JPH06163659A - Integrated circuit chip i/o circuit - Google Patents

Integrated circuit chip i/o circuit

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JPH06163659A
JPH06163659A JP4312544A JP31254492A JPH06163659A JP H06163659 A JPH06163659 A JP H06163659A JP 4312544 A JP4312544 A JP 4312544A JP 31254492 A JP31254492 A JP 31254492A JP H06163659 A JPH06163659 A JP H06163659A
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JP
Japan
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integrated circuit
input
output
circuit chip
boundary scan
Prior art date
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Application number
JP4312544A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichiro Kobayashi
賢一郎 小林
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JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
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Publication of JPH06163659A publication Critical patent/JPH06163659A/en
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Abstract

PURPOSE:To enable probe test even in an integrated circuit chip where the pitch becomes narrow by the increase of the number of bonding pads. CONSTITUTION:A bonding pad 14 and an input buffer 16a are provided in the integrated circuit chip region on a semiconductor wafer. A boundary scan resistor 12a is provided in a scribe line region, corresponding to the bonding pad 14. As against a total of four boundary scan resistors 12a, a probe pad 10 used for an shift data input Sli and a probe bad 10 used for the input of a clock signal CK are provided in the scribe line region. Access becomes possible with fewer probe pads 10 by operating a plurality of boundary scan resistors 12a as shift resistors.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、集積回路チップのプロ
ーブテストに係り、特に、そのボンディングパッドの数
の増加などによって、そのボンディングパッドが狭ピッ
チとなった集積回路チップにおいても、前記プローブテ
ストを可能にすることができる集積回路チップ入出力回
路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe test of an integrated circuit chip, and more particularly to the probe test even for an integrated circuit chip having a narrow bonding pad due to an increase in the number of bonding pads. Integrated circuit chip input / output circuit capable of enabling

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の集積回路化は、その全体の小
型化や、信頼性の向上、消費電力の低減などの多くの利
点を有している。又、様々な設計技術によった集積回路
が提供されている。例えば、集積回路の設計に係る設計
工数や設計コストの低減を図るようにした様々な設計技
術による集積回路がある。例えば、設計工程や製造工程
中の少なくとも一部を共通化して予め準備しておき、こ
れ以外の工程をカスタム化した集積回路がある。
2. Description of the Related Art Integrating an electronic device into an integrated circuit has many advantages such as miniaturization of the entire device, improvement of reliability and reduction of power consumption. Also, integrated circuits based on various design techniques are provided. For example, there are integrated circuits based on various design techniques designed to reduce the design man-hours and design costs associated with the design of integrated circuits. For example, there is an integrated circuit in which at least a part of the design process or the manufacturing process is shared and prepared in advance, and the other processes are customized.

【0003】又、従来から、ユーザに提供される集積回
路のパッケージ形態にも、様々なものがある。まず、実
装型パッケージとしては、QFP(quad flat package
)パッケージや、PLCC(plastic leaded chip car
rier )パッケージ、PGA(pin grid array)パッケ
ージなどがある。又、挿入型パッケージとしては、DI
P(dual in line package)パッケージや、PGAパッ
ケージなどがある。又、集積回路のパッケージのそのピ
ン数にも、様々なものがある。例えば、前記挿入型パッ
ケージの前記DIPパッケージなどでは、そのピン数は
数十ピン程度である。一方、前記PGAパッケージの集
積回路では、数百ピンものピン数のものもある。
Conventionally, there are various types of package forms of integrated circuits provided to users. First, as a mounting type package, QFP (quad flat package)
) Package and PLCC (plastic leaded chip car)
carrier package and PGA (pin grid array) package. Also, as an insert type package, DI
There are P (dual in line package) packages and PGA packages. Also, there are various pin counts of integrated circuit packages. For example, the number of pins of the DIP package of the insertion type package is about several tens of pins. On the other hand, some integrated circuits of the PGA package have a pin number of several hundred pins.

【0004】一方、集積回路の製造コストを低減するた
めに、製造工程の比較的早い段階で製品の集積回路のテ
ストを行い、不良品を除去するということが行われてい
る。不良品を製造工程の早い段階で取り除くことによ
り、これ以降の工程での不必要な作業を低減することが
できる。例えば、半導体ウェハ上の多数の集積回路チッ
プを、ダイシングソーなどを用いて所定のスクライブラ
インに沿って分割するというダイシング工程以前に、各
集積回路チップの動作をプローブテストにてテストする
ということが行われている。
On the other hand, in order to reduce the manufacturing cost of the integrated circuit, it is practiced to test the integrated circuit of the product at a relatively early stage of the manufacturing process and remove the defective product. By removing defective products at an early stage of the manufacturing process, unnecessary work in subsequent processes can be reduced. For example, the operation of each integrated circuit chip is tested by a probe test before the dicing process of dividing a large number of integrated circuit chips on a semiconductor wafer along a predetermined scribe line using a dicing saw or the like. Has been done.

【0005】このプローブテストは、集積回路チップの
外部との接続に用いられるボンディングパッドに、プロ
ーブカードに設けられた多数のプローブピンにて接触
し、これらプローブピンを介して、該集積回路チップ内
の回路の動作をテストするというものである。このよう
なプローブテストにあたっては、前記プローブカード
は、半導体ウェハ上の多数の前記集積回路チップ毎に位
置決めされ、それぞれの前記プローブピンが、対応する
前記ボンディングパッドに接触するように位置決めされ
る。
In this probe test, a large number of probe pins provided on a probe card are brought into contact with a bonding pad used for connection with the outside of the integrated circuit chip, and the inside of the integrated circuit chip is passed through these probe pins. The operation of the circuit is tested. In such a probe test, the probe card is positioned for each of a large number of integrated circuit chips on a semiconductor wafer, and each probe pin is positioned so as to come into contact with the corresponding bonding pad.

【0006】[0006]

【発明が達成しようとする課題】しかしながら、前述の
ようなプローブテストに用いられる前記プローブカード
においては、その前記プローブピンの狭ピッチ化には限
界があった。前述のように、電子機器の集積回路化等が
進むに連れ、集積回路のパッケージのピン数も大幅に増
加しており、前述のPGAパッケージの集積回路の如
く、数百ピンものピン数のものもある。このように、そ
のパッケージ上のピン数が増加すると、その集積回路チ
ップ上のボンディングパッドも狭ピッチとなってしま
う。このため、狭ピッチとなったボンディングパッドに
対して、前記プローブピンにて接触させることが困難と
なってしまう。このため、集積回路の製造コストを低減
することができるなど、多くの利点を有しているプロー
ブテストを行うことが困難となってしまうという問題が
ある。
However, in the probe card used for the probe test as described above, there is a limit to the narrowing of the pitch of the probe pins. As described above, the number of pins of the package of the integrated circuit has increased significantly as the electronic devices have been integrated into a circuit, and the number of pins of hundreds of pins, like the integrated circuit of the PGA package described above. There is also. Thus, as the number of pins on the package increases, the bonding pads on the integrated circuit chip also have a narrower pitch. For this reason, it becomes difficult for the probe pins to contact the bonding pads having a narrow pitch. Therefore, there is a problem that it becomes difficult to perform a probe test, which has many advantages such as a reduction in manufacturing cost of an integrated circuit.

【0007】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
く成されたもので、そのボンディングパッドの数の増加
などによって、そのボンディングパッドが狭ピッチとな
った集積回路チップにおいても、プローブテストを可能
にすることができる集積回路チップ入出力回路を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and the probe test is performed even on an integrated circuit chip having a narrow pitch of bonding pads due to an increase in the number of bonding pads. It is an object to provide an integrated circuit chip input / output circuit that can be enabled.

【0008】[0008]

【課題を達成するための手段】本発明は、ウェハ上の、
集積回路チップ間のスクライブライン領域に設けられ、
前記集積回路チップ上のボンディングパッドのうち、信
号の入出力に用いられるものに対応して設けられた複数
のバウンダリスキャンレジスタと、複数の前記バウンダ
リスキャンレジスタを、シフトレジスタとして動作させ
てアクセスするための、前記ボンディングパッドよりも
広ピッチのプローブパッドとを備えたことにより、前記
課題を達成したものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a wafer
Provided in the scribe line area between integrated circuit chips,
Among the bonding pads on the integrated circuit chip, a plurality of boundary scan registers provided corresponding to those used for inputting / outputting signals and a plurality of the boundary scan registers are operated as a shift register for accessing. By providing the probe pads having a pitch wider than that of the bonding pads, the above-mentioned object is achieved.

【0009】又、前記集積回路チップ入出力回路におい
て、隣接する前記集積回路チップのそれぞれの当該集積
回路チップ入出力回路について、前記バウンダリスキャ
ンレジスタと前記プローブパッドとの、少なくとも一方
が共用されていることにより、前記課題を達成すると共
に、ウェハ上の当該集積回路チップ入出力回路の集積度
の向上を図り、比較的狭い前記スクライブライン領域に
おいても本発明の適用を可能としたものである。
In the integrated circuit chip input / output circuit, at least one of the boundary scan register and the probe pad is shared with respect to the integrated circuit chip input / output circuit of each adjacent integrated circuit chip. As a result, the above-mentioned problems can be achieved, the integration degree of the integrated circuit chip input / output circuit on the wafer can be improved, and the present invention can be applied to the relatively narrow scribe line region.

【0010】又、前記集積回路チップ入出力回路におい
て、前記集積回路チップが、セミカスタム集積回路チッ
プであって、又、入力用の前記ボンディングパッドへの
配線と、出力用の前記ボンディングパッドへの配線と
を、前記セミカスタム集積回路チップ側へと、共に備
え、前記セミカスタム集積回路チップ中のカスタム化さ
れた回路部分の設計にて、前記バウンダリスキャンレジ
スタを入力用に用いるか、出力用に用いるか定めること
ができることにより、前記課題を達成すると共に、セミ
カスタム集積回路チップにおいても本発明の適用を可能
としたものである。
In the integrated circuit chip input / output circuit, the integrated circuit chip is a semi-custom integrated circuit chip, wiring to the bonding pad for input and bonding to the bonding pad for output are provided. Wiring is provided together with the semi-custom integrated circuit chip side, and in the design of the customized circuit portion in the semi-custom integrated circuit chip, the boundary scan register is used for input or output. By being able to determine whether to use or not, the above-mentioned problems can be achieved and the present invention can be applied to a semi-custom integrated circuit chip.

【0011】[0011]

【作用】ワイヤボンディングなど、その集積回路の外部
へと接続する際の、そのボンディングパッドの狭ピッチ
化に比べ、前記プローブテストに用いられる前記プロー
ブピンの狭ピッチ化はより困難である。これは、例えば
ワイヤボンディングの際、これに用いるワイヤは、ある
程度の引張強度が確保されたものであればよい。これと
比較して、前記プローブピンは、その先端を所望のボン
ディングパッドに接触させると共に、この接触状態を保
持させるためには、所定の剛性を備えなければならず、
その太さを細くすることには必然的に限界がある。又、
このようなプローブピンを多数前記プローブカードに取
り付ける際にも、その狭ピッチ化には限界がある。
It is more difficult to narrow the pitch of the probe pins used for the probe test, as compared with the narrowing of the pitch of the bonding pad when connecting to the outside of the integrated circuit such as wire bonding. For example, the wire used for wire bonding may have a certain degree of tensile strength. In comparison with this, the probe pin must have a predetermined rigidity in order to bring its tip into contact with a desired bonding pad and to maintain this contact state,
There is an inevitable limit to reducing the thickness. or,
Even when a large number of such probe pins are attached to the probe card, there is a limit to narrowing the pitch.

