JPH0620618A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0620618A JPH0620618A JP17463692A JP17463692A JPH0620618A JP H0620618 A JPH0620618 A JP H0620618A JP 17463692 A JP17463692 A JP 17463692A JP 17463692 A JP17463692 A JP 17463692A JP H0620618 A JPH0620618 A JP H0620618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- beam line
- ions
- movable plates
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 イオン注入装置に関し，装置内の残留ガスと
の電荷交換によって生じた中性種または衝突解離によっ
て生じたイオン種によるエネルギー汚染を防止すること
を目的とする。 【構成】 例えば，ビームライン３のようなエネルギー
汚染の原因となる種が生じやすい領域に対する差動排気
効果を高めるために配置される隔壁１０に設けられてい
る開口１０１の形状，寸法および位置を，通過イオンビ
ームの形状，寸法および軌道に応じて変化可能な構造に
した。
の電荷交換によって生じた中性種または衝突解離によっ
て生じたイオン種によるエネルギー汚染を防止すること
を目的とする。 【構成】 例えば，ビームライン３のようなエネルギー
汚染の原因となる種が生じやすい領域に対する差動排気
効果を高めるために配置される隔壁１０に設けられてい
る開口１０１の形状，寸法および位置を，通過イオンビ
ームの形状，寸法および軌道に応じて変化可能な構造に
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造におい
て用いられるイオン注入装置に係り，とくに，残留ガス
との電荷交換によって生じた中性イオンの注入による汚
染の防止に関する。
て用いられるイオン注入装置に係り，とくに，残留ガス
との電荷交換によって生じた中性イオンの注入による汚
染の防止に関する。
【０００２】高集積度の半導体装置においては，深さ10
0 μm 以下の浅いｐｎ接合が必要とされている。このた
めに低エネルギーのイオン注入を行わなければならない
場合がある。一般に, イオン注入装置におけるイオン引
き出し電極の電圧を下げると, 充分なイオン電流を得る
ことが困難である。したがって, 質量分析されたイオン
を減速電界によって低エネルギーにする方法が採られ
る。これをデセル注入と称している。
0 μm 以下の浅いｐｎ接合が必要とされている。このた
めに低エネルギーのイオン注入を行わなければならない
場合がある。一般に, イオン注入装置におけるイオン引
き出し電極の電圧を下げると, 充分なイオン電流を得る
ことが困難である。したがって, 質量分析されたイオン
を減速電界によって低エネルギーにする方法が採られ
る。これをデセル注入と称している。
【０００３】
【従来の技術】上記デセル注入においては, 質量分析器
から出たイオンが, ビームラインを通過する間に残留ガ
ス（主に水や水素）と衝突して電荷を交換し, それ自身
が中性ガスとなる。その結果, 減速電界によって減速さ
れずに半導体基板に注入されることになる。したがっ
て, 半導体基板中における所定の位置より深い位置に不
純物が注入されてしまう。このような, 目的とするエネ
ルギーと異なるエネルギーを有する粒子の注入をエネル
ギー汚染と称している。
から出たイオンが, ビームラインを通過する間に残留ガ
ス（主に水や水素）と衝突して電荷を交換し, それ自身
が中性ガスとなる。その結果, 減速電界によって減速さ
れずに半導体基板に注入されることになる。したがっ
て, 半導体基板中における所定の位置より深い位置に不
純物が注入されてしまう。このような, 目的とするエネ
ルギーと異なるエネルギーを有する粒子の注入をエネル
ギー汚染と称している。
【０００４】図６は, 硼素イオン(B+ ) が減速注入され
たシリコン基板の表面から深さ方向における不純物濃度
プロファイルの例を示す。表面から数10nmの深さにピー
クを有する分布Ａと, それより深い領域にわたる分布Ｂ
とが示されている。分布Ａは減速された B+ によるもの
であり, 分布Ｂは, 残留ガスとの電荷交換により中性化
された硼素原子(B0)によるエネルギー汚染を示すもので
ある。
たシリコン基板の表面から深さ方向における不純物濃度
プロファイルの例を示す。表面から数10nmの深さにピー
クを有する分布Ａと, それより深い領域にわたる分布Ｂ
とが示されている。分布Ａは減速された B+ によるもの
であり, 分布Ｂは, 残留ガスとの電荷交換により中性化
された硼素原子(B0)によるエネルギー汚染を示すもので
ある。
【０００５】図７は, 質量が大きい二弗化硼素イオン(B
F2 + ) を注入することによってシリコン基板に浅いｐｎ
接合を形成しようとした場合の表面から深さ方向におけ
