JPH06260428A - Plasma cvd device - Google Patents
Plasma cvd deviceInfo
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- JPH06260428A JPH06260428A JP4513893A JP4513893A JPH06260428A JP H06260428 A JPH06260428 A JP H06260428A JP 4513893 A JP4513893 A JP 4513893A JP 4513893 A JP4513893 A JP 4513893A JP H06260428 A JPH06260428 A JP H06260428A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、反応容器内に反応ガ
スの流れを調整するためのガス分散板２枚を二重に備
え、成膜時にはこれら両ガス分散板またはウエハ支持台
に近い側のガス分散板を高周波電極として、プラズマを
発生させるようにしたプラズマＣＶＤ装置に係り、特
に、反応容器のクリーニング時の構成に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is provided with two gas dispersion plates for adjusting the flow of a reaction gas in a reaction vessel, and both sides of the gas dispersion plates or the wafer support stand during film formation. The present invention relates to a plasma CVD apparatus that uses the gas dispersion plate as a high-frequency electrode to generate plasma, and particularly relates to a configuration for cleaning a reaction container.
【０００２】[0002]
【従来の技術】通常、酸化膜、窒化膜等をウエハ上に成
膜するプラズマＣＶＤ装置においては、成膜時にはウエ
ハ以上の部分にも生成物が付着する。したがって、成膜
後には反応容器内のクリーニングが必要となる。このク
リーニングは、クリーニングガスとしてＮＦ3またはＣ2
Ｆ6等のガスを反応容器内に導入し、成膜時と同様に２
枚のガス分散板またはウエハ支持台に近い側のガス分散
板を高周波電極とし、ウエハ支持台に近い側のガス分散
板とウエハ支持台との間でプラズマを発生させて行うの
が一般的である。2. Description of the Related Art Generally, in a plasma CVD apparatus for forming an oxide film, a nitride film, etc. on a wafer, the product adheres to a portion above the wafer during the film formation. Therefore, it is necessary to clean the inside of the reaction container after the film formation. This cleaning uses NF 3 or C 2 as a cleaning gas.
Introduce a gas such as F 6 into the reaction vessel, and perform 2
It is common practice to use a single gas dispersion plate or a gas dispersion plate near the wafer support table as a high-frequency electrode, and generate plasma between the gas dispersion plate near the wafer support table and the wafer support table. is there.
【０００３】図７はこの種の従来のプラズマＣＶＤ装置
の概略構成を示す断面図である。図において、１は反応
容器、２はこの反応容器１の下部に絶縁部材３を介して
設置され、ウエハ（図示せず）を支持するためのウエハ
支持台、４、５はこのウエハ支持台２と対応した位置
に、ウエハの成膜方向にそれぞれ異なる距離を介して順
次配設される第１および第２のガス分散板で、絶縁部材
６を介して反応容器１に取り付けられている。FIG. 7 is a sectional view showing a schematic structure of a conventional plasma CVD apparatus of this type. In the figure, 1 is a reaction container, 2 is a lower part of the reaction container 1 with an insulating member 3 interposed, and a wafer support table for supporting a wafer (not shown) 4 and 5 are the wafer support table 2 The first and second gas dispersion plates, which are sequentially arranged at different positions in the film forming direction of the wafer at positions corresponding to, are attached to the reaction container 1 via the insulating member 6.
【０００４】そして、これら両ガス分散板４、５は、ガ
ス導入口８から導入される反応ガスの成分の均一化、成
膜する膜の厚さ又は膜質のウエハ面内均一性の向上を図
るために設けられたものであり、第１のガス分散板４は
円板状部材に数百ないし数千の細孔が穿設されたもので
あり、第２のガス分散板５は円板状部材に数十ないし数
百の細孔が穿設されるか、または円板状部材の表面に放
射状溝が形成されたものである。８は両ガス分散板４、
５と接続される高周波電源、９はこの高周波電源８と第
２のガス分散板５との間に介挿されるスイッチ、１０は
ガス導出口である。The both gas dispersion plates 4 and 5 are intended to make the components of the reaction gas introduced from the gas inlet 8 uniform and to improve the uniformity of the thickness or quality of the film to be formed on the wafer surface. The first gas dispersion plate 4 is a disk-shaped member having hundreds or thousands of pores formed therein, and the second gas distribution plate 5 is a disk-shaped member. The member is one in which several tens to several hundreds of fine holes are bored, or a radial groove is formed on the surface of a disk-shaped member. 8 is both gas dispersion plates 4,
A high-frequency power supply connected to 5, a switch 9 interposed between the high-frequency power supply 8 and the second gas dispersion plate 5, and a gas outlet 10.
【０００５】次に、上記のように構成された従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の動作について説明する。まず、成膜時
には、ガス導入口８から導入される反応ガス、すなわ
ち、酸化膜の場合にはＳｉＨ4、ＴＥＯＳ、Ｏ2、Ｎ2Ｏ
等、又、窒化膜の場合にはＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2、Ｈ2等
のガスは第２のガス分散板５および第１のガス分散板４
で流れが調整されて分散する。この状態でスイッチ９を
ＯＮにしたまま高周波電源８から両ガス分散板４、５に
高周波電圧を印加するか、またはスイッチ９をＯＦＦに
して高周波電源８から第１のガス分散板４に高周波電圧
を印加すると、第１のガス分散板４とウエハ支持台２と
の間にプラズマが発生して、ウエハ支持台２上のウエハ
表面に成膜が行われる。Next, the operation of the conventional plasma CVD apparatus configured as described above will be described. First, at the time of film formation, the reaction gas introduced from the gas introduction port 8, that is, SiH 4 , TEOS, O 2 , N 2 O in the case of an oxide film.
Etc., and in the case of a nitride film, gases such as SiH 4 , NH 3 , N 2 , H 2 are used for the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4.
The flow is adjusted by and dispersed. In this state, a high frequency voltage is applied from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5 while the switch 9 is turned on, or the high frequency voltage is applied from the high frequency power source 8 to the first gas dispersion plate 4 by turning off the switch 9. Is applied, plasma is generated between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2 to form a film on the wafer surface on the wafer support base 2.
