JPH06215410A

JPH06215410A - 光ピックアップおよび光情報処理装置

Info

Publication number: JPH06215410A
Application number: JP5006636A
Authority: JP
Inventors: Hidehiko Shindo; 英彦神藤; Mamoru Kainuma; 守貝沼; Masaru Muranishi; 勝村西; Katsuhiko Kimura; 勝彦木村
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-01-19
Filing date: 1993-01-19
Publication date: 1994-08-05

Abstract

(57)【要約】【目的】光ピックアップの厚さをより薄くし、この光
ピックアップを用いた光情報装置の小型化し、その信頼
性を向上させる。【構成】ピックアップＰＵのハウジング５０の底部に
は反射ミラー６が取り付けられ、ハウジング５０の上面
を塞いでいるキャップ３００の内面には、半導体レーザ
１、集積光検出器２および対物レンズ３が取り付けられ
ている。半導体レーザ１からの射出光は、集積光検出器
２で反射し、さらに反射ミラー６で反射して、対物レン
ズ３を通過して光ディスク４に照射される。光ディスク
４で反射された信号光は、対物レンズ３および反射ミラ
ー６を介して集積光検出器２へ入射され、入射結合器を
形成する入射回折格子１５によって平面光導波路１８内
へ導かれる。この導波光は射出回折格子１７によって受
光部としてのＰ層１３へ入射されて電気信号に変換され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクや光磁気デ
ィスク等の光情報記憶媒体に対する情報の読み書きを行
なうための光ピックアップおよび光情報処理装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップ装置は、光ディスク等の
光情報処理装置の光アクセス及び読み取り用に用いられ
るものである。光ピックアップ装置の従来例には以下の
ものがある。（１）、特開平４−８９６３４号「光ピックアップ装
置」（２）、特開平４−８９６３６号「光ピックアップ装
置」（３）、特開平４−６０９３１号「光ピックアップ」（４）、光メモリシンポジウム’９２論文集ｐ５３、
「導波路型光磁気信号検出素子の基本特性」、木原
民、他４名、（株）リコー（５）、光メモリシンポジウム’９２論文集ｐ１０７、
「光ヘッド用ブレーズ化ホログラム素子」、金馬慶明、
他５名、松下電器（６）、光メモリシンポジウム’９２論文集ｐ１１３、
「チップ素子実装によるＣＤ−ＲＯＭ用小型光ヘッ
ド」、長野強、他３名、日本電気（株）。

【０００３】これらの従来例は、以下の如きものであ
る。（１）、特開平４−８９６３４号積層された位相膜層と偏光膜層と光回折手段及び導波路
とを持ち、光によるアクセス時にはその光を位相薄膜を
介して光ディスクに送り、その反射光をこの位相膜層に
戻す。位相膜層では、アクセス時の光とこの反射光との
間に位相差を与え、反射光を偏光膜層に送り偏光させて
光回折手段を介して導波路に導く。（２）、特開平４−８９６３６号特開平４−８９６３４号と同じような目的であるが、位
相膜層と偏光膜層とに代わって、光分割手段を設けて、
アクセス光と反射光との分離をはかったものである。（３）、特開平４−６０９３１号トラッキング及びフォーカシングを行うものであり、ビ
ーム分割用ホログラム素子と集光用ホログラム素子とを
対向するように設けて、アクセス光と反射光との分離を
はかったものである。サーボ信号として得られた反射光
を利用してピックアップのトラッキング及びフォーカシ
ングを行うべく、ピックアップの移動を行う。

【０００４】（４）、（５）、（６）、光メモリシンポジウム論文（４）は光磁気ディスク用であり、磁気力−効果で偏光
を受けた反射光をテーパー状のビームスプリッタで受け
て、ＴＥモードとＴＭモードとの２つに分離し、それぞ
れを光検出器（ＰＤ）で検出する。（５）は、ホログラ
ム素子の作成に関するもので、ホログラム素子のパター
ン及び回折効率を自在に認定可能にしたものである。
（６）は、ホクログラム素子と、レーザダイオードとフ
ォトダイオードとを集積化したものであり、特にホログ
ラム素子のパターンは４つの扇形に均等に分割した。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記（１）、（２）は
光学系の長さが大きくなる点で問題がある。（３）は、
ホログラム素子と受光素子とが光路を介して対向してお
り、その光路の分だけ集積化に問題がある。（４）はレ
ーザ光源とコリメートレンズの距離が大きくなる問題が
あり、（５）、（６）は（３）と同様にホログラム素子
と受光素子とが光路を介して対向しており、その光路の
分だけ集積化に問題がある。

【０００６】更に出願人は、光回折部と光検出部とを一
体的に組み込んで集積化した光ピックアップ装置を出願
している（特願平４−１４１３１１号）。ところが、前
記構造の光ピックアップでは、光検出器に設けられた回
折格子から対物レンズに至るまでの光路長によって、ピ
ックアップ全体の厚みが決定されてしまい、長い光路を
必要とする場合、光ピックアップの厚さが非常に厚くな
ってしまい、少ない厚みの光情報処理装置に前記光ピッ
クアップを用いようとしても、ピックアップ移動のため
の寸法余裕が極めて少なくなって信頼性も著しく低下し
てしまうという問題が生じる。

【０００７】本発明は、この点を改善し、厚みの薄い光
ピックアップと、この光ピックアップによって装置全体
の厚みを薄くした光情報処理装置を提供することを目的
としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光ピックアップでは、信号光を光検出器へ
入射させるための入射結合器から、対物レンズまたはコ
リメートレンズに至る光路中に、反射ミラーを配置して
いる（請求項１、２、５、８）。

【０００９】また、本発明の光ピックアップでは、光検
出器と対物レンズまたはコリメートレンズを同一平面上
に取り付けている（請求項３〜７）。

【００１０】また、本発明の光情報処理装置は、前記し
た本発明の光ピックアップを用い、このピックアップを
駆動するピックアップ駆動装置と、光情報記憶媒体を駆
動する媒体駆動装置等を有し、これらの駆動装置を制御
することによって光情報記憶媒体に対する情報処理を行
なう（請求項１０〜１２）。

【００１１】

【作用】本発明の光ピックアップによれば、レーザ光源
からの射出光は入射結合器および反射ミラーで反射さ
れ、対物レンズ、またはコリメートレンズと対物レンズ
を経て光情報記憶媒体上に集光される。光情報記憶媒体
によって反射された信号光は、対物レンズまたは対物レ
ンズとコリメートレンズを通過して反射ミラーで入射結
合器へ反射され、平面光導波路を経て光検出器で受光さ
れる。

