JPH061975B2 - Switching transistor parallel connection circuit - Google Patents

Switching transistor parallel connection circuit

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JPH061975B2 JP62240165A JP24016587A JPH061975B2 JP H061975 B2 JPH061975 B2 JP H061975B2 JP 62240165 A JP62240165 A JP 62240165A JP 24016587 A JP24016587 A JP 24016587A JP H061975 B2 JPH061975 B2 JP H061975B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スイッチングトランジスタの並列接続数を
増大させることにより、使用電流の拡大を図ることがで
きるスイッチングトランジスタの並列接続回路に関す
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a switching transistor parallel connection circuit capable of increasing the operating current by increasing the number of switching transistors connected in parallel.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

インバータ装置やチョッパ装置のように、回路電流のオ
ン・オフにより電力変換を行う装置では、きわめて高い
周波数でのスイッチング動作が可能であることから、回
路電流をオン・オフさせるスイッチング素子としてトラ
ンジスタが多用されている。そこでこのような回路電流
のオン・オフに適するように、例えば、スイッチング素
子としてのトランジスタにフィードバック用のダイオー
ドを逆並列接続したものが使用される。そこでこのトラ
ンジスタとダイオードとの逆並列回路を、以下ではスイ
ッチングトランジスタユニットと称することとする。
In devices that perform power conversion by turning on / off the circuit current, such as inverter devices and chopper devices, switching operations can be performed at extremely high frequencies, so transistors are often used as switching elements for turning the circuit current on / off. Has been done. Therefore, in order to be suitable for turning on / off such a circuit current, for example, a transistor as a switching element in which a diode for feedback is connected in anti-parallel is used. Therefore, the antiparallel circuit of the transistor and the diode will be referred to as a switching transistor unit below.

第2図はスイッチングトランジスタユニットの並列接続
の従来例をあらわした主回路接続図である。トランジス
タの電流容量も近年では大きくなって来ているが、電力
変換装置の電流容量をさらに増大させるためには、スイ
ッチングトランジスタユニットを並列接続することで、
上記の要求を満たすことになる。
FIG. 2 is a main circuit connection diagram showing a conventional example of parallel connection of switching transistor units. The current capacity of the transistor has been increasing in recent years, but in order to further increase the current capacity of the power conversion device, by connecting switching transistor units in parallel,
The above requirements will be met.

第2図は符号10,20,30なる3組のスイッチングトランジ
スタユニットを並列接続して使用する電力変換装置の場
合であって、直流電源2からの直流電力をこの3組のス
イッチングトランジスタユニットにより電力変換して負
荷3へ給電する場合をあらわしているが、このとき3組
のスイッチングトランジスタユニット10,20,30は、これ
らに共通のベース駆動回路4からのベース信号に対応し
て同時にオン・オフ動作を行う。なお電力変換装置がイ
ンバータあるいはチョッパの場合は、それぞれに対応し
た回路構成となるが、これは本発明とは無関係なので、
この部分の図示は省略している。
FIG. 2 shows a case of a power conversion device in which three sets of switching transistor units 10, 20, and 30 are connected in parallel and used, and the DC power from the DC power supply 2 is supplied by these three sets of switching transistor units. The case of converting and supplying power to the load 3 is shown. At this time, the three sets of switching transistor units 10, 20, 30 are simultaneously turned on / off corresponding to the base signal from the base drive circuit 4 common to them. Take action. If the power conversion device is an inverter or a chopper, the circuit configuration will correspond to each, but since this has nothing to do with the present invention,
Illustration of this portion is omitted.

第2図に示すように複数のスイッチングトランジスタユ
ニットを並列接続してこれらを同時にオン・オフ動作さ
せる際に、最も注意しなければならないのは、各スイッ
チングトランジスタユニット相互間の電流不平衡であ
る。そこで第2図においては各スイッチングトランジス
タユニットのエミッタ側のそれぞれの配線インダクタン
ス11,2131の値を等しくすることにより、各トランジス
タの直流電流増幅率hFEをそろえることにより、電流の
平衡を図っていた。
As shown in FIG. 2, when a plurality of switching transistor units are connected in parallel and they are turned on / off at the same time, the most important thing to note is the current imbalance between the switching transistor units. Therefore, in FIG. 2, by equalizing the wiring inductances 11 and 2131 on the emitter side of each switching transistor unit, the direct current amplification factor h FE of each transistor is made uniform to balance the current. .

第3図は第2図よりも多くのスイッチングトランジスタ
ユニットの並列接続の従来例をあらわした主回路接続図
であって、5組のスイッチングトランジスタユニット1
0,20,30,40,50を並列に接続し、共通のベース駆動回路
4からの信号でこれらを同時にオン・オフ制御すること
で、直流電源2からの直流電力を変換して負荷3に供給
するものである。なお符号13,23,43ならびに53は配線の
インダクタンスである。また符号12,22,32,42および52
は各スイッチングトランジスタユニットを構成している
トランジスタの接合キャパシタンスである。
FIG. 3 is a main circuit connection diagram showing a conventional example of parallel connection of more switching transistor units than in FIG.
0, 20, 30, 40, 50 are connected in parallel, and the signals from the common base drive circuit 4 are turned on / off at the same time to convert the DC power from the DC power supply 2 into the load 3. To supply. Reference numerals 13, 23, 43 and 53 are wiring inductances. Also the symbols 12, 22, 32, 42 and 52
Is the junction capacitance of the transistors that make up each switching transistor unit.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

ところで第3図の従来例回路のように、スイッチングト
ランジスタユニットの並列数が多くなると、配線の距離
が長くなるために、図示のA点(すなわちトランジスタ
ユニット30のコレクタ側)とB点(すなわちトランジス
タユニット10のコレクタ側)との間に電位差を、あるい
はA点とC点(すなわちトランジスタユニット50のコレ
クタ側)との間に電位差を生じるために、各スイッチン
グトランジスタユニットに電流の不平衡を生じる。また
図示のように、各トランジスタには僅かな値であるが、
接合キャパシタンスがあることから、たとえば接合キャ
パシタンス12と配線インダクタンス13,23とにより共振
現象を生じるなどの不都合がある。この共振現象は、た
とえば接合キャパシタンス22と配線インダクタンス23と
により、または接合キャパシタンス42と配線インダクタ
ンス43とにより、あるいは接合キャパシタンス52と配線
キャパシタンス43,53とにより発生することもある。
By the way, as in the conventional circuit of FIG. 3, when the number of switching transistor units connected in parallel increases, the wiring distance becomes longer. Due to the potential difference between the switching unit and the unit 10 (collector side of the unit 10) or between the point A and the point C (that is, the collector side of the transistor unit 50), a current imbalance occurs in each switching transistor unit. Also, as shown, each transistor has a small value,
Since there is a junction capacitance, there is an inconvenience that, for example, a resonance phenomenon occurs due to the junction capacitance 12 and the wiring inductances 13 and 23. This resonance phenomenon may occur due to the junction capacitance 22 and the wiring inductance 23, the junction capacitance 42 and the wiring inductance 43, or the junction capacitance 52 and the wiring capacitances 43 and 53, for example.

よって上述の電流不平衡、あるいは共振現象発生などの
不都合があるために、スイッチングトランジスタユニッ
トの並列数を多くすることができず、従って電力変換装
置の電流容量が制限される不具合があった。
Therefore, because of the inconvenience such as the current imbalance or the occurrence of the resonance phenomenon, the number of switching transistor units in parallel cannot be increased, and thus the current capacity of the power conversion device is limited.

そこでこの発明の目的は、電流不平衡の改善と共振現象
とを抑制することで、多数のスイッチングトランジスタ
ユニットの並列接続を可能にして、電力変換装置の電流
容量を増大させることにある。
Therefore, an object of the present invention is to improve the current imbalance and suppress the resonance phenomenon, thereby enabling a large number of switching transistor units to be connected in parallel and increasing the current capacity of the power conversion device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するために、この発明の並列接続回路
は、スイッチングトランジスタのコレクタ側に、過渡的
な変化に対して高いインピーダンス特性を有する可飽和
リアクトルを直列続し、該直列回路を複数組相互に並列
接続するものとする。
In order to achieve the above-mentioned object, the parallel connection circuit of the present invention has a saturable reactor having a high impedance characteristic with respect to a transient change connected in series to the collector side of a switching transistor, and a plurality of sets of the series circuit are connected. They shall be connected in parallel with each other.

〔作用〕[Action]

この発明は、共振現象が高い周波数領域で発生すること
を着目したものであって、スイッチングトランジスタに
存在する接合キャパシタンスと配線インダクタンスとか
ら構成される共振回路に、過渡的な変化に対して高いイ
ンピーダンス特性を持つ可飽和リアクトルを挿入するこ
とにより、当該回路の共振現象を抑制すると同時に、こ
の高いインピーダンスにより、スイッチング動作時の電
流不平衡を防止し、もってスイッチングトランジスタユ
ニットを多数並列継続するときの不都合の発生を防止し
ている。
The present invention focuses on the fact that a resonance phenomenon occurs in a high frequency region, and a resonance circuit composed of a junction capacitance and a wiring inductance existing in a switching transistor has a high impedance against a transient change. By inserting a saturable reactor with characteristics, the resonance phenomenon of the circuit is suppressed, and at the same time, this high impedance prevents current imbalance during switching operation, which is an inconvenience when multiple switching transistor units are connected in parallel. To prevent the occurrence of.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の実施例を示す主回路接続図であって、
第3図において既述の従来例回路の場合と同様に、5組
のスイッチングトランジスタユニットを並列接続した場
合である。
FIG. 1 is a main circuit connection diagram showing an embodiment of the present invention,
In FIG. 3, as in the case of the conventional circuit described above, five sets of switching transistor units are connected in parallel.

この第1図において、トランジスタとフィードバックダ
イオードとの逆並列接続で構成されている5組のスイッ
チングトランジスタユニット10,20,30,40,50は、これら
に共通のベース駆動回路4からの信号により、同時にオ
ン・オフ動作することで直流電源2からの直流電力を変
換して負荷3へ給電するのであるが、これらのトランジ
スタにはそれぞれ接合キャパシタンス12,22,32,42,52が
あり、またこれら5組のスイッチングトランジスタユニ
ットを並列接続する場合に、配線長さの不均等に起因す
る配線インダクタンス13,23,43,53が存在するのも、第
3図に示す従来例回路の場合と同じである。
In FIG. 1, five sets of switching transistor units 10, 20, 30, 40, 50, which are configured by an antiparallel connection of a transistor and a feedback diode, are operated by a signal from a base drive circuit 4 common to them. By turning on / off at the same time, the DC power from the DC power supply 2 is converted and fed to the load 3. These transistors have junction capacitances 12, 22, 32, 42, 52, respectively, and these When five switching transistor units are connected in parallel, wiring inductances 13,23,43,53 exist due to uneven wiring length, which is the same as in the conventional circuit shown in FIG. is there.

本発明においては、それぞれのスイッチングトランジス
タユニットのコレクタ側に直列に可飽和リアクトル15,2
5,35,45,55が別個に接続されている。このように可飽和
リアクトルを直列接続することにより、トランジスタの
接合キャパシタンス12,22,32,42,52と配線インダクタン
ス13,23,43,53とによる共振現象が抑制されることにな
る。さらに可飽和リアクトルが過渡的な変化に対して高
いインピーダンスを呈することで、各スイッチングトラ
ンジスタユニットを接続している配線インダクタンスの
値の不平衡度がほぼ零になることにより、当該スイッチ
ングトランジスタユニットがスイッチング動作するとき
の電流不平衡をも防止している。
In the present invention, the saturable reactors 15, 2 are connected in series on the collector side of each switching transistor unit.
5,35,45,55 are connected separately. By connecting the saturable reactors in series in this manner, the resonance phenomenon due to the junction capacitances 12, 22, 32, 42, 52 of the transistors and the wiring inductances 13, 23, 43, 53 is suppressed. Furthermore, the saturable reactor presents a high impedance against transient changes, and the imbalance of the wiring inductance values connecting each switching transistor unit becomes almost zero, so that the switching transistor unit switches. It also prevents current imbalance during operation.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明によれば、スイッチングトランジスタを多数並
列接続し、これらを同時にオン・オフ動作させることで
電力変換を行うにあたって、このスイッチングトランジ
スタのコレクタ側のそれぞれに、別個の可飽和リアクト
ルを直列に接続しているので、この可飽和リアクトルが
過渡的な変化に対して高いインピーダンスを呈するの
で、トランジスタの接合キャパシタンスと配線インダク
タンスとによる共振現象、ならびに配線インダクタンス
の値の不揃いに起因する電流不平衡の発生を、ともに抑
制することができるので、スイッチングトランジスタユ
ニットの並列運転数を増大させることができ、電流容量
を容易に増加できる効果を得る。
According to the present invention, a large number of switching transistors are connected in parallel, and when performing power conversion by turning them on and off at the same time, separate saturable reactors are connected in series to each collector side of the switching transistor. Since this saturable reactor exhibits a high impedance with respect to transient changes, resonance phenomenon due to transistor junction capacitance and wiring inductance, as well as current imbalance caused by uneven wiring inductance values are generated. Since both can be suppressed, the number of parallel operation of the switching transistor units can be increased and the current capacity can be easily increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の実施例を示す主回路接続図、第2図は
スイッチングトランジスタユニットの並列接続の従来例
をあらわした主回路接続図、第3図は第2図よりも多く
のスイッチングトランジスタユニットの並列接続の従来
例をあらわした主回路接続図である。 2…直流電源、3…負荷、4…ベース駆動回路、10,20,
30,40,50…スイッチングトランジスタユニット、11,13,
21,23,31,43,53…配線インダクタンス、12,22,32,42,52
…接合キャパシタンス、15,25,35,45,55…可飽和リアク
トル。
FIG. 1 is a main circuit connection diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a main circuit connection diagram showing a conventional example of parallel connection of switching transistor units, and FIG. 3 is more switching transistors than FIG. It is a main circuit connection diagram showing the conventional example of parallel connection of units. 2 ... DC power supply, 3 ... Load, 4 ... Base drive circuit, 10, 20,
30,40,50… Switching transistor unit, 11,13,
21,23,31,43,53 ... Wiring inductance, 12,22,32,42,52
… Junction capacitance, 15,25,35,45,55… Saturable reactor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】接合キャパシタンスを有するスイッチング
トランジスタの並列接続回路において、 少なくとも、スイッチングトランジスタを並列接続する
配線に存在する配線インダクタンスと前記接合キャパシ
タンスとの共振に伴う過渡的な変化に対して高いインピ
ーダンス特性を有する別個の可飽和リアクトルを前記ス
イッチングトランジスタのコレタク側にそれぞれ直列接
続し、 該直列接続回路を複数組相互に並列接続することを特徴
とするスイッチングトランジスタの並列接続回路。
1. A parallel connection circuit of switching transistors having a junction capacitance, which has at least a high impedance characteristic against a transient change due to resonance between a wiring inductance existing in a wiring connecting the switching transistors in parallel and the junction capacitance. A parallel connection circuit for switching transistors, characterized in that separate saturable reactors each having the above are respectively connected in series to the collector side of the switching transistor, and a plurality of sets of the series connection circuits are connected in parallel with each other.
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