JPH06207293A - 段付ダイインサートおよび段付マイクロ構造体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 段付ダイインサートの簡単な製造方法を提供
する。 【構成】 金属基板上に、交互に非導電性材料および導
電性材料からなる異なる厚さの幾つかの層を設ける。層
堆積物を機械的精密加工によって範囲により異なる深さ
に予備構造化し、レジスト材料で充填し、望ましくは唯
１つの構造化されたマスクを通して照射する。レジスト
層の“現像”後、マイクロ構造中にめっきにより金属を
析出させ、金属のダイインサートをレジスト層から分離
する。 【効果】 該ダイインサートを用いると多段構造を有す
るマイクロ構造体が経済的に製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、段付マイクロ構造体が
製造される段付ダイインサートおよび段付ダイインサー
トの製造方法に関する。

【０００２】本発明は、段付マイクロ構造体を経済的に
製造することを目的とする。

【０００３】

【従来の技術】ＬＩＧＡ法により製造されたマイクロ構
造体は、数１００μｍに達しうる高さでμｍ範囲の横寸
法を有するマイクロ構造を有する。一般に、マイクロ構
造体は平らである、つまりマイクロ構造の横の寸法が全
構造高さにわたって実際に一定である。

【０００４】ヨーロッパ特許第１８４６０８号によれ
ば、２つの範囲に異なる高さを有するカラム状マイクロ
構造を有する物体が製造できる。このため、Ｘ線によっ
てその性質を変えることのできるプラスチック（レジス
ト材料）の層をまず最初に構造化されたマスクを通して
Ｘ線で部分的に照射し、その際レジスト層は全厚がＸ線
により透過される。引き続き、レジスト層を改めて第２
の構造化されたマスクを通してＸ線で部分的に照射し、
その際Ｘ線の透過深さはレジスト層の厚さよりも小さ
く、照射される範囲は最初の照射の場合よりも大きい。
この方法は原則的には、２つ以上の異なる構造高さを有
するマイクロ構造体を製造するのに適当である。それぞ
れの構造高さには、特有の照射工程が必要である。それ
ぞれの照射工程には、高い精度で、既に照射されたレジ
スト層の範囲に対し相対的に位置決めされた別個のマス
クが使用される。これにより、費用はかなり高くなり、
収率は認めうる程度に減少する。

【０００５】ヨーロッパ特許第２５３０６６号には異な
る構造高さを有する範囲を備えるマイクロ構造体の製造
方法が記載されている。レジスト層は、その構造がマイ
クロ構造体の構造に一致する（吸収体構造）唯１つのマ
スクを通して１回照射される（Ｘ線リソグラフィー［Ｒ
ａｅｎｔｇｅｎｔｉｅｆｅｎｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉ
ｅ］）。マスクは、Ｘ線をほとんど完全に吸収する構造
化された層（全吸収層）およびＸ線を部分的に吸収する
にすぎない少なくとも１つの別の構造化された層（部分
吸収層）からなる。レジスト材料は、鮮明な下方限界線
量を有するプラスチック、たとえばポリメチルメタクリ
レートである。部分吸収層には、使用したＸ線の波長範
囲内に異なる吸収能を有する材料が使用される。部分吸
収材料の種類、そのそれぞれの層厚、使用したＸ線のス
ペクトルおよび線量は、マイクロ構造体の所望の異なる
構造高さい同調させねばならない。この方法は、広範な
計算を必要とする。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、まず最初に、
それを用いて段付マイクロ構造体を製造することのでき
る段付ダイインサートを簡単に製造するという課題が生
じる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、請求項１に記載された特徴を有する方法によって解
決される。基板は、導電性材料、望ましくはたとえば
銅、鋼、アルミニウム、チタンのような金属からなる。
導電性プラスチックも適当であり；該プラスチックは場
合によりカーボンブラックまたは導電性繊維が充填され
ている。基板上に、１つまたは幾つかの非導電層が設け
られる。これらの層は、基板またはその下にある層と強
固に付着する化合物を生じる１種または場合により種々
のプラスチックからなる。プラスチックとしては、たと
えばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシフェノ
ール樹脂および他の樹脂が適当であり；層構造には望ま
しくは、その線膨脹係数がほぼ同じ大きさであるような
物質が使用され、この場合層中に僅かな機械的応力しか
生じないし、亀裂は実際に生じない。非導電層は、注
型、接着、型押し、重合による固着または類似の方法に
よって設けられる。