【００１２】このように、入射結合器から対物レンズに
至る光路中に配置した反射ミラーによって、入射結合器
から対物レンズに至る光路の一部を、光ピックアップの
厚さ方向以外の例えば幅方向に形成できるため、光路長
が長くても、厚さの薄い光ピックアップを構成できる。
また、光検出器と対物レンズまたはコリメートレンズを
同一平面上に配置した光ピックアップでは、光ピックア
ップの幅方向に充分な長さの光路を形成できるととも
に、この一面構造によって、光ピックアップの加工性を
向上させることができ、光ピックアップ自身の信頼性お
よび精度を高めることができる。

【００１３】また、本発明の光ピックアップを用いた光
情報処理装置では、高い信頼性を維持したまま、その装
置全体の厚さを無理なく薄くできる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図面に基づい
て説明する。図１は本発明を適用した光情報処理装置と
しての光ディスク装置の構成と、この光ディスク装置に
用いられる光ピックアップＰＵの要部の断面構造を示し
ている。

【００１５】図１の（ａ）において、光ピックアップＰ
Ｕのハウジング５０の上面は、キャップ３００によって
閉ざされている。キャップ３００の内面には、集積光検
出器２および対物レンズ３が取り付けられている。集積
光検出器２の一端側にはレーザベース２３６が取り付け
られ、このレーザベース２３６には、レーザ光源として
半導体レーザ１が取り付けられている。半導体レーザ１
は、柔軟性配線材料６８を介して接続されたシステムコ
ントローラ７０によって駆動される。

【００１６】半導体レーザ１から射出した光（以下、射
出光と記す）は、集積光検出器２に照射され、その反射
光（以下、照射光と記す）は、ハウジング５０の底部に
固定された反射ミラー６で反射された後、対物レンズ３
を通過し、光情報記憶媒体としての光ディスク４上に照
射される。光ディスク４で反射された光（以下、信号光
と記す）は再び対物レンズ３を通過し、反射ミラー６で
反射された後に、集積光検出器２に照射される。

【００１７】集積光検出器２は、この信号光を電気信号
に変換するために、図１の（ｂ）に示す断面構造を有し
ている。ただし、この断面は導波光の光軸に添う方向に
選んである。

【００１８】図１の（ｂ）において、集積光検出器２
は、光検出器と、平面光導波路および入射結合器とが一
体に集積形成されたもので、その半導体基板１０にはバ
ッファ層１２、平面光導波路１８、保護層２３が形成さ
れている。

【００１９】平面光導波路１８の屈折率は、バッファ層
１２及び保護層２３の屈折率より大きく、平面光導波路
１８内に入射された光は、その入射方向に応じた一方の
端部方向に向かって伝播される。また、平面光導波路１
８の一面側および両端側には、保護層２３内で入射結合
器を形成する入射回折格子１５、射出回折格子３５、射
出回折格子１７が設けられている。

【００２０】レーザベース２３６は集積光検出器２の半
導体基板１０に取り付けられており、このレーザベース
に固定された半導体レーザ１からの射出光の一部は、入
射回折格子１５の前方側の保護層２３で反射されて照射
光となり、残りの一部は入射回折格子１５で回折されて
平面光導波路１８内を射出回折格子３５側へ向かって伝
播する導波光となる。この導波光は射出回折格子３５で
回折されて、半導体基板１０に入射する。

【００２１】半導体基板１０には、ＰＩＮ型の光検出器
が形成されている。即ち、半導体基板１０自身は注入不
純物が比較的少ない弱Ｎ型の基板であって、これをはさ
むＰ層（Ｐ型不純物が高濃度に注入された部分）３４と
Ｎ層（Ｎ型不純物が高濃度注入された部分）２４とによ
ってＰＩＮ構造の光検出器が形成され、射出回折格子３
５で回析された射出光は、受光面としてのＰ層３４に進
入し、その射出光の強度に比例した大きさの電流に変換
される。この信号はコンタクトホール２５によってＰ層
３４に接続された電極２４６を介して、半導体基板１０
の外部に取り出され、システムコントローラ７０に送ら
れる。

【００２２】システムコントローラ７０はこの信号に応
じて半導体レーザ１を駆動する電流を変化させて、常に
射出光の強度が所定の値となるように制御する。この様
な構成の集積光検出器２を用いた場合には、射出光強度
の直接測定が可能となり、射出光強度の制御を高精度で
行なうことができ、装置の信頼性が向上する効果が有
る。

【００２３】なお、ここでは半導体基板中の光検出器
を、導波路の側からＰＩＮタイプとなるようにしたが、
逆にＮＩＰタイプとしても、また半導体基板自体を不純
物高濃度として、ＰＮタイプやＮＰタイプとしても動作
は変わらず、動作速度や製造装置の都合によりこれら構
成を決めれば良い。

【００２４】また、射出光強度の検出は、半導体レーザ
１の後方射出光を用いることもできる。即ち、半導体レ
ーザ１からは集積光検出器２方向と反対の方向にも射出
光（後方射出光）が得られる。

【００２５】この後方射出光を検出してシステムコント
ローラ７０でその強度制御を行なう場合には、レーザベ
ース２３６を半導体材料で形成し、図１の（ｂ）に示し
ているように、レーザベース２３６のうち後方射出光が
照射される位置にＰ層２７０を設け、レーザベース自身
を光電変換部とすればよい。この場合には、集積光検出
器２側において直接光の強度を計測するための射出回折
格子３５、Ｐ層３４、電極２４６などの構成が不要とな
り、集積光検出器２の構成が簡単になるという効果が有
る。

【００２６】一方、光ディスク４で反射されて、集積光
検出器２へ入射する信号光は、入射結合器を形成する入
射回折格子１５で回折されて、平面光導波路１８内を射
出回折格子１７側へ向かって伝播する導波光となる。こ
の導波光は射出回折格子１７で回折されて、Ｐ型不純物
が高濃度注入された受光面としてのＰ層１３へ入射さ
れ、前記射出光の場合と同様に半導体基板１０のＰＩＮ
構造の光検出器によって、電流に変換される。

【００２７】この電流は、コンタクトホール２５を介し
てＰ層１３に接続された電極２２から半導体基板１０の
外部に取り出され、システムコントローラ７０に送ら
れ、この信号から、トラックエラー信号、フォーカスエ
ラー信号、読み出し信号などが検出される。

【００２８】この光ピックアップＰＵのハウジング５０
は、図１の（ａ）に示すように、サスペンション６３に
よって外部ハウジング５１内上部に保持されており、ハ
ウジング５０は光ディスク４の記録面に垂直方向および
光ディスク４の半径方向に移動可能となっている。

