JPH06195576A - 半導体材料ガス検出装置 - Google Patents
半導体材料ガス検出装置Info
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- JPH06195576A JPH06195576A JP35927492A JP35927492A JPH06195576A JP H06195576 A JPH06195576 A JP H06195576A JP 35927492 A JP35927492 A JP 35927492A JP 35927492 A JP35927492 A JP 35927492A JP H06195576 A JPH06195576 A JP H06195576A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 テトラエトキシシランの検量を標準ガスが比
較的手に入れ易いシランで行うこと。 【構成】 熱分解炉２と、この熱分解炉２の排出側に接
続されたイオン化式粒子検出器４とを備えるとともに、
熱分解炉２の温度をシランによる検出器４の出力と、こ
のときのシランと同一の濃度のテトラエトキシシランに
よる検出器４の出力とが一致する値に選択する。
較的手に入れ易いシランで行うこと。 【構成】 熱分解炉２と、この熱分解炉２の排出側に接
続されたイオン化式粒子検出器４とを備えるとともに、
熱分解炉２の温度をシランによる検出器４の出力と、こ
のときのシランと同一の濃度のテトラエトキシシランに
よる検出器４の出力とが一致する値に選択する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料ガスの熱分
解により生成する微粒子を検出するようにした半導体材
料ガス測定装置に関する。
解により生成する微粒子を検出するようにした半導体材
料ガス測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体工業においては材料ガスと
してシランに代わってテトラエトキシシランが租の安全
性の高さを認められて使用され始めている。テトラエト
キシシランは、空気に触れると加水分解によりエタノー
ルを生成するため、この性質を積極的に利用して半導体
式ガス検出器や定電位電解式ガス検出器などのエタノー
ルを検出することが可能なセンサーにより漏洩をモニタ
ーされている。しかしながら半導体工業においてはアル
コール系洗浄剤が用いられて、幾分かが空気中に揮散し
ていて、これがテトラエトキシシランの漏洩によるアル
コールと同様にセンサーを作動させるため、テトラエト
キシシラン漏洩検出の信頼性が低いという問題を抱えて
いる。このような問題を解消するため、イオン化式煙検
出器の測定室側に加熱手段を設け、水素化物ガスを加熱
したときに発生する微粒子をイオン式式煙検出器により
検出することも考えられるが（実公平3-53165号公
報）、加熱手段をイオン化式煙検出器に内蔵させる関係
上、テトラエトキシシランの熱分解温度である９００°
Ｃ程度まで昇温可能なヒータを設けることは極めて困難
であるという問題のほかに、たとえヒータを内蔵させる
ことができるとしても後述する理由によりテトラエトキ
シシランに対する校正作業が困難であるという問題を抱
えている。
してシランに代わってテトラエトキシシランが租の安全
性の高さを認められて使用され始めている。テトラエト
キシシランは、空気に触れると加水分解によりエタノー
ルを生成するため、この性質を積極的に利用して半導体
式ガス検出器や定電位電解式ガス検出器などのエタノー
ルを検出することが可能なセンサーにより漏洩をモニタ
ーされている。しかしながら半導体工業においてはアル
コール系洗浄剤が用いられて、幾分かが空気中に揮散し
ていて、これがテトラエトキシシランの漏洩によるアル
コールと同様にセンサーを作動させるため、テトラエト
キシシラン漏洩検出の信頼性が低いという問題を抱えて
いる。このような問題を解消するため、イオン化式煙検
出器の測定室側に加熱手段を設け、水素化物ガスを加熱
したときに発生する微粒子をイオン式式煙検出器により
検出することも考えられるが（実公平3-53165号公
報）、加熱手段をイオン化式煙検出器に内蔵させる関係
上、テトラエトキシシランの熱分解温度である９００°
Ｃ程度まで昇温可能なヒータを設けることは極めて困難
であるという問題のほかに、たとえヒータを内蔵させる
ことができるとしても後述する理由によりテトラエトキ
シシランに対する校正作業が困難であるという問題を抱
えている。
【０００３】すなわち、テトラエトキシシラン等のよう
に毒性を有するガスを測定する装置にあっては、信頼性
を維持するために定期的に校正を行うことが義務付けら
れているから、通常被検出対象ガスと同一組成で、かつ
濃度が既知の標準ガスを用いて指示値のチェックが行わ
れる。ところが従来から使用されていた半導体材料とし
てのシランは、常温でガス状であるため、ガスボンベに
予め既知の濃度に調製したガスを封入して現場に運んだ
り、現場でさらに希釈することにより校正用の標準ガス
比較的簡単に発生させることができたのに対して、テト
ラエトキシシランは、常温では液状であるため、これの
標準ガスを得るためには加熱手段などの気化手段が必要
であるばかりでなく、濃度調製が困難であるという問題
を抱えている。
に毒性を有するガスを測定する装置にあっては、信頼性
を維持するために定期的に校正を行うことが義務付けら
れているから、通常被検出対象ガスと同一組成で、かつ
濃度が既知の標準ガスを用いて指示値のチェックが行わ
れる。ところが従来から使用されていた半導体材料とし
てのシランは、常温でガス状であるため、ガスボンベに
予め既知の濃度に調製したガスを封入して現場に運んだ
り、現場でさらに希釈することにより校正用の標準ガス
比較的簡単に発生させることができたのに対して、テト
ラエトキシシランは、常温では液状であるため、これの
標準ガスを得るためには加熱手段などの気化手段が必要
であるばかりでなく、濃度調製が困難であるという問題
を抱えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題に鑑みてなされたものであってその目的とするところ
は、テトラエトキシシラン測定装置の校正作業を簡素化
することができる新規な半導体材料ガス測定装置を提供
することである。
題に鑑みてなされたものであってその目的とするところ
は、テトラエトキシシラン測定装置の校正作業を簡素化
することができる新規な半導体材料ガス測定装置を提供
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような問題を解消す
るために本発明においては、熱分解炉と、該熱分解炉の
排出側に接続された粒子検出手段とを備え、前記熱分解
炉は、シランによる前記粒子検出手段の出力と、前記シ
ランと同一の濃度のテトラエトキシシランによる前記粒
子検出手段の出力とが一致する温度となるように加熱温
度に設定するようにした。
るために本発明においては、熱分解炉と、該熱分解炉の
排出側に接続された粒子検出手段とを備え、前記熱分解
炉は、シランによる前記粒子検出手段の出力と、前記シ
ランと同一の濃度のテトラエトキシシランによる前記粒
子検出手段の出力とが一致する温度となるように加熱温
度に設定するようにした。
【０００６】
【実施例】そこで以下に本発明の詳細を図示した実施例
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す
ものであって、図中符号２は、熱分解炉で、空気中に揮
散したテトラエトキシシランを分解するのに適した温
度、例えば８００°Ｃ乃至９５０°Ｃ程度にサンプリン
グガスを加熱できるように構成されており、一端に試料
流入口１が、また他端に後述するイオン化式粒子検出器
４を介してサンプリングポンプ５が接続されている。熱
分解炉１及びサンプリングポンプ５は、それぞれ温度設
定手段３及び流量設定手段６により炉温度、サンプリン
グ流量が設定されている。
に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す
ものであって、図中符号２は、熱分解炉で、空気中に揮
散したテトラエトキシシランを分解するのに適した温
度、例えば８００°Ｃ乃至９５０°Ｃ程度にサンプリン
グガスを加熱できるように構成されており、一端に試料
流入口１が、また他端に後述するイオン化式粒子検出器
４を介してサンプリングポンプ５が接続されている。熱
分解炉１及びサンプリングポンプ５は、それぞれ温度設
定手段３及び流量設定手段６により炉温度、サンプリン
グ流量が設定されている。
【０００７】４は、前述のイオン化式粒子検出器で、図
２に示したように共通の電極を兼ねた基板１０にアルフ
ァ線源１１を気密を維持するように貫通させて取り付
け、両側に電気絶縁体からなるパッキング１２を介挿し
て導電性半殻体１３，１４を固定して２つの空間に分割
し、一方の空間を測定室１５、また他方の空間を基準室
１６とするとともに、測定室１５には２つの通孔１７，
１８を設けてサンプリングガスの通過が可能となるよう
に構成されている。そして各半殻体１３，１４及び基板
１０は、差抵抗測定手段１９に接続されいて、半殻体１
３と基板１０、及び半殻体１４と基板１０のインピーダ
ンス差に基づいてサンプリングガスに含まれている粒子
の個数を測定するようになっている。
２に示したように共通の電極を兼ねた基板１０にアルフ
ァ線源１１を気密を維持するように貫通させて取り付
け、両側に電気絶縁体からなるパッキング１２を介挿し
て導電性半殻体１３，１４を固定して２つの空間に分割
し、一方の空間を測定室１５、また他方の空間を基準室
１６とするとともに、測定室１５には２つの通孔１７，
１８を設けてサンプリングガスの通過が可能となるよう
に構成されている。そして各半殻体１３，１４及び基板
１０は、差抵抗測定手段１９に接続されいて、半殻体１
３と基板１０、及び半殻体１４と基板１０のインピーダ
ンス差に基づいてサンプリングガスに含まれている粒子
の個数を測定するようになっている。
【０００８】このように構成した装置において、サンプ
リングポンプ５を作動させてサンプルガスを熱分解炉２
に吸引すると、サンプルガスが熱分解炉２により９００
°Ｃ程度に加熱されてテトラエトキシシランが熱分解し
て金属シリコンの多結晶からなる微粒子を発生する。こ
の微粒子はイオン化式粒子検出器４の測定室１５に流入
し、ここのアルファ線を捕捉して測定室１５のインピー
ダンスを基準室１６のインピーダンスよりも高める。い
うまでもなく、補足されるアルファ線量は、測定室１５
に流入した微粒子の数に比例するから、図３に示したよ
うに熱分解炉２の炉温度に応じたテトラエトキシシラン
の濃度に比例した出力、つまり検量線を得ることができ
る。
リングポンプ５を作動させてサンプルガスを熱分解炉２
に吸引すると、サンプルガスが熱分解炉２により９００
°Ｃ程度に加熱されてテトラエトキシシランが熱分解し
て金属シリコンの多結晶からなる微粒子を発生する。こ
の微粒子はイオン化式粒子検出器４の測定室１５に流入
し、ここのアルファ線を捕捉して測定室１５のインピー
ダンスを基準室１６のインピーダンスよりも高める。い
うまでもなく、補足されるアルファ線量は、測定室１５
に流入した微粒子の数に比例するから、図３に示したよ
うに熱分解炉２の炉温度に応じたテトラエトキシシラン
の濃度に比例した出力、つまり検量線を得ることができ
る。
【０００９】ところで、テトラエトキシシランは、８０
０°Ｃ乃至９１０°Ｃ程度で熱分解するものの、熱分解
炉２の構造にもよるが、測定装置として組み上げること
が可能なサイズ程度では、その熱出力が熱分解炉２に流
入してくるテトラエトキシシランを１００パーセント分
解することができず、分解率が供給される熱エネルギー
量に比例することになる。すなわち、図３に示したよう
に熱分解炉２の温度をパラメータとして、８８０°Ｃ、
８８５°Ｃ、８９０°Ｃ、８９５°Ｃ、９００°Ｃ、９
０５°Ｃ、９１０°Ｃのそれぞれの検量線を求めると、
同図に示したように熱分解炉２の温度に比例して出力が
大きくなる。
０°Ｃ乃至９１０°Ｃ程度で熱分解するものの、熱分解
炉２の構造にもよるが、測定装置として組み上げること
が可能なサイズ程度では、その熱出力が熱分解炉２に流
入してくるテトラエトキシシランを１００パーセント分
解することができず、分解率が供給される熱エネルギー
量に比例することになる。すなわち、図３に示したよう
に熱分解炉２の温度をパラメータとして、８８０°Ｃ、
８８５°Ｃ、８９０°Ｃ、８９５°Ｃ、９００°Ｃ、９
０５°Ｃ、９１０°Ｃのそれぞれの検量線を求めると、
同図に示したように熱分解炉２の温度に比例して出力が
大きくなる。
【００１０】一方、テトラエトキシシランよりも熱分解
温度が４００°Ｃ程度低いシランを同上装置により測定
すると、テトラエトキシシランの測定のために設定され
ている８８０乃至９１０°Ｃ程度の高い炉温度では、シ
ランがほぼ完全に熱分解するから、図４に示したように
炉温度に関りなくただシランの濃度に比例したほぼ同一
の検量線を得ることができる。
温度が４００°Ｃ程度低いシランを同上装置により測定
すると、テトラエトキシシランの測定のために設定され
ている８８０乃至９１０°Ｃ程度の高い炉温度では、シ
ランがほぼ完全に熱分解するから、図４に示したように
炉温度に関りなくただシランの濃度に比例したほぼ同一
の検量線を得ることができる。
【００１１】さらにテトラエトキシシラン、及びシラン
は、ともに１分子量当たりの熱分解により生成する粒子
の数がほぼ一致するため、出力レベルは異なるものの、
濃度に対する検出器出力の微分係数、つまり単位濃度変
化したときの出力値の増分が一致する。そして分解時の
粒子の形状やサイズなどによりテトラエトキシシランに
対する検出器出力が若干高めとなる。
は、ともに１分子量当たりの熱分解により生成する粒子
の数がほぼ一致するため、出力レベルは異なるものの、
濃度に対する検出器出力の微分係数、つまり単位濃度変
化したときの出力値の増分が一致する。そして分解時の
粒子の形状やサイズなどによりテトラエトキシシランに
対する検出器出力が若干高めとなる。
【００１２】本発明はこれらの事実を積極的に利用した
もので、前述したように熱分解炉２の炉温度を８８０°
Ｃ乃至９１０°Ｃ程度の範囲内で調整可能として、濃度
が既知のシランに対するイオン化式粒子検出器４の出力
値を調査する。そして前記シランと同一の濃度のテトラ
エトキシシランを連続的に測定しながら、熱分解炉２の
温度を変化させて、測定値がシランの測定値と一致する
炉温度を求める。このようにして同一濃度のシラン及び
テトラエトキシシランの測定値がそれぞれ一致したとき
の炉温度Ｔ（この実施例では９００°Ｃ）が求まった段
階で、温度調節手段３により熱分解炉２をこの温度Ｔ＝
９００°Ｃに設定する。
もので、前述したように熱分解炉２の炉温度を８８０°
Ｃ乃至９１０°Ｃ程度の範囲内で調整可能として、濃度
が既知のシランに対するイオン化式粒子検出器４の出力
値を調査する。そして前記シランと同一の濃度のテトラ
エトキシシランを連続的に測定しながら、熱分解炉２の
温度を変化させて、測定値がシランの測定値と一致する
炉温度を求める。このようにして同一濃度のシラン及び
テトラエトキシシランの測定値がそれぞれ一致したとき
の炉温度Ｔ（この実施例では９００°Ｃ）が求まった段
階で、温度調節手段３により熱分解炉２をこの温度Ｔ＝
９００°Ｃに設定する。
【００１３】このように熱分解炉２の温度を設定してお
けば、この炉温度に基づく１つの検量線が定まるから、
これに基づいてテトラエトキシシランの濃度を知ること
ができる。一方、校正作業が必要となった場合には、検
定基準濃度値のシランを熱分解炉２に注入すると、注入
されたシランガスは熱分解炉２の温度９００°Ｃの作用
を受けほぼ完全に熱分解し、今注入されたシランの濃度
と同一濃度のテトラエトキシシランを熱分解した時に発
生する個数密度と同数の微粒子を生成することになる。
この結果、図５に示したようにイオン化式粒子検出器４
からは、今、注入されたシランの濃度と同一濃度のテト
ラエトキシシランに一致するレベル信号が出力するか
ら、指示値がシラン標準ガスの濃度値と一致するように
調整することにより、同一濃度のテトラエトキシシラン
を用いて校正したのと同精度での校正が完了する。
けば、この炉温度に基づく１つの検量線が定まるから、
これに基づいてテトラエトキシシランの濃度を知ること
ができる。一方、校正作業が必要となった場合には、検
定基準濃度値のシランを熱分解炉２に注入すると、注入
されたシランガスは熱分解炉２の温度９００°Ｃの作用
を受けほぼ完全に熱分解し、今注入されたシランの濃度
と同一濃度のテトラエトキシシランを熱分解した時に発
生する個数密度と同数の微粒子を生成することになる。
この結果、図５に示したようにイオン化式粒子検出器４
からは、今、注入されたシランの濃度と同一濃度のテト
ラエトキシシランに一致するレベル信号が出力するか
ら、指示値がシラン標準ガスの濃度値と一致するように
調整することにより、同一濃度のテトラエトキシシラン
を用いて校正したのと同精度での校正が完了する。
【００１４】図６は本発明の第２実施例を示すもので図
中符号２１は、第１の熱分解炉で、シランガスを分解す
るのに適した温度、例えば４５０乃至７００°Ｃ程度に
サンプリングガスを加熱できるように構成されており、
一端がサンプルガス流入口２２に、また他端がシランの
熱分解で発生する粒子を除去できる程度のふるい目を備
えたフィルタ２３に接続されている。２４は、第２の熱
分解炉で、テトラエトキシシランを熱分解するのに適し
た温度、例えば８００°Ｃ乃至９５０°Ｃ程度にサンプ
リングガスを加熱できるように構成されており、一端が
二方弁２５を介してフィルタ２３の排出口とサンプルガ
ス流入口２２に選択的に切換え可能に接続されており、
また他端が後述するイオン化式粒子検出器２６に接続さ
れている。これら第１、第２の熱分解炉２１、２４、及
びサンプリングポンプ２７は、それぞれ温度設定手段２
８、２９、及び流量設定手段３０により炉温度、サンプ
リング流量が設定されている。
中符号２１は、第１の熱分解炉で、シランガスを分解す
るのに適した温度、例えば４５０乃至７００°Ｃ程度に
サンプリングガスを加熱できるように構成されており、
一端がサンプルガス流入口２２に、また他端がシランの
熱分解で発生する粒子を除去できる程度のふるい目を備
えたフィルタ２３に接続されている。２４は、第２の熱
分解炉で、テトラエトキシシランを熱分解するのに適し
た温度、例えば８００°Ｃ乃至９５０°Ｃ程度にサンプ
リングガスを加熱できるように構成されており、一端が
二方弁２５を介してフィルタ２３の排出口とサンプルガ
ス流入口２２に選択的に切換え可能に接続されており、
また他端が後述するイオン化式粒子検出器２６に接続さ
れている。これら第１、第２の熱分解炉２１、２４、及
びサンプリングポンプ２７は、それぞれ温度設定手段２
８、２９、及び流量設定手段３０により炉温度、サンプ
リング流量が設定されている。
【００１５】この実施例において、二方弁２５を図中実
線により示すように第２の熱分解炉２４がフィルタ２３
に接続するように切換え、また熱分解炉２１をシランだ
けを分解する温度、例えば５００°Ｃ程度に、さらに第
２の熱分解炉２４をテトラエトキシシランを熱分解する
のに適した温度、例えば９００°Ｃに設定する。この状
態でサンプリングポンプ７を駆動すると、サンプルガス
流入口２からサンプリングガスが第１の熱分解炉２１に
流入し、サンプルガスは、５００°Ｃに加熱され、これ
に含まれているシランが熱分解されて平均直径数μｍ程
度の微粒子となる。一方、サンプルガスに含まれている
テトラエトキシシランは、５００°Ｃ程度の温度では熱
分解しないため、ガスの状態を維持する。
線により示すように第２の熱分解炉２４がフィルタ２３
に接続するように切換え、また熱分解炉２１をシランだ
けを分解する温度、例えば５００°Ｃ程度に、さらに第
２の熱分解炉２４をテトラエトキシシランを熱分解する
のに適した温度、例えば９００°Ｃに設定する。この状
態でサンプリングポンプ７を駆動すると、サンプルガス
流入口２からサンプリングガスが第１の熱分解炉２１に
流入し、サンプルガスは、５００°Ｃに加熱され、これ
に含まれているシランが熱分解されて平均直径数μｍ程
度の微粒子となる。一方、サンプルガスに含まれている
テトラエトキシシランは、５００°Ｃ程度の温度では熱
分解しないため、ガスの状態を維持する。
【００１６】このようにして５００°Ｃ程度まで加熱さ
れたサンプルガスが第１の熱分解炉２１から排出されて
フィルタ２３に流入すると、シランは熱分解により粒子
となっているからフィルタ２３に捕捉されてサンプルガ
スから除去され、またテトラエトキシシランは気体の状
態を維持しているからフィルタ２３を、その濃度を維持
したまま通過して第２の熱分解炉２４に流入する。
れたサンプルガスが第１の熱分解炉２１から排出されて
フィルタ２３に流入すると、シランは熱分解により粒子
となっているからフィルタ２３に捕捉されてサンプルガ
スから除去され、またテトラエトキシシランは気体の状
態を維持しているからフィルタ２３を、その濃度を維持
したまま通過して第２の熱分解炉２４に流入する。
【００１７】第２の熱分解炉２４に流入したサンプリン
グガスは、ここで９００°Ｃ程度に加熱されて熱分解
し、微粒子を生成する。第２の熱分解炉２４を出たサン
プリングガスは、イオン化式粒子検出器２６の測定室に
流入し、インピーダンスを変化させる。
グガスは、ここで９００°Ｃ程度に加熱されて熱分解
し、微粒子を生成する。第２の熱分解炉２４を出たサン
プリングガスは、イオン化式粒子検出器２６の測定室に
流入し、インピーダンスを変化させる。
【００１８】他方、シランを検出する場合には、二方弁
２５を図中点線で示した流路に設定して、サンプリング
ガスを第２の熱分解炉２４に直接流入可能ととするとと
もに、温度設定手段２９により第２の熱分解炉２４をシ
ランだけを選択的に熱分解できる温度、例えば５００°
Ｃに設定する。
２５を図中点線で示した流路に設定して、サンプリング
ガスを第２の熱分解炉２４に直接流入可能ととするとと
もに、温度設定手段２９により第２の熱分解炉２４をシ
ランだけを選択的に熱分解できる温度、例えば５００°
Ｃに設定する。
【００１９】この状態でサンプリングポンプ２７を作動
させると、サンプリングガスが第２の熱分解炉２４に流
入して５００°Ｃ程度に加熱され、サンプリングガスに
含まれているシランだけが選択的に熱分解されて粒子に
変換され、またテトラエトキシシランはガス状態を維持
して粒子検出器２６に流入する。これによりシランから
生成した微粒子によってだけアルファ線が補足されて、
図４に示したようにシランの濃度に比例した出力を示す
ことになる。
させると、サンプリングガスが第２の熱分解炉２４に流
入して５００°Ｃ程度に加熱され、サンプリングガスに
含まれているシランだけが選択的に熱分解されて粒子に
変換され、またテトラエトキシシランはガス状態を維持
して粒子検出器２６に流入する。これによりシランから
生成した微粒子によってだけアルファ線が補足されて、
図４に示したようにシランの濃度に比例した出力を示す
ことになる。
【００２０】なお、この実施例においてはサンプリング
ガスの流入経路を切換えてシランの濃度を測定するよう
にしているが、図６に点線により示したように第１の熱
分解炉２１とイオン化式粒子検出器２６の流入口とを結
ぶバイパス路Ｂを設け、第１の熱分解炉２１をシランだ
けを熱分解できる温度、つまり４５０°Ｃ乃至７００°
Ｃに設定して、ここで発生したシランの熱分解粒子をフ
ィルタ２３を迂回させて検出器６に導くようにしても同
様の作用を奏することは明らかである。
ガスの流入経路を切換えてシランの濃度を測定するよう
にしているが、図６に点線により示したように第１の熱
分解炉２１とイオン化式粒子検出器２６の流入口とを結
ぶバイパス路Ｂを設け、第１の熱分解炉２１をシランだ
けを熱分解できる温度、つまり４５０°Ｃ乃至７００°
Ｃに設定して、ここで発生したシランの熱分解粒子をフ
ィルタ２３を迂回させて検出器６に導くようにしても同
様の作用を奏することは明らかである。
【００２１】なお、図１に示した流路構成を採るものに
おいては、熱分解炉２の温度をシランに適した熱分解温
度とテトラエトキシシランに適した熱分解温度に周期的
に切換えるようにしてシランと、テトラエトキシシラン
を選択的に測定することができる。
おいては、熱分解炉２の温度をシランに適した熱分解温
度とテトラエトキシシランに適した熱分解温度に周期的
に切換えるようにしてシランと、テトラエトキシシラン
を選択的に測定することができる。
【００２２】すなわち、熱分解炉２が一定周期でシラン
分解温度ＴSとテトラエトキシシラン分解温度ＴTに変化
するから、熱分解炉２がシラン分解温度ＴSになった時
の出力値ＳSTを格納する一方、熱分解炉２がテトラエト
キシシラン分解温度ＴTに到達したときの出力値ＳTが求
まった段階で、 出力値ＳST−出力値ＳT を算出することによりシランの濃度を知ることができ
る。
分解温度ＴSとテトラエトキシシラン分解温度ＴTに変化
するから、熱分解炉２がシラン分解温度ＴSになった時
の出力値ＳSTを格納する一方、熱分解炉２がテトラエト
キシシラン分解温度ＴTに到達したときの出力値ＳTが求
まった段階で、 出力値ＳST−出力値ＳT を算出することによりシランの濃度を知ることができ
る。
【００２３】この実施例によればシランの熱分解により
発生した粒子を除去するためのフィルタが不要となるば
かりでなく、１つの熱分解炉で作用効果を得ることがで
きるため、装置の簡素化と製造コスト、ランニングコス
トの低減を図ることができる。
発生した粒子を除去するためのフィルタが不要となるば
かりでなく、１つの熱分解炉で作用効果を得ることがで
きるため、装置の簡素化と製造コスト、ランニングコス
トの低減を図ることができる。
【００２４】なお、上述の実施例においてはアルファ線
源の捕捉により検出するようにしているが、流体に懸垂
している粒子の個数を測定することができる他の形式の
検出器、例えばチンダル現象を利用した光学式粒子検出
器を用いても同様の作用を奏することは明らかである。
源の捕捉により検出するようにしているが、流体に懸垂
している粒子の個数を測定することができる他の形式の
検出器、例えばチンダル現象を利用した光学式粒子検出
器を用いても同様の作用を奏することは明らかである。
【００２５】また、上述の実施例によれば分解温度を任
意に設定できるため、熱分解温度が相互で２，３００°
Ｃ程度異なるものであれば、半導体材料ガスの種類を問
わず、それぞれを選択的に検出できることも明らかであ
る。
意に設定できるため、熱分解温度が相互で２，３００°
Ｃ程度異なるものであれば、半導体材料ガスの種類を問
わず、それぞれを選択的に検出できることも明らかであ
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
熱分解炉と、該熱分解炉の排出側に接続された粒子検出
手段とを備え、熱分解炉の温度をシランによる検出出力
と、このシランと同一の濃度のテトラエトキシシランに
よる検出出力とが一致するようにしたので、標準ガスが
得難いテトラエトキシシランに代わって比較的手に入れ
易いシランの標準ガスにより校正することができる。
熱分解炉と、該熱分解炉の排出側に接続された粒子検出
手段とを備え、熱分解炉の温度をシランによる検出出力
と、このシランと同一の濃度のテトラエトキシシランに
よる検出出力とが一致するようにしたので、標準ガスが
得難いテトラエトキシシランに代わって比較的手に入れ
易いシランの標準ガスにより校正することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す装置の構成図である。
