JPH06180327A - Contact probe - Google Patents
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- JPH06180327A JPH06180327A JP35370292A JP35370292A JPH06180327A JP H06180327 A JPH06180327 A JP H06180327A JP 35370292 A JP35370292 A JP 35370292A JP 35370292 A JP35370292 A JP 35370292A JP H06180327 A JPH06180327 A JP H06180327A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の電気的特性
を測定する際に、半導体装置に電気的な接続を行うため
に用いられるコンタクトプローブに関し、特に大電流が
流れるコンタクトプローブの過熱を防止した構造に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact probe used for making electrical connection to a semiconductor device when measuring the electrical characteristics of the semiconductor device, and more particularly to preventing overheating of the contact probe through which a large current flows. Related to the structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程の１つに、製造さ
れたウェハや半導体チップに通電を行ってその電気的特
性を測定する工程がある。この測定に際しては、ウェハ
等に形成された電極パッドにコンタクトプローブを当接
させて電気的な接続を行い、このコンタクトプローブを
通して測定装置からウェハ等に通電を行うことで、ウェ
ハ等を実際に動作させ、その電気的特性を測定すること
が可能となる。このようなコンタクトプローブとして、
従来では図５に示すプローブカードが提案されている
（特開平２−１９２７４９号公報）。このプローブカー
ドは、ウェハチップＷの電極に接触されるように配置さ
れた複数本のプローブ３０を有しており、各プローブ３
０は図外の測定装置に電気接続される。また、プローブ
カード３１はカードホルダ３２に支持されており、測定
されるウェハチップＷ上に位置される。ウェハチップＷ
は、例えば電気特性の温度変化等を測定する場合にはヒ
ータ３３上に載置され、測定時には加熱される。そし
て、カードホルダ３２と共にプローブカード３１を下降
させて各プローブ３０をウェハチップＷの電極に接触さ
せ、加熱状態にあるウェハチップＷにプローブ３０を通
して通電し、その電気的な特性を測定する。2. Description of the Related Art One of the steps of manufacturing a semiconductor device is a step of energizing a manufactured wafer or semiconductor chip to measure its electrical characteristics. During this measurement, the contact probe is brought into contact with the electrode pad formed on the wafer etc. to make electrical connection, and the measuring device is energized through the contact probe to actually operate the wafer etc. Then, it becomes possible to measure its electrical characteristics. As such a contact probe,
Conventionally, a probe card shown in FIG. 5 has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 192749/1990). This probe card has a plurality of probes 30 arranged so as to be in contact with the electrodes of the wafer chip W.
0 is electrically connected to a measuring device (not shown). The probe card 31 is supported by the card holder 32, and is located on the wafer chip W to be measured. Wafer chip W
Is placed on the heater 33 when measuring, for example, a temperature change in electrical characteristics, and is heated at the time of measurement. Then, the probe card 31 is lowered together with the card holder 32 to bring the probes 30 into contact with the electrodes of the wafer chip W, and the wafer chip W in the heated state is energized through the probe 30 to measure its electrical characteristics.
【０００３】ところで、この種のプローブでは、ウェハ
チップＷを加熱した状態で測定を行うように高温の環境
下での測定を行う場合には、ヒータ３３からの輻射熱に
よってプローブ３０自体が加熱されてしまう。このた
め、エポキシ樹脂等で形成されているプローブカード３
１は１００℃を越えると軟化して変形し、或いはプロー
ブ３０を固定支持させているロウ材が溶融される等して
プローブ３０の支持位置が変動され、ウェハチップＷの
電極との接触が損なわれて測定不能が生じるおそれがあ
る。そこで、図５に示した従来のプローブカードでは、
その下面や周囲に冷却用のパイプ３４を延設し、このパ
イプ３４内に冷却媒体を通流することでプローブカード
３１の温度上昇を防止し、前記した不具合を未然に防ぐ
対策がとられている。By the way, in this type of probe, when the measurement is performed in a high temperature environment such that the wafer chip W is heated, the probe 30 itself is heated by the radiant heat from the heater 33. I will end up. Therefore, the probe card 3 made of epoxy resin or the like
1 is softened and deformed when the temperature exceeds 100 ° C., or the brazing material that fixes and supports the probe 30 is melted, so that the supporting position of the probe 30 is changed and the contact with the electrode of the wafer chip W is impaired. May result in measurement failure. Therefore, in the conventional probe card shown in FIG.
A cooling pipe 34 is provided on the lower surface and its periphery, and a cooling medium is passed through the pipe 34 to prevent the temperature rise of the probe card 31 and prevent the above-mentioned problems from occurring. There is.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような従来のプロ
ーブカードは、冷却用パイプ３４によってプローブカー
ド３１を冷却しているが、冷却用パイプ３４をプローブ
３０に接触させることは現実には難しいため、プローブ
の冷却効果に十分なものが得られない。特に、プローブ
３０は極めて細い金属線材で形成されているため、その
表面積が小さく、プローブ表面からの放熱も殆ど期待す
ることができない。このため、例えばバイポーラ型ＩＣ
のように電源電流が大きいＩＣを測定する場合には、プ
ローブ３０自身の持つ抵抗により発生するジュール熱が
大きなものとなり、プローブ３０が過熱状態となり、こ
のプローブ３０を通して熱がプローブカード３１にまで
伝達され、結果としてプローブカード３１の冷却効率が
低下され、所期の冷却目的が達せられなくなるという問
題が生じる。本発明の目的は、プローブを有効に冷却し
てその過熱を防止し、過熱による測定不能等の不具合を
未然に防止したコンタクトプローブを提供することにあ
る。In such a conventional probe card, the probe card 31 is cooled by the cooling pipe 34, but it is actually difficult to bring the cooling pipe 34 into contact with the probe 30. However, the cooling effect of the probe is not sufficient. In particular, since the probe 30 is formed of an extremely thin metal wire, its surface area is small and heat radiation from the probe surface can hardly be expected. Therefore, for example, a bipolar IC
When measuring an IC with a large power supply current, the Joule heat generated by the resistance of the probe 30 itself becomes large, the probe 30 becomes overheated, and the heat is transferred to the probe card 31 through the probe 30. As a result, the cooling efficiency of the probe card 31 is lowered, and the desired cooling purpose cannot be achieved. An object of the present invention is to provide a contact probe that effectively cools the probe to prevent it from overheating, thereby preventing problems such as measurement failure due to overheating.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のコンタクトプロ
ーブは支持体とプローブとで構成しており、支持体は厚
板状に形成されたヒートシンクと、このヒートシンクを
挟むように両側に配置された絶縁板とで構成し、プロー
ブは太径のチューブと、このチューブの両端から突出さ
れる細径のプランジャとを有している。そして、チュー
ブはヒートシンクに開設された挿通孔内に挿通され、か
つその両端部において絶縁板間に挟持され、またプラン
ジャは絶縁板に開設された貫通孔を通して先端部が突出
される構成とする。ここで、支持体は複数のヒートシン
クを絶縁板を介して積層し、かつその両側に絶縁板を配
置した構成としてもよい。また、ヒートシンクの挿通孔
の内径をプローブのチューブの外径よりも大きくしてチ
ューブとヒートシンクとが短絡しないように構成し、一
方その一部は両者の径を等しくしてチューブとヒートシ
ンクとを電気的に短絡させる。また、プローブは、筒状
に形成したチューブと、このチューブに対して出し入れ
可能に支持したプランジャと、チューブ内に内装して前
記プランジャを突出方向に付勢するスプリングとで構成
される。The contact probe of the present invention comprises a support and a probe. The support is a heat sink formed in the shape of a thick plate, and the heat sink is arranged on both sides so as to sandwich the heat sink. The probe has a large diameter tube and a small diameter plunger protruding from both ends of the tube. The tube is inserted into the insertion hole formed in the heat sink and is sandwiched between the insulating plates at both ends thereof, and the tip of the plunger is projected through the through hole formed in the insulating plate. Here, the support may have a structure in which a plurality of heat sinks are laminated via insulating plates, and the insulating plates are arranged on both sides thereof. In addition, the inner diameter of the insertion hole of the heat sink is made larger than the outer diameter of the tube of the probe so that the tube and the heat sink are not short-circuited. Electrically short circuit. Further, the probe is composed of a tube formed in a tubular shape, a plunger supported so as to be able to be taken in and out of the tube, and a spring which is installed inside the tube and biases the plunger in a protruding direction.
【０００６】[0006]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例のコンタクトプローブを
プローブカードに装着し、ウェハ等の電気特定を測定す
る状態を示す断面図であり、図２はコンタクトプローブ
の一部を破断した部分分解斜視図である。コンタクトプ
ローブ１は複数本のプローブ２を所要の平面配列となる
ように支持体６により支持している。各プローブ２は、
太径の円筒状をした導電性のチューブ３の両端部に、こ
れよりも細径の導電性のプランジャ４Ａ，４Ｂをそれぞ
れ挿入させ、チューブ３内に内装したスプリング５によ
り各プランジャ４Ａ，４Ｂを外方向に弾性保持してい
る。なお、チューブ３とプランジャ４Ａ，４Ｂとの間に
は例えば抜止め用の構造が採用されており、この実施例
ではチューブ３の両端開口部を内側向けて細径とし、一
方プランジャ４Ａ，４Ｂの基部は大径とし、これらの係
合により抜止めを図っている。但し、このような構成を
採用する場合には、例えばチューブ３を半径方向に分割
した構成とする。また、前記チューブ３とプランジャ４
ａ，４ｂとは相互に電気導通されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state in which the contact probe of the first embodiment of the present invention is mounted on a probe card and the electrical identification of a wafer or the like is measured, and FIG. It is a figure. The contact probe 1 supports a plurality of probes 2 by a support 6 so as to have a required planar arrangement. Each probe 2
Inserting conductive plungers 4A, 4B having a diameter smaller than that into both ends of the conductive tube 3 having a large-diameter cylindrical shape, and using the spring 5 provided inside the tube 3 to move the plungers 4A, 4B. It is elastically held outward. It should be noted that, for example, a structure for retaining is adopted between the tube 3 and the plungers 4A and 4B. In this embodiment, the openings at both ends of the tube 3 are made smaller toward the inside, while the plungers 4A and 4B are made smaller. The base has a large diameter, and the engagement of these is used to prevent it from coming off. However, when adopting such a configuration, for example, the tube 3 is configured to be divided in the radial direction. In addition, the tube 3 and the plunger 4
It is electrically connected to a and 4b.
【０００７】一方、支持体６は、熱伝導性の高い金属材
料で構成された厚板状のヒートシンク７と、このヒート
シンク７の上下面にそれぞれ配設されて図外のボルト手
段等によりヒートシンク７に固定された絶縁板８Ａ，８
Ｂとで構成される。前記ヒートシンク７は前記プローブ
２のチューブ３の長さに等しい厚さを有しており、かつ
このチューブ３が挿通される挿通孔７ａを有している。
この挿通穴７ａの内径はチューブ３の外径よりも多少大
き目に形成されるが、一部の挿通孔７ｂはチューブ３の
外径と同じ内径に形成される。また、前記絶縁板８Ａ，
８Ｂは前記プローブ２のプランジャ４Ａ，４Ｂの長さよ
りも薄くされ、かつ前記プランジャ４Ａ，４Ｂが貫通さ
れる貫通孔８ａを有している。この貫通孔８ａの内径は
プランジャ４Ａ，４Ｂの外径よりも若干大き目に形成さ
れる。On the other hand, the support 6 is a thick plate-shaped heat sink 7 made of a metal material having high thermal conductivity, and the heat sink 7 is arranged on the upper and lower surfaces of the heat sink 7 by bolt means (not shown) or the like. Insulating plates 8A, 8 fixed to
It is composed of B and. The heat sink 7 has a thickness equal to the length of the tube 3 of the probe 2, and also has an insertion hole 7a through which the tube 3 is inserted.
