JPH0619576B2 - Stripper composition - Google Patents
Stripper compositionInfo
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- JPH0619576B2 JPH0619576B2 JP61193900A JP19390086A JPH0619576B2 JP H0619576 B2 JPH0619576 B2 JP H0619576B2 JP 61193900 A JP61193900 A JP 61193900A JP 19390086 A JP19390086 A JP 19390086A JP H0619576 B2 JPH0619576 B2 JP H0619576B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ホトレジストあるいは裏面エッチング用保護
膜を剥離するための剥離液組成物に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a stripping solution composition for stripping a photoresist or a protective film for backside etching.
半導体や集積回路の製造工程には、無機性基体上にホト
レジストを塗布し、露光および現像してレジストパター
ンを形成し、次いでエッチングなどの加工を行った後、
前記レジストパターンを基体から剥離する工程が含まれ
ている。In the manufacturing process of semiconductors and integrated circuits, a photoresist is applied on an inorganic substrate, exposed and developed to form a resist pattern, and then after processing such as etching,
The step of peeling the resist pattern from the substrate is included.
また、半導体の製造上、ウエーハの裏面に付着した不純
物などを除去する目的あるいはウエーハの厚みをより薄
くする目的で、ウエーハの裏面のみを研磨および化学的
エッチングする工程が採用されている。このとき、裏面
エッチング用保護膜を使用して、すでに回路が形成され
ているウエーハの側を保護する必要がある。この保護膜
としては、例えば環化イソプレンゴムなどに感光剤また
は熱硬化剤、さらには安定剤などを添加したものが使用
される。これらの保護膜は、ピンホールなどを少なくす
る目的で、通常のホトレジストよりも膜厚を厚くして使
用するのが普通である。Further, in the manufacture of semiconductors, a step of polishing and chemically etching only the back surface of the wafer is employed for the purpose of removing impurities and the like attached to the back surface of the wafer or for reducing the thickness of the wafer. At this time, it is necessary to protect the side of the wafer on which the circuit has already been formed by using the protective film for back surface etching. As the protective film, for example, cyclized isoprene rubber or the like to which a photosensitizer or a thermosetting agent and a stabilizer are added is used. In order to reduce pinholes and the like, these protective films are usually used by making them thicker than ordinary photoresists.
このため、従来のホトレジスト用剥離液では、前記保護
膜を容易かつ短時間に剥離することはできないのが現状
である。Therefore, under the present circumstances, the conventional photoresist stripper cannot strip the protective film easily and in a short time.
また、半導体製造の工程上、ホトレジストの剥離液と裏
面エッチング用保護膜の剥離液とを分けて使用すると、
薬品の管理および半導体製造上不利となるので、ホトレ
ジスト用剥離液および裏面エッチング用保護膜の剥離液
とを同じ組成液で行えることが望ましい。Also, in the process of semiconductor manufacturing, if the stripping solution for the photoresist and the stripping solution for the backside etching protective film are used separately,
It is desirable to use the same composition liquid as the stripping solution for photoresist and the stripping solution for the back surface etching protective film, since this is disadvantageous in terms of chemical management and semiconductor manufacturing.
さらに、従来の剥離液組成物は、通常、フェノールおよ
び塩素化された炭化水素が含有されており、環境上有害
であり、廃液処理が困難であり、また非水溶性であるた
め、処理後の工程が複雑であるなどの種々の欠点を有し
ている。Furthermore, conventional stripper compositions usually contain phenol and chlorinated hydrocarbons, are environmentally harmful, are difficult to dispose of waste liquid, and are water-insoluble. It has various drawbacks such as complicated process.