る不純物濃度プロファイルの例を示す。約100nm にピー
クを有する分布Ｃと，それより深い領域にわたる分布Ｄ
とが示されている。 BF2 + を用いるイオン注入は, 通
常, 後段加速が行われる。 BF2 + と残留ガスとの衝突に
よって B+ が生成する。
F2 + ) を注入することによってシリコン基板に浅いｐｎ
接合を形成しようとした場合の表面から深さ方向におけ
る不純物濃度プロファイルの例を示す。約100nm にピー
クを有する分布Ｃと，それより深い領域にわたる分布Ｄ
とが示されている。 BF2 + を用いるイオン注入は, 通
常, 後段加速が行われる。 BF2 + と残留ガスとの衝突に
よって B+ が生成する。
【０００６】B+ は質量が小さいので, 後段加速によっ
て得たエネルギーによって深く注入される。分布Ｃは B
F2 + によるものであり, 分布Ｄは B+ によるエネルギー
汚染を示すものである。
て得たエネルギーによって深く注入される。分布Ｃは B
F2 + によるものであり, 分布Ｄは B+ によるエネルギー
汚染を示すものである。
【０００７】上記のように, エネルギー汚染によって,
目標の数倍ないし10倍にわたる深さにｐｎ接合が形成さ
れてしまう結果となる。本発明者は, 上記のようなエネ
ルギー汚染の原因となる, イオンと残留ガスとの電荷交
換反応を抑制するために, 質量分析器とビームラインと
の間に絞り（隔壁）を設けたイオン注入装置を提案した
（特願03-147710,平成３年６月20日付）。上記の絞りを
設けることにより, ビームラインにおける残留ガス圧を
１×10-6Torr以下と, 従来より一桁以上低減可能とな
り, その結果, デセル注入におけるエネルギー汚染が著
しく減少された。
目標の数倍ないし10倍にわたる深さにｐｎ接合が形成さ
れてしまう結果となる。本発明者は, 上記のようなエネ
ルギー汚染の原因となる, イオンと残留ガスとの電荷交
換反応を抑制するために, 質量分析器とビームラインと
の間に絞り（隔壁）を設けたイオン注入装置を提案した
（特願03-147710,平成３年６月20日付）。上記の絞りを
設けることにより, ビームラインにおける残留ガス圧を
１×10-6Torr以下と, 従来より一桁以上低減可能とな
り, その結果, デセル注入におけるエネルギー汚染が著
しく減少された。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら, 上記出
願による絞りを設けることにより, イオン種によって
は，注入効率（基板に注入されるイオン電流とイオン源
から引き出されるイオン電流との比）が著しく低下して
しまう。これは，質量分析器によって分別された所定の
質量／電荷比を持ったイオンのビームの一部が，絞りに
設けられている穴（開口）を通過する際に，絞りによっ
て遮られてしまうためである。このようなイオンビーム
の軌道の変化は，イオン源やイオン引き出し電極の設定
条件によって微妙に生じる。通常，このような場合，イ
オン種ごとにイオン引き出し電極のスリットをイオンビ
ームに垂直な面内で二次元方向に移動させることによっ
て軌道の修正が行われている。これをステアリング調整
と称している。
願による絞りを設けることにより, イオン種によって
は，注入効率（基板に注入されるイオン電流とイオン源
から引き出されるイオン電流との比）が著しく低下して
しまう。これは，質量分析器によって分別された所定の
質量／電荷比を持ったイオンのビームの一部が，絞りに
設けられている穴（開口）を通過する際に，絞りによっ
て遮られてしまうためである。このようなイオンビーム
の軌道の変化は，イオン源やイオン引き出し電極の設定
条件によって微妙に生じる。通常，このような場合，イ
オン種ごとにイオン引き出し電極のスリットをイオンビ
ームに垂直な面内で二次元方向に移動させることによっ
て軌道の修正が行われている。これをステアリング調整
と称している。
【０００９】しかし，ステアリング調整によってイオン
引き出し電極のスリットにイオンビームが衝突するため
に，その消耗が早くなり，スリットが大きくなる。その
結果，イオンビームが発散しやすくなり，注入効率が低
下する問題があった。また，ステアリング調整のための
機構が複雑であり，これを頻繁に動作させると故障を生
じやすいと言う問題があった。さらに，上記の絞りに設
けられている穴の形状および寸法が一定であるために，
イオン注入の条件に応じてイオンビーム電流とビームラ
インにおける真空度とを独立に調節することができず，
その結果，ビーム電流を大きくとれないと言う欠点があ
った。すなわち，もし絞りの開口寸法が可変であるなら
ば，例えばイオンビーム電流が小さい場合には，絞りの
開口を小さくすることによってビームライン内がより高
真空に維持することができ，その結果，エネルギー汚染
をより低減でき，一方，エネルギー汚染の影響が厳しく
問題にされない場合には，絞りの開口を大きくすること
により，高ビーム電流の下で高スループットのイオン注
入を行うことができるからである。
引き出し電極のスリットにイオンビームが衝突するため