【００２９】このハウジング５０の移動は、電磁コイル
６２、粗動電磁コイル７１とともに光ピックアップ駆動
装置を形成する磁気回路６０、６１を、システムコント
ローラ７０によって制御することによって行なわれる。
即ち、システムコントローラ７０は、フォーカスエラー
信号に応じて、磁気回路６０にある電磁コイル６２に電
流を流し、ハウジング５０を光ディスク４の面に垂直方
向に動かしてフォーカス制御を行う。

【００３０】さらに、システムコントローラ７０は、集
積光検出器２からの信号によって検出したトラックエラ
ー信号および外部装置からＩ／Ｏバス（ともに図示せ
ず）を経由して入力される情報アクセス要求に応じて、
磁気回路６１にある粗動電磁コイル７１に電流を流し、
直進レール機構５３上の外部ハウジング５１を光ディス
ク４の半径方向に移動する。さらに、システムコントロ
ーラ７０は磁気回路６０にある電磁コイル６２に電流を
流し、ハウジング５０を光ディスク４の半径方向に動か
す。このように外部ハウジング５１およびハウジング５
０を移動させることによって、光ディスク４に対するト
ラック制御が行なわれる。

【００３１】システムコントローラ７０は、媒体駆動装
置としての回転モータ５５を駆動して光ディスク４を回
転させ、上記のように得られた読み出し信号をＩ／Ｏバ
スを介して外部装置に送り出す。

【００３２】システムコントローラ７０は、外部装置か
らＩ／Ｏバスを介して入力される書き込み信号に応じ
て、半導体レーザ１への駆動電流を変調し、半導体レー
ザ１からの射出光強度を変化させて、光ディスク４に対
する情報の書き込みを行う。また、情報の消去も同様の
方法によって行う。

【００３３】光ディスク４が、磁界の印加が必要な光磁
気ディスクの場合には、以下のように書き込み、消去を
行なう。即ち、システムコントローラ７０は、外部装置
からＩ／Ｏバスを介して入力される書き込み信号に応じ
て、半導体レーザ１への駆動電流を変調し、半導体レー
ザ１のレーザ光射出強度を変化させるとともに、ユニッ
トベース５４に取り付けられたバイアスコイル２４０に
電流を供給し、光磁気ディスク４上のレーザ光が照射さ
れている部分に磁界を印加して、情報の書き込みを行
う。また、情報の消去も同様の手法により行う。

【００３４】なお、システムコントローラ７０、直進レ
ール機構５３、磁気回路６１、回転モータ５５は、この
光ディスク装置のケースとしてのユニットベース５４に
取り付けられている。また、光ディスク４をモータ５５
に装填または脱着するためのローディング機構（図示せ
ず）もこのユニットベース５４に設けられている。

【００３５】以上の動作を行うため、システムコントロ
ーラ７０は図示されない任意の外部電源からエネルギー
の供給を受ける。

【００３６】図２は、図１の（ａ）に示した光ピックア
ップＰＵのうち、キャップ３００、レーザベース２３
６、半導体レーザ１、集積光検出器２の部分およびその
近傍を下面側からみた一構成例を示している。

【００３７】図２において、半導体基板１０には平面光
導波路１８ａ〜１８ｄが４列に形成され、各平面光導波
路１８ａ〜１８ｄには、各々入射回折格子１５ａ〜１５
ｄが形成されている。平面光導波路１８ａ〜１８ｄの両
端には、図１の（ｂ）に示した電極２２、２４６に相当
する電極２２ａ〜２２ｄ、２４６ａ〜２４６ｄがそれぞ
れ形成されている。各電極２２ａ〜２２ｄ、２４６ａ〜
２４６ｄの下部には、図１の（ｂ）に示した射出回折格
子１７、３５に相当する射出回折格子や、Ｐ層１３、３
４に相当するＰ層が各々形成されている（ともに図示せ
ず）。

【００３８】入射回折格子１５ａ〜１５ｄに入射した照
射光は平面光導波路１８ａ〜１８ｄを各々伝播し、前記
同様に各々の導波光がその強度に応じた電流に変換され
る。この射出光の強度の検出は平面光導波路１８ａ〜１
８ｄに付いて各々独立して行なわれる。検出された信号
は各電極２４６ａ〜２４６ｄからそれぞれ取り出され、
半導体基板上の配線１２５を介して各ボンディングパッ
ド１３６に伝えられ、各ボンディングパッド１３６にワ
イヤ６６を介して接続された各ピン６５から、外部に伝
えられる。

【００３９】半導体基板１０は、平面光導波路１８ａ〜
１８ｄに照射される信号光の光軸が、平面光導波路１８
ｂ、１８ｃの間の分割線の間を通過するように予め位置
決めされている。なお、信号光は一般に平行光とは限ら
ないので、入射回折格子の上面形状も一般には曲線格子
となる。また、焦点が光ディスク４上に正確に合ってい
る場合には、図１の（ｂ）における照射光と信号光とは
共役な波面を有しているので、同一の入射回折格子で照
射光も信号光も導波光に変換できる。

【００４０】入射回折格子１５ａ〜１５ｄに入射した信
号光は平面光導波路１８ａ〜１８ｄを各々伝播し、前記
同様に各々の導波光がその強度に応じた電流に変換され
る。この信号光の強度の検出は平面光導波路１８ａ〜１
８ｄに付いて各々独立して行なわれる。検出された信号
は電極２２ａ〜２２ｄから取り出され、半導体基板上の
配線１２５を介してボンディングパッド１３６に伝えら
れ、各ボンディングパッド１３６にワイヤ６６を介して
接続された各ピン６５から、外部に伝えられる。

【００４１】システムコントローラ７０は、各電極２２
ａ〜２２ｄ、２４６ａ〜２４６ｄからの信号に基づい
て、射出光強度信号、読み出し信号、トラックエラー信
号、フォーカスエラー信号を、次の演算処理によって求
める。なお、下記の式の中の数字は、各々の数字に該当
する符号の電極からの出力に相当している。

【００４２】射出光強度信号＝２４６ａ＋２４６ｂ
＋２４６ｃ＋２４６ｄ読み出し信号＝２２ａ＋２２ｂ＋２２ｃ＋２２ｄトラックエラー信号＝２２ａ＋２２ｂ−２２ｃ−２２ｄフォーカスエラー信号＝２２ａ−２２ｂ−２２ｃ＋２２ｄ