【０００６】次に、クリーニング時には、ガス導入口８
からＮＦ3あるいはＣ2Ｆ6等のガスが反応容器１内に導
入され、上述した成膜時と同様に、スイッチ１４をＯＮ
またはＯＦＦさせることにより、両ガス分散板４、５あ
るいは第１のガス分散板４に高周波電源８から高周波電
圧を印加することにより、図８に模式的に示すようにプ
ラズマ１１を発生させ、反応容器１内の付着物のクリー
ニングを行う。Next, at the time of cleaning, the gas inlet 8
A gas such as NF 3 or C 2 F 6 is introduced into the reaction vessel 1 from the above, and the switch 14 is turned on in the same manner as in the film formation described above.
Alternatively, by turning it off, a high-frequency voltage is applied from the high-frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5 or the first gas dispersion plate 4 to generate plasma 11 as schematically shown in FIG. The deposit inside the container 1 is cleaned.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＤ
装置は以上のように構成されクリーニングが行われてい
るので、第１のガス分散板４のみに高周波電圧が印加さ
れている場合は勿論のこと、両ガス分散板４、５に高周
波電圧が印加されている場合でも、両ガス分散板４、５
は同電位であるため、図８に示すようにプラズマ１１は
第１のガス分散板４とウエハ支持台２との間にのみ発生
するので、成膜時にウエハ支持台２の表面や第１のガス
分散板４の表面に付着した生成物はプラズマ１１に触れ
てクリーニングできるが、第１のガス分散板４に穿設さ
れる多数の細孔の内面に付着した生成物はプラズマ１１
に触れることはないためクリーニングできない。したが
って、累積成膜膜厚に伴って成膜のウエハ面内均一性が
変化し、製品の信頼性が低下するという問題点があっ
た。[Problems to be Solved by the Invention] Conventional plasma CVD
Since the apparatus is configured and cleaned as described above, not only when the high frequency voltage is applied only to the first gas dispersion plate 4, but also when the high frequency voltage is applied to both gas dispersion plates 4 and 5. Both gas dispersion plates 4, 5
8 have the same potential, plasma 11 is generated only between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2 as shown in FIG. The product adhered to the surface of the gas dispersion plate 4 can be cleaned by touching the plasma 11, but the product adhered to the inner surface of the large number of pores formed in the first gas dispersion plate 4 is plasma 11.
It cannot be cleaned because it does not touch. Therefore, there is a problem that the uniformity of the film formed on the wafer changes with the accumulated film thickness and the reliability of the product deteriorates.
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、第１のガス分散板の細孔の内面
に付着した生成物をクリーニングできるようにすること
により、累積成膜膜厚に伴う成膜のウエハ面内均一性を
保持して、信頼性の高い製品を得ることが可能なプラズ
マＣＶＤ装置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and by making it possible to clean the product attached to the inner surface of the pores of the first gas dispersion plate, the cumulative film formation is achieved. It is an object of the present invention to provide a plasma CVD apparatus capable of obtaining a highly reliable product while maintaining the uniformity of film formation on the wafer surface according to the film thickness.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
のプラズマＣＶＤ装置は、反応容器のクリーニング時に
は、第１のガス分散板を絶縁するとともにウエハ支持台
を接地し、第２のガス分散板を高周波電極としてプラズ
マを発生させるようにしたものである。[Means for Solving the Problems] Claim 1 according to the present invention
In the plasma CVD apparatus, the first gas dispersion plate is insulated, the wafer support is grounded, and the second gas dispersion plate is used as a high-frequency electrode to generate plasma when the reaction container is cleaned.
【００１０】又、この発明に係る請求項２のプラズマＣ
ＶＤ装置は、反応容器のクリーニング時には、第１のガ
ス分散板を絶縁するとともに第２のガス分散板を接地
し、ウエハ支持台を高周波電極としてプラズマを発生さ
せるようにしたものである。The plasma C according to claim 2 of the present invention
The VD device is configured to insulate the first gas dispersion plate, ground the second gas dispersion plate, and generate plasma by using the wafer support as a high-frequency electrode when cleaning the reaction container.
【００１１】又、この発明に係る請求項３のプラズマＣ
ＶＤ装置は、反応容器のクリーニング時には、第１のガ
ス分散板およびウエハ支持台を接地し、第２のガス分散
板を高周波電極としてプラズマを発生させるようにした
ものである。The plasma C according to claim 3 of the present invention.
In the VD device, when cleaning the reaction container, the first gas dispersion plate and the wafer support are grounded, and the second gas dispersion plate is used as a high-frequency electrode to generate plasma.
【００１２】又、この発明に係る請求項４のプラズマＣ
ＶＤ装置は、反応容器のクリーニング時には、第２のガ
ス分散板を接地し、第１のガス分散板およびウエハ支持
台を高周波電極としてプラズマを発生させるようにした
ものである。The plasma C according to claim 4 of the present invention
In the VD device, when cleaning the reaction container, the second gas dispersion plate is grounded, and plasma is generated using the first gas dispersion plate and the wafer support as high-frequency electrodes.
【００１３】[0013]
【作用】この発明の請求項１におけるプラズマＣＶＤ装
置の第２のガス分散板は、反応容器のクリーニング時に
高周波電極として、ウエハ支持台との間にプラズマを発
生させる。The second gas dispersion plate of the plasma CVD apparatus according to the first aspect of the present invention serves as a high-frequency electrode to generate plasma between the wafer support and the wafer support during cleaning of the reaction container.
【００１４】又、この発明の請求項２におけるプラズマ
ＣＶＤ装置のウエハ支持台は、反応容器のクリーニング
時に高周波電極として、第２のガス分散板との間にプラ
ズマを発生させる。Further, the wafer support of the plasma CVD apparatus according to the second aspect of the present invention serves as a high-frequency electrode for generating plasma between the second gas dispersion plate and the high frequency electrode when cleaning the reaction container.