【0012】このような点に鑑み、本発明は、前述のよ
うなダイシングの際に切り取られるスクライブライン領
域を有効に用い、該スクライブライン領域に、前記プロ
ーブテスト専用のプローブパッドを設けるという、新し
い着眼点に基づいて成されたものである。
In view of the above points, the present invention makes effective use of the scribe line region cut out during the dicing as described above, and provides the probe pad dedicated to the probe test in the scribe line region. It was made based on the viewpoint.

【0013】更に、本発明では、該プローブパッドのピ
ッチをより拡大することができる構成を見い出して成さ
れたものである。特に、該プローブパッドを介した前記
プローブテスト中に、前記ボンディングパッドに比べ、
その個数が少ない前記プローブパッドを用いて入出力ア
クセスを可能とした構成を見出して成されたものであ
る。
Further, the present invention has been made to find out a structure capable of further expanding the pitch of the probe pads. In particular, during the probe test through the probe pad, compared to the bonding pad,
The present invention was made by finding a configuration that enables input / output access using the probe pads of which the number is small.

【0014】即ち、本発明においては、前記スクライブ
ライン領域に、前記プローブパッドを介したアクセスの
際に用いられる、複数のバウンダリスキャンレジスタを
備えるようにしている。前記プローブパッドを介したこ
れら複数のバウンダリスキャンレジスタへのアクセスの
際には、これら複数のバウンダリスキャンレジスタをシ
フトレジスタとして動作させる。即ち、該プローブパッ
ドからのアクセスは、シフトレジスタとされた前記バウ
ンダリスキャンレジスタに対して、シリアル形式でアク
セスすることとなる。
That is, according to the present invention, the scribe line region is provided with a plurality of boundary scan registers used when accessing through the probe pad. When accessing the plurality of boundary scan registers via the probe pad, the plurality of boundary scan registers are operated as shift registers. That is, the access from the probe pad is a serial access to the boundary scan register which is a shift register.

【0015】従って、設けられた前記プローブパッドの
数以上の複数の前記バウンダリスキャンレジスタに対し
てアクセスすることができ、結果として、これら複数の
バウンダリスキャンレジスタに対応する、前記プローブ
パッドの数以上のボンディングパッドからの入出力に対
してアクセスすることができる。
Therefore, it is possible to access a plurality of the boundary scan registers more than the number of the probe pads provided, and as a result, it is possible to access more than the number of the probe pads corresponding to the plurality of boundary scan registers. Input / output from the bonding pad can be accessed.

【0016】以上説明した通り、本発明によれば、前記
スクライブライン領域を有効に活用することで、集積回
路チップ上の集積度の低下を避けることができる。又、
前記プローブテストに用いられる前記プローブピンのピ
ッチをより拡大することができ、ボンディングパッドが
狭ピッチとなって、従来プローブテストが困難であった
集積回路チップについても、該プローブテストを可能と
することができる。
As described above, according to the present invention, by effectively utilizing the scribe line region, it is possible to avoid a decrease in the degree of integration on the integrated circuit chip. or,
It is possible to further expand the pitch of the probe pins used for the probe test, and to make the probe test possible even for an integrated circuit chip that has been difficult to perform the probe test in the past because the bonding pad has a narrow pitch. You can

【0017】[0017]

【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明が適用された第1実施例の
半導体ウェハ上のボンディングパッド付近の回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram of the vicinity of a bonding pad on a semiconductor wafer according to the first embodiment of the present invention.

【0019】この図1において、前記半導体ウェハ上の
集積回路チップ領域には、入出力バッファ16a と、該
入出力バッファの入力に接続されるボンディングパッド
14とが作り込まれている。前記集積回路チップ領域
は、集積回路に組み込む所望の回路が作り込まれた領域
であり、従来のものとほぼ同様である。
In FIG. 1, an input / output buffer 16a and a bonding pad 14 connected to the input of the input / output buffer are formed in the integrated circuit chip area on the semiconductor wafer. The integrated circuit chip area is an area in which a desired circuit to be incorporated in the integrated circuit is formed, and is almost the same as a conventional one.

【0020】一方、前記ボンディングパッド14の左方
のスクライブライン領域には、バウンダリスキャンレジ
スタ12a とプローブパッド10とが設けられている。
前記バウンダリスキャンレジスタ12a は、前記ボンデ
ィングパッド14毎に対応して設けられている。又、該
バウンダリスキャンレジスタ12a のそれぞれの出力Q
は、前記ボンディングパッド14に接続されている。
On the other hand, a boundary scan register 12a and a probe pad 10 are provided in the scribe line area on the left side of the bonding pad 14.
The boundary scan register 12a is provided corresponding to each of the bonding pads 14. Also, each output Q of the boundary scan register 12a
Are connected to the bonding pad 14.

【0021】又、前記バウンダリスキャンレジスタ12
a は、4個ずつ、それぞれの入力D及び出力Qに関して
カスケード接続され、シフトレジスタとしても構成され
るようになっている。これら4個の前記バウンダリスキ
ャンレジスタ12a のうち、最上段のもののその入力D
には、前記プローブパッド10が接続されている。入力
Dに接続されている該プローブパッド10は、前記プロ
ーブテストの際に、当該集積回路チップの外部からアク
セスする際に、シフトデータ入力SIi (i =1,2・
・・)となっている。
Further, the boundary scan register 12
Four a's are cascade-connected with respect to each input D and output Q, and are also configured as shift registers. The input D of the uppermost one of these four boundary scan registers 12a
The probe pad 10 is connected to. The probe pad 10 connected to the input D receives the shift data input SIi (i = 1, 2, ...) When accessing from the outside of the integrated circuit chip in the probe test.
・ ・)

【0022】又、前記バウンダリスキャンレジスタ12
a は、4個単位で、全てのそのクロック入力CKがパラ
レルに接続され、1つのプローブパッド10に接続され
ている。クロック入力CKに接続されている該プローブ
パッド10は、前記プローブテストの際の当該集積回路
チップへのアクセスの際には、クロック信号CKi とし
て用いられる。
Further, the boundary scan register 12
a is a unit of four, and all the clock inputs CK thereof are connected in parallel and are connected to one probe pad 10. The probe pad 10 connected to the clock input CK is used as the clock signal CKi when accessing the integrated circuit chip in the probe test.

【0023】このように、前記プローブパッド10は、
隣接して配置された4個の前記バウンダリスキャンレジ
スタ12a 毎に、2個ずつ設けられている。又、このよ
うに2個の該プローブパッド10は、一方は前述の如く
シフトデータ入力SIi として用いられ、他方は前述の
ようにクロック信号CKi として用いられる。
As described above, the probe pad 10 is
Two pieces are provided for each of the four boundary scan registers 12a arranged adjacent to each other. As described above, one of the two probe pads 10 is used as the shift data input SIi as described above, and the other is used as the clock signal CKi as described above.

【0024】従って、本実施例においては、前記プロー
ブテスト対象となる前記集積回路チップの前記ボンディ
ングパッド14毎に前記バウンダリスキャンレジスタ1
2aを1つずつ配置すると共に、隣接する4個の該バウ
ンダリスキャンレジスタ12a 毎に2個の前記プローブ
パッド10を設けることで、前記プローブテスト中に前
記プローブピンにて接触しアクセスされる前記プローブ
パッドのピッチを拡大することができている。即ち、前
記ボンディングパッド14のピッチに比べ、前記プロー
ブピンにて接触しアクセスされる前記プローブパッド1
0のピッチは、ほぼ2倍の間隔に拡大されている。
Therefore, in this embodiment, the boundary scan register 1 is provided for each of the bonding pads 14 of the integrated circuit chip which is the subject of the probe test.
By arranging 2a one by one and providing two probe pads 10 for every four adjacent boundary scan registers 12a, the probe to be contacted and accessed by the probe pin during the probe test. The pad pitch can be expanded. That is, compared to the pitch of the bonding pads 14, the probe pads 1 contacted and accessed by the probe pins
The pitch of 0 is expanded to almost twice the interval.

【0025】図2は、本第1実施例で用いられる前記バ
ウンダリスキャンレジスタの回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of the boundary scan register used in the first embodiment.

【0026】この図2に示されるように、前記図1で示
された前記バウンダリスキャンレジスタ12a は、フリ
ップフロップFFと、トランスファゲート44と、バス
ホルダ46とにより構成されている。
As shown in FIG. 2, the boundary scan register 12a shown in FIG. 1 is composed of a flip-flop FF, a transfer gate 44, and a bus holder 46.

【0027】前記フリップフロップFFは、マスタスレ
ーブ型の一般的なD型フリップフロップとなっている。
該フリップフロップFFは、クロックCKの立上りに
て、入力Dへの入力を取り込み、保持し、これを出力Q
として出力するものである。
The flip-flop FF is a general master-slave type D-type flip-flop.
The flip-flop FF takes in and holds the input to the input D at the rising edge of the clock CK, and outputs this to the output Q.
Is output as.

【0028】前記トランスファゲート44は、ゲート入
力と負論理ゲート入力とを備え、オンオフ動作を行って
いる。この図2では、前記ゲート入力に入力されるゲー
ト信号EがH状態となり、前記負論理ゲート入力に入力
されるゲート信号EバーがL状態となると、前記フリッ
プフロップFFの出力Qは、当該バウンダリスキャンレ
ジスタ12a の出力として出力される。
The transfer gate 44 has a gate input and a negative logic gate input, and performs an on / off operation. In FIG. 2, when the gate signal E input to the gate input is in the H state and the gate signal E bar input to the negative logic gate input is in the L state, the output Q of the flip-flop FF outputs the boundary. It is output as the output of the scan register 12a.

【0029】なお、前記バスホルダ46は、前記トラン
スファゲート44がオフとなったときに、当該バウンダ
リスキャンレジスタ12a の出力がハイインピーダンス
状態となり、これによって、前記集積回路チップの前記
入力バッファ16a の入力が不安定になってしまうこと
を防ぐために設けられている。該バスホルダ46は、前
記トランスファゲート44がオフとなったときに、前記
入力バッファ16a の入力を、そのオフとなったときの
論理状態に保持するものである。
In the bus holder 46, when the transfer gate 44 is turned off, the output of the boundary scan register 12a is in a high impedance state, so that the input of the input buffer 16a of the integrated circuit chip is changed. It is provided to prevent instability. The bus holder 46 holds the input of the input buffer 16a in the logic state when the transfer gate 44 is turned off when the transfer gate 44 is turned off.

【0030】図3は、本第1実施例に用いられる集積回
路チップ入出力回路の動作を示すタイムチャートであ
る。
FIG. 3 is a time chart showing the operation of the integrated circuit chip input / output circuit used in the first embodiment.

【0031】この図3のタイムチャートにおいては、前
記図1を用いて前述した、前記シフトデータ入力SI1
と、前記クロック信号CK1と、合計4個の前記入力バ
ッファ16a のそれぞれの出力Wa 〜Wd のタイムチャ
ートが示されている。又、この図3において、Ba 〜B
f は、前記シフトデータ入力SI1から順次入力される
ビットデータである。
In the time chart of FIG. 3, the shift data input SI1 described above with reference to FIG. 1 is used.
And a time chart of the clock signal CK1 and respective outputs Wa to Wd of the four input buffers 16a in total. In addition, in FIG. 3, Ba to B
f is bit data sequentially input from the shift data input SI1.

【0032】なお、以下の説明においては、前記シフト
データ入力SI1に、直接その入力Dが接続されている
前記バウンダリスキャンレジスタ12a を、第1バウン
ダリスキャンレジスタと称する。該第1バウンダリスキ
ャンレジスタのその出力Qに、その入力Dが接続されて
いる前記バウンダリスキャンレジスタ12a を、第2バ
ウンダリスキャンレジスタと称する。又、該第2バウン
ダリスキャンレジスタのその出力Qに、その入力Dが接
続されている前記バウンダリスキャンレジスタ12a
を、第3バウンダリスキャンレジスタと称する。又、同
様に、これに接続されたものを、第4バウンダリスキャ
ンレジスタと称する。
In the following description, the boundary scan register 12a whose input D is directly connected to the shift data input SI1 will be referred to as a first boundary scan register. The boundary scan register 12a in which the input D is connected to the output Q of the first boundary scan register is called a second boundary scan register. Further, the output Q of the second boundary scan register is connected to the input D of the boundary scan register 12a.
Is referred to as a third boundary scan register. Similarly, the one connected to this is referred to as a fourth boundary scan register.