【００４３】上記各信号のうち、射出光強度信号は、電
極２４６ａ〜２４６ｄの加算信号なので、各々の電極を
配線１２５で短絡することによって加算してもよい。

【００４４】図２においては、平面光導波路１８ａ〜１
８ｄの４つの平面光導波路を用いたが、これを平面光導
波路１８ａ〜１８ｃの３つで同等の機能を持たせること
もできる。この場合の信号検出のための演算処理は、以
下の通りである。ただし、下記の数字は各々の符号の電
極から出力される信号強度を示すものとし、また、信号
光の光軸は平面光導波路１８ｂの中心付近を通過するも
のとする。

【００４５】射出光強度信号＝２４６ａ＋２４６ｂ＋２４６ｃ読み出し信号＝２２ａ＋２２ｂ＋２２ｃトラックエラー信号＝２２ａ−２２ｃフォーカスエラー信号＝２２ａ−２２ｂ＋２２ｃ

【００４６】このように３つの平面光導波路を用いた場
合には、半導体基板上のパターンが簡単になり、作成し
やすくなる効果が有る。また、前記の４分割の平面光導
波路を用いた場合には、トラックエラー信号の検出感度
を高くできるという効果が有る。

【００４７】図２において、半導体基板１０にはレーザ
ベース２３６が取り付けられ、レーザベース２３６には
半導体レーザ１が取り付けられている。ここで、レーザ
ベース２３６に半導体基板を用いた場合には、図１の
（ｂ）で示したように、後方射出光の強度測定用の光検
出器をレーザベース２３６に作ることが可能である。

【００４８】即ち、図２に示しているように、レーザベ
ース２３６に、Ｐ層２７０、弱Ｎ型のレーザベース２３
６およびＮ層２７１で構成するＰＩＮ構造の光検出器を
設け、後方射出光をこの部分で電流に変換する。この電
流は電極２７２、２７３からワイヤ６６およびピン６５
を介して外部のシステムコントローラ７０に送られる。
システムコントローラ７０は、必要に応じて、この信号
を半導体レーザ１の射出光強度の制御に用いる。

【００４９】半導体基板１０はキャップ３００に固定さ
れ、キャップ３００にはピン６５が複数設けられてい
る。各ピン６５は導電体であるため、このキャップ３０
０として、各ピン同士が短絡しないように、非導電体の
材質のものを用いる必要がある。また、キャップ３００
を導電体にする必要がある場合には、キャップ３００と
ピン６５との間に絶縁材を介在させておく。

【００５０】なお、図２では、レーザベース２３６を半
導体基板１０に取り付けていたが、レーザベースをキャ
ップ３００に直接取り付けてもよく、どちらの場合で
も、光学的動作に違いはなく、実装上の都合によってど
ちらかを選べば良い。

【００５１】キャップ３００には対物レンズ３を取り付
けるためのレンズ取付穴３０２が設けられている。対物
レンズの取付具合などについては後述する。

【００５２】図３は、図１及び図２に示した光ピックア
ップのハウジング５０並びキャップ３００およびその周
辺部分の断面構造の一例を示している。

【００５３】図３において、キャップ３００に設けられ
たレンズ取り付け穴３０２には、対物レンズ３が取り付
けられている。また、キャップ３００には前記集積光検
出器２が取り付けられている。集積光検出器２には、レ
ーザベース２３６が取り付けられ、このレーザベース２
３６には、半導体レーザ１が取り付けられている。ただ
し、前述したように、レーザベース２３６をキャップ３
００に直に取り付けてもよい。半導体レーザ１の放熱を
考えた場合には、伝熱性の高い金属等の材料でキャップ
を作成することが望ましい。この様な場合には、非導電
性接着材料３０３を用いて、ピン６５をキャップ３００
に固定する。

【００５４】半導体レーザ１や集積光検出器２のうち配
線が必要な部分には、各ピン６５からのワイヤ６６が接
続されている。ピン６５は半田３０４などでフレキシブ
ルプリント基板などの柔軟性配線３０５に接続されてい
る。この配線は図１のシステムコントローラ７０に接続
されている。

【００５５】ハウジング５０内の底部一端側には反射ミ
ラー６が取付けられている。ハウジング５０の上面はキ
ャップ３００で覆われており、ハウジング５０、キャッ
プ３００、対物レンズ３等によって、ハウジング内は気
密状態に保持され、その内部には不活性ガス（図示せ
ず）が封入されている。この不活性ガスの封入によっ
て、半導体レーザ１の安定動作が確保されている。

【００５６】以上、図１から図３で説明した実施例の光
ピックアップでは、反射ミラー６を対物レンズ３と集積
光検出器２との間に配置したこと、また、対物レンズ３
と集積光検出器２とも同一面に配置したこと等によっ
て、光ピックアップの厚み方向の小型化、信頼性向上が
図れ、また、光ディスク装置全体の小型化、信頼性向上
が図れる効果が有る。

【００５７】次に図４から図６を用いて、本発明の第２
の実施例について説明する。図４は、固定部ＰＵ１と可
動部ＰＵ２とに分離した光ピックアップを有する光ディ
スク装置の構成図である。

【００５８】図４において、光ピックアップの固定部Ｐ
Ｕ１のハウジング５０には、キャップ３００が固定さ
れ、キャップ３００の内面には、前記同様の集積光検出
器２およびコリメートレンズ７が取り付けられている。
集積光検出器２に取り付けられたレーザベース２３６に
は、半導体レーザ１が固定されている。半導体レーザ１
は、柔軟性配線材料６８を介して接続されたシステムコ
ントローラ７０によって駆動される。

【００５９】半導体レーザ１から射出した射出光は、集
積光検出器２に照射され、その反射光はハウジング５０
に固定された反射ミラー６で反射され、コリメートレン
ズ７を通過しほぼ平行光とされた後に、透過窓２０１を
通過して、可動部ＰＵ２内に入射し、可動部ＰＵ２内の
反射ミラー２０２で反射され、対物レンズ３で集光され
て、光ディスク４に照射される。光ディスク４で反射さ
れた信号光は再び同様の経路を戻り、集積光検出器２に
照射される。

【００６０】集積光検出器２は、図１と同様の断面構造
を有し、光検出器、平面導波路および入射結合器が一体
化されており、射出光と信号光とを区別して受光する。
この集積検出器２からの信号によって、射出光強度信
号、読み出し信号、フォーカスエラー信号およびトラッ
クエラー信号などが前記同様に検出される。

【００６１】可動部ＰＵ２の対物レンズ３は、光ディス
ク４の記録面に垂直な方向と光ディスク４の半径方向に
移動可能な状態で、サスペンション６３によって保持さ
れている。

【００６２】システムコントローラ７０は、集積光検出
器２からの信号によって得られたフォーカスエラー信号
に応じて、磁気回路６０にある電磁コイル６２に電流を
流し、対物レンズ３を光ディスク４の記録面に垂直方向
に動かしてフォーカス制御を行う。

【００６３】システムコントローラ７０は、検出された
トラックエラー信号および外部装置からＩ／Ｏバスを介
して入力される情報アクセス要求に応じて、磁気回路６
１にある粗動電磁コイル７１に電流を流し、直進レール
機構５３に搭載された外部ハウジング５１を光ディスク
４の半径方向に移動する。さらに、システムコントロー
ラ７０は磁気回路６０にある電磁コイル６２に電流を流
し、対物レンズ３を光ディスク４の半径方向に動かす。
このように可動部ＰＵの外部ハウジング５１および対物
レンズ３を移動させる事により、光ディスク４に対する
トラック制御を行う。

【００６４】システムコントローラ７０は回転モータ５
５を駆動制御して光ディスク４を回転させ、光ディスク
からの読み出し信号をＩ／Ｏバスを通じて外部装置に送
り出す。

【００６５】また、システムコントローラ７０は、外部
装置からＩ／Ｏバスを介して入力される書き込み信号に
応じて半導体レーザ１への駆動電流を変調し、半導体レ
ーザ１のレーザ光射出強度を変化させて光ディスクに対
する情報の書き込みを行う。また、情報の消去も同様の
手法により行う。

【００６６】光ディスク４が、磁界の印加を必要とする
光磁気ディスクの場合には、図示しない連結機構によっ
て外部ハウジング５１にそれぞれ連結され、光ディスク
の上面側で外部ハウジング５１とともに水平方向に移動
するバイアスマグネット２４５および切り換えコイル２
４２によって磁界の印加がなされ、以下のように書き込
み、消去が行なわれる。

【００６７】即ち、システムコントローラ７０は、外部
装置からＩ／Ｏバスを介して入力される書き込み信号に
応じて半導体レーザ１への駆動電流を変調させ、半導体
レーザ１のレーザ光射出強度を変調させるとともに、外
部ハウジング５１に取り付けられた切り換えコイル２４
２に電流を供給し、バイアスマグネット２４５を回転軸
２４４を中心に回転させる。バイアスマグネット２４５
は、光磁気ディスク上でレーザ光が照射されている部分
に、情報の書き込みまたは情報の消去に適した磁界を印
加できる角度位置に固定される。このバイアスマグネッ
ト２４５の磁界の印加によって、光磁気ディスクに対す
る情報の書き込みまたは情報の消去が行なわれる。

【００６８】上記システムコントローラ７０、直進レー
ル機構５３、磁気回路６１、回転モータ５５および図示
しないローディング機構等はユニットベース５４に取り
付けられている。

【００６９】以上の動作を行うため、システムコントロ
ーラ７０は図示しない任意の外部電源からエネルギーの
供給を受ける。

【００７０】図５は、図４におけるキャップ３００、集
積光検出器２およびその周辺部分の構成例を示してい
る。

【００７１】図５において、キャップ３００には半導体
基板１０が取り付けられている。半導体基板１０には、
図１から図３で示した実施例と同様に、平面光導波路１
８、入射回折格子１８およびその他の素子が形成されて
いる。電極２４６、２２からの出力は配線１２５でボン
ディングパッド１３６に接続されている。

【００７２】半導体基板１０にはレーザベース２３６’
が取り付けられている。レーザベース２３６’に形成さ
れた斜面には半導体レーザ１が取り付けられている。こ
こで、レーザベース２３６’にシリコン等の単結晶材料
を用いた場合には、その結晶面に沿った異方性エッチン
グによってレーザベース２３６’の斜面が形成され、単
結晶などでない通常の材料を用いた場合には、プレス、
切削などによって斜面が形成される。

【００７３】なお、レーザベース２３６’と半導体レー
ザ１との間には、両者の熱膨脹率の違いを緩和するため
に、必要に応じて適当な薄板（図示せず）が挿入され
る。また、作成上の都合によって、レーザベース２３
６’を半導体基板１０の上でなく、キャップ３００の上
に直接取り付けてもよい。

【００７４】キャップ３００にはボンディングパッド１
３６’、ホンディングパッド１３６”および配線１２
５’が、フォトリソグラフィによって薄膜で形成されて
いる。キャップ３００にアルミなどの導電性材料を用い
た場合には、その表面を酸化し、絶縁層を作ってから、
ボンディングパッド１３６’、ホンディングパッド１３
６”および配線１２５’などを形成する。

【００７５】半導体基板１０上のボンディングパッド１
３６とキャップ３００上のボンディングパッド１３６’
との間および半導体レーザ１とボンディングパッド１３
６との間は、それぞれワイヤ６６によって接続されてい
る。各ホンディングパッド１３６”は、図４のシステム
コントローラ７０に配線によって接続されている。

【００７６】なお、半導体基板１０およびキャップ３０
０には、レーザベースおよび半導体基板の取り付け位置
を示す位置マーク３１０、３１１が設けられている。こ
れらの位置マーク３１０、３１１は、各ボンディングパ
ッドや配線を形成するときに同時に設けられたもので、
このマークに合わせて取り付け作業を行なうことによっ
て、迅速且つ正確に各部を取り付けることができる。ま
た、この位置マークを、レーザベース２３６’上の半導
体レーザ取付位置に設けておけば、レーザベースに対す
る半導体レーザの取り付けを正確且つ迅速に行なうこと
ができる。

【００７７】キャップ３００には、図４におけるコリメ
ートレンズ７を取り付けるためのレンズ取付穴３０２が
形成されている。

【００７８】図６は、図５のキャップ３００にコリメー
トレンズ７を取り付け、さらにハウジング５０を取り付
けた状態を示したもので、このハウジングの取り付けに
よって、前述した図１から図３までの実施例と同様に、
キャップ３００、ハウジング５０、コリメートレンズ７
などで囲まれたハンジング５０の内部が気密状態に保た
れ、その内部には、半導体レーザ１の安定動作を維持さ
せるための不活性ガスが封入されている。

【００７９】キャップ３００のうち、ボンディングパッ
ド１３６”が形成される部分は、ハウジング５０でカバ
ーされずに、外部に露出している。このボンディングパ
ッド１３６”と図４のシステムコントローラ７０との間
は、フレキシブルプリント基板などの柔軟性配線材料に
よって接続される。

