JPH06187940A - 荷電粒子検出器 - Google Patents
荷電粒子検出器Info
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- JPH06187940A JPH06187940A JP4338358A JP33835892A JPH06187940A JP H06187940 A JPH06187940 A JP H06187940A JP 4338358 A JP4338358 A JP 4338358A JP 33835892 A JP33835892 A JP 33835892A JP H06187940 A JPH06187940 A JP H06187940A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＦＩＢ装置における荷電粒子検出器において、
シンチレータと光電子増倍管とを組み合わせた検出器の
特長を活かし、二次電子ばかりでなく二次イオン（正極
性）の検出モードも可能にする検出器を提供すること。 【構成】シンチレータと光電子増倍管とを組み合わせた
検出器（ＳＰ検出器）とイオン−電子変換電極とから構
成されており、かつ両者はビーム照射点と見込み、さら
に、両者は互いにも見込む位置に置かれている。 【効果】半導体や磁気記録用などの微細素子をマスクレ
スで断面加工，エッチング，堆積などの加工を行う集束
イオンビーム（ＦＩＢ）装置において、試料からの二次
電子ばかりでなく二次イオン（正極性）の検出が高精
度，高信頼性，低価格で可能になる。
シンチレータと光電子増倍管とを組み合わせた検出器の
特長を活かし、二次電子ばかりでなく二次イオン（正極
性）の検出モードも可能にする検出器を提供すること。 【構成】シンチレータと光電子増倍管とを組み合わせた
検出器（ＳＰ検出器）とイオン−電子変換電極とから構
成されており、かつ両者はビーム照射点と見込み、さら
に、両者は互いにも見込む位置に置かれている。 【効果】半導体や磁気記録用などの微細素子をマスクレ
スで断面加工，エッチング，堆積などの加工を行う集束
イオンビーム（ＦＩＢ）装置において、試料からの二次
電子ばかりでなく二次イオン（正極性）の検出が高精
度，高信頼性，低価格で可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体や磁気記録用など
の微細素子を集束イオンビ−ム(Focused IonBeam、略し
てＦＩＢ）などを用いて、マスクレスで断面加工，エッ
チング，堆積などの加工を行うビーム装置における荷電
粒子検出器に関するものである。
の微細素子を集束イオンビ−ム(Focused IonBeam、略し
てＦＩＢ）などを用いて、マスクレスで断面加工，エッ
チング，堆積などの加工を行うビーム装置における荷電
粒子検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＦＩＢ装置の一例は特開昭60−12
1654号に示されており、その概略構成図を図３に示す。
イオン源１２から放出されたイオンのうち、絞り１３を
通過したものは静電レンズ１４により試料４上に集束さ
れる。集束されたＦＩＢの試料上で走査１１，１１′は
静電レンズ１４の直下に置かれた偏向器１５，１５′に
より行われる。試料４から放出された二次電子２や二次
イオン３は、荷電粒子検知器１６で検知される。本例の
荷電粒子検知器１６はチャンネルプレートでその中心の
開口部をイオンビーム１が通過する。チャンネルプレー
トで検知する荷電粒子の二次電子２と正の二次イオン３
のいずれかの選択はチャンネルプレートの検知面に試料
に対して印加する電圧の極性によって行う。この電圧は
制御電源１９と２４で制御されている。チャンネルプレ
ートからの検知信号は、増幅器２０を通してブラウン管
（ＣＲＴ）２１の輝度信号（Ｚ）に入れられる。ビーム
走査は走査制御電源２２より増幅器２３を通して走査電
圧が偏向器１６に印加されている。ブラウン管２１での
ビーム走査信号（Ｘ，Ｙ）は、走査制御電源から入って
おり、集束ビーム１の試料４の上での走査１１，１１′
と同期している。こうして、二次電子や二次イオンの走
査像がＣＲＴ上に形成される。これらの両者の走査像は
そのコントラストをもたらす要因が異なるため、ビーム
応用分野によっては両者の走査像の取得が有効である。