【０００８】非導電層は、１つの層または幾つかの層を
含めて、あとで成形されるマイクロ構造体の所属する段
の高さに一致する厚さを有する。層の厚さは、形成され
るマイクロ構造の安定性およびＬＩＧＡ法で達成しうる
構造高さによって制約され；厚さは横方向の寸法により
約１０００μｍまでに達する。

【０００９】各非導電層上に、たとえば蒸着、接着また
はスパッタリングによるかまたは（導電性プラスチック
の場合）、鋳かけによって導電層（中間層）が設けられ
る。これらの層は、金、銀、チタン、銅、ニッケルのよ
うな金属または導電性プラスチックからなる。これらの
導電性（中間）層の厚さは、一般に数μｍにすぎず；た
いてい非導電層の厚さに対し無視しうるほど小さく；他
の場合にはその厚さはその下にある非導電層の厚さにお
いて考慮される。導電層はあとでのめっきにより金属を
析出させる際のめっき出発層（電極）を形成し、このた
め電気的に接触させるかまたは金属の成長する間自分で
接触する。

【００１０】基板上に設けられた層は、機械的精密加工
法によって予備構造化される。これには穿孔、フライス
削り、レーザー加工、ダイヤモンドカットおよび他の精
密切削法が入る。それぞれの切削された範囲の底は、望
ましくは完全に、導電層の１つによるかまたは導電性基
板によって形成される。切削された範囲は、場合により
幾つかの非導電層および導電層を貫通する。

【００１１】精密加工は、μｍ程度の深さ精度を有す
る。厚さ数μｍの導電性中間層も表面的に若干切削可能
である。むしろ、比較的厚い基板または十分に厚い中間
層は比較的深く穿孔またはフライス削り可能である。導
電層の達成は、たとえば導電層と導電性切削工具の間の
電流回路を閉じることによって自動的にかつ正確に監視
することができる。僅かな深さ精度を有する切削法の場
合には導電層は相応に厚くしなければならない。

【００１２】あとでめっきによる金属の析出には、経験
によれば、それぞれの切削された範囲の底に少なくとも
１つの導電性で外部から接触可能な、めっきによる析出
が始まる“点”が存在すれば十分であり；切削された範
囲の底の縁およびかどは非導電性材料が完全に除去され
ている必要はない。

【００１３】機械的精密加工の後、切削された範囲はレ
ジスト材料で充填され；基板は同じレジスト材料で、あ
とで成形されるマイクロ構造体の全高に一致する厚さに
覆われる。レジスト層の表面は、場合により機械的精密
加工により所望の高さにまで切削される。

【００１４】レジスト材料としては、ポジチブレジス
ト、たとえばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
（たとえばＲｏｅｈｍ社のＰｌｅｘｉｔ６０）またはネ
ガチブレジスト（たとえばヘキスト社のＲａｙ−ＰＮ
（ＡＺ−ＰＮ））が使用される。

【００１５】レジスト層はその全厚が構造化されたマス
ク、望ましくは唯１つの構造化されたマスクを通して、
たとえばＸ線で照射される。Ｘ線としては、望ましくは
たとえば２．３ＧｅＶの電子エネルギーを有する電子シ
ンクロトロンからのシンクロトロン放射線が使用され
る。

【００１６】照射によって、ポジチブレジストは照射さ
れた範囲が可溶性になり、未露光範囲は不溶のままであ
り、ネガチブレジストは未露光範囲が可溶性のままであ
り、照射された範囲が不溶性になる。レジストの溶解性
は、常に、選択された溶解条件における特殊な溶剤
（“現像剤”）の作用に関係する。

【００１７】機械的精密加工によって生じた、基板に設
けられた層の面は、（少なくとも照射方向に対して平行
に延びる面（側壁）では）、ポジチブレジストの場合望
ましくは完全に照射された範囲内にあり；該面はレジス
ト層が不溶性になるかないしは不溶性のままの範囲によ
って覆われる。この機械的に形成された面の特定の凹凸
は、許容しうるかまたは望ましい。しかし、機械的精密
加工によって形成された側壁は部分的に、ポジチブレジ
ストの未照射範囲の外部ないしはネガチブレジストの照
射範囲の外部に存在していてもよい。

