JPH06252133A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- JPH06252133A JPH06252133A JP3185993A JP3185993A JPH06252133A JP H06252133 A JPH06252133 A JP H06252133A JP 3185993 A JP3185993 A JP 3185993A JP 3185993 A JP3185993 A JP 3185993A JP H06252133 A JPH06252133 A JP H06252133A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、絶縁
層としての酸化膜を半導体基板上に低温によって形成す
ることが必要な場合があり、その方法として、半導体基
板を金属アルコキシド溶液中に浸漬するか又は半導体基
板の表面に金属アルコキシド溶液を塗布した後、金属ア
ルコキシド溶液を乾燥させることにより半導体基板上に
酸化膜を形成する方法が提案されている（例えば、作花
著、“化学工業”ｐ．３７−４０、Ｎｏ．７、（１９８
４））が、この方法によると、金属アルコキシド溶液の
乾燥時に酸化膜にクラックが発生するという問題があ
る。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, it is sometimes necessary to form an oxide film as an insulating layer on a semiconductor substrate at a low temperature. As a method therefor, the semiconductor substrate is immersed in a metal alkoxide solution. Alternatively, a method has been proposed in which a metal alkoxide solution is applied to the surface of a semiconductor substrate and then the metal alkoxide solution is dried to form an oxide film on the semiconductor substrate (eg, Sakubana, “Chemical Industry” p. 37-40, No. 7, (198
4)), this method has a problem that cracks are generated in the oxide film when the metal alkoxide solution is dried.
【０００３】以下、図面を参照しながら、上記の半導体
装置の製造方法の一例について説明する。An example of a method of manufacturing the above semiconductor device will be described below with reference to the drawings.
【０００４】図３は、従来の半導体装置の製造方法の工
程を示す断面図であって、まず、図３（ａ）に示すよう
に、半導体基板１を、下記の組成よりなる金属アルコキ
シド溶液２の中に浸漬する。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the steps of a conventional method for manufacturing a semiconductor device. First, as shown in FIG. 3 (a), a semiconductor substrate 1 is provided with a metal alkoxide solution 2 having the following composition. Soak in.
【０００５】 金属アルコキシド溶液 テトラエチルオルソシリケート ２５ｇ エタノール ３８ｇ 塩酸 ０．３ｇ 純水 ２５ｇ 次に、半導体基板１を金属アルコキシド溶液２中から引
き上げ速度２ｍｍ／ｓで引き上げて、図３（ｂ）に示す
ように、半導体基板１の表面に酸化膜としてのＳｉＯ2
膜３を形成する。Metal alkoxide solution Tetraethyl orthosilicate 25 g Ethanol 38 g Hydrochloric acid 0.3 g Pure water 25 g Next, the semiconductor substrate 1 is pulled up from the metal alkoxide solution 2 at a pulling rate of 2 mm / s, as shown in FIG. , SiO 2 as an oxide film on the surface of the semiconductor substrate 1.
The film 3 is formed.
【０００６】次に、ＳｉＯ2 膜３をこの状態で放置して
乾燥させることにより、乾燥状態のＳｉＯ2 膜６を得
る。その結果、乾燥状態のＳｉＯ2 膜６には、加水分解
や脱水重合等によって多数のクラックが発生する。Next, the SiO 2 film 3 is left to dry in this state to obtain a dry SiO 2 film 6. As a result, a large number of cracks occur in the dried SiO 2 film 6 due to hydrolysis, dehydration polymerization and the like.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な酸化膜におけるクラックの発生を防止するためには、
放置乾燥法に代えて５００℃程度の熱乾燥法を採用する
ことが考慮されるが、熱乾燥法によっても酸化膜のクラ
ックの発生を完全に防止することができないのみなら
ず、熱乾燥法による場合には、高温加熱による半導体装
置への悪影響及びスループットの低下という問題が発生
する。By the way, in order to prevent the occurrence of cracks in the oxide film as described above,
It is considered to use a heat drying method at about 500 ° C. instead of the standing drying method. However, the heat drying method cannot completely prevent the generation of cracks in the oxide film, In that case, there arises a problem that high temperature heating adversely affects the semiconductor device and lowers throughput.
【０００８】このように、従来の半導体装置の製造方法
によると、半導体装置の歩留まり及び生産性の低下とい
う問題が避けられず、半導体装置の製造工程における大
きな問題であった。As described above, according to the conventional method of manufacturing a semiconductor device, the problem of reduction in the yield and productivity of the semiconductor device is unavoidable, which is a big problem in the manufacturing process of the semiconductor device.
【０００９】上記の問題点に鑑み、本発明は、半導体基
板上に金属アルコキシドを含む溶液を塗布することによ
り形成する酸化膜におけるクラックを簡易な方法によっ
て防止することを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to prevent a crack in an oxide film formed by applying a solution containing a metal alkoxide on a semiconductor substrate by a simple method.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、半導体基板上に形成された酸化膜の表面
にシリル化処理（−ＯＨを−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 等の
形にすることをいう。）を施すことにより、クラックの
原因となる酸化膜中のＨ2 ＯのＯＨ基をＯ−Ｓｉの形に
置き換えるものである。To achieve the above object, according to an aspect of the present invention, the silylation process on a surface of the oxide film formed on a semiconductor substrate (-OH to -O-Si (CH 3) 3, etc. The above is used to replace the OH group of H 2 O in the oxide film, which causes cracks, with the form of O—Si.
【００１１】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、半導体基板上に金属アルコキシドを含む溶液を塗布
することにより該半導体基板上に酸化膜を形成する酸化
膜形成工程と、上記酸化膜の表面に対してシリル化処理
を行なうシリル化処理工程とを含む構成とするものであ
る。Specifically, the means for solving the problems according to the invention of claim 1 is an oxide film forming step of forming an oxide film on a semiconductor substrate by applying a solution containing a metal alkoxide on the semiconductor substrate, and the above oxidation. And a silylation treatment step of subjecting the surface of the film to a silylation treatment.
【００１２】また、請求項２の発明が講じた解決手段
は、半導体基板上に膜厚の大きい酸化膜を形成するた
め、半導体基板上に金属アルコキシドを含む溶液を塗布
することにより該半導体基板上に酸化膜を形成する酸化
膜形成工程及び上記酸化膜の表面に対してシリル化処理
を行なうシリル化処理工程をそれぞれ交互に複数回ずつ
繰り返し行なう構成とするものである。Further, according to the solution of the invention of claim 2, in order to form an oxide film having a large film thickness on a semiconductor substrate, a solution containing a metal alkoxide is applied onto the semiconductor substrate to form a solution on the semiconductor substrate. An oxide film forming step of forming an oxide film and a silylation processing step of performing a silylation treatment on the surface of the oxide film are alternately repeated a plurality of times.
【００１３】また、請求項３の発明は、請求項１又は２
の構成に、酸化膜形成工程は、浸漬法又はスピンコート
法により金属アルコキシドを含む溶液を半導体基板上に
塗布する工程であるという構成を付加するものである。The invention of claim 3 relates to claim 1 or 2.
In addition to the above configuration, the oxide film forming step is a step of applying a solution containing a metal alkoxide onto a semiconductor substrate by a dipping method or a spin coating method.
【００１４】また、請求項４の発明は、請求項１又は２
の構成に、上記金属アルコキシドはテトラエチルオルソ
シリケートであるという構成を付加するものである。The invention of claim 4 is the same as claim 1 or 2.
In addition to the above structure, the above metal alkoxide is tetraethyl orthosilicate.
【００１５】さらに、請求項５の発明は、請求項１又は
２の構成に、上記シリル化処理は、ジシラザン化合物又
はトリシラザン化合物による気相処理又は液相処理であ
るという構成を付加するものである。Further, the invention of claim 5 adds to the constitution of claim 1 or 2 that the silylation treatment is a gas phase treatment or a liquid phase treatment with a disilazane compound or a trisilazane compound. .