【0033】この図3のタイムチャートにおいて、まず
時刻 t1 においては、前記クロック信号CK1の立上り
にて、前記シフトデータ入力SI1から第1個目のデー
タとして入力された前記ビットデータBa を、前記第1
バウンダリスキャンレジスタに取り込む。該第1バウン
ダリスキャンレジスタのその出力Qに接続された前記入
力バッファ16a の出力Wa は、時刻 t2 までには、前
記ビットデータBa を出力する。
In the time chart of FIG. 3, first, at time t 1 , the bit data Ba input as the first data from the shift data input SI1 at the rising edge of the clock signal CK1 First
Capture in boundary scan register. Output Wa of the input buffer 16a which is connected to the output Q of the first boundary scan registers, by the time t 2, the outputs of the bit data Ba.

【0034】次に、時刻 t3 では、次の前記クロック信
号CK1の立上りにて、前記シフトデータ入力SI1に
第2個目として入力された前記ビットデータBb が、前
記第1バウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。
又、該時刻 t3 にて、前記第1バウンダリスキャンレジ
スタのその出力Q、即ち前記ビットデータBa は、前記
第2バウンダリスキャンレジスタへと取り込まれる。こ
の後、時刻 t4 までには、前記出力Wa 及び前記出力W
b は、それぞれ、前記ビットデータBb 及び前記ビット
データBa となる。
Next, at time t 3 , at the next rise of the clock signal CK1, the second bit data Bb input to the shift data input SI1 is taken into the first boundary scan register. Be done.
Further, at the time t 3, the output Q of the first boundary scan register, i.e. the bit data Ba is taken to the second boundary scan register. After this, by time t 4 , the output Wa and the output W
b becomes the bit data Bb and the bit data Ba, respectively.

【0035】次に時刻 t5 では、次の前記クロック信号
CK1の立上りにて、前記シフトデータ入力SI1に第
3番目に入力された前記ビットデータBc が、前記第1
バウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。該時刻 t
5 においては、前記第1バウンダリスキャンレジスタの
その出力Q、即ち前記ビットデータBb が、前記第2バ
ウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。又、該時刻
t5 において、前記第2バウンダリスキャンレジスタの
その出力Q、即ち前記ビットデータBa が、前記第3バ
ウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。この後、時
刻 t6 までには、前記出力Wa 〜Wd は、それぞれ、前
記ビットデータBc 〜Ba となる。
Next, at time t 5 , at the next rising edge of the clock signal CK1, the third bit data Bc input to the shift data input SI1 changes to the first bit data Bc.
It is taken into the boundary scan register. The time t
In 5 , the output Q of the first boundary scan register, that is, the bit data Bb is taken into the second boundary scan register. Also, the time
At t 5 , the output Q of the second boundary scan register, that is, the bit data Ba is taken into the third boundary scan register. Thereafter, until the time t 6, the output Wa ~Wd, respectively, serving as the bit data Bc ~Ba.

【0036】次に時刻 t7 では、次の前記クロック信号
CK1の立上りにて、前記シフトデータ入力SI1から
第4個目に入力された前記ビットデータBd が、前記第
1バウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。又、該
時刻 t7 において、前記第1バウンダリスキャンレジス
タのその出力Q、即ち前記ビットデータBc は、前記第
2バウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。前記第
2バウンダリスキャンレジスタのその出力、即ち前記ビ
ットデータBb は、前記第3バウンダリスキャンレジス
タに取り込まれる。該時刻 t7 において、前記第3バウ
ンダリスキャンレジスタのその出力Q、即ち前記ビット
データBa は、前記第4バウンダリスキャンレジスタに
取り込まれる。この後、時刻 t8 までには、前記出力W
a 〜Wdは、それぞれ、前記ビットデータBd 〜Ba と
なる。
Next, at time t 7 , at the next rise of the clock signal CK1, the fourth bit data Bd input from the shift data input SI1 is taken into the first boundary scan register. . Further, at the time t 7 , the output Q of the first boundary scan register, that is, the bit data Bc is taken into the second boundary scan register. The output of the second boundary scan register, that is, the bit data Bb is taken into the third boundary scan register. In the time t 7, the output Q of the third boundary scan register, i.e. the bit data Ba is incorporated into the fourth boundary scan register. After this, by the time t 8, the output W
a to Wd become the bit data Bd to Ba, respectively.

【0037】該時刻 t8 にて、このように、前記第1バ
ウンダリスキャンレジスタ〜前記第4バウンダリスキャ
ンレジスタが、それぞれ、前記ビットデータBd 〜Ba
を保持し、これに対応して前記出力Wa 〜Wd が確定す
ると、これに基づいて、実際のプローブテストを行うこ
とが可能である。
At the time t 8 , the first boundary scan register to the fourth boundary scan register are respectively set to the bit data Bd to Ba.
Is held and the outputs Wa to Wd are determined correspondingly, the actual probe test can be performed based on this.

【0038】以上説明した通り、本第1実施例によれ
ば、前記集積回路チップ上の前記ボンディングパッド1
4のピッチに比べ、そのピッチが拡大された前記プロー
ブパッド10を配置し、これを用いて前記プローブテス
トを行うことが可能である。従って、比較的太いプロー
ブピンを用いることが可能である。又、前記プローブカ
ード上での前記プローブピンのピンピッチを拡大するこ
とができる。従って、前記プローブテストをより容易に
行うことができる。
As described above, according to the first embodiment, the bonding pad 1 on the integrated circuit chip is used.
It is possible to arrange the probe pad 10 having a pitch larger than that of No. 4 and perform the probe test using the probe pad 10. Therefore, it is possible to use a relatively thick probe pin. Also, the pin pitch of the probe pins on the probe card can be increased. Therefore, the probe test can be performed more easily.

【0039】図4は、本発明が適用された第2実施例の
半導体ウェハのボンディングパッド付近の回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram in the vicinity of the bonding pad of the semiconductor wafer of the second embodiment to which the present invention is applied.

【0040】この図4において、出力バッファ16b 及
びボンディングパッド14は、集積回路チップ領域に設
けられている。一方、フリップフロップFF及びバウン
ダリスキャンレジスタ12b と、プローブパッド10と
は、スクライブライン領域に設けられている。
In FIG. 4, the output buffer 16b and the bonding pad 14 are provided in the integrated circuit chip area. On the other hand, the flip-flop FF, the boundary scan register 12b, and the probe pad 10 are provided in the scribe line region.

【0041】前記フリップフロップFF及び前記バウン
ダリスキャンレジスタ12b は、前記出力バッファ16
b の1個毎に、又、前記ボンディングパッド14の1個
毎に設けられている。
The flip-flop FF and the boundary scan register 12b are the output buffer 16
It is provided for each one of b and each of the bonding pads 14.

【0042】又、前記フリップフロップFF1個と共
に、前記バウンダリスキャンレジスタ12b が3個組合
されて用いられている。即ち、前記フリップフロップF
Fの出力Qは、次段の前記バウンダリスキャンレジスタ
12b のそのシフト入力SIに接続されている。以降、
該バウンダリスキャンレジスタ12b を、第2バウンダ
リスキャンレジスタと称する。又、前記フリップフロッ
プFFについては、以降、第1バウンダリスキャンレジ
スタと称する。又、前記第2バウンダリスキャンレジス
タ12b の出力Qは、次段の前記バウンダリスキャンレ
ジスタ12b のそのシフト入力SIに接続されている。
以降、該バウンダリスキャンレジスタ12b を、第3バ
ウンダリスキャンレジスタと称する。又、同様に、該第
3バウンダリスキャンレジスタには次段の前記バウンダ
リスキャンレジスタ12b が接続されている。以降、該
バウンダリスキャンレジスタ12b を、第4バウンダリ
スキャンレジスタと称する。
Also, three boundary scan registers 12b are used in combination with one flip-flop FF. That is, the flip-flop F
The output Q of F is connected to the shift input SI of the boundary scan register 12b of the next stage. Or later,
The boundary scan register 12b is referred to as a second boundary scan register. Further, the flip-flop FF is hereinafter referred to as a first boundary scan register. The output Q of the second boundary scan register 12b is connected to the shift input SI of the boundary scan register 12b of the next stage.
Hereinafter, the boundary scan register 12b will be referred to as a third boundary scan register. Similarly, the boundary scan register 12b at the next stage is connected to the third boundary scan register. Hereinafter, the boundary scan register 12b will be referred to as a fourth boundary scan register.

【0043】又、1個の前記フリップフロップFFと3
個の前記バウンダリスキャンレジスタ12b に対して、
合計2個のプローブパッド10が設けられている。一方
のプローブパッド10には、これら、1個の前記フリッ
プフロップFFと3個の前記バウンダリスキャンレジス
タ12b との、全てのそれぞれのクロック入力CKがパ
ラレルに接続されている。該プローブパッド10は、ク
ロック信号CK1の入力に用いられている。又、他方の
前記プローブパッド10は、前記第4バウンダリスキャ
ンレジスタのその出力Qに接続されている。該プローブ
パッド10は、シフトデータ出力SO1として用いられ
ている。
Further, one of the flip-flops FF and 3 is provided.
For each of the boundary scan registers 12b,
A total of two probe pads 10 are provided. To one probe pad 10, all the respective clock inputs CK of the one flip-flop FF and the three boundary scan registers 12b are connected in parallel. The probe pad 10 is used to input the clock signal CK1. The other probe pad 10 is connected to the output Q of the fourth boundary scan register. The probe pad 10 is used as a shift data output SO1.

【0044】図5は、本第2実施例で用いられている前
記バウンダリスキャンレジスタの回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram of the boundary scan register used in the second embodiment.

【0045】この図5においては、前記図4に示された
前記バウンダリスキャンレジスタ12b の回路図が示さ
れている。該バウンダリスキャンレジスタ12b は、マ
ルチプレクサ30と、フリップフロップFFとにより構
成されている。
In FIG. 5, there is shown a circuit diagram of the boundary scan register 12b shown in FIG. The boundary scan register 12b is composed of a multiplexer 30 and a flip-flop FF.

【0046】前記マルチプレクサ30は、前段の前記第
1〜第3バウンダリスキャンレジスタの出力Qが接続さ
れている。一方、該マルチプレクサの他方の入力には、
対応する前記ボンディングパッド14及び対応する前記
出力バッファ16b が接続されている。該マルチプレク
サ30は、シフト選択信号SSがH状態となると、前記
入力SIを前記フリップフロップFFの入力Dへと接続
する。又、該マルチプレクサ30は、前記シフト選択信
号SSがL状態となると、前記入力Dを前記フリップフ
ロップFFの入力Dへと接続する。
The multiplexer 30 is connected to the outputs Q of the preceding first to third boundary scan registers. Meanwhile, the other input of the multiplexer is
The corresponding bonding pad 14 and the corresponding output buffer 16b are connected. The multiplexer 30 connects the input SI to the input D of the flip-flop FF when the shift selection signal SS is in the H state. Also, the multiplexer 30 connects the input D to the input D of the flip-flop FF when the shift selection signal SS is in the L state.

【0047】前記フリップフロッフFFは、そのクロッ
ク入力CKの立上りにて、その入力Dに入力されている
ものを取り込み、これを保持すると共に、出力Qとして
出力する。該フリップフロップFFは、マスタスレーブ
型の一般的なD型フリップフロップである。
The flip-flop FF takes in what is input to its input D at the rising edge of its clock input CK, holds it, and outputs it as an output Q. The flip-flop FF is a general master-slave type D-type flip-flop.

【0048】図6は、本実施例に用いられている集積回
路チップ入出力回路の動作を示すタイムチャートであ
る。
FIG. 6 is a time chart showing the operation of the integrated circuit chip input / output circuit used in this embodiment.

【0049】この図6においては、前記クロック信号C
K1と、前記シフトデータ出力SO1とのタイムチャー
トが示されている。又、この図6のタイムチャートを説
明するにあたって、前記第1バウンダリスキャンレジス
タ〜前記第4バウンダリスキャンレジスタには、それぞ
れ、ビットデータBa 〜Bd が記録されているものとす
る。
In FIG. 6, the clock signal C
A time chart of K1 and the shift data output SO1 is shown. Further, in describing the time chart of FIG. 6, it is assumed that bit data Ba to Bd are recorded in the first boundary scan register to the fourth boundary scan register, respectively.

【0050】この図6において、まず、時刻 t1 よりも
以前においては、前記シフトデータ出力SO1として、
前記第4バウンダリスキャンレジスタに記憶されている
前記ビットデータBd が出力されている。
In FIG. 6, first, before the time t 1 , as the shift data output SO1,
The bit data Bd stored in the fourth boundary scan register is output.

【0051】又、該時刻 t1 において、前記クロック信
号CK1が立上ると、前記第3バウンダリスキャンレジ
スタに記憶されている前記ビットデータBc が前記第4
バウンダリスキャンレジスタに取り込まれる。この後、
時刻 t2 までには、前記シフトデータ出力SO1は前記
ビットデータBc に確定する。なお、前記時刻 t1 にお
いては、前記第1バウンダリスキャンレジスタに記憶さ
れている前記ビットデータBa は、前記第2バウンダリ
スキャンレジスタに取り込まれる。該第2バウンダリス
キャンレジスタ12b に記憶されている前記ビットデー
タBb は、前記第3バウンダリスキャンレジスタに取り
込まれる。
At the time t 1 , when the clock signal CK1 rises, the bit data Bc stored in the third boundary scan register is changed to the fourth bit data Bc.
It is taken into the boundary scan register. After this,
By the time t 2, the said shift data output SO1 is determined in the bit data Bc. At the time t 1 , the bit data Ba stored in the first boundary scan register is taken in the second boundary scan register. The bit data Bb stored in the second boundary scan register 12b is taken into the third boundary scan register.

【0052】以降、同様に、時刻 t3 〜時刻 t6 におい
ても、前記クロック信号CK1の立上りに従って、前記
ビットデータBb 及びBa が前記シフトデータ出力SO
1から出力される。又、前記時刻 t6 において、最終的
に全ての前記ビットデータBa 〜Bd が読み出されるこ
ととなる。
[0052] Thereafter, likewise, in the time t 3 ~ time t 6, in accordance with the rise of the clock signal CK1, the bit data Bb and Ba is the shift data output SO
It is output from 1. Further, at the time instant t 6, so that the finally all the bit data Ba ~Bd is read.

【0053】以上説明した通り、出力バッファについて
特に適用された本第2実施例によれば、入力バッファに
ついて適用された前記第1実施例と同様に、集積回路チ
ップ領域上の前記ボンディングパッド14のピッチに比
べ、そのピッチを拡大した前記プローブパッド10を前
記スクライブライン領域に設けることができ、プローブ
テストをより容易に行うことが可能である。
As described above, according to the second embodiment particularly applied to the output buffer, the bonding pad 14 on the integrated circuit chip area is formed in the same manner as the first embodiment applied to the input buffer. The probe pad 10 having a pitch larger than the pitch can be provided in the scribe line region, and the probe test can be performed more easily.

【0054】図7は、本発明が適用された第3実施例〜
第5実施例の半導体ウェハの部分拡大平面図である。
FIG. 7 shows a third embodiment to which the present invention is applied.
It is a partially expanded top view of the semiconductor wafer of 5th Example.

【0055】この図7においては、セミカスタム方式
(ゲートアレイ方式)の集積回路チップを多数作り込ん
だ半導体ウェハの部分拡大平面図が示されている。特
に、この図7においては、該半導体ウェハ上に多数設け
られた集積回路チップのうち、1つの集積回路チップ1
a の付近の平面図が示されている。又、該図7において
は、集積回路チップ1b 〜1i の一部も示されている。
又、これら集積回路チップ1a 〜1i 間には、スクライ
ブライン領域が設けられている。該スクライブライン領
域には、斜線で示されている部分に、本発明が適用され
た集積回路チップ入出力回路が作り込まれている。特
に、前記第3実施例及び前記第4実施例では、右上りの
斜線部分は、前記集積回路チップ1a 用の前記集積回路
チップ入出力回路が設けられている。一方、右下りの斜
線部分には、他の集積回路チップ1b 〜1i 用の前記集
積回路チップ入出力回路が設けられている。
FIG. 7 shows a partially enlarged plan view of a semiconductor wafer in which a large number of semi-custom type (gate array type) integrated circuit chips are formed. In particular, in FIG. 7, one integrated circuit chip 1 out of many integrated circuit chips provided on the semiconductor wafer.
A plan view near a is shown. Further, in FIG. 7, a part of the integrated circuit chips 1b to 1i is also shown.
A scribe line region is provided between the integrated circuit chips 1a-1i. In the scribe line region, an integrated circuit chip input / output circuit to which the present invention is applied is built in a hatched portion. Particularly, in the third embodiment and the fourth embodiment, the integrated circuit chip input / output circuit for the integrated circuit chip 1a is provided in the upper right diagonal line portion. On the other hand, the integrated circuit chip input / output circuits for the other integrated circuit chips 1b to 1i are provided in the diagonally right downward line.

