JPH06207036A - Polystyrene film - Google Patents

Polystyrene film

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JPH06207036A
JPH06207036A JP5004157A JP415793A JPH06207036A JP H06207036 A JPH06207036 A JP H06207036A JP 5004157 A JP5004157 A JP 5004157A JP 415793 A JP415793 A JP 415793A JP H06207036 A JPH06207036 A JP H06207036A
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film
polystyrene
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thin film
polymer
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尚伸 小田
Tomonori Yoshinaga
知則 吉永
Masayuki Imai
正幸 今井
Tadashi Okudaira
正 奥平
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Toyobo Co Ltd
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Toyobo Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a polystyrene film which has a thin layer of, e.g., metal or metal oxide on the surface of the base film and is thermally stable without causing heat shrinkage even at high temperature, excellent in traveling characteristics and abrasion resistance, and free from the occurrence of scrapings on the surface of the thin layer in traveling. CONSTITUTION:The film has a base film made of a resin composition containing a syndiotactic polystyrene polymer and has a thin layer provided at least on one side of the base film. The heat shrinkage of the title film at 200 deg.C is at most 3%; the surface of the thin layer is substantially free from projections of 1mum or greater; and the three-dimensional surface roughness SDELTAa of the thin layer is 0.004 to 0.04.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属、金属酸化物など
の薄膜を表面に有するポリスチレン系フィルムに関し、
より詳しくは、熱安定性に優れ、長尺状の該フィルムを
巻取りなどにより走行させたときに走行性が良好であ
り、かつ耐摩耗性が充分であるため、薄膜層の表面にフ
ィルムの削れ粉が生じないポリスチレン系フィルムに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polystyrene film having a thin film of metal, metal oxide, etc. on its surface.
More specifically, it is excellent in thermal stability, has good running properties when running the long film by winding, etc., and has sufficient abrasion resistance. The present invention relates to a polystyrene film that does not generate shavings.

【0002】[0002]

【従来の技術】ポリスチレン系フィルムの表面に金属や
金属酸化物の薄膜が形成された積層フィルムが、各種工
業用フィルム、包装用フィルム、磁気テープ用フィルム
などとして使用されている。このような積層フィルムの
ベースフィルムとなるポリスチレン系フィルムは、機械
特性、耐薬品性、誘電損失、誘電率などの電気特性、透
明性などに優れていることが望ましい。最近、シンジオ
タクチック構造を有するポリスチレン系重合体が、結晶
性、熱安定性および耐溶剤性に優れた素材であることが
明らかにされ(特公平3−7685号公報)、特開平1
−110122号公報、特開平1−168709号公
報、特開平1−182346号公報、特開平2−279
731号公報、特開平3−74437号公報、特開平3
−109453号公報、特開平3−99828号公報、
特開平3−124427号公報および特開平3−131
644号公報には、シンジオタクチック構造を有するポ
リスチレン系重合体を用いた延伸フィルムが開示されて
いる。これらのフィルムは、それ自身で各種工業用およ
び包装用フィルムとして用いられ得、さらに、特開平2
−143851号公報には、上記の延伸フィルム上に金
属薄膜層を設けたフィルムが開示されている。
2. Description of the Related Art A laminated film having a metal or metal oxide thin film formed on the surface of a polystyrene film is used as various industrial films, packaging films, magnetic tape films and the like. It is desirable that the polystyrene film serving as the base film of such a laminated film is excellent in mechanical properties, chemical resistance, electrical properties such as dielectric loss and dielectric constant, and transparency. Recently, it was revealed that a polystyrene polymer having a syndiotactic structure is a material having excellent crystallinity, thermal stability and solvent resistance (Japanese Patent Publication No. 3-7685).
-110122, JP 1-168709 A, JP 1-182346 A, JP 2-279 A.
No. 731, No. 3-74437, No. 3
-109453, JP-A-3-99828,
JP-A-3-124427 and JP-A-3-131
Japanese Patent No. 644 discloses a stretched film using a polystyrene polymer having a syndiotactic structure. These films can be used by themselves as various industrial and packaging films, and further, they are disclosed in JP-A-Hei-2.
Japanese Patent Publication No. 143851 discloses a film in which a metal thin film layer is provided on the above stretched film.

【0003】一般に、フィルム上に、蒸着、スパッタリ
ングなどにより、金属や金属酸化物の薄膜層を設ける場
合には、該フィルムには、高温においても熱収縮しない
ような特性が要求される。シンジオタクチック構造を有
するポリスチレン系のフィルムが、高温においても熱収
縮しないような特性を有するためには、該フィルムの調
製時に高温下で比較的長時間熱固定することが必要であ
る。しかし、シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系のフィルムは脆くかつ削れが発生しやすい上に、
高温下での長時間の熱固定により、製膜時または蒸着時
の操作を行うときににさらにフィルムの削れが発生しや
すくなる。その結果、削れにより生じたフィルムの粉が
フィルムの種々の特性を悪化させる。例えば、ガスバリ
アーフィルムの場合には、ガスバリアー性が低くなり、
磁気テープの場合にはドロップアウト(信号の欠落)が
生じ、、コンデンサ用のフィルムの場合には絶縁破壊を
生じる。
Generally, when a thin film layer of a metal or a metal oxide is provided on a film by vapor deposition, sputtering or the like, the film is required to have a property that it does not shrink even at a high temperature. In order for the polystyrene-based film having a syndiotactic structure to have the property that it does not shrink even at high temperatures, it is necessary to heat-set it at a high temperature for a relatively long time during the preparation of the film. However, a polystyrene film having a syndiotactic structure is fragile and easily scraped, and
The heat setting for a long time at a high temperature makes it easier for the film to be scraped during the operation during film formation or vapor deposition. As a result, the film dust generated by the scraping deteriorates various characteristics of the film. For example, in the case of a gas barrier film, the gas barrier property becomes low,
In the case of a magnetic tape, dropout (loss of signal) occurs, and in the case of a film for capacitors, dielectric breakdown occurs.

【0004】さらに、一般に、長尺状のフィルムの巻取
り時などにおける走行性を良好にするために、有機もし
くは無機の微粒子を添加したポリマーを用いてフィルム
を形成し、表面に突起が形成されたフィルムを得ること
が知られている。しかし、このフィルムは、その突起が
大きいと、その突起自身がフィルムの特性を悪化させ、
かつフィルムの走行時にその突起が削れ、発生した粉末
がさらにフィルムの特性を悪化させる。
Further, in general, in order to improve the running property when winding a long film, a film is formed by using a polymer to which organic or inorganic fine particles are added, and projections are formed on the surface. It is known to get a good film. However, in this film, when the projections are large, the projections themselves deteriorate the characteristics of the film,
Moreover, the projections are scraped off when the film is running, and the generated powder further deteriorates the properties of the film.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点を
解決しようとするもので、その目的は、ポリスチレン系
のベースフィルム表面に金属、金属酸化物などの薄膜で
なる層を有するポリスチレン系フィルムであって、高温
下でも熱収縮がなく、かつ走行性および耐摩耗性が良好
であり、ベースフィルムまたは薄膜層が走行時において
摩擦により削れ粉を生じることのないポリスチレン系フ
ィルムを提供することにある。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a polystyrene-based base film having a polystyrene layer having a thin film layer of metal, metal oxide or the like. To provide a polystyrene film which is a film, has no heat shrinkage even at high temperature, has good running property and abrasion resistance, and does not generate abrasion powder due to friction when the base film or thin film layer is running. It is in.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明のポリスチレン系
フィルムは、シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系重合体を含有する樹脂組成物からなるベースフィ
ルムと、該ベースフィルムの少なくとも一表面上に設け
られた薄膜層とを含有するポリスチレン系フィルムであ
って;該ポリスチレン系フィルムの200℃における熱
収縮率が、3%以下であり;該ポリスチレン系フィルム
の薄膜層の表面に実質的に1μm以上の突起がなく;か
つ該ポリスチレン系フィルムの薄膜層の三次元表面粗さ
S△aが0.004〜0.04であり、そのことにより
上記課題が達成される。
A polystyrene film of the present invention is provided on at least one surface of a base film made of a resin composition containing a polystyrene polymer having a syndiotactic structure. A polystyrene-based film containing a thin film layer, wherein the polystyrene-based film has a heat shrinkage ratio at 200 ° C. of 3% or less; and a protrusion of substantially 1 μm or more on the surface of the thin-film layer of the polystyrene-based film. And the three-dimensional surface roughness SΔa of the thin film layer of the polystyrene-based film is 0.004 to 0.04, which achieves the above object.