に，その消耗が早くなり，スリットが大きくなる。その
結果，イオンビームが発散しやすくなり，注入効率が低
下する問題があった。また，ステアリング調整のための
機構が複雑であり，これを頻繁に動作させると故障を生
じやすいと言う問題があった。さらに，上記の絞りに設
けられている穴の形状および寸法が一定であるために，
イオン注入の条件に応じてイオンビーム電流とビームラ
インにおける真空度とを独立に調節することができず，
その結果，ビーム電流を大きくとれないと言う欠点があ
った。すなわち，もし絞りの開口寸法が可変であるなら
ば，例えばイオンビーム電流が小さい場合には，絞りの
開口を小さくすることによってビームライン内がより高
真空に維持することができ，その結果，エネルギー汚染
をより低減でき，一方，エネルギー汚染の影響が厳しく
問題にされない場合には，絞りの開口を大きくすること
により，高ビーム電流の下で高スループットのイオン注
入を行うことができるからである。
【００１０】本発明は，上記従来の問題点が解決された
イオン注入装置を提供することを目的とする。
イオン注入装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は，イオン源と
質量分析器と管状のビームラインならびに該質量分析器
で分別された所望の質量／電荷比を有するイオンが注入
される表面を有する被注入物体がその内部に設置されて
いる試料室とが順に連結されたイオン注入装置におい
て，互いに直交する二方向における幅および位置が変化
可能にされた開口を有する隔壁が該質量分析器と該ビー
ムラインとの間に設けられていることを特徴とする本発
明に係るイオン注入装置，または，上記において，前記
所望の質量／電荷比を有するイオンを減速するための減
速器が前記ビームライン内もしくは該ビームラインと前
記試料室との間にさらに設けられていることを特徴とす
る本発明に係るイオン注入装置，または，イオンを発生
させるためのイオン源と，該イオン源で発生したイオン
をそれらの質量／電荷比によって分別するための質量分
析器と，該質量分析器によって分別された前記イオンが
通過する管状のビームラインと，前記分別されたイオン
を注入される被注入物体が該ビームラインの管軸上から
はずれて位置するようにしてその内部に設置され且つ該
ビームラインに連結された試料室と，前記分別されたイ
オンを減速するために該ビームラインの内部に設けられ
た減速器と，該ビームラインと該試料室との間に設けら
れ且つ該ビームラインを通過する間に減速された前記イ
オンが該被注入物体表面に向けて偏向するように該イオ
ンの進行方向に垂直な磁界を付与するための磁石と，互
いに直交する二方向における幅および位置が変化可能に
された開口を有する隔壁が該ビームラインと該磁石との
間または該磁石と該試料室との間にに設けられているこ
とを特徴とする本発明に係るイオン注入装置，または，
上記いずれかにおける前記隔壁は，前記二方向のそれぞ
れにおいて対になった互いに対向する二対の可動板と，
それぞれの前記対になった可動板の対向辺の各々に設け
られた半楕円形の切り欠き部と，前記対になった各々の
該可動板を移動させるための手段とから成ることを特徴
とする本発明に係るイオン注入装置のいずれかによって
達成される。
質量分析器と管状のビームラインならびに該質量分析器
で分別された所望の質量／電荷比を有するイオンが注入
される表面を有する被注入物体がその内部に設置されて
いる試料室とが順に連結されたイオン注入装置におい
て，互いに直交する二方向における幅および位置が変化
可能にされた開口を有する隔壁が該質量分析器と該ビー
ムラインとの間に設けられていることを特徴とする本発
明に係るイオン注入装置，または，上記において，前記
所望の質量／電荷比を有するイオンを減速するための減
速器が前記ビームライン内もしくは該ビームラインと前
記試料室との間にさらに設けられていることを特徴とす
る本発明に係るイオン注入装置，または，イオンを発生
させるためのイオン源と，該イオン源で発生したイオン
をそれらの質量／電荷比によって分別するための質量分
析器と，該質量分析器によって分別された前記イオンが
通過する管状のビームラインと，前記分別されたイオン
を注入される被注入物体が該ビームラインの管軸上から
はずれて位置するようにしてその内部に設置され且つ該
ビームラインに連結された試料室と，前記分別されたイ
オンを減速するために該ビームラインの内部に設けられ
た減速器と，該ビームラインと該試料室との間に設けら
れ且つ該ビームラインを通過する間に減速された前記イ
オンが該被注入物体表面に向けて偏向するように該イオ
ンの進行方向に垂直な磁界を付与するための磁石と，互
いに直交する二方向における幅および位置が変化可能に
された開口を有する隔壁が該ビームラインと該磁石との
間または該磁石と該試料室との間にに設けられているこ
とを特徴とする本発明に係るイオン注入装置，または，
上記いずれかにおける前記隔壁は，前記二方向のそれぞ
れにおいて対になった互いに対向する二対の可動板と，
それぞれの前記対になった可動板の対向辺の各々に設け
られた半楕円形の切り欠き部と，前記対になった各々の