【００１８】照射した後、レジスト層の可溶性になった
かまたは可溶性のままの範囲は溶剤（“現像剤”）で溶
解し、除去される。ＰＭＭＡには、たとえばドイツ連邦
共和国特許出願公開第３０３９１１０号によるＧＧ現像
剤が適当であり；ネガチブレジストＡＺ−ＰＮには現像
剤として水酸化アンモニウム溶液が適当である。

【００１９】引き続き、レジスト層の溶出された範囲に
金属をめっきにより析出させる。このためには、ニッケ
ル、銅、金、ニッケルとコバルトまたはニッケルと鉄か
らなる合金その他が適当である。構造が金属で完全に充
填された後、ダイインサートをまとめるためおよび該イ
ンサートをマイクロ構造体のあとで成形するのに十分安
定にするため、他の金属を厚さ数ｍｍまでのつながりの
ある層でめっきにより析出させ；従って金属で充填され
た構造は別の金属で蔽われる。被覆層の厚さにおいて
は、ダイインサートの機械的安定性と金属をめっきによ
り析出させるための所要時間との間の妥協を成立させね
ばならない。

【００２０】めっきにより金属を析出させる場合には、
一般に、電気の接点を導電性基板だけに取付ければ十分
である。その上方にある導電層は、基板上で始まる金属
層が相応する厚さに達したら直ちに、自然に接触する。
導電性（中間）層を別個に接触させる場合、めっきによ
る析出の個所および時点を定めることができる。これは
たとえば、ダイインサートに対しニッケルを析出させる
前に、金、銅または他の金属からなる犠牲層を付加的に
析出させる場合に利用することができる。かかる犠牲層
は、不十分なめっき（Ｕｎｔｅｒｐｌａｔｔｉｅｒｕｎ
ｇ）を減少させるために使用される。

【００２１】必要に応じ、めっきにより析出させたつな
がりのある金属層は機械的に平らに加工される。

【００２２】基板ば、望ましくは機械的に、フライス削
りまたはのこ引きのような切削加工によって切削され
る。場合により、基板は剥取ることもできる。最良なの
は、たとえば放電加工またはエッチングのような加工動
力が出現しない切削法である。種々の切削法の組合せも
適当である。

【００２３】場合により、基板表面の高さにある、めっ
きにより析出した金属の露出範囲が機械的に仕上げられ
る。

【００２４】引き続き、めっきにより析出した金属体中
に残存する、非導電層および導電層の部分が除去され
る。このために、基板を切削した後に露出した層は、た
とえば接着剤を注ぎかけ、該接着剤が硬化した後に剥ぎ
取ることができ、その際除去すべき層の付加部分を金属
構造から一緒に取り除く。他面において、レジスト層の
残存部分は、場合により浸水噴射後に溶出することがで
き、引き続き基板に接着剤を注ぎかけ、該接着剤を硬化
した後に剥ぎ取り、その際除去すべき層の付加部分を金
属構造から一緒に取り除く。さらに、除去すべき層を選
択的に溶出することができ、このためにはさきに使用し
た“現像剤”よりも著しく腐蝕性である溶剤が使用さ
れ；さらにこの場合溶解温度を高めることができる。不
溶または難溶性導電層の下にかくれた非導電層は、場合
により導電性（中間）層の不十分なエッチングによって
露出させることができる。

【００２５】めっきにより析出させた金属構造からすべ
ての物質が除去された後に、完成したダイインサートが
存在する。

【００２６】段付ダイインサートを用いて、公知方法に
よりプラスチックからなる段付マイクロ構造体を成形す
ることができる。成形するためには、ポリメチルメタク
リレート、ポリオキシメチレン、ポリカーボネート、ポ
リアミドのようなプラスチック、たとえばポリフッ化ビ
ニリデン（ＰＶＤＦ）またはポリエーテルエーテルケト
ン（ＰＥＥＫ）のような熱形状安定および／または耐化
学薬品性プラスチックならびに粉末状の焼結材料が適当
であり、その際最後のものは場合により結合剤の添加に
より塑性成形可能にすることができる。これによってつ
くられる、段付ダイインサートのマイクロ構造に対し相
補的なプラスチックまたは焼結材料からなるマイクロ構
造は、公知のようにダイインサートから取り除くことが
でき、それにより段付マイクロ構造体が得られる。段付
ダイインサートは、このようなマイクロ構造体を繰返し
成形するために使用することができる。