【００１５】又、この発明の請求項３におけるプラズマ
ＣＶＤ装置の第２のガス分散板は、反応容器のクリーニ
ング時に高周波電極として、ウエハ支持台との間にプラ
ズマを発生させる。Further, the second gas dispersion plate of the plasma CVD apparatus according to the third aspect of the present invention serves as a high frequency electrode at the time of cleaning the reaction container to generate plasma between the wafer support and the wafer support.
【００１６】又、この発明の請求項４におけるプラズマ
ＣＶＤ装置の第１のガス分散板およびウエハ支持台は、
反応容器のクリーニング時に高周波電極として、第２の
ガス分散板との間にプラズマを発生させる。Further, the first gas dispersion plate and the wafer support of the plasma CVD apparatus according to claim 4 of the present invention are:
At the time of cleaning the reaction container, plasma is generated between the second gas dispersion plate and the high-frequency electrode.
【００１７】[0017]
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図につ
いて説明する。図１はこの発明の実施例１におけるプラ
ズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。図にお
いて、図７に示す従来装置と同様な部分は同一符号を付
して説明を省略する。１２は高周波電源８と第１のガス
分散板４との間に介挿されるスイッチである。EXAMPLES Example 1. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus in Embodiment 1 of the present invention. In the figure, the same parts as those of the conventional device shown in FIG. A switch 12 is interposed between the high frequency power source 8 and the first gas dispersion plate 4.
【００１８】次に、上記のように構成された実施例１に
おけるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、従来装置の場合と同様に、導入口８か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態で両スイッチ９、１２をＯＮ
にして高周波電源８から両ガス分散板４、５に高周波電
圧を印加するか、またはスイッチ９のみをＯＦＦにして
第１のガス分散板４に高周波電圧を印加すると、第１の
ガス分散板４とウエハ支持台２との間にプラズマが発生
して、ウエハ支持台２上のウエハ表面に成膜が行われ
る。Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to the first embodiment constructed as described above will be described. First, at the time of film formation, as in the case of the conventional apparatus, the flow of the reaction gas introduced from the introduction port 8 is sequentially adjusted by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4, and the reaction vessel is adjusted. Disperse within 1. In this state, turn on both switches 9 and 12.
Then, a high-frequency voltage is applied from the high-frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 or 5, or if only the switch 9 is turned off and a high-frequency voltage is applied to the first gas dispersion plate 4, the first gas dispersion plate 4 Plasma is generated between the wafer supporting base 2 and the wafer supporting base 2, and a film is formed on the wafer surface on the wafer supporting base 2.
【００１９】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口８からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮ、スイッチ１２をＯＦＦの状態にした
後、高周波電源８から第２のガス分散板５に高周波電圧
を印加すると、図２に示すように第２のガス分散板５と
ウエハ支持台２との間にプラズマ１３が発生する。そし
て、このプラズマ１３は図から明らかなように第１のガ
ス分散板の細孔内にも行き渡っているので、細孔内に付
着された生成物は良好にクリーニングされる。During cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas inlet port 8, the switch 9 is turned on and the switch 12 is turned off. Therefore, when a high frequency voltage is applied to the second gas dispersion plate 5, plasma 13 is generated between the second gas dispersion plate 5 and the wafer support 2 as shown in FIG. As is clear from the figure, the plasma 13 has also spread into the pores of the first gas dispersion plate, so that the products attached to the pores can be cleaned well.
【００２０】実施例２．図３はこの発明の実施例２にお
けるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図であ
る。図において、図１に示す実施例１におけるものと同
様な部分は同一符号を付して説明を省略する。１４はス
イッチ９と直列に接続され、切り替えることによって第
２のガス分散板５を高周波電源８側およびアース側にそ
れぞれ接続するスイッチ、１５はウエハ支持台２に接続
され、切り替えることによってウエハ支持台２を高周波
電源８側およびアース側にそれぞれ接続するスイッチで
ある。Example 2. FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the figure, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. A switch 14 is connected in series with the switch 9, and switches to connect the second gas dispersion plate 5 to the high-frequency power source 8 side and the ground side, respectively, and 15 is connected to the wafer support base 2 and switched to switch the wafer support base. 2 is a switch for connecting the high frequency power source 8 side and the high frequency power source side to the ground side.
【００２１】次に、上記のように構成された実施例２に
おけるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、実施例１の場合と同様に、導入口８か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態でスイッチ１４は高周波電源
８側、スイッチ１５はアース側にそれぞれ切り替えた
後、両スイッチ９、１２をＯＮにして高周波電源８から
両ガス分散板４、５に高周波電圧を印加するか、または
スイッチ９のみをＯＦＦにして第１のガス分散板４に高
周波電圧を印加すると、第１のガス分散板４とウエハ支
持台２との間にプラズマが発生して、ウエハ支持台２上
のウエハ表面に成膜が行われる。Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to the second embodiment having the above structure will be described. First, at the time of film formation, as in the case of Example 1, the reaction gas introduced from the introduction port 8 is sequentially regulated in flow by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 and reacted. Disperse in container 1. In this state, the switch 14 is switched to the high frequency power source 8 side and the switch 15 is switched to the ground side, and then both switches 9 and 12 are turned on to apply a high frequency voltage from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5. Alternatively, when only the switch 9 is turned off and a high frequency voltage is applied to the first gas dispersion plate 4, plasma is generated between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2, and the plasma is generated on the wafer support base 2. A film is formed on the surface of the wafer.
【００２２】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口８からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮ、スイッチ１２をＯＦＦにする。この状
態でスイッチ１４をアース側およびスイッチ１５を高周
波電源８側にそれぞれ切り替えウエハ支持台２に高周波
電圧を印加すると、図示はしないが図２に示す実施例１
の場合と同様、ウエハ支持台２と第２のガス分散板５と
の間にプラズマが発生し、このプラズマは第１のガス分
散板４の細孔内にも行き渡るので、細孔内に付着した生
成物は良好にクリーニングされる。なお、第２のガス分
散板５が接地されることで、自己バイアス電圧によって
加速された反応性イオンによるウエハ支持台２へのダメ
ージを防止するとともに、第２のガス分散板５のクリー
ニング効率を上げることもできる。During cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas introduction port 8, the switch 9 is turned on, and the switch 12 is turned off. In this state, when the switch 14 is switched to the ground side and the switch 15 is switched to the high frequency power source 8 side, respectively, and a high frequency voltage is applied to the wafer supporting base 2, the first embodiment shown in FIG.
