804B2 (en) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | Susceptor for semiconductor wafer and method for measuring temperature of semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268053A true JPH06268053A (en) | 1994-09-22 |
| JP3091804B2 JP3091804B2 (en) | 2000-09-25 |
Family
ID=13010300
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5584393A Expired - Lifetime JP3091804B2 (en) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | Susceptor for semiconductor wafer and method for measuring temperature of semiconductor wafer |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7978963B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237109A (en) * | 1988-07-25 | 1990-02-07 | Yamaha Motor Co Ltd | Air-fuel mixture supply device of gas engine |
| JPH02215135A (en) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Fujitsu Ltd | Vapor phase epitaxy device |
| JPH0362920A (en) * | 1989-08-01 | 1991-03-19 | Canon Inc | Wafer mounting stage |
| JPH03261131A (en) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Ngk Insulators Ltd | Wafer heater for semiconductor manufacturing device |
| JPH0487178A (en) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Ngk Insulators Ltd | Heating device for semiconductor wafer |
| JPH04299832A (en) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Ngk Insulators Ltd | Semiconductor wafer heating device |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5584393A patent/JP3091804B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03261131A (en) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Ngk Insulators Ltd | Wafer heater for semiconductor manufacturing device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7978963B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3091804B2 (en) | 2000-09-25 |
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