【００２７】適当なマイクロ構造、たとえば円錐形に延
びる壁を有するかまたは縦横比の小さい場合、金属のダ
イインサートからは、ダイインサートの構造に対し相補
的な、金属からなるマイクロ構造を成形することができ
る。このためには、たとえば相対的卑金属（たとえば銅
またはニッケル）からなるダイインサート中に、相対的
貴金属（たとえば金または白金）をめっきにより析出さ
せる。

【００２８】相対的貴金属はたんに基板の以前存在して
いた表面の高さにまで析出させることができるか、また
はさらに別の相対的貴金属を十分に厚い層で析出させ、
マイクロ構造を蔽わせることができる。双方の場合に、
たとえばニッケルからなるもとの金属ダイインサートは
化学的または電気化学的に溶出され、その際犠牲にされ
る。この方法には、もとのダイインサートは１回しか使
用することができない。

【００２９】第１の場合には、相対的貴金属（たとえば
金）からなる段付マイクロ構造体が得られる。第２の場
合には、そのマイクロ構造がもとのダイインサートのマ
イクロ構造に対し相補的である段付ダイインサートが得
られ、このものはプラスチックまたは焼結材料からなる
段付マイクロ構造体を繰返し成形するために使用するこ
とができる。

【００３０】本発明方法、それを用いて製造した段付ダ
イインサートおよび成形した段付マイクロ構造体は次の
利点を有する： −段付ダイインサートは、すべての工程の間強固な基板
上で構成されるので、十分に寸法安定である。

【００３１】−段付ダイインサートの製造方法は、欠陥
が起り難くかつ完成したダイインサートにおける廃品の
割合も僅かである。

【００３２】−ダイインサートの製造のために、望まし
くは唯１つの照射マスクが必要であるにすぎず、これに
より費用が抑制される。

【００３３】−ダイインサートの製造のために、望まし
くは唯１回の照射が必要であるにすぎない。レジスト層
は、望ましくは唯１つの工程で構造化され；幾つかの構
造化工程の間に不正適合は生じえない。

【００３４】−あとでの成形の際に存在する、構造化さ
れたレジスト層の表面は、完全にまたは主としてリソグ
ラフィーにより形成され、公知のように極めて僅かな凹
凸の深さを有する。これとは異なり、機械的精密加工に
よって形成された壁は比較的あらくなる。

【００３５】−段付ダイインサートは、中断なしに、め
っきにより金属を析出させることによって製造すること
ができる。

【００３６】−導電性（中間）層は、多段ダイインサー
トの異なる構造高さの場合でも平坦である。

【００３７】−基板上の層堆積物の構造化のためには、
高い再現性および高い寸法安定性を有する、電子制御
の、プログラミング可能な全自動的作業の機械が使用さ
れる。 基板上に、比較的高い導電層で覆われている非導電層を
設ける場合には、一体構造の２段のマイクロ構造体を成
形することのできる、構造化された段付ダイインサート
を得ることができる。基板上に順次に幾つかの導電層
（その間にそれぞれ比較的薄い導電層が存在する）を設
ける場合には、構造化された段付ダイインサートを製造
することができ、それを用いて１体構造の多段のマイク
ロ構造体を成形することができる。段付マイクロ構造体
のそれぞれの構造高さ対しては、導電性（中間）層が設
けられる。

【００３８】

【実施例】本発明を図面につき詳述する。図１は、ポジ
チブレジストを使用する２段のダイインサートの製造工
程を示す。平らなまたは平面に加工された表面を有する
基板１上に、非導電層２および導電層３が設けられる。
機械的精密加工によって、双方の層は基板の表面までの
範囲が切削される。切削された範囲にポジチブレジスト
５ａを充填し、さらにレジスト材料を設ける。つながり
のあるレジスト層の表面は、必要に応じて平らに加工す
ることができる。レジスト層をマスクを通して照射し、
その際光線はレジスト層の全厚を透過する。マスク支持
体６は吸収体構造を備え、その構造は層２および３の機
械的精密加工によってつくられた構造に一致する。図１
ｅには、可溶性になった露光範囲８ａおよび不溶性のま
まの未露光範囲９ａが示されている。図１ｆは、可溶性
になった範囲を溶解した後（現像後）に残留する構造を
断面図で示す。それぞれの範囲の底に導電層を有するこ
の構造中に金属１０をめっきにより析出させる；充填さ
れた構造は同じ金属により十分な厚さの層で覆われる
（図１ｇ）。基板１を切除しならびに非導電層２、導電
層３のなお存在する部分およびレジスト層の未露光部分
を溶解した後、金属からなる２段のダイインサート１０
が生じる（図１ｈ）。