該可動板を移動させるための手段とから成ることを特徴
とする本発明に係るイオン注入装置のいずれかによって
達成される。
【００１２】
【作用】図１は本発明の原理的構成を説明するための模
式的断面図であって，イオン源１と質量分析器２とビー
ムライン３と試料室４とが順に相互間に真空気密手段を
介して連結されいる。質量分析器２は磁石21を有する。
参照符号６は, ビームライン３内を排気するためのポン
プであって，ゲートバルブ61を介してビームライン３に
接続されている。イオン源１で発生したイオンは, 質量
分析器２を通過する間に, 磁石21によって印加された磁
界により偏向され, ビームライン３内を進行し, 試料室
４内に設置されている半導体基板７に達する。参照符号
９はビームライン３を通過したイオンを, 半導体基板７
中において所望の深さに注入されるように, 所定のエネ
ルギーに減速器であって, その内部には図示しない減速
電極が設けられている。また参照符号８は半導体基板７
に注入されたイオンによる電流を測定するための電流計
である。
式的断面図であって，イオン源１と質量分析器２とビー
ムライン３と試料室４とが順に相互間に真空気密手段を
介して連結されいる。質量分析器２は磁石21を有する。
参照符号６は, ビームライン３内を排気するためのポン
プであって，ゲートバルブ61を介してビームライン３に
接続されている。イオン源１で発生したイオンは, 質量
分析器２を通過する間に, 磁石21によって印加された磁
界により偏向され, ビームライン３内を進行し, 試料室
４内に設置されている半導体基板７に達する。参照符号
９はビームライン３を通過したイオンを, 半導体基板７
中において所望の深さに注入されるように, 所定のエネ
ルギーに減速器であって, その内部には図示しない減速
電極が設けられている。また参照符号８は半導体基板７
に注入されたイオンによる電流を測定するための電流計
である。
【００１３】本発明によれば，質量分析器２とビームラ
イン３との間には, 隔壁10が設けられている。隔壁11
は, 例えば, ビームライン３の管軸に垂直に配置されて
いる。隔壁10は, そのほぼ中央部に開口101 が設けられ
ており, そして, 質量分析器２によって分別された所定
の質量／電荷比を持ったイオンが開口101 を通過するよ
うに位置調節可能にされている。すなわち，イオンビー
ムの軌道にほぼ垂直な面内において二次元方向に移動可
能にされている。また, 開口101 の形状および寸法は,
通過するイオンビームの形状および寸法に応じて変化可
能にされている。
イン３との間には, 隔壁10が設けられている。隔壁11
は, 例えば, ビームライン３の管軸に垂直に配置されて
いる。隔壁10は, そのほぼ中央部に開口101 が設けられ
ており, そして, 質量分析器２によって分別された所定
の質量／電荷比を持ったイオンが開口101 を通過するよ
うに位置調節可能にされている。すなわち，イオンビー
ムの軌道にほぼ垂直な面内において二次元方向に移動可
能にされている。また, 開口101 の形状および寸法は,
通過するイオンビームの形状および寸法に応じて変化可
能にされている。
【００１４】隔壁10を設けたことにより, ポンプ６によ
る差動排気が効果的に行われ, ビームライン３内は高真
空に維持され, また, 開口101 の形状，寸法および位置
が調節可能にされているために, 従来のようなステアリ
ング調整を行うことなく，所望の低エネルギーのイオン
ビームを効率よく被注入物体に注入することが可能とな
る。
る差動排気が効果的に行われ, ビームライン３内は高真
空に維持され, また, 開口101 の形状，寸法および位置
が調節可能にされているために, 従来のようなステアリ
ング調整を行うことなく，所望の低エネルギーのイオン
ビームを効率よく被注入物体に注入することが可能とな
る。
【００１５】
【実施例】図２は本発明の一実施例を説明するための部
分断面図であって，質量分析器２とビームライン３との
間に設けられる隔壁10は, 例えば, 紙面に沿って上下に
移動可能な互いに対向する一対の可動板11および12と，
紙面に垂直方向に移動可能な互いに対向する一対の可動
板13および14とから成る。可動板11および12は, 例えば
モータM1およびM2によって駆動される。可動板13および
14も同様に, 図示しないモータによって駆動される。
分断面図であって，質量分析器２とビームライン３との
間に設けられる隔壁10は, 例えば, 紙面に沿って上下に
移動可能な互いに対向する一対の可動板11および12と，
紙面に垂直方向に移動可能な互いに対向する一対の可動
板13および14とから成る。可動板11および12は, 例えば
モータM1およびM2によって駆動される。可動板13および
14も同様に, 図示しないモータによって駆動される。
【００１６】図３(a) および(b) は, それぞれ, 図２に
おける隔壁10を構成する可動板11および12の対と可動板
13および14の対の詳細を説明するための平面図および側
断面図である。すなわち，可動板11, 12, 13および14
は, 例えば真空外囲器16を貫通する板状部材から成る。