【００１６】[0016]
【作用】請求項１の構成により、金属アルコキシドを含
む溶液からなる酸化膜の表面に対してシリル化処理を行
なうため、酸化膜中のＨ2 Ｏの−ＯＨ基が−Ｏ−Ｓｉ
（ＣＨ3 ）3 等に置き変わるので、加水分解や脱水重合
のようにＨ2 Ｏの介在する反応が生じない。すなわち、
従来の放置乾燥法において、液相塗布により半導体基板
上に密着した酸化膜の加水分解や脱水重合に起因する酸
化膜のクラックは酸化膜中のＨ2 Ｏの欠落により防止さ
れる。According to the structure of claim 1, since the surface of the oxide film formed of the solution containing the metal alkoxide is subjected to the silylation treatment, the --OH group of H 2 O in the oxide film is --O--Si.
Since it is replaced with (CH 3 ) 3 etc., the reaction mediated by H 2 O unlike hydrolysis or dehydration polymerization does not occur. That is,
In the conventional standing drying method, cracks in the oxide film caused by hydrolysis or dehydration polymerization of the oxide film adhered on the semiconductor substrate by liquid phase coating are prevented by the lack of H 2 O in the oxide film.
【００１７】請求項２の構成により、半導体基板上に金
属アルコキシドを含む溶液を塗布することにより形成さ
れた下層酸化膜の表面に対してシリル化処理を行なう
と、上述のように、該下層酸化膜の表面にはクラックが
発生しない。次に、クラックが発生していない下層酸化
膜の上に再び金属アルコキシドを含む溶液を塗布して上
層酸化膜を形成すると、下層酸化膜にクラックが発生し
ておらずその表面が平坦であるために上層酸化膜の表面
には凹凸が生じない。When the surface of the lower layer oxide film formed by applying the solution containing the metal alkoxide on the semiconductor substrate is subjected to the silylation treatment, the lower layer oxidation is performed as described above. No cracks occur on the surface of the film. Next, when a solution containing a metal alkoxide is applied again on the lower oxide film with no cracks to form an upper oxide film, the lower oxide film is not cracked and its surface is flat. Moreover, the surface of the upper oxide film does not have irregularities.
【００１８】また、上述のように、下層酸化膜の表面に
シリル化処理を行なうため、従来のように下層酸化膜に
対して放置乾燥を行なう必要がないので、下層酸化膜を
形成してから上層酸化膜を形成するまでの時間を大幅に
短縮できる。Further, as described above, since the surface of the lower oxide film is subjected to the silylation treatment, it is not necessary to leave the lower oxide film to stand and dry as in the conventional case. The time required to form the upper oxide film can be greatly reduced.
【００１９】請求項３の構成により、浸漬法又はスピン
コート法により金属アルコキシドを含む溶液を半導体基
板上に塗布することにより酸化膜を形成するため、半導
体基板上に酸化膜を容易に形成することができる。According to the third aspect of the present invention, since the oxide film is formed by applying the solution containing the metal alkoxide on the semiconductor substrate by the dipping method or the spin coating method, the oxide film can be easily formed on the semiconductor substrate. You can
【００２０】請求項４の構成により、金属アルコキシド
はテトラエチルオルソシリケートであるため、半導体基
板上にＳｉＯ2 膜を形成することができる。According to the structure of claim 4, since the metal alkoxide is tetraethyl orthosilicate, the SiO 2 film can be formed on the semiconductor substrate.