【0007】次に本発明を詳細に説明する。Next, the present invention will be described in detail.

【0008】本発明のポリスチレン系フィルムは、ベー
スフィルムと、該ベースフィルムの少なくとも一表面上
に設けられた薄膜層とを含有する。
The polystyrene film of the present invention comprises a base film and a thin film layer provided on at least one surface of the base film.

【0009】上記ベースフィルムは、シンジオタクチッ
ク構造を有するポリスチレン系重合体を含有する樹脂組
成物からなる。ここでシンジオタクチック構造とは、そ
の分子構造が、主鎖の炭素原子の一つおきに不斉炭素原
子が存在し、該不斉炭素原子に対して、置換基が交互に
d型とl型で結合しているような立体構造をさしてい
う。本発明に用いられるシンジオタクチック構造を有す
るポリスチレン系重合体とは、主鎖の炭素原子の一つお
きに存在する不斉炭素原子に対して、フェニル基または
置換フェニル基が交互にd型とl型に配置されている、
ポリスチレン系重合体である。一般にポリスチレン系重
合体は、透明性は高いが、熱安定性および耐薬品性が悪
い。しかし、シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系重合体は、熱安定性および耐薬品性に優れ、さら
に透明性が高い。
The base film is made of a resin composition containing a polystyrene polymer having a syndiotactic structure. Here, the syndiotactic structure has a molecular structure in which an asymmetric carbon atom is present at every other carbon atom of the main chain, and the substituents are alternately d-type and l-type to the asymmetric carbon atom. It refers to a three-dimensional structure that is connected by a pattern. The polystyrene-based polymer having a syndiotactic structure used in the present invention means that a phenyl group or a substituted phenyl group is alternately d-type with respect to an asymmetric carbon atom existing in every other carbon atom of the main chain. It is arranged in l-type,
It is a polystyrene polymer. Generally, polystyrene polymers have high transparency, but poor thermal stability and chemical resistance. However, the polystyrene polymer having a syndiotactic structure is excellent in thermal stability and chemical resistance, and has high transparency.

【0010】上記シンジオタクチック構造を有するポリ
スチレン系重合体は、側鎖であるフェニル基または置換
フェニル基の、核磁気共鳴法により測定されるタクティ
シティが、上記ポリスチレン系重合体がダイアット(ポ
リスチレン系重合体を構成する単位が2種)の場合は8
5%以上、該ポリスチレン系重合体がペンタット(ポリ
スチレン系重合体を構成する単位が5種)の場合は50
%以上であることが好ましい。
In the polystyrene polymer having the syndiotactic structure, the tacticity of the side chain phenyl group or substituted phenyl group measured by the nuclear magnetic resonance method is 8 if the unit of the polymer is 2)
5% or more, 50 when the polystyrene-based polymer is pentat (5 types of units constituting the polystyrene-based polymer)
% Or more is preferable.

【0011】上記ポリスチレン系重合体としては、ポリ
スチレン;ポリ(p−、m−またはo−メチルスチレ
ン)、ポリ(2,4−、2,5−、3,4−または3,
5−ジメチルスチレン)、ポリ(p−tert−ブチル
スチレン)等のポリ(アルキルスチレン);ポリ(p
−、m−またはo−クロロスチレン)、ポリ(p−、m
−またはo−ブロモスチレン)、ポリ(p−、m−また
はo−フルオロスチレン)、ポリ(o−メチル−p−フ
ルオロスチレン)等のポリ(ハロゲン化スチレン);ポ
リ(p−、m−またはo−クロロメチルスチレン)等の
ポリ(ハロゲン化アルキルスチレン);ポリ(p−、m
−またはo−メトキシスチレン)、ポリ(p−、m−ま
たはo−エトキシスチレン)等のポリ(アルキコキシス
チレン);ポリ(p−、m−またはo−カルボキシメチ
ルスチレン)等のポリ(カルボキシアルキルスチレ
ン);ポリ(p−ビニルベンジルプロピルエーテル)等
のポリ(アルキルエーテルスチレン);ポリ(p−トリ
メチルシリルスチレン)等のポリ(アルキルシリルスチ
レン);ポリ(ビニルベンジルジメトキシホスファイ
ト)等が挙げられる。中でも、ポリスチレンが特に好ま
しい。さらに、上記ポリスチレン系重合体は、単独で
も、あるいは2種以上が含有されていてもよい。さら
に、上記ポリスチレン系重合体が、上記範囲のタクティ
シティを有するシンジオタクチック構造であれば、アタ
クチック構造またはアイソタクチック構造のポリスチレ
ン系重合体との混合物、共重合体またはそれらの混合物
であってもよい。ここで、アタクチック構造とは、その
分子構造が、主鎖の炭素原子の一つおきに存在する不斉
炭素原子に対して、置換基がd型とl型にランダムに配
置されている立体構造である。アイソタクチック構造と
は、その分子構造が、主鎖の炭素原子の一つおきに存在
する不斉炭素原子に対して、置換基がd型のみまたはl
型のみに配置されている立体構造である。
Examples of the polystyrene-based polymer include polystyrene; poly (p-, m- or o-methylstyrene), poly (2,4-, 2,5-, 3,4- or 3,
5-dimethylstyrene), poly (p-tert-butylstyrene), and other poly (alkylstyrenes); poly (p
-, M- or o-chlorostyrene), poly (p-, m
-Or o-bromostyrene), poly (p-, m- or o-fluorostyrene), poly (o-methyl-p-fluorostyrene) and the like poly (halogenated styrene); poly (p-, m-or poly (halogenated alkylstyrene) such as o-chloromethylstyrene); poly (p-, m
-Or o-methoxystyrene), poly (p-, m- or o-ethoxystyrene) and other poly (alkoxystyrene); poly (p-, m- or o-carboxymethylstyrene) and other poly (carboxy) Alkyl styrene); poly (alkyl ether styrene) such as poly (p-vinylbenzyl propyl ether); poly (alkyl silyl styrene) such as poly (p-trimethylsilyl styrene); poly (vinyl benzyl dimethoxyphosphite) and the like. . Of these, polystyrene is particularly preferable. Furthermore, the polystyrene-based polymer may be used alone or in combination of two or more kinds. Furthermore, if the polystyrene polymer is a syndiotactic structure having a tacticity in the above range, a mixture with a polystyrene polymer having an atactic structure or an isotactic structure, a copolymer or a mixture thereof, Good. Here, the atactic structure is a three-dimensional structure in which the molecular structure is such that substituents are randomly arranged in d-type and l-type with respect to asymmetric carbon atoms present in every other carbon atom of the main chain. Is. The isotactic structure means that the molecular structure is such that the substituents are only d-type or l with respect to an asymmetric carbon atom existing in every other carbon atom of the main chain.
It is a three-dimensional structure arranged only in the mold.