In the same manner as in the above case, plasma is generated between the wafer support 2 and the second gas dispersion plate 5, and this plasma also spreads into the pores of the first gas dispersion plate 4, so that it adheres to the inside of the pores. The product obtained is cleaned well. The grounding of the second gas dispersion plate 5 prevents the reactive ions accelerated by the self-bias voltage from damaging the wafer support base 2 and improves the cleaning efficiency of the second gas dispersion plate 5. You can also raise it.
【００２３】実施例３．図４はこの発明の実施例３にお
けるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図であ
る。図において、図１に示す実施例１におけるものと同
様な部分は同一符号を付して説明を省略する。１６は第
１のガス分散板４に接続され、切り替えることによって
第１のガス分散板４を、高周波電源８側およびアース側
にそれぞれ接続するスイッチである。Example 3. FIG. 4 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus in Embodiment 3 of the present invention. In the figure, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. A switch 16 is connected to the first gas dispersion plate 4 and connects the first gas dispersion plate 4 to the high frequency power source 8 side and the ground side by switching.
【００２４】次に、上記のように構成された実施例３に
おけるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、実施例１の場合と同様に、導入口８か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態でスイッチ１６を高周波電源
８側に切り替えるとともにスイッチ１２をＯＮにして高
周波電源８から両ガス分散板４、５に高周波電圧を印加
するか、またはスイッチ９をＯＦＦにして第１のガス分
散板４に高周波電圧を印加すると、第１のガス分散板４
とウエハ支持台２との間にプラズマが発生して、ウエハ
支持台２上のウエハ表面に成膜が行われる。Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to the third embodiment constructed as described above will be described. First, at the time of film formation, as in the case of Example 1, the reaction gas introduced from the introduction port 8 is sequentially regulated in flow by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 and reacted. Disperse in container 1. In this state, the switch 16 is switched to the high frequency power source 8 side and the switch 12 is turned on to apply a high frequency voltage from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5, or the switch 9 is turned off to turn off the first gas dispersion. When a high frequency voltage is applied to the plate 4, the first gas dispersion plate 4
Plasma is generated between the wafer supporting base 2 and the wafer supporting base 2, and a film is formed on the wafer surface on the wafer supporting base 2.
【００２５】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口８からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮにしたままの状態でスイッチ１６をアー
ス側に切り替え第２のガス分散板５に高周波電圧を印加
すると、図５に示すように第２のガス分散板５と第１の
ガス分散板４との間にプラズマ１７が発生する。そし
て、このプラズマ１７は図からも明らかなように、第１
のガス分散板４の細孔内にも行き渡っているので、細孔
内に付着した生成物は良好にクリーニングされる。At the time of cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced from the gas inlet 8 into the reaction vessel 1 and the switch 16 is switched to the ground side while the switch 9 is kept ON. When a high frequency voltage is applied to the second gas dispersion plate 5, plasma 17 is generated between the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 as shown in FIG. And this plasma 17 is
Since it also spreads in the pores of the gas dispersion plate 4, the product adhering to the pores is well cleaned.
【００２６】実施例４．図６はこの発明の実施例４にお
けるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図であ
る。図において、図３に示す実施例２と異なる点は、第
１のガス分散板４がスイッチ１２を介すことなく直接高
周波電源８に接続されていることである。Example 4. FIG. 6 is a sectional view showing a schematic structure of a plasma CVD apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. In the figure, the difference from the second embodiment shown in FIG. 3 is that the first gas dispersion plate 4 is directly connected to the high-frequency power source 8 without the switch 12.
【００２７】次に、上記のように構成された実施例にお
けるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、実施例２の場合と同様に、導入口８か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態でスイッチ１４は高周波電源
８側、スイッチ１５はアース側にそれぞれ切り替えた
後、スイッチ９をＯＮにして高周波電源８から両ガス分
散板４、５に高周波電圧を印加するか、またはスイッチ
９をＯＦＦにして第１のガス分散板４に高周波電圧を印
加すると、第１のガス分散板４とウエハ支持台２との間
にプラズマが発生して、ウエハ支持台２上のウエハ表面
に成膜が行われる。Next, the operation of the plasma CVD apparatus in the embodiment constructed as described above will be described. First, at the time of film formation, as in the case of Example 2, the reaction gas introduced from the inlet 8 is sequentially regulated in flow by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 and reacted. Disperse in container 1. In this state, the switch 14 is switched to the high frequency power source 8 side and the switch 15 is switched to the ground side, and then the switch 9 is turned on to apply a high frequency voltage from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5, or When a high frequency voltage is applied to the first gas dispersion plate 4 by turning off the switch, plasma is generated between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2 and the plasma is generated on the wafer surface on the wafer support base 2. The film is made.
【００２８】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口８からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮ、またスイッチ１４およびスイッチ１５
を高周波電源８側にそれぞれ切り替え、ウエハ支持台２
および第１のガス分散板４に高周波電圧を印加すると、
図示はしないが図５に示す実施例３の場合と同様、第１
のガス分散板４と第２のガス分散板５との間にプラズマ
が発生し、このプラズマは第１のガス分散板４の細孔内
にも行き渡るので、細孔内に付着した生成物は良好にク
リーニングされる。なお、第２のガス分散板５が接地さ
れることで、自己バイアス電圧によって加速された反応
性イオンによる第１のガス分散板４へのダメージを防止
することができる。At the time of cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas inlet port 8, the switch 9 is turned on, and the switch 14 and the switch 15 are turned on.
To the high frequency power source 8 side, and the wafer support 2
And applying a high frequency voltage to the first gas dispersion plate 4,
Although not shown in the drawings, like the case of the third embodiment shown in FIG.