The inner diameter of the insertion hole 7a is formed to be slightly larger than the outer diameter of the tube 3, but some of the insertion holes 7b are formed to have the same inner diameter as the outer diameter of the tube 3. In addition, the insulating plate 8A,
8B is made thinner than the length of the plungers 4A, 4B of the probe 2, and has a through hole 8a through which the plungers 4A, 4B penetrate. The inner diameter of the through hole 8a is formed to be slightly larger than the outer diameter of the plungers 4A and 4B.
【０００８】そして、前記ヒートシンク７の挿通孔７ａ
にプローブ２のチューブ３を挿通させた上で、その上下
両面から突出されるプランジャ４Ａ，４Ｂに絶縁板８
Ａ，８Ｂの各貫通孔８ａを挿通させ、しかる上で各絶縁
板８Ａ，８Ｂをヒートシンク７に固定させる。これによ
り、プローブ２は絶縁板８Ａ，８Ｂの貫通孔８ａの内縁
部がチューブ３の両端部にそれぞれ衝接され、これら絶
縁板８Ａ，８Ｂによってチューブ３が挟持される。この
とき、貫通孔８ａと挿通孔７ａを同心配置することで、
チューブ３の外周面と挿通孔７ａの内面との間には間隙
が画成され、チューブ３とヒートシンク７との間の絶縁
性が保持される。なお、ヒートシンク７は通常では電気
的に接地されるが、プローブ２のうち接地端子として用
いられるものはヒートシンク７の挿通孔７ｂの内径をチ
ューブ３の外径と等しくし、チューブ３とヒートシンク
７とを電気的に接触させている。The insertion hole 7a of the heat sink 7
After inserting the tube 3 of the probe 2 into the upper part, the insulating plate 8 is attached to the plungers 4A and 4B protruding from both upper and lower surfaces thereof.
The through holes 8a of A and 8B are inserted, and then the insulating plates 8A and 8B are fixed to the heat sink 7. As a result, in the probe 2, the inner edge portions of the through holes 8a of the insulating plates 8A and 8B are abutted against both ends of the tube 3, respectively, and the tube 3 is sandwiched by these insulating plates 8A and 8B. At this time, by arranging the through hole 8a and the insertion hole 7a concentrically,
A gap is defined between the outer peripheral surface of the tube 3 and the inner surface of the insertion hole 7a, and the insulation between the tube 3 and the heat sink 7 is maintained. Although the heat sink 7 is normally electrically grounded, the probe 2 used as a ground terminal has the insertion hole 7b of the heat sink 7 whose inner diameter is equal to the outer diameter of the tube 3 so that the tube 3 and the heat sink 7 are connected to each other. Are in electrical contact.
【０００９】このような構成のコンタクトプローブは、
図１のように、例えばプローブカード１０にネジ１１に
より固定され、かつこのプローブカード１０はカードホ
ルダ１２に支持される。前記プローブカード１０には各
プローブ２に対応した配線パターン（図示せず）が形成
されており、前記プローブ２の上側のプランジャ４Ａは
スプリング力によってこの配線パターンに接触し、プロ
ーブカード１０との電気的接続が行われる。したがっ
て、各プローブ２はプローブカード１０及びカードホル
ダ１２を介して図外の測定装置に電気接続されることに
なる。一方、前記プローブカード１０に固定されたコン
タクトプローブ１の下側には測定されるウェハＷが配置
されており、カードホルダ１２を下降することで各プロ
ーブ２の下側のプランジャ４Ｂはスプリング力によって
ウェハＷの電極に接触される。これにより、ウェハを測
定装置に電気接続し、所要の電気特性の測定が可能とさ
れる。The contact probe having such a structure is
As shown in FIG. 1, for example, the probe card 10 is fixed by screws 11 and the probe card 10 is supported by a card holder 12. A wiring pattern (not shown) corresponding to each probe 2 is formed on the probe card 10, and the plunger 4A on the upper side of the probe 2 is brought into contact with this wiring pattern by a spring force, so that the probe card 10 is electrically connected to the probe card 10. Connection is made. Therefore, each probe 2 is electrically connected to the measuring device (not shown) via the probe card 10 and the card holder 12. On the other hand, a wafer W to be measured is arranged below the contact probe 1 fixed to the probe card 10. By lowering the card holder 12, the plunger 4B below each probe 2 is moved by a spring force. The electrodes of the wafer W are contacted. As a result, the wafer is electrically connected to the measuring device and the required electrical characteristics can be measured.
【００１０】したがって、このコンタクトプローブで
は、例えばウェハＷをヒータ等により加熱しながら測定
を行う場合に、ヒータからの輻射熱がコンタクトプロー
ブ１に伝えられ、或いはウェハＷから下側のプランジャ
４Ｂを通して熱が伝えられると、この熱は各プローブ２
のチューブ３からヒートシンク７に伝達され、このヒー
トシンク７の表面から放熱される。このとき、チューブ
３と挿通孔７ａとの間に隙間が存在するプローブでは輻
射により熱が伝達され、チューブ３が挿通孔７ｂに接触
しているプローブでは直接熱が伝達される。これによ
り、各プローブが細く、その表面積が小さい場合でも、
各プローブの熱は表面積の大きなヒートシンクを通して
放熱されるので、各プローブの温度上昇を抑制し、有効
な冷却が可能となり、ウェハと測定装置との間の電気的
接続を安定なものにできる。また、この構成では、プロ
ーブ２とプローブカード１０との接続は上側のプランジ
ャ４Ａによる接触であり、両者間にロウ材等の接続材料
を用いていないので、プローブ２の温度が多少上昇した
場合でも、プローブ２とプローブカード１０との間の電
気接続が損なわれることはない。Therefore, in this contact probe, when measurement is performed while heating the wafer W with a heater or the like, for example, radiant heat from the heater is transmitted to the contact probe 1, or heat is transferred from the wafer W through the lower plunger 4B. When transmitted, this heat is transmitted to each probe 2
Is transmitted from the tube 3 to the heat sink 7 and is radiated from the surface of the heat sink 7. At this time, heat is transferred by radiation to the probe having a gap between the tube 3 and the insertion hole 7a, and heat is directly transferred to the probe in which the tube 3 is in contact with the insertion hole 7b. As a result, even if each probe is thin and its surface area is small,
Since the heat of each probe is radiated through a heat sink having a large surface area, the temperature rise of each probe can be suppressed, effective cooling can be performed, and the electrical connection between the wafer and the measuring apparatus can be made stable. Further, in this configuration, the probe 2 and the probe card 10 are connected by the upper plunger 4A, and a connecting material such as a brazing material is not used between them, so that even if the temperature of the probe 2 rises to some extent. Therefore, the electrical connection between the probe 2 and the probe card 10 is not damaged.
【００１１】図３は本考案の第２実施例を示しており、
特にコンタクトプローブのみを示す断面図である。な
お、図１及び図２に示した第１実施例と等価な部分には
同一符号を付してある。この実施例ではヒートシンクを
薄い２枚の板材７Ａ，７Ｂで形成し、両シートシンク７
Ａ，７Ｂの間に絶縁板８Ｃを介挿して両ヒートシンク７
Ａ，７Ｂを相互に絶縁している。そして、これらヒート
シンク７Ａ，７Ｂと絶縁板とに挿通孔７ａ，７ｂ，８ｂ
を開設し、この挿通孔を通してプローブ２のチューブ３
を挿通させる点は第１実施例と同じである。また、各ヒ
ートシンク７Ａ，７Ｂの上下面に絶縁板８Ａ，８Ｂを配
設し、これらにプランジャ４Ａ，４Ｂを貫通させる貫通
孔８ａを開設し、かつこれら絶縁板８Ａ，８Ｂでプロー
ブ２のチューブ３を挟持させてプローブの支持を行って
いる点も第１実施例と同じである。FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.
In particular, it is a cross-sectional view showing only the contact probe. The parts equivalent to those of the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals. In this embodiment, the heat sink is formed of two thin plate members 7A and 7B, and both sheet sinks 7
Insulating plate 8C is inserted between A and 7B, and both heat sinks 7
A and 7B are insulated from each other. Then, the insertion holes 7a, 7b, 8b are formed in the heat sinks 7A, 7B and the insulating plate.
