JPH06249875A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH06249875A JPH06249875A JP5039940A JP3994093A JPH06249875A JP H06249875 A JPH06249875 A JP H06249875A JP 5039940 A JP5039940 A JP 5039940A JP 3994093 A JP3994093 A JP 3994093A JP H06249875 A JPH06249875 A JP H06249875A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- fixed electrode
- electrode
- hole portion
- photoresist
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Vehicle Body Suspensions (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】製造の歩留まりが良く、信頼性の高いスルーホ
ール部を有する半導体静電容量式加速度センサを提供す
ること。 【構成】質量部(可動電極)４と、カンチレバー５が形成
された単結晶シリコン板２を、固定電極６、７を有する
ガラス板１、３で挾んだ三層構造を有し、固定電極６か
らワイヤボンディングパッド１１への接続路にスルーホ
ール部９を備えた加速度センサにおいて、スルーホール
部９の電極リード８との接続部に段差部又は丸め部を設
けたもの。 【効果】フォトリソグラフィー加工時での、フォトレジ
ストの膜厚の確保が十分で、スルーホール部９での断線
や接続不良の発生を抑えることができる。
ール部を有する半導体静電容量式加速度センサを提供す
ること。 【構成】質量部(可動電極)４と、カンチレバー５が形成
された単結晶シリコン板２を、固定電極６、７を有する
ガラス板１、３で挾んだ三層構造を有し、固定電極６か
らワイヤボンディングパッド１１への接続路にスルーホ
ール部９を備えた加速度センサにおいて、スルーホール
部９の電極リード８との接続部に段差部又は丸め部を設
けたもの。 【効果】フォトリソグラフィー加工時での、フォトレジ
ストの膜厚の確保が十分で、スルーホール部９での断線
や接続不良の発生を抑えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体静電容量式の加
速度センサに係り、特に自動車に搭載してエアバッグ制
御や車体姿勢自動制御に使用するのに好適な加速度セン
サに関する。
速度センサに係り、特に自動車に搭載してエアバッグ制
御や車体姿勢自動制御に使用するのに好適な加速度セン
サに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車用のエア・バッグシステム
やアクティブサスペンションシステムなどの車体姿勢制
御システムについての関心が高まるにつれ、種々の加速
度センサについての提案がなされるようになっている
が、その一種に半導体技術による静電容量検出方式の加
速度センサがある。
やアクティブサスペンションシステムなどの車体姿勢制
御システムについての関心が高まるにつれ、種々の加速
度センサについての提案がなされるようになっている
が、その一種に半導体技術による静電容量検出方式の加
速度センサがある。
【０００３】この方式の加速度センサの従来技術として
は、例えば特開平４ー１６７６９号公報に記載されてい
るものがあり、この従来技術による加速度センサは、固
定電極が設けられた上側のガラス板と質量部(可動電極
部)が形成されたシリコン板、それに固定電極が設けら
れた下側のガラス板の三層からなる積層構造のもので、
さらに、上記ガラス板にはスルーホール部が設けてあ
り、これにより固定電極と接続端子との間の接続路が与
えられるようにしている。
は、例えば特開平４ー１６７６９号公報に記載されてい
るものがあり、この従来技術による加速度センサは、固
定電極が設けられた上側のガラス板と質量部(可動電極
部)が形成されたシリコン板、それに固定電極が設けら
れた下側のガラス板の三層からなる積層構造のもので、
さらに、上記ガラス板にはスルーホール部が設けてあ
り、これにより固定電極と接続端子との間の接続路が与
えられるようにしている。
【０００４】なお、ここでいうスルーホール部とは、板
状誘電体に通し孔を設け、その内面に導電性の皮膜を形
成し、この皮膜により該板状誘電体の一方の面と他方の
面の間での導電路を与えるようにしたものを意味する。
状誘電体に通し孔を設け、その内面に導電性の皮膜を形
