JPH06214376A - Copying correcting method for polygonal pattern - Google Patents

Copying correcting method for polygonal pattern

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JPH06214376A
JPH06214376A JP785693A JP785693A JPH06214376A JP H06214376 A JPH06214376 A JP H06214376A JP 785693 A JP785693 A JP 785693A JP 785693 A JP785693 A JP 785693A JP H06214376 A JPH06214376 A JP H06214376A
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JP
Japan
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pattern
copying
reference pattern
mask
correcting
Prior art date
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Application number
JP785693A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Kitamura
正 北村
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Publication of JPH06214376A publication Critical patent/JPH06214376A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve copying correcting accuracy by automatically performing alignment by using a common pattern between a reference pattern and the pattern of a copying correcting spot and correcting copying by using the reference pattern where line width is corrected by the plotting method of a focusing ion beam device. CONSTITUTION:The normal reference pattern corresponding to the pattern to be corrected is searched from the patterns formed on a mask 8, and the contour information of the reference pattern is obtained by an automatic pattern acquisition method, and registered in a computer 13. The picture display of a CRT 14 is restored to the copying correcting position of the mask 8, and the normal acquired reference pattern is superposed on the correcting position of the mask 8. Next, the contour of the normal pattern and the pattern of the mask 8 are accurately aligned according to an automatic correcting alignment method. Then, an area where the line width is corrected is set by an automatic copying correcting area setting means, and the bit map of the area is formed and plotted as a plotting area.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、集束イオンビーム加工
装置を持ったフォトマスクやレチクル等の多角形パター
ンの複写修正方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for copying and correcting a polygonal pattern of a photomask, reticle or the like having a focused ion beam processing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】集束イオンビーム加工装置等から得られ
る参照パターンの画像にノイズ除去等の前処理を行った
後、二値化処理を行い参照パターンのビットマップを取
得する。なお、参照パターンは、マスクの修正するべき
パターンの近傍にある同じ正常なパターン化集束イオン
ビームを走査しながら照射して、その2次荷電粒子を検
出して得られる。
2. Description of the Related Art An image of a reference pattern obtained from a focused ion beam processing apparatus or the like is subjected to preprocessing such as noise removal, and then binarized to obtain a bitmap of the reference pattern. The reference pattern is obtained by scanning and irradiating the same normal patterned focused ion beam in the vicinity of the pattern to be corrected on the mask, and detecting the secondary charged particles.

【0003】この参照パターンを複写位置に手動で指定
し、その場所に描画エリアを設定する。ここで集束イオ
ンビーム加工装置等の描画方法では描画エリアより一定
幅広くパターンが形成されるので、線幅補正として参照
パターンのビットマップを一定画素数縮小処理を行った
ものを描画エリアとする。次に集束イオンビーム加工装
置等の描画装置で描画エリア部分を描画して参照パター
ンを複写修正する。
This reference pattern is manually designated as a copy position, and a drawing area is set at that position. Here, in a drawing method such as a focused ion beam processing apparatus, since a pattern is formed to be wider than the drawing area by a certain amount, a reference area bitmap is subjected to a certain number of pixel reduction processing as the line width correction, and is used as the drawing area. Next, the drawing area is drawn by a drawing device such as a focused ion beam processing device to copy and correct the reference pattern.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記方法では、ビット
マップ処理のため1画素単位での複写修正エリアの設定
しかできず精度的に問題があった。また参照パターンを
複写位置に手動で移動していたので複写位置の精度にも
問題があった。
However, the above method has a problem in accuracy because it can only set the copy correction area in units of one pixel because of the bitmap processing. Further, since the reference pattern was manually moved to the copy position, there was a problem in the accuracy of the copy position.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】参照パターンの画像にノ
イズ除去等の前処理を行なった後、二値化処理を行い参
照パターンのビットマップを得る。このビットマップ上
のパターンの輪郭をトレース方法によって取得する。次
に最小自乗法を用いた切片線形近似による多角形近似を
行って輪郭情報を得る。この参照パターンを複写位置に
手動で指定したのち、参照パターンと複写場所の共通パ
ターンを指定して、自動的に正確な位置合わせを行う。
次に線幅補正として参照パターンの各辺を指定幅平行移
動したパターンを得る。このパターンを用いて描画し複
写修正する。
Means for Solving the Problems After preprocessing such as noise removal is performed on an image of a reference pattern, binarization processing is performed to obtain a bitmap of the reference pattern. The contour of the pattern on this bitmap is acquired by the tracing method. Next, polygonal approximation is performed by intercept linear approximation using the least square method to obtain contour information. After the reference pattern is manually designated as the copy position, a common pattern of the reference pattern and the copy location is designated, and accurate alignment is automatically performed.
Next, as a line width correction, a pattern is obtained in which each side of the reference pattern is translated by a specified width. This pattern is used for drawing and copying and correction.

【0006】[0006]

【作用】参照パターンとマスクの修正部のパターンとの
共通パターンを用いて、それらの自動的に位置合わせを
行い、集束イオンビーム加工装置の加工領域の描画方法
で線幅補正を施した参照パターンを用いて高精度にマス
クパターンを修正することができる。
[Operation] A reference pattern in which the common pattern of the reference pattern and the pattern of the correction portion of the mask is used, their positions are automatically aligned, and the line width is corrected by the drawing method of the processing region of the focused ion beam processing apparatus Can be used to correct the mask pattern with high accuracy.

【0007】[0007]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明に基づく集束イオンビーム
装置の全体構成図を示す。1はイオン源であってイオン
ビーム2を発する。3は走査電極であってX及びY電極
からなり、イオンビーム2の試料であるマスク8上への
照射スポットをXY平面内で所定範囲にわたり走査する
ものである。4は対物レンズであってイオンビーム2の
スポットを被照射物であるマスク8の表面に結像させ
る。5はガス銃であってマスク8の白色欠陥部位に有機
化合物蒸気6を吹き付け、同時にイオンビームを走査し
ながら照射し、遮光性の膜をつけ白色欠陥を修正する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an overall configuration diagram of a focused ion beam apparatus according to the present invention. An ion source 1 emits an ion beam 2. A scanning electrode 3 is composed of X and Y electrodes, and scans an irradiation spot of the ion beam 2 on the mask 8 which is a sample over a predetermined range in the XY plane. An objective lens 4 forms an image of the spot of the ion beam 2 on the surface of the mask 8 which is an irradiation target. A gas gun 5 sprays the organic compound vapor 6 on the white defect portion of the mask 8 and simultaneously irradiates it while scanning the ion beam to attach a light shielding film to correct the white defect.

【0008】また、黒色欠陥部位の修正においては不要
付着部にイオンビーム2を限定的に照射し、スパッタリ
ング除去を行い修正する。9はXYステージであってマ
スク8を載置してXまたはY方向に移動する。10は検
出器であってマスク8の表面からイオンビーム2の照射
によりたたき出された2次イオン7の強度を検出する。
この2次イオン強度の平面分布はマスク8の上に形成さ
れているパターンに対応している。11は、A/D変換
器であって2次イオン強度というアナログ量をデジタル
データに変換する。このデジタルデータはコンピュータ
13に取り込まれて、マスク8のパターン画像が拡大再
生され、CRT14に表示される。12は走査回路であ
ってコンピュータ13よりイオンビーム照射範囲を受け
取り、走査電極3の制御をする。
Further, in the repair of the black defect portion, the unnecessary adhered portion is irradiated with the ion beam 2 in a limited manner, and is removed by the sputtering to correct it. Reference numeral 9 denotes an XY stage on which the mask 8 is placed and which is moved in the X or Y direction. A detector 10 detects the intensity of the secondary ions 7 knocked out from the surface of the mask 8 by the irradiation of the ion beam 2.
The planar distribution of the secondary ion intensity corresponds to the pattern formed on the mask 8. Reference numeral 11 is an A / D converter, which converts an analog amount called secondary ion intensity into digital data. This digital data is taken into the computer 13, the pattern image of the mask 8 is enlarged and reproduced, and displayed on the CRT 14. A scanning circuit 12 receives the ion beam irradiation range from the computer 13 and controls the scanning electrodes 3.