【００２１】請求項５の構成により、ジシラザン化合物
又はトリシラザン化合物による気相処理又は液相処理に
よりシリル化処理を行なうためシリル化処理を容易に行
なうことができる。According to the fifth aspect of the invention, the silylation treatment can be easily carried out because the silylation treatment is carried out by vapor phase treatment or liquid phase treatment with the disilazane compound or the trisilazane compound.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２３】図１は上記一実施例に係る半導体装置の製
造方法の各工程を示す断面図であって、まず、図１
（ａ）に示すように、半導体基板１を、下記の組成より
なる金属アルコキシド溶液２の中に浸漬する。FIG. 1 is a cross-sectional view showing each step of the method for manufacturing a semiconductor device according to the above embodiment.
As shown in (a), the semiconductor substrate 1 is immersed in a metal alkoxide solution 2 having the following composition.
【００２４】 金属アルコキシド溶液 テトラエチルオルソシリケート ２５ｇ エタノール ３８ｇ 塩酸 ０．３ｇ 純水 ２５ｇ 次に、半導体基板１を金属アルコキシド溶液２中から引
き上げ速度２ｍｍ／ｓで引き上げて、図１（ｂ）に示す
ように、半導体基板１の表面に酸化膜としてのＳｉＯ2
膜３を形成する。Metal alkoxide solution Tetraethyl orthosilicate 25 g Ethanol 38 g Hydrochloric acid 0.3 g Pure water 25 g Next, the semiconductor substrate 1 is pulled up from the metal alkoxide solution 2 at a pulling rate of 2 mm / s, as shown in FIG. , SiO 2 as an oxide film on the surface of the semiconductor substrate 1.
The film 3 is formed.
【００２５】次に、ＳｉＯ2 膜３の表面に対してシリル
化処理を行なうため、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ
2 膜３にヘキサメチルジシラザン蒸気４を接触させる。Next, since the surface of the SiO 2 film 3 is subjected to silylation treatment, as shown in FIG.
2 Hexamethyldisilazane vapor 4 is brought into contact with the film 3.
【００２６】図２は、ＳｉＯ2 膜３の表面にヘキサメチ
ルジシラザン蒸気４を供給した場合のＳｉＯ2 膜３の表
面の変化を示している。まず、半導体基板１の表面に液
相によりＳｉＯ2 膜３を形成すると、図２（ａ）に示す
ように、半導体基板１の表面にはＯＨ基が存在してい
る。次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板１の表
面にヘキサメチルジシラザンを供給すると、図２（ｃ）
に示すように、ＮＨ3 が蒸発すると共に、半導体基板１
の表面の−ＯＨが−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 の形に置き変
わる。[0026] FIG. 2 shows the change in the surface of the SiO 2 film 3 in the case of supplying the hexamethyldisilazane vapor 4 to the surface of the SiO 2 film 3. First, when the SiO 2 film 3 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 in a liquid phase, OH groups are present on the surface of the semiconductor substrate 1 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 2B, when hexamethyldisilazane is supplied to the surface of the semiconductor substrate 1, FIG.
As shown in, the NH 3 vaporizes and the semiconductor substrate 1
-OH surfaces of changes every in the form of -O-Si (CH 3) 3 .
【００２７】その結果、半導体基板１を放置しても、図
１（ｄ）に示すようにクラックが生じず、シリル化処理
された均質で欠陥のない良好なＳｉＯ2 膜５が得られ
る。As a result, even if the semiconductor substrate 1 is left as it is, cracks do not occur as shown in FIG. 1D, and a good silylated homogeneous SiO 2 film 5 without defects can be obtained.
【００２８】尚、上記実施例においては、金属アルコキ
シドを含む溶液を塗布する工程が浸漬法により行なわれ
る場合について説明したが、浸漬法に代えてスピンコー
ト法によってもよい。In the above embodiments, the case where the step of applying the solution containing the metal alkoxide is performed by the dipping method has been described, but a spin coating method may be used instead of the dipping method.
【００２９】また、本発明にかかる金属アルコキシド
は、形成する酸化膜の種類によって適宜選択可能であ
り、酸化膜がＳｉＯ2 の場合には、テトラエチルオルソ
シリケート、テトラメチルオルソシリケートなどが挙げ
られ、酸化膜がＴｉＯ2 の場合には、チタンテトライソ
プロポキシド、チタンテトラエトキシドなどが挙げられ
る。また、酸化膜がＧｅＯ2 、ＳｎＯ2 などの場合に
は、ＳｉＯ2 やＴｉＯ2 と同様に、Ｍ（ＯＲ）n （但
し、Ｍは金属、ＲはＣＨ3 、Ｃ2 Ｈ5 などのアルキル基
である。）のような金属アルコキシドが溶液の成分とし
て必要である。The metal alkoxide according to the present invention can be appropriately selected depending on the type of oxide film to be formed. When the oxide film is SiO 2 , tetraethyl orthosilicate, tetramethyl orthosilicate, etc. can be mentioned. When the film is TiO 2 , titanium tetraisopropoxide, titanium tetraethoxide, etc. may be mentioned. When the oxide film is GeO 2 , SnO 2 or the like, M (OR) n (where M is a metal, R is an alkyl group such as CH 3 or C 2 H 5 ) like SiO 2 or TiO 2. ) Is required as a component of the solution.
【００３０】また、本発明にかかるシリル化処理は、例
えばジシラザン化合物（ヘキサメチルジシラザンやテト
ラメチルジシラザンなど）、又はトリシラザン化合物
（ヘキサメチルトリシラザンやヘキサメチルシクロトリ
シラザンなど）によって行なうことができるが、他の化
合物でもよい。The silylation treatment according to the present invention may be carried out, for example, with a disilazane compound (hexamethyldisilazane, tetramethyldisilazane, etc.) or a trisilazane compound (hexamethyltrisilazane, hexamethylcyclotrisilazane, etc.). However, other compounds may be used.
【００３１】また、処理方法としては、気相又は液相処
理等を挙げることができるが、これらの限りではない。
シリル化処理の処理時間については、数秒から数分程度
でよい場合があるが、もちろんこの限りではなく、シリ
ル化物又はシリル化被対象物の特性により変動する。The treatment method may be gas phase or liquid phase treatment, but is not limited thereto.
The treatment time of the silylation treatment may be several seconds to several minutes in some cases, but is not limited to this, and may vary depending on the characteristics of the silylation product or the silylation target.
【００３２】さらに、上記実施例においては、半導体基
板１上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程及び該酸化膜
の表面に対してシリル化処理を行なうシリル化処理工程
はそれぞれ１回であったが、酸化膜形成工程及びシリル
化処理工程をそれぞれ交互に複数回ずつ繰り返し行なう
こともできる。このようにすると、クラックが発生して
いない下層酸化膜の上に再び金属アルコキシドを含む溶
液を塗布して上層酸化膜を形成することができるので、
上層酸化膜の表面には凹凸が生じない。また、従来のよ
うに下層酸化膜に対して乾燥処理を行なう必要がないの
で、下層酸化膜を形成してから上層酸化膜を形成するま
での時間を大幅に短縮できる。Further, in the above-described embodiment, the oxide film forming step for forming the oxide film on the semiconductor substrate 1 and the silylation processing step for performing the silylation treatment on the surface of the oxide film are each performed once. However, the oxide film forming step and the silylation treatment step can be alternately repeated a plurality of times. By doing this, since it is possible to apply the solution containing the metal alkoxide again to the lower oxide film in which no crack is generated to form the upper oxide film,
No unevenness occurs on the surface of the upper oxide film. Further, since it is not necessary to perform a drying process on the lower oxide film as in the conventional case, the time from the formation of the lower oxide film to the formation of the upper oxide film can be significantly shortened.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る半導体装置の製造方法によると、金属アルコキシド
を含む溶液からなる酸化膜の表面に対してシリル化処理
を行なうため、酸化膜中のＨ2 Ｏの−ＯＨ基が−Ｏ−Ｓ
ｉ（ＣＨ3 ）3 等に置き変わり、加水分解や脱水重合の
ようにＨ2 Ｏの介在する反応が生じないので、酸化膜に
発生するクラックを確実に防止することができる。As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the first aspect of the present invention, since the surface of the oxide film made of the solution containing the metal alkoxide is subjected to the silylation treatment, the inside of the oxide film is reduced. of H 2 O -OH group is -O-S
Since i (CH 3 ) 3 or the like is replaced and a reaction mediated by H 2 O unlike hydrolysis or dehydration polymerization does not occur, cracks generated in the oxide film can be reliably prevented.
【００３４】このため、従来困難であった液相によるク
ラックのない酸化膜を簡易且つ確実に形成することがで
きるため、スループットやプロセスコストを著しく低減
できるので、請求項１の発明は、半導体装置の生産性、
歩留りを向上させた極めて工業的価値が大きい半導体装
置の製造方法といえる。Therefore, since it is possible to easily and reliably form an oxide film free from cracks due to a liquid phase, which has been difficult in the past, throughput and process cost can be remarkably reduced. Productivity,
It can be said that this is a method for manufacturing a semiconductor device having an extremely high industrial value with improved yield.
【００３５】請求項２の発明に係る半導体装置の製造方
法によると、半導体基板上に金属アルコキシドを含む溶
液を塗布して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と酸化膜
の表面に対してシリル化処理を行なうシリル化処理工程
とをそれぞれ交互に複数回ずつ繰り返し行なうため、ク
ラックが発生していない下層酸化膜の上に金属アルコキ
シドを含む溶液を塗布して上層酸化膜を形成するので、
該上層酸化膜の表面には凹凸が生じない。また、従来の
ように下層酸化膜に対して乾燥処理を行なう必要がない
ので、下層酸化膜を形成してから上層酸化膜を形成する
までの時間を大幅に短縮できる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the second aspect of the present invention, an oxide film forming step of forming a oxide film by applying a solution containing a metal alkoxide on a semiconductor substrate and silylation of the surface of the oxide film. Since the silylation treatment step for performing the treatment is alternately repeated a plurality of times, a solution containing a metal alkoxide is applied to the lower oxide film without cracks to form the upper oxide film.
No unevenness occurs on the surface of the upper oxide film. Further, since it is not necessary to perform a drying process on the lower oxide film as in the conventional case, the time from the formation of the lower oxide film to the formation of the upper oxide film can be significantly shortened.
【００３６】このため、請求項２の発明は、均一で膜厚
の大きい優れた性質の酸化膜を生産性良く形成すること
ができる半導体装置の製造方法といえる。Therefore, the invention of claim 2 can be said to be a method of manufacturing a semiconductor device capable of forming a uniform oxide film having a large film thickness and excellent properties with good productivity.
【００３７】請求項３の発明に係る半導体装置の製造方
法によると、浸漬法又はスピンコート法により金属アル
コキシドを含む溶液を半導体基板上に塗布することによ
り酸化膜を形成するため、半導体基板上に酸化膜を容易
に形成することができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the third aspect of the present invention, the solution containing the metal alkoxide is applied onto the semiconductor substrate by the dipping method or the spin coating method to form the oxide film. The oxide film can be easily formed.
【００３８】請求項４の発明に係る半導体装置の製造方
法によると、金属アルコキシドはテトラエチルオルソシ
リケートであるため、半導体基板上にＳｉＯ2 膜を形成
することができる。According to the method for manufacturing a semiconductor device of the fourth aspect, since the metal alkoxide is tetraethyl orthosilicate, a SiO 2 film can be formed on the semiconductor substrate.
【００３９】請求項５の発明に係る半導体装置の製造方
法によると、ジシラザン化合物又はトリシラザン化合物
による気相処理又は液相処理によりシリル化処理を行な
うため酸化膜に対するシリル化処理を容易に行なうこと
ができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the fifth aspect of the present invention, since the silylation treatment is performed by the gas-phase treatment or the liquid-phase treatment with the disilazane compound or the trisilazane compound, the silylation treatment on the oxide film can be easily performed. it can.
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の製造方法
の各工程を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing each step of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】酸化膜の表面に対してシリル化処理を行なった
場合の酸化膜の表面の変化状態を示す模式断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a change state of the surface of the oxide film when the silylation treatment is performed on the surface of the oxide film.
【図３】従来の半導体装置の製造方法の各工程を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing each step of a conventional method for manufacturing a semiconductor device.
１ 半導体基板 ２ 金属アルコキシド溶液 ３ 塗布後のＳｉＯ2 膜 ４ ヘキサメチルジシラザン蒸気 ５ シリル化処理されたＳｉＯ2 膜 ６ 乾燥後のＳｉＯ2 膜1 semiconductor substrate 2 metal alkoxide solution 3 SiO 2 film 4 hexamethyldisilazane vapor 5 silylation-treated SiO 2 film 6 SiO 2 film after drying after coating
Claims (5)
溶液を塗布することにより該半導体基板上に酸化膜を形
成する酸化膜形成工程と、上記酸化膜の表面に対してシ
リル化処理を行なうシリル化処理工程とを含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。1. An oxide film forming step of forming an oxide film on a semiconductor substrate by applying a solution containing a metal alkoxide onto the semiconductor substrate, and a silylation process of subjecting the surface of the oxide film to a silylation treatment. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a processing step.
溶液を塗布することにより該半導体基板上に酸化膜を形
成する酸化膜形成工程及び上記酸化膜の表面に対してシ
リル化処理を行なうシリル化処理工程をそれぞれ交互に
複数回ずつ繰り返し行なうことを特徴とする半導体装置
の製造方法。2. An oxide film forming step of forming an oxide film on the semiconductor substrate by applying a solution containing a metal alkoxide onto the semiconductor substrate, and a silylation treatment of performing a silylation treatment on the surface of the oxide film. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the steps are alternately repeated a plurality of times.
ンコート法により金属アルコキシドを含む溶液を半導体
基板上に塗布する工程であることを特徴とする請求項１
又は２に記載の半導体装置の製造方法。3. The oxide film forming step is a step of applying a solution containing a metal alkoxide onto a semiconductor substrate by a dipping method or a spin coating method.
Or the method for manufacturing a semiconductor device according to item 2.
ルソシリケートであることを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体装置の製造方法。4. The metal alkoxide is tetraethyl orthosilicate, wherein the metal alkoxide is tetraethyl orthosilicate.
A method of manufacturing a semiconductor device according to item 1.
又はトリシラザン化合物による気相処理又は液相処理で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装
置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the silylation treatment is a vapor phase treatment or a liquid phase treatment with a disilazane compound or a trisilazane compound.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185993A JPH06252133A (en) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | Manufacture of semiconductor device |
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|---|---|---|---|
| JP3185993A JPH06252133A (en) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252133A true JPH06252133A (en) | 1994-09-09 |
Family
ID=12342780
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3185993A Withdrawn JPH06252133A (en) | 1993-02-22 | 1993-02-22 | Manufacture of semiconductor device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252133A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114166A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | Coating liquid for element isolation material and method of preparing the same, thin film for element isolation layer and method of forming the same, and substrate and method of manufacturing the same |
| CN113257553A (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-13 | 株式会社村田制作所 | Film forming method and method for manufacturing electronic component |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP3185993A patent/JPH06252133A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011114166A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Ube Nitto Kasei Co Ltd | Coating liquid for element isolation material and method of preparing the same, thin film for element isolation layer and method of forming the same, and substrate and method of manufacturing the same |
| CN113257553A (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-13 | 株式会社村田制作所 | Film forming method and method for manufacturing electronic component |
| CN113257553B (en) * | 2020-02-13 | 2023-08-18 | 株式会社村田制作所 | Film forming method and method for manufacturing electronic component |
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