Since plasma is generated between the gas dispersion plate 4 and the second gas dispersion plate 5 of No. 1 and this plasma also spreads into the pores of the first gas dispersion plate 4, the products attached to the pores are Cleans well. By grounding the second gas dispersion plate 5, it is possible to prevent damage to the first gas dispersion plate 4 due to the reactive ions accelerated by the self-bias voltage.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、反応容器のクリーニング時には、第１のガス分散
板を絶縁するとともにウエハ支持台を接地し、第２のガ
ス分散板を高周波電極としてプラズマを発生させるよう
にし、As described above, according to the first aspect of the present invention, at the time of cleaning the reaction container, the first gas dispersion plate is insulated, the wafer support is grounded, and the second gas dispersion plate is provided. Generate plasma as a high frequency electrode,
【００３０】又、この発明の請求項２によれば、反応容
器のクリーニング時には、第１のガス分散板を絶縁する
とともに第２のガス分散板を接地し、ウエハ支持台を高
周波電極としてプラズマを発生させるようにし、According to the second aspect of the present invention, when cleaning the reaction container, the first gas dispersion plate is insulated, the second gas dispersion plate is grounded, and the wafer support is used as a high-frequency electrode to generate plasma. Let it occur,
【００３１】又、この発明の請求項３によれば、反応容
器のクリーニング時には、第１のガス分散板およびウエ
ハ支持台を接地し、第２のガス分散板を高周波電極とし
てプラズマを発生させるようにし、According to the third aspect of the present invention, at the time of cleaning the reaction container, the first gas dispersion plate and the wafer support are grounded, and the second gas dispersion plate is used as a high frequency electrode to generate plasma. West,
【００３２】又、この発明の請求項４によれば、反応容
器のクリーニング時には、第２のガス分散板を接地し、
第１のガス分散板およびウエハ支持台を高周波電極とし
てプラズマを発生させるようにしたので、第１のガス分
散板の細孔内に付着した生成物を良好にクリーニングで
きるようになり、累積成膜膜厚に伴う成膜のウエハ面内
均一性を保持して、信頼性の高い製品を得ることが可能
なプラズマＣＶＤ装置を提供することができる。According to a fourth aspect of the present invention, when cleaning the reaction container, the second gas dispersion plate is grounded,
Since the plasma is generated by using the first gas dispersion plate and the wafer support as high-frequency electrodes, the products adhering to the pores of the first gas dispersion plate can be satisfactorily cleaned, and the cumulative film formation. It is possible to provide a plasma CVD apparatus capable of obtaining a highly reliable product while maintaining the uniformity of film formation on the wafer surface according to the film thickness.
【図１】この発明の実施例１におけるプラズマＣＶＤ装
置の概略構成を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示すプラズマＣＶＤ装置におけるプラズ
マの発生状態を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a plasma generation state in the plasma CVD apparatus shown in FIG.
【図３】この発明の実施例２におけるプラズマＣＶＤ装
置の概略構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】この発明の実施例３におけるプラズマＣＶＤ装
置の概略構成を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】図４に示すプラズマＣＶＤ装置におけるプラズ
マの発生状態を模式的に示す断面図である。5 is a cross-sectional view schematically showing a plasma generation state in the plasma CVD apparatus shown in FIG.
【図６】この発明の実施例４におけるプラズマＣＶＤ装
置の概略構成を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional plasma CVD apparatus.
【図８】図７に示すプラズマＣＶＤ装置におけるプラズ
マの発生状態を模式的に示す断面図である。8 is a cross-sectional view schematically showing a plasma generation state in the plasma CVD apparatus shown in FIG.
１ 反応容器 ２ ウエハ支持台 ４ 第１のガス分散板 ５ 第２のガス分散板 ８ 高周波電源 ９、１２、１４、１５、１６ スイッチ １１、１３、１７ プラズマ 1 Reaction Vessel 2 Wafer Support 4 First Gas Dispersion Plate 5 Second Gas Dispersion Plate 8 High Frequency Power Supply 9, 12, 14, 15, 16 Switch 11, 13, 17 Plasma
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年６月２５日[Submission date] June 25, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００４[Correction target item name] 0004
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００４】そして、これら両ガス分散板４、５は、ガ
ス導入口７から導入される反応ガスの成分の均一化、成
膜する膜の厚さ又は膜質のウエハ面内均一性の向上を図
るために設けられたものであり、第１のガス分散板４は
円板状部材に数百ないし数千の細孔が穿設されたもので
あり、第２のガス分散板５は円板状部材に数十ないし数
百の細孔が穿設されるか、または円板状部材の表面に放
射状溝が形成されたものである。８は両ガス分散板４、
５と接続される高周波電源、９はこの高周波電源８と第
２のガス分散板５との間に介挿されるスイッチ、１０は
ガス導出口である。Both of these gas dispersion plates 4 and 5 aim to make the components of the reaction gas introduced from the gas inlet 7 uniform and to improve the uniformity of the thickness of the film to be formed or the film quality within the wafer. The first gas dispersion plate 4 is a disk-shaped member having hundreds or thousands of pores formed therein, and the second gas distribution plate 5 is a disk-shaped member. The member is one in which several tens to several hundreds of fine holes are bored, or a radial groove is formed on the surface of a disk-shaped member. 8 is both gas dispersion plates 4,
A high-frequency power supply connected to 5, a switch 9 interposed between the high-frequency power supply 8 and the second gas dispersion plate 5, and a gas outlet 10.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００５[Name of item to be corrected] 0005
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００５】次に、上記のように構成された従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の動作について説明する。まず、成膜時
には、ガス導入口７から導入される反応ガス、すなわ
ち、酸化膜の場合にはＳｉＨ4、ＴＥＯＳ、Ｏ2、Ｎ2Ｏ
等、又、窒化膜の場合にはＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2、Ｈ2等
のガスは第２のガス分散板５および第１のガス分散板４
で流れが調整されて分散する。この状態でスイッチ９を
ＯＮにしたまま高周波電源８から両ガス分散板４、５に
高周波電圧を印加するか、またはスイッチ９をＯＦＦに
して高周波電源８から第１のガス分散板４に高周波電圧
を印加すると、第１のガス分散板４とウエハ支持台２と
の間にプラズマが発生して、ウエハ支持台２上のウエハ
表面に成膜が行われる。Next, the operation of the conventional plasma CVD apparatus configured as described above will be described. First, at the time of film formation, the reaction gas introduced from the gas introduction port 7 , that is, SiH 4 , TEOS, O 2 , N 2 O in the case of an oxide film.
