JPH0620461U - Molecular beam generator - Google Patents

Molecular beam generator

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JPH0620461U
JPH0620461U JP5671892U JP5671892U JPH0620461U JP H0620461 U JPH0620461 U JP H0620461U JP 5671892 U JP5671892 U JP 5671892U JP 5671892 U JP5671892 U JP 5671892U JP H0620461 U JPH0620461 U JP H0620461U
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JP
Japan
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carbon
molecular beam
fixed
filament
filament plate
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JP5671892U
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Japanese (ja)
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貞治 岡
明 三浦
暁 内田
浩実 鎌田
信治 小林
剛 八木原
淳 野々山
忠重 藤田
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Publication date
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】化合物半導体へカーボンを濃度の制御性良くド
ーピングでき、またカーボンフィラメントの寿命を向上
させ稼動時間を長くできる分子線発生装置を提供するこ
と。 【構成】一端側に一対の電極が固定された板状の絶縁碍
子と、一部に放出孔を有する容器として形成され絶縁碍
子の他端側に固定された分子線源セルと、一端が電極と
導通して絶縁碍子に固定され分子線源セルの中に収納さ
れる複数の導電性の支柱と、タングステンフィラメント
板を下にしてカーボンフィラメント板と並列接続して支
柱の他端に固定された複合フィラメント群とを具備し、
電極に外部から通電することにより昇華したカーボン分
子線を放出孔から放出する分子線発生装置。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a molecular beam generator capable of doping carbon into a compound semiconductor with a good controllability of carbon concentration, improving the life of the carbon filament, and extending the operating time. A plate-shaped insulator having a pair of electrodes fixed to one end side, a molecular beam source cell fixed to the other end side of the insulator formed as a container having a discharge hole in one part, and an electrode at one end A plurality of conductive columns that are electrically connected to and fixed to the insulator and housed in the molecular beam source cell, and are connected in parallel with the carbon filament plate with the tungsten filament plate facing down and fixed to the other end of the column. And a composite filament group,
A molecular beam generator that emits a sublimated carbon molecular beam from an emission hole when electricity is applied to the electrode from the outside.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は、分子線エピタキシャル装置の分子線発生装置に係わるものであり、 特に、安定した分子線を得る為の分子線発生装置の改良に関するものである。 The present invention relates to a molecular beam generator for a molecular beam epitaxial device, and more particularly to an improvement of the molecular beam generator for obtaining a stable molecular beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

従来のこの種の分子線発生装置を図4,5を用いて説明する。 図4は従来の分子線発生装置の縦断面図である。 図5はカーボンフィラメント板の上面図である。 分子線エピタキシャル装置の超高真空に保たれたエピタキシャル成長室に連結 した小部屋(図示せず)に、図4に示す分子線発生装置が設けられている。 A conventional molecular beam generator of this type will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a vertical sectional view of a conventional molecular beam generator. FIG. 5 is a top view of the carbon filament plate. The molecular beam generator shown in FIG. 4 is provided in a small chamber (not shown) connected to the epitaxial growth chamber kept in an ultrahigh vacuum of the molecular beam epitaxial device.

【0003】 図5において、カーボンフィラメント板10はラダー状の幅の小さいフィラメ ント部11の両端にネジ孔12を有する接続部13と、ネジ孔14を有する接続 部15が設けられている。そして図4において接続部13は支柱20の上端面2 2にネジ孔12を通したタングステンのネジ16で固定され、接続部15は支柱 21の上端面23にネジ孔14を通したタングステンのネジ17で固定されてい る。In FIG. 5, a carbon filament plate 10 is provided with a connecting portion 13 having a screw hole 12 and a connecting portion 15 having a screw hole 14 at both ends of a filament portion 11 having a small width. In FIG. 4, the connecting portion 13 is fixed to the upper end surface 22 of the support column 20 with the tungsten screw 16 that passes through the screw hole 12, and the connecting portion 15 is the tungsten screw that passes through the screw hole 14 in the upper end surface 23 of the support column 21. It is fixed at 17.