【００８０】以上、図４から図６で説明してきた分離型
の光ピックアップを用いた光ディスク装置では、固定部
ＰＵ１側にコリメートレンズ７と反射ミラー６を用いる
ことによって、反射ミラー２０２と対物レンズ３のみに
よる軽重量の可動部ＰＵ２を構成でき、アクセス速度を
高速化でき、電力を低減させることができる。

【００８１】次に、図７および図８を用いてさらに他の
実施例を説明する。ここでは、光磁気ディスクに対し、
平面光導波路が多層化された集積光検出器を用いた場合
の光磁気信号の検出方法について説明する。

【００８２】図７は平面光導波路が２層化された集積光
検出器の断面構造を示している。即ち、半導体基板１０
にはバッファ層１２、下層平面光導波路２０３、中間層
２０５、上層平面光導波路２０４、保護層２０６、下層
入射回折格子２１０、上層入射回折格子２１１、下層射
出回折格子２１５、上層射出回折格子２１６、Ｐ層２２
０、Ｐ層２２１、Ｎ層２２２、チャネルストッパ２２
３、電極２２５、電極２２６が設けられている。

【００８３】下層平面光導波路２０３は、バッファ層１
２及び中間層２０５の屈折率より大きい屈折率を有し、
また、上層平面光導波路２０４は、保護層２０６及び中
間層２０５の屈折率より大きい屈折率を有している。こ
の屈折率の違いによって、上層平面光導波路２０４およ
び下層平面光導波路２０３はそれぞれ光を閉じ込めてそ
れぞれの両端側へ伝播させる。

【００８４】保護層２０６の上部には、半導体レーザ１
からの射出光の反射率を制御し、光磁気ディスクに照射
する光の量をコントロールするためのハーフミラー２６
０が形成されている。ハーフミラー２６０は、導電体ま
たは誘電体の薄膜を、１層または多層に重ね合わせた構
造を有している。

【００８５】コンタクトホール２２７は、バッファ層１
２、下層平面光導波路２０３、中間層２０５、上層平面
光導波路２０４、保護層２０６、ハーフミラー２６０の
全てを貫通して形成されており、電極２２５はＰ層２２
１に、電極２２６はＰ層２２０にそれぞれ接続されてい
る。

【００８６】半導体レーザ１からの射出光の一部はハー
フミラー２６０を通過し、下層入射回折格子２１０や上
層入射回折格子２１１で導波光となる。この導波光は射
出回折格子２１７によって導波路から射出され、チャネ
ルストッパ２４８に囲まれたＰ層２４７、半導体基板１
０およびＮ層２２２で構成されるＰＩＮ構造の光検出器
に入射して電流に変換され、その信号は、コンタクトホ
ール２２７を介してＰ層２４７に接続された電極２４６
から、前述のシステムコントローラ７０に送られる。シ
ステムコントローラは、この射出光の強度に比例した信
号に応じて、半導体レーザ１に注入する電流の量を調整
し、半導体レーザ１からの射出光強度を常に予期した量
となるように制御する。この制御によって、温度や経年
変化に強い光情報記憶装置を構成できる。

【００８７】光磁気ディスクからの信号光の一部は、ハ
ーフミラー２６０を通過して、上層入射回折格子２１１
および下層入射回折格子２１０で回折され、各々の回折
光は上層平面光導波路２０４および下層平面光導波路２
０３を伝播する導波光に変換される。

【００８８】ここで、信号光の上層平面光導波路２０４
および下層平面光導波路２０３への入射角度、上層平面
光導波路２０４や下層平面光導波路２０３の厚みや屈折
率、上層入射回折格子２１１および下層入射回折格子２
１０の格子ピッチや格子深さ、その他の物質の屈折率や
半導体レーザの発振波長などによって決まる導波光の結
合条件は、上層平面光導波路２０４内でＴＥモードの導
波光が、また下層平面光導波路２０３内でＴＭモードの
導波光が励起されるように予め調整されている。なお、
これとは逆に上層平面光導波路２０４にはＴＭモードの
導波光が、また下層平面光導波路２０３にはＴＥモード
の導波光が励起されるように、予め調整しておいてもよ
い。

【００８９】上層平面光導波路２０４を伝播する導波光
は、上層射出回折格子２１６で射出され、前述の集積光
検出器２と同様に、Ｐ層２２１、弱Ｎ型の半導体基板１
０およびＮ層２２２で形成されたＰＩＮ構造の光検出器
に入射されて、電流に変換される。

【００９０】一方、下層平面光導波路２０３を伝播する
信号光による導波光は、下層射出回折格子２１５で射出
され、Ｐ層２２０、半導体基板１０およびＮ層２２２で
形成されるＰＩＮ構造の光検出器に入射されて、電流に
変換される。

【００９１】なお、Ｐ層２２０、２２１は、その間が電
気的に結合しないように、互いに重ならない形状に予め
形成され、その間には、Ｎ型のチャネルストッパ２２３
が設けられている。

【００９２】なお、ここでは半導体基板中の光検出器
を、導波路の側からみてＰＩＮ構造となるようにした
が、逆にＮＩＰ構造としても、また半導体基板自体を不
純物高濃度として、ＰＮタイプやＮＰタイプとしても、
まったく動作は変わらない。

【００９３】電極２２５とＮ層２２２の間、および電極
２２６とＮ層２２２との間には逆バイアスがかけられて
おり、ＰＩＮ構造で生じた電流は、電極２２５、２２６
からそれぞれ外部に取り出され、信号光に対する上層平
面光導波路２０４への導波光の強度と、下層平面光導波
路２０３への導波光の強度とが、それぞれ独立して検出
される。

【００９４】電極２２５から出力される電流の大きさ
と、電極２２６から出力される電流の大きさの違いは、
信号光の偏光方向に基づいており、この偏光方向の監視
することによって、光磁気ディスクに書き込まれた情報
の読み出しが可能となる。

【００９５】次に、サーボ信号の検出方法について説明
する。下層平面光導波路２０３、上層平面光導波路２０
４、下層入射回折格子２１０、上層入射回折格子２１
１、下層射出回折格子２１５、上層射出回折格子２１
６、Ｐ層２２０、Ｐ層２２１、電極２２５、電極２２６
は、図２で説明したと同様に、導波光の伝播方向にそっ
てそれぞれ４組設けられているものとし、各部分の断面
構造および動作原理は前述のものと同様とする。

【００９６】ここでは信号処理の方法について述べるの
で、各部分からの電極からの出力についてのみ説明す
る。電極２２５に相当するものとして電極２２５ａ〜２
２５ｄ、電極２２６に相当するものとして電極２２６ａ
〜２２６ｄを想定する。ただし、こられの電極からの出
力は、図１から図６で説明してきた方法によってシステ
ムコントローラに送られる。