【0012】上記ポリスチレン系重合体の重量平均分子
量は、好ましくは、10000以上、より好ましくは5
0000以上である。上記ポリスチレン系重合体の重量
平均分子量が10000未満の場合、強伸度特性および
熱安定性を有するフィルムを得ることができない恐れが
ある。該重量平均分子量の上限は、特に限定されない
が、1500000以上の場合、得られるフィルムが、
延伸張力の増大に伴い、破断する恐れがあるので好まし
くない。
The weight average molecular weight of the polystyrene polymer is preferably 10,000 or more, more preferably 5 or more.
It is 0000 or more. If the polystyrene-based polymer has a weight average molecular weight of less than 10,000, it may not be possible to obtain a film having strong elongation properties and thermal stability. The upper limit of the weight average molecular weight is not particularly limited, but when it is 1500000 or more, the obtained film is
It is not preferable because there is a risk of breakage as the stretching tension increases.

【0013】上記ポリスチレン系重合体を含有する樹脂
組成物には、得られるポリスチレン系フィルムの表面に
滑り性を付与するために、上記ポリスチレン系重合体に
加えて不活性な粒子が含有されていてもよい。この不活
性な粒子は有機粒子であっても無機粒子であってもよ
い。無機不活性粒子の素材としては、シリカ、二酸化チ
タン、タルク、カオリナイト等の金属酸化物;炭酸カル
シウム、リン酸カルシウム、硫酸バリウム等の金属の塩
が挙げられる。有機不活性粒子の素材としては、架橋ポ
リスチレン樹脂、架橋アクリル樹脂、ベンゾグアナミン
樹脂、シリコン樹脂、および架橋ポリエステル樹脂等の
ポリマーが挙げられる。これらの不活性粒子は単独ある
いは2種以上が含有されていてもよい。
The resin composition containing the polystyrene-based polymer contains inert particles in addition to the polystyrene-based polymer in order to impart slipperiness to the surface of the obtained polystyrene-based film. Good. The inert particles may be organic particles or inorganic particles. Examples of the material of the inorganic inert particles include metal oxides such as silica, titanium dioxide, talc, and kaolinite; salts of metals such as calcium carbonate, calcium phosphate, and barium sulfate. Examples of the material of the organic inert particles include polymers such as crosslinked polystyrene resin, crosslinked acrylic resin, benzoguanamine resin, silicone resin, and crosslinked polyester resin. These inert particles may be contained alone or in combination of two or more kinds.

【0014】上記不活性粒子の平均粒径は0.01〜
3.5μmが好ましい。さらに、上記不活性粒子の粒径
のバラツキ度は25%以下が好ましい。ここで、粒径の
バラツキ度とは、粒径の標準偏差/平均粒径で表される
ものである。さらに上記不活性粒子の含有量は、ポリス
チレン系重合体100重量部に対して0.005〜2.
0重量部が好ましく、特に0.005〜1.0重量部で
あることが好ましい。さらに、上記不活性粒子の形状
は、下記式で表される面積形状係数が60%以上である
ような不活性粒子が少なくとも1種含有されていること
が、得られるフィルムの走行性の点から好ましい。ただ
し、本発明のフィルムをコンデンサ用に使用する場合に
は、絶縁破壊特性の点から、下記式で表される面積形状
係数が80%以下であるような不活性粒子が含有される
ことが好ましい。
The average particle size of the inert particles is 0.01 to
3.5 μm is preferable. Further, the degree of variation in particle size of the inert particles is preferably 25% or less. Here, the variation degree of the particle diameter is expressed by the standard deviation of the particle diameter / the average particle diameter. Furthermore, the content of the above-mentioned inert particles is 0.005 to 2.
0 parts by weight is preferable, and 0.005 to 1.0 parts by weight is particularly preferable. Further, the shape of the above-mentioned inert particles is that at least one kind of the inert particles having an area shape factor represented by the following formula is 60% or more is contained from the viewpoint of running property of the obtained film. preferable. However, when the film of the present invention is used for a capacitor, it is preferable to contain inert particles having an area shape factor represented by the following formula of 80% or less from the viewpoint of dielectric breakdown characteristics. .

【0015】[0015]

【数1】 [Equation 1]

【0016】上記ポリスチレン系重合体を含有する樹脂
組成物には、必要に応じて、公知の酸化防止剤、帯電防
止剤等の添加剤が含有されていてもよい。該添加剤の含
有量は、上記ポリスチレン系重合体100重量部に対し
て10重量部以下であることが好ましい。該添加剤の含
有量が10重量部を超える場合には、上記ポリスチレン
系重合体を含有する樹脂組成物からなる未延伸フィルム
を延伸する際に破断する恐れがある。
If desired, the resin composition containing the polystyrene polymer may contain known additives such as antioxidants and antistatic agents. The content of the additive is preferably 10 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polystyrene polymer. If the content of the additive is more than 10 parts by weight, there is a risk that the unstretched film made of the resin composition containing the polystyrene-based polymer may be broken during stretching.

【0017】本発明のポリスチレン系フィルムは、上記
ベースフィルムの少なくとも一表面上に金属および/ま
たは金属酸化物の薄膜層を有する。
The polystyrene film of the present invention has a thin film layer of metal and / or metal oxide on at least one surface of the base film.

【0018】上記薄膜層の素材は特に限定されず、得ら
れるポリスチレン系フィルムの用途によって決められ
る。例えば、磁気記録媒体用には、上記薄膜層の素材
は、Co、Ni、Cr、Feおよびこれらの合金または
これらの金属の酸化物が挙げられ、コンデンサ用には、
上記薄膜層の素材は、Al、Zn等の金属が挙げられ、
さらに透明導電フィルム用には、上記薄膜層の素材は、
酸化インジウム、酸化錫、金等が挙げられる。
The material of the thin film layer is not particularly limited and is determined depending on the use of the polystyrene film obtained. For example, for magnetic recording media, the material of the thin film layer includes Co, Ni, Cr, Fe and alloys thereof or oxides of these metals, and for capacitors,
Examples of the material of the thin film layer include metals such as Al and Zn,
Further for transparent conductive film, the material of the thin film layer,
Examples thereof include indium oxide, tin oxide and gold.

【0019】本発明のポリスチレン系フィルムにおいて
は、必要に応じて、上記ベースフィルムと薄膜層の間ま
たは上記薄膜層が設けられていないベースフィルム面上
に、公知の各種機能、例えば、静電防止性、易接着性、
走行易滑性、または走行耐擦傷性を付与し得るコーティ
ング層等を設けることができる。このようなコーティン
グ層を形成するには、例えば、フィルムの製膜中にイン
ラインコーティング方式により形成する方法、フィルム
の延伸および熱固定が終了した後にオフラインコーティ
ング方式により形成する方法が採用される。
In the polystyrene film of the present invention, if necessary, various known functions such as antistatic can be provided between the base film and the thin film layer or on the surface of the base film on which the thin film layer is not provided. , Easy adhesion,
It is possible to provide a coating layer or the like capable of imparting easy sliding property or abrasion resistance during traveling. In order to form such a coating layer, for example, a method of forming by an in-line coating method during film formation, or a method of forming by an off-line coating method after stretching and heat setting of the film are adopted.