成し、この皮膜により該板状誘電体の一方の面と他方の
面の間での導電路を与えるようにしたものを意味する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、ガラ
ス板に設けてあるスルーホール部の形状については特に
配慮がされておらず、固定電極の接続路で接続不良や断
線が発生する虞れがあるという問題があった。
ス板に設けてあるスルーホール部の形状については特に
配慮がされておらず、固定電極の接続路で接続不良や断
線が発生する虞れがあるという問題があった。
【０００６】すなわち、このような加速度センサでは、
その固定電極の形成にフォトリソグラフィー技術が用い
られるが、このとき、上記の従来技術では、図８に示す
ように、スルーホール部９の端部Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅが、単
に開孔加工して得ただけのエッジ形状(角形形状)構造で
あるため、フォトレジスト１４を表面に施したとき、そ
の膜厚が、これら角形の端部Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの部分で薄
くなり、エッチング時にスルーホール部９の導電性皮膜
がエッチング処理されてしまい、接続路の断線や接触不
良の虞れが生じてしまうのである。なお、この図８にお
いて、１は三層構造からなる加速度センサの上側のガラ
ス板である。
その固定電極の形成にフォトリソグラフィー技術が用い
られるが、このとき、上記の従来技術では、図８に示す
ように、スルーホール部９の端部Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅが、単
に開孔加工して得ただけのエッジ形状(角形形状)構造で
あるため、フォトレジスト１４を表面に施したとき、そ
の膜厚が、これら角形の端部Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの部分で薄
くなり、エッチング時にスルーホール部９の導電性皮膜
がエッチング処理されてしまい、接続路の断線や接触不
良の虞れが生じてしまうのである。なお、この図８にお
いて、１は三層構造からなる加速度センサの上側のガラ
ス板である。
【０００７】本発明の目的は、エッチング処理によって
も、スルーホール部での断線などの発生の虞れをなく
し、製造歩留まりと信頼性の向上が充分に得られるよう
にした加速度センサを提供することにある。
も、スルーホール部での断線などの発生の虞れをなく
し、製造歩留まりと信頼性の向上が充分に得られるよう
にした加速度センサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、可動電極と
なる質量部が形成された半導体板状部材の両面を少なく
とも一方に固定電極が形成された２枚のガラス板で積層
し、上記固定電極と外部端子の間の接続路に上記ガラス
板を貫通するスルーホール部を有する半導体静電容量式
加速度センサにおいて、上記スルーホール部の少なくと
も上記固定電極が設けてある面側の端部に丸め部を成形
することにより、或いは上記スルーホール部の少なくと
も上記固定電極が設けてある面側の端部に段差部を設け
ることにより達成される。
なる質量部が形成された半導体板状部材の両面を少なく
とも一方に固定電極が形成された２枚のガラス板で積層
し、上記固定電極と外部端子の間の接続路に上記ガラス
板を貫通するスルーホール部を有する半導体静電容量式
加速度センサにおいて、上記スルーホール部の少なくと
も上記固定電極が設けてある面側の端部に丸め部を成形
することにより、或いは上記スルーホール部の少なくと
も上記固定電極が設けてある面側の端部に段差部を設け
ることにより達成される。
【０００９】
【作用】スルーホール部の端部に存在する丸め成形され
た部分、或いはこの端部に設けた段差部は、フォトリソ
グラフィー技術を用いた固定電極の形成工程において、
フォトレジストの角部における応力を分散される働きを
する。従って、スルーホール部の電極引出部である端部
におけるフォトレジストの膜厚低下が抑えられるので充
分な膜厚が確保され、この電極引出部の端部がエッチン
グされてしまうのが確実に抑えられ、断線などの虞れを
充分に無くすことができる。
た部分、或いはこの端部に設けた段差部は、フォトリソ
グラフィー技術を用いた固定電極の形成工程において、
フォトレジストの角部における応力を分散される働きを
する。従って、スルーホール部の電極引出部である端部
におけるフォトレジストの膜厚低下が抑えられるので充
分な膜厚が確保され、この電極引出部の端部がエッチン
グされてしまうのが確実に抑えられ、断線などの虞れを