【００９７】以下に信号演算処理の方法を示すが、各々
の数字は各々の符号の電極からの出力を表すものとす
る。読み出し信号＝２２６ａ＋２２６ｂ＋２２６ｃ＋２
２６ｄ−２２５ａ−２２５ｂ−２２５ｃ−２２５ｄトラックエラー信号＝２２６ａ＋２２５ａ＋２２６ｂ＋２
２５ｂ−２２６ｃ−２２５ｃ−２２６ｄ−２２５ｄフォーカスエラー信号＝２２６ａ＋２２５ａ＋２２６ｄ＋２
２５ｄ−２２６ｂ−２２５ｂ−２２６ｃ−２２５ｃ

【００９８】また、図２で説明したように、下層平面光
導波路２０３、上層平面光導波路２０４、下層入射回折
格子２１０、上層入射回折格子２１１、下層射出回折格
子２１５、上層射出回折格子２１６、Ｐ層２２０、Ｐ層
２２１、電極２２５、電極２２６を、導波光の伝播方向
にそってそれぞれ３組設ける方法もある。この場合に
は、電極２２５に相当するものとして電極２２５ａ〜２
２５ｃ、電極２２６に相当するものとして電極２２６ａ
〜２２６ｃを想定する。この場合の信号処理の手法は次
のようである。

【００９９】読み出し信号＝２２６ａ＋２２６ｂ＋
２２６ｃ−２２５ａ−２２５ｂ−２２５ｃトラックエラー信号＝２２６ａ＋２２５ａ−２２６ｃ−２
２５ｃフォーカスエラー信号＝２２６ａ＋２２５ａ＋２２６ｃ＋２
２５ｃ−２２６ｂ−２２５ｂ

【０１００】以上の信号演算処理で得られた各信号によ
って、光磁気ディスクからの信号読み出しが可能とな
る。

【０１０１】次に、図７に示した半導体基板１０に半導
体レーザを取り付ける方法の一例を図８に従って説明す
る。

【０１０２】キャップ３００には半導体基板１０が取り
付けられている。半導体基板１０には図７で説明したよ
うに、平面光導波路２０３、２０４や入射回折格子２１
０、２１１などが設けられている。半導体基板１０（ま
たはキャップ３００）にはレーザベース２３６”が取り
付けられている。

【０１０３】レーザベース２３６”には斜部３３０が形
成されている。この斜部３３０は、レーザベース２３
６”がシリコンなどの単結晶の場合、その結晶面に沿っ
た異方性エッチングによって作成され、レーザベース２
３６”が単結晶でない通常の材料の場合は、切削やプレ
スなどによって作成される。この斜部３３０には半導体
レーザ１が取り付けられている。

【０１０４】キャップ３００には図１で説明した対物レ
ンズあるいは図４で説明したコリメートレンズを取り付
けるためのレンズ取付穴３０２が形成されている。な
お、図９では、半導体レーザや半導体基板上と外部とを
接続するために、図１から図３で示したピン６５および
ワイヤ６６を用いているが、図４から図６で示したよう
にキャップ３００に作成する配線およびボンディングパ
ッドを用いてもよい。

【０１０５】前記実施例と同様に、レーザベース２３
６”に半導体基板を使い、半導体レーザの後方射出光強
度の検出のための光検出器を設ける場合には、Ｐ層２７
０をレーザベース２３６”に形成すればよい。このＰ層
２７０とピン６５’とをワイヤ６６で接続する際、図の
ようにピン６５’の一部に、切削やプレス等でＰ層２７
０と平行な平面部分を予め作っておけば、ワイヤ６６の
接続を容易に行なえる。また、ピン６５”の一部に、半
導体レーザ１のワイヤ接続面と平行な部分を切削やプレ
ス等で予め設けておけば、ワイヤ６６の接続を容易に行
なうことができる。

【０１０６】なお、図８で説明したレーザベース２３
６”を用いた場合には、射出光の光軸と平面光導波路の
法線とで定義される平面（入射平面と記す）に対して、
半導体レーザの射出光の偏光方向を入射平面内または入
射平面と垂直でない方向に選ぶことができる。このよう
にすることで、図７で説明した上層平面光導波路で検出
される信号光の導波光量と下層平面光導波路で検出され
る信号光の導波光量とを適切な比に選ぶことができ、光
磁気信号の検出感度を向上させることが可能となる。

【０１０７】以上述べてきた図１から図８までの実施例
では、半導体基板１０がキャップ３００に取り付けられ
ていたが、この他の方法として、半導体基板１０とキャ
ップ３００とを一体化することも可能である。即ち、キ
ャップ３００を半導体基板で形成し、図１から図８まで
で述べた半導体基板１０に作られた要素をキャップ３０
０に作り付ける方法である。

【０１０８】例えば図１の実施例の場合、キャップ３０
０を半導体基板で作り、集積光検出器２の各部を全てキ
ャップ３００内に一体に形成し、レーザベース２３６
も、半導体基板で作られたキャップ３００に直接取り付
ける。このように一体化した場合の電極取り出し方法と
しては、図２に示したように、キャップ３００にピン６
５を設ける方法や、図６に示した薄膜配線で外部に取り
出す方法を用いることができる。また、図５において、
キャップ３００と半導体基板１０とを一体化した場合に
は、ワイヤ６６による薄膜配線間の接続が不要になり、
総合的に作成が簡単になる。

【０１０９】また、図８では、ピン６５、６５’、６
５”によって配線を外部に取り出す方法を示したが、図
５のような薄膜配線を利用することによって単純な実装
の光ピックアップで光磁気信号を検出できる。

【０１１０】また、半導体基板１０とキャップ３００と
を一体化する場合には、前述のレンズ取り付け穴３０２
を、半導体基板であるキャップ３００にエッチングや切
削、その他の手法で直接設けることができる。また、キ
ャップ３００上に光検出器や薄膜配線などをフォトリソ
グラフィによって加工する際に、その加工と同時にレン
ズ取り付け穴３０２の位置やレーザベース２３６などの
位置をマークしておくことができ、レンズ取り付け穴３
０２の加工や、レーザベース２３６などの設置をマーク
に対して位置決めしながら行うことができ、加工や設置
の手間が軽減され、加工精度等を高く保つことができ
る。

【０１１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ピック
アップは、反射ミラーを入射結合器から対物レンズまた
はコリメートレンズに至る光路中に配置したので、その
光路の一部を厚さ方向以外に形成できるため、格段に薄
型のピックアップを無理なく構成できる。また、光検出
器と対物レンズまたはコリメートレンズを同一平面に配
置することによって、幅方向に長い光路を形成でき、ピ
ックアップの加工性が向上し、その精度と信頼性が格段
に高くなる。

