JPH06186258A - 光方式直流電圧測定装置 - Google Patents
光方式直流電圧測定装置Info
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- JPH06186258A JPH06186258A JP4131508A JP13150892A JPH06186258A JP H06186258 A JPH06186258 A JP H06186258A JP 4131508 A JP4131508 A JP 4131508A JP 13150892 A JP13150892 A JP 13150892A JP H06186258 A JPH06186258 A JP H06186258A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電気光学素子のポッケルス効果を用いて電圧
を計測する直流電圧測定装置におけるブリッジ回路の直
流−交流変換効率を高める。 【構成】 ブリッジ回路１における４辺の抵抗素子Ｒ１
〜Ｒ４中少なくとも２辺の抵抗素子を光感応抵抗とし
て、一方の対角間に測定すべき直流電圧を印加し、前記
２辺の光感応抵抗に光を照射して抵抗値を変化させて該
ブリッジ回路の他方の対角間に交番電圧を生じさせ、前
記他方の対角間に設けられた電気光学結晶２のポッケル
ス効果を利用して、前記直流電圧を計測する光方式直流
電圧測定装置において、前記光感応抵抗を絶縁性容器１
３内に収容し、前記一辺の光感応抵抗に照射される光か
ら他辺の光感応抵抗を遮蔽して構成する。
を計測する直流電圧測定装置におけるブリッジ回路の直
流−交流変換効率を高める。 【構成】 ブリッジ回路１における４辺の抵抗素子Ｒ１
〜Ｒ４中少なくとも２辺の抵抗素子を光感応抵抗とし
て、一方の対角間に測定すべき直流電圧を印加し、前記
２辺の光感応抵抗に光を照射して抵抗値を変化させて該
ブリッジ回路の他方の対角間に交番電圧を生じさせ、前
記他方の対角間に設けられた電気光学結晶２のポッケル
ス効果を利用して、前記直流電圧を計測する光方式直流
電圧測定装置において、前記光感応抵抗を絶縁性容器１
３内に収容し、前記一辺の光感応抵抗に照射される光か
ら他辺の光感応抵抗を遮蔽して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学結晶のポッケ
ルス効果を用い、しかも測定すべき直流高電圧をブリッ
ジ回路により交流電圧に変換して計測する光方式直流電
圧測定装置（以下、直流電圧測定装置とする）を利用分
野とし、特にブリッジ回路による直流から交流への変換
効率を高めた直流電圧測定装置に関する。
ルス効果を用い、しかも測定すべき直流高電圧をブリッ
ジ回路により交流電圧に変換して計測する光方式直流電
圧測定装置（以下、直流電圧測定装置とする）を利用分
野とし、特にブリッジ回路による直流から交流への変換
効率を高めた直流電圧測定装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】光方式による電圧測定装置は、電気光学
結晶及び光ファイバ等の絶縁材を主として構成されるこ
とから、電磁誘導や外来雑音等の影響を受けず、しかも
無火花、防爆性、あるいは耐薬性を良好とする。したが
って、高圧下の送変電機器及びその関連装置（電力分
野）や、石油備蓄基地における帯電電荷の測定装置にそ
の有用性が認められている。しかし、このような測定装
置は、交流に対しては何等の支障を来すことなく計測で
きるが、直流に対しては一般的に電気光学素子の静電容
量及び直流抵抗が大きいために時間と共に測定値が変化
し、さらに結晶の分極を生じて測定不能となる。このよ
うなことから、この問題を克服する種々の考案が提案さ
れているが、それらの一つに本発明者等による、ブリッ
ジ回路を用いて直流を交流に変換して計測できるように
したものがある（参照:特開平2-161363号公報）。
結晶及び光ファイバ等の絶縁材を主として構成されるこ
とから、電磁誘導や外来雑音等の影響を受けず、しかも
無火花、防爆性、あるいは耐薬性を良好とする。したが
って、高圧下の送変電機器及びその関連装置（電力分
野）や、石油備蓄基地における帯電電荷の測定装置にそ
の有用性が認められている。しかし、このような測定装
置は、交流に対しては何等の支障を来すことなく計測で
きるが、直流に対しては一般的に電気光学素子の静電容
量及び直流抵抗が大きいために時間と共に測定値が変化
し、さらに結晶の分極を生じて測定不能となる。このよ
うなことから、この問題を克服する種々の考案が提案さ
れているが、それらの一つに本発明者等による、ブリッ
ジ回路を用いて直流を交流に変換して計測できるように
したものがある（参照:特開平2-161363号公報）。
【０００３】
【従来技術】第３図はこの種の直流電圧測定装置を説明
する図で、同図（ａ）は同装置の概略構成図、同図
（ｂ）は光感応抵抗を用いたブリッジ回路の図である。
直流電圧測定装置は、概ね、直流を交流に変換するブリ
ッジ回路１と、交流を印加される電圧センサ２とからな
る。ブリッジ回路１は各辺の抵抗素子を光感応抵抗Ｒ
(1、2、3、4)とする。そして、一方の対角間（ａｂ）には
被測定電圧Ｅ（Ｖ）が印加され、他方の対角間（ｃｄ）
には電圧センサ２が接続される。光感応抵抗Ｒは、例え
ば水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）とした
薄膜抵抗からなる。具体的には、４つのａ−Ｓｉ：Ｈ薄
膜と、これらを接続する線路及び端子部（ａｂｃｄ）と
を一枚の基板３上に形成してブリッジ回路を構成する。
そして、光源（例えば発光ダイオード）Ｄ(1、2、3、4)か
ら、光ファイバ５を経由してそれぞれ光を照射される。
例えば、第４図（ａ）（ｂ）に光源Ｄ(1、2、3、4)からの
波形を示したように、光感応抵抗Ｒ1、Ｒ2はsinθで、
Ｒ3、Ｒ4はsin(θ＋π)で強度変調された光が照射され
る。すなわち、ブリッジ回路４の一組の対向辺（一組辺
とする）と他組の対向辺（他組辺とする）の光感応抵抗
Ｒ(1、2)とＲ(3、4)には、互いに逆相となる光が照射され
る。なお、光感応抵抗Ｒは、高インピーダンスを有し
て、照射光が少なければ高抵抗、多ければ低抵抗を示
し、照射光の強度に応じて抵抗値が減少する。電圧セン
サ２は、電界に応じて屈折率変化を生ずるポッケルス効
果を有する例えばＬiＮbＯ3の電気光学素子４からな
る。電気光学素子４は、両主面に電極６（ａｂ）が形成
され、ブリッジ回路１の他方の対角間（ｃｄ）に接続さ
れる。そして、例えば印加電圧に直交する方向に光を透
過させる入出射面に光ファイバ５を接続する。そして、
光源Ｄ5からの入射光の偏光状態をポッケルス効果によ
り異ならせて光電変換素子ＰＤに出射する。なお、入射
面側に波長板７と偏光板８を、出射面側には偏光板８を
設ける（第５図参照）。 このようなものでは、ブリッ
ジ回路の一組辺と他組辺の光感応抵抗Ｒ(1、2)とＲ(3、4)
とには、互いに逆相の強度変調された光が照射されるこ
とから、可逆的にその抵抗値を増減する。そして、ブリ
ッジ回路１の平衡をくずし、他方の対角間（ｃｄ）の上
端側ｃを高電位、下端側ｄを低電位とし、次に上端側ｃ
を低電位、下端側ｄを高電位とした電位差を、順次に生
ずる。その結果、ブリッジ回路１の他方の対角間（ｃ
ｄ）には、第６図に示したように、被測定直流電圧値に
応じた交番電圧が発生する。そして、このような交番電
圧が電圧センサ２に印加され、そのポッケルス効果によ
り出射光の偏光状態が変化する。そして、光電変換素子
ＰＤにより、偏光状態に応じた検出電圧に変換し、これ
から図示しない回路により被測定電圧の値を計測する。
する図で、同図（ａ）は同装置の概略構成図、同図
（ｂ）は光感応抵抗を用いたブリッジ回路の図である。
直流電圧測定装置は、概ね、直流を交流に変換するブリ
ッジ回路１と、交流を印加される電圧センサ２とからな
る。ブリッジ回路１は各辺の抵抗素子を光感応抵抗Ｒ
(1、2、3、4)とする。そして、一方の対角間（ａｂ）には
被測定電圧Ｅ（Ｖ）が印加され、他方の対角間（ｃｄ）
には電圧センサ２が接続される。光感応抵抗Ｒは、例え
ば水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）とした
薄膜抵抗からなる。具体的には、４つのａ−Ｓｉ：Ｈ薄
膜と、これらを接続する線路及び端子部（ａｂｃｄ）と
を一枚の基板３上に形成してブリッジ回路を構成する。
そして、光源（例えば発光ダイオード）Ｄ(1、2、3、4)か
ら、光ファイバ５を経由してそれぞれ光を照射される。
例えば、第４図（ａ）（ｂ）に光源Ｄ(1、2、3、4)からの
波形を示したように、光感応抵抗Ｒ1、Ｒ2はsinθで、
Ｒ3、Ｒ4はsin(θ＋π)で強度変調された光が照射され
る。すなわち、ブリッジ回路４の一組の対向辺（一組辺
とする）と他組の対向辺（他組辺とする）の光感応抵抗
Ｒ(1、2)とＲ(3、4)には、互いに逆相となる光が照射され
る。なお、光感応抵抗Ｒは、高インピーダンスを有し
て、照射光が少なければ高抵抗、多ければ低抵抗を示
し、照射光の強度に応じて抵抗値が減少する。電圧セン
サ２は、電界に応じて屈折率変化を生ずるポッケルス効
果を有する例えばＬiＮbＯ3の電気光学素子４からな
る。電気光学素子４は、両主面に電極６（ａｂ）が形成
され、ブリッジ回路１の他方の対角間（ｃｄ）に接続さ
れる。そして、例えば印加電圧に直交する方向に光を透
過させる入出射面に光ファイバ５を接続する。そして、
光源Ｄ5からの入射光の偏光状態をポッケルス効果によ
り異ならせて光電変換素子ＰＤに出射する。なお、入射
面側に波長板７と偏光板８を、出射面側には偏光板８を
設ける（第５図参照）。 このようなものでは、ブリッ
ジ回路の一組辺と他組辺の光感応抵抗Ｒ(1、2)とＲ(3、4)
とには、互いに逆相の強度変調された光が照射されるこ
とから、可逆的にその抵抗値を増減する。そして、ブリ
ッジ回路１の平衡をくずし、他方の対角間（ｃｄ）の上
端側ｃを高電位、下端側ｄを低電位とし、次に上端側ｃ
を低電位、下端側ｄを高電位とした電位差を、順次に生
ずる。その結果、ブリッジ回路１の他方の対角間（ｃ
ｄ）には、第６図に示したように、被測定直流電圧値に
応じた交番電圧が発生する。そして、このような交番電
圧が電圧センサ２に印加され、そのポッケルス効果によ
り出射光の偏光状態が変化する。そして、光電変換素子
ＰＤにより、偏光状態に応じた検出電圧に変換し、これ
から図示しない回路により被測定電圧の値を計測する。
【０００４】
【従来技術の問題点】しかしながら、上記構成の直流電
圧測定装置では、ブリッジ回路１の個々の光感応抵抗Ｒ
に光を照射してその抵抗値を変化させるが、光感応抵抗
Ｒとしての水素化アモルファスシリコンは一枚の基板３
上に隣接して形成される。このため、各光感応抵抗Ｒに
独立的に光を照射しても、その漏れが互いに隣接する感
応抵抗Ｒに影響を及ぼしてその抵抗値を基準値から変化
させる。そして、結果的には、直流−交流の変換効率
（以下、直交変換効率とする）を低下させる問題があっ
た。
圧測定装置では、ブリッジ回路１の個々の光感応抵抗Ｒ
に光を照射してその抵抗値を変化させるが、光感応抵抗
Ｒとしての水素化アモルファスシリコンは一枚の基板３
上に隣接して形成される。このため、各光感応抵抗Ｒに
独立的に光を照射しても、その漏れが互いに隣接する感
応抵抗Ｒに影響を及ぼしてその抵抗値を基準値から変化
させる。そして、結果的には、直流−交流の変換効率
（以下、直交変換効率とする）を低下させる問題があっ
た。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、直交変換効率を高めた直流電
圧測定装置を提供することを目的とする。
圧測定装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【解決手段】本発明は、前述した光感応抵抗を絶縁性容
器内に収容し、ブリッジ回路における一辺の光感応抵抗
に照射される光から他辺の光感応抵抗を遮蔽して構成し
たことを基本的な第１の解決手段とする。また、前述し
た水素化アモルファスシリコンからなる光感応抵抗を絶
縁性ガス中に密封して構成したことを基本的な第２の解
決手段とする。以下、本発明の実施例により、これらの
解決手段を作用とともに詳細する。
器内に収容し、ブリッジ回路における一辺の光感応抵抗
に照射される光から他辺の光感応抵抗を遮蔽して構成し
たことを基本的な第１の解決手段とする。また、前述し
た水素化アモルファスシリコンからなる光感応抵抗を絶
縁性ガス中に密封して構成したことを基本的な第２の解
決手段とする。以下、本発明の実施例により、これらの
解決手段を作用とともに詳細する。
【０００７】
【実施例】第１図は本発明の一実施例を説明する直流電
圧測定装置の図で、同図（ａ）分解組立図、同図（ｂ）
は同装置の一部図、同図（ｃ）は光感応抵抗の図であ
る。なお、前従来例図と同一部分には同番号を付与し、
その説明は簡略する。直流電圧測定装置は、前述したよ
うに、概ね、ブリッジ回路１と、電圧センサ２とからな
る（前第１図参照）。この実施例では、ブリッジ回路１
の各感応抵抗Ｒ(1、2、3、4)は、それぞれ個別の基板１０
に水素化アモルファスシリコンからなる薄膜１１を形成
し、両端側に端子部１２（ｘｙ）を設けてなる。そし
て、個別の各感応抵抗Ｒを独立的に照射される光から互
いに遮蔽される構造の絶縁容器１３内に封入した構成と
する。以下、このような構造の一例を概略的に示す。絶
縁容器１３は、例えばセラミックスから形成され、容器
本体１４と、蓋体１５と、端子導出部１６（ａｂ）とか
らなる。そして、全体的に密閉構造として、例えばＳＦ
6とした絶縁性ガスを密封する。容器本体１４は両端側
を削除した略円状とし、一主面側の中央に細長穴１７
と、その両側に計４つの幅広穴１８（ａｂｃｄ）が設け
られる。また、細長穴１７の両端側と、幅広穴１８の中
央には貫通孔１９が設けられる。細長穴１７には電圧セ
ンサ２が、幅広穴１８（ａｂｃｄ）にはそれぞれ光感応
抵抗Ｒ(1、2、3、4)が収納される。そして、コ字状の止金
具２０（ａｂ）の脚により、光感応抵抗Ｒ1とＲ4及びＲ
3とＲ4の内側端子部１２ｘを押圧固定し、各両者を電気
的に接続する。また、止金具２０（ａｂ）の対向する側
に設けた保持腕２１を電気光学素子４（電圧センサ２）
の電極の設けられた側面に当接させ、電気的に接続す
る。また、各貫通孔９には、電気光学素子２への入出射
用と、各感応抵抗Ｒへの照射用の光ファイバが接続され
る（未図示）。なお、容器本体１４の各穴１７、１８を
仕切る壁の表面には、止金具２０（ａｂ）の嵌合する溝
が形成される（未図示）。端子導出部１６（ａｂ）は、
ブッシュを有する絶縁材の中央に金属棒２２を有して、
一端側を外表面に露出して外部端子とする。また、他端
側は金属板２３を介在させて端子板２４（ａｂ）を接続
し、その先端を各幅広穴１８の底面に突出する。そし
て、光各感応抵抗の外側端子部１２ｙを押圧固定して電
気的に接続する。なお、端子板２３は、容器本体１４の
両端側に設けられた窓に嵌挿される（未図示）。
圧測定装置の図で、同図（ａ）分解組立図、同図（ｂ）
は同装置の一部図、同図（ｃ）は光感応抵抗の図であ
る。なお、前従来例図と同一部分には同番号を付与し、
その説明は簡略する。直流電圧測定装置は、前述したよ
うに、概ね、ブリッジ回路１と、電圧センサ２とからな
る（前第１図参照）。この実施例では、ブリッジ回路１
の各感応抵抗Ｒ(1、2、3、4)は、それぞれ個別の基板１０
に水素化アモルファスシリコンからなる薄膜１１を形成
し、両端側に端子部１２（ｘｙ）を設けてなる。そし
て、個別の各感応抵抗Ｒを独立的に照射される光から互
いに遮蔽される構造の絶縁容器１３内に封入した構成と
する。以下、このような構造の一例を概略的に示す。絶
縁容器１３は、例えばセラミックスから形成され、容器
本体１４と、蓋体１５と、端子導出部１６（ａｂ）とか
らなる。そして、全体的に密閉構造として、例えばＳＦ
6とした絶縁性ガスを密封する。容器本体１４は両端側
を削除した略円状とし、一主面側の中央に細長穴１７
と、その両側に計４つの幅広穴１８（ａｂｃｄ）が設け
られる。また、細長穴１７の両端側と、幅広穴１８の中
央には貫通孔１９が設けられる。細長穴１７には電圧セ
ンサ２が、幅広穴１８（ａｂｃｄ）にはそれぞれ光感応
抵抗Ｒ(1、2、3、4)が収納される。そして、コ字状の止金
具２０（ａｂ）の脚により、光感応抵抗Ｒ1とＲ4及びＲ
3とＲ4の内側端子部１２ｘを押圧固定し、各両者を電気
的に接続する。また、止金具２０（ａｂ）の対向する側
に設けた保持腕２１を電気光学素子４（電圧センサ２）
の電極の設けられた側面に当接させ、電気的に接続す
る。また、各貫通孔９には、電気光学素子２への入出射
用と、各感応抵抗Ｒへの照射用の光ファイバが接続され
る（未図示）。なお、容器本体１４の各穴１７、１８を
仕切る壁の表面には、止金具２０（ａｂ）の嵌合する溝
が形成される（未図示）。端子導出部１６（ａｂ）は、
ブッシュを有する絶縁材の中央に金属棒２２を有して、
一端側を外表面に露出して外部端子とする。また、他端
側は金属板２３を介在させて端子板２４（ａｂ）を接続
し、その先端を各幅広穴１８の底面に突出する。そし
て、光各感応抵抗の外側端子部１２ｙを押圧固定して電
気的に接続する。なお、端子板２３は、容器本体１４の
両端側に設けられた窓に嵌挿される（未図示）。
【０００８】このようなものでは、端子導出部１６（ａ
ｂ）における金属棒２２の各一端側が、ブリッジ回路１
の一方の対角間（ａｂ）の端子に相当し、被測定電圧が
印加される。また、止金具２０（ａｂ）の２１保持腕が
他方の対角間（ｃｄ）に相当して、前述したブリッジ回
路１を形成する。そして、各光感応抵抗Ｒを隔絶して配
置したので、貫通孔１９から照射される光を互いに遮蔽
することができる。したがって、光感応抵抗Ｒは照射光
の漏れによる抵抗値の変動を防止して、基準値（設計
値）を維持し、結果的には、直交変換効率を良好にす
る。
ｂ）における金属棒２２の各一端側が、ブリッジ回路１
の一方の対角間（ａｂ）の端子に相当し、被測定電圧が
印加される。また、止金具２０（ａｂ）の２１保持腕が
他方の対角間（ｃｄ）に相当して、前述したブリッジ回
路１を形成する。そして、各光感応抵抗Ｒを隔絶して配
置したので、貫通孔１９から照射される光を互いに遮蔽
することができる。したがって、光感応抵抗Ｒは照射光
の漏れによる抵抗値の変動を防止して、基準値（設計
値）を維持し、結果的には、直交変換効率を良好にす
る。
【０００９】また、光感応抵抗ＲはＳＦ6ガス中に密封
されるので、照射光に対する抵抗値の変化率を大きくで
きる。第２図はこのことを示す実験結果図、曲線（イ）
はＳＦ6ガス中、同（ロ）は真空中、同（ハ）は空気中
における光感応抵抗の抵抗曲線である。なお、縦軸は抵
抗値（ＴΩ）、横軸は照射光に対応した光源（ＬＥＤ）
の駆動電流（ｍＡ）である。この図から明らかなよう
に、ＳＦ6ガス中においての光強度に対する光感応抵抗
の変化率が最も大きいことが理解される。したがって、
同一値の被測定直流電圧がブリッジ回路１の一方の対角
間（ａｂ）に印加されたとしても、ＳＦ6ガス中の場合
の方が他方の対角間（ｃｄ）に発生する交番電圧（ＰＶ
値）を大きくできる。このことにより、直交変換効率を
さらに高めることができる。
されるので、照射光に対する抵抗値の変化率を大きくで
きる。第２図はこのことを示す実験結果図、曲線（イ）
はＳＦ6ガス中、同（ロ）は真空中、同（ハ）は空気中
における光感応抵抗の抵抗曲線である。なお、縦軸は抵
抗値（ＴΩ）、横軸は照射光に対応した光源（ＬＥＤ）
の駆動電流（ｍＡ）である。この図から明らかなよう
に、ＳＦ6ガス中においての光強度に対する光感応抵抗
の変化率が最も大きいことが理解される。したがって、
同一値の被測定直流電圧がブリッジ回路１の一方の対角
間（ａｂ）に印加されたとしても、ＳＦ6ガス中の場合
の方が他方の対角間（ｃｄ）に発生する交番電圧（ＰＶ
値）を大きくできる。このことにより、直交変換効率を
さらに高めることができる。
【００１０】
【他の事項】上記実施例では、ブリッジ回路１の各辺と
もに光感応抵抗Ｒとして、いずれにも強度変調された光
を照射し、その平衡度を崩して直交変換するようにした
が、基本的には、ブリッジ回路１の少なくとも一辺を光
感応抵抗Ｒとしてその抵抗値を正弦波的に変化させ、他
を固定抵抗あるいは固定抵抗値としても、直流を交流に
変換できる。したがって、上述のように水素化アモルフ
ァスシリコンの薄膜をそれぞれ個別の基板１０上に必ず
形成する必要はなく、光を照射して抵抗値を変化させる
もののみを独立させ、他は一枚の基板上にまとめて作成
し、両者を光から遮蔽するようにしてもよいものであ
る。このことから、本発明では、ブリッジ回路１の少な
くとも２辺に光感応抵抗を用いる場合に、有効となる。
また、これらの場合を含めて、絶縁容器１３の構造は、
その趣旨を生かした範囲内で任意に設計でき、実施例の
一例に制約を受けるものではない。また、光感応抵抗Ｒ
としての水素化アモルファスシリコンをＳＦ6ガス中に
密封したが、例えばＨｅ、Ａｒ等の他の絶縁性ガス中に
密閉しても同様の効果を奏する。なお、絶縁性ガスであ
れば電離防止効果を有することによる。また、電気光学
素子４はＬiＮｂＯ3としたが、水晶等の他のポッケルス
効果を有するものであればよい。また、説明の便宜上、
測定の対象を直流電圧としたが、電界を補足する集電電
極を付加することにより直流電界に対しても同様に計測
できるもので、本発明はこれらをその技術範囲から排除
するものではない。
もに光感応抵抗Ｒとして、いずれにも強度変調された光
を照射し、その平衡度を崩して直交変換するようにした
が、基本的には、ブリッジ回路１の少なくとも一辺を光
感応抵抗Ｒとしてその抵抗値を正弦波的に変化させ、他
を固定抵抗あるいは固定抵抗値としても、直流を交流に
変換できる。したがって、上述のように水素化アモルフ
ァスシリコンの薄膜をそれぞれ個別の基板１０上に必ず
形成する必要はなく、光を照射して抵抗値を変化させる
もののみを独立させ、他は一枚の基板上にまとめて作成
し、両者を光から遮蔽するようにしてもよいものであ
る。このことから、本発明では、ブリッジ回路１の少な
くとも２辺に光感応抵抗を用いる場合に、有効となる。
また、これらの場合を含めて、絶縁容器１３の構造は、
その趣旨を生かした範囲内で任意に設計でき、実施例の
一例に制約を受けるものではない。また、光感応抵抗Ｒ
としての水素化アモルファスシリコンをＳＦ6ガス中に
密封したが、例えばＨｅ、Ａｒ等の他の絶縁性ガス中に
密閉しても同様の効果を奏する。なお、絶縁性ガスであ
れば電離防止効果を有することによる。また、電気光学
素子４はＬiＮｂＯ3としたが、水晶等の他のポッケルス
効果を有するものであればよい。また、説明の便宜上、
測定の対象を直流電圧としたが、電界を補足する集電電
極を付加することにより直流電界に対しても同様に計測
できるもので、本発明はこれらをその技術範囲から排除
するものではない。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、前述した光感応抵抗を絶縁性
容器内に収容し、ブリッジ回路における一辺の光感応抵
抗に照射される光から他辺の光感応抵抗を遮蔽して構成
し、また水素化アモルファスシリコンからなる光感応抵
抗を絶縁性ガス中に密封して構成したので、直交変換効
率を高めた直流電圧測定装置を提供できる。
容器内に収容し、ブリッジ回路における一辺の光感応抵
抗に照射される光から他辺の光感応抵抗を遮蔽して構成
し、また水素化アモルファスシリコンからなる光感応抵
抗を絶縁性ガス中に密封して構成したので、直交変換効
率を高めた直流電圧測定装置を提供できる。
【第１図】本発明の一実施例を説明する直流電圧測定装
置の図で、同図（ａ）分解組立図、同図（ｂ）は同装置
の一部図、同図（ｃ）は光感応抵抗の図である。
置の図で、同図（ａ）分解組立図、同図（ｂ）は同装置
の一部図、同図（ｃ）は光感応抵抗の図である。
【第２図】本発明の効果を説明する光感応抵抗の光強度
（ＬＥＤの駆動電流）に対する抵抗特性図である。
（ＬＥＤの駆動電流）に対する抵抗特性図である。
【第３図】従来例の直流電圧測定装置を説明する図で、
同図（ａ）は同装置の概略構成図、同図（ｂ）は光感応
抵抗を用いたブリッジ回路の図である。
同図（ａ）は同装置の概略構成図、同図（ｂ）は光感応
抵抗を用いたブリッジ回路の図である。
【第４図】同図（ａ）は従来例を説明する光源Ｄ(1、2)
の、同図（ｂ）はＤ(3、4)の波形図である。
の、同図（ｂ）はＤ(3、4)の波形図である。
【第５図】従来例を説明する電圧センサの図である。
【第６図】従来例を説明するブリッジ回路の他方の対角
間（ｃｄ）の電圧である。
間（ｃｄ）の電圧である。
１ ブリッジ回路、２ 電圧センサ、３、１０ 基板、
４ 電気光学素子、５ 光ファイバ、６ 電極、７ 波
長板、８ 偏光板、１１ 水素化アモルファスシリコン
薄膜、１２ 端子部、１３ 絶縁容器、１４ 容器本
体、１５ 蓋体、１６ 端子導出部、１７ 細長穴、１
８ 幅広穴、１９ 貫通孔、２０ 止金具、２１ 保持
腕、２２ 金属棒、２３ 金属板、２４ 端子板．
４ 電気光学素子、５ 光ファイバ、６ 電極、７ 波
長板、８ 偏光板、１１ 水素化アモルファスシリコン
薄膜、１２ 端子部、１３ 絶縁容器、１４ 容器本
体、１５ 蓋体、１６ 端子導出部、１７ 細長穴、１
８ 幅広穴、１９ 貫通孔、２０ 止金具、２１ 保持
腕、２２ 金属棒、２３ 金属板、２４ 端子板．
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【第１図】
【第２図】
【第３図】
【第４図】
【第５図】
【第６図】
【第７図】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【第１図】本発明の一実施例を説明する直流電圧測定装
置の分解組立図である。
置の分解組立図である。
【第２図】本発明の一実施例を説明する図で、同図
（ａ）は直流電圧測定装置の一部図、同図（ｂ）は光感
応抵抗の図である。
（ａ）は直流電圧測定装置の一部図、同図（ｂ）は光感
応抵抗の図である。
【第３図】本発明の効果を説明する光感応抵抗の光強度
（ＬＥＤの駆動電流）に対する抵抗特性図である。
（ＬＥＤの駆動電流）に対する抵抗特性図である。
【第４図】従来例の直流電圧測定装置を説明する図で、
同図（ａ）は同装置の概略構成図、同図（ｂ）は光感応
抵抗を用いたブリッジ回路の図である。
同図（ａ）は同装置の概略構成図、同図（ｂ）は光感応
抵抗を用いたブリッジ回路の図である。
【第５図】同図（ａ）は従来例を説明する光源Ｄ
（１、２）の、同図（ｂ）はＤ（３、４）の波形図であ
る。
（１、２）の、同図（ｂ）はＤ（３、４）の波形図であ
る。
【第６図】従来例を説明する電圧センサの図である。
【第７図】従来例を説明するブリッジ回路の他方の対角
間（ｃｄ）の電圧である。
間（ｃｄ）の電圧である。
【符号の説明】 １ ブリッジ回路、２ 電圧センサ、３、１０ 基板、
４ 電気光学素子、５光ファイバ、６ 電極、７ 波長
板、８ 偏光板、１１ 水素化アモルファスシリコン薄
膜、１２ 端子部、１３ 絶縁容器、１４ 容器本体、
１５ 蓋体、１６ 端子導出部、１７ 細長穴、１８
幅広穴、１９ 貫通孔、２０ 止金具、２１ 保持腕、
２２ 金属棒、２３ 金属板、２４ 端子板。
４ 電気光学素子、５光ファイバ、６ 電極、７ 波長
板、８ 偏光板、１１ 水素化アモルファスシリコン薄
膜、１２ 端子部、１３ 絶縁容器、１４ 容器本体、
１５ 蓋体、１６ 端子導出部、１７ 細長穴、１８
幅広穴、１９ 貫通孔、２０ 止金具、２１ 保持腕、
２２ 金属棒、２３ 金属板、２４ 端子板。
Claims (2)
- 【請求項１】ブリッジ回路における４辺の抵抗素子中少
なくとも２辺の抵抗素子を光感応抵抗として、一方の対
角間に測定すべき直流電圧を印加し、前記２辺の光感応
抵抗に光を照射して抵抗値を変化させて該ブリッジ回路
の他方の対角間に交番電圧を生じさせ、前記他方の対角
間に設けられた電気光学結晶のポッケルス効果を利用し
て、前記直流電圧を計測する光方式直流電圧測定装置に
おいて、前記光感応抵抗を絶縁性容器内に収容し、前記
一辺の光感応抵抗に照射される光から他辺の光感応抵抗
を遮蔽して構成したことを特徴とする光方式直流電圧測
定装置。 - 【請求項２】ブリッジ回路における４辺の抵抗素子中少
なくとも１辺の抵抗素子を水素化アモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる光感応抵抗として一方の対角
間に測定すべき直流電圧を印加し、前記光感応抵抗に光
を照射して抵抗値を変化させるとともに該ブリッジ回路
の他方の対角間に交番電圧を生じさせ、前記他方の対角
間に設けられた電気光学結晶のポッケルス効果を利用し
て、前記直流電圧を計測する光方式直流電圧測定装置に
おいて、前記水素化アモルファスシリコンからなる光感
応抵抗を絶縁性ガス中に密封して構成したことを特徴と
する光方式直流電圧測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131508A JPH06186258A (ja) | 1992-04-25 | 1992-04-25 | 光方式直流電圧測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4131508A JPH06186258A (ja) | 1992-04-25 | 1992-04-25 | 光方式直流電圧測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186258A true JPH06186258A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=15059675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4131508A Pending JPH06186258A (ja) | 1992-04-25 | 1992-04-25 | 光方式直流電圧測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06186258A (ja) |
-
1992
- 1992-04-25 JP JP4131508A patent/JPH06186258A/ja active Pending
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