JPH06232488A - 高速波長掃引装置 - Google Patents
高速波長掃引装置Info
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- JPH06232488A JPH06232488A JP1556493A JP1556493A JPH06232488A JP H06232488 A JPH06232488 A JP H06232488A JP 1556493 A JP1556493 A JP 1556493A JP 1556493 A JP1556493 A JP 1556493A JP H06232488 A JPH06232488 A JP H06232488A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速波長掃引量を大きくできると共に、出射
ビームのパターンの品質を正常に維持することができる
高速波長掃引装置を得る。 【構成】 光学窓９を有し、液体絶縁媒質１０で充填さ
れた密封容器８と、この密封容器１０内に保持された電
気光学結晶１と、この電気光学結晶１に高周波の電界を
印加する高電圧変調電源と備え、電気光学結晶１に光学
窓９を通して電界と直交するように周波数掃引光を入出
射する構成とする。
ビームのパターンの品質を正常に維持することができる
高速波長掃引装置を得る。 【構成】 光学窓９を有し、液体絶縁媒質１０で充填さ
れた密封容器８と、この密封容器１０内に保持された電
気光学結晶１と、この電気光学結晶１に高周波の電界を
印加する高電圧変調電源と備え、電気光学結晶１に光学
窓９を通して電界と直交するように周波数掃引光を入出
射する構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高速波長掃引装置に
関し、特に例えばレーザーを用いて超微細構造を有する
同位体を効率良く励起することができる高速波長掃引装
置に関するものである。
関し、特に例えばレーザーを用いて超微細構造を有する
同位体を効率良く励起することができる高速波長掃引装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば（社）日本原子学会「１９
９１春の年会」Ｇ３２（３４３ページ）で報告された従
来の高速波長掃引装置を示す断面図である。図４におい
て、１は電気光学結晶、２は入射レーザー光、３は波長
掃引されたレーザー光、４は高電圧変調電源である。
９１春の年会」Ｇ３２（３４３ページ）で報告された従
来の高速波長掃引装置を示す断面図である。図４におい
て、１は電気光学結晶、２は入射レーザー光、３は波長
掃引されたレーザー光、４は高電圧変調電源である。
【０００３】次に動作について説明する。電気光学結晶
１に高電圧変調電源４によって正弦波が印加されると、
入射レーザー光２の周波数は下記の（１）式によって変
調される。
１に高電圧変調電源４によって正弦波が印加されると、
入射レーザー光２の周波数は下記の（１）式によって変
調される。
【０００４】 Δω＝−ｎeｒ33／πλ・Ｌ／ｄ・ｄＶ（ｔ）／ｄｔ ・・・（１）
【０００５】従って、電気光学結晶１に高圧変調電圧を
印加することにより、波長掃引が行われる。ここで、Δ
ωは光周波数の変化量、ｎeは電気光学結晶１の異常光
線に対する屈折率、ｒ33は電気光学結晶１の電気光学定
数、λは入射レーザー光の波長、Ｌは電気光学結晶１を
通過するレーザー光の距離、ｄは電極間距離、Ｖ（ｔは
電気光学結晶１に印加される電圧）、ｔは時間である。
印加することにより、波長掃引が行われる。ここで、Δ
ωは光周波数の変化量、ｎeは電気光学結晶１の異常光
線に対する屈折率、ｒ33は電気光学結晶１の電気光学定
数、λは入射レーザー光の波長、Ｌは電気光学結晶１を
通過するレーザー光の距離、ｄは電極間距離、Ｖ（ｔは
電気光学結晶１に印加される電圧）、ｔは時間である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の高速波長掃引装
置は以上のように構成されているので、気中耐電圧以上
に印加電圧を大きくすることができず、掃引周波数を大
きくできない欠点があり、また、電極を電気光学結晶に
塗布したままでは電界集中により、大きな印加電圧を加
えられなかったり、更に、屈折率の局所変化によってレ
ーザー光の波面が変化し、出射ビームの品質低下を招い
たり、また、強いレーザー光によって屈折率の局所変化
が残り、レーザービームのパターンが変化するなどの問
題点があった。
置は以上のように構成されているので、気中耐電圧以上
に印加電圧を大きくすることができず、掃引周波数を大
きくできない欠点があり、また、電極を電気光学結晶に
塗布したままでは電界集中により、大きな印加電圧を加
えられなかったり、更に、屈折率の局所変化によってレ
ーザー光の波面が変化し、出射ビームの品質低下を招い
たり、また、強いレーザー光によって屈折率の局所変化
が残り、レーザービームのパターンが変化するなどの問
題点があった。
【０００７】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、高速波長掃引量を大きくできると
共に、出射ビームのパターンの品質を正常に維持するこ
とのできる高速波長掃引装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、高速波長掃引量を大きくできると
共に、出射ビームのパターンの品質を正常に維持するこ
とのできる高速波長掃引装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る高速波長掃引装置は、光学窓を有し、液体絶縁媒質で
充填された密封容器と、この密封容器内に保持された電
気光学結晶と、この電気光学結晶に高周波の電界を印加
する高電圧変調電源とを備え、上記電気光学結晶に上記
光学窓を通して電界と直交するように周波数掃引光を入
出射するようにしたものである。
る高速波長掃引装置は、光学窓を有し、液体絶縁媒質で
充填された密封容器と、この密封容器内に保持された電
気光学結晶と、この電気光学結晶に高周波の電界を印加
する高電圧変調電源とを備え、上記電気光学結晶に上記
光学窓を通して電界と直交するように周波数掃引光を入
出射するようにしたものである。
【０００９】また、請求項２記載の発明に係る高速波長
掃引装置は、光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された
密封容器と、この密封容器内に保持された電気光学結晶
と、この電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段と、この平等電界電極手段を介して上記
電気光学結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調電源
とを備え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して電界
と直交するように周波数掃引光を入出射するようにした
ものである。
掃引装置は、光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された
密封容器と、この密封容器内に保持された電気光学結晶
と、この電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段と、この平等電界電極手段を介して上記
電気光学結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調電源
とを備え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して電界
と直交するように周波数掃引光を入出射するようにした
ものである。
【００１０】また、請求項３記載の発明に係る高速波長
掃引装置は、光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された
密封容器と、この密封容器内に保持された電気光学結晶
と、この電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段と、この平等電界電極手段を加圧する加
圧手段と、上記平等電界電極手段を介して上記電気光学
結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調電源とを備
え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して電界と直交
するように周波数掃引光を入出射するようにしたもので
ある。
掃引装置は、光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された
密封容器と、この密封容器内に保持された電気光学結晶
と、この電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段と、この平等電界電極手段を加圧する加
圧手段と、上記平等電界電極手段を介して上記電気光学
結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調電源とを備
え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して電界と直交
するように周波数掃引光を入出射するようにしたもので
ある。
【００１１】また、請求項４記載の発明に係る高速波長
掃引装置は、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに
おいて、液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高いガスを溶解させ
たものである。
掃引装置は、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに
おいて、液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高いガスを溶解させ
たものである。
【００１２】更に、請求項５記載の発明に係る高速波長
掃引装置は、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに
おいて、液体絶縁媒質に帯電防止材を添加したものであ
る。
掃引装置は、請求項１ないし請求項３のいずれか１つに
おいて、液体絶縁媒質に帯電防止材を添加したものであ
る。
【００１３】
【作用】請求項１記載の発明においては、光学窓を有
し、液体絶縁媒質で充填された密封容器内に電気光学結
晶を保持し、この電気光学結晶に光学窓を通して電界と
直交するように周波数掃引光を入出射する。これによ
り、高速波長掃引量を大きくできると共に、出射ビーム
のパターンの品質を正常に維持することができる。
し、液体絶縁媒質で充填された密封容器内に電気光学結
晶を保持し、この電気光学結晶に光学窓を通して電界と
直交するように周波数掃引光を入出射する。これによ
り、高速波長掃引量を大きくできると共に、出射ビーム
のパターンの品質を正常に維持することができる。
【００１４】また、請求項２記載の発明においては、光
学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器内に保
持された電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段を設け、この平等電界電極手段を介して
電気光学結晶に光学窓を通して電界と直交するように周
波数掃引光を入出射する。これにより、絶縁耐圧が高
く、且つ、均一な高電界が印加され、波長掃引量を大き
くできる。
学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器内に保
持された電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段を設け、この平等電界電極手段を介して
電気光学結晶に光学窓を通して電界と直交するように周
波数掃引光を入出射する。これにより、絶縁耐圧が高
く、且つ、均一な高電界が印加され、波長掃引量を大き
くできる。
【００１５】また、請求項３記載の発明においては、光
学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器内に保
持された電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段を加圧する加圧手段を設ける。これによ
り、電気光学結晶に均一に圧力がかかり、不均一な応力
分布をなり、ビームの透過波面の変形を防止できる。
学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器内に保
持された電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平
等電界電極手段を加圧する加圧手段を設ける。これによ
り、電気光学結晶に均一に圧力がかかり、不均一な応力
分布をなり、ビームの透過波面の変形を防止できる。
【００１６】また、請求項４記載の発明においては、密
封容器内に充填されている液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高
いガスを溶解させる。これにより、絶縁耐圧の高いガス
によって高電圧を印加しても電極間に液体絶縁媒体の流
れがなくなり、ビームプロファイルを正常に維持するこ
とができる。
封容器内に充填されている液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高
いガスを溶解させる。これにより、絶縁耐圧の高いガス
によって高電圧を印加しても電極間に液体絶縁媒体の流
れがなくなり、ビームプロファイルを正常に維持するこ
とができる。
【００１７】更に、請求項５記載の発明においては、密
封容器内に充填されている液体絶縁媒質に帯電防止材を
添加する。これにより、電気光学結晶に帯電する電荷が
スムーズに解消し、屈折率の歪が減少して透過波面の劣
化がなくなる。
封容器内に充填されている液体絶縁媒質に帯電防止材を
添加する。これにより、電気光学結晶に帯電する電荷が
スムーズに解消し、屈折率の歪が減少して透過波面の劣
化がなくなる。
【００１８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はこの発明の一実施例を示す断面
図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であり、図において、
図４と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明
は省略する。１は例えば光学グレードＬｉＴａ０3結晶
などの電気光学結晶、２は入射レーザー光、３は高速波
長掃引されたレーザー光、５ａ，５ｂはそれぞれ電気光
学結晶１の両面（最先端面を除く）に全面金を蒸着又は
塗布した導電性電極、６ａ，６ｂはそれぞれ電気光学結
晶１を保持し、且つ、それぞれ導電性電極５ａ，５ｂに
電圧を印加する平等電界電極、７ａ，７ｂはそれぞれ平
等電界電極６に高圧変調電源（図示せず）からの電圧を
印加する支持導体、８はレーザー光２を通過させるため
の光学窓としての窓９ａ，９ｂを有する密封容器、１０
は密封容器８に充填された例えばフロリナートＦＣ７５
等の液体絶縁媒質、１１ａ，１１ｂは密封を行うＯリン
グシール、１２は密封容器８を支持するための支柱、１
３は入射したレーザー光２を電気光学結晶１の最良位置
に導光する光学ステージである。
ついて説明する。図１はこの発明の一実施例を示す断面
図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であり、図において、
図４と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明
は省略する。１は例えば光学グレードＬｉＴａ０3結晶
などの電気光学結晶、２は入射レーザー光、３は高速波
長掃引されたレーザー光、５ａ，５ｂはそれぞれ電気光
学結晶１の両面（最先端面を除く）に全面金を蒸着又は
塗布した導電性電極、６ａ，６ｂはそれぞれ電気光学結
晶１を保持し、且つ、それぞれ導電性電極５ａ，５ｂに
電圧を印加する平等電界電極、７ａ，７ｂはそれぞれ平
等電界電極６に高圧変調電源（図示せず）からの電圧を
印加する支持導体、８はレーザー光２を通過させるため
の光学窓としての窓９ａ，９ｂを有する密封容器、１０
は密封容器８に充填された例えばフロリナートＦＣ７５
等の液体絶縁媒質、１１ａ，１１ｂは密封を行うＯリン
グシール、１２は密封容器８を支持するための支柱、１
３は入射したレーザー光２を電気光学結晶１の最良位置
に導光する光学ステージである。
【００１９】すなわち、この図に示すように、光学ステ
ージ１３に支柱１２を植立させ、更に支柱１２の先端に
密封容器８を取り付ける。そして密封容器８は、その内
部に、その両端面に導電性電極５ａ及び５ｂを蒸着した
電気光学結晶１を平等電界電極６ａ及び６ｂで挟持させ
たものを配置し、更にこれらを支持導体７ａ及び７ｂで
支持し、この支持導体７ａ及び７ｂと密封容器８の接合
部分をそれぞれＯリングシール１１ａ〜１１ｄで密封さ
せ、液体絶縁媒質１０を充填し、窓９ａ及び９ｂと密封
容器８の各接合部分をＯリングシール１１ｅ〜１１ｈで
密封して構成する。
ージ１３に支柱１２を植立させ、更に支柱１２の先端に
密封容器８を取り付ける。そして密封容器８は、その内
部に、その両端面に導電性電極５ａ及び５ｂを蒸着した
電気光学結晶１を平等電界電極６ａ及び６ｂで挟持させ
たものを配置し、更にこれらを支持導体７ａ及び７ｂで
支持し、この支持導体７ａ及び７ｂと密封容器８の接合
部分をそれぞれＯリングシール１１ａ〜１１ｄで密封さ
せ、液体絶縁媒質１０を充填し、窓９ａ及び９ｂと密封
容器８の各接合部分をＯリングシール１１ｅ〜１１ｈで
密封して構成する。
【００２０】次に動作について説明する。図に示すよう
に、図示しない光源からのレーザー光２が窓９ａを介し
て密封容器８内部に入射すると、レーザー光２は充填さ
れている液体絶縁媒質１０を介して電気光学結晶１内を
通過し、再び液体絶縁媒質１０及び窓９ｂを介して外に
出射される。電気光学結晶１の両端の導電性電極５ａ及
び５ｂには図示しない高電圧変調電源から支持導体７ａ
及び７ｂを介して正弦波の高電圧が印加されているの
で、レーザー光２は変調され、従って、窓９ｂから出射
されるレーザー光３は波長掃引されたものとなる。
に、図示しない光源からのレーザー光２が窓９ａを介し
て密封容器８内部に入射すると、レーザー光２は充填さ
れている液体絶縁媒質１０を介して電気光学結晶１内を
通過し、再び液体絶縁媒質１０及び窓９ｂを介して外に
出射される。電気光学結晶１の両端の導電性電極５ａ及
び５ｂには図示しない高電圧変調電源から支持導体７ａ
及び７ｂを介して正弦波の高電圧が印加されているの
で、レーザー光２は変調され、従って、窓９ｂから出射
されるレーザー光３は波長掃引されたものとなる。
【００２１】従来の高速波長掃引装置においては、電気
光学結晶１に印加される電圧は、空気の絶縁破壊強さ
（約３ｋＶ／ｍｍ）によって決定され、例えばＬｉＴａ
Ｏ3結晶の絶縁破壊強さ（２０ｋＶ／ｍｍ以上）よりは
るかに低い電界強度しか印加できず、そのため波長掃引
量が小さくなる欠点があったが、絶縁破壊強さが電気光
学結晶と同等以上のフロリナートＦＣ７５を液体絶縁媒
質として用いることにより、大きな印加電圧を電気光学
結晶１に対して印加できることになり、これによって波
長掃引量を大幅に向上することができる。また、導電性
電極５のみでは先端部で電界集中により、絶縁破壊が低
い電圧値で生じたが、いわゆる近似ロゴウスキー電極形
状の平等電界電極６を組み合わせることにより、絶縁破
壊電圧が高く、再現性も良好となる。また、増幅するこ
とによって波長掃引レーザー光の強度を大幅に強くした
レーザー光を得ることができる。
光学結晶１に印加される電圧は、空気の絶縁破壊強さ
（約３ｋＶ／ｍｍ）によって決定され、例えばＬｉＴａ
Ｏ3結晶の絶縁破壊強さ（２０ｋＶ／ｍｍ以上）よりは
るかに低い電界強度しか印加できず、そのため波長掃引
量が小さくなる欠点があったが、絶縁破壊強さが電気光
学結晶と同等以上のフロリナートＦＣ７５を液体絶縁媒
質として用いることにより、大きな印加電圧を電気光学
結晶１に対して印加できることになり、これによって波
長掃引量を大幅に向上することができる。また、導電性
電極５のみでは先端部で電界集中により、絶縁破壊が低
い電圧値で生じたが、いわゆる近似ロゴウスキー電極形
状の平等電界電極６を組み合わせることにより、絶縁破
壊電圧が高く、再現性も良好となる。また、増幅するこ
とによって波長掃引レーザー光の強度を大幅に強くした
レーザー光を得ることができる。
【００２２】以上のことを実施した結果、従来における
波長掃引量を１ＧＨｚから７ＧＨｚ迄大幅に向上させる
ことができた。また、電気光学結晶１に印加する電界が
電界集中から平等電界になり、電気光学結晶１内での屈
折率分布も均一になり、出射レーザービーム３のビーム
プロファイル（空間的強度分布）の劣化が小さくなる。
波長掃引量を１ＧＨｚから７ＧＨｚ迄大幅に向上させる
ことができた。また、電気光学結晶１に印加する電界が
電界集中から平等電界になり、電気光学結晶１内での屈
折率分布も均一になり、出射レーザービーム３のビーム
プロファイル（空間的強度分布）の劣化が小さくなる。
【００２３】実施例２．尚、液体絶縁媒質１０に高絶縁
性のフッ素系絶縁液体例えば６フッ化硫黄（ＳＦ6）ガ
スを溶解させた後、密封容器８を密閉するようにしても
良い。この場合、印加電圧４ｋＶ／ｍｍ以上で観察され
た平等電界電極６ａ及び６ｂ間の気泡を含む流れが少な
くとも８ｋＶ／ｍｍでも観察されなくなり、出射レーザ
ー光３が気泡等で散乱されなくなり、高電界印加時にお
けるビーム品質を維持することができる。
性のフッ素系絶縁液体例えば６フッ化硫黄（ＳＦ6）ガ
スを溶解させた後、密封容器８を密閉するようにしても
良い。この場合、印加電圧４ｋＶ／ｍｍ以上で観察され
た平等電界電極６ａ及び６ｂ間の気泡を含む流れが少な
くとも８ｋＶ／ｍｍでも観察されなくなり、出射レーザ
ー光３が気泡等で散乱されなくなり、高電界印加時にお
けるビーム品質を維持することができる。
【００２４】実施例３．また、上記実施例１において
は、液体絶縁媒質１０としてフロリナートＦＣ７５を用
いた例を説明したが、レーザー光の吸収が小さく、絶縁
破壊強さが大きい物質、例えばアルキルベンゼン絶縁油
等の炭化水素系絶縁液体を使用しても上記実施例１と同
様の効果を得ることができる。
は、液体絶縁媒質１０としてフロリナートＦＣ７５を用
いた例を説明したが、レーザー光の吸収が小さく、絶縁
破壊強さが大きい物質、例えばアルキルベンゼン絶縁油
等の炭化水素系絶縁液体を使用しても上記実施例１と同
様の効果を得ることができる。
【００２５】実施例４．また、上記実施例３において
は、液体絶縁媒質１０としてアルキルベンゼン絶縁油を
使用した例について説明したが、このアルキルベンゼン
絶縁油にナカラテスク社製の１，２，３ーベンゾトリア
ゾールを２０ｐｐｍ添加するようにしても良い。この場
合帯電防止材を添加した装置は入射ビーム強度を１．５
倍強くしても出射ビームのプロファイルを正常に維持す
ることができる。
は、液体絶縁媒質１０としてアルキルベンゼン絶縁油を
使用した例について説明したが、このアルキルベンゼン
絶縁油にナカラテスク社製の１，２，３ーベンゾトリア
ゾールを２０ｐｐｍ添加するようにしても良い。この場
合帯電防止材を添加した装置は入射ビーム強度を１．５
倍強くしても出射ビームのプロファイルを正常に維持す
ることができる。
【００２６】実施例５．図３は凹型導体１５に加圧手段
としての例えばバネ１４を介して支持導体７を取り付け
た構成を示す断面図である。このように構成した場合
は、電気光学結晶１に取付時の無理な応力が加わらなく
なり、応力歪による入射レーザー光２の波面の変形を防
止でき、ビームの品質を正常に維持することができる。
としての例えばバネ１４を介して支持導体７を取り付け
た構成を示す断面図である。このように構成した場合
は、電気光学結晶１に取付時の無理な応力が加わらなく
なり、応力歪による入射レーザー光２の波面の変形を防
止でき、ビームの品質を正常に維持することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容
器と、この密封容器内に保持された電気光学結晶と、こ
の電気光学結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調電
源とを備え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して電
界と直交するように周波数掃引光を入出射するようにし
たので、高速波長掃引量を大きくできると共に、出射ビ
ームのパターンの品質を正常に維持することができると
いう効果がある。
れば、光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容
器と、この密封容器内に保持された電気光学結晶と、こ
の電気光学結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調電
源とを備え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して電
界と直交するように周波数掃引光を入出射するようにし
たので、高速波長掃引量を大きくできると共に、出射ビ
ームのパターンの品質を正常に維持することができると
いう効果がある。
【００２８】また、請求項２記載の発明によれば、光学
窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器と、この
密封容器内に保持された電気光学結晶と、この電気光学
結晶の主表面に対向して設けられた平等電界電極手段
と、この平等電界電極手段を介して上記電気光学結晶に
高周波の電界を印加する高電圧変調電源とを備え、上記
電気光学結晶に上記光学窓を通して電界と直交するよう
に周波数掃引光を入出射するようにしたので、絶縁耐圧
が高く、且つ、均一な高電界が印加され、高速波長掃引
量を更に大きくできると共に、出射ビームのパターンの
品質を正常に維持することができという効果がある。
窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器と、この
密封容器内に保持された電気光学結晶と、この電気光学
結晶の主表面に対向して設けられた平等電界電極手段
と、この平等電界電極手段を介して上記電気光学結晶に
高周波の電界を印加する高電圧変調電源とを備え、上記
電気光学結晶に上記光学窓を通して電界と直交するよう
に周波数掃引光を入出射するようにしたので、絶縁耐圧
が高く、且つ、均一な高電界が印加され、高速波長掃引
量を更に大きくできると共に、出射ビームのパターンの
品質を正常に維持することができという効果がある。
【００２９】また、請求項３記載の発明によれば、光学
窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器と、この
密封容器内に保持された電気光学結晶と、この電気光学
結晶の主表面に対向して設けられた平等電界電極手段
と、この平等電界電極手段を加圧する加圧手段と、上記
平等電界電極手段を介して上記電気光学結晶に高周波の
電界を印加する高電圧変調電源とを備え、上記電気光学
結晶に上記光学窓を通して電界と直交するように周波数
掃引光を入出射するようにしたので、絶縁耐圧が高く、
且つ、均一な高電界が印加され、高速波長掃引量を更に
大きくできると共に、出射ビームのパターンの品質を正
常に維持することができ、しかも電気光学結晶に均一に
圧力がかかり、不均一な応力分布をなくしてビームの透
過波面の変形を防止できるという効果がある。
窓を有し、液体絶縁媒質で充填された密封容器と、この
密封容器内に保持された電気光学結晶と、この電気光学
結晶の主表面に対向して設けられた平等電界電極手段
と、この平等電界電極手段を加圧する加圧手段と、上記
平等電界電極手段を介して上記電気光学結晶に高周波の
電界を印加する高電圧変調電源とを備え、上記電気光学
結晶に上記光学窓を通して電界と直交するように周波数
掃引光を入出射するようにしたので、絶縁耐圧が高く、
且つ、均一な高電界が印加され、高速波長掃引量を更に
大きくできると共に、出射ビームのパターンの品質を正
常に維持することができ、しかも電気光学結晶に均一に
圧力がかかり、不均一な応力分布をなくしてビームの透
過波面の変形を防止できるという効果がある。
【００３０】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の高速波長掃
引装置において、液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高いガスを
溶解させたので、更に、絶縁耐圧の高いガスによって高
電圧を印加しても電極間に液体絶縁媒体の流れがなくな
り、ビームプロファイルを正常に維持することができる
という効果がある。
項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の高速波長掃
引装置において、液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高いガスを
溶解させたので、更に、絶縁耐圧の高いガスによって高
電圧を印加しても電極間に液体絶縁媒体の流れがなくな
り、ビームプロファイルを正常に維持することができる
という効果がある。
【００３１】更に、請求項５記載の発明によれば、請求
項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の高速波長掃
引装置において、液体絶縁媒質に帯電防止材を添加した
ので、更に、電気光学結晶に帯電する電荷がスムーズに
解消され、屈折率の歪が減少して、透過波面の劣化がな
くなるという効果がある。
項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の高速波長掃
引装置において、液体絶縁媒質に帯電防止材を添加した
ので、更に、電気光学結晶に帯電する電荷がスムーズに
解消され、屈折率の歪が減少して、透過波面の劣化がな
くなるという効果がある。
【図１】この発明による高速波長掃引装置の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明による高速波長掃引装置の図１のＡ−
Ａ線断面図である。
Ａ線断面図である。
【図３】この発明による高速波長掃引装置の他の実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】従来の高速波長掃引装置を示す斜視図である。
１ 電気光学結晶 ２ 入射レーザー光 ３ 高速波長掃引されたレーザー光 ４ 高圧変調電源 ５ 導電性電極 ６ 平等電界電極 ７ 支持導体 ８ 密封容器 ９ 窓 １０ 液体絶縁媒質 １１ Ｏリングシール １２ 支柱 １３ ステージ １４ バネ １５ 凹型導体
Claims (5)
- 【請求項１】 光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填され
た密封容器と、 この密封容器内に保持された電気光学結晶と、 この電気光学結晶に高周波の電界を印加する高電圧変調
電源とを備え、上記電気光学結晶に上記光学窓を通して
電界と直交するように周波数掃引光を入出射するように
したことを特徴とする高速波長掃引装置。 - 【請求項２】 光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填され
た密封容器と、 この密封容器内に保持された電気光学結晶と、 この電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平等電
界電極手段と、 この平等電界電極手段を介して上記電気光学結晶に高周
波の電界を印加する高電圧変調電源とを備え、上記電気
光学結晶に上記光学窓を通して電界と直交するように周
波数掃引光を入出射するようにしたことを特徴とする高
速波長掃引装置。 - 【請求項３】 光学窓を有し、液体絶縁媒質で充填され
た密封容器と、 この密封容器内に保持された電気光学結晶と、 この電気光学結晶の主表面に対向して設けられた平等電
界電極手段と、 この平等電界電極手段を加圧する加圧手段と、 上記平等電界電極手段を介して上記電気光学結晶に高周
波の電界を印加する高電圧変調電源とを備え、上記電気
光学結晶に上記光学窓を通して電界と直交するように周
波数掃引光を入出射するようにしたことを特徴とする高
速波長掃引装置。 - 【請求項４】 上記液体絶縁媒質に絶絶耐圧の高いガス
を溶解させたことを特徴とする請求項１ないし請求項３
のいずれか１つに記載の高速波長掃引装置。 - 【請求項５】 上記液体絶縁媒質に帯電防止材を添加し
たことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか
１つに記載の高速波長掃引装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1556493A JP3138556B2 (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 高速波長掃引装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1556493A JP3138556B2 (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 高速波長掃引装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232488A true JPH06232488A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3138556B2 JP3138556B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=11892248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1556493A Expired - Fee Related JP3138556B2 (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 高速波長掃引装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3138556B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876151A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光周波数変調光回路 |
| US6403975B1 (en) | 1996-04-09 | 2002-06-11 | Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafteneev | Semiconductor components, in particular photodetectors, light emitting diodes, optical modulators and waveguides with multilayer structures grown on silicon substrates |
| JP2014081575A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気光学結晶を用いた光学装置 |
| CN106891223A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-06-27 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 手机外壳表面处理方法、手机外壳及手机 |
| KR20220106205A (ko) * | 2019-12-31 | 2022-07-28 | 사이머 엘엘씨 | 가스 방전 레이저 챔버용 언더컷 전극 |
-
1993
- 1993-02-02 JP JP1556493A patent/JP3138556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0876151A (ja) * | 1994-09-01 | 1996-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光周波数変調光回路 |
| US6403975B1 (en) | 1996-04-09 | 2002-06-11 | Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafteneev | Semiconductor components, in particular photodetectors, light emitting diodes, optical modulators and waveguides with multilayer structures grown on silicon substrates |
| JP2014081575A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電気光学結晶を用いた光学装置 |
| CN106891223A (zh) * | 2017-02-21 | 2017-06-27 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 手机外壳表面处理方法、手机外壳及手机 |
| CN106891223B (zh) * | 2017-02-21 | 2020-12-15 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 手机外壳表面处理方法、手机外壳及手机 |
| KR20220106205A (ko) * | 2019-12-31 | 2022-07-28 | 사이머 엘엘씨 | 가스 방전 레이저 챔버용 언더컷 전극 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3138556B2 (ja) | 2001-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |