JPH06215998A - Projection aligner - Google Patents

Projection aligner

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JPH06215998A
JPH06215998A JP5004908A JP490893A JPH06215998A JP H06215998 A JPH06215998 A JP H06215998A JP 5004908 A JP5004908 A JP 5004908A JP 490893 A JP490893 A JP 490893A JP H06215998 A JPH06215998 A JP H06215998A
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JP
Japan
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photomask
optical system
image
light
pattern
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5004908A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Matsumoto
宏一 松本
Shoichi Tanimoto
昭一 谷元
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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  • Magnetic Heads (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the focusing performance by positively utilizing the coherence of a light similarly to the case of using a plurality of photomasks and to eliminate an alignment between optical members corresponding to the photomasks. CONSTITUTION:A photomask 2 is illuminated with exposure light from an illumination optical system 1, the image of the photomask 2 is focused on a bleaching material 14 coating a light transmission board 13 via a first focusing optical system 3, and the image focused on the material 14 is refocused on a photosensitive board 6 via a second focusing optical system 5. Since the material 14 increases its light permeability when an exposure amount is increased, the material 14 substantially performs the function as a second photomask.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、液
晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で
製造する際に、フォトマスク上のパターンを感光基板上
に投影露光するために使用される投影露光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used for projecting and exposing a pattern on a photomask onto a photosensitive substrate when a semiconductor device, a liquid crystal display device, a thin film magnetic head or the like is manufactured by a lithography process. The present invention relates to a projection exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばLSI等の半導体素子、液晶表示
素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造す
る際に、フォトマスク又はレチクル(以下、「フォトマ
スク」と総称する)のパターンをフォトレジストを塗布
したウエハ等の感光基板上に投影露光する投影露光装置
が使用されている。
2. Description of the Related Art For example, when a semiconductor element such as an LSI, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, or the like is manufactured by a lithography process, a pattern of a photomask or reticle (hereinafter, referred to as "photomask") is formed with a photoresist. 2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus is used which performs projection exposure on a photosensitive substrate such as a coated wafer.

【0003】図3は従来の投影露光装置の要部を示し、
この図3において、フォトマスク101は、照明光学系
(図示せず)の光軸に対してほぼ垂直に水平に保持さ
れ、照明光学系から射出された所定波長の露光光によっ
て透過照明されている。従来から汎用されているフォト
マスク101は、透明基板上にクロム等の金属からなる
遮光パターンを形成した構造であり、透過照明されるこ
とによって、パターン形状に応じた回折光が発生する。
これらの回折光は、結像光学系103で再度像面に集め
られ、これにより像面に合致するように保持されたウエ
ハ105の露光面上にフォトマスク101のパターン像
が転写される。
FIG. 3 shows a main part of a conventional projection exposure apparatus.
In FIG. 3, the photomask 101 is held substantially vertically and horizontally with respect to the optical axis of an illumination optical system (not shown), and is transilluminated with exposure light having a predetermined wavelength emitted from the illumination optical system. . The photomask 101 which has been widely used conventionally has a structure in which a light-shielding pattern made of a metal such as chromium is formed on a transparent substrate, and when it is transmitted and illuminated, diffracted light corresponding to the pattern shape is generated.
These diffracted lights are collected again on the image plane by the imaging optical system 103, whereby the pattern image of the photomask 101 is transferred onto the exposure surface of the wafer 105 held so as to match the image plane.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
に於いては、フォトマスク101を露光光により均一な
照度で照明しなければならないという装置上の要請があ
るため、照明光学系の光源に空間コヒーレンシーを持た
せることができなかった。つまり、フォトマスク101
を照明する露光光のうち、投影光学系の光軸に対する傾
斜角である照明角の異なるもの同士が可干渉性を有して
いると、フオトマスク101上に干渉縞が形成されてし
まい、フォトマスク101を均一に照明するという要請
と相入れなくなってしまう。そのため、光源の空間コヒ
ーレンシーを投影光学系の性能向上を図るためのパラメ
ータとして採り得なかった。
In the prior art as described above, there is a device requirement that the photomask 101 be illuminated by the exposure light with a uniform illuminance, so the light source of the illumination optical system. Could not have spatial coherency. That is, the photomask 101
If the exposure lights that illuminate the photomask have different coherence with each other, which have different illumination angles with respect to the optical axis of the projection optical system, interference fringes are formed on the photomask 101, and the photomask It becomes incompatible with the request to uniformly illuminate 101. Therefore, the spatial coherency of the light source cannot be taken as a parameter for improving the performance of the projection optical system.

【0005】これに関して、最近特願平4−27703
2号及び特願平4−277033号において本出願人が
開示しているように、本発明者により複数枚のフォトマ
スクを用いて露光を行う方法が発明された。図4はその
本出願人の先願に係る投影露光装置を示し、この図4に
おいて、照明光学系1から所定の波長の露光光が射出さ
れる。その照明光学系1から順に、第1フォトマスク
2、第1結像光学系3、第2フォトマスク4、第2結像
光学系5及び感光基板6が配置される。そして、直列的
に配置された第1結像光学系3及び第2結像光学系5よ
り投影光学系が構成され、第2結像光学系5に関して、
感光基板6と第2フォトマスク4とが共役であり、第1
結像光学系3に関して、第2フォトマスク4と第1フォ
トマスク2とがほぼ共役である。
In this regard, Japanese Patent Application No. 4-27703 has recently been applied.
As disclosed by the present applicant in Japanese Patent Application No. 2 and Japanese Patent Application No. 4-277033, the present inventor has invented a method of performing exposure using a plurality of photomasks. FIG. 4 shows a projection exposure apparatus according to the applicant's prior application. In FIG. 4, the illumination optical system 1 emits exposure light of a predetermined wavelength. A first photomask 2, a first imaging optical system 3, a second photomask 4, a second imaging optical system 5, and a photosensitive substrate 6 are arranged in order from the illumination optical system 1. Then, a projection optical system is constituted by the first image-forming optical system 3 and the second image-forming optical system 5 which are arranged in series, and with respect to the second image-forming optical system 5,
The photosensitive substrate 6 and the second photomask 4 are conjugate with each other, and
Regarding the imaging optical system 3, the second photomask 4 and the first photomask 2 are almost conjugate.

【0006】図4の構成では、第1フォトマスク2は、
上方に配置された照明光学系1からの露光光7に照明さ
れ、第1フォトマスク2上に形成されたパターンにより
その露光光7の回折光8,9が生じ、この回折光8,9
が第1結像光学系3を介して第2フォトマスク4上のパ
ターンを照明する。この際、各回折光8及び9は互いに
可干渉性を有している。更に、それら回折光8,9によ
り照明された結果、第2フォトマスク4上に形成された
パターンから回折光10,11が生じ、それらが第2結
像光学系5を介して感光基板6の上に像を形成する。
In the configuration of FIG. 4, the first photomask 2 is
Illuminated by the exposure light 7 from the illumination optical system 1 arranged above, the pattern formed on the first photomask 2 produces diffracted light 8 and 9 of the exposure light 7.
Illuminates the pattern on the second photomask 4 via the first imaging optical system 3. At this time, the diffracted lights 8 and 9 have coherence with each other. Further, as a result of being illuminated by the diffracted lights 8 and 9, diffracted lights 10 and 11 are generated from the pattern formed on the second photomask 4, and these diffracted lights 10 and 11 of the photosensitive substrate 6 pass through the second imaging optical system 5. Form an image on top.

【0007】図4の構成において、一例として第1フォ
トマスク2及び第2フォトマスク4上に共に孤立した開
口パターンを形成した場合を考える。そして、第1結像
光学系3の投影倍率をβとすると、第2フォトマスク4
上の孤立開口パターンはほぼ第1フォトマスク2上の孤
立開口パターンのβ倍である。但し、それら孤立開口パ
ターンの実際の大きさ及び形状は、良好な結像特性が得
られるように、第1フォトマスク2上及び第2フォトマ
スク4上でそれぞれ独立に調整される。この場合には、
第1フォトマスク2から射出される回折光8及び9が互
いに可干渉性を有していることから、第2フォトマスク
4の感光基板6上の投影像には、エッジ強調型位相シフ
トマスクを使用した場合と類似の結像特性が得られる。
In the configuration of FIG. 4, consider as an example the case where an isolated opening pattern is formed on both the first photomask 2 and the second photomask 4. Then, when the projection magnification of the first imaging optical system 3 is β, the second photomask 4
The isolated opening pattern above is approximately β times the isolated opening pattern on the first photomask 2. However, the actual size and shape of these isolated aperture patterns are independently adjusted on the first photomask 2 and the second photomask 4 so that good imaging characteristics can be obtained. In this case,
Since the diffracted lights 8 and 9 emitted from the first photomask 2 have coherence with each other, the edge-enhanced phase shift mask is included in the projected image of the second photomask 4 on the photosensitive substrate 6. Imaging properties similar to those used are obtained.

【0008】また、図4の構成における別の例として、
第1フォトマスク2及び第2フォトマスク4上に共に、
一次元的な周期パターンであるライン・アンド・スペー
スパターンを形成した場合を考える。そして、それら2
個の一次元的な周期パターンのピッチ方向(周期方向)
が互いに平行であるとする。この場合には、所謂変形照
明のような斜照明が適しているのであるが、その斜照明
の場合を考えると、第1フォトマスク2から射出される
回折光8及び9が互いに可干渉性を有していることか
ら、第2フォトマスク4の感光基板6上の投影像には、
所謂変形照明法を使用した場合よりもコントラストの高
い結像特性が得られる。
As another example of the configuration of FIG.
Both on the first photomask 2 and the second photomask 4,
Consider a case where a line-and-space pattern, which is a one-dimensional periodic pattern, is formed. And those two
Direction of one one-dimensional periodic pattern (period direction)
Are parallel to each other. In this case, oblique illumination such as so-called modified illumination is suitable, but considering the case of the oblique illumination, the diffracted lights 8 and 9 emitted from the first photomask 2 have coherence with each other. Since it has, the projected image on the photosensitive substrate 6 of the second photomask 4 is
Imaging characteristics with higher contrast can be obtained than when using the so-called modified illumination method.

【0009】更に、例えば第1フォトマスク2に位相パ
ターンのみを形成し、第2フォトマスク4に遮光パター
ンのみを形成した場合にも、位相シフトマスクを使用し
た場合と同様の結像特性を得ることができる。即ち、そ
の本出願人の先願に係る投影露光装置は、1枚目のフォ
トマスク2上の一点で回折されて第2フォトマスク4を
異なる角度で照明する光同士が、互いに可干渉性を有し
ていることを積極的に利用して、感光基板6上での結像
性能を向上させるものである。
Further, for example, even when only the phase pattern is formed on the first photomask 2 and only the light shielding pattern is formed on the second photomask 4, the same image forming characteristic as when the phase shift mask is used is obtained. be able to. That is, in the projection exposure apparatus according to the prior application of the applicant, the lights that are diffracted at one point on the first photomask 2 and illuminate the second photomask 4 at different angles have mutual coherence. By positively utilizing this, the image forming performance on the photosensitive substrate 6 is improved.

【0010】しかしながら、その本出願人の先願に係る
投影露光装置においては、第1フォトマスク2と第2フ
ォトマスク4との相対的な位置合わせが難しく、更にそ
れら2枚のフォトマスクと感光基板6との相対的な位置
合わせ(アライメント)も難しいという不都合があっ
た。本発明は斯かる点に鑑み、複数枚のフォトマスクを
使用した場合と同様に、フォトマスクを異なる角度で照
明する光同士に可干渉を持たせることにより、結像性能
の向上を図ったままで、それら複数枚のフォトマスクに
対応する光学部材間の相対的な位置合わせが容易な投影
露光装置を提供することを目的とする。
However, in the projection exposure apparatus according to the prior application of the present applicant, it is difficult to align the first photomask 2 and the second photomask 4 with each other, and the two photomasks and the photomask are exposed. There is a disadvantage in that relative alignment (alignment) with the substrate 6 is also difficult. In view of the above point, the present invention provides coherence between lights that illuminate the photomasks at different angles as in the case of using a plurality of photomasks, thereby improving the imaging performance. An object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus that facilitates relative alignment between optical members corresponding to the plurality of photomasks.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図1に示す如く、転写用のパターンが形成
されたフォトマスク(12)を露光光で照明する照明光
学系(1)を有し、フォトマスク(12)のパターンの
像を感光基板(6)上に投影する投影露光装置におい
て、その露光光のもとでフォトマスク(12)のパター
ンの中間像を結像する第1結像光学系(3)と、その中
間像が結像される面の近傍に配置されブリーチング効果
を有する光学的フィルター板(13,14)と、光学的
フィルター板(13,14)を透過したその露光光のも
とでその中間像を感光基板(6)上に再結像する第2結
像光学系(5)とを有するものである。
A projection exposure apparatus according to the present invention comprises an illumination optical system (1) for illuminating a photomask (12) on which a transfer pattern is formed with exposure light, as shown in FIG. 1, for example. A projection exposure apparatus which projects an image of the pattern of the photomask (12) onto the photosensitive substrate (6), forms an intermediate image of the pattern of the photomask (12) under the exposure light. The imaging optical system (3), the optical filter plates (13, 14) arranged near the surface on which the intermediate image is formed and having the bleaching effect, and the optical filter plates (13, 14) are transmitted. The second imaging optical system (5) for re-imaging the intermediate image on the photosensitive substrate (6) under the exposure light.

【0012】ここにブリーチング効果とは、光が照射さ
れるとその部分の光の透過率が上がる効果をいう。
Here, the bleaching effect means an effect of increasing the light transmittance of the portion when the light is irradiated.

【0013】[0013]

【作用】斯かる本発明においては、フォトマスク(1
2)を第1フォトマスク、光学的フィルター板(13,
14)を第2フォトマスクと呼ぶものとすると、第1フ
ォトマスク(12)上のパターンで回折された光は、第
2フォトマスク(13,14)上にその第1フォトマス
ク(12)のパターン像を形成する。ところで、第2フ
ォトマスク(13,14)は例えば光透過性の基板上に
ブリーチング効果を有する物質を塗布したものであり、
第2フォトマスク(13,14)上に形成された像に応
じてその明部の透過率が高くなる。即ち、第2フォトマ
スク(13,14)の面内の透過率分布は第1レチクル
(12)の面内の透過率分布、即ちパターン配置に対応
したものとなる。従って、第1フォトマスク(12)と
第2フォトマスク(13,14)とがアライメントされ
て設置されたことになり、アライメントを行う必要がな
い。しかも、第2フォトマスク(13,14)を異なる
角度で照明する光同士に可干渉を持たせることができ、
結像性能が向上できる。
In the present invention, the photomask (1
2) is the first photomask, the optical filter plate (13,
14) is referred to as a second photomask, the light diffracted by the pattern on the first photomask (12) is reflected on the second photomask (13, 14) by the first photomask (12). Form a pattern image. By the way, the second photomasks (13, 14) are, for example, those obtained by coating a material having a bleaching effect on a light transmissive substrate,
Depending on the image formed on the second photomask (13, 14), the light transmittance of the bright part becomes high. That is, the in-plane transmittance distribution of the second photomask (13, 14) corresponds to the in-plane transmittance distribution of the first reticle (12), that is, the pattern arrangement. Therefore, the first photomask (12) and the second photomask (13, 14) are aligned and installed, and it is not necessary to perform alignment. Moreover, it is possible to give coherence to the lights that illuminate the second photomask (13, 14) at different angles,
Imaging performance can be improved.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図1及び図2を参照して説明する。この図1にお
いて、図4に対応する部分には同一符号を付して示す。
図1は、本実施例の投影露光装置の要部を簡略化して示
し、この図1において、照明光学系1から所定の波長の
露光光が射出されている。照明光学系1から順に、フォ
トマスク12、第1結像光学系3、光透過性の基板1
3、第2結像光学系5及び感光基板6を配置する。そし
て、光透過性の基板13上にブリーチング効果を有する
物質(以下「ブリーチング材」という)14を塗布す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals.
FIG. 1 shows a simplified main part of a projection exposure apparatus of this embodiment. In FIG. 1, an illumination optical system 1 emits exposure light of a predetermined wavelength. A photomask 12, a first imaging optical system 3, and a light-transmissive substrate 1 in order from the illumination optical system 1.
3, the second imaging optical system 5 and the photosensitive substrate 6 are arranged. Then, a substance having a bleaching effect (hereinafter referred to as “bleaching material”) 14 is applied onto the light-transmissive substrate 13.

【0015】ブリーチング材とは、露光量に応じて透過
率が高くなる物質であり、その代表的な露光量に対する
透過率の特性を図2に示す。図2の特性では、露光量が
所定の閾値を超える領域で急激に透過率がほぼ0%から
100%近くまでに連続的に変化している。このような
ブリーチング材の例としては、例えばアリールニトロ
ン、α−(4−ジエチルアミノフェニル)−N−フェニ
ルニトロン、α−(4−ジエチルアミノフェニル)−N
−(4−クロロフェニル)ニトロン等を使用することが
できる。このようなブリーチング材は従来は感光基板の
表面に塗布し、投影像のコントラストを強調する目的で
使用されていたものである。
The bleaching material is a substance whose transmittance increases with exposure amount, and FIG. 2 shows a typical characteristic of the transmittance with respect to the exposure amount. In the characteristic of FIG. 2, the transmittance rapidly and continuously changes from almost 0% to near 100% in a region where the exposure amount exceeds a predetermined threshold value. Examples of such a bleaching material include, for example, aryl nitrone, α- (4-diethylaminophenyl) -N-phenyl nitrone, α- (4-diethylaminophenyl) -N.
-(4-Chlorophenyl) nitrone or the like can be used. Such a bleaching material has conventionally been applied to the surface of a photosensitive substrate and used for the purpose of enhancing the contrast of a projected image.

【0016】図1に戻り、直列的に配置された第1結像
光学系3及び第2結像光学系5より投影光学系が構成さ
れ、第2結像光学系5に関して、感光基板6と光透過性
の基板13上のブリーチング材14の配置面とがほぼ共
役であり、第1結像光学系3に関して、フォトマスク1
2とブリーチング材14の配置面とがほぼ共役である。
本例では、フォトマスク12は、照明光学系1からの露
光光7に照明され、フォトマスク12上に形成されたパ
ターンによりその露光光7の回折光8,9が生じ、この
回折光8,9が第1結像光学系3を介して基板13上の
ブリーチング材14上にフォトマスク12上のパターン
の像を形成する。この際、各回折光8及び9は互いに可
干渉性を有していて、これらの干渉縞がフォトマスク1
2のパターン像である。
Returning to FIG. 1, a projection optical system is composed of the first image-forming optical system 3 and the second image-forming optical system 5 arranged in series, and the second image-forming optical system 5 and the photosensitive substrate 6 are provided. The arranging surface of the bleaching material 14 on the light-transmissive substrate 13 is substantially conjugated, and the photomask 1 is used for the first imaging optical system 3.
2 and the arrangement surface of the bleaching material 14 are almost conjugate.
In this example, the photomask 12 is illuminated with the exposure light 7 from the illumination optical system 1, and the pattern formed on the photomask 12 produces diffracted light 8 and 9 of the exposure light 7. 9 forms an image of the pattern on the photomask 12 on the bleaching material 14 on the substrate 13 via the first imaging optical system 3. At this time, the diffracted lights 8 and 9 have coherence with each other, and the interference fringes of the diffracted lights 8 and 9 interfere with each other.
2 is a pattern image.

【0017】さて、ブリーチング材14上にフォトマス
ク12のパターンの像が結像されると、その像の明暗の
分布に応じてブリーチング材14の露光が行われ、像の
強度分布の内の明るい部分の透過率が高くなる。この状
態でのブリーチング材14の透過率分布は、フォトマス
ク12のパターン形成面内の透過率分布、即ちパターン
配置とほぼ相似である。従って、ブリーチング材14の
透過率分布に応じてそのフォトマスク12のパターンの
像が、第2結像光学系5を介して感光基板6の上に形成
される。このとき、ブリーチング材14を照明する回折
光8及び9は互いに可干渉性を有しているので、これに
より光学結像性能の向上が図られる。
Now, when an image of the pattern of the photomask 12 is formed on the bleaching material 14, the bleaching material 14 is exposed in accordance with the distribution of lightness and darkness of the image, and the image intensity distribution is The light transmittance of the bright part becomes high. The transmittance distribution of the bleaching material 14 in this state is substantially similar to the transmittance distribution in the pattern formation surface of the photomask 12, that is, the pattern arrangement. Therefore, an image of the pattern of the photomask 12 is formed on the photosensitive substrate 6 via the second imaging optical system 5 according to the transmittance distribution of the bleaching material 14. At this time, since the diffracted lights 8 and 9 that illuminate the bleaching material 14 have coherence with each other, this improves the optical imaging performance.

【0018】しかも、ブリーチング材14中の透過率分
布はフォトマスク12のパターン像に応じて定まってい
るので、フォトマスク12とブリーチング材14が塗布
された光透過性の基板13との位置合わせ(アライメン
ト)を行う必要はなく、迅速に露光を行うことができ
る。なお、本実施例においては、ブリーチング材14が
適正に露光された時点で、光透過性の基板13を動かす
ことなく、そのブリーチング材14の透過率を固定する
ための定着処理を施すことが望ましい。この定着処理後
のブリーチング材14及び光透過性の基板13を使用す
ることにより、多数枚の感光基板6に対する露光を同一
条件で行うことができる。
Moreover, since the transmittance distribution in the bleaching material 14 is determined according to the pattern image of the photomask 12, the position of the photomask 12 and the light-transmissive substrate 13 coated with the bleaching material 14 is positioned. It is not necessary to perform alignment, and exposure can be performed quickly. In this embodiment, when the bleaching material 14 is properly exposed, a fixing process for fixing the transmittance of the bleaching material 14 is performed without moving the light transmissive substrate 13. Is desirable. By using the bleaching material 14 and the light-transmissive substrate 13 after the fixing process, it is possible to perform exposure on a large number of photosensitive substrates 6 under the same conditions.

【0019】また、上述実施例では目的とするパターン
を、1枚のフォトマスクと、1枚のブリーチング材が塗
布された基板と、2つの結像光学系とを用いて投影露光
しているが、同様の原理にて、1枚のフォトマスクと、
それぞれブリーチング材が塗布された2枚以上の基板
と、3つ以上の結像光学系とを用いて投影露光する構成
としても良い。更に、上述実施例では結像光学系を屈折
系とし、フォトマスクとして透過型のものを用いたが、
本発明の適用範囲はこの例に限定されるものではなく、
結像光学系を反射系とした場合、或いは反射型のフォト
マスクを用いる場合においても同様に適用される。
Further, in the above embodiment, the target pattern is projected and exposed by using one photomask, one substrate coated with the bleaching material, and two image forming optical systems. However, with the same principle, one photomask,
Projection exposure may be performed using two or more substrates each coated with a bleaching material and three or more imaging optical systems. Further, in the above-mentioned embodiment, the image forming optical system is a refraction system, and the transmission type photomask is used.
The scope of application of the present invention is not limited to this example,
The same applies when the imaging optical system is a reflective system or when a reflective photomask is used.

【0020】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明によれば、ブリーチング効果を有
する光学的フィルター板を第2のフォトマスクとして使
用しているので、複数枚の実際のフォトマスクを使用し
た場合と同様に、フォトマスクを異なる角度で照明する
光同士に可干渉を持たせることにより、結像性能の向上
を図ることができる。しかも、それら複数枚のフォトマ
スクに対応するフォトマスクと光学的フィルター板との
間の相対的な位置合わせ作業(アライメント)が不要で
あるという利点がある。
According to the present invention, since the optical filter plate having the bleaching effect is used as the second photomask, the photomask is used similarly to the case where a plurality of actual photomasks are used. By providing coherence between the lights that illuminate at different angles, it is possible to improve the imaging performance. Moreover, there is an advantage that relative alignment work (alignment) between the photomask corresponding to the plurality of photomasks and the optical filter plate is unnecessary.

【0022】従って、装置を構成する上でそのアライメ
ント用の機構が不要になり、投影露光装置の構成の簡略
化が図れると共に、露光時にはアライメント時間が不要
になりスループット向上が図れる。更に、本発明によれ
ば、結像光学系の収差のうちディストーション(歪曲収
差)については、第1及び第2の結像光学系において個
別に補正されている必要は必ずしもなく、第1及び第2
の結像光学系を含めた全体の結像光学系として補正され
ていれば充分である。このことは、光学系を設計する際
の設計裕度となり、他の収差性能の向上に転嫁できるも
のである。
Therefore, a mechanism for alignment of the apparatus is not required in constructing the apparatus, the structure of the projection exposure apparatus can be simplified, and alignment time is not required during exposure, and throughput can be improved. Further, according to the present invention, the distortion (distortion aberration) of the aberrations of the imaging optical system does not necessarily have to be individually corrected in the first and second imaging optical systems, and the first and second Two
It is sufficient if it is corrected as the entire image forming optical system including the image forming optical system. This is a design margin when designing the optical system, and can be passed on to the improvement of other aberration performances.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による投影露光装置の一実施例を示す概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.

【図2】ブリーチング材の露光量と透過率との関係の一
例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a relationship between an exposure amount of a bleaching material and a transmittance.

【図3】従来の投影露光装置の要部を示す概略構成図で
ある。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a main part of a conventional projection exposure apparatus.

【図4】本出願人の先願に係る投影露光装置を示す概略
構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a projection exposure apparatus according to the applicant's prior application.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 照明光学系 3 第1結像光学系 5 第2結像光学系 6 感光基板 12 フォトマスク 13 光透過性の基板 14 ブリーチング材 1 Illumination Optical System 3 First Imaging Optical System 5 Second Imaging Optical System 6 Photosensitive Substrate 12 Photomask 13 Light Transmissive Substrate 14 Bleaching Material

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 転写用のパターンが形成されたフォトマ
スクを露光光で照明する照明光学系を有し、前記フォト
マスクのパターンの像を感光基板上に投影する投影露光
装置において、 前記露光光のもとで前記フォトマスクのパターンの中間
像を結像する第1結像光学系と、 前記中間像が結像される面の近傍に配置され、前記露光
光の照射量が大きい程前記露光光に対する透過率が上が
るブリーチング効果を有する光学的フィルター板と、 該光学的フィルター板を透過した前記露光光のもとで前
記中間像を前記感光基板上に再結像する第2結像光学系
とを有することを特徴とする投影露光装置。
1. A projection exposure apparatus that has an illumination optical system that illuminates a photomask on which a transfer pattern is formed with exposure light, and projects the image of the pattern of the photomask onto a photosensitive substrate. A first image-forming optical system for forming an intermediate image of the pattern of the photomask under the conditions of: An optical filter plate having a bleaching effect that increases the transmittance for light, and a second imaging optics that re-images the intermediate image on the photosensitive substrate under the exposure light transmitted through the optical filter plate. And a projection exposure apparatus.
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