1654号に示されており、その概略構成図を図３に示す。
イオン源１２から放出されたイオンのうち、絞り１３を
通過したものは静電レンズ１４により試料４上に集束さ
れる。集束されたＦＩＢの試料上で走査１１，１１′は
静電レンズ１４の直下に置かれた偏向器１５，１５′に
より行われる。試料４から放出された二次電子２や二次
イオン３は、荷電粒子検知器１６で検知される。本例の
荷電粒子検知器１６はチャンネルプレートでその中心の
開口部をイオンビーム１が通過する。チャンネルプレー
トで検知する荷電粒子の二次電子２と正の二次イオン３
のいずれかの選択はチャンネルプレートの検知面に試料
に対して印加する電圧の極性によって行う。この電圧は
制御電源１９と２４で制御されている。チャンネルプレ
ートからの検知信号は、増幅器２０を通してブラウン管
（ＣＲＴ）２１の輝度信号（Ｚ）に入れられる。ビーム
走査は走査制御電源２２より増幅器２３を通して走査電
圧が偏向器１６に印加されている。ブラウン管２１での
ビーム走査信号（Ｘ，Ｙ）は、走査制御電源から入って
おり、集束ビーム１の試料４の上での走査１１，１１′
と同期している。こうして、二次電子や二次イオンの走
査像がＣＲＴ上に形成される。これらの両者の走査像は
そのコントラストをもたらす要因が異なるため、ビーム
応用分野によっては両者の走査像の取得が有効である。
【０００３】荷電粒子検知器にはその他、二次電子用検
出器としてシンチレータと光電子増倍管との組み合わせ
（以下ではＳＰ検出器と呼ぶ）が知られている。このＳ
Ｐ検出器はチャンネルプレートと比べ、低価格で、かつ
増幅率の使用時間に対する劣化度合いが低いのが特長で
ある。しかし、このＳＰ検出器ではイオンの検出が出来
ないという欠点があった。
出器としてシンチレータと光電子増倍管との組み合わせ
（以下ではＳＰ検出器と呼ぶ）が知られている。このＳ
Ｐ検出器はチャンネルプレートと比べ、低価格で、かつ
増幅率の使用時間に対する劣化度合いが低いのが特長で
ある。しかし、このＳＰ検出器ではイオンの検出が出来
ないという欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ＦＩ
Ｂ装置においてＳＰ検出器の特長を活かし、二次電子ば
かりでなく二次イオン（正極性）の検出モードも可能に
する荷電粒子検出器を提供することにある。なお、試料
上のビーム照射点近傍は空間的スペースが余り無く、こ
の荷電粒子検出器は小型でなければならない。なお、そ
の製作には低価格であることも必要である。
Ｂ装置においてＳＰ検出器の特長を活かし、二次電子ば
かりでなく二次イオン（正極性）の検出モードも可能に
する荷電粒子検出器を提供することにある。なお、試料
上のビーム照射点近傍は空間的スペースが余り無く、こ
の荷電粒子検出器は小型でなければならない。なお、そ
の製作には低価格であることも必要である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ＦＩＢ装置においてＳＰ検出器とビーム照射点とを
同時に見込む位置にイオン−電子変換電極を置く手段を
設ける。ただし、二次電子と二次イオンの検出モードの
選択により、ＳＰ検出器のシンチレータおよびイオン−
電子変換電極の電位値は制御する。
に、ＦＩＢ装置においてＳＰ検出器とビーム照射点とを
同時に見込む位置にイオン−電子変換電極を置く手段を
設ける。ただし、二次電子と二次イオンの検出モードの
選択により、ＳＰ検出器のシンチレータおよびイオン−
電子変換電極の電位値は制御する。
【０００６】
【作用】上記手段により、試料からの二次電子はＳＰ検
出器で直接、検出される。一方、二次イオンはイオン−
電子変換電極に加速衝撃し、電子に変換される。この電
子をＳＰ検出器で検出する。これにより、二次電子ばか
りでなく二次イオン（正極性）の検出モードが可能にな
る。
出器で直接、検出される。一方、二次イオンはイオン−
電子変換電極に加速衝撃し、電子に変換される。この電
子をＳＰ検出器で検出する。これにより、二次電子ばか
りでなく二次イオン（正極性）の検出モードが可能にな
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【０００８】図１は実施例で用いたＦＩＢ装置の基本構
成図である。液体金属イオン源100から放出したイオン
ビームはコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０６
