JP3864088B2 - Electronic heating hot plate device - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は電子加熱ホットプレートに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のホットプレートを図6に示す。ヒーター線20に通電してそのヒーター線からの熱伝導でサンプルホルダー21を加熱する。被加熱サンプル22はサンプルホルダーからの熱伝導で加熱される。このヒーター線を用いた加熱方式ではヒーター線の温度がもっとも高く、次がサンプルホルダー、もっとも温度が低いのが被加熱サンプルである。例えば被加熱サンプルを600℃に加熱したい場合にはヒーター線の温度を1000℃にしなければならない場合がある。ヒーター線は耐熱性の高い丈夫な素材で作らなければならない。ヒーター線を丈夫に作ることからホットプレート23全体の熱容量が大きくなる。熱容量の大きなホットプレートを昇温するためにヒーター線には大きな電力を供給する必要がある。電力消費が大きい上に熱容量が大きいことで急熱急冷も困難である。ヒーター線はまばらにしか配置できないのでサンプルホルダーの均熱性を向上させるためにリフレクター24を配置するなどの工夫がなされているがヒーター線が近接する部分とヒーター線から遠い部分でのサンプルホルダーの温度差の解消は困難である。この温度差を減少させようとするとホットプレートの熱容量がさらに増大する傾向になるので消費電力および急熱急冷が困難という問題が顕在化する。
ヒーター線方式のホットプレートが抱える上記課題を軽減する加熱方式としてランプ加熱方式が開発されている。ランプ加熱方式のホットプレートの構成図を図7に示す。サンプルホルダー21の上に載せた被加熱サンプルの上方にハロゲンランプ25を配置して点灯し、このランプからの輻射光によって前記被加熱サンプルを昇温させる。サンプルホルダーの構造が単純であるので熱容量が軽く急熱急冷が行える長所を備える。特にサンプルホルダーを水冷等で強制的に低温に保ちながらランプ照射による加熱を行う際にはランプ消灯後は冷却されたサンプルホルダーからの熱伝導で被加熱サンプルを急冷することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ランプ加熱方式においてもランプ自身が被加熱サンプルと比較して高温である課題を抱えている。ランプは熱線に加えて光も放射するのでランプで消費される電力の一部しか被加熱サンプルの加熱に寄与されない。このため、被加熱サンプルの昇温には大きな電力消費がなされてしまう。サンプルホルダーが冷却されている場合にはランプからの熱線の熱量の一部がこのサンプルホルダーによって消費されてしまうので加熱のための電力消費は相対的に大きくなる。このように従来の加熱方式はヒーター加熱方式のように昇温降温速度が遅い問題やランプ加熱方式のように加熱に要する電力消費が大きいといった課題を抱えていた。昇温降温速度と加熱電力消費の両方の特性を満足することはできなかった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子加熱ホットプレート装置は、被加熱サンプルと接する導電性のホットプレート1とカソード基板4で構成される特徴に加えて、前記カソード基板の表面にカーボンナノチューブを塗布してあることを第1の特徴とし、
第2に、第1の特徴に加えて前記カソード基板が固定されていて、ホットプレートが回転運動することを特徴とし、
第3に、被加熱サンプルと接する絶縁性のホットプレート1とカソード基板4で構成される電子加熱ホットプレート装置において、前記絶縁性のホットプレートが一部開口していて被加熱サンプルの導電性面が前記カソード基板方向に露出していることと、前記カソード基板の表面にカーボンナノチューブを塗布してあることを特徴とし、
第4に、第1から第3のいずれかの特徴に加えて、前記カソード基板の中心部分には前記カーボンナノチューブが塗布されていないことを、第5に、第1または第2のいずれかの特徴に加えて、前記ホットプレートが絶縁性の基材とその基材の裏面に導電性コーティング層を形成した構造であることを特徴とする。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明の電子加熱ホットプレート装置において、被加熱サンプルと接する導電性のホットプレート1とカソード基板4で構成される特徴に加えて、前記カソード基板の表面にカーボンナノチューブを塗布してある第1の特徴を備えている場合には、電子の電界放出材料として放出閾値電界を下げる効果がある先鋭な構造を備えるカーボンナノチューブをカソード基板に塗布する。この塗布されたカーボンナノチューブの一部の結晶はホットプレートの方向に起立配向している。カソード基板とホットプレートとを略平行対向配置させてホットプレートに対してカソード基板を負電位にすることでカーボンナノチューブの先鋭な構造の端部から電子を放出させて放出した電子を前記負電位による電界で加速させてホットプレートに照射する。照射されたホットプレートは電子が持つエネルギーによって加熱する。ホットプレートは加速した電子が照射されることで加熱されるが、電子を放出するカソード基板は電子を出すだけであるので加熱されない。ホット電子が抜き取られるという現象に注目するともしろ冷却される。カソード基板は抜き取られる電子がカソード基板中やカーボンナノチューブを伝導する際に発生するジュール熱や隣接するホットプレートからの熱輻射によって昇温する。これらの冷却や昇温の作用の大小関係によって若干降温したり昇温したりする。
第2に、第1の特徴に加えて前記カソード基板が固定されていて、ホットプレートが回転運動する特徴を備える場合には、電子放出源であるカソード基板とホットプレート(アノード電極)とが接触している必要がないので互いに独立に移動させられる。ホットプレートを回転させることもできる。この場合、ホットプレートの電位を定めるためにホットプレートには電極を接しておく必要はある。
第3に、被加熱サンプルと接する絶縁性のホットプレート1とカソード基板4で構成される電子加熱ホットプレート装置において、前記絶縁性のホットプレートが一部開口していて被加熱サンプルの導電性面が前記カソード基板方向に露出していることと、前記カソード基板の表面にカーボンナノチューブを塗布してある特徴を備える場合には、電子が導電性の電極(アノード電極)に集まる性質を利用して被加熱サンプルの一部を導電性として前記サンプルの他の部分およびホットプレートを絶縁性にすることで前記導電性の部分だけに電子を集中させてその部分だけを集中的に加熱する。
第4に、第1から第3のいずれかの特徴に加えて、前記カソード基板の中心部分には前記カーボンナノチューブが塗布されていない特徴を備える場合には最も温度が上昇しやすい中心部分に対応するカソード基板中心部分に電子源を配置しないことで中心部分には電子加熱を作用させない。
第5に、第1または第2のいずれかの特徴に加えて、前記ホットプレートが絶縁性の基材とその基材の裏面に導電性コーティング層を形成した構造である特徴を備える場合には、被加熱サンプルを搭載するホットプレート表面は絶縁性であり、裏面は導電性のコーティング層が形成されている。この構造は、コーティング層ではカソード基板から放出された電子を加速して受け止める機能を分担して、絶縁基材では電子を被加熱サンプルに漏らさずに加熱だけを行う機能を分担する。
【0006】
【実施例】
本発明の実施例1について図1を用いて説明する。図1は真空装置内で半導体基板を加熱処理するためのホットプレート1を描いたものである。300ミリメートル直径のシリコンウェハ100が加熱ステージ2の上に固定されている。この加熱ステージは外径が340mmで高さが2mmの略円筒形である。曲面状の側面と円盤状の天板で構成されている。モリブデンの厚み0.3mmの材料で形成した。この側面の下端はアルミナ絶縁物製の絶縁スペーサー2に気密接続されている。絶縁スペーサの高さは5mmである。この絶縁スペーサの下端は外径340mm、厚み2mmのステンレス製で円盤状の底板3に接続されている。この底板3の上にはカソード基板4が固定されている。カソード基板はステンレス製の円盤で厚みが4mmである。上面にはカーボンナノチューブがスクリーン印刷で全面塗布されている。このカーボンナノチューブは直径は数ナノメートルから数十ナノメートルの範囲のチューブが約50ミクロン間隔でほぼ垂直方向に起立配向している。図の容器は真空容器になっている。ゲッター7を内蔵していて10^−5Pa台の真空度を維持している。カソード電極にマイナス高圧を印加して、接地(ゼロ)電位のホットプレート1との間に電界を発生させる。カソード基板から放出された電子10は等電位面に沿って加速されてホットプレートに照射される。照射されたホットプレートは電子の持つエネルギーで加熱される。本実施例では対向したカソード基板とホットプレートとの距離は約3mmである。カソード基板に−3kVの電位を与えると電子が放出し始めて−10kVの電位を与えると100mA/cm^2の電子が放出される。この電子によって単位平方センチメートル当たり1kWの電力がホットプレートに供給されてこの電力によってホットプレートが加熱される。
【0007】
本発明の実施例2を説明する。図2にその構成図を示した。真空容器に内蔵したホットプレートの例である。真空容器内部に固定された底板3の上に銅製のカソード基板4が載せてある。このカソード基板表面には予めCVD法でCNTが配向成長されている。このカソード基板上方には回転式のホットプレート1が配置されている。ホットプレートの上には12インチサイズのシリコン基板が被加熱サンプル100として搭載されている。略円筒形ホットプレート1の側面にはスプリング電極5が接している。カソード基板は接地(ゼロ)電位であり、ホットプレート1にはスプリング電極5を介して正電位が与えられる。スプリング電極には5kVを与える。ホットプレートとカソード電極の対向ギャップは2mmに調整してある。この実施例ではカソード電極近傍は真空容器が大気状態では大気状態で、真空状態では真空状態である。特別に真空にするための機能を備えていないホットプレートの例である。
【0008】
本発明の実施例3を説明する。ホットプレートが絶縁性サンプルホルダー9を備えていることが特徴である。図3に構成図を示す。マザーボードとして機能する回路を備えたシリコン基板(被加熱サンプル100)に小さな導電性突起8を接合させる装置の例である。図2において、絶縁性のホットプレートのところどころに貫通向が設けてある。カソードを飛び出した電子10は導電性突起に集められる。結果として導電性突起部分が集中的に加熱される。シリコン基板の特定の数箇所に導電性突起を融着する場合に適用される。この例に類似した例として絶縁性サンプルホルダーの中央付近を大きく開口しておいて被加熱サンプル自身に導電性パターンをレイアウトしておく例がある。本ホットプレートでは外部電極に接続して正の高電圧を印加した導電性パターン部分だけに集中的に加速された電子を集めて局部加熱することができる。導電性パターンを微細加工しておけばその微細加工に応じた局所過熱が可能である。
【0008】
本発明の実施例4を図4に描いた。カソード基板4の上のCNT塗布パターンについて描いたものである。導電性のカソード基板の上に同心円状に三重にCNTをスクリーン印刷で塗布した。加熱するホットプレート(図は省略)を均一に加熱するためにカソード基板の中心の部分の電子密度を下げて(中心にはCNTを塗布しない)CNを塗布していることと、CNTを塗布した3つの円状パターンが互いに接していないことに特徴がある。
【0009】
本発明の実施例5を図5に描いた。完全絶縁性サンプルホルダー26の表面に被加熱サンプル100を搭載して、前記ホルダーの裏面には金属コーティング層27が形成されていることを特徴とした例である。前記金属コーティング層に対向する位置には5mmの距離を隔ててカソード基板4が配置されていてこのカソード基板表面にはエミッター材料としてカーボンナノチューブが塗布されている。前記完全絶縁性ホルダーはその上に搭載した被加熱サンプルと前記コーティング層とが完全に絶縁されているという意味である。その基材としえはSiO2(石英)やAl2O3(アルミナ)などの耐熱性を備えた絶縁物が使用される。前記金属コーティング層にはニッケルなどのメッキ層を用いる場合もあるし、グラファイト粉をガラスペーストに混入させて導電性を持たせたものを塗布する場合もある。カソード基板は導電性の素材を用いる。銅やステンレスを用いる場合がある。カソード基板から放出された電子はカソード基板と前記コーティング層の間に印加された電圧で加速されて前記コーティング層に突入してそのエネルギーで前記完全絶縁性ホルダーが昇温する。
【0010】
【発明の効果】
本発明の電子加熱ホットプレート装置を用いると均一な加熱、急速な昇温降温、低消費電力での加熱の条件を全て満たした加熱を行える。被加熱サンプルを回転させながら加熱する場合にも単純で低コストな構造で実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は実施例1のホットプレートの構成図
【図2】は実施例2のホットプレートの構成図
【図3】は実施例3のホットプレートの構成図
【図4】は実施例4のホットプレートの構成図
【図5】は実施例5のホットプレートの構成図
【図6】は従来のヒーター線方式のホットプレートの構成図
【図7】は従来のランプ加熱方式のホットプレートの構成図
【符号】1はホットプレート、2はスペーサ、3は底板、4はカソード基板、5はスプリング電極、6はCNT塗布パターン、7はゲッター、8は導電性突起、9は絶縁性サンプルホルダー、10は電子、11は等電位面、20はヒーター線、21はサンプルホルダー、22は被加熱サンプル、23はホットプレート、24はレフレクター、25はハロゲンランプ、26は完全絶縁性サンプルホルダー、27は金属コーティング層、100は被加熱サンプルである。[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to an electronic heating hot plate.
[0002]
[Prior art]
A conventional hot plate is shown in FIG. The
A lamp heating method has been developed as a heating method for reducing the above-mentioned problems of the heater wire type hot plate. A block diagram of a lamp heating type hot plate is shown in FIG. A
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, the lamp heating method also has a problem that the lamp itself has a higher temperature than the sample to be heated. Since the lamp emits light in addition to the heat rays, only a part of the power consumed by the lamp contributes to the heating of the heated sample. For this reason, large electric power consumption will be made for temperature rising of a sample to be heated. When the sample holder is cooled, a part of the heat amount of the heat rays from the lamp is consumed by the sample holder, so that the power consumption for heating becomes relatively large. As described above, the conventional heating method has a problem that the temperature rising / falling rate is slow like the heater heating method, and the power consumption required for heating is large like the lamp heating method. It was not possible to satisfy the characteristics of both heating and cooling rate and heating power consumption.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
The electronic heating hot plate apparatus according to the present invention is characterized in that, in addition to the feature of the conductive hot plate 1 and the
Second, in addition to the first feature, the cathode substrate is fixed, and the hot plate rotates.
Thirdly, in an electronic heating hot plate apparatus composed of an insulating hot plate 1 in contact with a sample to be heated and a
Fourth, in addition to any one of the first to third features, the center portion of the cathode substrate is not coated with the carbon nanotube. Fifth, either the first or the second In addition to the features, the hot plate has a structure in which an insulating base material and a conductive coating layer are formed on the back surface of the base material.
[0005]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the electronic heating hot plate apparatus according to the present invention, in addition to the characteristic of the conductive hot plate 1 and the
Second, in addition to the first feature, when the cathode substrate is fixed and the hot plate has a feature of rotating, the cathode substrate as an electron emission source and the hot plate (anode electrode) are in contact with each other. Since they do not need to be moved, they can be moved independently of each other. The hot plate can also be rotated. In this case, it is necessary to contact the electrode with the hot plate in order to determine the potential of the hot plate.
Thirdly, in an electronic heating hot plate apparatus composed of an insulating hot plate 1 in contact with a sample to be heated and a
Fourth, in addition to any of the first to third features, when the central portion of the cathode substrate has a feature in which the carbon nanotube is not applied, it corresponds to the central portion where the temperature is most likely to rise. By not arranging the electron source in the central part of the cathode substrate, electron heating does not act on the central part.
Fifth, in addition to either the first or the second feature, when the hot plate has a feature in which an insulating base material and a conductive coating layer are formed on the back surface of the base material. The hot plate surface on which the sample to be heated is mounted is insulative, and the back surface is formed with a conductive coating layer. This structure shares the function of accelerating and receiving electrons emitted from the cathode substrate in the coating layer, and the function of heating only without leaking electrons to the heated sample in the insulating base material.
[0006]
【Example】
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 depicts a hot plate 1 for heat-treating a semiconductor substrate in a vacuum apparatus. A
[0007]
A second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 shows a configuration diagram thereof. It is an example of the hot plate incorporated in the vacuum vessel. A
[0008]
A third embodiment of the present invention will be described. The hot plate is characterized by having an insulating
[0008]
Example 4 of the present invention is depicted in FIG. The CNT coating pattern on the
[0009]
Example 5 of the present invention is depicted in FIG. In this example, the
[0010]
【The invention's effect】
When the electronic heating hot plate apparatus of the present invention is used, heating satisfying all the conditions of uniform heating, rapid temperature increase / decrease, and heating with low power consumption can be performed. Even when the sample to be heated is heated while being rotated, it can be realized with a simple and low-cost structure.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of a hot plate of Example 1. FIG. 2 is a configuration diagram of a hot plate of Example 2. FIG. 3 is a configuration diagram of a hot plate of Example 3. FIG. Fig. 5 shows the configuration of the hot plate of Example 5. Fig. 6 shows the configuration of the conventional heater wire type hot plate. Fig. 7 shows the configuration of the conventional lamp heating type hot plate. Configuration diagram [reference] 1 is a hot plate, 2 is a spacer, 3 is a bottom plate, 4 is a cathode substrate, 5 is a spring electrode, 6 is a CNT coating pattern, 7 is a getter, 8 is a conductive protrusion, 9 is an insulating
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JP2001402604A JP3864088B2 (en) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | Electronic heating hot plate device |
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Publications (2)
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JP3864088B2 true JP3864088B2 (en) | 2006-12-27 |
Family
ID=19190355
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JP2001402604A Expired - Lifetime JP3864088B2 (en) | 2001-12-11 | 2001-12-11 | Electronic heating hot plate device |
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DE102006037561A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Siemens Ag | High current electrode |
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2001
- 2001-12-11 JP JP2001402604A patent/JP3864088B2/en not_active Expired - Lifetime
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