最近、このような欠点を有しない剥離液組成物として、
例えばドデシルベンゼンスルホン酸とベンゼンスルホン
酸との混合物（特開昭５４−１５３５７７号公報）、Ｎ
−アルキル−２−ピロリドンとジエチレングリコールモ
ノアルキルエーテルとの混合物（特開昭６０−２６３４
０号公報）、モルホリンまたはモルホリンとＮ，Ｎ′−
ジメチルホルアミドとの混合物（特開昭５８−８０６３
８号公報）、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとＮ−（２−
ヒドロキシエチル）−２−ピロリドンとの混合物（特開
昭６１−６８２７号公報）などが提案されている。しか
しながら、これらの剥離液組成物によれば、ホトレジス
トおよび裏面エッチング用保護膜を完全に溶解し、剥離
するのに時間がかかり、その剥離性能の向上が望まれて
いる。Recently, as a stripping liquid composition having no such drawbacks,
For example, a mixture of dodecylbenzenesulfonic acid and benzenesulfonic acid (Japanese Patent Laid-Open No. 54-153577), N
-A mixture of alkyl-2-pyrrolidone and diethylene glycol monoalkyl ether (JP-A-60-2634)
No. 0), morpholine or morpholine and N, N'-
Mixture with dimethylformamide (JP-A-58-8063)
No. 8), N-methyl-2-pyrrolidone and N- (2-
A mixture with hydroxyethyl) -2-pyrrolidone (Japanese Patent Laid-Open No. 61-6827) has been proposed. However, according to these stripping solution compositions, it takes time to completely dissolve the photoresist and the protective film for backside etching and strip it, and it is desired to improve the stripping performance.
本発明は、前記従来の技術的課題を背景になされたもの
で、ホトレジストおよび裏面エッチング用保護膜を低温
かつ短時間で容易に剥離することが可能で、かつ剥離後
に水洗浄が可能な剥離液組成物を提供することを目的と
する。The present invention has been made against the background of the above-mentioned conventional technical problems, and a stripping solution capable of easily stripping a photoresist and a protective film for backside etching at low temperature in a short time, and capable of being washed with water after stripping. It is intended to provide a composition.
すなわち、本発明は、ラクタム類１０〜８０重量％およ
びモルホリン類９０〜２０重量％を含有することを特徴
とする剥離液組成物を提供するものである。That is, the present invention provides a stripping solution composition containing 10 to 80% by weight of lactams and 90 to 20% by weight of morpholines.
本発明で使用されるラクタム類とは、有機環式化合物で
環内にアミド結合を有する環状アミド化合物であり、好
ましくは下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。The lactams used in the present invention are organic cyclic compounds and are cyclic amide compounds having an amide bond in the ring, and are preferably compounds represented by the following general formula (I).
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、
または炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基を示し、ｎ
は３〜５の整数を示す。） 前記式中のＲ１の意味する炭素数１〜３のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基などを、炭素
数１〜３のヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシ
メチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基
などを挙げることができる。 (In the formula, R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
Or represents a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, n
Represents an integer of 3 to 5. ) As the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms represented by R 1 in the above formula, a methyl group, an ethyl group, a propyl group and the like, and as the hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydroxymethyl group, hydroxyethyl group. Group, hydroxypropyl group and the like.
かかるラクタム類の具体例としては、例えば２−ピロリ
ドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル
−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシプロピル−２−ピロ
リドン、カプロラクタムなどを挙げることができ、特に
好ましくはＮ−アルキル−２−ピロリドンである。Specific examples of such lactams include 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-
Pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone, N-hydroxypropyl-2-pyrrolidone, caprolactam and the like can be mentioned, and particularly preferably N- It is alkyl-2-pyrrolidone.
これらのラクタム類は、１種単独で使用することも、ま
たは２種以上を併用することもできる。These lactams can be used alone or in combination of two or more.
かかるラクタム類の本発明の組成物中における割合は、
１０〜８０重量％、好ましくは３０〜８０重量％、さら
に好ましくは５０〜８０重量％であり、１０重量％未満
では少なすぎて本発明の目的とするホトレジストおよび
裏面エッチング用保護膜を容易に剥離することが可能な
剥離液組成物を提供することができず、一方８０重量％
を超えると相対的にモルホリン類が少なくなり、同様に
前記本願の目的を達成できない。The proportion of such lactams in the composition of the present invention is
10 to 80% by weight, preferably 30 to 80% by weight, more preferably 50 to 80% by weight, and less than 10% by weight is too small to easily peel off the photoresist and the protective film for backside etching which are the objects of the present invention. Cannot provide a stripper composition that can be
When it exceeds, the amount of morpholines is relatively reduced, and similarly the object of the present application cannot be achieved.
次に、本発明で使用されるモルホリン類とは、テトラヒ
ドロ−１，４−オキサジン骨格を有する化合物であり、
好ましくは下記一般式（II）で表される化合物である。Next, the morpholines used in the present invention are compounds having a tetrahydro-1,4-oxazine skeleton,
Preferred are compounds represented by the following general formula (II).
（式中、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、
炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基、または炭素数１
〜３のアミノアルキル基を示す。） 前記式中のＲ２の意味する炭素数１〜３のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基などを、炭素
数１〜３のヒドロシキアルキル基としては、ヒドロキシ
メメチル基、ヒドロシキエチル基、ヒドロキシプロピル
基などを、炭素数１〜３のアミノアルキル基としては、
アミノメチル基、アミノエチル基、アミノプロピル基な
どを挙げることができる。 (In the formula, R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
A hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or 1 carbon atom
3 to 3 aminoalkyl groups are shown. ) As the alkyl group having 1 to 3 carbon atoms represented by R 2 in the above formula, a methyl group, an ethyl group, a propyl group and the like, and as the hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydroxymethyl group, Hydroxyethyl group, hydroxypropyl group, etc., as an aminoalkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
Examples thereof include aminomethyl group, aminoethyl group, aminopropyl group and the like.
かかるモルホリン類の具体例としては、例えばモルホリ
ン、４−メチルモルホリン、４−エチルモルホリン、４
−ヒドロキシメチルモルホリン、４−ヒドロキシエチル
モルホリン、４−アミノメチルモルホリン、４−アミノ
エチルモルホリン、４−アミノプロピルモルホリンなど
を挙げることができ、特に好ましくはモルホリンであ
る。Specific examples of such morpholines include morpholine, 4-methylmorpholine, 4-ethylmorpholine, and 4
-Hydroxymethylmorpholine, 4-hydroxyethylmorpholine, 4-aminomethylmorpholine, 4-aminoethylmorpholine, 4-aminopropylmorpholine and the like can be mentioned, with morpholine being particularly preferred.
これらのモルホリン類は、１種単独で使用することも、
または２種以上を併用することもできる。These morpholines may be used alone,
Alternatively, two or more kinds may be used in combination.
かかるモルホリン類の本発明の組成物中における割合
は、９０〜２０重量％、好ましくは７０〜２０重量％、
さらに好ましくは５０〜２０重量％である。The proportion of such morpholines in the composition of the present invention is 90 to 20% by weight, preferably 70 to 20% by weight,
More preferably, it is 50 to 20% by weight.
本発明の剥離液組成物は、剥離剤として前記ラクタム類
とモルホリン類を必須の成分とするが、この他に各種の
溶剤、例えばアミド類、スルホキシド類、スルホン類、
アミン類、アミノアルコール類、エチレングリコール類
およびその誘導体、ジエチレングリコール類およびその
誘導体、トリエチレングリコール類およびその誘導体な
どの、比較的沸点が高く、かつ水溶性の溶剤の少なくと
も１種を混合して使用することもできる。The stripping solution composition of the present invention contains the above-mentioned lactams and morpholines as essential components as stripping agents, and other various solvents such as amides, sulfoxides, sulfones,
A mixture of at least one water-soluble solvent having a relatively high boiling point, such as amines, amino alcohols, ethylene glycols and their derivatives, diethylene glycols and their derivatives, and triethylene glycols and its derivatives. You can also do it.