【0020】本発明のポリスチレン系フィルムを製造す
る方法は特に制限されず、任意の方法が採用され得る
が、例えば以下の製造方法がある。まず上記シンジオタ
クチック構造を有するポリスチレン系重合体を用いてベ
ースフィルムの調製を行う。ベースフィルム調製時に
は、フィルム表面に突起を形成させるために上記不活性
粒子を添加することが推奨される。ベースフィルムは、
例えば常法により、縦および横方向に2軸延伸して形成
される。縦延伸および横延伸を順に行う逐次延伸方法の
ほか、横・縦・縦延伸法、縦・横・縦延伸法、縦・縦・
横延伸法のような延伸方法が採用される。ポリスチレン
フィルムを2軸延伸した後、テンター中で熱処理を行
う。熱処理後には、横方向および縦方向に緩和処理を行
ってもよい。
The method for producing the polystyrene film of the present invention is not particularly limited, and any method can be adopted. For example, there are the following production methods. First, a base film is prepared using the polystyrene polymer having the syndiotactic structure. At the time of preparing the base film, it is recommended to add the above-mentioned inert particles in order to form protrusions on the film surface. The base film is
For example, it is formed by biaxial stretching in the longitudinal and transverse directions by a conventional method. In addition to the sequential stretching method in which longitudinal stretching and transverse stretching are performed in order, transverse / longitudinal / longitudinal stretching method, longitudinal / lateral / longitudinal stretching method, longitudinal / longitudinal stretching method
A stretching method such as a transverse stretching method is adopted. After biaxially stretching the polystyrene film, heat treatment is performed in a tenter. After the heat treatment, relaxation treatment may be performed in the horizontal direction and the vertical direction.

【0021】本発明のポリスチレン系フィルムは、高温
における熱安定性の優れたフィルムを要求されることが
ある。その場合には、上記ベースフィルムの調製時にお
ける延伸方法のほかに、延伸の条件が高温における熱安
定性に大きく影響する。特に200℃の熱収縮率が3%
以下というような、優れた熱安定性を有するためには、
熱固定処理を冷結晶化温度から融点、好ましくは200
℃から融点の範囲で行い、縦弛緩処理および横弛緩処理
をガラス転移点から熱セット温度、好ましくは150℃
からセット温度の範囲で行うことが望ましい。次いで、
上記のようにして得られたベースフィルム上に薄膜層を
形成する。薄膜層を形成する方法は、形成されるべき薄
膜の種類により異なり、真空蒸着法、イオンプレーティ
ング法、スパッタリング法、プラズマ蒸着法、メッキ
法、コーティング法、フィルムのラミネーションなどが
ある。例えば、金属、金属酸化物などの薄膜は真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラ
ズマ蒸着法などにより好適に形成され得る。
The polystyrene film of the present invention may be required to have excellent heat stability at high temperatures. In that case, in addition to the stretching method at the time of preparing the base film, the stretching conditions greatly affect the thermal stability at high temperatures. Especially, the heat shrinkage at 200 ℃ is 3%
In order to have excellent thermal stability, such as
The heat setting treatment is performed from the cold crystallization temperature to the melting point, preferably 200.
Performed in the range of ℃ to melting point, longitudinal relaxation treatment and transverse relaxation treatment from the glass transition point to heat setting temperature, preferably 150 ° C.
It is desirable to carry out in the range of to set temperature. Then
A thin film layer is formed on the base film obtained as described above. The method for forming the thin film layer depends on the type of thin film to be formed, and includes a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, a plasma vapor deposition method, a plating method, a coating method, a film lamination method, and the like. For example, a thin film of metal, metal oxide, etc. can be suitably formed by a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, a plasma vapor deposition method, or the like.

【0022】ベースフィルムを製膜する際の熱固定処
理、弛緩処理および延伸処理条件ならびに不活性粒子の
種類、添加量、平均粒径、バラツキ度および形状によ
り、本発明のポリスチレン系フィルムの薄膜層表面の三
次元表面粗さS△aが0.004〜0.04であり、実
質的に1μm以上の突起がなく、そして、熱安定性に優
れたフィルムが得られる。
The thin film layer of the polystyrene film of the present invention depends on the heat setting treatment, relaxation treatment and stretching treatment conditions when forming the base film, and the type, addition amount, average particle diameter, degree of variation and shape of the inert particles. A film having a three-dimensional surface roughness SΔa of 0.004 to 0.04, substantially no protrusions of 1 μm or more, and excellent thermal stability can be obtained.

【0023】このようにして得られるポリスチレン系フ
ィルムの200℃における熱収縮率は、3%以下、好ま
しくは2%以下、さらに好ましくは1%以下である。2
00℃における熱収縮率が3%を越えると、薄膜層を例
えば、蒸着またはスパッタリング法で形成させる際にし
わが生じたり形成される薄膜の平面性が悪化するために
好ましくない。ここで、熱収縮率を下げるために高温に
フィルムを長時間さらすと脆さが増して耐摩耗性が不良
になるため、縦延伸処理後に緩和処理を行うこと、熱固
定温度および時間を一定範囲に保つこと、さらに必要に
応じて熱固定処理後に横および/または縦弛緩処理をす
ることが好ましい。ここで、縦延伸後の縦弛緩処理は延
伸温度以上融点未満の温度で、縦弛緩処理後のフィルム
の150℃の収縮率が5%以下になるように弛緩処理
し、熱固定処理は220℃以上融点未満の温度で30秒
以内、好ましくは10秒以内で行い、横および縦方向の
弛緩処理は熱固定処理の最高温度以下で平面性が乱れな
い程度に弛緩処理することが好ましい。
The heat shrinkage of the polystyrene film thus obtained at 200 ° C. is 3% or less, preferably 2% or less, more preferably 1% or less. Two
When the heat shrinkage ratio at 00 ° C. exceeds 3%, wrinkles are generated when the thin film layer is formed by, for example, vapor deposition or sputtering, and the flatness of the formed thin film is deteriorated, which is not preferable. Here, if the film is exposed to a high temperature for a long time in order to reduce the heat shrinkage rate, the brittleness increases and the abrasion resistance becomes poor. Therefore, a relaxation treatment should be performed after the longitudinal stretching treatment, and the heat setting temperature and time should be within a certain range. It is preferable to keep the temperature at 0.degree. C., and if necessary, perform lateral and / or longitudinal relaxation treatment after heat setting treatment. Here, the longitudinal relaxation treatment after the longitudinal stretching is performed at a temperature equal to or higher than the stretching temperature and lower than the melting point so that the shrinkage rate of the film after the longitudinal relaxation treatment at 150 ° C. is 5% or less, and the heat setting treatment is 220 ° C. It is preferable to perform the treatment at a temperature below the melting point within 30 seconds, preferably within 10 seconds, and the relaxation treatment in the lateral and longitudinal directions is preferably performed at a temperature not higher than the maximum temperature of the heat setting treatment so that the flatness is not disturbed.

【0024】このようにして形成された本発明のポリス
チレン系フィルムは、上記のように、その表面に実質的
に1μm以上の突起がない。1μm以上の突起があると
突起自身がキズ、ピンホール等の欠点となり、またフィ
ルムの走行時に突起がフィルムから脱落し、発生した粉
が薄膜のキズ、ピンホール等の原因となる。
As described above, the polystyrene film of the present invention thus formed has substantially no protrusions of 1 μm or more on its surface. If there are protrusions of 1 μm or more, the protrusions themselves become defects such as scratches and pinholes, and the protrusions fall off from the film when the film is running, and the generated powder causes scratches and pinholes in the thin film.

【0025】本発明のポリスチレン系フィルムの少なく
とも片面の三次元表面粗さS△aは、上記のように、
0.004〜0.04の範囲内にある。S△aが0.0
04より小さいと長尺状のフィルムを走行させたときに
摩擦が大きくなり、走行性が不良となる。ロールなどと
の接触により摩擦が大きくなるため削れが発生する。S
△aが0.04を越えると耐摩擦性が低下するため同じ
力が加わっても削れが発生し、その削れた粉によりフィ
ルムに傷が生じるため好ましくない。
The three-dimensional surface roughness SΔa of at least one surface of the polystyrene film of the present invention is as described above.
It is in the range of 0.004 to 0.04. SΔa is 0.0
If it is less than 04, friction increases when running a long film, resulting in poor runnability. Friction is increased due to contact with rolls, etc., causing scraping. S
When Δa exceeds 0.04, the abrasion resistance is lowered, and even if the same force is applied, abrasion occurs, and the abrasion powder causes scratches on the film, which is not preferable.