【0004】 図4において、タングステンのネジ40はカーボンの支柱20の下端に固定さ れるL字型のタングステンの止め具30を絶縁碍子50の端面51に固定し、同 時に絶縁碍子50の端面52にタングステンの電極60を固定している。同様に 、タングステンのネジ41はカーボンの支柱21の下端部に固定されるL字型の タングステンの止め具31を絶縁碍子50の端面51に固定し、同時に絶縁碍子 51の端面52にタングステンの電極61を固定している。In FIG. 4, a tungsten screw 40 fixes an L-shaped tungsten stopper 30 fixed to the lower end of the carbon support column 20 to an end face 51 of an insulator 50, and at the same time, an end face 52 of the insulator 50. A tungsten electrode 60 is fixed to the. Similarly, the tungsten screw 41 fixes the L-shaped tungsten stopper 31 fixed to the lower end of the carbon column 21 to the end face 51 of the insulator 50, and at the same time, to the end face 52 of the insulator 51, the tungsten electrode. 61 is fixed.

【0005】 従って、支柱20と電極60とは絶縁碍子50を介して電気的に導通し、支柱 21と電極61とは絶縁碍子50を介して電気的に導通することとなり、電極6 0,61を介してカーボンフィラメント板10に通電可能となっている。 また、分子線源セル70は一端面に分子線を放出する放出孔71が設けられた 容器であって、中に支柱20,21及びカーボンフィラメント板10を収納して 絶縁碍子50の端面51に固定されている。Therefore, the column 20 and the electrode 60 are electrically connected to each other via the insulator 50, and the column 21 and the electrode 61 are electrically connected to each other via the insulator 50, so that the electrodes 60 and 61 are electrically connected. The carbon filament plate 10 can be energized via the. Further, the molecular beam source cell 70 is a container having an emission hole 71 for emitting a molecular beam at one end surface thereof, and the columns 20, 21 and the carbon filament plate 10 are housed in the end surface 51 of the insulator 50. It is fixed.

【0006】 次に上記分子線発生装置の動作を説明する。 電極60と電極61の間にフィラメント電流が供給されると、カーボンフィラ メント板10の温度は上昇し、その温度が2000°C程度になるとカーボンは 昇華する。そして超高真空では分子の平均自由行程は大きくなる為、昇華したカ ーボン分子はビーム状となって直進し、分子線源セル70の放出孔71からエピ タキシャル成長室内の化合物半導体基盤(図示せず)に到達する。Next, the operation of the molecular beam generator will be described. When a filament current is supplied between the electrode 60 and the electrode 61, the temperature of the carbon filament plate 10 rises, and when the temperature reaches about 2000 ° C, the carbon sublimes. In ultrahigh vacuum, the mean free path of the molecule becomes large, so the sublimated carbon molecule goes straight in the form of a beam from the emission hole 71 of the molecular beam source cell 70 to the compound semiconductor substrate (not shown) in the epitaxial growth chamber. Reach).

【0007】 この場合化合物半導体基盤に到達するカーボン分子の濃度(キャリア濃度)は 、カーボンフィラメント板10の温度によってコントロールされ、カーボンフィ ラメント板10の温度はフィラメント電流によってコントロールされる。従って 、カーボン分子の濃度はフィラメント電流によってコントロールされる。In this case, the concentration of carbon molecules (carrier concentration) reaching the compound semiconductor substrate is controlled by the temperature of the carbon filament plate 10, and the temperature of the carbon filament plate 10 is controlled by the filament current. Therefore, the concentration of carbon molecules is controlled by the filament current.

【0008】[0008]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

このような従来の技術にあっては、カーボンフィラメント板10に存在する結 晶欠陥や、カーボンフィラメント板10を支柱20,21の上端面22,23に 固定することによって発生する応力等が原因となり、カーボンフィラメント板1 0の一部分(ホットスポット)の抵抗が高くなってしまう現象が発生する。抵抗 が増大するとホットスポットの温度はそれにつれて上昇し、温度が上がることに よって抵抗はさらに増大してしまうというポジティブフィードバックがかかって しまい、カーボンフィラメント板10の温度をコントロールすることが難しくな る。従って、カーボンを化合物半導体にドーピングする場合、その濃度コントロ ールが難しくなるという問題があった。またホットスポットにおける局所的な温 度上昇がカーボンフィラメント板10の切断を招き、装置の稼動時間が短くなる という問題があった。 本考案は、従来の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その 目的とするところは、化合物半導体へカーボンを濃度の制御性良くドーピングで き、またカーボンフィラメント板の寿命を向上させ稼動時間を長くできる分子線 発生装置を提供することである。 In such a conventional technique, a crystal defect existing in the carbon filament plate 10 or a stress generated by fixing the carbon filament plate 10 to the upper end faces 22 and 23 of the columns 20 and 21 is a cause. A phenomenon occurs in which the resistance of a part (hot spot) of the carbon filament plate 10 becomes high. When the resistance increases, the temperature of the hot spot rises accordingly, and the resistance further increases as the temperature rises, which causes positive feedback, making it difficult to control the temperature of the carbon filament plate 10. Therefore, there is a problem that it becomes difficult to control the concentration of carbon when the compound semiconductor is doped. Further, there is a problem that the local temperature rise in the hot spot causes the carbon filament plate 10 to be cut and the operating time of the device is shortened. The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art. The purpose of the present invention is to dope the compound semiconductor with carbon in a well-controlled concentration and to improve the life of the carbon filament plate. The purpose of the present invention is to provide a molecular beam generator that can prolong operating time.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記目的を達成するために、本考案は、一端側に一対の電極が固定された板状 の絶縁碍子と、一部に放出孔を有する容器として形成され前記絶縁碍子の他端側 に固定された分子線源セルと、一端が前記電極と導通して前記絶縁碍子に固定さ れ前記分子線源セルの中に収納される複数の導電性の支柱と、タングステンフィ ラメント板を下にしてカーボンフィラメント板と並列接続して前記支柱の他端に 固定された複合フィラメント群とを具備し、 前記電極に外部から通電することにより昇華したカーボン分子線を前記放出孔 から放出することを特徴とする分子線発生装置である。 In order to achieve the above object, the present invention provides a plate-shaped insulator having a pair of electrodes fixed to one end side and a container having a discharge hole partially formed and fixed to the other end side of the insulator. A molecular beam source cell, a plurality of conductive columns having one end electrically connected to the electrode and fixed to the insulator and housed in the molecular beam source cell, and a carbon fiber with a tungsten filament plate facing down. A composite filament group connected in parallel with a filament plate and fixed to the other end of the column, and the sublimated carbon molecular beam is emitted from the emission hole by energizing the electrode from the outside. It is a molecular beam generator.

【0010】[0010]

【作用】[Action]

このような本考案では、タングステンフィラメント板100は、カーボンとタ ングステンの比抵抗の違いからフィラメント電流をカーボンフィラメント板10 よりもタングステンフィラメント板100側に大きく分流し、カーボンフィラメ ント板10の自己発熱を抑えタングステンフィラメント板100の自己発熱によ ってカーボンフィラメント板10を間接的に加熱しカーボンを昇華させ、カーボ ンフィラメント板10のホットスポットにおける局所的な温度上昇や抵抗値の増 大を無視できるようにする。そして、カーボンフィラメント板10の温度は、フ ィラメント電流によって安定してコントロールされ、化合物半導体基盤に到達す るカーボン分子の濃度(キャリア濃度)はフィラメント電流によって安定してコ ントロールされる。 また、タングステンフィラメント板100はカーボンフィラメント板10の機 械的な強度を補強し、カーボンフィラメント板10を切断されにくくし、装置の 稼動時間を長くする。 In the present invention, the tungsten filament plate 100 shunts the filament current to the tungsten filament plate 100 side rather than the carbon filament plate 10 due to the difference in the specific resistance between carbon and tungsten, so that the carbon filament plate 10 self-heats. The carbon filament plate 10 is indirectly heated by the self-heating of the tungsten filament plate 100 to sublimate the carbon, ignoring the local temperature rise and resistance increase in the hot spot of the carbon filament plate 10. It can be so. The temperature of the carbon filament plate 10 is stably controlled by the filament current, and the concentration of carbon molecules reaching the compound semiconductor substrate (carrier concentration) is stably controlled by the filament current. Further, the tungsten filament plate 100 reinforces the mechanical strength of the carbon filament plate 10, makes it difficult for the carbon filament plate 10 to be cut, and prolongs the operating time of the apparatus.

【0011】[0011]

【実施例】【Example】

次に、本考案の実施例について図面を用いて説明する。 尚、以下の図面において、図4,5と重複する部分は同一番号を付してその説 明は適宜に省略する。 図1は本考案の具体的な一実施例の縦断面図である。 図2はタングステンフィラメント板の上面図である。 図2において、100は本考案のタングステンフィラメント板である。タング ステンフィラメント板100は、図5におけるカーボンフィラメント板10と同 形状であり、ラダー状の幅の小さいフィラメント部101の両端にネジ孔102 を有する接続部103とネジ孔104を有する接続部105が設けられている。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings below, the same parts as those in FIGS. 4 and 5 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted. FIG. 1 is a vertical sectional view of a specific embodiment of the present invention. FIG. 2 is a top view of the tungsten filament plate. In FIG. 2, reference numeral 100 is the tungsten filament plate of the present invention. The tungsten filament plate 100 has the same shape as the carbon filament plate 10 in FIG. 5, and has a connecting portion 103 having a screw hole 102 and a connecting portion 105 having a screw hole 104 at both ends of a ladder-shaped narrow filament portion 101. It is provided.

【0012】 そして、図1において複合フィラメント群110は、タングステンフィラメン ト板100の上にカーボンフィラメント板10が重ね合わせられて構成され、接 続部13,103は支柱20の上端面22にネジ孔12,102を通したタング ステンのネジ16で固定され、接続部15,105は支柱21の上端面23にネ ジ孔14,104を通したタングステンのネジ17で固定されている。In FIG. 1, the composite filament group 110 is constituted by stacking the carbon filament plate 10 on the tungsten filament plate 100, and the connecting portions 13 and 103 are provided with screw holes on the upper end surface 22 of the column 20. Tungsten screws 16 that pass through 12, 102 are fixed, and the connection portions 15 and 105 are fixed to the upper end surface 23 of the column 21 by tungsten screws 17 that pass through the screw holes 14 and 104.

【0013】 次に上記分子線発生装置の動作を説明する。 図3はフィラメント電流とキャリア農度の関係を示す図である。 電極60と電極61の間にフィラメント電流が供給されると、その電流はカー ボンフィラメント板10とタングステンフィラメント板100に分流されるが、 カーボンが昇華する2000°C程度の温度においてはカーボンの比抵抗はタン グステンの比抵抗の約10倍(カーボンの比抵抗は約1000uΩcm、タング ステンの比抵抗は約80uΩcmである)の大きさであるので、カーボンフィラ メント板10に流れる電流は、タングステンフィラメント板100に流れる電流 の約10分の1の大きさとなる。Next, the operation of the molecular beam generator will be described. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the filament current and the carrier level. When a filament current is supplied between the electrode 60 and the electrode 61, the current is shunted to the carbon filament plate 10 and the tungsten filament plate 100, but at a temperature of about 2000 ° C at which carbon sublimes, the carbon ratio Since the resistance is about 10 times that of tungsten (the specific resistance of carbon is about 1000 uΩcm and the specific resistance of tungsten is about 80 uΩcm), the current flowing through the carbon filament plate 10 is a tungsten filament. It is about one tenth of the current flowing through the plate 100.

【0014】 従って、カーボンフィラメント板10の自己発熱は低くなるが、タングステン フィラメント板100の自己発熱が高い為、その熱によってカーボンフィラメン ト板10は間接的に加熱されカーボンは昇華されることとなる。そして超高真空 では分子の平均自由行程は大きくなる為、昇華したカーボン分子はビーム状とな って直進し、分子線源セル70の放出孔71からエピタキシャル成長室内の化合 物半導体基盤(図示せず)に到達する。Therefore, although the self-heating of the carbon filament plate 10 is low, the self-heating of the tungsten filament plate 100 is high, and the carbon filament plate 10 is indirectly heated by the heat and the carbon is sublimated. . Since the mean free path of the molecule becomes large in the ultra-high vacuum, the sublimated carbon molecule becomes a beam and goes straight, from the emission hole 71 of the molecular beam source cell 70 to the compound semiconductor substrate (not shown) in the epitaxial growth chamber. ) To reach.

【0015】 この場合は、カーボンフィラメント板10に流れる電流はタングステンフィラ メント板100に流れる電流の約10分の1と小さく、カーボンフィラメント板 10の温度はタングステンフィラメント板100による間接的な加熱によって支 配される為、カーボンフィラメント板10にホットスポットが発生し高抵抗とな っても、ホットスポットにおけるポジティブフィードバックによる局所的な温度 上昇は無視できるものとなる。In this case, the current flowing through the carbon filament plate 10 is as small as about 1/10 of the current flowing through the tungsten filament plate 100, and the temperature of the carbon filament plate 10 is indirectly supported by the tungsten filament plate 100. Since they are arranged, even if a hot spot occurs on the carbon filament plate 10 and the resistance becomes high, the local temperature rise due to the positive feedback at the hot spot becomes negligible.

【0016】 従って、カーボンフィラメント板10の温度を、フィラメント電流によって安 定してコントロールすることが可能となり、化合物半導体基盤に到達するカーボ ン分子の濃度(キャリア濃度)は、図3に示す様にフィラメント電流を大きくす ればキャリア濃度は上がり、フィラメント電流を小さくすればキャリア濃度は下 がり、フィラメント電流によってキャリア濃度を安定してコントロールすること ができる。Therefore, it becomes possible to stabilize and control the temperature of the carbon filament plate 10 by the filament current, and the concentration of carbon molecules reaching the compound semiconductor substrate (carrier concentration) is as shown in FIG. When the filament current is increased, the carrier concentration is increased, and when the filament current is decreased, the carrier concentration is decreased, and the carrier concentration can be stably controlled by the filament current.

【0017】 また、タングステンフィラメント板100はカーボンフィラメント板10の機 械的な強度を補強することとなり、カーボンフィラメント板10を支柱20,2 1の上端面22,23に固定する場合にカーボンフィラメント板10に加わる応 力に対する耐性を上げることができる。従って、カーボンフィラメント板10は 切断されにくくなり、装置の稼動時間を長くすることができる。Further, the tungsten filament plate 100 reinforces the mechanical strength of the carbon filament plate 10, and when the carbon filament plate 10 is fixed to the upper end faces 22 and 23 of the columns 20 and 21, the carbon filament plate 10 is fixed. It is possible to increase the resistance to the load applied to 10. Therefore, the carbon filament plate 10 is less likely to be cut, and the operating time of the device can be lengthened.

【0018】 尚、複数の支柱を用いてカーボンフィラメント板を上下方向に並列につないで 多層構造とし、化合物半導体基盤から見たフィラメント部の有効面積を大きくし て分子線の発生効率を高めた分子線発生装置にも本考案の複合フィラメント群の 構造を適用することができる。It is to be noted that the carbon filament plates are vertically connected in parallel using a plurality of columns to form a multilayer structure, and the effective area of the filament portion viewed from the compound semiconductor substrate is increased to increase the molecular beam generation efficiency. The structure of the composite filament group of the present invention can also be applied to the line generator.