これらの溶剤の具体例としては、アミド類としてはＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミドなど、スルホキシド類としてはジメチルスルホキシ
ド、ジエチルスルホキシドなど、スルホン類としてはス
ルホラン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなど、
アミン類としては２−エチルヘキシルアミン、ポリエチ
レンイミン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−アミノエチ
ルピペラジンなど、アミノアルコール類としてはイソプ
ロパノールアミン、Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン、
ジイソプロパノール、アミノエチルエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエタ
ノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエタノ
ールアミン、エチレングリコール類およびその誘導体と
してはエチレングリコール、エチレングリコールモノメ
チルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、メチルセ
ロソルブアセテート、セロソルブなど、ジエチレングリ
コール類およびその誘導体としてはジエチレングリコー
ルのほか、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテルなどのジエチレングリコールモノ
アルキルエーテルなど、トリエチレングリコール類およ
びその誘導体としてはトリエチレングリコール、トリエ
チレングリコールモノエチルエーテルなどを挙げること
ができる。Specific examples of these solvents include N as amides,
N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and the like, sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide, and sulfones such as sulfolane, dimethyl sulfone and diethyl sulfone,
As the amines, 2-ethylhexylamine, polyethyleneimine, 1,4-diaminobutane, N-aminoethylpiperazine, etc., and as the amino alcohols, isopropanolamine, N-hydroxyethylpiperazine,
Diisopropanol, aminoethylethanolamine,
N, N-diethylethanolamine, N-methyl-N,
N-diethanolamine, N, N-diisopropylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine,
N, N-diethanolamine, N, N, N-triethanolamine, ethylene glycols and derivatives thereof include ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, methyl cellosolve acetate, cellosolve, etc. Diethylene glycol and its derivatives include diethylene glycol, diethylene glycol monobutyl ether,
Examples of the diethylene glycol monoalkyl ether such as diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monopropyl ether, and triethylene glycols and derivatives thereof include triethylene glycol and triethylene glycol monoethyl ether.
これらの溶剤のうち、好ましくはスルホランおよび／ま
たはジエチレングリコールモノアルキルエーテルを本発
明の剥離液組成物に併用すると、引火点を上昇させるこ
とができ、使用上の安全面において有利になる。ここ
で、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルとして
は、前記に挙げたもののうち、特にジエチレングリコー
ルモノエチルエーテルが好ましい。Of these solvents, when sulfolane and / or diethylene glycol monoalkyl ether is preferably used in combination with the stripping solution composition of the present invention, the flash point can be raised, which is advantageous in terms of safety in use. As the diethylene glycol monoalkyl ether, diethylene glycol monoethyl ether is particularly preferable among those listed above.
これらの溶剤の使用割合は、本発明の組成物中に好まし
くは０〜７０重量％、さらに好ましくは０〜５０重量％
程度である。The use ratio of these solvents is preferably 0 to 70% by weight, more preferably 0 to 50% by weight in the composition of the present invention.
It is a degree.
特に、スルホランを併用する場合にはラクタム類１０〜
８０重量％、モルホリン類２０〜９０重量％、およびス
ルホラン０〜７０重量％（ただし、総量は１００重量
％、以下同じ）、またジエチレングリコールモノアルキ
ルエーテルを併用する場合にはラクタム類１０〜８０重
量％、モルホリン類２０〜９０重量％、およびジエチレ
ングリコールモノアルキルエーテル０〜６０重量％、さ
らにスルホランおよびジエチレングリコールモノアルキ
ルエーテルを併用する場合にはラクタム類１０〜８０重
量％、モルホリン類２０〜９０重量％、スルホラン０〜
７０重量％、ジエチレングリコールモノアルキルエーテ
ル０〜６０重量％が好ましい。Especially when sulfolane is used in combination, lactams 10 to 10
80% by weight, 20-90% by weight of morpholines, 0-70% by weight of sulfolane (however, the total amount is 100% by weight, the same applies hereinafter), and 10-80% by weight of lactams when used together with diethylene glycol monoalkyl ether. , 20 to 90% by weight of morpholines, and 0 to 60% by weight of diethylene glycol monoalkyl ether, and 10 to 80% by weight of lactams when sulfolane and diethylene glycol monoalkyl ether are used in combination, 20 to 90% by weight of morpholines, sulfolane. 0 to
70% by weight and 0 to 60% by weight of diethylene glycol monoalkyl ether are preferable.
さらに、本発明の剥離液組成物中には、非イオン性フッ
素系界面活性剤を添加することもできる。Further, a nonionic fluorosurfactant can be added to the stripping composition of the present invention.
かかる非イオン性フッ素系界面活性剤としては、例えば
C9F19CONHC12H25、C8F17SO2-NH(C2H4O)6H、C9F17O（プル
ロニックＬ−３５）C9F17、C9F17O（プルロニックＰ−８
４）C9F17、C9F17（テトロニック−７０４）（C9F17）２
〔プルロニックＬ−３５：旭電化工業（株）製、ポリオ
キシプロピレン（５０重量％）−ポリオキシエチレン
（５０重量％）・ブロック重合体、平均分子量１，９０
０；プルロニックＰ−８４：旭電化工業（株）製、ポリ
オキシプロピレン（５０重量％）−ポリオキシエチレン
（５０重量％）・ブロック重合体、平均分子量４，２０
０；テトロニック−７０４：旭電化工業（株）製、Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（ポリオキシプロピレン−
ポリオキシエチレン・ブロック重合体）エチレンジアミ
ン、分子中のポリオキシエチレン含量４０重量％、平均
分子量５，０００〕などのほかに、旭硝子（株）製、サ
ーフロンＳ−３８２およびＳＣ−１０１、新秋田化成
（株）製、エフトップＥＦ−１２２Ｂ、住友スリーエム
（株）製、フロラードＦＣ−４３０およびＦＣ−４３１
なども挙げることができる。Examples of such nonionic fluorosurfactants include
C 9 F 19 CONHC 12 H 25 , C 8 F 17 SO 2 -NH (C 2 H 4 O) 6 H, C 9 F 17 O (Pluronic L-35) C 9 F 17 , C 9 F 17 O (Pluronic P-8
4) C 9 F 17 , C 9 F 17 (Tetronic-704) (C 9 F 17 ) 2
[Pluronic L-35: manufactured by Asahi Denka Co., Ltd., polyoxypropylene (50 wt%)-polyoxyethylene (50 wt%) block polymer, average molecular weight 1,90
0; Pluronic P-84: manufactured by Asahi Denka Co., Ltd., polyoxypropylene (50 wt%)-polyoxyethylene (50 wt%) block polymer, average molecular weight 4,20
0; Tetronic-704: Asahi Denka Kogyo KK, N,
N, N ', N'-tetrakis (polyoxypropylene-
Polyoxyethylene block polymer) ethylenediamine, polyoxyethylene content in the molecule 40% by weight, average molecular weight 5,000], etc., Asahi Glass Co., Ltd., Surflon S-382 and SC-101, Shin-Akita Kasei F-Top EF-122B manufactured by Sumitomo 3M Limited, Fluorad FC-430 and FC-431 manufactured by Sumitomo 3M Limited.
And so on.
これらの非イオン性フッ素系界面活性剤は、１種単独で
使用することも、または２種以上併用することもでき、
該活性剤の使用割合は、本発明の組成物中、通常、２０
重量％以下、好ましくは１０重量％以下である。These nonionic fluorosurfactants can be used alone or in combination of two or more,
The use ratio of the activator is usually 20 in the composition of the present invention.
It is not more than 10% by weight, preferably not more than 10% by weight.
本発明の剥離液組成物は、通常のホトレジストを剥離す
るのに有効であるが、特にキノンジアジド化合物類とノ
ボラック樹脂からなるポジレジストに好適に使用するこ
とができる。また、本発明の剥離液組成物が適用される
裏面エッチング用保護膜としては、ノボラック樹脂、環
化イソプレンゴムなどを溶剤に溶かしたもの、またはこ
れらに感光剤および／または熱硬化剤、さらに安定剤な
どを添加したものを挙げることができる。The stripping solution composition of the present invention is effective for stripping an ordinary photoresist, but can be particularly preferably used for a positive resist comprising a quinonediazide compound and a novolak resin. Further, as the backside etching protective film to which the stripping composition of the present invention is applied, a novolac resin, a cyclized isoprene rubber or the like dissolved in a solvent, or a photosensitive agent and / or a thermosetting agent, and a stabler The thing which added the agent etc. can be mentioned.
本発明の剥離液組成物を用いてホトレジストあるいは裏
面エッチング用保護膜を剥離するには、剥離液組成物
を、例えば６０〜１２０℃程度に加熱し、その中に剥離
すべきホトレジストあるいは裏面エッチング用保護膜の
付いた基板を、通常、０．５〜５分間程度浸漬すればよ
い。To remove the photoresist or the protective film for backside etching using the stripping composition of the present invention, the stripping solution composition is heated to, for example, about 60 to 120 ° C., and the photoresist or the backside etching film to be stripped therein. The substrate provided with the protective film may be normally immersed for about 0.5 to 5 minutes.
以下、実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
実施例１〜５および比較例１〜３ シリコンウエーハ上に、ポジ型ホトレジストＰＦＲ３０
０３Ａ（日本合成ゴム（株）製）を乾燥膜厚で１．２μ
ｍの厚さにスピンコートし、その後、通常の方法でプレ
ベーク、露光、現像およびリンスを行った。次いで、ク
リーンオーブン中で１３０℃で３０分間熱処理し、レジ
スト膜を形成した。一方、別のシリコンウエーハ上に、
裏面エッチング用保護膜材料（ノボラック樹脂のエチル
セロソルブアセテート溶液）を、乾燥膜厚で７．５μｍ
の厚さにスピンコートし、その後、ホットプレートにて
１５０℃で２．５分間加熱し、裏面エッチング用保護膜
を形成させた。Examples 1-5 and Comparative Examples 1-3 Positive type photoresist PFR30 is formed on a silicon wafer.
03A (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.) with a dry film thickness of 1.2μ
m was spin-coated and then prebaked, exposed, developed and rinsed by conventional methods. Then, heat treatment was performed at 130 ° C. for 30 minutes in a clean oven to form a resist film. On the other hand, on another silicon wafer,
A protective film material for backside etching (a solution of novolac resin in ethyl cellosolve acetate) is used to form a dry film having a thickness of 7.5 μm.
Was spin-coated to a thickness of 1, and then heated at 150 ° C. for 2.5 minutes on a hot plate to form a protective film for backside etching.
次に、これらのレジスト膜および裏面エッチング用保護
膜を、第１表に示す組成の剥離液組成物中に所定の温度
で所定時間浸漬したのち、水洗を行い、乾燥させた。こ
のウエーハ上の残存レジスト膜の有無を５０〜４００倍
の光学顕微鏡で観察するか、あるいはウエーハ上の残存
保護膜の有無を単色光をウエーハに照射することにより
観察し、レジスト膜および裏面エッチング用保護膜の残
存度合を調べた。結果を第２表に示す。Next, the resist film and the protective film for back surface etching were immersed in a stripper composition having the composition shown in Table 1 at a predetermined temperature for a predetermined time, washed with water, and dried. For the resist film and backside etching, observe the presence or absence of the residual resist film on this wafer with an optical microscope of 50 to 400 times, or observe the presence or absence of the residual protective film on the wafer by irradiating the wafer with monochromatic light. The residual degree of the protective film was examined. The results are shown in Table 2.
なお、第２表中の剥離状態は、次のような基準により判
定したものである。The peeled state in Table 2 is determined according to the following criteria.
１；レジスト膜および裏面エッチング用保護膜の残渣
（以下、単に「残渣」という）が全体に明らかに認めら
れる。1; Residues of the resist film and the protective film for backside etching (hereinafter simply referred to as "residues") are clearly observed throughout.
２；部分的に明らかに残渣が認められる。2; Residue is clearly observed partially.
３；全体的に薄く残渣が認められる。3; A thin residue is recognized as a whole.
４；部分的ではあるが薄く残渣が認められる。4; Partial but thin residue is observed.
５；残渣が認められない。5: No residue is observed.
〔発明の効果〕 本発明の剥離液組成物は、ホトレジストおよび裏面エッ
チング用保護膜を低温かつ短時間で完全に除去すること
ができ、しかも水溶性であるため、処理後の操作が水洗
浄だけでよいという工業的に極めて有用な剥離液であ
る。この剥離液組成物は、ホトレジスト応用分野、例え
ば半導体、リードフレーム、テレビ用ジャドウマスクな
どの電子部品分野をはじめ、金属、セラミックス、ガラ
スなどの蝕刻分野におけるレジスト膜または保護膜の剥
離液としても極めて有用である。 [Effect of the Invention] The stripping composition of the present invention can completely remove the photoresist and the protective film for backside etching at low temperature and in a short time, and since it is water-soluble, the operation after the treatment is only washing with water. It is a very useful industrially useful stripper. This stripping solution composition is also extremely useful as a stripping solution for a resist film or a protective film in the field of photoresist application, for example, in the field of semiconductors, lead frames, electronic parts such as television shadow masks, metal, ceramics, glass, etc. It is useful.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−80638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−26945（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−26340（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-58-80638 (JP, A) JP-A-60-26945 (JP, A) JP-A-60-26340 (JP, A)
Claims (3)
リン類９０〜２０重量％を含有することを特徴とする剥
離液組成物。1. A stripper composition comprising 10 to 80% by weight of lactams and 90 to 20% by weight of morpholines.
化合物である特許請求の範囲第１項記載の剥離液組成
物。 （式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、
または炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基を示し、ｎ
は３〜５の整数を示す。）2. The stripping solution composition according to claim 1, wherein the lactam is a compound represented by the following general formula (I). (In the formula, R 1 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
Or represents a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, n
Represents an integer of 3 to 5. )
る化合物である特許請求の範囲第１項記載の剥離液組成
物。 （式中、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、
炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基、または炭素数１
〜３のアミノアルキル基を示す。）3. The stripping solution composition according to claim 1, wherein the morpholines are compounds represented by the following general formula (II). (In the formula, R 2 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms,
A hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, or 1 carbon atom
3 to 3 aminoalkyl groups are shown. )
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|---|---|---|---|
| JP61193900A JPH0619576B2 (en) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Stripper composition |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193900A JPH0619576B2 (en) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Stripper composition |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS6350837A JPS6350837A (en) | 1988-03-03 |
| JPH0619576B2 true JPH0619576B2 (en) | 1994-03-16 |
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ID=16315608
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61193900A Expired - Lifetime JPH0619576B2 (en) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | Stripper composition |
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| JP (1) | JPH0619576B2 (en) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6026340A (en) * | 1983-07-25 | 1985-02-09 | ジエイ ティー ベイカー インコーポレーテッド | Stripping composition and stripping of resist |
-
1986
- 1986-08-21 JP JP61193900A patent/JPH0619576B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3004423U (en) * | 1994-05-20 | 1994-11-15 | 北栄工業株式会社 | Hanger storage |
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