Etc., and in the case of a nitride film, gases such as SiH 4 , NH 3 , N 2 , H 2 are used for the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4.
The flow is adjusted by and dispersed. In this state, a high frequency voltage is applied from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5 while the switch 9 is turned on, or the high frequency voltage is applied from the high frequency power source 8 to the first gas dispersion plate 4 by turning off the switch 9. Is applied, plasma is generated between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2 to form a film on the wafer surface on the wafer support base 2.
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００６】次に、クリーニング時には、ガス導入口７
からＮＦ3あるいはＣ2Ｆ6等のガスが反応容器１内に導
入され、上述した成膜時と同様に、スイッチ１４をＯＮ
またはＯＦＦさせることにより、両ガス分散板４、５あ
るいは第１のガス分散板４に高周波電源８から高周波電
圧を印加することにより、図８に模式的に示すようにプ
ラズマ１１を発生させ、反応容器１内の付着物のクリー
ニングを行う。Next, at the time of cleaning, the gas inlet 7
A gas such as NF 3 or C 2 F 6 is introduced into the reaction vessel 1 from the above, and the switch 14 is turned on in the same manner as in the film formation described above.
Alternatively, by turning it off, a high-frequency voltage is applied from the high-frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5 or the first gas dispersion plate 4 to generate plasma 11 as schematically shown in FIG. The deposit inside the container 1 is cleaned.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１８[Correction target item name] 0018
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１８】次に、上記のように構成された実施例１に
おけるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、従来装置の場合と同様に、導入口７か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態で両スイッチ９、１２をＯＮ
にして高周波電源８から両ガス分散板４、５に高周波電
圧を印加するか、またはスイッチ９のみをＯＦＦにして
第１のガス分散板４に高周波電圧を印加すると、第１の
ガス分散板４とウエハ支持台２との間にプラズマが発生
して、ウエハ支持台２上のウエハ表面に成膜が行われ
る。Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to the first embodiment constructed as described above will be described. First, at the time of film formation, as in the case of the conventional apparatus, the flow of the reaction gas introduced from the introduction port 7 is sequentially adjusted by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4, and the reaction vessel is adjusted. Disperse within 1. In this state, turn on both switches 9 and 12.
Then, a high-frequency voltage is applied from the high-frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 or 5, or if only the switch 9 is turned off and a high-frequency voltage is applied to the first gas dispersion plate 4, the first gas dispersion plate 4 Plasma is generated between the wafer supporting base 2 and the wafer supporting base 2, and a film is formed on the wafer surface on the wafer supporting base 2.
【手続補正５】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１９[Correction target item name] 0019
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１９】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口７からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮ、スイッチ１２をＯＦＦの状態にした
後、高周波電源８から第２のガス分散板５に高周波電圧
を印加すると、図２に示すように第２のガス分散板５と
ウエハ支持台２との間にプラズマ１３が発生する。そし
て、このプラズマ１３は図から明らかなように第１のガ
ス分散板の細孔内にも行き渡っているので、細孔内に付
着された生成物は良好にクリーニングされる。At the time of cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas inlet 7 , the switch 9 is turned on and the switch 12 is turned off, and then the high frequency power source 8 is supplied. Therefore, when a high frequency voltage is applied to the second gas dispersion plate 5, plasma 13 is generated between the second gas dispersion plate 5 and the wafer support 2 as shown in FIG. As is clear from the figure, the plasma 13 has also spread into the pores of the first gas dispersion plate, so that the products attached to the pores can be cleaned well.
【手続補正６】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２１[Correction target item name] 0021
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２１】次に、上記のように構成された実施例２に
おけるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、実施例１の場合と同様に、導入口７か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態でスイッチ１４は高周波電源
８側、スイッチ１５はアース側にそれぞれ切り替えた
後、両スイッチ９、１２をＯＮにして高周波電源８から
両ガス分散板４、５に高周波電圧を印加するか、または
スイッチ９のみをＯＦＦにして第１のガス分散板４に高
周波電圧を印加すると、第１のガス分散板４とウエハ支
持台２との間にプラズマが発生して、ウエハ支持台２上
のウエハ表面に成膜が行われる。Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to the second embodiment having the above structure will be described. First, at the time of film formation, as in the case of Example 1, the reaction gas introduced from the inlet 7 is sequentially adjusted in flow by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 and reacted. Disperse in container 1. In this state, the switch 14 is switched to the high frequency power source 8 side and the switch 15 is switched to the ground side, and then both switches 9 and 12 are turned on to apply a high frequency voltage from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5. Alternatively, when only the switch 9 is turned off and a high frequency voltage is applied to the first gas dispersion plate 4, plasma is generated between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2, and the plasma is generated on the wafer support base 2. A film is formed on the surface of the wafer.
【手続補正７】[Procedure Amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２２[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２２】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口７からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮ、スイッチ１２をＯＦＦにする。この状
態でスイッチ１４をアース側およびスイッチ１５を高周
波電源８側にそれぞれ切り替えウエハ支持台２に高周波
電圧を印加すると、図示はしないが図２に示す実施例１
の場合と同様、ウエハ支持台２と第２のガス分散板５と
の間にプラズマが発生し、このプラズマは第１のガス分
散板４の細孔内にも行き渡るので、細孔内に付着した生
成物は良好にクリーニングされる。なお、第２のガス分
散板５が接地されることで、自己バイアス電圧によって
加速された反応性イオンによるウエハ支持台２へのダメ
ージを防止するとともに、第２のガス分散板５のクリー
ニング効率を上げることもできる。During cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas introduction port 7 , the switch 9 is turned on, and the switch 12 is turned off. In this state, when the switch 14 is switched to the ground side and the switch 15 is switched to the high frequency power source 8 side, respectively, and a high frequency voltage is applied to the wafer supporting base 2, the first embodiment shown in FIG.