充分に無くすことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明による加速度センサについて、
図示の実施例により詳細に説明する。図１は本発明の一
実施例で、図１(a)は断面を示し、同(b)は正面から見た
状態を示しており、これらの図において、１は上側のガ
ラス板、２はシリコン板、３は下側のガラス板であり、
これらを積層し三層構造にして加速度センサが構成され
ている。
図示の実施例により詳細に説明する。図１は本発明の一
実施例で、図１(a)は断面を示し、同(b)は正面から見た
状態を示しており、これらの図において、１は上側のガ
ラス板、２はシリコン板、３は下側のガラス板であり、
これらを積層し三層構造にして加速度センサが構成され
ている。
【００１１】上側のガラス板１と、下側のガラス板３に
は、それぞれアルミニウム(Ａl)などの導電材料の薄膜
からなる上側の固定電極６と、下側の固定電極７が設け
てあるが、これらは、スパッタリングなどで各ガラス板
１、３の全面に成膜後、フォトリソグラフィー技術を用
いて形成してある。
は、それぞれアルミニウム(Ａl)などの導電材料の薄膜
からなる上側の固定電極６と、下側の固定電極７が設け
てあるが、これらは、スパッタリングなどで各ガラス板
１、３の全面に成膜後、フォトリソグラフィー技術を用
いて形成してある。
【００１２】また、シリコン板２は、単結晶シリコンで
作られ、可動電極を兼ねた質量部４と、カンチレバー５
が形成されているが、これらは、マイクロマシニング技
術を応用したエッチングにより形成されている。
作られ、可動電極を兼ねた質量部４と、カンチレバー５
が形成されているが、これらは、マイクロマシニング技
術を応用したエッチングにより形成されている。
【００１３】そして、これらのガラス板１、３とシリコ
ン板２は、それぞれの固定電極６、７が質量部４に対向
するようにして、シリコン板２を真中に挾んで積層し、
組立られる。なお、これら三層の接合には、通常は陽極
接合を用いている。
ン板２は、それぞれの固定電極６、７が質量部４に対向
するようにして、シリコン板２を真中に挾んで積層し、
組立られる。なお、これら三層の接合には、通常は陽極
接合を用いている。
【００１４】図１に戻り、８は電極リード、９はスルー
ホール部、１０は充填剤、１１、１２、１３はワイヤボ
ンデイングパッドである。そして、これらのワイヤボン
デイングパッドの内、まずワイヤボンデイングパッド１
１は上側のガラス板１の表面(図では上側の面)に設けら
れ、次にワイヤボンデイングパッド１２はシリコン板２
の上側表面に、そしてワイヤボンデイングパッド１３は
下側のガラス板３の上側の面にそれぞれ設けてあり、ワ
イヤボンデイングパッド１１は上側の固定電極６を外部
に接続するための端子となり、同様に、ワイヤボンデイ
ングパッド１２は可動電極を兼ねた質量部４を、そして
ワイヤボンデイングパッド１３は下側の固定電極７をそ
れぞれ外部に接続するための端子となる。
ホール部、１０は充填剤、１１、１２、１３はワイヤボ
ンデイングパッドである。そして、これらのワイヤボン
デイングパッドの内、まずワイヤボンデイングパッド１
１は上側のガラス板１の表面(図では上側の面)に設けら
れ、次にワイヤボンデイングパッド１２はシリコン板２
の上側表面に、そしてワイヤボンデイングパッド１３は
下側のガラス板３の上側の面にそれぞれ設けてあり、ワ
イヤボンデイングパッド１１は上側の固定電極６を外部
に接続するための端子となり、同様に、ワイヤボンデイ
ングパッド１２は可動電極を兼ねた質量部４を、そして
ワイヤボンデイングパッド１３は下側の固定電極７をそ
れぞれ外部に接続するための端子となる。
【００１５】ここで、まず、可動電極を兼ねた質量部４
からワイヤボンデイングパッド１２にいたる接続路は、
このワイヤボンデイングパッド１２がシリコン板２の上
の面に直接設けられていることにより、このままで形成
される。また、下側の固定電極７には、下側のガラス板
３に電極リード(図には示してない)が設けてあり、これ
により、下側の固定電極７は、そのままワイヤボンデイ
ングパッド１３に接続される。
からワイヤボンデイングパッド１２にいたる接続路は、
このワイヤボンデイングパッド１２がシリコン板２の上
の面に直接設けられていることにより、このままで形成
される。また、下側の固定電極７には、下側のガラス板
３に電極リード(図には示してない)が設けてあり、これ
により、下側の固定電極７は、そのままワイヤボンデイ
ングパッド１３に接続される。
【００１６】しかるに、上側の固定電極６とワイヤボン
デイングパッド１との間の接続は、これらが上側のガラ
ス板１の異なった面にそれぞれ設けられているので、ス
ルーホール部９を介して接続する必要があり、このた
