JPH0617897B2 - Gas concentration measuring device - Google Patents

Gas concentration measuring device

Info

Publication number
JPH0617897B2
JPH0617897B2 JP60109420A JP10942085A JPH0617897B2 JP H0617897 B2 JPH0617897 B2 JP H0617897B2 JP 60109420 A JP60109420 A JP 60109420A JP 10942085 A JP10942085 A JP 10942085A JP H0617897 B2 JPH0617897 B2 JP H0617897B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultrasonic
thin film
ultrasonic sensor
gas concentration
measuring device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60109420A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61269061A (en
Inventor
康夫 野口
守人 出本
文昭 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP60109420A priority Critical patent/JPH0617897B2/en
Priority to US06/752,535 priority patent/US4662212A/en
Priority to CN 85105865 priority patent/CN1011441B/en
Priority to DE8585111375T priority patent/DE3587415D1/en
Priority to EP85111375A priority patent/EP0174627B1/en
Publication of JPS61269061A publication Critical patent/JPS61269061A/en
Publication of JPH0617897B2 publication Critical patent/JPH0617897B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガスの濃度を超音波により測定する装置にお
いて、使用される超音波センサー部に優れた耐湿性を付
与することにより、長期間連続して精度よく計測し得る
ガス濃度測定装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention provides a device for measuring the concentration of a gas by ultrasonic waves, by imparting excellent humidity resistance to an ultrasonic sensor unit to be used for a long period of time. The present invention relates to a gas concentration measuring device capable of continuously and accurately measuring.

〔従来技術〕[Prior art]

超音波伝播速度の被測定ガス濃度依存性を利用して、混
合ガス或いは単組成ガスの濃度を測定する装置につい
て、まずその測定原理について説明する。
First, the measuring principle of an apparatus for measuring the concentration of a mixed gas or a single composition gas by utilizing the dependence of the ultrasonic wave propagation velocity on the measured gas concentration will be described.

混合ガスの超音波伝播速度は混合ガスの各諸定数、濃
度、温度等により決定され、次式(1)にて表わされる。
The ultrasonic wave propagation velocity of the mixed gas is determined by various constants, concentration, temperature, etc. of the mixed gas, and is represented by the following equation (1).

V:混合ガスの超音波伝播速度 Cpi:混合ガス中の測定対象ガスiの定圧比熱 Cvi:混合ガス中の測定対象ガスiの定容比熱 Mi:混合ガス中の測定対象ガスiの分子量 Xi:混合ガス中の測定対象ガスiのモル分率 R:気体定数 T:混合ガス絶体温度 今、混合ガスの成分を空気、COの2成分系を例とし
て式(1)を書き換えると、 V=(Cpco2Xco2+CpairXair)/(Cvco2Xco2+CvairXair)・R・T……(2) となり、各定数を入れ、混合ガス絶体温度293゜Kにおけ
るCO2各濃度の超音波伝播速度を計算した結果を第1表
及び第1図に示す。
V: Ultrasonic propagation velocity of mixed gas Cpi: Specific pressure specific heat of measurement target gas i in mixed gas Cvi: Constant volume specific heat of measurement target gas i in mixed gas Mi: Molecular weight of measurement target gas i in mixed gas Xi: Molar fraction of the gas i to be measured in the mixed gas R: Gas constant T: Absolute temperature of the mixed gas Now, when the formula (1) is rewritten by taking the binary system of the mixed gas as air and CO 2 as an example, V: 2 = (Cpco 2 Xco 2 + CpairXair) / (Cvco 2 Xco 2 + CvairXair) ・ R ・ T …… (2), each constant is entered, and ultrasonic wave propagation of each CO 2 concentration at mixed gas absolute temperature 293 ° K The results of calculating the speed are shown in Table 1 and FIG.

またΣXi=1であるので、式(2)は次式(3)で表わされ
る。
Since ΣXi = 1, the equation (2) is expressed by the following equation (3).

式(3)よりXco2濃度は次式(4)で表わされる Xco2=F(V,T) 即ち、測定対象ガス濃度は、超音波伝播速度V及びガス
温度Tの関数となる。
From the equation (3), the Xco 2 concentration is represented by the following equation (4): Xco 2 = F (V, T) That is, the measurement target gas concentration is a function of the ultrasonic propagation velocity V and the gas temperature T.

以上の理論に基づき設計した測定系統図の1例を第2図
に従い説明する。
An example of a measurement system diagram designed based on the above theory will be described with reference to FIG.

超音波センサー(1)は、送波用超音波素子(2)及び該送波
用超音波素子(2)と相対する位置に設置された受波用超
音波素子(3)とからなる。超音波センサー(1)を測定対象
ガス雰囲気(4)中に適切なる方法で設置する。送波用超
音波素子(2)より送信された超音波は測定対象ガスが存
在する超音波パス部(5)を通過し、受波用超音波素子(3)
にて受信される。この際超音波パス(5)を通過する音速
は測定対象ガス濃度に反比例する。送波用超音波素子
(2)は電歪型振動子等からなるものであり、駆動増幅器
(6)及び負イミタンス変換器(7)は、帰環発振用増幅器(1
0)にて制御される信号発生器(8)より発生された高周波
信号を増幅し、且つ応答特性を向上させるものである。
受波用超音波素子(3)は電歪型振動子等からなるもので
あり、前置増幅器(9)は受波用超音波素子(3)からの高周
波信号を増幅し、帰環発振増幅器(10)に入力するもので
ある。抵抗(11)及び負イミタンス変換器(12)は受波用超
音波素子(3)の応答特性を向上させるものである。
The ultrasonic sensor (1) includes a transmitting ultrasonic element (2) and a receiving ultrasonic element (3) installed at a position facing the transmitting ultrasonic element (2). Install the ultrasonic sensor (1) in the measurement target gas atmosphere (4) by an appropriate method. The ultrasonic wave transmitted from the transmitting ultrasonic element (2) passes through the ultrasonic path section (5) in which the gas to be measured exists, and the receiving ultrasonic element (3)
Will be received at. At this time, the speed of sound passing through the ultrasonic path (5) is inversely proportional to the concentration of the gas to be measured. Ultrasonic element for wave transmission
(2) consists of an electrostrictive oscillator, etc.
(6) and the negative immittance converter (7) are
It amplifies the high frequency signal generated by the signal generator (8) controlled by 0) and improves the response characteristic.
The receiving ultrasonic element (3) is composed of an electrostrictive oscillator or the like, and the preamplifier (9) amplifies the high-frequency signal from the receiving ultrasonic element (3) to provide a return ring oscillation amplifier. This is what you will enter in (10). The resistance (11) and the negative immittance converter (12) improve the response characteristics of the receiving ultrasonic element (3).

一方前述の帰環発振系(13)の周波数fmと超音波パス(5)
における測定対象混合ガス中の超音波伝播速度Vとの間
には、fm=k・V/l(但しlは送波用超音波素子(2)と受波
用超音波素子(3)との距離、kは比例定数を各々表わ
す)の関係があるので、該帰環発振系(13)の周波数fmと
水晶振動子(14)等により発生させた安定された基準周波
数foとを混合器(15)に入力し、fmとfoとの差Fをとる。
このFを周波数電圧変換器(16)により電圧に変換し、演
算器(17)に入力させる。
On the other hand, the frequency fm of the return oscillation system (13) and the ultrasonic path (5)
Between the ultrasonic wave propagation velocity V in the mixed gas to be measured at fm = k · V / l (where l is the ultrasonic element for wave transmission (2) and the ultrasonic element for wave reception (3)). Since the distance and k represent respective proportional constants, the frequency fm of the return oscillation system (13) and the stabilized reference frequency fo generated by the crystal oscillator (14) are mixed by a mixer ( Input in 15) and take the difference F between fm and fo.
This F is converted into a voltage by the frequency-voltage converter (16) and input to the calculator (17).

温度センサー(18)はサーミスター,測温抵抗体,熱電対
等の1種からなるもので、測定対象ガス雰囲気(4)中の
温度計測用であり、この温度情報を演算器(17)に入力さ
せ、超音波伝播速度の温度依存性を消去させる温度補償
を行なわしめる。この温度補償された出力電圧はアナロ
グ電圧計,ディジタル電圧計,記録計等の表示器(19)に
表示される。
The temperature sensor (18) consists of a thermistor, resistance temperature detector, thermocouple, etc. for temperature measurement in the gas atmosphere (4) to be measured, and inputs this temperature information to the calculator (17). Then, temperature compensation is performed to eliminate the temperature dependence of the ultrasonic wave propagation velocity. The temperature-compensated output voltage is displayed on an indicator (19) such as an analog voltmeter, a digital voltmeter, or a recorder.

次にこのガス濃度測定装置を用い、混合ガス組成,即ち
空気,CO2,H2Oの3成分系に於けるCO2ガス濃度測定の
1例を第2図及び第3図により詳述する。
Next, using this gas concentration measuring device, an example of measuring the CO 2 gas concentration in a mixed gas composition, that is, a three-component system of air, CO 2 , and H 2 O will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. .

100%CO2ガス入りボンベ(20)及びコンプレッサー型エア
ポンプ(21)から各々供給されるCO2ガス及び空気を流量
調節バルブ付流量計(22),(23)でCO2ガスの濃度を予め
設定し、流量計(22),(23)の後にCO2ガスと空気を混合
するチェンバー型の混合室(24)を設け、混合室(24)で混
合されたCO2/空気の混合ガスを測定用チェンバー(25)
内へ導入管(26)を介して導入する。測定用チェッバー(2
5)の底面に導入管(26)が十分浸るだけの水層(27)を設
け、導入管(26)に適宜設けられたガス吹出し口よりCO2
/空気混合ガスを水層(27)を介して測定用チェンバー(2
5)内に吹き出させる。この操作により、測定用チェンバ
ー(25)内の相対湿度は95〜100%の高湿度となる。測定用
チェンバー(25)の上部にモーター(28)により回転する攪
拌羽根(29)を設け、測定用チェンバー(25)内の混合ガス
濃度を均一にする。混合ガスは混合ガス出口用パイプ(3
0)より測定用チェンバー(25)外に排出される。測定用チ
ェンバー(25)内の適切なる位置に本発明による超音波セ
ンサー(1)を設置し、シールドケーブル(31)にて帰環発
振系(13),水晶振動子(14),混合器(15),周波数電圧変
換器(16)及び演算器(17)より構成される演算制御器(32)
に接続する。温度補償用測定抵抗型温度センサー(18)を
ケーブル(33)にて演算制御器(32)の演算器(17)に接続す
る。演算器(17)からの出力電圧は、CO2ガス濃度0〜20V
ol%に対し、0〜20Vに合わせた。従って出力電圧の読み
がCO2ガス濃度となる。表示器(19)にはディジタル電圧
計を用い、また帰環発振系(13)の周波数fmを周波数カウ
ンター(34)にてモニターした。ガス出口用パイプ(30)よ
り導き出される混合ガスを赤外ガス分析器(35)に排出パ
イプ(36)により導入し、CO2ガス濃度を測定する。また
排出パイプ(36)の途中にサンプリングポート(37)を設
け、ガスクロマトグラフ(38)に接続しCO2ガス濃度を検
定する。
100% CO 2 gas-filled cylinder (20) and the compressor-type air pump (21) CO 2 gas and air flow control valve with a flow meter is respectively supplied from (22), set in advance the concentration of CO 2 gas (23) Then, after the flowmeters (22) and (23), a chamber-type mixing chamber (24) for mixing CO 2 gas and air is provided, and the mixed gas of CO 2 / air mixed in the mixing chamber (24) is measured. Chamber (25)
It is introduced into the interior through the introduction pipe (26). Measuring checker (2
A water layer (27) is provided on the bottom surface of 5) so that the introduction pipe (26) is sufficiently submerged, and CO 2 is supplied from a gas outlet appropriately provided in the introduction pipe (26).
/ Chamber for measurement of air-mixed gas through the water layer (27) (2
5) Let it blow out inside. By this operation, the relative humidity in the measurement chamber (25) becomes high humidity of 95 to 100%. A stirring blade (29) rotated by a motor (28) is provided above the measurement chamber (25) to make the mixed gas concentration in the measurement chamber (25) uniform. Mixed gas is mixed gas outlet pipe (3
It is discharged from the measurement chamber (25) from the (0). The ultrasonic sensor (1) according to the present invention is installed at an appropriate position in the measurement chamber (25), and the return cable oscillation system (13), the crystal oscillator (14), the mixer ( Operation controller (32) composed of 15), frequency voltage converter (16) and operation unit (17)
Connect to. The measurement resistance temperature sensor (18) for temperature compensation is connected to the computing unit (17) of the computing controller (32) by the cable (33). The output voltage from the calculator (17) is CO 2 gas concentration 0 to 20V.
It was adjusted to 0 to 20 V with respect to the ol%. Therefore, the output voltage reading is the CO 2 gas concentration. A digital voltmeter was used as the indicator (19), and the frequency fm of the return ring oscillation system (13) was monitored by the frequency counter (34). The mixed gas derived from the gas outlet pipe (30) is introduced into the infrared gas analyzer (35) through the exhaust pipe (36), and the CO 2 gas concentration is measured. A sampling port (37) is provided in the middle of the discharge pipe (36) and connected to a gas chromatograph (38) to verify the CO 2 gas concentration.

測定用チェンバー内に混合ガスの温度を測定するための
サーミスター温度センサー(39)を設け、温度測定器(40)
にてモニターする。測定用チェンバー(25)は、混合ガス
入口用パイプ(41)及び混合ガス出口用パイプ(30)以外は
完全に密封系となっている。また、測定用チェンバー(2
5)は、±0.1℃にコントロールされる温度可変の空気恒
温槽(42)内に設置し、測定用チェンバー(25)内の温度が
任意に変えられるようにしてある。
A thermistor temperature sensor (39) for measuring the temperature of the mixed gas is installed in the measuring chamber, and a temperature measuring device (40)
Monitor at. The measurement chamber (25) is a completely sealed system except for the mixed gas inlet pipe (41) and the mixed gas outlet pipe (30). Also, the measuring chamber (2
5) is installed in a temperature-controlled air constant temperature chamber (42) controlled at ± 0.1 ° C so that the temperature in the measuring chamber (25) can be arbitrarily changed.

以上の検定用装置により、測定用チェンバー(25)内の温
度を27℃,35℃,42℃と変え、各々の温度に於いて、CO
2ガス濃度を流量計(22),(23)にて0〜20%の範囲で変
え、赤外線ガス分析器(35)及びガスクロマトグラフ(38)
による本超音波ガス濃度測定装置の測定データを第2表
及び第4図に示す。
With the above verification equipment, the temperature inside the measuring chamber (25) was changed to 27 ℃, 35 ℃, 42 ℃, and CO was measured at each temperature.
2 gas concentration meter (22), vary from 0-20% by (23), an infrared gas analyzer (35) and a gas chromatograph (38)
Table 2 and FIG. 4 show the measurement data of the present ultrasonic gas concentration measuring device.

第2表及び第4図より、本超音波ガス濃度測定装置の帰
環発振系周波数fmが検定用ガスクロマトグラフによる濃
度に対して直線性を示し、且つ超音波ガス濃度測定装置
の濃度指示が検定用ガスクロマトグラフによる濃度に一
致する。
From Table 2 and FIG. 4, the return ring oscillation system frequency fm of the ultrasonic gas concentration measuring device shows linearity with respect to the concentration by the calibration gas chromatograph, and the concentration instruction of the ultrasonic gas concentration measuring device is verified. Conforms to the concentration measured by a gas chromatograph.

以上、本超音波ガス濃度測定装置の1実施例としてCO2
/空気系で説明したが、これに限定されるものではな
い。
As described above, CO 2 is used as one example of the ultrasonic gas concentration measuring device.
The description has been given for the air system, but the present invention is not limited to this.

次に、本超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及
び受波用超音波素子内に用いられている、超音波センサ
ーについて説明する。両素子とも超音波センサーの構造
自体は従来のものと変りはなく、従来より、超音波振動
子(例えばPZT等の圧電磁器)に銀電極を焼き付け、こ
れを板またはホルダー(例えば金属製、プラスチック製
等)に貼り合せた構造の、計測・制御用超音波機器の送
信用もしくは受信用として使われている超音波センサー
と同一である。これらはPZT等の表面の電極、例えば銀
等の導電体は水蒸気によって電蝕現象を起こし易く、正
確に超音波信号を電気信号へ変換し、もしくは、電気信
号を超音波信号へ変換することが難しくなるケースが多
い。そこで、超音波振動子に付けた電極の電蝕を防ぐた
めに、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン等
の封止物質を用いて、ホルダー内部へ水蒸気が侵入する
のを防止する方法がとられている。しかし、超音波振動
子を貼り合せ、封止物質で封止してある構造の超音波セ
ンサーは、1年乃至10年と言う長期間、湿度80〜100%の
雰囲気中で連続使用した場合、水分の経時的な侵入によ
り電蝕現象を起こしてしまうという欠点があった。ま
た、金属ホルダーを用いて、溶接でシーリングを行なう
方法もあるが、超音波振動子と金属ホルダーとの貼り合
せに用いる接着用樹脂の熱による劣化があり、溶接は難
しいという欠点があった。
Next, an ultrasonic sensor used in the ultrasonic wave transmitting element and the ultrasonic wave receiving element of the ultrasonic gas concentration measuring apparatus will be described. Both elements have the same structure of ultrasonic sensor as the conventional one. Conventionally, a silver electrode is baked on an ultrasonic vibrator (eg piezoelectric ceramic such as PZT) and this is applied to a plate or holder (eg metal, plastic). It is the same as the ultrasonic sensor used for transmission or reception of ultrasonic instruments for measurement and control, which has a structure of being attached to (such as manufactured). These are electrodes of the surface such as PZT, for example, a conductor such as silver is likely to cause an electrolytic corrosion phenomenon due to water vapor, and it is possible to accurately convert an ultrasonic signal into an electric signal or convert the electric signal into an ultrasonic signal. It often becomes difficult. Therefore, in order to prevent electrolytic corrosion of the electrodes attached to the ultrasonic transducer, a method of preventing water vapor from entering the holder by using a sealing material such as silicone resin, epoxy resin, or polyurethane is adopted. . However, an ultrasonic sensor with a structure in which ultrasonic transducers are bonded and sealed with a sealing material is used for a long period of 1 to 10 years when continuously used in an atmosphere of humidity 80 to 100%, There is a drawback that an electrolytic corrosion phenomenon occurs due to the intrusion of water with time. There is also a method of performing sealing by welding using a metal holder, but there is a drawback that welding is difficult because the adhesive resin used for bonding the ultrasonic transducer and the metal holder deteriorates due to heat.

以下図面に従って、従来技術を更に詳しく説明する。第
8図は、従来の超音波センサーの1例を示したもので、
第8図(a)は超音波センサー(59)の側面の断面形状を示
し、第8図(b)は第8図(a)の超音波振動子(45)(例え
ば、PZT等の圧電磁器、圧電特性を有する樹脂)の周辺
部分の拡大図である。
The prior art will be described in more detail below with reference to the drawings. FIG. 8 shows an example of a conventional ultrasonic sensor,
FIG. 8 (a) shows the cross-sectional shape of the side surface of the ultrasonic sensor (59), and FIG. 8 (b) shows the ultrasonic vibrator (45) of FIG. 8 (a) (for example, a piezoelectric ceramic such as PZT). 2 is an enlarged view of a peripheral portion of a resin having piezoelectric characteristics).

第8図(b)に示したように、超音波振動子(45)には電極
(60)、(61)を設けてあり、超音波振動子(45)をホルダー
(44)(例えば、金属及び樹脂等)に、超音波伝播特性の
良い接着剤(62)によって貼り合せてある。電極(60)、(6
1)は第8図(b)に示したように、ケーブル(46)、(47)で端
子(48)、(49)と結び、端子(48)、(49)を基板(50)(例え
ば、フェノール樹脂積層板、エポキシ樹脂積層板)で固
定し、その上を封止物質(51)で封止している。水蒸気雰
囲気中で長期間、例えば1年から10年間以上連続して使
用した場合、封止物質(51)を通して水分がホルダー(44)
内部に侵入し、電極(60)、(61)が電蝕を起こし、超音波
の正常な送信、受信ができなくなるという欠点があっ
た。
As shown in FIG. 8 (b), the ultrasonic transducer (45) has electrodes.
(60) and (61) are provided, and the ultrasonic transducer (45) is a holder.
It is bonded to (44) (for example, metal and resin) with an adhesive (62) having good ultrasonic propagation characteristics. Electrode (60), (6
As shown in FIG. 8 (b), 1) is connected to terminals (48) and (49) with cables (46) and (47), and the terminals (48) and (49) are connected to a board (50) (for example, , A phenol resin laminated plate, an epoxy resin laminated plate), and a sealing substance (51) is sealed thereon. When used for a long period of time in a steam atmosphere, for example, for 1 year to 10 years or more, moisture will pass through the sealing substance (51) to the holder (44).
There is a drawback that the electrodes (60) and (61) enter the inside to cause electrolytic corrosion, and normal transmission and reception of ultrasonic waves cannot be performed.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明は、従来の超音波センサーのこのような欠点に鑑
み超音波ガス濃度測定装置の送波用超音波素子及び受波
用超音波素子に使用される超音波センサー表面に薄膜を
形成して水分の侵入を防止することにより、長時間連続
して精度よく計測し得るガス濃度測定装置を提供するこ
とを目的としたものである。
In view of such drawbacks of conventional ultrasonic sensors, the present invention forms a thin film on the surface of an ultrasonic sensor used for an ultrasonic element for wave transmission and an ultrasonic element for wave reception of an ultrasonic gas concentration measuring device. It is an object of the present invention to provide a gas concentration measuring device capable of continuously and accurately measuring for a long time by preventing intrusion of water.

〔発明の構成〕[Structure of Invention]

即ち本発明は、超音波振動子、ホルダー、及び封止物質
から基本的に構成され、該封止物質の表面に導電性及び
/または非導電性物質からなる厚さ500〜5000Åの膜を
形成したことを特徴とする耐湿型超音波センサーを用い
たガス濃度測定装置である。
That is, the present invention basically comprises an ultrasonic transducer, a holder, and a sealing material, and forms a film of conductive and / or non-conductive material having a thickness of 500 to 5000Å on the surface of the sealing material. It is a gas concentration measuring device using a moisture resistant ultrasonic sensor.

以下、図面を参照して本発明を説明する。Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

第5図、第6図及び第7図は、本発明に従う実施例の超
音波センサー(43)、(53)、(56)の側面の断面形状を示すも
のである。いずれもその基本構造は、第8図に示した従
来の超音波センサーと同様であり、超音波振動子(45)に
は第8図(b)のごとく電極(60)、(61)が設けてあり、該超
音波振動子(45)は、接着剤(62)によってホルダー(44)に
貼り合せてある。電極(60)、(61)はケーブル(46)、(47)に
より端子(48)、(49)と結ばれている。端子(48)、(49)は基
板(50)で固定され、その上を封止物質(51)で封止してあ
る。
FIG. 5, FIG. 6 and FIG. 7 show the sectional shapes of the side surfaces of the ultrasonic sensors (43), (53), (56) of the embodiment according to the present invention. The basic structure is the same as that of the conventional ultrasonic sensor shown in FIG. 8, and the ultrasonic transducer (45) is provided with electrodes (60) and (61) as shown in FIG. 8 (b). The ultrasonic transducer (45) is attached to the holder (44) with an adhesive (62). The electrodes (60) and (61) are connected to the terminals (48) and (49) by cables (46) and (47). The terminals (48) and (49) are fixed to the substrate (50), and the top of them is sealed with a sealing material (51).

第5図は、超音波センサー(43)の封止物質(51)等の表面
に薄膜(52)を形成した超音波センサーを示す。薄膜(52)
の材質は、非導電性物質、例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の薄膜形成方法で形成で
きる物質が対象であり、特にSiO、SiO2、ポリテトラフ
ルオロエチレン等のフッ素系樹脂等が良い。膜厚は500
Å〜5000Åとし、好ましくは1500Å〜3000Åとするのが
好適である。薄膜(52)は非導電性であるから、封止物質
(51)よりホルダー(44)の外部に出ている端子(48)、(49)
部分には、薄膜が形成されないように、例えばテフロン
(商標名)テープ等を巻きつけ、カバーをして薄膜(52)
を形成させる。
FIG. 5 shows an ultrasonic sensor in which a thin film (52) is formed on the surface of the sealing substance (51) or the like of the ultrasonic sensor (43). Thin Film (52)
The material of is a non-conductive substance, for example, a substance that can be formed by a thin film forming method such as vacuum deposition, sputtering, or ion plating, and is particularly preferably a fluorine-based resin such as SiO, SiO 2 , or polytetrafluoroethylene. . Film thickness is 500
It is preferably Å to 5000 Å, preferably 1500 Å to 3000 Å. Since the thin film (52) is non-conductive, it is a sealing material.
Terminals (48), (49) protruding from the holder (44) from the (51)
To prevent a thin film from being formed on the part, for example, wrap Teflon (trademark) tape or the like and cover it to form a thin film (52).
To form.

第6図は、超音波センサー(53)の端子(48)、(49)の薄膜
(57)に接する部分に絶縁皮膜(54)、(55)をつけ、封止物
質(51)の表面に薄膜(57)を形成した超音波センサーを示
す。薄膜(57)の材質は、導電性物質、例えば真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成方
法で形成できる物質が対象であり、特にAl、Au、Pb、C
u、チタン合金、Ni、Cr、MoS2、MgF2等が良い。その膜
厚は500Å〜5000Å、好ましくは1500Å〜3000Åが好適
である。薄膜(57)は導電性であるから、端子(48)、(49)
の基板(50)、封止物質(51)、及び薄膜(57)に接する部分
には、絶縁被膜(54)、(55)を設けてある。また、端子(4
8)、(49)の封止物質(51)よりホルダー(44)の外部に出て
いる部分には、薄膜が形成されないように、例えばテフ
ロン(商標名)テープ等を巻きつけ、カバーをして薄膜
(57)を形成させる。
FIG. 6 is a thin film of terminals (48) and (49) of the ultrasonic sensor (53).
This is an ultrasonic sensor in which insulating films (54) and (55) are attached to the part in contact with (57), and a thin film (57) is formed on the surface of a sealing substance (51). The material of the thin film (57) is a conductive substance such as vacuum deposition,
Targets are substances that can be formed by thin film formation methods such as sputtering and ion plating, and in particular Al, Au, Pb, C
u, titanium alloy, Ni, Cr, MoS 2 , MgF 2, etc. are preferable. The film thickness is preferably 500Å to 5000Å, preferably 1500Å to 3000Å. Since the thin film (57) is conductive, the terminals (48), (49)
Insulating coatings (54) and (55) are provided on portions of the substrate (50), the sealing material (51), and the thin film (57) that are in contact with each other. In addition, the terminal (4
To prevent a thin film from being formed on the part of the sealing substance (51) of (8) and (49) which is exposed to the outside of the holder (44), for example, Teflon (trademark) tape is wrapped and covered. Thin film
(57) is formed.

第7図は、超音波センサー(56)の封止物質(51)の表面
と、端子(48)、(49)の薄膜(57)に接する部分に薄膜(58)
を形成し、更に薄膜(58)の上に薄膜(57)を形成した超音
波センサーを示す。薄膜(58)は、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンプレーティング等の薄膜形成方法で形成で
きる物質が対象であり、その材質の種類は限定されるも
のではないが、特に、封止物質(51)と薄膜(57)との間の
線膨張係数を有する物質が好適である。薄膜(58)の膜厚
は、100Å〜4000Å、好ましくは500Å〜1000Åが好適で
ある。また、薄膜(58)と薄膜(57)とを合わせた薄膜全体
の厚さは、500Å〜5000Å、好ましくは1500
Å〜3000Åが好適である。また、薄膜(58)及び(57)
を形成する際には、封止物質(51)よりホルダー(44)の外
部に出ている端子(48)、(49)部分で、薄膜(57)と接する
部分以外に薄膜(58)が形成されないように、更に薄膜(5
8)等の上に出ている端子(48)、(49)の部分に薄膜(57)が
形成されないように、例えばテフロン(商標名)テープ
を巻きつけ、カバーをしてから薄膜(58)及び(57)の形成
を夫々行なう。
FIG. 7 shows a thin film (58) on the surface of the encapsulating substance (51) of the ultrasonic sensor (56) and a portion of the terminals (48) and (49) in contact with the thin film (57).
The ultrasonic sensor in which the thin film (57) is formed on the thin film (58) is further shown. The thin film (58) is a substance that can be formed by a thin film forming method such as vacuum deposition, sputtering, or ion plating, and the type of the material is not limited, but particularly, the sealing substance (51) and A material having a linear expansion coefficient between the thin film (57) is suitable. The thickness of the thin film (58) is preferably 100Å to 4000Å, preferably 500Å to 1000Å. Further, the total thickness of the thin film (58) and the thin film (57) combined is 500Å to 5000Å, preferably 1500.
Å to 3000 Å is suitable. Also, thin films (58) and (57)
When forming the film, the thin film (58) is formed on the terminals (48) and (49) that are outside the holder (44) from the encapsulating material (51) except the part in contact with the thin film (57). In order to prevent the
8) etc., so that the thin film (57) is not formed on the terminals (48) and (49) protruding above, for example, wrap Teflon (trademark) tape, cover it, and then cover the thin film (58). And (57) are formed respectively.

尚、本発明で用いられる超音波振動子(45)、ホルダー(4
4)、基板(50)、及び封止物質(51)の材質は、従来の超音
波センサーと同様で特に限定されるものではなく、超音
波振動子としてはPZT等の圧電磁器や圧電特性を有する
樹脂、ホルダーとしては金属やプラスチック、基板とし
てはフェノール樹脂、エポキシ樹脂等の積層板、また封
止物質としてはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウ
レタン等が使用できる。
In addition, the ultrasonic transducer (45) and the holder (4
The material of 4), the substrate (50), and the sealing material (51) is not particularly limited as it is the same as the conventional ultrasonic sensor, and as the ultrasonic vibrator, a piezoelectric ceramic such as PZT or a piezoelectric characteristic is used. The resin and the holder may be made of metal or plastic, the substrate may be a laminated plate of phenol resin, epoxy resin or the like, and the sealing material may be silicone resin, epoxy resin, polyurethane or the like.

更に第9図は、第5図、第6図および第7図で説明した
本発明による超音波センサー(68)をブロック(67)に内蔵
する事により、本発明の目的とする耐湿性を更に向上さ
せ得る1実施例である。第9図中、ブロック(67)は、ア
ルミニウム、ステンレススティール等の耐蝕性に優れた
金属または合成樹脂等からなり、超音波センサー(68)の
端子(48)及び(49)側の端面(69)は、ブロック(67)のセン
サー受け部(70)にて超音波センサー(68)の振動端面(71)
とブロック(67)のブロック端面部(72)がほぼ同一面内に
なるように位置決めを行なう。超音波センサー(68)とブ
ロック(67)との環状空隙部(73)には、超音波センサー(6
8)の超音波振動を吸収し得るシリコン樹脂、ゴム等の弾
性材料からなる弾性封止材(74)、(75)にて超音波センサ
ー(68)をブロック(67)に固定する。ケーブル(76)は、超
音波センサー(68)の端子(48)、(49)に超音波高周波信号
を送受信する二芯の電線であり、ブロック(67)の図中左
端面部に削孔した穴(77)を介して端子(48)、(49)に接続
される。ブロック(67)とケーブル(76)との隙間には、ネ
ジブッシュまたはポリブタジエン、ポリ塩化ビニリデン
等の高耐湿性樹脂等を封入する。
Further, FIG. 9 shows that the ultrasonic sensor (68) according to the present invention described in FIGS. 5, 6 and 7 is incorporated in the block (67) to further improve the moisture resistance as the object of the present invention. It is one example which can be improved. In FIG. 9, the block (67) is made of a metal such as aluminum or stainless steel having excellent corrosion resistance or a synthetic resin, and the end face (69) of the ultrasonic sensor (68) on the terminals (48) and (49) side. ) Is the vibrating end face (71) of the ultrasonic sensor (68) at the sensor receiving part (70) of the block (67).
Positioning is performed so that the block end face portion (72) of the block (67) is substantially in the same plane. In the annular space (73) between the ultrasonic sensor (68) and the block (67), the ultrasonic sensor (6
The ultrasonic sensor (68) is fixed to the block (67) by elastic sealing materials (74) and (75) made of an elastic material such as silicon resin and rubber capable of absorbing the ultrasonic vibration of 8). The cable (76) is a two-core electric wire that transmits and receives ultrasonic high frequency signals to the terminals (48) and (49) of the ultrasonic sensor (68), and has a hole drilled in the left end face of the block (67) in the figure. It is connected to terminals (48) and (49) via (77). In the gap between the block (67) and the cable (76), a screw bushing or a highly moisture resistant resin such as polybutadiene or polyvinylidene chloride is sealed.

弾性封止材(75)の外気に曝される表面、即ち振動端面(7
1)及びブロック端面部(72)の表面には薄膜(78)及び/ま
たは薄膜(79)を形成する。薄膜(78)の材質は、弾性封止
材(75)との密着性の良い材質、例えば弾性封止材(75)が
シリコン樹脂の場合には真空蒸着、スパッタリング、イ
オンプレーティング等の薄膜形成方法で形成できる物質
が対象であり、SiO、SiO2等の非電導性薄膜が望ましい。
また薄膜(79)の材質は、SiO、SiO2等の薄膜(78)、ブロッ
ク(67)及び振動端面(71)との密着性が良く、真空蒸着、
スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成方
法で形成でき、且つピンホール等の発生の少ない物質が
対象であり、特にAl、Au、Pb、Cu、チタン合金、Ni、C
r、MoS2、MgF2等の導電性薄膜が良い。薄膜(78)の膜厚
は100Å〜4000Å、好ましくは500Å〜1000Å、薄膜(79)
の膜厚は500Å〜5000Å、好ましくは1500Å〜3000Å、
薄膜(78)と薄膜(79)との合計の厚みは1000Å〜5000Å、
好ましくは2000Å〜4000Åが良い。
The surface of the elastic sealing material (75) exposed to the outside air, that is, the vibrating end surface (7
A thin film (78) and / or a thin film (79) is formed on the surface of 1) and the block end face portion (72). The material of the thin film (78) has good adhesion to the elastic encapsulant (75), for example, when the elastic encapsulant (75) is a silicon resin, thin film formation such as vacuum deposition, sputtering and ion plating. The target is a substance that can be formed by the method, and a non-conductive thin film such as SiO or SiO 2 is preferable.
Further, the material of the thin film (79) has good adhesion to the thin film (78) such as SiO and SiO 2 , the block (67) and the vibrating end face (71), and vacuum deposition,
Targets are substances that can be formed by thin film formation methods such as sputtering and ion plating, and that generate few pinholes, especially Al, Au, Pb, Cu, titanium alloys, Ni, C
Conductive thin films such as r, MoS 2 and MgF 2 are preferable. The thickness of the thin film (78) is 100Å ~ 4000Å, preferably 500Å ~ 1000Å, the thin film (79)
Has a film thickness of 500Å ~ 5000Å, preferably 1500Å ~ 3000Å,
The total thickness of the thin film (78) and the thin film (79) is 1000Å ~ 5000Å,
It is preferably 2000Å to 4000Å.

本実施例では、薄膜(78)及び薄膜(79)からなる2層の薄
膜で説明したが、弾性封止材(75)、ブロック(67)、振動
端面(71)の材質の組み合わせ等によっては、薄膜(78)ま
たは薄膜(79)のどちらか一層でもよい。
In this embodiment, the description has been made on the two-layer thin film composed of the thin film (78) and the thin film (79). One of the thin film (78) and the thin film (79) may be provided.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明に従うと、従来より使用されている超音波センサ
ーのシーリング部材の上に薄膜を形成することによっ
て、従来の超音波センサーの耐湿性を著しく向上させる
ことができ、超音波ガス濃度測定装置に使用される超音
波センサーを、長期間連続して水蒸気雰囲気中で使用で
きる。薄膜を形成している本発明による超音波センサー
と、従来の超音波センサーとを促進試験にかけた結果を
第10図に示した。試験は、60℃の温水中に超音波センサ
ーを浸漬し、直流電圧を印加して行なった。第10図にお
いて、縦軸(66)は絶縁抵抗で単位はMΩ、横軸(65)は、
試験時間で単位は時間である。薄膜を形成している本発
明による超音波センサーの変化線(63)と、従来の超音波
センサーの変化線(64)とを比較すると、本発明に従う構
造の超音波センサーには変化が見られず、絶縁抵抗の劣
化がなく、耐湿性が優れていることが分かる。また、本
発明による超音波センサーをブロック(67)に内蔵し、弾
性封止材(75)、ブロック(67)及び振動端面(71)上に薄膜
を形成させる事により、超音波センサーの耐湿性を更に
向上させる事が可能である。
According to the present invention, by forming a thin film on the sealing member of a conventionally used ultrasonic sensor, it is possible to significantly improve the humidity resistance of the conventional ultrasonic sensor. The ultrasonic sensor used can be used continuously in a steam atmosphere for a long period of time. FIG. 10 shows the result of the accelerated test of the ultrasonic sensor according to the present invention forming a thin film and the conventional ultrasonic sensor. The test was performed by immersing the ultrasonic sensor in warm water at 60 ° C. and applying a DC voltage. In Fig. 10, the vertical axis (66) is the insulation resistance, the unit is MΩ, and the horizontal axis (65) is
The test time is in hours. Comparing the variation line (63) of the ultrasonic sensor according to the present invention forming a thin film with the variation line (64) of the conventional ultrasonic sensor, the ultrasonic sensor having the structure according to the present invention shows a change. In other words, it can be seen that the insulation resistance is not deteriorated and the moisture resistance is excellent. Further, by incorporating the ultrasonic sensor according to the present invention in the block (67) and forming a thin film on the elastic sealing material (75), the block (67) and the vibrating end surface (71), the moisture resistance of the ultrasonic sensor is improved. Can be further improved.

以上述べた如く、本発明による耐湿性を著しく向上させ
た超音波センサーを用いた超音波ガス濃度測定装置は、
温度及び湿度の変動に対する影響が少なく、且つ高湿度
下における長期の連続使用に対しても精度良く計測する
ことができ、工業上極めて有用なる発明である。
As described above, the ultrasonic gas concentration measuring device using the ultrasonic sensor according to the present invention having the moisture resistance remarkably improved is
This is an invention that is extremely useful industrially because it has little influence on fluctuations in temperature and humidity and can be accurately measured even during long-term continuous use under high humidity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はCO2ガス濃度と超音波伝播速度の関係を示すグ
ラフ、第2図は測定系統図の1例、第3図はガス濃度測
定装置を用いてCO2ガス濃度を測定する1例、第4図は
第2表をグラフ化したもの、第5図、第6図及び第7図
は本発明に従う超音波センサーの実施例を示し、夫々、
側面の断面図である。第8図(a)は従来の超音波センサ
ーの側面の断面形状を示し、第8図(b)は第8図(a)の超
音波振動子(45)の周辺部分の拡大図である。第9図は本
発明に従うブロック内蔵型超音波センサーの1実施例を
示す図である。また、第10図は耐湿性能を比較する促進
試験の結果を示す図である。
Fig. 1 is a graph showing the relationship between CO 2 gas concentration and ultrasonic wave propagation velocity, Fig. 2 is an example of measurement system diagram, and Fig. 3 is an example of measuring CO 2 gas concentration using a gas concentration measuring device. FIG. 4 is a graph of Table 2, and FIGS. 5, 6, and 7 show examples of the ultrasonic sensor according to the present invention, respectively.
It is sectional drawing of a side surface. FIG. 8 (a) shows a sectional shape of a side surface of a conventional ultrasonic sensor, and FIG. 8 (b) is an enlarged view of a peripheral portion of the ultrasonic transducer (45) of FIG. 8 (a). FIG. 9 is a diagram showing an embodiment of an ultrasonic sensor with a built-in block according to the present invention. Further, FIG. 10 is a diagram showing the results of accelerated tests for comparing moisture resistance performance.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】帰還増幅器によって制御される信号発生
器、該信号発生器により発生される高周波信号を増幅す
る駆動増幅器、該駆動増幅器により増幅された高周波信
号を超音波に変換し発信する電歪型振動子よりなる送波
用超音波素子と該超音波を受信し電気信号に変換する電
歪型振動子よりなる受波用超音波素子から構成される超
音波センサー、該送波用超音波素子と駆動増幅器の間に
接続した負イミタンス変換器、該受波用超音波素子と並
列に接続した抵抗及び負イミタンス変換器、及び帰還増
幅器に入力するための前置増幅器より構成された帰還発
信系と、帰還発信系の周波数と水晶振動子等より発生さ
れた基準周波数との差を演算する混合器、該混合器によ
り演算された周波数を電圧に変換する周波数電圧変換
器、該周波数電圧変換器により出力された値と温度セン
サーによって検出された温度情報とからガス濃度を演算
し出力する演算器よりなる演算出力系とから構成される
ガス濃度測定装置において、前記超音波センサーが、超
音波振動子、ホルダー及び封止物質から基本的に構成さ
れ、該超音波振動子をホルダーに接着し、ホルダーの開
口部を封止物質で封止すると共に、該封止物質の表面に
導電性または非導電性物質からなる厚さ500〜500
0Åの薄膜を形成した耐湿型超音波センサーであること
を特徴とするガス濃度測定装置。
1. A signal generator controlled by a feedback amplifier, a drive amplifier for amplifying a high frequency signal generated by the signal generator, and an electrostriction for converting a high frequency signal amplified by the drive amplifier into ultrasonic waves and transmitting the ultrasonic waves. Type ultrasonic transducer for transmitting waves and an ultrasonic sensor for receiving waves which receives the ultrasonic waves and converts the ultrasonic waves into an electric signal A feedback transmission composed of a negative immittance converter connected between the element and the driving amplifier, a resistance and negative immittance converter connected in parallel with the receiving ultrasonic element, and a preamplifier for inputting to the feedback amplifier. System, a mixer for calculating the difference between the frequency of the feedback transmission system and the reference frequency generated by a crystal oscillator, a frequency-voltage converter for converting the frequency calculated by the mixer into a voltage, and the frequency-voltage conversion In the gas concentration measuring device including a calculation output system including a calculator that calculates and outputs the gas concentration from the value output by the temperature sensor and the temperature information detected by the temperature sensor, the ultrasonic sensor is The ultrasonic vibrator is basically bonded to the holder, the opening of the holder is sealed with the sealing material, and the surface of the sealing material is electrically conductive or non-conductive. Thickness of conductive material 500-500
A gas concentration measuring device, which is a moisture-resistant ultrasonic sensor having a thin film of 0Å.
【請求項2】超音波センサーが、封止物質の表面に厚さ
100〜4000Åの非導電性物質の薄膜を形成した
後、該非導電性物質の薄膜の上に導電性物質の薄膜を形
成し、薄膜全体の厚さを500〜5000Åとしたこと
を特徴とする、特許請求の範囲第(1)項記載のガス濃
度測定装置。
2. An ultrasonic sensor forms a thin film of a non-conductive substance having a thickness of 100 to 4000Å on a surface of a sealing substance, and then forms a thin film of a conductive substance on the thin film of the non-conductive substance. The gas concentration measuring device according to claim (1), characterized in that the thickness of the whole thin film is 500 to 5000 Å.
【請求項3】超音波センサーをブロックに内蔵し、弾性
封止材、超音波センサー振動端面及びブロック端面部に
非導電性及び導電性物質からなる厚さ1000〜500
0Åの薄膜を形成したことを特徴とする、特許請求の範
囲第(1)項または第(2)項記載のガス濃度測定装
置。
3. A block having an ultrasonic sensor built-in, and a thickness of 1000 to 500 made of a non-conductive material and a conductive material on an elastic sealing material, an ultrasonic sensor vibrating end surface and a block end surface portion.
The gas concentration measuring device according to claim (1) or (2), characterized in that a thin film of 0Å is formed.
JP60109420A 1984-09-10 1985-05-23 Gas concentration measuring device Expired - Lifetime JPH0617897B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60109420A JPH0617897B2 (en) 1985-05-23 1985-05-23 Gas concentration measuring device
US06/752,535 US4662212A (en) 1984-09-10 1985-07-08 Measuring instrument for concentration of gas
CN 85105865 CN1011441B (en) 1985-05-23 1985-08-02 Measuring instrument for gas density
DE8585111375T DE3587415D1 (en) 1984-09-10 1985-09-09 DEVICE FOR MEASURING THE CONCENTRATION OF A GAS.
EP85111375A EP0174627B1 (en) 1984-09-10 1985-09-09 Measuring instrument for concentration of gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60109420A JPH0617897B2 (en) 1985-05-23 1985-05-23 Gas concentration measuring device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61269061A JPS61269061A (en) 1986-11-28
JPH0617897B2 true JPH0617897B2 (en) 1994-03-09

Family

ID=14509790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60109420A Expired - Lifetime JPH0617897B2 (en) 1984-09-10 1985-05-23 Gas concentration measuring device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0617897B2 (en)
CN (1) CN1011441B (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060127936A (en) * 2003-12-30 2006-12-13 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 Estimating propagation velocity through a surface acoustic wave sensor
CN100465613C (en) * 2005-06-28 2009-03-04 上海理工大学 Method and its device for on-line detecting atmospheric particulate matter concentration
WO2010109363A2 (en) * 2009-03-23 2010-09-30 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Gas sensing using ultrasound
CN104126027B (en) * 2011-11-22 2017-04-12 英飞康公司 Multi-chambered acoustic sensor for determining gas composition
CN103425099B (en) * 2013-07-16 2014-08-06 广东工业大学 Embedded carbon emission monitoring and detecting system implemented in vulcanization procedures
WO2017078992A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Qorvo Us, Inc. Acoustic resonator devices and fabrication methods providing hermeticity and surface functionalization
CN107246923A (en) * 2017-08-07 2017-10-13 李昕虎 A kind of thermometer and thermometry based on TPoS resonators
CN110957178B (en) * 2019-12-13 2022-03-22 四川新能电力有限公司 Vacuum switch online detection method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS554528A (en) * 1978-06-27 1980-01-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method and apparatus for measuring gas concentration
JPS58136734U (en) * 1982-03-11 1983-09-14 日本電子機器株式会社 Notking sensor
JPS6166126A (en) * 1984-09-10 1986-04-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Moisture resisting type ultrasonic wave sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61269061A (en) 1986-11-28
CN1011441B (en) 1991-01-30
CN85105865A (en) 1986-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4662212A (en) Measuring instrument for concentration of gas
US4164865A (en) Acoustical wave flowmeter
US4741200A (en) Method and apparatus for measuring viscosity in a liquid utilizing a piezoelectric sensor
US8176796B2 (en) Ultrasound multiphase fraction meter and method for determining phase fractions in a multiphase fluid
CA1189948A (en) Ultrasonic flowmeter
US4361026A (en) Method and apparatus for sensing fluids using surface acoustic waves
US4783987A (en) System for sustaining and monitoring the oscillation of piezoelectric elements exposed to energy-absorptive media
US5060506A (en) Method and apparatus for monitoring the content of binary gas mixtures
US3468157A (en) Acoustical apparatus for detecting the composition of a gas
US6378370B1 (en) Temperature compensated surface-launched acoustic wave sensor
US4587479A (en) Corrosion measurement with multiple compensation
Brendel et al. Calibration of ultrasonic standard probe transducers
JPS6159457B2 (en)
US4726225A (en) Surface acoustic wave gas flow rate sensor with self-heating feature
JP2008164465A (en) Ultrasound flowmeter
JPH0617897B2 (en) Gas concentration measuring device
US4555932A (en) Method and apparatus for assaying the purity of a gas
JP3745535B2 (en) Ultrasonic measurement method and apparatus
US4262545A (en) Acoustic fluid velocity measuring system
JP3250849B2 (en) Surface acoustic wave device for measuring liquid properties.
EP0813060B1 (en) Acoustic sensor with resonator cell for in-line continuous monitoring of gasses
US4510443A (en) Voltage measuring device
van Deventer et al. Thermostatic and dynamic performance of an ultrasonic density probe
JP4280111B2 (en) Ultrasonic transducer and ultrasonic flowmeter
CA1105605A (en) Acoustical wave flowmeter