真空外囲器16は, 質量分析器２およびビームライン３
と, 例えば周知のＯリングシール等の手段によって気密
に連結れている。可動板11, 12, 13および14は, 真空気
密封止のためのシール部材17と摺動可能にされている。
したがって, それぞれの可動板は, モータM1, M2, M3お
よびM4による駆動によって独立に平行移動でき, 各々の
対における対向辺の間隔および対向辺の位置が変化され
る。このようにして, 可動板11, 12, 13および14の位置
によって, 任意の寸法を有する矩形の開口101 が任意の
位置に配置可能となる。なお，可動板11, 12, 13および
14のいずれかまたはすべての全体，もしくは，これら可
動板とモータM1，M2, M3およびM4との全体を真空外囲器
16内に配置してしまってもよい。
おける隔壁10を構成する可動板11および12の対と可動板
13および14の対の詳細を説明するための平面図および側
断面図である。すなわち，可動板11, 12, 13および14
は, 例えば真空外囲器16を貫通する板状部材から成る。
真空外囲器16は, 質量分析器２およびビームライン３
と, 例えば周知のＯリングシール等の手段によって気密
に連結れている。可動板11, 12, 13および14は, 真空気
密封止のためのシール部材17と摺動可能にされている。
したがって, それぞれの可動板は, モータM1, M2, M3お
よびM4による駆動によって独立に平行移動でき, 各々の
対における対向辺の間隔および対向辺の位置が変化され
る。このようにして, 可動板11, 12, 13および14の位置
によって, 任意の寸法を有する矩形の開口101 が任意の
位置に配置可能となる。なお，可動板11, 12, 13および
14のいずれかまたはすべての全体，もしくは，これら可
動板とモータM1，M2, M3およびM4との全体を真空外囲器
16内に配置してしまってもよい。
【００１７】図４は，上記可動板11と12の対および可動
板13と14の対の各々における対向辺に, 半楕円形の切り
欠き部102 を設けた場合を示す。各々の対における可動
板の対向辺の間隔により, 開口101 の形状は, 同図(c),
(d) および(e) に示すように, 円形または楕円形に近く
なる。したがって, イオンビームが円形または楕円形の
場合には, 開口101 の面積を小さくしても，隔壁10によ
るイオンビームの" けられ”が少なくなる。その結果，
注入効率を高くすることができ，かつ，ビームライン３
を高真空に維持することができる利点がある。
板13と14の対の各々における対向辺に, 半楕円形の切り
欠き部102 を設けた場合を示す。各々の対における可動
板の対向辺の間隔により, 開口101 の形状は, 同図(c),
(d) および(e) に示すように, 円形または楕円形に近く
なる。したがって, イオンビームが円形または楕円形の
場合には, 開口101 の面積を小さくしても，隔壁10によ
るイオンビームの" けられ”が少なくなる。その結果，
注入効率を高くすることができ，かつ，ビームライン３
を高真空に維持することができる利点がある。
【００１８】上記のような隔壁10は，イオン注入装置に
おいて特に高真空度を必要とする領域の差動排気を効果
的に行わせるために，その領域の前または後に設置して
もよい。例えば，図５は，質量分析器２の後に後段加速
器21と電荷分離用磁石22を備えたイオン注入装置であっ
て, シリコン基板に対して浅いｐ型不純物領域を形成す
るために二弗化硼素イオン(BF2 + ) を注入する場合に用
いられる。このようなイオン注入装置においては, 電荷
分離用磁石22による磁界が印加される領域を特に高真空
に維持する必要がある。これは, 真空度が低いとイオン
ビームが発散し, 分解能が低下してしまうことを避ける
ためである。
おいて特に高真空度を必要とする領域の差動排気を効果
的に行わせるために，その領域の前または後に設置して
もよい。例えば，図５は，質量分析器２の後に後段加速
器21と電荷分離用磁石22を備えたイオン注入装置であっ
て, シリコン基板に対して浅いｐ型不純物領域を形成す
るために二弗化硼素イオン(BF2 + ) を注入する場合に用
いられる。このようなイオン注入装置においては, 電荷
分離用磁石22による磁界が印加される領域を特に高真空
に維持する必要がある。これは, 真空度が低いとイオン
ビームが発散し, 分解能が低下してしまうことを避ける
ためである。
【００１９】したがって, 上記領域と後段加速器21との
間に, 図３または図４を参照して説明した隔壁10を設置
することにより, この領域に対する差動排気が効果的に
行われる。
間に, 図３または図４を参照して説明した隔壁10を設置
することにより, この領域に対する差動排気が効果的に
行われる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，イオン注入装置におい
てエネルギー汚染を生じやすい領域における差動排気を
効果的に行われるとともに，注入効率を向上できる。そ
の結果, デセル注入におけるエネルギー汚染が防止され