め、まず、電極リード８により上側の固定電極６とスル
ーホール部９の下側の電極引出部を接続し、さらに、こ
のスルーホール部９の上側の電極引出部をワイヤボンデ
イングパッド１１に接続することにより、接続が得られ
るようにしており、これにより固定電極６からの信号が
ワイヤボンデイングパッド１１に取り出されるようにし
ている。
デイングパッド１との間の接続は、これらが上側のガラ
ス板１の異なった面にそれぞれ設けられているので、ス
ルーホール部９を介して接続する必要があり、このた
め、まず、電極リード８により上側の固定電極６とスル
ーホール部９の下側の電極引出部を接続し、さらに、こ
のスルーホール部９の上側の電極引出部をワイヤボンデ
イングパッド１１に接続することにより、接続が得られ
るようにしており、これにより固定電極６からの信号が
ワイヤボンデイングパッド１１に取り出されるようにし
ている。
【００１７】なお、このスルーホール部９の内部と、上
側のガラス板１とシリコン板２との間の一部には、シリ
コーン樹脂など適当な材料からなる充填材１０が満たさ
れ、保護されるようになっている。
側のガラス板１とシリコン板２との間の一部には、シリ
コーン樹脂など適当な材料からなる充填材１０が満たさ
れ、保護されるようになっている。
【００１８】図２は、図１において、破線で囲った部分
Ａを拡大して示したもので、この図２から明らかなよう
に、この実施例においては、図８で説明した従来技術の
場合とは異なり、スルーホール部９の電極引出部Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅの端部には段差部１００が形成してある。
Ａを拡大して示したもので、この図２から明らかなよう
に、この実施例においては、図８で説明した従来技術の
場合とは異なり、スルーホール部９の電極引出部Ｂ、
Ｃ、Ｄ、Ｅの端部には段差部１００が形成してある。
【００１９】上記したように、このような加速度センサ
では、その固定電極の形成にフォトリソグラフィー技術
が用いられ、このため、固定電極６や電極リード８を形
成する際、図３に示すように、フォトレジスト１４が表
面に施こされる。しかるにことき、この実施例では、ス
ルーホール部９の電極引出部Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの端部には
段差部１００が形成されているので、フォトレジスト１
４の角部における応力が分散されるので、この部分での
フォトレジスト１４の膜厚の減少が抑えられ、必要な膜
厚が充分に保たれるので、エッチングによる導電膜の損
傷は現われず、従って、この実施例によれば、固定電極
６からワイヤボンデイングパッド１１にいたる接続路に
断線や導通不良が発生する虞れを充分に無くすことがで
きる。
では、その固定電極の形成にフォトリソグラフィー技術
が用いられ、このため、固定電極６や電極リード８を形
成する際、図３に示すように、フォトレジスト１４が表
面に施こされる。しかるにことき、この実施例では、ス
ルーホール部９の電極引出部Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの端部には
段差部１００が形成されているので、フォトレジスト１
４の角部における応力が分散されるので、この部分での
フォトレジスト１４の膜厚の減少が抑えられ、必要な膜
厚が充分に保たれるので、エッチングによる導電膜の損
傷は現われず、従って、この実施例によれば、固定電極
６からワイヤボンデイングパッド１１にいたる接続路に
断線や導通不良が発生する虞れを充分に無くすことがで
きる。
【００２０】図４は、上記した実施例の段差部１００を
拡大して示したもので、図３に示したように、フォトレ
ジスト１４をコートした際、この段差部１００による凹
部にフォトレジスト溜りができ、このフォトレジスト溜
りから角部１０１、１０２にフォトレジスト１４が供給
されるようになるため、この部分で膜厚が薄くなるのが
抑えられ、膜厚の減少を充分に防止することができる。
拡大して示したもので、図３に示したように、フォトレ
ジスト１４をコートした際、この段差部１００による凹
部にフォトレジスト溜りができ、このフォトレジスト溜
りから角部１０１、１０２にフォトレジスト１４が供給
されるようになるため、この部分で膜厚が薄くなるのが
抑えられ、膜厚の減少を充分に防止することができる。
【００２１】この段差部１００の加工は、例えばサンド
ブラスト加工法を用いれば良く、容易に実施することが
できる。
ブラスト加工法を用いれば良く、容易に実施することが
できる。
【００２２】次に、図５は、本発明の他の実施例で、ス
ルーホール部９の電極引出部の端部に、段差部を２個形
成したものである。この図５の実施例によれば、複数の
段差部１０３、１０４が存在することにより、角部１０
５、１０６、１０７の高さが小さくなるので、段差部１
０３、１０４にできたフォトレジスト溜りからのフォト
レジストの供給が容易になり、膜厚の減少を、さらに充
分に防止することができる。なお、このときの加工は、
例えばサンドブラスト加工法を用い、マスクを複数使用
することにより、容易に実施することができる。
ルーホール部９の電極引出部の端部に、段差部を２個形
成したものである。この図５の実施例によれば、複数の
段差部１０３、１０４が存在することにより、角部１０
５、１０６、１０７の高さが小さくなるので、段差部１
０３、１０４にできたフォトレジスト溜りからのフォト
レジストの供給が容易になり、膜厚の減少を、さらに充
分に防止することができる。なお、このときの加工は、
例えばサンドブラスト加工法を用い、マスクを複数使用
することにより、容易に実施することができる。
【００２３】図６も、本発明の一実施例で、この実施例
では、段差部の代わりに、スルーホール部９の電極引出
部の端部を丸めて、丸み部１０８を形成したものであ
る。この実施例によれば、このスルーホール部９の電極
引出部の端部も含めてフォトレジストを塗布したとき、
丸み部１０８により、この端部でのフォトレジストの流
れがなだらかにされ、連続的になるので、膜厚の減少を
充分に防止することができる。なお、この丸み部１０８
の形成は、上記したサンドブラスト加工法を用いてもよ
いが、この場合には、エッチングによっても形成するこ
とができる。
では、段差部の代わりに、スルーホール部９の電極引出
部の端部を丸めて、丸み部１０８を形成したものであ
る。この実施例によれば、このスルーホール部９の電極
引出部の端部も含めてフォトレジストを塗布したとき、
丸み部１０８により、この端部でのフォトレジストの流
れがなだらかにされ、連続的になるので、膜厚の減少を
充分に防止することができる。なお、この丸み部１０８
の形成は、上記したサンドブラスト加工法を用いてもよ
いが、この場合には、エッチングによっても形成するこ
とができる。
【００２４】次に、図７は、本発明の更に別の実施例
で、スルーホール部９の電極引出部の端部に複数の丸め
部１０９、１１０を形成したものである。従って、この
実施例によっても、スルーホール部９の電極引出部の端
部も含めてフォトレジストを塗布したとき、複数の丸み
部１０９、１１０により、この端部でのフォトレジスト
の流れがなだらかにされ、連続的になるので、膜厚の減
少を、さらに充分に防止することができる。
で、スルーホール部９の電極引出部の端部に複数の丸め
部１０９、１１０を形成したものである。従って、この
実施例によっても、スルーホール部９の電極引出部の端
部も含めてフォトレジストを塗布したとき、複数の丸み
部１０９、１１０により、この端部でのフォトレジスト
の流れがなだらかにされ、連続的になるので、膜厚の減
少を、さらに充分に防止することができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、固定電極からの信号の
取り出しにスルーホール部を用いた場合でも、断線や接
続不良の虞れがなく、信頼性の向上に効果があり、更に
製造時の歩留向上にも効果がある。
取り出しにスルーホール部を用いた場合でも、断線や接
続不良の虞れがなく、信頼性の向上に効果があり、更に
製造時の歩留向上にも効果がある。
【図１】本発明による加速度センサの一実施例を示す説
明図である。
明図である。
【図２】本発明の一実施例におけるスルーホール部の拡
大説明図である。
大説明図である。
【図３】本発明の一実施例におけるスルーホール部にフ
ォトレジストが塗布された状態を拡大して示した説明図
である。
ォトレジストが塗布された状態を拡大して示した説明図
である。
【図４】本発明の一実施例の一部を拡大して示した説明
図である。
図である。
【図５】本発明の他の一実施例を示す拡大説明図であ
る。
る。
【図６】本発明の別の一実施例を示す拡大説明図であ
る。
る。
【図７】本発明の更に別の一実施例を示す拡大説明図で
ある。
ある。
【図８】加速度センサの従来例を示す拡大説明図であ
る。
る。
１ 上側のガラス板 ２ シリコン板 ３ 下側のガラス板 ４ 質量部(可動電極） ５ カンチレバー ６ 上側の固定電極 ７ 下側の固定電極 ８ 電極リード ９ スルーホール部 １０ 充填剤 １１、１２、１３ ワイヤボンディングパッド １４ フォトレジスト １００、１０３、１０４ 段差部 １０１、１０２、１０５、１０６、１０７ 角部 １０８、１０９、１１０ 丸め部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横田 吉弘 茨城県勝田市大字高場2520番地 株式会社 日立製作所自動車機器事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】 可動電極となる質量部が形成された半導