【図２】同上装置に使用する粒子検出器の一例を示す構
成図である。
成図である。
【図３】同上装置によるテトラエトキシシランの熱分解
炉の温度をパラメータとする検量線図である。
炉の温度をパラメータとする検量線図である。
【図４】同上装置によるシランの熱分解炉の温度をパラ
メータとする検量線図である。
メータとする検量線図である。
【図５】熱分解炉を最適状態に設定したときのテトラエ
トキシシランとシランの検量線図である。
トキシシランとシランの検量線図である。
【図６】本発明の第三実施例を示す構成図である。
１ サンプルガス流入口 ２ 熱分解炉 ４ イオン化式粒子検出器 ５ サンプリングポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 熱分解炉と、該熱分解炉の排出側に接続
された粒子検出手段とを備え、前記熱分解炉は、シラン
による前記粒子検出手段の出力と、前記シランと同一の
濃度のテトラエトキシシランによる前記粒子検出手段の
出力とが一致する温度となるように加熱温度に設定され
ている水素化物ガス検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4359274A JP3042651B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体材料ガス検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4359274A JP3042651B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体材料ガス検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195576A true JPH06195576A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3042651B2 JP3042651B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=18463662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4359274A Expired - Lifetime JP3042651B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体材料ガス検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042651B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009244072A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Riken Keiki Co Ltd | イオン化式ガスセンサおよびガス検知システム |
| JP2009244073A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Riken Keiki Co Ltd | イオン化式ガスセンサ |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4359274A patent/JP3042651B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009244072A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Riken Keiki Co Ltd | イオン化式ガスセンサおよびガス検知システム |
| JP2009244073A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Riken Keiki Co Ltd | イオン化式ガスセンサ |
| JP4713609B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-06-29 | 理研計器株式会社 | イオン化式ガスセンサおよびガス検知システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3042651B2 (ja) | 2000-05-15 |
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