JPH0622228A

JPH0622228A - 撮像装置

Info

Publication number: JPH0622228A
Application number: JP4196591A
Authority: JP
Inventors: Akira Suga; 章菅
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-06-30
Filing date: 1992-06-30
Publication date: 1994-01-28

Abstract

(57)【要約】【目的】不要な反射光による測定誤差や、固体撮像素
子の表面の反射率のばらつきによる誤差がない撮像装置
を提供することを目的とする。【構成】固体撮像素子１の表面に入射する光の量を直
接測定する構造とすることにより、ローパスフィルタ表
面からの反射光や保護膜表面からの反射光のような不要
な反射光による誤差、および上記固体撮像素子１の表面
の反射率が製造工程のばらつき等のために異なることに
よる測定誤差等を排除し、正確な測光を可能にするとと
もに測光専用の素子を不要にし、測光素子を取り付ける
作業およびその調整作業を行わなくても済むようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ストロボ調光機能を備
えた撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】被写体からの光信号を電気信号に変換
し、これを記録媒体に記録するようにした電子スチルカ
メラが実用化されている。このような電子スチルカメラ
は、図５のブロック図に示すように構成されている。

【０００３】図５において、２０１はレンズ、２０２は
絞り、２０３はシャッター、１０１は画像を電気信号に
変換する固体撮像素子、２０４は固体撮像素子の出力を
ＡＤ変換するＡＤ変換回路、２０６はＡＤ変換された信
号を処理するために一時的にデータを蓄積するバッファ
メモリである。次いで、２０７はバッファメモリ２０６
から読み出した固体撮像素子１０１の出力データを、記
録に適したフォーマットの画像データに変換する信号処
理回路である。

【０００４】また、２０８は信号処理された結果を記録
するメモリカードである。２０５はＡ／Ｄ変換回路２０
４、バッファメモリ２０６、信号処理回路２０７、メモ
リカード２０８間のデータの流れを制御するメモリＩ／
Ｏ制御回路、２０９はシステム全体の動作を制御するシ
ステム制御回路、２１０は撮影動作の開始をトリガーす
るシャッターレリーズスイッチである。

【０００５】さらに、３０１は固体撮像素子１０１の表
面からの反射光を測光する測光素子、３０３は測光素子
３０１の出力電流を積分する積分回路、３０２は自然光
だけでは光量が足りないときに発光する発光装置であ
る。図５において、測光素子３０１は固体撮像素子１０
１の反射光の光量を測定することによって、固体撮像素
子１０１に入射した光量を測定する。

【０００６】図６は、固体撮像素子１０１の反射光測定
の説明図である。図６において、４０１は固体撮像素子
１０１のチップを格納するパッケージ、４０３はパッケ
ージ４０１のカバーガラス、４０４は光学ローパスフィ
ルタである。レンズ２０１を通過した光が固体撮像素子
１０１のチップ表面で反射するが、該反射光を測光素子
３０１で測定する。

【０００７】図７は、電子スチルカメラ用の固体撮像素
子として用いられるフルフレーム転送型ＣＣＤの構成を
示す図、図８は単位画素の断面を示す図である。図７お
よび図８において、点線で囲んで示した領域１１０が単
位画素を示している。また、１０３は横方向の画素を分
離するチャンネルストップ、１０５は画素の電荷蓄積容
量を越えるような過剰電荷を排出するための横型オーバ
ーフロードレイン、１０６は電荷を横型オーバーフロー
ドレイン１０５に排出する際のしきい値を設定するアン
チブルーミングバリアを示している。

【０００８】また、１０８は各画素に蓄積された電荷を
垂直に転送するための２相の読み出しパルスφＶ１、φ
Ｖ２を印加する透明転送電極、１１１は垂直転送された
１ライン分の電荷を水平に転送する水平ＣＣＤ、φＨ
１、φＨ２は２相の読み出しパルスを水平ＣＣＤ１１１
に印加するための水平転送電極である。また、１１２は
水平転送された電荷を電圧に変換する出力アンプであ
る。

【０００９】また、図８において、１０２は基板である
ｐ層、１０３はチャンネルストップを形成するｐ＋層、
１０４は電荷を蓄積転送する埋め込みチャンネルを形成
するｎ層、１０５は横型オーバーフロードレインを形成
するｎ＋層、１０６はアンチブルーミングバリア、１０
７はシリコン酸化膜、１０８は透明転送電極である。

【００１０】図９は電子スチルカメラの撮影シーケンス
を説明する図であり、図９から明らかなように、シャッ
ターレリーズスイッチ２１０がオンされと撮影シーケン
スが開始される。そして、時刻Ｔ０においてシャッター
２０３が開かれ、測光素子３０１による測光動作が開始
される。また、時刻Ｔ１にて測光動作が終了するとシャ
ッター２０３が閉じられ、読み出しパルスの印加によっ
て固体撮像素子１０１に蓄積されていた暗電荷が排出さ
れる。

【００１１】そして、時刻Ｔ２にて暗電荷の排出が終了
すると、シャッター２０３が開かれ固体撮像素子１０１
への露光が開始される。その際、測光動作にて自然光だ
けでは光量が不十分と判断された場合は、発光装置３０
２が発光する。発光が開始されると測光素子３０１の出
力が積分回路３０３によって積分され、上記積分値が所
定の時間間隔でシステム制御回路２０９に取り込まれ、
しきい値と比較される。上記積分値が時刻Ｔ３にて、し
きい値を越えると発光装置３０２の発光が停止する。

【００１２】また、時刻Ｔ４にてシャッター２０３が閉
じられると、時刻Ｔ４から時刻Ｔ５の間に読み出しパル
スの印加によって固体撮像素子１０１から露光信号の読
み出しが行われる。その際、読み出された信号はＡＤ変
換回路２０４にてＡＤ変換される。このＡＤ変換された
信号はバッファメモリ２０６に一旦記憶される。次い
で、時刻Ｔ５から時刻Ｔ６の間にバッファメモリ２０６
から露光信号が読み出され、信号処理回路２０７にて記
録に適したフォーマットの画像データに変換処理され
る。そして、変換処理された信号メモリカード２０８に
記録される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の例では測光および調光を固体撮像素子１０１のチッ
プ表面からの反射光量の測定によって行う際に、図６に
示すように光学ローパスフィルタ４０４の表面の反射や
カバーガラス４０３の反射光まで測光素子３０１に入射
してしまうため、正確な測光および調光が困難であっ
た。

【００１４】また、固体撮像素子１０１のチップ表面の
反射率が製造工程のバラツキによって異なるため、固体
撮像素子１０１の画内における反射光量の分布がバラツ
キ、測光素子３０１の位置調整が困難であるという問題
があった。本発明は上述の問題点にかんがみ、不要な反
射光による測定誤差や、固体撮像素子の表面の反射率の
ばらつきによる誤差がない撮像装置を提供することを目
的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の撮像装置は、横
型オーバーフロードレインを備えた固体撮像素子と、上
記横型オーバーフロードレインに流れる電流を検出する
電流検出手段とを備え、上記電流検出手段の測定値を最
適露光量決定データとして用いるようにしている。

【００１６】また、本発明の他の特徴とするところは、
レンズによって結像された画像を電気信号に変換する撮
像素子と、透明基板上に形成された第１の透明電極と、
上記第１の透明電極上に形成された光導電膜と、上記光
導電膜上に形成され、上記光導電膜を介して上記第１の
透明電極と電気的に接続された第２の透明電極と、上記
第１の透明電極および第２の透明電極の電位を外部に取
り出すために、上記レンズから上記撮像素子への光路中
に設けられた第１の端子および第２の端子よりなる透過
光測光素子と、上記第１の端子および第２の端子間に電
圧を印加するバイアス電源と、上記第１の端子および第
２の端子間に流れる電流を検出する電流検出手段と、上
記電流検出手段により検出された電流を積分する手段
と、上記透過光測光素子および撮像素子への光路を開閉
するシャッターと、上記シャッターを閉成中に上記透過
光測光素子の第１の端子および第２の端子間を単位時間
に流れる電流を測定し、上記シャッター閉成中の測光期
間中に上記透過光測光素子の第１の端子および第２の端
子間を流れる電流の積分値と、シャッター閉成時の暗時
電流を測光期間と同一時間積分した値との差によって測
光を行うようにしている。

【００１７】

【作用】上記発明によれば、固体撮像素子の表面に入射
する光の量を直接測定する構造となっているので、ロー
パスフィルタ表面からの反射光による誤差や保護膜表面
からの反射光による誤差、および上記固体撮像素子の表
面の反射率が製造工程のばらつきにより異なることによ
り生じる測定誤差等が排除され、正確な測光が可能にな
るとともに、測光素子を取り付ける作業およびその調整
作業が不要になる。

【００１８】

【実施例】図１は本発明の実施例のブロック図である。
以下の説明では、図１のブロックと図５のブロックの異
なる箇所のみを説明する。図１において、１は横型オー
バーフロードレインを利用した測光機能を有した改良さ
れた固体撮像素子、３０４はオーバーフロードレイン１
０５に印加する電圧Ｖ_OFDを発生する電源を示してい
る。

【００１９】また、２は電源３０４と固体撮像素子１の
オーバーフロードレイン１０５の間に流れる電流を検出
する電流検出回路、３はシャッター２０３を閉じた状態
での暗時電流を記憶する暗時電流メモリ、４は減算回
路、３０３は積分回路である。本実施例においては、図
５の測光素子３０１は不要となっている。

【００２０】図３（ａ），（ｂ）は、改良された固体撮
像素子１の改良点を説明する図である。図３（ａ）は、
図７で説明した横型オーバーフロードレイン１０５の部
分で、光に感応して発生した電荷をＶ_OFDから光電流と
して取り出せることに着目して、横型オーバーフロード
レイン１０５を測光素子として用いるための改良を施し
たものである。

【００２１】図３（ａ）において、４１は受光部と測光
部以外の部分を遮光する遮光膜である。また、５は受光
部開口窓、６は測光部開口窓である。測光および調光を
行う場合、画面全体の平均値で測光する場合もあるが一
般的には画面中央部に重み付けして測光することが望ま
しい。そのために、測光領域を所定の箇所のみとするた
めに設けたのが測光部開口窓６である。この測光部開口
窓６を所望の場所に設けることによって、測光領域の重
みを付けることができる。

【００２２】図３（ｂ）は、測光部開口窓６を設ける際
の制約条件を説明する図である。隣接して測光部開口窓
６がある画素と無い画素とで、受光量に少しでも差があ
ると測光部開口窓６を設けたパターンに応じて画素間で
受光量にむらが発生し、それが画像のむらとなってしま
う。この現象を防ぐために、各画素において受光部とオ
ーバーフロードレイン部の境界領域を完全に遮光すれば
よい。したがって、図３（ｂ）のように曙光巾＞ドレイ
ン巾＞測光窓巾の関係が成り立つように遮光膜４１を形
成すればよい。

【００２３】なお、全面で平均測光する場合は、図３に
示したような改良を特に施さなくてもよく、図７に示し
た横型オーバーフロードレイン１０５を備えた固体撮像
素子をそのまま用いることができる。図３（ａ）の例で
は、画面の中央部にスリット状に測光部開口窓６を設け
ることによって画面中央部のみの平均値を測光するよう
にしている。

【００２４】本実施例の撮像素子の動作タイミングを説
明する図が図２である。次に、図１および図２を用いて
本実施例の撮像素子の動作を説明する。先ず、時刻Ｔ０
から時刻Ｔ１の間にシャッター２０３を閉じた状態で固
体撮像素子１に読み出しパルスを印加し、暗電荷を排出
する。次に、時刻Ｔ１から時刻Ｔ２の間にシャッター２
０３を閉じた状態で固体撮像素子１の横型オーバーフロ
ードレイン１０５に流れる暗時の電流を、電流検出回路
２にて計測し上記電流値を暗時電流メモリ３に記憶す
る。

【００２５】次に、時刻Ｔ２から時刻Ｔ３の間にシャッ
ター２０３を開き測光動作を行う。この測光動作は、減
算回路４で暗時電流メモリ３の出力と電流検出回路２の
出力の差をとり上記差信号、すなわち、暗電流成分を削
除した真の光電隆成分を所定時間積分回路３０３で積分
することによって測光データとすればよい。測光中受光
部の過剰電荷が横型オーバーフロードレイン１０５に流
れ込まないようにすることで、測光精度を高めることが
できる。

【００２６】このときにオーバーフローが起きると、オ
ーバーフローが起きた時点から受光部で発生した電荷が
横型オーバーフロードレイン１０５に流れ込むため、測
光誤差となる。この現象を防いで測光精度を高めるた
め、測光中固体撮像素子１に読み出しパルスを印加し、
受光部に電荷が蓄積されないようにする。次に、時刻Ｔ
３からＴ４の間に再度シャッター２０３を閉じた状態で
固体撮像素子１に読み出しパルスを印加し、上記した測
光動作中に露光された電荷を排出する。

【００２７】次に、時刻Ｔ４からＴ５の間にシャッター
２０３を開いて露光動作を行うが、上記測光動作で自然
光のみでは光量が不足すると判断された場合は、発光装
置３０２が発光される。この場合も、測光時と同様に真
の光電流が積分回路３０３で積分される。そして、積分
回路の出力がしきい値を越えると発光装置の発光が停止
され、時刻Ｔ５でシャッター２０３が閉じられ露光動作
が終了する。

【００２８】時刻Ｔ５からＴ６の間に露光電荷の読み出
しが行われる。その際、読み出された信号はＡＤ変換回
路２０４に与えられてＡＤ変換される。ＡＤ変換された
信号は、バッファメモリ２０６に一旦記憶される。時刻
Ｔ６からＴ７の間に、バッファメモリ２０６から露光信
号が読み出され、信号処理回路２０７にて記録に適した
フォーマットの画像データに変換処理される。変換処理
された信号はメモリカード２０８に記録される。

【００２９】図４は、測光および調光時に画面中央部に
重みを付けるようにした変形例を示す図である。図４に
示したように、この変形例においては測光部開口窓６を
画面中央部は密に設け、画面周辺部は疎に設けることで
中央を重点的に測光することを実現している。なお、図
示しないが、図３（ｂ）の条件を満たす範囲で、画面中
の場所によって測光部開口窓６の大きさを変えることに
よっても同様に、画面の場所による重み付けを任意に行
うことができる。

【００３０】次に、本発明の撮像装置の第２実施例を説
明する。図１０は、本発明の実施例に用いる新規な透過
光測光素子の断面構造を示す図である。図１０におい
て、１０はガラス基板、１１はポリシリコン等によって
形成される第１の透明電極、１２はアモルファスシリコ
ン等によって形成される光導電膜、１３はポリシリコン
等によって形成される第２の透明電極、１４は透明樹脂
などによって形成される保護膜である。

【００３１】このように光導電膜１２が第１の透明電極
１１と第２の透明電極１３ではさまれる構造になってお
り、透過光測光素子を透過する光の強度に応じて光導電
膜１２の抵抗が変化する。これにより、第１の透明電極
１１に接続された端子Ｂと第２の透明電極１３に接続さ
れた端子Ａとの間に流れる電流の積分値を所定時間測定
し、上記積分値と遮光状態で上記素子に同一時間の間に
流れる電流の積分値との差によって透過光量を測定する
ことができる。

【００３２】図１１は、本発明による測光回路の構成例
を示す図である。図１１において、９は図１０に示した
透過光測光素子、３０４は透過光測光素子９に電流を流
すためのバイアス電源、３１は透過光測光素子９の端子
Ａ、Ｂに流れる電流を検出する電流検出回路、３はシャ
ッター２０３を閉成した状態で透過光測光素子９の端子
Ａ、Ｂに流れる電流を記憶する暗時電流メモリ、３５は
差分回路、３６は検出した電流を積分する積分回路であ
る。４０５は不要な赤外信号をカットする赤外カットフ
ィルタである。

【００３３】赤外カットフィルタは通常光学ローパスフ
ィルタ４０４と一体となっていることが多いが、透過光
測光素子９と固体撮像素子１０１に入射する光の波長範
囲を等しくした方が測光精度が向上するため、少なくと
も赤外カットフィルタは透過光測光素子９より被写体側
に位置するようにした方がよい。

【００３４】透過光測光素子９を透過する光の強度によ
って、透過光測光素子９を構成する光導電膜１２の抵抗
が変化するため、光の強度の変化が電流の変化となって
電流検出回路３１にて検出される。上記電流と暗時電流
の差を積分回路３６によって積分した積分値が透過光測
光素子９を透過した光量に比例するため、測光動作を行
うことができる。

【００３５】また、遮光したときに流れる電流値に関し
ては、大きな温度変化が無い限り常に一定であるから、
撮影前にシャッター２０３を閉じた状態で測定すれば良
い。本発明による固体撮像素子１を用いた撮像装置の構
成は、特に新たに図示しないが、図５で示した測光素子
３０１を除去し、代わりに図１１の測光回路の積分回路
３６の出力をシステム制御回路２０９に入力したものに
なる。

【００３６】また、動作シーケンスは前述した新規な測
光素子を用いることを除けば従来例の動作と類似してい
るので、図５と図１４を用いて説明する。図５におい
て、シャッターレリーズスイッチ２１０がオンされると
撮影シーケンスが開始される。時刻Ｔ０からＴ１の間に
シャッター２０３閉成状態において、透過光測光素子９
の端子Ａ、Ｂ間を流れる暗時電流が測定され暗時電流メ
モリ３に記憶される。

【００３７】次に、時刻Ｔ１においてシャッター２０３
が開かれ、透過光測光素子９による測光動作が開始され
る。この測光動作においては、透過光測光素子９の端子
Ａ、Ｂ間を流れる電流から時刻Ｔ０からＴ１の間に測定
された暗時電流を差し引いた電流値が測定される。そし
て、時刻Ｔ２にて測光動作が終了するとシャッター２０
３が閉じられ、読み出しパルスの印加によって固体撮像
素子１０１に蓄積されていた暗電荷が排出される。

【００３８】そして、時刻Ｔ３にて暗電荷の排出が終了
すると、シャッター２０３が開かれて固体撮像素子１０
１への露光が開始される。その際、測光動作により自然
光だけでは光量が不十分と判断された場合は、発光装置
３０２が発光する。発光が開始されると透過光測光素子
９の端子Ａ、Ｂ間を流れる電流から暗時電流メモリ４に
記憶された暗時電流値を差分回路５によって差し引いた
電流値が積分回路６によって積分され、上記積分値が所
定の時間間隔でシステム制御回路２０９に取り込まれ、
しきい値と比較される。上記積分値が時刻Ｔ４にて、し
きい値を越えると発光装置３０２の発光が停止する。

【００３９】次いで、時刻Ｔ５にてシャッター２０３が
閉じられと、時刻Ｔ５からＴ６の間に読み出しパルスの
印加によって固体撮像素子１０１から露光信号の読み出
しが行われる。その際、読み出された信号はＡＤ変換回
路２０４によってＡＤ変換される。このＡＤ変換された
信号は、バッファメモリ２０６に一旦記憶される。そし
て、時刻Ｔ６からＴ７の間にバッファメモリ２０６から
露光信号が読み出され、信号処理回路２０７にて記録に
適したフォーマットの画像データに変換処理される。こ
のようにして変換処理された信号は、メモリカード２０
８に記録される。

【００４０】図１２は、さらに改良された透過光測光素
子を光入射側から見た説明図である。通常は、光導電膜
１２や透明電極１１，１３の透過率は高くない。また、
分光特性も、青い光の透過率が悪い。したがって、この
ような膜を測光素子の全面に取り付けると、用途によっ
ては感度が低下したり、色再現性が悪化したりする場合
がある。

【００４１】このような不都合を過少するために、図１
２の例では、透明電極１１，１３および光導電膜１２に
よって形成された透過光測光素子９を網状に形成し、光
の利用率を大幅に向上させたものである。図１２におい
て、２１は図１０に断面を示した透過光測光素子であ
り、２２はガラス基板１０のみの完全透明部である。ま
た、２３は測光素子端子である。

【００４２】この変形例のように、透過光測光素子２１
を網状に形成することによって、光が完全に透過する領
域を大きくし、感度低下を防ぐことができる。その際、
レンズ２０１が焦点を結ばない位置に上記測光素子９を
配置することによって、図１２の透過光測光素子の網状
のパターンが固体撮像素子１０１上に投影され、画像上
の雑音となることを防ぐことができる。

【００４３】なお、レンズ２０１が焦点を結ばない位
置であれば、上記透過光測光素子２１のガラス基板１０
として、固体撮像素子１０１のカバーガラス４０３や、
光学ローパスフィルタ４０４、或いは赤外カットフィル
タ４０５を用いて小型化してもよい。

【００４４】さらに、図１３は部分評価測光を可能に
する透過光測光素子の構成を光入射側から見た説明図で
ある。図１３において、２４は画面の中央部の測光を行
う第１の透過光測光素子である。また、２５は画面周辺
部の測光を行う第２の透過光測光素子、２６は第１の透
過光測光素子用端子、２７は第２の透過光測光素子用端
子である。上記第１の透過光測光素子２４、および第２
の透過光測光素子２５は、それぞれ図１２に示したよう
に網状に構成されている。また、上記第１および第２の
透過光測光素子２４，２５は、互いに電気的に絶縁され
ている。このように、ガラス基板上に２つの絶縁された
透過光測光素子２４，２５を形成し、それぞれの部分の
測光を行うことによって部分評価測光を行うことができ
るようになる。

【００４５】

【発明の効果】本発明は上述したように、固体撮像素子
の表面に入射する光の量を直接測定するようにしたの
で、従来のようにローパスフィルタ表面からの反射光に
よる誤差や、保護膜表面からの反射光による誤差、およ
び上記固体撮像素子の表面の反射率が製造工程のばらつ
きにより異なることにより生じる測定誤差等を排除する
ことができ、これにより正確な測光が可能になるととも
に、測光専用の測光素子を不要にできる。したがって、
測光素子を取り付ける作業、およびその調整作業を省略
することができ、固体撮像素子の製造効率を向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す撮像装置のブロック
図である。

【図２】第１実施例の撮像装置の動作タイミングを説明
する図である。

【図３】改良された固体撮像素子の改良点を説明する図
である。

【図４】測光および調光時に、画面の中央部に重みを付
けるようにした例を示す図である。

【図５】電子スチルカメラの構成を示すブロック図であ
る。

【図６】固体撮像素子を用いて反射光を測定する様子を
説明する図である。

【図７】電子スチルカメラ用の固体撮像素子として用い
られるフルフレーム転送型ＣＣＤの構成を示す図であ
る。

【図８】単位画素の断面を示した図である。

【図９】電子スチルカメラの撮影シーケンスを説明する
図である。

【図１０】第２実施例の透過光測光素子の断面図であ
る。

【図１１】第２実施例における透過光測光素子が用いら
れる測光回路の構成例を示す図である。

【図１２】さらに改良された透過光測光素子を光入射側
から見た説明図である。

【図１３】部分評価測光を可能にする透過光測光素子の
構成を光入射側から見た説明図である。

【図１４】第２実施例の透過光測光素子を用いた撮像装
置の動作タイミングを説明する図である。

【符号の説明】

１固体撮像素子２電流検出回路３暗時電流メモリ４減算回路５受光部開口窓６測光部開口窓９透過光測光素子１０ガラス基板１１第１の透明電極１２光導電膜１３第２の透明電極１４保護膜２４第１の透過光測光素子２５第２の透過光測光素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】横型オーバーフロードレインを備えた固体
撮像素子と、上記横型オーバーフロードレインに流れる
電流を検出する電流検出手段とを備え、上記電流検出手
段の測定値を最適露光量決定データとして用いるように
したことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】上記横型オーバーフロードレイン上に遮
光膜を設けるとともに、上記遮光膜の所定の領域に開口
部を設けて測光領域とするようにしたことを特徴とする
請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】上記測光領域の開口巾と、横型オーバー
フロードレインの巾と、遮光領域の巾とが、遮光巾＞横
型オーバーフロードレインの巾＞測光領域の開口巾とい
う条件を満たすように設定したことを特徴とする請求項
２記載の撮像装置。
【請求項４】上記画面中央部は測光領域の開口部が密
に存在するとともに、画面周辺部は疎に存在するように
分布させたことを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項５】上記画面中央部は測光領域の開口部の面
積が大きく形成されているとともに、画面周辺部は小さ
く形成されていることを特徴とする請求項２記載の撮像
装置。
【請求項６】上記横型オーバーフロードレインに流れ
る電流を検出する期間中に受光部の電荷を排出させる動
作を行わせるようにしたことを特徴とする請求項１記載
の撮像装置。
【請求項７】発光装置、横型オーバーフロードレイン
を備えた固体撮像素子と、上記横型オーバーフロードレ
インに流れる電流を検出する電流検出手段と、上記電流
検出により検出された電流を積分する手段と、上記固体
撮像素子への露光動作を開始させるとともに発光装置を
動作させ、上記積分値としきい値とを所定時間間隔で比
較し、上記積分値が上記しきい値を越えたら上記発光装
置の発光動作を停止するようにしたことを特徴とする撮
像装置。
【請求項８】上記横型オーバーフロードレイン上に遮
光膜を設け、遮光膜の所定の領域に開口部を設けて測光
領域としたことを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項９】上記測光領域の開口巾と、横型オーバー
フロードレインの巾と、遮光領域の巾とが、遮光巾＞横
型オーバーフロードレインの巾＞測光領域の開口巾とい
う条件を満たすようにしたことを特徴とする請求項８記
載の撮像装置。
【請求項１０】上記画面中央部には測光領域の開口部
が密に存在するように分布させるとともに、画面周辺部
は疎に存在するよう分布させたことを特徴とする請求項
８記載の撮像装置。
【請求項１１】上記画面中央部は測光領域の開口部の
面積を大きくするとともに、画面周辺部においては上記
測光領域の開口部を小さくしたことを特徴とする請求項
８記載の撮像装置。
【請求項１２】レンズによって結像された画像を電気
信号に変換する撮像素子と、透明基板上に形成された第１の透明電極と、上記第１の透明電極上に形成された光導電膜と、上記光導電膜上に形成され、上記光導電膜を介して上記
第１の透明電極と電気的に接続された第２の透明電極
と、上記第１の透明電極および第２の透明電極の電位を外部
に取り出すために、上記レンズから上記撮像素子への光
路中に設けられた第１の端子および第２の端子よりなる
透過光測光素子と、上記第１の端子および第２の端子間に電圧を印加するバ
イアス電源と、上記第１の端子および第２の端子間に流れる電流を検出
するための電流検出手段と、上記電流検出手段により検出された電流を積分する手段
と、上記透過光測光素子および撮像素子への光路を開閉する
シャッターと、上記シャッターを閉成中に上記透過光測光素子の第１の
端子および第２の端子間を単位時間に流れる電流を測定
し、上記シャッター閉成中の測光期間中に上記透過光測
光素子の第１の端子および第２の端子間を流れる電流の
積分値と、シャッター閉成時の暗時電流を測光期間と同
一時間だけ積分した値との差によって測光を行うように
したことを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】レンズによって結像された画像を電気
信号に変換する撮像素子と、透明基板上に設けられている第１の透明電極上に形成さ
れた光導電膜と、上記光導電膜上に形成され、上記光導電膜を介して上記
第１の透明電極と電気的に接続された第２の透明電極
と、上記第１の透明電極および第２の透明電極の電位を外部
に取り出すために、上記レンズから上記撮像素子への光
路中に設けられた第１の端子および第２の端子よりなる
透過光測光素子と、上記第１の端子および第２の端子間に電圧を印加するバ
イアス電源と、上記第１の端子および第２の端子間に流れる電流を検出
するための電流検出手段と、上記電流検出手段により検出された電流を積分する手段
と、上記透過光測光素子および撮像素子への光路を開閉する
シャッターと、発光装置と、上記シャッターを閉成中に上記透過光測光素子の第１お
よび第２の端子間を単位時間に流れる電流を測定し、上
記シャッター閉成中に上記発光装置の発光を開始させる
と同時に、上記透過光測光素子の第１の端子および第２
の端子間を流れる電流の積分値とシャッター閉成時の上
記電流との差の積分を開始し、上記差の積分値がしきい
値を越えた時点で上記発光装置の発光動作を停止させる
手段とを具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項１４】上記透過光測光素子を構成する透明電
極および光導電膜は光入射面に対して網状に形成されて
いることを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】上記同一透明基板には、電気的に絶縁
された透過光測光素子が２つ以上形成されていることを
特徴とする撮像装置。
【請求項１６】上記透過光測光素子を構成する透明基
板として撮像素子のカバーガラス、もしくは光学ローパ
スフィルタ、もしくは赤外カットフィルタを用いること
を特徴とする撮像装置。