The tube 3 of the probe 2 is opened through this insertion hole.
Is the same as in the first embodiment. Insulating plates 8A and 8B are provided on the upper and lower surfaces of the heat sinks 7A and 7B, and through holes 8a are formed in the heat sinks 7A and 7B to allow the plungers 4A and 4B to pass therethrough. The point that the probe is supported by sandwiching is also the same as in the first embodiment.
【００１２】但し、この実施例では２枚のヒートシンク
７Ａ，７Ｂが絶縁板８Ｃによって互いに絶縁されている
ため、例えば一方のヒートシンク７Ａを接地電位とし、
他方のヒートシンク７Ｂを電源電位とし、これらの電位
に接続されるプローブの各チューブをそれぞれ対応する
ヒートシンクの挿通孔７ｂにのみ密接状態に挿通させる
ように構成することができる。したがって、このコンタ
クトプローブによっても、プローブ２に伝達されてきた
熱は挿通孔７ａ，７ｂにおける輻射或いは直接接触によ
りヒートシンク７Ａ．７Ｂに伝達され、ヒートシンクの
大きな面積の表面から放熱され、プローブを有効に冷却
することが可能となる。特に、相互に絶縁された複数の
ヒートシンク７Ａ，７Ｂを設けることで、ヒートシンク
の挿通孔に密接させて熱を直接伝達させることが可能な
プローブの本数を増やし、プローブからヒートシンクへ
の熱の伝達効率を高め、放熱効果を更に高めることが可
能となる。なお、ヒートシンクは必要に応じて３枚以上
積層することも可能である。However, in this embodiment, since the two heat sinks 7A and 7B are insulated from each other by the insulating plate 8C, for example, one heat sink 7A is set to the ground potential,
The other heat sink 7B may be used as a power source potential, and the tubes of the probe connected to these potentials may be inserted into the insertion holes 7b of the corresponding heat sinks in a close contact state. Therefore, also with this contact probe, the heat transmitted to the probe 2 is radiated or directly contacted with the heat sink 7A. 7B, the heat is dissipated from the surface of the large area of the heat sink, and the probe can be effectively cooled. In particular, by providing a plurality of heat sinks 7A and 7B that are insulated from each other, the number of probes capable of directly transmitting heat by closely contacting the insertion holes of the heat sink is increased, and the efficiency of heat transfer from the probe to the heat sink is increased. It is possible to improve the heat dissipation effect and further improve the heat dissipation effect. It should be noted that three or more heat sinks can be laminated if necessary.
【００１３】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記したようなプローブカードに適用するのみではなく、
図４に示すように、ＩＣの電気的特性を測定する際に使
用するＩＣソケットにも適用することができる。この例
ではコンタクトプローブ１はテストボード２０上にネジ
２１により固定されており、各プローブ２の下側のプラ
ンジャ４Ｂはテストボード２０に設けた回路パターンに
導通される。また、コンタクトプローブ１の上側の絶縁
板８Ａには、測定されるＩＣ２４を保持するガイドブロ
ック２２を一体に形成している。また、上側の絶縁膜８
Ａの両側部には上下方向に回動可能に一対の固定爪２３
をヒンジ結合しており、前記被測定ＩＣ２４の上側に覆
い被せることができるように構成する。そして、ＩＣ２
４の外部接続端子２５を下側に向けた状態で被測定ＩＣ
２４を前記ガイドブロック２２間に配設し、その上側か
ら押え蓋２６を載せ、固定爪２３を上方向に回動させて
その先端部の突部を押え蓋２６の凹部に係合させること
で、押え蓋２６を介して被測定ＩＣ２４を下方に押圧
し、外部接続端子２５をコンタクトプローブ１の上側の
プランジャ４Ａに圧接させ、電気接続が行われる。The contact probe of the present invention is not only applied to the probe card as described above,
As shown in FIG. 4, it can also be applied to an IC socket used when measuring the electrical characteristics of an IC. In this example, the contact probe 1 is fixed on the test board 20 with a screw 21, and the lower plunger 4B of each probe 2 is electrically connected to the circuit pattern provided on the test board 20. A guide block 22 holding an IC 24 to be measured is integrally formed on the upper insulating plate 8A of the contact probe 1. In addition, the upper insulating film 8
A pair of fixing claws 23 are rotatably provided on both sides of A in the vertical direction.
Is hinge-coupled so that it can be covered over the IC to be measured 24. And IC2
IC to be measured with the external connection terminal 25 of 4 facing downward
24 is disposed between the guide blocks 22, the pressing lid 26 is placed from the upper side, and the fixing claw 23 is rotated upward so that the projection of the tip end thereof is engaged with the concave portion of the pressing lid 26. The IC 24 to be measured is pressed downward via the pressing lid 26 to bring the external connection terminal 25 into pressure contact with the upper plunger 4A of the contact probe 1 for electrical connection.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヒートシ
ンクを有する支持体にプローブを挿通させて支持してい
るので、プローブの熱をヒートシンクに輻射或いは直接
伝達させ、ヒートシンクの大きな面積の表面から放熱さ
せることができるので、プローブの冷却効果を高めてプ
ローブの過熱を防止し、被測定ウェハやＩＣ等に対する
接触不良を未然に防止し、信頼性の高い電気的特性の測
定を可能にする効果がある。また、複数のヒートシンク
を絶縁板を介して積層することで、ヒートシンクに短絡
させて熱を直接ヒートシンクに伝達させるプローブの本
数を増やし、放熱効果を更に高めることができる。As described above, according to the present invention, since the probe is inserted into and supported by the support having the heat sink, the heat of the probe is radiated or directly transmitted to the heat sink, and the surface of the heat sink having a large area is transferred. Since it can dissipate heat, it enhances the cooling effect of the probe, prevents overheating of the probe, prevents contact failure on the wafer under measurement, IC, etc., and enables highly reliable measurement of electrical characteristics. There is. Further, by stacking a plurality of heat sinks via the insulating plate, it is possible to increase the number of probes that short-circuit the heat sinks and directly transfer heat to the heat sinks, and further enhance the heat radiation effect.
【図１】本発明のコンタクトプローブをプローブカード
に適用した第１実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment in which a contact probe of the present invention is applied to a probe card.
【図２】本発明のコンタクトプローブの一部を破断した
要部の部分分解斜視図である。FIG. 2 is a partially exploded perspective view of a main part of the contact probe of the present invention with a part broken away.
【図３】本発明の第２実施例の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明のコンタクトプローブをＩＣ電気特性測
定用のＩＣソケットに適用した例の断面図である。FIG. 4 is a sectional view of an example in which the contact probe of the present invention is applied to an IC socket for measuring IC electrical characteristics.
【図５】従来のプローブカードの一例を示す断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view showing an example of a conventional probe card.
１ コンタクトプローブ ２ プローブ ３ チューブ ４Ａ，４Ｂ プランジャ ６ 支持体 ７，７Ａ，７Ｂ ヒートシンク ８Ａ，８Ｂ，８Ｃ 絶縁板 １０ プローブカード 1 Contact Probe 2 Probe 3 Tube 4A, 4B Plunger 6 Support 7, 7A, 7B Heat Sink 8A, 8B, 8C Insulation Plate 10 Probe Card
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年１２月３日[Submission date] December 3, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００９】このような構成のコンタクトプローブは、
図１のように、例えばプローブカード１０にネジ１１に
より固定され、かつこのプローブカード１０はカードホ
ルダ１２に支持される。前記プローブカード１０には各
プローブ２に対応した配線パターン（図示せず）が形成
されており、前記プローブ２の上側のプランジャ４Ａは
スプリング力によってこの配線パターンに接触し、プロ
ーブカード１０との電気的接続が行われる。したがっ
て、各プローブ２はプローブカード１０及びカードホル
ダ１２を介して図外の測定装置に電気接続されることに
なる。一方、前記プローブカード１０に固定されたコン
タクトプローブ１の下側には測定されるウェハＷが配置
されており、ウェハＷを上昇することで各プローブ２の
下側のプランジャ４Ｂはスプリング力によってウェハＷ
の電極に接触される。これにより、ウェハを測定装置に
電気接続し、所要の電気特性の測定が可能とされる。The contact probe having such a structure is
As shown in FIG. 1, for example, the probe card 10 is fixed by screws 11 and the probe card 10 is supported by a card holder 12. A wiring pattern (not shown) corresponding to each probe 2 is formed on the probe card 10, and the plunger 4A on the upper side of the probe 2 is brought into contact with this wiring pattern by a spring force, so that the probe card 10 is electrically connected to the probe card 10. Connection is made. Therefore, each probe 2 is electrically connected to the measuring device (not shown) via the probe card 10 and the card holder 12. On the other hand, the wafer W to be measured is arranged below the contact probe 1 fixed to the probe card 10. When the wafer W is lifted , the plungers 4B below the probes 2 are moved by the spring force. W
Is contacted with the electrode. As a result, the wafer is electrically connected to the measuring device and the required electrical characteristics can be measured.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図１[Name of item to be corrected] Figure 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図１】 [Figure 1]
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図２[Name of item to be corrected] Figure 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図２】 [Fig. 2]
Claims (4)
のヒートシンクを挟むように両側に配置された絶縁板と
で構成される支持体と、この支持体に挿通状態に支持さ
れたプローブとで構成され、前記プローブは太径のチュ
ーブと、このチューブの両端から突出される細径のプラ
ンジャとを有し、前記チューブは前記ヒートシンクに開
設された挿通孔内に挿通され、かつその両端部において
前記絶縁板間に挟持され、前記プランジャは前記絶縁板
に開設された貫通孔を通して先端部が突出されることを
特徴とするコンタクトプローブ。1. A support body composed of a heat sink formed in a thick plate shape and insulating plates arranged on both sides of the heat sink so as to sandwich the heat sink, and a probe supported in an inserted state on the support body. The probe has a large-diameter tube and a small-diameter plunger protruding from both ends of the tube, and the tube is inserted into an insertion hole formed in the heat sink, and at both ends thereof. The contact probe is sandwiched between the insulating plates, and a tip portion of the plunger is projected through a through hole formed in the insulating plate.
介して積層し、かつその両側に前記絶縁板を配置してな
る請求項１のコンタクトプローブ。2. The contact probe according to claim 1, wherein the support body is formed by laminating a plurality of heat sinks via insulating plates and disposing the insulating plates on both sides thereof.
のチューブの外径よりも大きくしてチューブとヒートシ
ンクとが短絡しないように構成し、一方その一部は両者
の径を等しくしてチューブとヒートシンクとを電気的に
短絡させてなる請求項１又は２のコンタクトプローブ。3. The heat sink insertion hole has an inner diameter larger than the outer diameter of the tube of the probe so that the tube and the heat sink are not short-circuited. The contact probe according to claim 1 or 2, which is electrically short-circuited with.
と、このチューブに対して出し入れ可能に支持したプラ
ンジャと、チューブ内に内装して前記プランジャを突出
方向に付勢するスプリングとで構成される請求項１乃至
３のいずれかに記載のコンタクトプローブ。4. The probe is composed of a tube formed in a tubular shape, a plunger supported so as to be able to be taken in and out of the tube, and a spring which is installed inside the tube and biases the plunger in a protruding direction. The contact probe according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353702A JPH0782026B2 (en) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | Contact probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353702A JPH0782026B2 (en) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | Contact probe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180327A true JPH06180327A (en) | 1994-06-28 |
| JPH0782026B2 JPH0782026B2 (en) | 1995-09-06 |
Family
ID=18432645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4353702A Expired - Lifetime JPH0782026B2 (en) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | Contact probe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782026B2 (en) |
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- 1992-12-15 JP JP4353702A patent/JPH0782026B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0782026B2 (en) | 1995-09-06 |
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