【００３９】図２は、ネガチブレジストを使用する４段
のダイインサートの構造工程を示す。平らなまたは平ら
に加工された表面を有する基板１上に、まず非導電層２
ａを設け、該層を導電層３ａで覆う。引き続き、相応す
る層２ｂ，３ｂ，２ｃおよび３ｃを設け、これによって
層の堆積物が生じる。この６層板の範囲４を機械的精密
加工によって切削し、予備構造化する；それぞれの切削
された範囲の底は導電層または導電性基板によって形成
される。切削された範囲は、１つ、若干またはすべての
非導電層を貫通することができる。切削された範囲はネ
ガチブレジスト５ｂで充填し、さらにレジスト層を設け
る。つながりのあるレジスト層の表面は、必要に応じて
機械的に平らに加工することができる。レジスト層をマ
スクを通して照射し、その際光線はレジスト層の全厚を
透過する。マスク支持体６は吸収体構造を備え、その構
造は層２ａ〜３ｃの機械的精密加工によってつくられた
構造に一致する。図２ｅには、不溶性になった露光範囲
９ｂ、可溶性のままの未露光範囲８ｂが示されている。
図２ｆは、可溶性のままの範囲を溶解した後に残留する
構造を示す。それぞれの範囲の底に導電層を有するこの
構造に、金属１０を電気めっきにより析出させる；充填
された構造は同じ金属により十分な厚さの層で覆われる
（図２ｇ）。基板１を切削しならびに非導電層２ａ〜２
ｃ、導電層３ａ〜３ｃのなお存在する部分およびレジス
ト層の露光部分９ｂを溶解した後に金属からなる４段の
ダイインサート１０が生じる（図２ｈ）。

【００４０】図３は、例として２段のダイインサートの
実際の構成を示す。図３ａには、金属のめっきによる析
出によってつくられたダイインサートが示されている。
金属板はたとえば厚さ１０ｍｍ、長さ約７０ｍｍおよび
幅約３０ｍｍである。該金属板はマイクロ構造体４６個
を同時に成形するために設けられている。ダイインサー
トの部分域の詳細は、図３ｂに拡大断面図で示されてい
る。図３ｂの断面図は図１ｈに一致する。

【００４１】図３ｃには、たとえば図３ａによるダイイ
ンサートから成形されたマイクロ構造体が斜視断面図で
示されている。図４は２段のマイクロ構造体の斜視図を
示す。このマイクロ構造体の主要な寸法はたとえば 板の直径：４ｍｍ 構造体の高さおよび管の長さ：０．５ｍｍ 管の数： ３２個 管の直径：０．２ｍｍ 突出部分の管壁の厚さ：０．０５ｍｍ 図４によるマイクロ構造体は、マイクロ弁として使用す
ることができる。小さい処理量の場合には、弁の寸法を
相応に小さくするのが必要または有利である。マイクロ
弁の作動ストロークは相応に短かく；これがストローク
駆動の大きさおよびマイクロ弁の開閉時間を決める。こ
のようなマイクロ弁板は、唯１つの弁デスクを介して開
閉する多数の並列に接続された単座弁からなる多座弁で
ある。弁座はスペース節約的に配置されている。２段板
の場合、弁座は高所に存在し；これによって内部に配置
された弁から流出する媒体の圧力損失は著しく減少す
る。弁の周囲における流動状態は弁座の距離によって最
適にすることができる。小さい座面を有する多数の個々
の弁座は、閉じる力が与えられている場合弁座にかかる
機械的力は大きいので、弁の良好な密封が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ポジチブレジストを使用する２段のダイインサ
ートの製造工程を説明する断面図。