, 100nm ないしそれ以下の浅くかつ高濃度のｐｎ接合を
高能率で形成可能となり, したがって, 高集積の半導体
装置の開発促進, 製造歩留まりの向上ならびにコスト低
減が可能となる。
てエネルギー汚染を生じやすい領域における差動排気を
効果的に行われるとともに，注入効率を向上できる。そ
の結果, デセル注入におけるエネルギー汚染が防止され
, 100nm ないしそれ以下の浅くかつ高濃度のｐｎ接合を
高能率で形成可能となり, したがって, 高集積の半導体
装置の開発促進, 製造歩留まりの向上ならびにコスト低
減が可能となる。
【図１】 本発明の原理的構成説明図
【図２】 本発明の一実施例説明図
【図３】 本発明における隔壁10の詳細説明図
【図４】 本発明における隔壁10の変形例説明図
【図５】 本発明の別の実施例説明図
【図６】 減速注入におけるエネルギー汚染の例を示す
図
図
【図７】 後段加速注入におけるエネルギー汚染の例を
示す図
示す図
１ イオン源 ８ 電流計 ２ 質量分析器 10 隔壁 21 磁石 11, 12, 13, 14
可動板 ３ ビームライン 16 真空外囲器 ４ 試料室 17 シール部材 ６ ポンプ 101 開口 61 ゲートバルブ 102 切り欠き部 ７ 半導体基板 M1, M2, M3, M4
モータ
可動板 ３ ビームライン 16 真空外囲器 ４ 試料室 17 シール部材 ６ ポンプ 101 開口 61 ゲートバルブ 102 切り欠き部 ７ 半導体基板 M1, M2, M3, M4
モータ
Claims (5)
- 【請求項１】 イオン源と質量分析器と管状のビームラ
インならびに該質量分析器で分別された所望の質量／電
荷比を有するイオンが注入される表面を有する被注入物
体がその内部に設置されている試料室とが順に連結され
たイオン注入装置において，互いに直交する二方向にお
ける幅および位置が変化可能にされた開口を有する隔壁
が該質量分析器と該ビームラインとの間に設けられてい
ることを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 前記所望の質量／電荷比を有するイオン
を減速するための減速器が前記ビームラインと前記試料
室との間にさらに設けられていることを特徴とする請求
項１記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】 前記隔壁は，前記二方向のそれぞれにお
いて対になった互いに対向する二対の可動板と，それぞ
れの前記対になった可動板の対向辺の各々に設けられた
半楕円形の切り欠き部と，前記対になった各々の該可動
板を移動させるための手段とから成ることを特徴とする
請求項１または２記載のイオン注入装置。 - 【請求項４】 イオンを発生させるためのイオン源と，
該イオン源で発生したイオンをそれらの質量／電荷比に
よって分別するための質量分析器と，該質量分析器によ
って分別された前記イオンが通過する管状のビームライ
ンと，前記分別されたイオンを注入される被注入物体が
該ビームラインの管軸上からはずれて位置するようにし
てその内部に設置され且つ該ビームラインに連結された
試料室と，前記分別されたイオンを減速するために該ビ
ームラインの内部に設けられた減速器と，該ビームライ
ンと該試料室との間に設けられ且つ該ビームラインを通
過する間に減速された前記イオンが該被注入物体表面に
向けて偏向するように該イオンの進行方向に垂直な磁界
を付与するための磁石と，互いに直交する二方向におけ
る幅および位置が変化可能にされた開口を有する隔壁が
該ビームラインと該磁石との間または該磁石と該試料室
との間にに設けられていることを特徴とするイオン注入
装置。 - 【請求項５】 前記隔壁は，前記二方向のそれぞれにお
いて対になった互いに対向する二対の可動板と，それぞ
れの前記対になった可動板の対向辺の各々に設けられた
半楕円形の切り欠き部と，前記対になった各々の該可動
板を移動させるための手段とから成ることを特徴とする
請求項１または４記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463692A JPH0620618A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17463692A JPH0620618A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620618A true JPH0620618A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15982060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17463692A Withdrawn JPH0620618A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479375B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2005-03-28 