【0026】このように、本発明のポリスチレン系フィ
ルムは、熱収縮率および表面の粗さが所定の条件を満足
するため、フィルムを走行させた場合にも薄膜層の表面
にフィルムの削れ粉が生じることがなく、従って、フィ
ルムの種々の特性(ガスバリヤー性、ドロップアウトを
生じないことなど)が良好である。
As described above, in the polystyrene film of the present invention, the heat shrinkage rate and the surface roughness satisfy the predetermined conditions. Therefore, even when the film is run, shavings of the film are generated on the surface of the thin film layer. It does not occur and therefore the various properties of the film (gas barrier properties, no dropout, etc.) are good.

【0027】[0027]

【実施例】次に本発明を実施例を挙げて具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されない。以下
に、実施例および比較例で作成されたポリスチレン系フ
ィルムおよび用いられる不活性粒子の特性を測定する方
法を以下に示す。
EXAMPLES The present invention will now be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The methods for measuring the properties of the polystyrene-based films prepared in Examples and Comparative Examples and the inert particles used are shown below.

【0028】1)ポリスチレン系フィルムの200℃に
おける熱収縮率 ポリスチレン系フィルムを無張力の状態で、200℃の
雰囲気中に30分間放置した後、このフィルムの収縮率
を測定した。
1) Thermal Shrinkage of Polystyrene-based Film at 200 ° C. The polystyrene-based film was allowed to stand in an atmosphere of 200 ° C. for 30 minutes in a tensionless state, and then the shrinkage of this film was measured.

【0029】2)ポリスチレン系フィルムの三次元表面
粗さS△a ポリスチレン系フィルムの表面を触針式三次元表面粗さ
計(SE−3AK 株式会社小坂研究所社製)を用い、
針の半径2μm、荷重30mgの条件下で、ポリスチレ
ン系フィルムの長手方向に、カットオフ値0.25m
m、2μm間隔で連続的に500回、即ち、1mmにわ
たって表面粗さを測定した。各点の高さを三次元粗さ解
析装置(SPA−11)に取り込ませた。
2) Three-dimensional surface roughness SΔa of polystyrene-based film The surface of the polystyrene-based film was measured using a stylus-type three-dimensional surface roughness meter (SE-3AK, Kosaka Laboratory Ltd.).
A cut-off value of 0.25 m in the longitudinal direction of the polystyrene film under the conditions of a needle radius of 2 μm and a load of 30 mg.
m, the surface roughness was measured 500 times continuously at 2 μm intervals, that is, over 1 mm. The height of each point was incorporated into a three-dimensional roughness analyzer (SPA-11).

【0030】ポリスチレン系フィルムの長手方向と直交
する方向について、2μm間隔で連続的に150回、即
ち、0.3mmにわたって表面粗さを測定したこと以外
は、上記のポリスチレン系フィルムの長手方向の表面粗
さの測定と同様に行った。
In the direction perpendicular to the longitudinal direction of the polystyrene-based film, the surface in the longitudinal direction of the above-mentioned polystyrene-based film was measured except that the surface roughness was continuously measured 150 times at intervals of 2 μm, that is, 0.3 mm. It carried out similarly to the measurement of roughness.

【0031】得られたデータを解析装置に取り込ませ、
その解析装置を用いてS△aを求めた。
The obtained data is loaded into an analyzer,
Using the analyzer, SΔa was determined.

【0032】3)ポリスチレン系フィルム表面の突起数 ベースフィルム表面にアルミニウムを薄く均一に蒸着し
た後、このポリスチレン系フィルムの表面の干渉縞を、
二光束干渉顕微鏡(Nache社製)を用いて400倍
で1mm2の面積について観察した。この干渉縞は突起
の高さに対応し、突起の周りにできたリング上の縞の数
が多いほど突起は高いと判断する。
3) Number of protrusions on the surface of polystyrene film After thinly and uniformly depositing aluminum on the surface of the base film, interference fringes on the surface of this polystyrene film are
Using a two- beam interference microscope (manufactured by Nache), the area of 1 mm 2 was observed at 400 times. This interference fringe corresponds to the height of the protrusion, and it is determined that the protrusion is higher as the number of stripes on the ring formed around the protrusion increases.

【0033】4)不活性粒子の平均粒径および粒径のバ
ラツキ度 不活性粒子をS-510型走査型電子顕微鏡(日立製作所
(株)製)で観察し、写真撮影したものを拡大して複写
し、不活性粒子の外形をトレースし、任意に200個の
粒子を黒く塗りつぶした。それぞれの粒子について、黒
く塗りつぶしたトレース像の水平方向のフェレ径を画像
解析装置(ルーゼックス500型ニコル社製)を用いて
測定した。この測定値の平均値を平均粒径とした。さら
にこの測定値より粒計の標準偏差を求め、下記式より粒
子のバラツキ度を求めた。
4) Average Particle Size of Inert Particles and Variation in Particle Size The inert particles were observed with a S-510 type scanning electron microscope (manufactured by Hitachi Ltd.), and a photographed one was enlarged. Copies were made, the outline of the inert particles was traced, and optionally 200 particles were painted black. For each particle, the Feret diameter in the horizontal direction of the trace image filled in black was measured by using an image analyzer (Luzex 500, manufactured by Nicol). The average value of these measured values was defined as the average particle size. Further, the standard deviation of the granulometer was determined from this measured value, and the degree of particle dispersion was determined from the following formula.

【0034】[0034]

【数2】 [Equation 2]

【0035】5)不活性粒子の面積形状係数 不活性粒子の平均粒径の測定で用いた不活性粒子のトレ
ース像から任意に20個の粒子のトレース像を選択し、
画像解析装置(ルーゼックス500型ニコル社製)を用
いてそれぞれの粒子の投影断面積を測定した。さらに上
記トレース像を用いてそれぞれの粒子について外接する
円の面積を算出し、下記式より粒子の面積形状係数を求
めた。
5) Area Shape Factor of Inert Particles A trace image of 20 particles is arbitrarily selected from the trace images of the inert particles used in the measurement of the average particle diameter of the inert particles,
The projected cross-sectional area of each particle was measured by using an image analyzer (Luzex 500, manufactured by Nicole). Further, the area of the circumscribing circle for each particle was calculated using the above trace image, and the area shape factor of the particle was calculated from the following formula.

【0036】[0036]

【数3】 [Equation 3]

【0037】6)ポリスチレン系フィルムの走行性およ
び耐摩耗性 図1に記載の装置を用いて評価した。ポリスチレン系フ
ィルムを細幅にスリットし、ロールに巻回した長尺状の
フィルム1を得た。これを図1に示すように、金属ロー
ル(キャプスタン)21および固定金属ピン23を介し
て走行させた。一定の供給張力に対するガイドロール通
過後のベースフィルムの張力を張力検出装置22により
測定した。張力および擦り傷の有無を次に示すように各
々5段階評価し、これを走行性の評価とした。ガイドロ
ール通過後の白粉のガイドロールへの付着量も次に示す
ように5段階評価し、これを耐摩耗性の評価とした。
6) Running property and abrasion resistance of polystyrene film Evaluation was performed using the apparatus shown in FIG. A long film 1 was obtained by slitting a polystyrene film in a narrow width and winding the film on a roll. As shown in FIG. 1, this was run through a metal roll (capstan) 21 and a fixed metal pin 23. The tension of the base film after passing the guide roll with respect to a constant supply tension was measured by the tension detecting device 22. The tension and the presence or absence of scratches were each evaluated in 5 grades as shown below, and this was used as the evaluation of runnability. The amount of white powder adhering to the guide roll after passing through the guide roll was also evaluated in five levels as shown below, and this was taken as the evaluation of wear resistance.