【図２】ネガチブレジストを使用する４段のダイインサ
ートの製造工程を説明する断面図。

【図３】金属のめっきによる析出によって製造される２
段のダイインサートを示し、ａはその斜視図、ｂはその
部分範囲の詳細の拡大断面図、Ｃはそれから成形された
マイクロ構造体の斜視的断面図。

【図４】２段のマイクロ構造体の斜視図。

【符号の説明】

１ 基板 ２，２ａ，２ｂ，２ｃ 非導電層 ３，３ａ，３ｂ，３ｃ 導電層 ４ 切削範囲 ５ａ ポジチブレジスト ５ｂ ネガチブレジスト ６ マスク支持体 ７ 吸収体構造 ８ａ 露光範囲 ８ｂ 未露光範囲 ９ａ 未露光範囲 ９ｂ 露光範囲 １０ ダイインサート

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 段付マイクロ構造体を成形するのに使用
   される段付ダイインサートの製造方法において、 −導電材料からなる基板上に非導電層を設け、その際非
   導電層の厚さは大体において段の高さに一致し、 −非導電層上に導電層を設け、その際導電層の厚さは非
   導電層の厚さに比べて小さく、 −基板上に設けられた層を機械的精密加工によって予備
   構造化し、その際切削された範囲は導電性基板にまで達
   し、 −切削された範囲を、レジスト材料で充填しかつ基板
   を、あとで成形されるマイクロ構造体の全高に一致する
   厚さに覆い、 −レジスト層を構造化されたマスクを通して照射し、 −レジスト材料の可溶性になるかまたは可溶性のままの
   範囲を溶解し、 −レジスト材料が溶出された範囲に金属をめっきにより
   析出させ、すべての範囲を金属で数ｍｍまでの厚さの層
   に覆い、 −基板を切削し、導電層および非導電層の残存部分を溶
   解し、その際段付ダイインサートが得られることを特徴
   とする段付ダイインサートの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 −非導電層を数回、それぞれ１つの薄い導電層と交互に
   設け、その際それぞれの非導電層の厚さは、単独かまた
   はその上にある１つまたは幾つかの導電層と一緒に１つ
   の段の高さに一致し、 −設けられた層を機械的精密加工によって予備構造化
   し、その際それぞれの切削された範囲は導電層上に終
   り、場合により幾つかの非導電層および導電層を貫通す
   ることを特徴とする方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の方法におい
   て、 −切削された範囲をポジチブレジスト（ネガチブレジス
   ト）で充填し、基板を、あとで成形されるマイクロ構造
   体の全厚に一致する厚さに覆い、 −レジスト層を構造化されたマスクを通して照射し、そ
   の際設けられた層の機械的に加工された壁が望ましくは
   マスクによって陰影をつけられた（陰影をつけられてな
   い）範囲内にあることを特徴とする方法。
4. 【請求項４】 請求項１から３までのいずれか１項記載
   の方法において、 −機械的精密加工によって成形された側壁がたんに部分
   的に、ポジチブ（ネガチブ）レジストの、構造化された
   マスクによって陰影をつけられた（陰影をつけられてな
   い）範囲内にあることを特徴とする方法。
5. 【請求項５】 請求項１から４までのいずれか１項記載
   の方法による段付ダイインサートの成形によって製造さ
   れる段付マイクロ構造体において、 −一体構造体中に少なくとも２つの段を有する、異なる
   形状および異なるまたは同じ高さのマイクロ構造および −マイクロ構造体の全高に対して、ほとんど飛躍的に変
   わる横方向の寸法を有することを特徴とする段付マイク
   ロ構造体。
6. 【請求項６】 請求項１から４までのいずれか１項記載
   の方法による段付ダイインサートの成形によって製造さ
   れるプラスチック、セラミックまたは焼結材料からなる
   段付マイクロ構造体において、 −マイクロ構造体をダイインサートから取除き、 −ダイインサートは成形するために繰返し利用する、請
   求項５記載の段付マイクロ構造体。
7. 【請求項７】 請求項１から４までのいずれか１項記載
   の方法による段付ダイインサートのめっきによる成形に
   よって製造される、金属からなる段付マイクロ構造体に
   おいて、 −ダイインサートを、成形した後に溶解し、金属のマイ
   クロ構造体を得る、請求項５記載の段付マイクロ構造
   体。