【0019】[0019]

【考案の効果】[Effect of device]

本考案は、以上説明したように、一端側に一対の電極が固定された板状の絶縁 碍子と、一部に放出孔を有する容器として形成され前記絶縁碍子の他端側に固定 された分子線源セルと、一端が前記電極と導通して前記絶縁碍子に固定され前記 分子線源セルの中に収納される複数の導電性の支柱と、タングステンフィラメン ト板を下にしてカーボンフィラメント板と並列接続して前記支柱の他端に固定さ れた複合フィラメント群とを具備し、前記電極に外部から通電することにより昇 華したカーボン分子線を前記放出孔から放出するように構成されているので、化 合物半導体へカーボンを濃度の制御性良くドーピングでき、またカーボンフィラ メントの寿命を向上させ稼動時間を長くできる分子線発生装置を提供することが できる。 As described above, the present invention provides a plate-shaped insulator having a pair of electrodes fixed to one end side, and a molecule fixed to the other end side of the insulator formed as a container having a discharge hole in part. A radiation source cell, a plurality of conductive columns, one end of which is electrically connected to the electrode and which is fixed to the insulator and housed in the molecular beam source cell, and a carbon filament plate with a tungsten filament plate facing down. A composite filament group connected in parallel and fixed to the other end of the support column is configured to discharge the sublimated carbon molecular beam from the emission hole by energizing the electrode from the outside. Therefore, it is possible to provide a molecular beam generator capable of doping a compound semiconductor with carbon with good controllability of the concentration and improving the life of the carbon filament and prolonging the operating time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本考案の具体的な一実施例の縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a specific embodiment of the present invention.

【図2】タングステンフィラメント板の上面図である。FIG. 2 is a top view of a tungsten filament plate.

【図3】フィラメント電流とキャリア農度の関係を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a filament current and a carrier level.

【図4】従来の分子線発生装置の縦断面図である。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a conventional molecular beam generator.

【図5】カーボンフィラメント板の上面図である。FIG. 5 is a top view of a carbon filament plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 カーボンフィラメント板 20,21 支柱 50 絶縁碍子 60,61 電極 70 分子線源セル 71 放出孔 100 タングステンフィラメント板 110 複合フィラメント群 10 Carbon Filament Plate 20, 21 Support 50 Insulator 60, 61 Electrode 70 Molecular Beam Source Cell 71 Emission Hole 100 Tungsten Filament Plate 110 Composite Filament Group

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 鎌田 浩実 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 小林 信治 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 八木原 剛 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 野々山 淳 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 藤田 忠重 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Hiromi Kamata 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd. (72) Shinji Kobayashi 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Horizontal Inside Kawakawa Electric Co., Ltd. (72) Tsuyoshi Yagihara 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokokawa Electric Co., Ltd. (72) Atsushi Nonoyama 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd. (72) Creator Tadashige Fujita 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】一端側に一対の電極が固定された板状の絶
縁碍子と、一部に放出孔を有する容器として形成され前
記絶縁碍子の他端側に固定された分子線源セルと、一端
が前記電極と導通して前記絶縁碍子に固定され前記分子
線源セルの中に収納される複数の導電性の支柱と、タン
グステンフィラメント板を下にしてカーボンフィラメン
ト板と並列接続して前記支柱の他端に固定された複合フ
ィラメント群とを具備し、 前記電極に外部から通電することにより昇華したカーボ
ン分子線を前記放出孔から放出することを特徴とする分
子線発生装置。
1. A plate-shaped insulator having a pair of electrodes fixed to one end side, and a molecular beam source cell fixed to the other end side of the insulator formed as a container having a discharge hole in a part thereof. A plurality of conductive columns, one end of which is electrically connected to the electrode and fixed to the insulator and housed in the molecular beam source cell, and the column which is connected in parallel with the carbon filament plate with the tungsten filament plate facing down. And a composite filament group fixed to the other end of the same, and the sublimated carbon molecular beam is emitted from the emission hole by energizing the electrode from the outside.
JP5671892U 1992-08-12 1992-08-12 Molecular beam generator Pending JPH0620461U (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011043353A1 (en) * 2009-10-08 2011-04-14 株式会社 アルバック Filament for electron gun and method for producing same

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JP5236814B2 (en) * 2009-10-08 2013-07-17 株式会社アルバック Filament for electron gun and manufacturing method thereof

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