により試料２００上に集束する。レンズ間には、アパー
チャー１０２，アライナー・スティグマ１０３，ブラン
カー１０４，デフレクタ１０５が配されている。試料２
００は２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１１１
上に固定されている。デポジション用ガス源１１０から
発生したガスはガスノズル１０８によりＦＩＢ照射部近
傍に導かれる。加工ステージ１１１上の試料２００から
ＦＩＢ照射により発生した二次電子は、ＳＰ検出器１０
７により検出される。コンピュータのＣＲＴ上のＸＹ位
置信号をイオンビーム１の偏向制御と同期させ、二次電
子強度信号をＣＲＴの輝度（Ｚ信号）にとることにより
ＣＲＴ上に走査イオン(ＳＩＭ）像が表示される。
成図である。液体金属イオン源100から放出したイオン
ビームはコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０６
により試料２００上に集束する。レンズ間には、アパー
チャー１０２，アライナー・スティグマ１０３，ブラン
カー１０４，デフレクタ１０５が配されている。試料２
００は２軸（Ｘ，Ｙ）方向に移動可能なステージ１１１
上に固定されている。デポジション用ガス源１１０から
発生したガスはガスノズル１０８によりＦＩＢ照射部近
傍に導かれる。加工ステージ１１１上の試料２００から
ＦＩＢ照射により発生した二次電子は、ＳＰ検出器１０
７により検出される。コンピュータのＣＲＴ上のＸＹ位
置信号をイオンビーム１の偏向制御と同期させ、二次電
子強度信号をＣＲＴの輝度（Ｚ信号）にとることにより
ＣＲＴ上に走査イオン(ＳＩＭ）像が表示される。
【０００９】図２は試料上のビーム照射点，ＳＰ検出
器，イオン−電子変換電極の位置関係をビーム照射軸方
向から見た概略説明図である。試料上のビーム照射点２
０１の周囲に２個のＳＰ検出器１０７，１０７′と２個
のイオン−電子変換電極１０９，１０９′が配置されて
いる。また、イオン−電子変換電極はビーム照射点ばか
りでなくＳＰ検出器をも見込む位置にある。
器，イオン−電子変換電極の位置関係をビーム照射軸方
向から見た概略説明図である。試料上のビーム照射点２
０１の周囲に２個のＳＰ検出器１０７，１０７′と２個
のイオン−電子変換電極１０９，１０９′が配置されて
いる。また、イオン−電子変換電極はビーム照射点ばか
りでなくＳＰ検出器をも見込む位置にある。
【００１０】二次電子モードではＳＰ検出器のシンチレ
ータの印加電圧Ｖｓ を＋５〜＋１０ｋＶとし、イオン
−電子変換電極の印加電圧Ｖeiを０Ｖとする。この場
合、試料からの二次電子は直接、ＳＰ検出器１０７，１
０７′で検出される。一方、二次イオンモードでは、Ｖ
s ＝０Ｖ，Ｖei＝−５〜−１０ｋＶにする。この場合、
試料からの二次イオン（正極性）はイオン−電子変換電
極を衝撃し、二次電子を発生する。この二次電子の一部
はＳＰ検出器に向かってＶs −Ｖeiの加速電圧で加速さ
れ、そこで検出される。残りの二次電子はイオン−電子
変換電極近傍の接地電位にある他の部品や試料室の金属
壁に−Ｖeiで加速され、それらに衝突する。この衝突に
より電子（ここでは三次電子と呼ぶ）が発生するがその
発生電位はＶs （＝０Ｖ）と同電位であるため、ここで
の三次電子はＳＰ検出器では検出されない。また、Ｖs
＝＋５〜＋１０ｋＶ，Ｖei＝−５〜−１０ｋＶとすれ
ば、二次電子と二次イオンが同時に検出されることにな
る。この場合の二次イオン検出では、イオン−電子変換
電極からの二次電子ばかりでなく、上記の三次電子もＳ
Ｐ検出器で観測されることになる。
ータの印加電圧Ｖｓ を＋５〜＋１０ｋＶとし、イオン
−電子変換電極の印加電圧Ｖeiを０Ｖとする。この場
合、試料からの二次電子は直接、ＳＰ検出器１０７，１
０７′で検出される。一方、二次イオンモードでは、Ｖ
s ＝０Ｖ，Ｖei＝−５〜−１０ｋＶにする。この場合、
試料からの二次イオン（正極性）はイオン−電子変換電
極を衝撃し、二次電子を発生する。この二次電子の一部
はＳＰ検出器に向かってＶs −Ｖeiの加速電圧で加速さ
れ、そこで検出される。残りの二次電子はイオン−電子
変換電極近傍の接地電位にある他の部品や試料室の金属
壁に−Ｖeiで加速され、それらに衝突する。この衝突に
より電子（ここでは三次電子と呼ぶ）が発生するがその
発生電位はＶs （＝０Ｖ）と同電位であるため、ここで