【0038】走行性の評価 1級・・張力大、擦り傷非常に多い 2級・・張力やや大、擦り傷多い 3級・・張力中、擦り傷ややあり 4級・・張力やや小、擦り傷ほとんどなし 5級・・張力小、擦り傷なし。Evaluation of runnability 1st class ・ ・ Large tension, very many scratches 2nd class ・ ・ Slightly large tension, many scratches 3rd class ・ ・ Slightly scratched during tension 4th class ・ ・ Slightly small tension, almost no scratches 5 Grade ... Small tension, no scratches.

【0039】ここで張力と擦り傷の得られた結果のラン
クが異なる場合、悪い方のランクを採用した。
If the ranks of the results obtained by the tension and the abrasion are different, the worse rank is adopted.

【0040】耐摩耗性の評価 1級・・白粉の発生非常に多い 2級・・白粉の発生多い 3級・・白粉の発生ややあり 4級・・白粉の発生ほとんどなし 5級・・白粉の発生なし。Evaluation of abrasion resistance 1st grade: White powder is generated very much 2nd grade: White powder is generated 3rd grade: White powder is slightly generated 4th grade: White powder is hardly generated 5th grade: White powder No occurrence.

【0041】7)ポリスチレン系フィルムの薄膜欠点数 Co-Ni合金を1500オングストロームの厚さで蒸着し
て薄膜層を形成し、その薄膜層を有するポリスチレン系
フィルムを1/2インチ幅にスリットした。このフィル
ムをVHS方式のビデオテープレコーダーに装着し、ド
ロップアウトカウンターを用いてドロップアウトの数を
測定した。これを相対評価した。
7) Number of Thin Film Defects of Polystyrene-Based Film Co-Ni alloy was vapor-deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin-film layer, and the polystyrene-based film having the thin-film layer was slit to a width of 1/2 inch. This film was mounted on a VHS type video tape recorder, and the number of dropouts was measured using a dropout counter. This was relatively evaluated.

【0042】8)ポリスチレン系フィルムの平面性 Co-Ni合金を1500オングストロームの厚さで蒸着し
て薄膜層を形成し、その薄膜層を有するポリスチレン系
フィルムを50cm幅にスリットした。このフィルムを
ロールから長さ200cm巻出し、このフィルムの平面
性を目視で観察して5段階評価した。
8) Planarity of polystyrene film A Co-Ni alloy was vapor-deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin film layer, and the polystyrene film having the thin film layer was slit into a width of 50 cm. This film was unwound from a roll for a length of 200 cm, and the flatness of this film was visually observed to make a 5-grade evaluation.

【0043】1級・・強い張力をかけても波打ちがフィ
ルムの全面にあり 2級・・強い張力をかけても波打ちがフィルム一部にあ
り 3級・・強い張力をかけると波打ちがない 4級・・弱い張力をかけると波打ちがない 5級・・張力をかけなくても波打ちがない。
Grade 1 ... Waves are present on the entire surface of the film even when a strong tension is applied. Grade 2 ... Waves are present on a part of the film even when a strong tension is applied. Class 3 ... No waviness when a strong tension is applied. 4 Grade: No waviness when weak tension is applied. Grade 5: No waviness even when tension is not applied.

【0044】実施例1〜3 不活性粒子として、平均粒径0.5μm、バラツキ度2
0%、面積形状係数80%のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン(重量平均分子量300
000)100重量部に対して0.5重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
0.2対9.8(実施例1)、1対9(実施例2)、
2.8対7.2(実施例3)の割合で混合した後、乾燥
し、305℃で溶融した。これを厚さ800μmのリッ
プギャップダイを有するTダイから押し出し、ついで、
静電印加法により、これを50℃の冷却ロールに密着さ
せて、冷却固化し、厚さ140μmの無定形のフィルム
を得た。
Examples 1 to 3 As the inert particles, the average particle size is 0.5 μm and the variation degree is 2
0% silica having an area shape factor of 80% was converted into polystyrene having a syndiotactic structure (weight average molecular weight 300
000) A polymer chip containing 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight was prepared. Separately, a polymer chip of the above polystyrene containing no inert particles was prepared. The weight ratio of the polymer chip containing the above-mentioned inert particles to the polymer chip not containing the inert particles is 0.2: 9.8 (Example 1), 1: 9 (Example 2),
After mixing at a ratio of 2.8 to 7.2 (Example 3), it was dried and melted at 305 ° C. This is extruded from a T-die having a 800 μm thick lip gap die, and then
By an electrostatic application method, this was brought into close contact with a cooling roll at 50 ° C. and cooled and solidified to obtain an amorphous film having a thickness of 140 μm.

【0045】上記無定形フィルムをロールを用いて95
℃に予熱し、ついで、このフィルムを表面温度700℃
の赤外線加熱ヒータ−を4本用いて加熱し、フィルム温
度130℃で長手方向に3.5倍延伸し、さらにこのフ
ィルムを150℃のセラミックロールと40℃の金属ロ
ールとの間に挿入して長手方向に12%弛緩処理した。
ついで、このフィルムをテンター内で120℃に予熱
し、フィルム温度120℃で長手方向と直交する方向に
3.3倍延伸し、さらにこのフィルムを260℃で12
秒間熱固定処理した。ついでこのフィルムを215℃で
長手方向と直交する方向に3%弛緩処理し、その後21
0℃で長手方向に2%弛緩処理した。得られた延伸ベー
スフィルムの厚さは14μmであった。このベースフィ
ルムの特性を表1に示す。このベースフィルムの一表面
上に、Co−Ni合金を1500オングストロームの厚
さに蒸着して薄膜層を形成した。得られたフィルムの薄
膜欠点数および平面性について評価した。その結果を表
1に示す。さらに、上記のベースフィルムの湿度膨張係
数は5×10-7/%RH、熱膨張係数は2×10-5/℃
と良好な値であったため、薄膜層を形成した後のフィル
ムの加工時または使用時の環境変化によるフィルムの寸
法安定性に優れ、かつフィルムの環境変化による薄膜層
の剥離、薄膜層を有するフィルムのひび割れ、そりおよ
び波打ち等の発生が生じなかった。
The above amorphous film was rolled with a roll 95
Preheat to ℃, then the film surface temperature 700 ℃
4 infrared heaters are used to heat the film at a film temperature of 130 ° C. and stretch it 3.5 times in the longitudinal direction. The film is inserted between a ceramic roll at 150 ° C. and a metal roll at 40 ° C. A 12% relaxation treatment was applied in the longitudinal direction.
Next, this film was preheated to 120 ° C. in a tenter and stretched 3.3 times in the direction orthogonal to the longitudinal direction at a film temperature of 120 ° C., and this film was further heated at 260 ° C. to 12 ° C.
It was heat set for 2 seconds. Then, this film was subjected to a relaxation treatment at 215 ° C. in a direction orthogonal to the longitudinal direction by 3%, and then 21
It was subjected to 2% relaxation treatment in the longitudinal direction at 0 ° C. The thickness of the obtained stretched base film was 14 μm. The characteristics of this base film are shown in Table 1. On one surface of this base film, a Co—Ni alloy was deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin film layer. The number of thin film defects and the flatness of the obtained film were evaluated. The results are shown in Table 1. Furthermore, the above-mentioned base film has a coefficient of humidity expansion of 5 × 10 −7 /% RH and a coefficient of thermal expansion of 2 × 10 −5 / ° C.
The film has excellent dimensional stability of the film due to environmental changes during processing or use of the film after forming the thin film layer, and peeling of the thin film layer due to environmental changes of the film, film having a thin film layer No cracks, sledges or waviness were observed.

【0046】比較例1および2 不活性粒子として、平均粒径0.5μm、バラツキ度2
0%、面積形状係数80%のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン(重量平均分子量300
000)100重量部に対して0.5重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
0.1対9.9(比較例1)、3対7(比較例2)の割
合で混合した後、乾燥し、305℃で溶融した。これを
厚さ800μmのリップギャップダイを有するTダイか
ら押し出し、ついで、静電印加法により、これを50℃
の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚さ140μ
mの無定形のフィルムを得たこと以外は実施例1と同様
の操作を行った。得られた延伸ベースフィルムの厚さは
14μmであった。このベースフィルムの一表面上に、
Co−Ni合金を1500オングストロームの厚さに蒸
着して薄膜層を形成した。得られたフィルムの環境変化
による薄膜層の剥離、薄膜層を有するフィルムのひび割
れ、そりおよび波打ち等の発生が生じなかった。得られ
たフィルムの物性を表1に示す。
Comparative Examples 1 and 2 As the inert particles, the average particle size is 0.5 μm, and the variation degree is 2.
0% silica having an area shape factor of 80% was converted into polystyrene having a syndiotactic structure (weight average molecular weight 300
000) A polymer chip containing 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight was prepared. Separately, a polymer chip of the above polystyrene containing no inert particles was prepared. After mixing the above-mentioned polymer chip containing the inert particles and the polymer chip not containing the inert particles in a weight ratio of 0.1: 9.9 (Comparative Example 1), 3: 7 (Comparative Example 2). , Dried and melted at 305 ° C. This is extruded from a T-die having a lip gap die with a thickness of 800 μm, and then this is heated to 50 ° C. by an electrostatic application method.
It is made to adhere to the cooling roll of, and solidified by cooling to a thickness of 140μ.
The same operation as in Example 1 was performed except that an amorphous film of m was obtained. The thickness of the obtained stretched base film was 14 μm. On one surface of this base film,
A Co-Ni alloy was deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin film layer. No peeling of the thin film layer due to environmental changes of the obtained film, cracking of the film having the thin film layer, warpage, waviness and the like occurred. Table 1 shows the physical properties of the obtained film.

【0047】比較例3 不活性粒子として、平均粒径0.5μm、バラツキ度5
0%、面積形状係数80%のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン(重量平均分子量300
000)100重量部に対して0.5重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
1対9の割合で混合した後、乾燥し、305℃で溶融し
た。これを厚さ800μmのリップギャップダイを有す
るTダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを50℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ140μmの無定形のフィルムを得たこと以外は実施
例1と同様の操作を行った。得られた延伸ベースフィル
ムの厚さは14μmであった。このベースフィルムの一
表面上に、Co−Ni合金を1500オングストローム
の厚さに蒸着して薄膜層を形成した。得られたフィルム
の環境変化による薄膜層の剥離、薄膜層を有するフィル
ムのひび割れ、そりおよび波打ち等の発生が生じなかっ
た。得られたフィルムの物性を表1に示す。
Comparative Example 3 As the inert particles, the average particle size is 0.5 μm and the variation degree is 5
0% silica having an area shape factor of 80% was converted into polystyrene having a syndiotactic structure (weight average molecular weight 300
000) A polymer chip containing 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight was prepared. Separately, a polymer chip of the above polystyrene containing no inert particles was prepared. The above-described polymer chip containing the inert particles and the polymer chip not containing the inert particles were mixed at a weight ratio of 1: 9, dried, and melted at 305 ° C. This was extruded from a T-die having a lip gap die having a thickness of 800 μm, and then adhered to a cooling roll at 50 ° C. by an electrostatic application method to be cooled and solidified to obtain an amorphous film having a thickness of 140 μm. The same operation as in Example 1 was performed except for the above. The thickness of the obtained stretched base film was 14 μm. On one surface of this base film, a Co—Ni alloy was deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin film layer. No peeling of the thin film layer due to environmental changes of the obtained film, cracking of the film having the thin film layer, warpage, waviness and the like occurred. Table 1 shows the physical properties of the obtained film.

【0048】実施例4 不活性粒子として、平均粒径0.5μm、バラツキ度2
0%、面積形状係数80%のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン(重量平均分子量300
000)100重量部に対して0.5重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
1対9の割合で混合した後、乾燥し、305℃で溶融し
た。これを厚さ800μmのリップギャップダイを有す
るTダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを50℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ140μmの無定形のフィルムを得た。上記無定形の
フィルムを、ロールによりフィルム温度を103℃に加
熱し、長手方向に3.5倍延伸し、次いで150℃のセ
ラミックロールと40℃の金属ロールの間で長手方向に
12%弛緩処理した後、テンターでフィルムを120℃
に予熱し、延伸温度120℃で長手方向と直交する方向
に3.3倍延伸し、260℃で12秒熱処理固定した。
その後、215℃で長手方向と直交する方向に3%弛緩
処理し、さらに210℃で長手方向に2%弛緩処理した
こと以外は実施例1と同様の操作を行った。得られた延
伸ベースフィルムの厚さは14μmであった。このベー
スフィルムの一表面上に、Co−Ni合金を1500オ
ングストロームの厚さに蒸着して薄膜層を形成した結
果、フィルムに波打ちが発生した。得られたフィルムの
物性を表1に示す。
Example 4 As the inert particles, the average particle size is 0.5 μm and the variation degree is 2
0% silica having an area shape factor of 80% was converted into polystyrene having a syndiotactic structure (weight average molecular weight 300
000) A polymer chip containing 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight was prepared. Separately, a polymer chip of the above polystyrene containing no inert particles was prepared. The above-described polymer chip containing the inert particles and the polymer chip not containing the inert particles were mixed at a weight ratio of 1: 9, dried, and melted at 305 ° C. This was extruded from a T-die having a lip gap die with a thickness of 800 μm, and then adhered to a cooling roll at 50 ° C. by an electrostatic application method to be cooled and solidified to obtain an amorphous film with a thickness of 140 μm. It was The above amorphous film was heated to a film temperature of 103 ° C. by a roll, stretched 3.5 times in the longitudinal direction, and then subjected to a 12% relaxation treatment in the longitudinal direction between a ceramic roll at 150 ° C. and a metal roll at 40 ° C. After that, the film is heated to 120 ° C with a tenter.
It was preheated to, and stretched 3.3 times in a direction orthogonal to the longitudinal direction at a stretching temperature of 120 ° C., and heat-treated and fixed at 260 ° C. for 12 seconds.
After that, the same operation as in Example 1 was performed except that 3% relaxation treatment was performed at 215 ° C in the direction orthogonal to the longitudinal direction, and further 2% relaxation treatment was performed at 210 ° C in the longitudinal direction. The thickness of the obtained stretched base film was 14 μm. On one surface of this base film, a Co—Ni alloy was vapor-deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin film layer, and as a result, waviness was generated in the film. Table 1 shows the physical properties of the obtained film.

【0049】比較例4 不活性粒子として、平均粒径0.5μm、バラツキ度2
0%、面積形状係数80%のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン(重量平均分子量300
000)100重量部に対して0.5重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
1対9の割合で混合した後、乾燥し、305℃で溶融し
た。これを厚さ800μmのリップギャップダイを有す
るTダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを50℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ130μmの無定形のフィルムを得た。
Comparative Example 4 As the inert particles, the average particle size is 0.5 μm, and the variation degree is 2
0% silica having an area shape factor of 80% was converted into polystyrene having a syndiotactic structure (weight average molecular weight 300
000) A polymer chip containing 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight was prepared. Separately, a polymer chip of the above polystyrene containing no inert particles was prepared. The above-described polymer chip containing the inert particles and the polymer chip not containing the inert particles were mixed at a weight ratio of 1: 9, dried, and melted at 305 ° C. This is extruded from a T-die having a lip gap die with a thickness of 800 μm, and then adhered to a cooling roll at 50 ° C. by an electrostatic application method to be cooled and solidified to obtain an amorphous film with a thickness of 130 μm. It was

【0050】上記無定形フィルムを、ロールを用いて1
03℃に加熱し、ついで、このフィルムをロールにより
加熱して、フィルム温度103℃で長手方向に3.5倍
延伸した後、テンターでフィルムを120℃に予熱し、
延伸温度120℃で長手方向と直交する方向に3.3倍
延伸し、260℃で12秒熱処理固定した。その後、2
15℃で長手方向と直交する方向に3%弛緩処理し、さ
らに210℃で長手方向に2%弛緩処理したこと以外は
実施例1と同様の操作を行った。得られた延伸ベースフ
ィルムの厚さは14μmであった。このベースフィルム
の一表面上に、Co−Ni合金を1500オングストロ
ームの厚さに蒸着して薄膜層を形成した結果、フィルム
に波打ちが発生した。得られたフィルムの物性を表1に
示す。
The above amorphous film was rolled with a roll 1
The film is heated to 03 ° C., then, the film is heated by a roll and stretched 3.5 times in the longitudinal direction at a film temperature of 103 ° C., and then the film is preheated to 120 ° C. with a tenter,
The film was drawn 3.3 times in the direction orthogonal to the longitudinal direction at a drawing temperature of 120 ° C., and heat-treated and fixed at 260 ° C. for 12 seconds. Then 2
The same operation as in Example 1 was performed, except that 3% relaxation treatment was performed at 15 ° C in the direction orthogonal to the longitudinal direction, and further 2% relaxation treatment was performed at 210 ° C in the longitudinal direction. The thickness of the obtained stretched base film was 14 μm. On one surface of this base film, a Co—Ni alloy was vapor-deposited to a thickness of 1500 Å to form a thin film layer, and as a result, waviness was generated in the film. Table 1 shows the physical properties of the obtained film.

【0051】比較例5 不活性粒子として、平均粒径0.5μm、バラツキ度5
0%、面積形状係数80%のシリカを、シンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン(重量平均分子量300
000)100重量部に対して0.5重量部の割合で含
有するポリマーチップを調製した。これとは別に、不活
性粒子を含有しない上記ポリスチレンのポリマーチップ
を調製した。上記の不活性粒子を含有するポリマーチッ
プと不活性粒子を含有しないポリマーチップを重量比で
1対9の割合で混合した後、乾燥し、305℃で溶融し
た。これを厚さ800μmのリップギャップダイを有す
るTダイから押し出し、ついで、静電印加法により、こ
れを50℃の冷却ロールに密着させて、冷却固化し、厚
さ120μmの無定形のフィルムを得た。
Comparative Example 5 As the inert particles, the average particle size is 0.5 μm and the variation degree is 5
0% silica having an area shape factor of 80% was converted into polystyrene having a syndiotactic structure (weight average molecular weight 300
000) A polymer chip containing 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight was prepared. Separately, a polymer chip of the above polystyrene containing no inert particles was prepared. The above-described polymer chip containing the inert particles and the polymer chip not containing the inert particles were mixed at a weight ratio of 1: 9, dried, and melted at 305 ° C. This is extruded from a T-die having a lip gap die having a thickness of 800 μm, and then adhered to a cooling roll at 50 ° C. by an electrostatic application method to be cooled and solidified to obtain an amorphous film having a thickness of 120 μm. It was

【0052】上記無定形フィルムを、ロールを用いて1
03℃に加熱し、長手方向に3.0倍延伸し、さらにこ
のフィルムを270℃で20秒熱固定処理した。熱固定
処理後の弛緩処理は行わなかったこと以外は実施例1と
同様の操作を行った。得られた延伸ベースフィルムの厚
さは14μmであった。このベースフィルムの特性を表
1に示す。
The above amorphous film was rolled by a roll 1
The film was heated to 03 ° C., stretched 3.0 times in the longitudinal direction, and the film was heat set at 270 ° C. for 20 seconds. The same operation as in Example 1 was performed except that the relaxation treatment after the heat setting treatment was not performed. The thickness of the obtained stretched base film was 14 μm. The characteristics of this base film are shown in Table 1.

【0053】[0053]

【表1】 [Table 1]

【0054】表1より、実施例1〜4で得られたベース
フィルムおよび薄膜層を有するポリスチレンフィルム
は、薄膜層を形成した後のフィルムの加工時または使用
時の環境変化によるフィルムの寸法安定性に優れ、かつ
フィルムの環境変化による薄膜層の剥離、薄膜層を有す
るフィルムのひび割れ、そりおよび波打ち等の発生が生
じなかった。
From Table 1, it can be seen that the polystyrene films having the base film and the thin film layer obtained in Examples 1 to 4 show dimensional stability of the film due to environmental changes during processing of the film after forming the thin film layer or during use. Moreover, peeling of the thin film layer due to environmental changes of the film, cracking of the film having the thin film layer, warpage and waviness did not occur.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
ポリスチレン系フィルムはベースフィルム表面に金属、
金属酸化物などの薄膜を有し、熱安定性を有し(高温下
でも熱収縮がない)、走行性および耐摩耗性に優れ、走
行時に薄膜層の表面に削れ粉が発生しない。このフィル
ムは、コンデンサ、磁気記録媒体、透明導電フィルム、
フレキシブルプリント基板、ガスバリアフィルム、フレ
キシブル太陽電池等に利用される。
As is apparent from the above description, the polystyrene film of the present invention has a metal on the surface of the base film,
It has a thin film of metal oxide, etc., has thermal stability (no heat shrinkage even at high temperature), is excellent in running property and wear resistance, and does not generate shavings on the surface of the thin film layer during running. This film is used for capacitors, magnetic recording media, transparent conductive films,
It is used for flexible printed boards, gas barrier films, flexible solar cells, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】フィルムの走行性および耐摩耗性を評価するた
めに用いられる装置の模式図である。
FIG. 1 is a schematic view of an apparatus used for evaluating the running property and abrasion resistance of a film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フィルム 21 キャプスタン 22 張力検出装置 23 固定金属ピン 1 Film 21 Capstan 22 Tension Detecting Device 23 Fixed Metal Pin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥平 正 滋賀県大津市堅田二丁目1番1号 東洋紡 績株式会社総合研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tadashi Okuhira 2-1-1 Katata, Otsu, Shiga Prefecture Toyobo Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】シンジオタクチック構造を有するポリスチ
レン系重合体を含有する樹脂組成物からなるベースフィ
ルムと、該ベースフィルムの少なくとも一表面上に設け
られた金属および/または金属酸化物の薄膜層とを含有
するポリスチレン系フィルムであって、 該ポリスチレン系フィルムの200℃における熱収縮率
が、3%以下であり、 該ポリスチレン系フィルムの薄膜層表面に実質的に1μ
m以上の突起がなく、かつ該ポリスチレン系フィルムの
薄膜層の三次元表面粗さS△aが、0.004〜0.0
4である、 ポリスチレン系フィルム。
1. A base film comprising a resin composition containing a polystyrene polymer having a syndiotactic structure, and a metal and / or metal oxide thin film layer provided on at least one surface of the base film. A polystyrene-based film containing: a polystyrene-based film having a heat shrinkage ratio at 200 ° C. of 3% or less, and substantially 1 μm on the surface of the thin-film layer of the polystyrene-based film.
There is no protrusion of m or more, and the three-dimensional surface roughness SΔa of the thin film layer of the polystyrene-based film is 0.004 to 0.0.
4 is a polystyrene-based film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005074068A1 (en) * 2004-01-30 2005-08-11 Teijin Dupont Films Japan Limited Laminated film for dye-sensitized solar cell, electrode for dye-sensitized solar cell and process for producing the same
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