体板状部材の両面を少なくとも一方に固定電極が形成さ
れた２枚のガラス板で積層し、上記固定電極と外部端子
の間の接続路に上記ガラス板を貫通するスルーホール部
を有する半導体静電容量式加速度センサにおいて、上記
スルーホール部の少なくとも上記固定電極が設けてある
面側の端部に段差部が設けられていることを特徴とする
加速度センサ。 - 【請求項２】 請求項１の発明において、上記段差部が
複数段設けられていることを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項３】 可動電極となる質量部が形成された半導
体板状部材の両面を少なくとも一方に固定電極が形成さ
れた２枚のガラス板で積層し、上記固定電極と外部端子
の間の接続路に上記ガラス板を貫通するスルーホール部
を有する半導体静電容量式加速度センサにおいて、上記
スルーホール部の少なくとも上記固定電極が設けてある
面側の端部に丸め部が設けてあることを特徴とする加速
度センサ。 - 【請求項４】 請求項３の発明において、上記丸め部が
複数個設けられていることを特徴とする加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039940A JPH06249875A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5039940A JPH06249875A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06249875A true JPH06249875A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12566951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5039940A Pending JPH06249875A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06249875A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027215A1 (fr) * | 1994-04-05 | 1995-10-12 | Hitachi, Ltd. | Capteur d'acceleration |
| JP2006147892A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体部品の電気信号取り出し部構造及びその製造方法 |
| JP2011053220A (ja) * | 2010-10-04 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体容量式加速度センサの製造方法 |
| CN102642808A (zh) * | 2012-05-11 | 2012-08-22 | 厦门大学 | 基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法 |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP5039940A patent/JPH06249875A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995027215A1 (fr) * | 1994-04-05 | 1995-10-12 | Hitachi, Ltd. | Capteur d'acceleration |
| JP2006147892A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体部品の電気信号取り出し部構造及びその製造方法 |
| JP2011053220A (ja) * | 2010-10-04 | 2011-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体容量式加速度センサの製造方法 |
| CN102642808A (zh) * | 2012-05-11 | 2012-08-22 | 厦门大学 | 基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法 |
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