【０１１２】また、この光ピックアップを用いた光情報
処理装置では、光ピックアップの薄型化によって、装置
全体としても信頼性を低下させることがなく薄型にする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の光ディスク装置の構成
と、その要部の拡大断面を示す図である。

【図２】一実施例の要部を示す平面図である。

【図３】一実施例の光ピックアップの具体的な断面構造
の一例を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施例の光ディスク装置の構成
を示す図である。

【図５】図４の要部の斜視図である。

【図６】図５に示した要部にハウジング５０を取り付け
た状態を示す斜視図である。

【図７】本発明の他の実施例による２層型の集積光検出
器の断面図である。

【図８】図７の集積光検出器とその周辺部分を示す斜視
図である。

【符号の説明】

ＰＵ光ピックアップ１半導体レーザ２集積光検出器３対物レンズ４光ディスク６反射ミラー１０半導体基板１２バッファ層１３Ｐ層１５、１５ａ〜１５ｄ入射回折格子１７射出回折格子１８、１８ａ〜１８ｄ平面光導波路２２、２２ａ〜２２ｄ電極２３保護層２４Ｎ層３４Ｐ層３５射出回折格子５０ハウジング５１外部ハウジング５３直進レール機構５４ユニットベース５５回転モータ６０磁気回路６１磁気回路６２電磁コイル７０システムコントローラ７１粗動電磁コイル２３６レーザベース３００キャップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木村勝彦茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光源から射出され光検出器の受光面
側で反射された射出光を、対物レンズによって光情報記
憶媒体上に集光し、該光情報記憶媒体から反射され前記
対物レンズを通過する信号光を、前記光検出器によって
受光する光ピックアップであって、入射光をその入射方向に応じた所定方向に導く平面光導
波路と、前記レーザ光源からの射出光を反射させ、前記信号光を
前記平面導波路へ入射させるとともに、該平面光導波路
によって前記所定方向に導かれた導波光を前記光検出器
の受光面へ入射させる入射結合器とを、前記光検出器の
受光面に近接配置し、前記入射結合器から前記対物レンズに至る光路中に反射
ミラーを配置したことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】レーザ光源から射出され光検出器の受光面
側で反射された射出光を、コリメートレンズによって略
平行光とし該平行光を対物レンズによって光情報記憶媒
体上に集光し、該光情報記憶媒体から反射され前記対物
レンズおよびコリメートレンズを通過する信号光を、前
記光検出器によって受光する光ピックアップであって、
入射光をその入射方向に応じた所定方向に導く平面光導
波路と、前記レーザ光源からの射出光を反射させ、前記信号光を
前記平面導波路へ入射させるとともに、該平面光導波路
によって前記所定方向に導かれた導波光を前記光検出器
の受光面へ入射させる入射結合器とを、前記光検出器の
受光面に近接配置し、前記入射結合器から前記前記コリメートレンズに至る光
路中に反射ミラーを配置したことを特徴とする光ピック
アップ。
【請求項３】レーザ光源から射出され光検出器の受光面
側で反射された射出光を、対物レンズによって光情報記
憶媒体上に集光し、該光情報記憶媒体から反射され前記
対物レンズを通過する信号光を、前記光検出器によって
受光する光ピックアップであって、入射光をその入射方向に応じた所定方向に導く平面光導
波路と、前記レーザ光源からの射出光を反射させ、前記信号光を
前記平面導波路へ入射させるとともに、該平面光導波路
によって前記所定方向に導かれた導波光を前記光検出器
の受光面へ入射させる入射結合器とを、前記光検出器の
受光面に近接配置し、前記光検出器と前記対物レンズとを同一平面上に配置し
たことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】レーザ光源から射出され光検出器の受光面
側で反射された射出光を、コリメートレンズによって略
平行光とし該平行光を対物レンズによって光情報記憶媒
体上に集光し、該光情報記憶媒体から反射され前記対物
レンズおよびコリメートレンズを通過する信号光を、前
記光検出器によって受光する光ピックアップであって、
入射光をその入射方向に応じた所定方向に導く平面光導
波路と、前記レーザ光源からの射出光を反射させ、前記信号光を
前記平面導波路へ入射させるとともに、該平面光導波路
によって前記所定方向に導かれた導波光を前記光検出器
の受光面へ入射させる入射結合器とを、前記光検出器の
受光面に近接配置し、前記光検出器と前記コリメートレンズとを同一平面上に
配置したことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項５】前記入射結合器から前記対物レンズまたは
前記コリメートレンズに至る光路中に反射ミラーを配置
したことを特徴とする請求項３または請求項４記載の光
ピックアップ。
【請求項６】前記請求項３の対物レンズまたは前記請求
項４のコリメートレンズを平板状のキャップに取付け、該キャップに前記光検出器を取り付けたことを特徴とす
る請求項３または請求項４記載の光ピックアップ。
【請求項７】前記光検出器の基板に前記請求項３の対物
レンズまたは請求項４のコリメートレンズを取り付けた
ことを特徴とする請求項３または請求項４記載の光ピッ
クアップ。
【請求項８】前記入射結合器から前記対物レンズまたは
前記コリメートレンズに至る光路中に反射ミラーを配置
したことを特徴とする請求項５または請求項６記載の光
ピックアップ。
【請求項９】前記反射ミラーを保持するハウジングを有
し、該ハウジングと、前記平板状のキャップまたは前記光検
出器の基板と、前記対物レンズまたはコリメートレンズ
とによって前記ハウジング内を気密構造とし、前記気密
構造内に前記レーザ光源を配置したことを特徴とする請
求項８記載の光ピックアップ。
【請求項１０】請求項１乃至請求項９項記載の光ピック
アップと、前記光ピックアップを機械的に移動させる光ピックアッ
プ駆動装置と、前記光情報記憶媒体を駆動する媒体駆動装置とを具備し
た光情報処理装置。
【請求項１１】前記光ピックアップからの出力を処理す
るシステムコントローラを有し、該システムコントローラによって、前記光ピックアップ
駆動装置と前記媒体駆動装置とを制御することを特徴と
する請求項１０記載の光情報処理装置。
【請求項１２】前記媒体駆動装置に対して、前記光情報
記憶媒体を装填または脱着するローディング機構と、少なくとも前記光ピックアップ、前記光ピックアップ駆
動装置、前記媒体駆動装置、前記ローディング機構を内
包するケースとを具備した請求項１１記載の光情報処理
装置。