の三次電子はＳＰ検出器では検出されない。また、Ｖs
＝＋５〜＋１０ｋＶ，Ｖei＝−５〜−１０ｋＶとすれ
ば、二次電子と二次イオンが同時に検出されることにな
る。この場合の二次イオン検出では、イオン−電子変換
電極からの二次電子ばかりでなく、上記の三次電子もＳ
Ｐ検出器で観測されることになる。
【００１１】二次電子モード，二次イオンモード、およ
び二次電子＆二次イオンモードにおけるそれらの強度比
は、二次イオン，二次電子と三次電子の捕獲確率、及び
イオン−二次電子，二次電子−三次電子，二次電子−光
と三次電子−光の変換効率のそれぞれの検出パスに対応
した確率と効率の積を計算することにより求められる。
また、これらの確率と効率はＶs とＶeiの関数である。
び二次電子＆二次イオンモードにおけるそれらの強度比
は、二次イオン，二次電子と三次電子の捕獲確率、及び
イオン−二次電子，二次電子−三次電子，二次電子−光
と三次電子−光の変換効率のそれぞれの検出パスに対応
した確率と効率の積を計算することにより求められる。
また、これらの確率と効率はＶs とＶeiの関数である。
【００１２】図３の本実施例では２個のＳＰ検出器と２
個のイオン−電子変換電極をビーム照射点を中心として
ほぼ対称位置に設置した。この設置は、ＳＰ検出器とイ
オン−電子変換電極および試料との相互間に形成される
電界において、イオンビーム軸極近傍での電界強度を近
似的に０とし、二次電子と二次イオンモード切り替えに
よる試料照射のイオンビームの偏向量を近似的に０に抑
制するためのものである。ビーム照射点近傍に余り空間
的スペースが無い場合は、ＳＰ検出器とイオン−電子変
換電極を各１個にしてもよい。ただし、この場合、イオ
ンビーム軸極近傍での電界強度が近似的に０にならない
ので、二次電子と二次イオンのモード切り替え時にビー
ムの若干ずれが生じる。
個のイオン−電子変換電極をビーム照射点を中心として
ほぼ対称位置に設置した。この設置は、ＳＰ検出器とイ
オン−電子変換電極および試料との相互間に形成される
電界において、イオンビーム軸極近傍での電界強度を近
似的に０とし、二次電子と二次イオンモード切り替えに
よる試料照射のイオンビームの偏向量を近似的に０に抑
制するためのものである。ビーム照射点近傍に余り空間
的スペースが無い場合は、ＳＰ検出器とイオン−電子変
換電極を各１個にしてもよい。ただし、この場合、イオ
ンビーム軸極近傍での電界強度が近似的に０にならない
ので、二次電子と二次イオンのモード切り替え時にビー
ムの若干ずれが生じる。
【００１３】イオン−電子変換電極の材料は、イオン−
電子変換効率が高いこと、この変換効率が真空雰囲気に
対して安定であることの観点からアルミニウムを採用し
た。また、その変換電極の大きさは直径３mm，長さ１０
mmの棒状と小型である。このように荷電粒子検知器はＳ
Ｐ検出器に、イオン−電子変換電極として働く小さな金
属棒を付加するだけでよく、特にＦＩＢ装置の様にビー
ム照射点の近傍に空間スペースが広く取れない場合に非
常に有効である。また、その製作コストも安価である。
電子変換効率が高いこと、この変換効率が真空雰囲気に
対して安定であることの観点からアルミニウムを採用し
た。また、その変換電極の大きさは直径３mm，長さ１０
mmの棒状と小型である。このように荷電粒子検知器はＳ
Ｐ検出器に、イオン−電子変換電極として働く小さな金
属棒を付加するだけでよく、特にＦＩＢ装置の様にビー
ム照射点の近傍に空間スペースが広く取れない場合に非
常に有効である。また、その製作コストも安価である。
【００１４】次に、別の実施例を示す。本発明のＦＩＢ
装置を用いて、絶縁体試料の断面加工を行った。この場
合、イオンビーム照射による試料の帯電を防止するた
め、中和用電子銃（図示されておらず）を試料表面近傍
に設けた。中和用電子シャワーがある時は、通常、電子
シャワー照射による試料からの二次電子放出量がイオン
照射による二次電子放出量に比べてかなり多くなるた
め、ＳＩＭ像を得るための二次電子モードは使えなくな
る。そのため、二次イオンモードが必須となる。ここで
の中和用電子銃においては、電子光軸を曲げて小さな細
孔から電子を放出させ、電子銃から周囲への光漏れを無
くしてある。その目的は、光漏れがＳＰ検出器における
光電子増倍管の光電面への光入射を起こす要因となるか
らである。
装置を用いて、絶縁体試料の断面加工を行った。この場
合、イオンビーム照射による試料の帯電を防止するた
め、中和用電子銃（図示されておらず）を試料表面近傍
に設けた。中和用電子シャワーがある時は、通常、電子
シャワー照射による試料からの二次電子放出量がイオン
照射による二次電子放出量に比べてかなり多くなるた
め、ＳＩＭ像を得るための二次電子モードは使えなくな
る。そのため、二次イオンモードが必須となる。ここで
の中和用電子銃においては、電子光軸を曲げて小さな細
孔から電子を放出させ、電子銃から周囲への光漏れを無
くしてある。その目的は、光漏れがＳＰ検出器における
光電子増倍管の光電面への光入射を起こす要因となるか
らである。
【００１５】以上の実施例においては二次電子検出器と
してＳＰ検出器を用いたが、チャンネルトロンを用いて
も同様な効果が得られる。また、荷電粒子検出器におい
て、二次電子検出器はビーム照射点を見込み、かつ該イ
オン−電子変換用電極はビーム照射点と該電子検出器と
を同時に見込む“幾何学的”関係の位置に置いたが、こ
こでの「見込む」は荷電粒子が電磁場などによりその空
間的軌道が曲げられた状態での“電磁気学的”「見込
む」であっても同様な効果が得られる。
してＳＰ検出器を用いたが、チャンネルトロンを用いて
も同様な効果が得られる。また、荷電粒子検出器におい
て、二次電子検出器はビーム照射点を見込み、かつ該イ
オン−電子変換用電極はビーム照射点と該電子検出器と
を同時に見込む“幾何学的”関係の位置に置いたが、こ
こでの「見込む」は荷電粒子が電磁場などによりその空
間的軌道が曲げられた状態での“電磁気学的”「見込
む」であっても同様な効果が得られる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、ビーム照射点近傍に二
次電子と二次イオンとの検出モードが選択可能な小型
で、かつ試料雰囲気に安定な荷電粒子検出器を設けるこ
とができる。さらに、これをＦＩＢ装置に搭載すること
により、二次電子と二次イオンとの検出モードによるＳ
ＩＭ像の観測が可能になる。これにより、半導体や磁気
記録用などの微細素子をマスクレスで断面加工，エッチ
ング，堆積などの加工を行う集束イオンビームＦＩＢ装
置において、試料からの二次電子ばかりでなく二次イオ
ン（正極性）の検出が高精度，高信頼性，低価格で可能
になる。
次電子と二次イオンとの検出モードが選択可能な小型
で、かつ試料雰囲気に安定な荷電粒子検出器を設けるこ
とができる。さらに、これをＦＩＢ装置に搭載すること
により、二次電子と二次イオンとの検出モードによるＳ
ＩＭ像の観測が可能になる。これにより、半導体や磁気
記録用などの微細素子をマスクレスで断面加工，エッチ
ング，堆積などの加工を行う集束イオンビームＦＩＢ装
置において、試料からの二次電子ばかりでなく二次イオ
ン（正極性）の検出が高精度，高信頼性，低価格で可能
になる。
【図１】本発明の実施例の集束イオンビーム装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の実施例の荷電粒子検出器において、試
料上のビーム照射点，ＳＰ検出器，イオン−電子変換電
極の位置関係図である。
料上のビーム照射点，ＳＰ検出器，イオン−電子変換電
極の位置関係図である。
【図３】従来の集束イオンビーム装置の概略構成図であ
る。
る。
１…集束イオンビーム、２…二次電子、３…二次イオ
ン、４…試料、６…試料電流計、１１，１１′…ビーム
走査、１２…イオン源、１３…絞り、１４…静電レン
ズ、１５，１５′…偏向器、１６…チャンネルプレー
ト、１７…ビーム軸、１８…絞り、１９…制御電極、２
０…増幅器、２１…ＣＲＴ、２２…走査電源、２３…増
幅器、２４…増幅器、２５…真空容器、１００…液体金
属イオン源、１０１…コンデンサーレンズ、１０２…ア
パーチャー（絞り）、１０３…アライナ・スティグマ、
１０４…ブランカ、１０５デフレクタ（偏向器）、１０
６…対物レンズ、１０７…二次電子検出器、１０８…ガ
スノズル、１０９…イオン−電子変換電極、１１０…ガ
ス源、１１１…試料ステージ、２００…試料、２０１…
ビーム照射点、２０２…電子。
ン、４…試料、６…試料電流計、１１，１１′…ビーム
走査、１２…イオン源、１３…絞り、１４…静電レン
ズ、１５，１５′…偏向器、１６…チャンネルプレー
ト、１７…ビーム軸、１８…絞り、１９…制御電極、２
０…増幅器、２１…ＣＲＴ、２２…走査電源、２３…増
幅器、２４…増幅器、２５…真空容器、１００…液体金
属イオン源、１０１…コンデンサーレンズ、１０２…ア
パーチャー（絞り）、１０３…アライナ・スティグマ、
１０４…ブランカ、１０５デフレクタ（偏向器）、１０
６…対物レンズ、１０７…二次電子検出器、１０８…ガ
スノズル、１０９…イオン−電子変換電極、１１０…ガ
ス源、１１１…試料ステージ、２００…試料、２０１…
ビーム照射点、２０２…電子。
Claims (4)
- 【請求項１】電子検出器とイオン−電子変換用電極との
組み合わせからなり、該電子検出器はビーム照射点を見
込み、かつ該イオン−電子変換用電極はビーム照射点と
該電子検出器とを同時に見込む関係位置に置くことを特
徴とした荷電粒子検出器。 - 【請求項２】イオン源からの放出イオンを複数段の静電
レンズにより集束して集束イオンビームを形成し、該レ
ンズ間のアライナーによりビ−ム光軸合わせを行い、か
つ該集束ビ−ムを偏向器により試料表面上で走査し、試
料からのビーム照射により放出される荷電粒子を検出す
る集束イオンビーム装置において、荷電粒子検出器が電
子検出器とイオン−電子変換用電極との組み合わせから
なり、該電子検出器はビーム照射点を見込み、かつ該イ
オン−電子変換用電極はビーム照射点と該電子検出器と
を同時に見込む関係位置に置くことを特徴とした集束イ
オンビーム装置。 - 【請求項３】電子検出器がシンチレータと光電子像倍管
の組み合わせ構成からなることを特徴とした請求項１記
載の荷電粒子検出器。 - 【請求項４】電子検出器がシンチレータと光電子像倍管
の組み合わせ構成からなることを特徴とした請求項２記
載の集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338358A JPH06187940A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 荷電粒子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338358A JPH06187940A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 荷電粒子検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187940A true JPH06187940A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18317404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4338358A Pending JPH06187940A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 荷電粒子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524867A (ja) * | 2000-02-09 | 2003-08-19 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 集束イオンビームシステムのための二次粒子のレンズ通過捕捉 |
| US8164059B2 (en) | 2007-06-18 | 2012-04-24 | Fei Company | In-chamber electron detector |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4338358A patent/JPH06187940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524867A (ja) * | 2000-02-09 | 2003-08-19 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 集束イオンビームシステムのための二次粒子のレンズ通過捕捉 |
| US8164059B2 (en) | 2007-06-18 | 2012-04-24 | Fei Company | In-chamber electron detector |
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