【0009】ここで、マスクのパターンとすでにコンピ
ュータ13に記憶されている基本となるマスクパターン
の参照パターンとの形状を比較し、それらのパターンが
ずれている部分が、パターン修正形状となる。つまりパ
ターン修正形状を求める必要があり、それをパターン複
写と言う。
Here, the shapes of the mask pattern and the reference pattern of the basic mask pattern already stored in the computer 13 are compared, and the portion where these patterns are deviated becomes the pattern correction shape. In other words, it is necessary to find the pattern correction shape, which is called pattern copying.

【0010】実際のパターン複写方法を図2(1)〜
(4)にしたがって説明する。 参照パターンの取得(図1(1)参照) 修正するパターンに対応する正常な参照パターン21を
マスク8上に形成されているパターンから捜し、この参
照パターン21を自動参照パターン取得手法で輪郭情報
を得て、コンピュータ13に登録する。なお、マスク8
に形成されているパターンの形状は、集束イオンビーム
を一定範囲にて照射し、その照射により得られる二次荷
電粒子(二次電子又は二次イオン)を検出器10にて検
出することにより得られる。
An actual pattern copying method is shown in FIG.
It will be described according to (4). Acquisition of Reference Pattern (Refer to FIG. 1 (1)) A normal reference pattern 21 corresponding to the pattern to be corrected is searched for from the pattern formed on the mask 8, and the reference pattern 21 is subjected to contour information acquisition by an automatic reference pattern acquisition method. Obtained and registered in the computer 13. The mask 8
The shape of the pattern formed in is obtained by irradiating a focused ion beam in a certain range and detecting secondary charged particles (secondary electrons or secondary ions) obtained by the irradiation with the detector 10. To be

【0011】手動修正位置合わせ(図2(2)参照) CRT14の画像表示を実際のマスク8の複写修正位置
(パターンを修正すべき位置)へ戻し、前段で取得した
正常な参照パターン21の輪郭をマウスをつかって移動
しマスク8の修正位置に重ね合わせる。マスク8の修正
パターンを図2(2)では番号21aと表す。
Manual correction alignment (see FIG. 2 (2)) The image display of the CRT 14 is returned to the copy correction position (the position where the pattern should be corrected) of the actual mask 8 and the contour of the normal reference pattern 21 obtained in the previous stage. Is moved by using the mouse and overlapped with the corrected position of the mask 8. The correction pattern of the mask 8 is represented by numeral 21a in FIG.

【0012】 自動修正位置合わせ(図2(3)、(4))参照) 修正パターン21aと参照パターン21との位置合わせ
の為に一致させるべきエッヂ部分を入力する。ここで自
動修正位置合わせ手法に従って正常なパターン21の輪
郭とマスク8のパターンとを正確に位置合わせする。
Automatic Correction Positioning (Refer to FIGS. 2 (3) and 2 (4)) Input an edge portion to be matched for position adjustment between the correction pattern 21a and the reference pattern 21. Here, the contour of the normal pattern 21 and the pattern of the mask 8 are accurately aligned according to the automatic correction alignment method.

【0013】複写修正エリア設定(図2(4)参照) オペレータの矩形入力をもとに自動複写修正エリア設定
手法により線幅補正を行ったエリアを設定する。このエ
リアのビットマップを作成し描画エリアとし描画する。
Copy correction area setting (see FIG. 2 (4)) An area for which line width correction has been performed by the automatic copy correction area setting method is set based on a rectangular input by the operator. Create a bitmap of this area and draw it as a drawing area.

【0014】つぎに上記手順のなかで使用する手法につ
いて詳しく説明する。 [A]自動参照パターン取得手法 参照パターン21の画像を二値化処理でビットマップ化
する。このビットマップより参照パターン21の輪郭を
トレースし、図3(a)のように点列21bを求める。
このとき点列21bは右手側にパターン内部を見るよう
に順序付ける。次にRAMERの方法による多角形近似
を行う。図3(b)のAEのようにエッヂ点列の左上と
右下の2頂点を持った多角形を初期値とする。次に区間
AEから最も離れている点Bとその距離、また区間EA
から最も離れている点Fとその距離を求める。もしこれ
らの距離が指定距離より大きい場合は頂点としてと登録
する。これを頂点の登録が行われなくなるまで繰り返
す。
Next, the method used in the above procedure will be described in detail. [A] Automatic reference pattern acquisition method The image of the reference pattern 21 is converted into a bitmap by binarization processing. The contour of the reference pattern 21 is traced from this bitmap to obtain a point sequence 21b as shown in FIG.
At this time, the point sequence 21b is ordered so that the inside of the pattern is seen on the right hand side. Next, polygon approximation is performed by the RAMER method. The initial value is a polygon having two vertices at the upper left and lower right of the edge point sequence as in AE in FIG. Next, the point B farthest from the section AE and its distance, and the section EA
The point F most distant from the point F and its distance are obtained. If these distances are larger than the specified distance, it is registered as a vertex. This is repeated until registration of the vertex is no longer performed.

【0015】次に、図4のようにこの頂点間の全点列2
1bから2次元空間での回帰直線を求め多角形の辺とす
る。ここでマスクパターン等の一般的な形状は直線で作
られているが、角の部分だけ小さなRがあることから、
区間の切れ目の点(頂点)は回帰直線の計算に用いない
ようにし、R部分の影響を受けにくくする。
Next, as shown in FIG. 4, the whole point sequence 2 between the vertices
A regression line in a two-dimensional space is obtained from 1b and is taken as the side of the polygon. Here, a general shape such as a mask pattern is made of straight lines, but since there is a small R only at the corners,
The point (vertex) of the section break is not used in the calculation of the regression line, and is less affected by the R portion.

【0016】さらに近似精度を向上するために、図5に
示すPavlidisの分割融合法による切片線形近似
を用いる。 初期値 初期値の与え方が最終結果に影響することはほとんど無
いが、最適解に近い方が集束が早い。RAMER法の出
力は十分この条件を満たす。
In order to further improve the approximation accuracy, the intercept linear approximation by the Pavlidis division fusion method shown in FIG. 5 is used. Initial value Almost no influence of the initial value on the final result, but the closer to the optimal solution, the faster the focusing. The output of the RAMER method sufficiently satisfies this condition.

【0017】分割処理(図5(i)参照) 画像の性質上誤差をあらかじめ推定できるので、誤差の
平均不偏分散をあらかじめ設定しておき、各区間の平均
不偏分散がその値より大きい場合は平均不偏分散量が一
定値以下になるまで分割する。
Division processing (see FIG. 5 (i)) Since the error can be estimated in advance due to the nature of the image, the average unbiased variance of the error is set in advance, and if the average unbiased variance of each section is larger than that value, the average is calculated. Divide until the amount of unbiased variance is below a certain value.

【0018】融合処理(図5(ii)参照) 分割を行えばいくらでも誤差を減らせるが、そのかわり
輪郭情報の中に誤差が取り込まれる。従って各区間の平
均不偏分散量が一定値以下になる範囲で区間を融合す
る。
Fusion processing (see FIG. 5 (ii)) The error can be reduced by performing division, but instead, the error is incorporated in the contour information. Therefore, the sections are fused in a range in which the average unbiased variance amount of each section is equal to or less than a certain value.

【0019】局所最適化処理(図5(iv)参照) 分割・融合処理は区間数を最適にする。一方局所最適化
処理では区間の切れ目(頂点)の位置を局所最適にす
る。頂点を前後に移動し全区間の不偏分散量の総和を求
め、その値が極小値を与える点を新たな頂点とする。
Local optimization processing (see FIG. 5 (iv)) The division / fusion processing optimizes the number of sections. On the other hand, in the local optimization processing, the position of the break (vertex) of the section is locally optimized. The vertex is moved back and forth to find the sum of the unbiased variances in all sections, and the point at which the value gives the minimum value is taken as the new vertex.

【0020】最適化処理で頂点が移動しなければ終了と
する。さもなければの分割処理から処理を続ける。最
後にこの区間情報から多角形をもとめる。図6のように
トレース点の切れ目としての頂点と両隣の2点の平均の
位置を通り両わきの回帰直線の傾きの平均を持った直線
を引きこの直線と回帰直線との交点を求める多角形の頂
点として登録する。
If the vertex does not move in the optimization process, the process ends. Otherwise, continue the process from the division process. Finally, the polygon is obtained from this section information. As shown in Fig. 6, a polygon that passes through the apex as the break of the trace point and the average position of the two adjacent points on both sides and draws a straight line with the average of the slopes of the regression lines on both sides to find the intersection of this line and the regression line Register as the apex of.

【0021】[B]自動位置合わせ 図7(a)、(b)のように入力矩形を横切る輪郭の辺
とパターンのエッヂを一致させるように輪郭を移動す
る。複数の辺があるときはそれぞれの必要移動量を合成
する。
[B] Automatic Positioning As shown in FIGS. 7A and 7B, the contour is moved so that the edges of the contour crossing the input rectangle coincide with the edges of the pattern. When there are multiple sides, the required movement amounts are combined.

【0022】[C]自動複写修正エリア設定手法 入力矩形と輪郭多角形の各辺から複写修正エリアを認識
する。次に指定された距離だけ複写修正エリアを構成す
る各辺を移動し、複写修正エリアを設定する。 (ア)輪郭多角形の各辺を直線とみなし指定された距離
だけ移動する。次にもとの多角形で隣あっていた辺に対
応した直線の交点を新しい頂点とする。このとき図8の
ように頂点部分に仮装的な片を挿入しておく。
[C] Automatic copy correction area setting method The copy correction area is recognized from each side of the input rectangle and the contour polygon. Next, each side of the copy correction area is moved by the designated distance to set the copy correction area. (A) Each side of the contour polygon is regarded as a straight line and moved by the specified distance. Next, the new vertex is the intersection of the straight lines corresponding to the adjacent sides of the original polygon. At this time, a temporary piece is inserted at the apex portion as shown in FIG.

【0023】(イ)もとの多角形での辺の方向と等しい
か調べる。異なっている場合は途中で辺が交差している
からその交点を求めて方向異常辺を含む部分を削除す
る。 (ウ)修正エリアを設定するために輪郭情報化からビッ
トマップを作成する。このため通常のペイント開始点か
ら閉曲線内をペイントする方法は使えない。そこで図9
の多角形のスキャンコンバージョンの手法でペイントす
る。ただし図10のように縮小処理で消えてしまった多
角形が残る場合がある。このように単純に輪郭を境にペ
イントすべきかどうか判断するのではなくて、辺の方向
と順序でパターンのはじめ終わりを認識しなければなら
ない。
(A) Check whether the direction is the same as the direction of the side of the original polygon. If they are different, the sides intersect in the middle, so the intersection is obtained and the part including the abnormal direction edge is deleted. (C) Create a bitmap from the contour information to set the correction area. Therefore, the usual method of painting the inside of the closed curve from the painting start point cannot be used. Therefore, in FIG.
Paint with the polygon scan conversion method. However, as shown in FIG. 10, a polygon that has disappeared in the reduction process may remain. In this way, it is necessary to recognize the beginning and end of the pattern in the direction and order of the sides, rather than simply determining whether or not to paint with the outline as a boundary.

【0024】(エ)求めた4辺形を単純にビットマップ
化すると図11(a)ように段差が発生し精度上問題が
発生する。段差の前後で±1/2ピクセルのデシタル誤
差(丸め誤差)が発生しているからである。そこで図1
1(b)のように1/2ピクセル4辺形を下側に移動す
るかわりに、ビットマップ全体を1/2ピクセル上へ移
動すれば段差が消える。ここで図11(a)の場合は最
大±1/2ピクセルのデジタル誤差が発生しているが、
図11(b)の場合はそれ以下であることがわかる。修
正精度に関わるのはエッヂの回帰直線部分である。従っ
て図11(b)のようにエッヂの回帰直線上の辺の中央
のデジタル誤差が0になるように各輪郭辺ごとにオフセ
ット量を求めての図11(C)自動複写修正エリア設定
手法移動量の合成に準じて合成してたベクトルをオフセ
ット量とする。
(D) If the obtained quadrilateral is simply bit-mapped, a step occurs as shown in FIG. 11 (a), which causes a problem in accuracy. This is because a ± 1/2 pixel digital error (rounding error) occurs before and after the step. Therefore, Figure 1
Instead of moving the ½ pixel quadrilateral downward as in 1 (b), the step disappears if the entire bitmap is moved up ½ pixel. Here, in the case of FIG. 11A, a maximum ± 1/2 pixel digital error occurs,
It can be seen that it is less than that in the case of FIG. It is the regression line of the edge that affects the correction accuracy. Therefore, as shown in FIG. 11B, the offset amount is calculated for each contour side so that the digital error at the center of the side on the regression line of the edge becomes 0, and the automatic copy correction area setting method movement in FIG. 11C is performed. An offset amount is a vector synthesized according to the amount synthesis.

【0025】[0025]

【発明の効果】本装置での複写修正精度は±1画素以下
で従来の方式より格段の精度向上を達成できた。
The copy correction accuracy of this apparatus is ± 1 pixel or less, and a marked improvement in accuracy can be achieved as compared with the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment.

【図2】パターン複写方法の手順を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a procedure of a pattern copying method.

【図3】RAMERの方法による多角形近似を示す平面
図である。
FIG. 3 is a plan view showing polygonal approximation by the RAMER method.

【図4】回帰直線による多角形近似を示す平面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view showing polygonal approximation by a regression line.

【図5】PAVLIDISの分割融合法を示す平面図で
ある。
FIG. 5 is a plan view showing a split fusion method of PAVLIDIS.

【図6】多角形近似で得られる頂点を示す平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view showing vertices obtained by polygonal approximation.

【図7】自動位置合わせを示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing automatic alignment.

【図8】線幅補正で挿入する仮想的な辺を示す平面図で
ある。
FIG. 8 is a plan view showing a virtual side to be inserted for line width correction.

【図9】スキャンコンバージョン手法でのペイントを示
す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing painting by a scan conversion method.

【図10】縮小処理で消えた多角形を示す平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view showing a polygon disappeared in the reduction processing.

【図11】段差除去処理を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a step removal process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 イオン源 2 イオンビーム 3 走査電極 4 対物レンズ 5 ガス銃 6 有機化合物蒸気 7 2次イオン 8 マスク 9 XYステージ 10 検出器 11 A/D変換器 12 走査回路 13 コンピュータ 14 CRT 1 Ion Source 2 Ion Beam 3 Scanning Electrode 4 Objective Lens 5 Gas Gun 6 Organic Compound Vapor 7 Secondary Ion 8 Mask 9 XY Stage 10 Detector 11 A / D Converter 12 Scanning Circuit 13 Computer 14 CRT

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集束イオンビーム加工装置から得られる
画像から参照パターンの輪郭点列をトレース方法にて取
得し、その輪郭点列を最小自乗法を用いた切片線形近似
による多角形近似により輪郭情報とし、参照パターンと
複写修正場所の共通パターンを用いて自動的に位置合わ
せを行い、集束イオンビーム装置の描画方法で線幅補正
を施した参照パターンを用いて高精度に複写修正する方
法。
1. A contour point sequence of a reference pattern is acquired by a tracing method from an image obtained from a focused ion beam processing apparatus, and the contour point sequence is contour information by polygonal approximation by intercept linear approximation using the least square method. A method of automatically performing alignment using a common pattern of a reference pattern and a copy correction location, and highly accurately performing copy correction using a reference pattern whose line width has been corrected by the drawing method of a focused ion beam apparatus.
JP785693A 1993-01-20 1993-01-20 Copying correcting method for polygonal pattern Pending JPH06214376A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006523865A (en) * 2003-04-14 2006-10-19 フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド Effective proximity effect correction methodology
US7488961B2 (en) 2005-10-31 2009-02-10 Sii Nanotechnology Inc. Charged particle beam irradiation method and charged particle beam apparatus
WO2021205906A1 (en) * 2020-04-08 2021-10-14 日本コントロールシステム株式会社 Mask-information adjusting device, mask-data adjusting method, and program

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