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 이온 주입기에서 가변 개구를 작동하기 위한 방법 및 시스템 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17463692A patent/JPH0620618A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479375B1 (ko) * | 1999-02-19 | 2005-03-28 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 이온 주입기에서 가변 개구를 작동하기 위한 방법 및 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI416573B (zh) | 多用途離子佈植器束流線組態、離子佈植器束流線、提供一用於一離子佈植器束流線之可調整質量選擇孔隙之設備及用於一離子佈植器束流線之分析器磁體 | |
| US7521699B2 (en) | Apparatus and method for doping | |
| US6313475B1 (en) | Acceleration and analysis architecture for ion implanter | |
| JP5120598B2 (ja) | 偏向用の加速／減速ギャップ | |
| US6441382B1 (en) | Deceleration electrode configuration for ultra-low energy ion implanter | |
| US7022984B1 (en) | Biased electrostatic deflector | |
| US7977628B2 (en) | System and method for reducing particles and contamination by matching beam complementary aperture shapes to beam shapes | |
| WO2005098894A1 (en) | Method and apparatus for selective pre-dispersion of extracted ion beams in ion implantation systems | |
| US5892235A (en) | Apparatus and method for doping | |
| JP2007524962A (ja) | イオン注入システムにおいてプラズマを発生させるための薄膜形成用マグネトロン構造 | |
| US5554853A (en) | Producing ion beams suitable for ion implantation and improved ion implantation apparatus and techniques | |
| KR20060090672A (ko) | 질량 분리를 갖는 이온 빔 슬릿 추출 | |
| US20020100880A1 (en) | Apparatus for decelerating ion beams for reducing the energy contamination | |
| JP4103016B2 (ja) | 傾斜ディセル装置とそのイオンビームの形成方法 | |
| JPH0620618A (ja) | イオン注入装置 | |
| TWI786869B (zh) | 半導體處理設備及形成矩形或梯度濃度分佈植入區的方法 | |
| JP4843252B2 (ja) | 表面処理装置及び表面処理方法 | |
| US20220359710A1 (en) | Channeled Implants For SiC MOSFET Fabrication | |
| JP3717301B2 (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
| US6177679B1 (en) | Ion implanter with impurity interceptor which removes undesired impurities from the ion beam | |
| JP3082257B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3235113B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3264987B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US20080173828A1 (en) | Ion implantation device and method for implanting ions | |
| JPH09115850A (ja) | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |