JPH0617875B2 - Pattern inspection method and apparatus - Google Patents
Pattern inspection method and apparatusInfo
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- JPH0617875B2 JPH0617875B2 JP61269617A JP26961786A JPH0617875B2 JP H0617875 B2 JPH0617875 B2 JP H0617875B2 JP 61269617 A JP61269617 A JP 61269617A JP 26961786 A JP26961786 A JP 26961786A JP H0617875 B2 JPH0617875 B2 JP H0617875B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウエハ上に形成されたフォトレジスト
パターン等の不透明な基板上に透明なパターンを有する
被検査対象についての欠陥を検出するのに好適なパター
ン検査方法およびその装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention detects a defect in an object to be inspected having a transparent pattern on an opaque substrate such as a photoresist pattern formed on a semiconductor wafer. The present invention relates to a pattern inspection method and an apparatus therefor.
LSIの回路パターンの形成に際し、ステッパ(縮小投
影露光装置)ではパターンの原版となるレチクル上のパ
ターンを繰り返しウエハ上に焼き付けていくため、レチ
クル上あるいはステッパ光学系に異物が付着している
と、すべてのチップに欠陥が生じることになる。そこ
で、レチクルを用いて半導体表面に焼付けたレジストパ
ターンを検査することで、レチクルパターンの検査が行
われている。When forming a circuit pattern of an LSI, a stepper (reduction projection exposure apparatus) repeatedly prints a pattern on a reticle, which is an original of the pattern, onto a wafer. Therefore, if foreign matter adheres to the reticle or the stepper optical system, All chips will be defective. Therefore, the reticle pattern is inspected by inspecting the resist pattern printed on the semiconductor surface using the reticle.
従来、このレチクルパターンを露光現像されたフォトレ
ジストパターン上で検査するには、顕微鏡を用いた目視
による観察が行われていた。しかし、目視による検査
は、膨大な労力と時間および高度な熟練を必要とし、ま
た、作業者の個人差あるいは判断基準のばらつきや、欠
陥の見逃しなどがあり、半導体の高密度化、高集積化に
伴い、ほとんど実施不可能な状態になってきている。こ
のため、各種のフォトレジストパターン外観検査技術が
提案されている。Conventionally, in order to inspect this reticle pattern on the exposed and developed photoresist pattern, visual observation using a microscope has been performed. However, visual inspection requires enormous labor, time, and a high degree of skill, and there are individual differences among workers, variations in judgment criteria, and missing of defects. As a result, it has become almost impossible to implement. Therefore, various photoresist pattern appearance inspection techniques have been proposed.
この外観検査の方法として、従来、1枚のレチクル上に
は複数個の同一チップパターンが描画されていることを
利用し、これをウェハ上のフォトレジストに転写した
後、ウェハ上で2個のチップパターンを比較して、パタ
ーン欠陥を検出する方法が提案されている。しかし、半
導体の高集積化,大面積化に伴い、1枚のレチクル上に
は1個のチップパターンのみが描画されるようになりつ
つあり、このようなチップパターンに対しては、上記の
方法は適用できない。As a method of this appearance inspection, it is conventionally used that a plurality of identical chip patterns are drawn on one reticle, and after transferring this to a photoresist on the wafer, two reticle patterns are printed on the wafer. A method of detecting a pattern defect by comparing chip patterns has been proposed. However, as semiconductors have become highly integrated and have a large area, only one chip pattern is being written on one reticle. For such a chip pattern, the above method is used. Is not applicable.
そこで、このようなチップパターンの検査方法として、
ウエハ上のチップパターンに対し、例えばレチクル製造
時の設計パターンを手本パターンとして、両者を比較検
査する方法が考えられる。この方法は、フォトマスクや
レチクルパターンの外観検査では、次のような理由で広
く実用化されている方法である。すなわち、フォトマス
クやレチクルに透過照明を行い、イメージセンサで撮像
した場合、回路パターンは非常に高いコントラストで撮
像できるため、しきい値処理により2値化データで表わ
される設計パターンと容易に比較検査できるためであ
る。しかし、フォトレジストパターンは透明なパターン
であるため、フォトレジスト部分と下地のウエハ表面と
のコントラストが非常に低く、フォトマスクやレチクル
パターンの場合に比べて設計パターンとの比較は難し
い。Therefore, as a method of inspecting such a chip pattern,
For example, a method of comparing and inspecting a chip pattern on a wafer by using, for example, a design pattern at the time of manufacturing a reticle as a model pattern can be considered. This method is widely used in visual inspection of photomasks and reticle patterns for the following reasons. In other words, when a photomask or reticle is illuminated with transmitted light and an image is picked up by an image sensor, the circuit pattern can be picked up with an extremely high contrast, so that the comparison pattern can be easily compared with a design pattern represented by binary data by thresholding. Because you can. However, since the photoresist pattern is a transparent pattern, the contrast between the photoresist portion and the underlying wafer surface is very low, and it is difficult to compare it with the design pattern as compared with the case of a photomask or reticle pattern.
上記の点を考慮して、フォトレジストパターンと設計パ
ターンとを比較検査する方法として、例えばエス ピー
アイ イー、第538巻、オプチカル マイクロリソグ
ラフィーIV(1985年)、第122頁から第129頁(SPIE、Vo
l.538、Optical Microlithography IV(1985)pp122-12
9)に記載されている方法がある。この方法は、フォト
レジストパターンをイメージセンサで撮像する際に、光
学フィルタを用いてウエハからの反射光の波長を限定
し、回路パターンとのコントラストを向上させるもので
ある。フォトレジストは透明薄膜であるため、光が入射
すると、フォトレジスト表面からの反射光と、フォトレ
ジストを透過し下地との境界面で反射した光とが干渉を
起こし、このため、フォトレジストの膜厚に応じて、あ
る波長の光は強めあい、他のある波長の光は弱めあう。
そこで、前記光学フィルタの透過波長帯域を選択するこ
とにより、フォトレジスト部分を暗く検出し、コントラ
ストの高い画像を得ることができ、フォトマスクやレチ
クルパターンの場合と同様な手法により、容易に設計パ
ターンとの比較検査が行えるというものである。Considering the above points, as a method for comparing and inspecting a photoresist pattern and a design pattern, for example, SPII, Volume 538, Optical Microlithography IV (1985), Pages 122 to 129 (SPIE , Vo
l.538, Optical Microlithography IV (1985) pp122-12
There is a method described in 9). This method limits the wavelength of the reflected light from the wafer by using an optical filter when the photoresist pattern is imaged by the image sensor, and improves the contrast with the circuit pattern. Since the photoresist is a transparent thin film, when light is incident on it, the light reflected from the photoresist surface interferes with the light that has passed through the photoresist and reflected at the boundary surface with the underlying layer. Depending on the thickness, light of one wavelength strengthens each other and light of another wavelength weakens each other.
Therefore, by selecting the transmission wavelength band of the optical filter, the photoresist portion can be detected darkly and an image with high contrast can be obtained, and a design pattern can be easily obtained by the same method as in the case of a photomask or reticle pattern. It is possible to perform a comparative inspection with.
上記従来技術は、フォトレジストパターンの膜厚むらの
点に配慮がされておらず、膜厚むらのため場所によって
はコントラストが低下し、設計パターンとの比較検査が
できないという課題を有していた。The above-mentioned prior art does not consider unevenness in the film thickness of the photoresist pattern, and has a problem that the contrast is lowered in some places due to the unevenness of the film thickness and a comparison inspection with the design pattern cannot be performed. .
上記従来技術においては、検査するフォトレジストパタ
ーンの膜厚は均一でなければならない。すなわち、フォ
トレジストを暗く検出するための光学フィルタの特性
は、そのフォトレジストの膜厚に依存しており、1チッ
プ内で膜厚にむらがある場合には、場所によってフォレ
ジスト部分のコントラストが低下し、しきい値処理によ
りフォトレジスト部分のみを完全に2値化することは困
難となる。In the above conventional technique, the photoresist pattern to be inspected must have a uniform film thickness. That is, the characteristics of the optical filter for detecting the photoresist darkly depend on the thickness of the photoresist, and if the thickness of the photoresist is uneven within one chip, the contrast of the photoresist may vary depending on the location. It becomes difficult to completely binarize only the photoresist portion by thresholding.
一方、実際のLSI製造工程では、フォトレジスト塗布
時の膜厚むら、および現像時の膜厚むらなどが発生す
る。また、最近では膜厚よりも細い線幅の回路パターン
が存在するが、このようなパターンでは、幅の広いパタ
ーンに比べて膜厚は薄くなってしまう。On the other hand, in the actual LSI manufacturing process, film thickness unevenness during photoresist coating and film thickness unevenness during development occur. In addition, recently, there is a circuit pattern having a line width smaller than the film thickness, but such a pattern has a smaller film thickness than a pattern having a wide width.
このため、上記従来技術では、1チップ内でフォトレジ
ストパターンに膜厚むらがある場合、パターンを2値化
することができず、設計パターンとの比較検査ができな
い。For this reason, in the above-mentioned conventional technique, if the photoresist pattern has unevenness in film thickness within one chip, the pattern cannot be binarized, and the comparison inspection with the design pattern cannot be performed.
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、不
透明な基板上に透明なパターンを有する被検査対象につ
いて透明なパターンの膜厚むらや膜厚変動に影響される
ことなく、透明なパターンの膜厚の変化に応じた明るさ
に対応すると共に前記透明なパターンの境界の段差部か
ら暗く変化して極値を示す濃淡画像信号と該透明なパタ
ーンの手本となる手本パターン信号とに基づいて透明パ
ターンの欠陥を高信頼度で検出できるようにしたパター
ン検査方法およびその装置を提供することにある。It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art by making a transparent film on an object to be inspected having a transparent pattern on an opaque substrate, without being affected by film thickness unevenness and film thickness variation of the transparent pattern. A grayscale image signal that corresponds to the brightness according to the change in the film thickness of the pattern and changes darkly from the step of the boundary of the transparent pattern to show an extreme value, and a model pattern signal that serves as a model for the transparent pattern It is an object of the present invention to provide a pattern inspection method and apparatus capable of detecting a defect in a transparent pattern with high reliability based on
本発明は、上記目的を達成するために、不透明な基板上
に透明なパターンを有する被検査対象から前記透明なパ
ターンの膜厚の変化に応じた明るさに対応すると共に前
記透明なパターンの境界の段差部から暗く変化して極値
を示す濃淡画像信号を検出し、前記透明なパターンの手
本となる手本パターン信号を発生させ、前記検出された
濃淡画像信号に対する前記発生された手本パターン信号
の位置ずれを補正して位置合わせをし、該位置合わせさ
れた手本パターン信号により前記検出された濃淡画像信
号の内正常な透明パターンによる濃淡画像信号をマスキ
ングしてマスキングされなかった濃淡画像信号における
変化の極値を示すエッジ信号により前記被検査対象にお
ける透明パターンの欠陥を検出することを特徴とするパ
ターン検査方法である。また本発明は、不透明な基板上
に透明なパターンを有する被検査対象から前記透明なパ
ターンの膜厚の変化に応じた明るさに対応すると共に前
記透明なパターンの境界の段差部から暗く変化して極値
を示す濃淡画像信号を検出し、前記透明なパターンの手
本となる手本パターン信号を発生させ、前記検出された
濃淡画像信号に対する前記発生された手本パターン信号
の位置ずれを補正して位置合わせをし、前記検出された
濃淡画像信号から変化の極値を示す信号を抽出し、前記
位置合わせされた手本パターン信号により前記抽出され
た変化の極値を示す信号の内正常な透明パターンによる
変化の極値を示す信号をマスキングしてマスキングされ
なかった濃淡画像信号の変化の極値を示すエッジ信号に
より前記被検査対象における透明パターンの欠陥を検出
することを特徴とするパターン検査方法である。また本
発明は、不透明な基板上に透明なパターンを有する被検
査対象から前記透明なパターンの膜厚の変化に応じた明
るさに対応すると共に前記透明なパターンの境界の段差
部から暗く変化して極値を示す濃淡画像信号を検出する
濃淡画像信号検出手段と、前記透明なパターンの手本と
なる手本パターン信号を発生させる手本パターン信号発
生手段と、前記濃淡画像信号検出手段により検出された
濃淡画像信号に対する前記発生された手本パターン信号
の位置ずれを補正して位置合わせをする位置ずれ補正手
段と、該位置ずれ補正手段により位置合わせされた手本
パターン信号により前記濃淡画像信号検出手段により検
出された濃淡画像信号の内正常な透明パターンによる濃
淡画像信号をマスキングしてマスキングされなかった濃
淡画像信号における変化の極値を示すエッジ信号により
前記被検査対象における透明パターンの欠陥を検出する
マスキング欠陥検出手段とを備えたことを特徴とするパ
ターン検査装置である。また本発明は、不透明な基板上
に透明なパターンを有する被検査対象から前記透明なパ
ターンの膜厚の変化に応じた明るさに対応すると共に前
記透明なパターンの境界の段差部から暗く変化して極値
を示す濃淡画像信号を検出する濃淡画像信号検出手段
と、前記透明なパターンの手本となる手本パターン信号
を発生させる手本パターン信号発生手段と、前記濃淡画
像信号検出手段により検出された濃淡画像信号に対する
前記発生された手本パターン信号の位置ずれを補正して
位置合わせをする位置ずれ補正手段と、前記濃淡画像信
号検出手段により検出された濃淡画像信号から変化の極
値を示す信号を抽出する変化の極値を示す信号抽出手段
と、前記位置ずれ補正手段により位置合わせされた手本
パターン信号により前記変化の極値を示す信号抽出手段
により抽出された変化の極値を示す信号の内正常な透明
パターンによる変化の極値を示す信号をマスキングして
マスキングされなかった変化の極値を示すエッジ信号に
より前記被検査対象における透明パターンの欠陥を検出
するマスキング欠陥検出手段とを備えたことを特徴とす
るパターン検査装置である。また本発明は、前記パター
ン検査装置において、前記マスキング欠陥検出手段は、
前記手本パターン信号により前記濃淡画像信号をマスキ
ングするマスキング手段と該マスキング手段でマスキン
グされる濃淡画像信号に対して所定の閾値で2値化して
前記変化の極値を示すエッジ信号を得る2値化手段とで
構成したことを特徴とする。また本発明は、前記パター
ン検査装置において、前記変化の極値を示す信号抽出手
段を、前記濃淡画像信号に対して微分処理を施して変化
の極値を示す信号を抽出する微分手段で構成したことを
特徴とする。また本発明は、前記パターン検査装置にお
いて、前記マスキング欠陥検出手段は、前記マスキング
欠陥検出手段は、前記手本パターン信号により前記変化
の極値を示す信号をマスキングするマスキング手段と該
マスキング手段でマスキングされる変化の極値を示す信
号に対して所定の閾値で2値化して前記変化の極値を示
すエッジ信号を得る2値化手段とで構成したことを特徴
とする。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention corresponds to the brightness according to the change of the film thickness of the transparent pattern from the inspection object having the transparent pattern on the opaque substrate and the boundary of the transparent pattern. Detecting a grayscale image signal that changes darkly from the stepped portion to show an extreme value and generate a model pattern signal that serves as a model for the transparent pattern, and the generated model for the detected grayscale image signal. The misalignment of the pattern signal is corrected for alignment, and the grayscale image signal of the normal transparent pattern among the detected grayscale image signals is masked by the aligned model pattern signal and the grayscale that is not masked. A pattern inspection method characterized by detecting a defect of a transparent pattern in the inspection target by an edge signal indicating an extreme value of a change in an image signal. That. Further, the present invention corresponds to the brightness corresponding to the change in the film thickness of the transparent pattern from the inspection object having the transparent pattern on the opaque substrate, and changes from the step difference at the boundary of the transparent pattern to dark. A grayscale image signal showing an extreme value to generate a model pattern signal that serves as a model for the transparent pattern, and corrects the positional deviation of the generated model pattern signal with respect to the detected grayscale image signal. Then, the signal indicating the extreme value of the change is extracted from the detected gray-scale image signal, and the normal signal is extracted from the signals indicating the extreme value of the change extracted by the aligned model pattern signal. Transparent pattern in the object to be inspected by an edge signal showing the extreme value of the change of the grayscale image signal which is not masked by masking the signal showing the extreme value of change due to the transparent pattern A pattern inspection method characterized by detecting defects. Further, the present invention corresponds to the brightness corresponding to the change in the film thickness of the transparent pattern from the inspection object having the transparent pattern on the opaque substrate, and changes from the step difference at the boundary of the transparent pattern to dark. And a grayscale image signal detecting means for detecting a grayscale image signal indicating an extreme value, a model pattern signal generating means for generating a model pattern signal serving as a model for the transparent pattern, and a grayscale image signal detecting means for detecting Position shift correcting means for correcting the position shift of the generated model pattern signal with respect to the generated grayscale image signal to perform positioning, and the grayscale image signal by the model pattern signal aligned by the position shift correcting means. A grayscale image signal not masked by masking the grayscale image signal by a normal transparent pattern among the grayscale image signals detected by the detection means Is a pattern inspection apparatus characterized by comprising a masking defect detecting means for detecting defects of a transparent pattern in the object to be inspected by the edge signal which indicates the extremes of definitive change. Further, the present invention corresponds to the brightness corresponding to the change in the film thickness of the transparent pattern from the inspection object having the transparent pattern on the opaque substrate, and changes from the step difference at the boundary of the transparent pattern to dark. And a grayscale image signal detecting means for detecting a grayscale image signal indicating an extreme value, a model pattern signal generating means for generating a model pattern signal serving as a model for the transparent pattern, and a grayscale image signal detecting means for detecting Position deviation correction means for correcting the position deviation of the generated model pattern signal with respect to the generated grayscale image signal to perform alignment, and an extreme value of change from the grayscale image signal detected by the grayscale image signal detection means. Signal extracting means for extracting the signal indicating the extreme value of the change, and signal for indicating the extreme value of the change by the model pattern signal aligned by the position shift correcting means. The signal indicating the extreme value of the change due to the normal transparent pattern of the signal indicating the extreme value of the change extracted by the extracting means is masked to clear the inspected object by the edge signal indicating the extreme value of the change not masked. A pattern inspection apparatus comprising: masking defect detecting means for detecting a pattern defect. Further, the present invention is the pattern inspection apparatus, wherein the masking defect detecting means comprises:
A masking means for masking the grayscale image signal with the model pattern signal and a binary value for binarizing the grayscale image signal masked by the masking means with a predetermined threshold value to obtain an edge signal showing the extreme value of the change. It is characterized in that it is configured with a conversion means. In the pattern inspection apparatus according to the present invention, the signal extracting means for indicating the extreme value of change is constituted by differentiating means for performing a differentiating process on the grayscale image signal to extract a signal indicating the extreme value of change. It is characterized by According to the present invention, in the pattern inspection apparatus, the masking defect detecting means masks the signal showing the extreme value of the change by the masking defect detecting means and the masking means. And a binarizing means for binarizing the signal indicating the extreme value of the change with a predetermined threshold to obtain an edge signal indicating the extreme value of the change.
本発明は、透明なパターンの境界の段差部から検出され
る暗く変化して極値を示す濃淡画像信号に着目して、不
透明な基板上に有するフォトレジスト等の透明なパター
ンの膜厚むらや膜厚変動に応じて検出される濃淡画像信
号の明るさに変動が生じても、この濃淡画像信号の変動
を誤認識することなく、透明パターンの突起欠陥、孤立
欠陥、短絡欠陥等の真の欠陥を、検出された濃淡画像信
号から識別して検出できるようにしたことにある。即ち
本発明は、上記構成により、不透明な基板上に有するフ
ォトレジストパターン等の透明なパターンの膜厚むらや
膜厚変動に影響を受けることなく、透明パターンの突起
欠陥、孤立欠陥、短絡欠陥等の真の欠陥を高信頼度で検
出できるようにしたことにある。ところで、フォトレジ
ストパターン等の透明なパターンの欠陥は、前述したよ
うに、レチクル上あるいはステッパ光学系に付着した異
物が原因となって発生するものである。そのため、フォ
トレジストパターンに存在する欠陥は、第10図に示す
ように、フォトレジストパターン10に対し、突起1、
孤立点2、短絡3など、本来フォトレジストが存在すべ
きではないところに余分なフォトレジストが残ってしま
った欠陥である。第11図に、第10図に示す欠陥を含
む検査パターンに対する手本パターンを示す。第12図
は、第10図に示す検査パターンと第11図に示す手本
パターンとを重ね合わせたもので、ハッチングを施した
部分が検査禁止領域11、それ以外が検査領域12であ
る。第12図からわかるように、検査領域12では、平
坦でほぼ一様な反射率をもつウエハ表面にフォトレジス
トパターンの欠陥部のみが存在しているため、容易にこ
れらの欠陥を検出することが可能となる。The present invention focuses on a dark and light image signal that shows a dark and extreme value detected from a step portion at the boundary of a transparent pattern, and focuses on the uneven thickness of a transparent pattern such as a photoresist on an opaque substrate. Even if the brightness of the grayscale image signal detected according to the film thickness fluctuation fluctuates, the fluctuation of the grayscale image signal is not erroneously recognized, and the true defect such as a protrusion defect, an isolated defect, or a short circuit defect of the transparent pattern is generated. The purpose is to make it possible to detect a defect by distinguishing it from the detected grayscale image signal. That is, according to the present invention, according to the above configuration, the projection defect, the isolated defect, the short circuit defect, etc. of the transparent pattern are not affected by the film thickness unevenness and the film thickness variation of the transparent pattern such as the photoresist pattern on the opaque substrate. This is to make it possible to detect the true defect of the with high reliability. By the way, as described above, a defect in a transparent pattern such as a photoresist pattern is caused by a foreign substance attached to the reticle or the stepper optical system. Therefore, the defects existing in the photoresist pattern are, as shown in FIG.
This is a defect in which extra photoresist remains in places where the photoresist should not exist, such as isolated points 2 and short circuits 3. FIG. 11 shows a model pattern for the inspection pattern including the defect shown in FIG. FIG. 12 shows the inspection pattern shown in FIG. 10 and the model pattern shown in FIG. 11 superimposed on each other. The hatched portion is the inspection prohibited area 11, and the other portions are the inspection area 12. As can be seen from FIG. 12, in the inspection area 12, since only defective portions of the photoresist pattern exist on the wafer surface having a flat and substantially uniform reflectance, these defects can be easily detected. It will be possible.
以下、本発明の実施例を図面により説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例に用いる欠陥検出回路の構成
を示すブロック図である。図において、パターン検出器
20で検出した検査パターンは、A/D変換器21によ
り、数ビットのディジタル信号の検査パターン27に変
換する。手本パターン発生器22では、パターン発生器
20に同期した手本パターン28を発生する。検査パタ
ーン27と手本パターン28とを位置合わせするため、
位置ずれ検出器23によって手本パターン28と検査パ
ターン27との位置ずれ量を求めた後、位置ずれ補正回
路24により手本パターン28をシフトして、検査パタ
ーン27に位置合わせする。マスキング回路25で、検
査パターン27を、位置合わせの済んだ手本パターン2
9によりマスキングした後、マスキング回路25の出力
を2値化回路26により2値化し、欠陥とする。FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a defect detection circuit used in an embodiment of the present invention. In the figure, the inspection pattern detected by the pattern detector 20 is converted into an inspection pattern 27 of a digital signal of several bits by an A / D converter 21. The model pattern generator 22 generates a model pattern 28 synchronized with the pattern generator 20. In order to align the inspection pattern 27 and the model pattern 28,
After the positional deviation detector 23 determines the positional deviation amount between the model pattern 28 and the inspection pattern 27, the positional deviation correction circuit 24 shifts the model pattern 28 to align it with the inspection pattern 27. The masking circuit 25 converts the inspection pattern 27 into a model pattern 2 that has been aligned.
After masking by 9, the output of the masking circuit 25 is binarized by the binarizing circuit 26 to be a defect.
ここで、パターン検出器20によって得られるフォトレ
ジストパターンの映像信号について説明する。第2図
(a)は検査パターンの一部分の断面を示したもので、ウ
エハ32上にフォトレジストパターン31が形成されて
いる。平坦なフォトレジスト部分の面に垂直に入射した
光33は、フォトレジスト表面あるいはフォトレジスト
とウエハとの境界面で反射し、入射してきた方向に戻
る。ウエハ表面に入射した光35も同様である。しか
し、フォトレジストパターンのエッジ部分に入射した光
34は、フォトレジスト表面で反射した後ウエハ表面で
再度反射する光36と、フォトレジスト表面から屈折し
て内部に入り、ウエハとの境界面で反射する光37とに
なり、入射方向に戻る光はない。このため、反射光の映
像信号を示す同図(b)のように、パターンのエッジ部分
は他の部分と比べて暗く検出される。Here, the video signal of the photoresist pattern obtained by the pattern detector 20 will be described. Fig. 2
(a) shows a partial cross section of the inspection pattern, and a photoresist pattern 31 is formed on the wafer 32. The light 33 perpendicularly incident on the surface of the flat photoresist portion is reflected by the photoresist surface or the boundary surface between the photoresist and the wafer and returns in the incident direction. The same applies to the light 35 incident on the wafer surface. However, the light 34 incident on the edge portion of the photoresist pattern is reflected by the photoresist surface and then reflected again by the wafer surface, and the light 36 is refracted from the photoresist surface and enters the inside, and is reflected by the boundary surface with the wafer. There is no light returning to the incident direction. Therefore, the edge portion of the pattern is detected darker than the other portions, as shown in FIG. 7B showing the video signal of the reflected light.
次に、第1図に示したマスキング回路25および2値化
回路26の動作について説明する。第3図は突起欠陥1
を含むフォトレジストパターン10を示したもので、第
4図(a)は第3図のA−A′部分の映像信号の波形図で
あり、第2図に示したように、パターンエッジ部分は暗
く検出される。第2図(a)において、フォトレジストパ
ターン10a,10bにそれぞれ対応する映像信号レベ
ルが異なっているのは、パターン10aと10bとに膜
厚差があることを示している。同図(b)は手本パターン
の映像信号の波形図であり、フォトレジストの部分が
“1”、フォトレジストのない部分が“0”となってい
る。第1図に示したマスキング回路25では、手本パタ
ーンが“1”のとき、検査パターンが取り得る最大値
(8ビットの信号の場合は“255”)を出力し、手本パ
ターンが“0”のときは、入力した検査パターンの値を
そのまま出力する。第4図(c)はマスキング回路25の
出力の波形図である。図からわかるように、正常なパタ
ーン部分は、フォトレジストの膜厚によらず、すべて最
大値となっている。この信号を適当なしきい値VTHで2
値化したものが同図(d)であり、図中“0”になってい
る部分が欠陥を示している。Next, operations of the masking circuit 25 and the binarization circuit 26 shown in FIG. 1 will be described. Figure 3 shows protrusion defect 1
FIG. 4 (a) is a waveform diagram of the video signal of the portion AA ′ in FIG. 3, and FIG. It is detected darkly. In FIG. 2 (a), the video signal levels corresponding to the photoresist patterns 10a and 10b are different, which means that there is a film thickness difference between the patterns 10a and 10b. FIG. 2B is a waveform diagram of the video signal of the model pattern, in which the photoresist portion is "1" and the photoresist-free portion is "0". In the masking circuit 25 shown in FIG. 1, when the model pattern is "1", the maximum value that the inspection pattern can take ("255" in the case of an 8-bit signal) is output, and the model pattern is "0". In case of ", the value of the input inspection pattern is output as it is. FIG. 4 (c) is a waveform diagram of the output of the masking circuit 25. As can be seen from the figure, the normal pattern portion has the maximum value irrespective of the photoresist film thickness. This signal is 2 with an appropriate threshold value V TH
The value is shown in FIG. 6D, and the portion marked with “0” in the drawing indicates a defect.
第5図は本実施例のマスキング回路25の具体的な一例
を示す構成図である。図では、検査パターンが8ビット
信号である場合を示しており、マスキング回路は8個の
OR回路401〜408で構成されている。そして、手本パタ
ーン29が“1”のときは、出力は“255”であり、
“0”のときは、入力した検査パターンの値がそのまま
出力される。このように手本パターン29が“1”のと
きにその出力を最大値にすることにより、正常なフォト
レジストパターン部分を検査禁止領域とし、次段の2値
化回路26で欠陥が誤検出されるのを防ぐことができ
る。本実施例によれば、数個のOR回路と2値化回路だ
けで欠陥検出回路の要部が構成できるため、回路の小形
化が図れる。FIG. 5 is a block diagram showing a concrete example of the masking circuit 25 of this embodiment. The figure shows the case where the inspection pattern is an 8-bit signal, and the masking circuit is composed of eight OR circuits 401 to 408. When the model pattern 29 is "1", the output is "255",
When it is "0", the value of the input inspection pattern is output as it is. Thus, by setting the output to the maximum value when the model pattern 29 is "1", the normal photoresist pattern portion is set as the inspection prohibited area, and the defect is erroneously detected by the binarization circuit 26 in the next stage. Can be prevented. According to the present embodiment, since the main part of the defect detection circuit can be constructed by only a few OR circuits and a binarization circuit, the circuit can be miniaturized.
第6図は本発明の他の実施例に用いる欠陥検出回路の構
成を示すブロック図である。本実施例においては、A/
D変換された検査パターン27を、エッジ検出回路50
を介してマスキング回路25に入力している。FIG. 6 is a block diagram showing the structure of a defect detection circuit used in another embodiment of the present invention. In this embodiment, A /
The D-converted inspection pattern 27 is applied to the edge detection circuit 50.
It is input to the masking circuit 25 via.
以下、このエッジ検出回路50の動作を、第7図により
説明する。第7図は第3図と同様に、同図(a)は突起欠
陥1を含むフォトレジストパターン10を示し、同図
(b)は同図(a)のA−A′部分の映像信号の波形図、同図
(c)は対応する手本パターンを示す。さて、検査パター
ンの映像信号は、エッジ検出回路50により、例えば2
次微分を行ってパターンエッジ信号51に変換される。
第7図(d)はこのパターンエッジ信号51の波形図であ
る。マスキング回路25は、このパターンエッジ信号5
1を入力し、手本パターン29が“1”のときは、出力
を“0”とし、手本パターン29が“0”のときは、入
力したパターンエッジ信号51をそのまま出力する。第
7図(e)はマスキング回路25の出力の波形図であるこ
の出力信号を2値化回路26により、適当なしきい値V
THで2値化したものが、同図(f)の波形図であり、出力
が“1”になっている部分が欠陥を示している。なお、
2値化回路26で2値化した後、マスキング回路25で
マスキングしても同様な結果(第7図(f)に示す。)が
得られることは明らかである。The operation of the edge detection circuit 50 will be described below with reference to FIG. FIG. 7 is the same as FIG. 3, and FIG. 7 (a) shows a photoresist pattern 10 including protrusion defects 1.
(b) is a waveform diagram of the video signal of the portion AA 'in FIG.
(c) shows the corresponding model pattern. Now, the video signal of the inspection pattern is, for example, 2 by the edge detection circuit 50.
The second differentiation is performed and the pattern edge signal 51 is converted.
FIG. 7 (d) is a waveform diagram of the pattern edge signal 51. The masking circuit 25 uses the pattern edge signal 5
When 1 is input and the example pattern 29 is "1", the output is "0", and when the example pattern 29 is "0", the input pattern edge signal 51 is output as it is. FIG. 7 (e) is a waveform diagram of the output of the masking circuit 25. This output signal is converted to an appropriate threshold value V by the binarization circuit 26.
The waveform binarized by TH is the waveform diagram of FIG. 6 (f), and the portion where the output is “1” indicates the defect. In addition,
It is obvious that the same result (shown in FIG. 7 (f)) can be obtained by performing masking by the masking circuit 25 after binarizing by the binarizing circuit 26.
第8図は本実施例のマスキング回路26の具体的な一例
を示す構成図で、第5図の場合と同様、検査パターン
(パターンエッジ信号)が8ビット信号である場合を例
に示している。本回路は、第5図のOR回路401〜408を
AND回路601〜608に代え、かつ手本パターン側の入力回
路にいNOT回路61を追加挿入したもので、手本パター
ンが“1”のときは、出力は“0”になり、手本パター
ン“0”のときは、入力がそのまま出力される。FIG. 8 is a block diagram showing a concrete example of the masking circuit 26 of the present embodiment. As in the case of FIG. 5, the case where the inspection pattern (pattern edge signal) is an 8-bit signal is shown as an example. . This circuit corresponds to the OR circuits 401 to 408 in FIG.
The NOT circuit 61 is additionally inserted in the input circuit on the model pattern side instead of the AND circuits 601 to 608. When the model pattern is "1", the output is "0", and the pattern pattern is When it is "0", the input is output as it is.
なお、上述した実施例では、設計パターンから発生した
手本パターンで直接検査パターンをマスキングする例に
ついて説明したが、実際のフォトレジストパターンは、
第9図(a)に示すように、同図(b)に示す設計パターンに
比べて、かど部が丸みを帯びていたり、パターン幅が細
くなっていたりする。このため、レチクルやマスクパタ
ーンの検査の際によく行われるように、あらかじめ設計
パターンを検査パターンの形状に一致するように修正し
たものを手本パターンとして用いれば、欠陥検出性能を
さらに向上させることができる。Note that, in the above-described embodiment, an example in which the inspection pattern is directly masked with the model pattern generated from the design pattern has been described, but the actual photoresist pattern is
As shown in FIG. 9 (a), the corners are more rounded or the pattern width is narrower than the design pattern shown in FIG. 9 (b). Therefore, the defect detection performance can be further improved by using, as a model pattern, a design pattern that is previously corrected so as to match the shape of the inspection pattern, as is often done when inspecting a reticle or mask pattern. You can
本発明によれば、透明なパターンの境界の段差部から検
出される暗く変化して極値を示す濃淡画像信号に着目し
て透明パターンの欠陥を検出するようにしたので、不透
明な基板上に有するフォトレジスト等の透明なパターン
の膜厚むらや膜厚変動に応じて検出される濃淡画像信号
の明るさに変動が生じても、この濃淡画像信号の変動を
誤認識することなく、透明パターンの突起欠陥、孤立欠
陥、短絡欠陥等の真の欠陥を高信頼度で検出することが
でき、半導体集積回路の歩留まり向上、製品の信頼性向
上および原価低減等において顕著な効果を奏する。According to the present invention, the defect of the transparent pattern is detected by paying attention to the grayscale image signal that changes darkly and shows the extreme value which is detected from the stepped portion of the boundary of the transparent pattern. Even if the brightness of the grayscale image signal detected varies depending on the thickness unevenness of the transparent pattern of the photoresist or the like and the variation of the thickness, the transparent pattern does not erroneously recognize the variation of the grayscale image signal. True defects such as protrusion defects, isolated defects, short-circuit defects, etc. can be detected with high reliability, and remarkable effects can be obtained in improving the yield of semiconductor integrated circuits, improving the reliability of products, and reducing costs.
第1図は本発明の一実施例に用いる欠陥検出回路の構成
を示すブロック図、第2図はフォトレジストパターンの
映像信号の説明図、第3図および第4図は第1図に示す
実施例における信号処理方式の説明図、第5図は第1図
中のマスキング回路の具体例を示す構成図、第6図は本
発明の他の実施例に用いる欠陥検出回路の構成を示すブ
ロック図、第7図は第6図に示す実施例における信号処
理方式の説明図、第8図は第6図中のマスキング回路の
具体例を示す構成図、第9図は実際のフォトレジストパ
ターンが設計パターンから変形していることの説明図、
第10図ないし第12図は本発明によるパターン欠陥検
査方法の原理説明図である。 20……パターン検出器, 21……A/D変換器, 22……手本パターン発生器, 23……位置ずれ検出器, 24……位置ずれ補正回路, 25……マスキング回路, 26……2値化回路, 401〜408……OR回路, 50……エッジ検出回路, 601〜608……AND回路, 61……NOT回路。FIG. 1 is a block diagram showing the structure of a defect detection circuit used in an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of a video signal of a photoresist pattern, and FIGS. 3 and 4 are implementations shown in FIG. 5 is an explanatory view of a signal processing system in an example, FIG. 5 is a block diagram showing a concrete example of a masking circuit in FIG. 1, and FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a defect detection circuit used in another embodiment of the present invention. FIG. 7 is an explanatory view of a signal processing system in the embodiment shown in FIG. 6, FIG. 8 is a configuration diagram showing a concrete example of the masking circuit in FIG. 6, and FIG. 9 is an actual photoresist pattern designed. Explanatory drawing of being transformed from the pattern,
10 to 12 are explanatory views of the principle of the pattern defect inspection method according to the present invention. 20 ... Pattern detector, 21 ... A / D converter, 22 ... Sample pattern generator, 23 ... Positional deviation detector, 24 ... Positional deviation correction circuit, 25 ... Masking circuit, 26 ... Binary circuit, 401 to 408 ... OR circuit, 50 ... Edge detection circuit, 601 to 608 ... AND circuit, 61 ... NOT circuit.
Claims (7)
被検査対象から前記透明なパターンの膜厚の変化に応じ
た明るさに対応すると共に前記透明なパターンの境界の
段差部から暗く変化して極値を示す濃淡画像信号を検出
し、前記透明なパターンの手本となる手本パターン信号
を発生させ、前記検出された濃淡画像信号に対する前記
発生された手本パターン信号の位置ずれを補正して位置
合わせをし、該位置合わせされた手本パターン信号によ
り前記検出された濃淡画像信号の内正常な透明パターン
による濃淡画像信号をマスキングしてマスキングされな
かった濃淡画像信号における変化の極値を示すエッジ信
号により前記被検査対象における透明パターンの欠陥を
検出することを特徴とするパターン検査方法。1. An object to be inspected having a transparent pattern on an opaque substrate, which corresponds to the brightness according to a change in the film thickness of the transparent pattern, and changes from a step portion at the boundary of the transparent pattern to a dark one. A grayscale image signal showing an extreme value to generate a model pattern signal that serves as a model for the transparent pattern, and corrects the positional deviation of the generated model pattern signal with respect to the detected grayscale image signal. Then, the extreme value of the change in the grayscale image signal not masked by masking the grayscale image signal by the normal transparent pattern of the grayscale image signal detected by the aligned model pattern signal A pattern inspection method, wherein a defect of the transparent pattern in the inspection object is detected by an edge signal indicating
被検査対象から前記透明なパターンの膜厚の変化に応じ
た明るさに対応すると共に前記透明なパターンの境界の
段差部から暗く変化して極値を示す濃淡画像信号を検出
し、前記透明なパターンの手本となる手本パターン信号
を発生させ、前記検出された濃淡画像信号に対する前記
発生された手本パターン信号の位置ずれを補正して位置
合わせをし、前記検出された濃淡画像信号から変化の極
値を示す信号を抽出し、前記位置合わせされた手本パタ
ーン信号により前記抽出された変化の極値を示す信号の
内正常な透明パターンによる変化の極値を示す信号をマ
スキングしてマスキングされなかった濃淡画像信号の変
化の極値を示すエッジ信号により前記被検査対象におけ
る透明パターンの欠陥を検出することを特徴とするパタ
ーン検査方法。2. An object to be inspected having a transparent pattern on an opaque substrate, which corresponds to the brightness according to the change in the film thickness of the transparent pattern, and which changes dark from the step of the boundary of the transparent pattern. A grayscale image signal showing an extreme value to generate a model pattern signal that serves as a model for the transparent pattern, and corrects the positional deviation of the generated model pattern signal with respect to the detected grayscale image signal. Then, the signal indicating the extreme value of the change is extracted from the detected gray-scale image signal, and the normal signal is extracted from the signals indicating the extreme value of the change extracted by the aligned model pattern signal. Of the transparent pattern in the object to be inspected by masking the signal showing the extreme value of the change due to the transparent pattern Pattern inspection method characterized by detecting a Recessed.
被検査対象から前記透明なパターンの膜厚の変化に応じ
た明るさに対応すると共に前記透明なパターンの境界の
段差部から暗く変化して極値を示す濃淡画像信号を検出
する濃淡画像信号検出手段と、前記透明なパターンの手
本となる手本パターン信号を発生させる手本パターン信
号発生手段と、前記濃淡画像信号検出手段により検出さ
れた濃淡画像信号に対する前記発生された手本パターン
信号の位置ずれを補正して位置合わせをする位置ずれ補
正手段と、該位置ずれ補正手段により位置合わせされた
手本パターン信号により前記濃淡画像信号検出手段によ
り検出された濃淡画像信号の内正常な透明パターンによ
る濃淡画像信号をマスキングしてマスキングされなかっ
た濃淡画像信号における変化の極値を示すエッジ信号に
より前記被検査対象における透明パターンの欠陥を検出
するマスキング欠陥検出手段とを備えたことを特徴とす
るパターン検査装置。3. An object to be inspected having a transparent pattern on an opaque substrate, which corresponds to a brightness corresponding to a change in the film thickness of the transparent pattern, and which changes dark from a step portion at a boundary of the transparent pattern. And a grayscale image signal detecting means for detecting a grayscale image signal indicating an extreme value, a model pattern signal generating means for generating a model pattern signal serving as a model for the transparent pattern, and a grayscale image signal detecting means for detecting Position shift correcting means for correcting the position shift of the generated model pattern signal with respect to the generated grayscale image signal to perform positioning, and the grayscale image signal by the model pattern signal aligned by the position shift correcting means. Of the grayscale image signals detected by the detection means, the grayscale image signal with a normal transparent pattern is masked to obtain a grayscale image signal not masked. Pattern inspection apparatus by the edge signal which indicates the extremes of kicking change characterized by comprising a masking defect detecting means for detecting defects of a transparent pattern in the object to be inspected.
パターン信号により前記濃淡画像信号をマスキングする
マスキング手段と該マスキング手段でマスキングされる
濃淡画像信号に対して所定の閾値で2値化して前記変化
の極値を示すエッジ信号を得る2値化手段とで構成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のパターン
検査装置。4. The masking defect detection means binarizes a grayscale image signal masked by the model pattern signal and the grayscale image signal masked by the masking means, and binarizes the grayscale image signal with a predetermined threshold value. 4. The pattern inspection apparatus according to claim 3, further comprising a binarizing unit that obtains an edge signal indicating an extreme value of change.
被検査対象から前記透明なパターンの膜厚の変化に応じ
た明るさに対応すると共に前記透明なパターンの境界の
段差部から暗く変化して極値を示す濃淡画像信号を検出
する濃淡画像信号検出手段と、前記透明なパターンの手
本となる手本パターン信号を発生させる手本パターン信
号発生手段と、前記濃淡画像信号検出手段により検出さ
れた濃淡画像信号に対する前記発生された手本パターン
信号の位置ずれを補正して位置合わせをする位置ずれ補
正手段と、前記濃淡画像信号検出手段により検出された
濃淡画像信号から変化の極値を示す信号を抽出する変化
の極値を示す信号抽出手段と、前記位置ずれ補正手段に
より位置合わせされた手本パターン信号により前記変化
の極値を示す信号抽出手段により抽出された変化の極値
を示す信号の内正常な透明パターンによる変化の極値を
示す信号をマスキングしてマスキングされなかった変化
の極値を示すエッジ信号により前記被検査対象における
透明パターンの欠陥を検出するマスキング欠陥検出手段
とを備えたことを特徴とするパターン検査装置。5. An object to be inspected having a transparent pattern on an opaque substrate, which corresponds to the brightness according to the change of the film thickness of the transparent pattern, and which changes darkly from the step portion at the boundary of the transparent pattern. And a grayscale image signal detecting means for detecting a grayscale image signal indicating an extreme value, a model pattern signal generating means for generating a model pattern signal serving as a model for the transparent pattern, and a grayscale image signal detecting means for detecting Position deviation correction means for correcting the position deviation of the generated model pattern signal with respect to the generated grayscale image signal to perform alignment, and an extreme value of change from the grayscale image signal detected by the grayscale image signal detection means. Signal extracting means for extracting the signal indicating the extreme value of the change, and a signal indicating the extreme value for the change by the model pattern signal aligned by the positional deviation correcting means The signal indicative of the extreme value of the change extracted by the output means is masked to the signal indicative of the extreme value of the change due to the normal transparent pattern, and the edge signal indicating the extreme value of the change that is not masked is transparent to the object to be inspected. A pattern inspection apparatus comprising: a masking defect detecting means for detecting a pattern defect.
記濃淡画像信号に対して微分処理を施して変化の極値を
示す信号を抽出する微分手段で構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第5項記載のパターン検査装置。6. A signal extracting means for indicating the extreme value of the change is constituted by a differentiating means for applying a differentiation process to the grayscale image signal to extract a signal indicating the extreme value of the change. The pattern inspection apparatus according to claim 5.
パターン信号により前記変化の極値を示す信号をマスキ
ングするマスキング手段と該マスキング手段でマスキン
グされる変化の極値を示す信号に対して所定の閾値で2
値化して前記変化の極値を示すエッジ信号を得る2値化
手段とで構成したことを特徴とする特許請求の範囲第5
項記載のパターン検査装置。7. The masking defect detecting means sets a predetermined value for masking means for masking a signal indicating the extreme value of change by the model pattern signal and a signal for indicating the extreme value of change masked by the masking means. With a threshold of 2
A binarizing means for binarizing and obtaining an edge signal indicating the extreme value of the change.
The pattern inspection device according to the item.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269617A JPH0617875B2 (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Pattern inspection method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269617A JPH0617875B2 (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Pattern inspection method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124939A JPS63124939A (en) | 1988-05-28 |
JPH0617875B2 true JPH0617875B2 (en) | 1994-03-09 |
Family
ID=17474845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61269617A Expired - Lifetime JPH0617875B2 (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Pattern inspection method and apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0617875B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0890361A (en) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Kandenko Co Ltd | Turning tool of screwing metal fitting such as bushing and lock nut |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0749933B2 (en) * | 1989-06-02 | 1995-05-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Printed circuit board inspection method and device |
JP5401005B2 (en) * | 2006-06-16 | 2014-01-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Template matching method and scanning electron microscope |
TWI475187B (en) * | 2010-10-27 | 2015-03-01 | Hitachi High Tech Corp | Image processing devices and computer programs |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57113244A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-14 | Yoshie Hasegawa | Inspecting device of wafer surface |
JPS58200141A (en) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection of substrate |
JPS61278706A (en) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Masking mechanism for pattern appearance tester |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61269617A patent/JPH0617875B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0890361A (en) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Kandenko Co Ltd | Turning tool of screwing metal fitting such as bushing and lock nut |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63124939A (en) | 1988-05-28 |
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