In the same manner as in the above case, plasma is generated between the wafer support 2 and the second gas dispersion plate 5, and this plasma also spreads into the pores of the first gas dispersion plate 4, so that it adheres to the inside of the pores. The product obtained is cleaned well. The grounding of the second gas dispersion plate 5 prevents the reactive ions accelerated by the self-bias voltage from damaging the wafer support base 2 and improves the cleaning efficiency of the second gas dispersion plate 5. You can also raise it.
【手続補正８】[Procedure Amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２４[Name of item to be corrected] 0024
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２４】次に、上記のように構成された実施例３に
おけるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、実施例１の場合と同様に、導入口７か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態でスイッチ１６を高周波電源
８側に切り替えるとともにスイッチ１２をＯＮにして高
周波電源８から両ガス分散板４、５に高周波電圧を印加
するか、またはスイッチ９をＯＦＦにして第１のガス分
散板４に高周波電圧を印加すると、第１のガス分散板４
とウエハ支持台２との間にプラズマが発生して、ウエハ
支持台２上のウエハ表面に成膜が行われる。Next, the operation of the plasma CVD apparatus according to the third embodiment constructed as described above will be described. First, at the time of film formation, as in the case of Example 1, the reaction gas introduced from the inlet 7 is sequentially adjusted in flow by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 and reacted. Disperse in container 1. In this state, the switch 16 is switched to the high frequency power source 8 side and the switch 12 is turned on to apply a high frequency voltage from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5, or the switch 9 is turned off to turn off the first gas dispersion. When a high frequency voltage is applied to the plate 4, the first gas dispersion plate 4
Plasma is generated between the wafer supporting base 2 and the wafer supporting base 2, and a film is formed on the wafer surface on the wafer supporting base 2.
【手続補正９】[Procedure Amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２５[Name of item to be corrected] 0025
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２５】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口７からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮにしたままの状態でスイッチ１６をアー
ス側に切り替え第２のガス分散板５に高周波電圧を印加
すると、図５に示すように第２のガス分散板５と第１の
ガス分散板４との間にプラズマ１７が発生する。そし
て、このプラズマ１７は図からも明らかなように、第１
のガス分散板４の細孔内にも行き渡っているので、細孔
内に付着した生成物は良好にクリーニングされる。At the time of cleaning, gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas inlet 7 , and the switch 16 is switched to the ground side while the switch 9 is kept ON. When a high frequency voltage is applied to the second gas dispersion plate 5, plasma 17 is generated between the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 as shown in FIG. And this plasma 17 is
Since it also spreads in the pores of the gas dispersion plate 4, the product adhering to the pores is well cleaned.
【手続補正１０】[Procedure Amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２７[Name of item to be corrected] 0027
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２７】次に、上記のように構成された実施例にお
けるプラズマＣＶＤ装置の動作について説明する。ま
ず、成膜時には、実施例２の場合と同様に、導入口７か
ら導入された反応ガスは、第２のガス分散板５および第
１のガス分散板４で順次その流れが調整されて反応容器
１内に分散する。この状態でスイッチ１４は高周波電源
８側、スイッチ１５はアース側にそれぞれ切り替えた
後、スイッチ９をＯＮにして高周波電源８から両ガス分
散板４、５に高周波電圧を印加するか、またはスイッチ
９をＯＦＦにして第１のガス分散板４に高周波電圧を印
加すると、第１のガス分散板４とウエハ支持台２との間
にプラズマが発生して、ウエハ支持台２上のウエハ表面
に成膜が行われる。Next, the operation of the plasma CVD apparatus in the embodiment constructed as described above will be described. First, at the time of film formation, as in the case of Example 2, the reaction gas introduced from the inlet 7 is sequentially adjusted in flow by the second gas dispersion plate 5 and the first gas dispersion plate 4 and reacted. Disperse in container 1. In this state, the switch 14 is switched to the high frequency power source 8 side and the switch 15 is switched to the ground side, and then the switch 9 is turned on to apply a high frequency voltage from the high frequency power source 8 to both gas dispersion plates 4 and 5, or When the high frequency voltage is applied to the first gas dispersion plate 4 with the switch off, plasma is generated between the first gas dispersion plate 4 and the wafer support base 2 and the plasma is generated on the wafer surface on the wafer support base 2. The film is made.
【手続補正１１】[Procedure Amendment 11]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２８[Correction target item name] 0028
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２８】又、クリーニング時には、反応容器１内に
ガス導入口７からＮＦ3、Ｃ2Ｆ6等のガスを導入し、ス
イッチ９をＯＮ、またスイッチ１４およびスイッチ１５
を高周波電源８側にそれぞれ切り替え、ウエハ支持台２
および第１のガス分散板４に高周波電圧を印加すると、
図示はしないが図５に示す実施例３の場合と同様、第１
のガス分散板４と第２のガス分散板５との間にプラズマ
が発生し、このプラズマは第１のガス分散板４の細孔内
にも行き渡るので、細孔内に付着した生成物は良好にク
リーニングされる。なお、第２のガス分散板５が接地さ
れることで、自己バイアス電圧によって加速された反応
性イオンによる第１のガス分散板４へのダメージを防止
することができる。At the time of cleaning, a gas such as NF 3 , C 2 F 6 or the like is introduced into the reaction vessel 1 through the gas introduction port 7 , the switch 9 is turned on, and the switch 14 and the switch 15 are turned on.
To the high frequency power source 8 side, and the wafer support 2
And applying a high frequency voltage to the first gas dispersion plate 4,
Although not shown in the drawings, like the case of the third embodiment shown in FIG.
Since plasma is generated between the gas dispersion plate 4 and the second gas dispersion plate 5 of No. 1 and this plasma also spreads into the pores of the first gas dispersion plate 4, the products attached to the pores are Cleans well. By grounding the second gas dispersion plate 5, it is possible to prevent damage to the first gas dispersion plate 4 due to the reactive ions accelerated by the self-bias voltage.
Claims (4)
支持するウエハ支持台と、上記ウエハ支持台に対応し上
記ウエハの成膜方向にそれぞれ異なる距離を介して順次
配設され上記反応容器内に供給される反応ガスの流れを
調整する第１および第２のガス分散板とを備え、成膜に
は上記両ガス分散板または第１のガス分散板を高周波電
極としてプラズマを発生させるようにしたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記反応容器のクリーニング時には、
上記第１のガス分散板を絶縁するとともに上記ウエハ支
持台を接地し、上記第２のガス分散板を高周波電極とし
てプラズマを発生させるようにしたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。1. A wafer support table which is grounded in a reaction container and supports a wafer, and the reaction container which is sequentially arranged corresponding to the wafer support table in different directions in the film forming direction of the wafer. A first gas dispersion plate and a second gas dispersion plate for adjusting the flow of a reaction gas supplied into the chamber, and for forming a film, plasma is generated by using the gas dispersion plate or the first gas dispersion plate as a high frequency electrode. Plasma CV
In device D, when cleaning the reaction vessel,
A plasma CVD apparatus, characterized in that the first gas dispersion plate is insulated, the wafer support is grounded, and the second gas dispersion plate is used as a high frequency electrode to generate plasma.
支持するウエハ支持台と、上記ウエハ支持台に対応し上
記ウエハの成膜方向にそれぞれ異なる距離を介して順次
配設され上記反応容器内に供給される反応ガスの流れを
調整する第１および第２のガス分散板とを備え、成膜に
は上記両ガス分散板または第１のガス分散板を高周波電
極としてプラズマを発生させるようにしたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記反応容器のクリーニング時には、
上記第１のガス分散板を絶縁するとともに上記第２のガ
ス分散板を接地し、上記ウエハ支持台を高周波電極とし
てプラズマを発生させるようにしたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。2. A wafer support table which is grounded in a reaction container and supports a wafer, and the reaction container which is sequentially arranged corresponding to the wafer support table at different distances in the film forming direction of the wafer. A first gas dispersion plate and a second gas dispersion plate for adjusting the flow of a reaction gas supplied into the chamber, and for forming a film, plasma is generated by using the gas dispersion plate or the first gas dispersion plate as a high frequency electrode. Plasma CV
In device D, when cleaning the reaction vessel,
A plasma CVD apparatus, wherein the first gas dispersion plate is insulated, the second gas dispersion plate is grounded, and plasma is generated by using the wafer support table as a high frequency electrode.
支持するウエハ支持台と、上記ウエハ支持台に対応し上
記ウエハの成膜方向にそれぞれ異なる距離を介して順次
配設され上記反応容器内に供給される反応ガスの流れを
調整する第１および第２のガス分散板とを備え、成膜に
は上記両ガス分散板または第１のガス分散板を高周波電
極としてプラズマを発生させるようにしたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記反応容器のクリーニング時には、
上記第１のガス分散板および上記ウエハ支持台を接地
し、上記第２のガス分散板を高周波電極としてプラズマ
を発生させるようにしたことを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置。3. A reaction vessel, which is grounded in the reaction vessel and supports a wafer, and which are sequentially arranged at different distances in the film forming direction of the wafer corresponding to the wafer support table. A first gas dispersion plate and a second gas dispersion plate for adjusting the flow of a reaction gas supplied into the chamber, and for forming a film, plasma is generated by using the gas dispersion plate or the first gas dispersion plate as a high frequency electrode. Plasma CV
In device D, when cleaning the reaction vessel,
Plasma CV, wherein the first gas dispersion plate and the wafer support are grounded, and plasma is generated by using the second gas dispersion plate as a high frequency electrode.
D device.
支持するウエハ支持台と、上記ウエハ支持台に対応し上
記ウエハの成膜方向にそれぞれ異なる距離を介して順次
配設され上記反応容器内に供給される反応ガスの流れを
調整する第１および第２のガス分散板とを備え、成膜に
は上記両ガス分散板または第１のガス分散板を高周波電
極としてプラズマを発生させるようにしたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記反応容器のクリーニング時には、
上記第２のガス分散板を接地し、上記第１のガス分散板
およびウエハ支持台を高周波電極としてプラズマを発生
させるようにしたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。4. A reaction vessel, which is grounded in a reaction vessel and supports a wafer, and which are sequentially arranged at different distances in the film forming direction of the wafer corresponding to the wafer support table. A first gas dispersion plate and a second gas dispersion plate for adjusting the flow of a reaction gas supplied into the chamber, and for forming a film, plasma is generated by using the gas dispersion plate or the first gas dispersion plate as a high frequency electrode. Plasma CV
In device D, when cleaning the reaction vessel,
A plasma CVD apparatus characterized in that the second gas dispersion plate is grounded, and plasma is generated by using the first gas dispersion plate and the wafer support as high-frequency electrodes.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4513893A JPH06260428A (en) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Plasma cvd device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4513893A JPH06260428A (en) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Plasma cvd device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260428A true JPH06260428A (en) | 1994-09-16 |
Family
ID=12710928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4513893A Pending JPH06260428A (en) | 1993-03-05 | 1993-03-05 | Plasma cvd device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260428A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4560166B2 (en) * | 1999-02-24 | 2010-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Semiconductor wafer processing equipment |
| JP2011525299A (en) * | 2008-05-09 | 2011-09-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Flowable dielectric apparatus and process |
| KR20150091207A (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2021077895A (en) * | 2015-04-01 | 2021-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Plasma chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3d nand memory devices |
-
1993
- 1993-03-05 JP JP4513893A patent/JPH06260428A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4560166B2 (en) * | 1999-02-24 | 2010-10-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Semiconductor wafer processing equipment |
| JP2011525299A (en) * | 2008-05-09 | 2011-09-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Flowable dielectric apparatus and process |
| KR20150091207A (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-10 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2021077895A (en) * | 2015-04-01 | 2021-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Plasma chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3d nand memory devices |
| US11365476B2 (en) | 2015-04-01 | 2022-06-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices |
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