【0056】図8は、前記第3実施例及び前記第4実施
例のボンディングパッド及びプローブパッド付近の拡大
平面図である。
FIG. 8 is an enlarged plan view of the vicinity of the bonding pads and probe pads of the third and fourth embodiments.

【0057】この図8においては、13個のボンディン
グパッド14と、7個のプローブパッド10が示されて
いる。この図8の破線で示されている如く、合計6個の
前記ボンディングパッド14と合計3個の前記プローブ
パッド10とが組合せて構成されている。これら合計3
個の前記プローブパッドは、クロック信号CKと、シフ
ト入力SIと、シフト出力SOとの、前記プローブピン
による信号の入出力に用いられる。
In FIG. 8, 13 bonding pads 14 and 7 probe pads 10 are shown. As shown by the broken lines in FIG. 8, a total of six bonding pads 14 and a total of three probe pads 10 are combined. These total 3
The probe pads are used for inputting and outputting a signal from the probe pin to the clock signal CK, the shift input SI, and the shift output SO.

【0058】又、この図8の一点鎖線は、前記半導体ウ
ェハ上の集積回路チップ領域とスクライブライン領域と
の境界である。即ち、該一点鎖線の左側が前記集積回路
チップ領域である。一方、該一点鎖線の右側は、前記ス
クライブライン領域となっている。該スクライブライン
領域においては、前記プローブパッド10よりも下層に
おいて、本発明が適用された集積回路チップ入出力回路
が作り込まれている。
The alternate long and short dash line in FIG. 8 is the boundary between the integrated circuit chip area and the scribe line area on the semiconductor wafer. That is, the left side of the one-dot chain line is the integrated circuit chip area. On the other hand, the right side of the one-dot chain line is the scribe line area. In the scribe line region, an integrated circuit chip input / output circuit to which the present invention is applied is built in a layer lower than the probe pad 10.

【0059】図9は、前記第3実施例に用いられている
集積回路チップ入出力回路の回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram of an integrated circuit chip input / output circuit used in the third embodiment.

【0060】この図9においては、1組とされた合計6
個の前記ボンディングパッド14に対応する、1組の集
積回路チップ入出力回路が示されている。該集積回路チ
ップ入出力回路は、この図9に示される範囲では、破線
で区切られる合計6個のチップ入出力回路部分を有す
る。又、この図9の一点鎖線は、左側の集積回路チップ
領域と右側のスクライブライン領域との境界である。前
記ボンディングパッド14それぞれに対して、前記スク
ライブライン領域には、同一のチップ入出力回路部分が
設けられている。本実施例では、合計6個の該チップ入
出力回路部分が1組として、カスケード接続され、必要
に応じてシフトレジスタとして動作するようになってい
る。
In FIG. 9, a total of 6 pairs are set.
A set of integrated circuit chip input / output circuits corresponding to one of the bonding pads 14 is shown. The integrated circuit chip input / output circuit has a total of six chip input / output circuit portions separated by broken lines in the range shown in FIG. The alternate long and short dash line in FIG. 9 is the boundary between the integrated circuit chip area on the left side and the scribe line area on the right side. The same chip input / output circuit portion is provided in the scribe line region for each of the bonding pads 14. In this embodiment, a total of six chip input / output circuit portions are connected as a set and are cascade-connected to operate as a shift register as needed.

【0061】又、前記チップ入出力回路部分は、それぞ
れ、マルチプレクサ30と、フリップフロップFFとに
より構成されている。該チップ入出力回路部分は、入力
バッファに接続された前記ボンディングパッド14に
も、出力バッファに接続された前記ボンディングパッド
14にも、更には、双方向バッファに接続された前記ボ
ンディングパッド14にも対応することができる。
Each of the chip input / output circuit parts is composed of a multiplexer 30 and a flip-flop FF. The chip input / output circuit portion includes the bonding pad 14 connected to the input buffer, the bonding pad 14 connected to the output buffer, and further the bonding pad 14 connected to the bidirectional buffer. Can respond.

【0062】該チップ入出力回路部分と前記ボンディン
グパッド14との接続は、端子TO又は端子TIを経由
したものとなる。そのボンディングパッド14が入力バ
ッファに接続されるものの場合、該ボンディングパッド
14は前記端子TIにて前記チップ入出力回路部分に接
続される。そのボンディングパッド14が出力バッファ
に接続されるものの場合、該ボンディングパッド14は
前記端子TOにて前記チップ入出力回路部分に接続され
る。そのボンディングパッド14が双方向バッファに接
続されるものの場合には、該ボンディングパッド14
は、前記端子TIと前記端子TOとを共に用いて、前記
チップ入出力回路部分に接続される。
The connection between the chip input / output circuit portion and the bonding pad 14 is via the terminal TO or the terminal TI. When the bonding pad 14 is connected to the input buffer, the bonding pad 14 is connected to the chip input / output circuit portion at the terminal TI. When the bonding pad 14 is connected to the output buffer, the bonding pad 14 is connected to the chip input / output circuit portion at the terminal TO. If the bonding pad 14 is connected to a bidirectional buffer, the bonding pad 14
Is connected to the chip input / output circuit portion using both the terminal TI and the terminal TO.

【0063】このような入力バッファや出力バッファや
双方向バッファへの対応は、前記ボンディングパッド1
4と前記チップ入出力回路部分との間の、前記集積回路
チップ領域側に作り込む回路の変更にて対応するもので
ある。又、前記ボンディングパッド14が入力バッファ
に接続されるものである場合には、該ボンディングパッ
ド14と前記端子TIとの間に、トランスフィゲート4
4と、バスホルダ46とを設ける。又、前記ボンディン
グパッド14が出力バッファに接続されるものである場
合には、該ボンディングパッド14と前記端子TOとを
接続する。又、前記ボンディングパッド14が双方向バ
ッファへと接続されるものである場合には、前述のよう
な入力バッファの場合のように、前記端子TIへの接続
を行うと共に、更に、前述の出力バッファの場合と同様
に、前記端子TOへの接続も行う。
The above-mentioned bonding buffer 1 can be used for the input buffer, the output buffer and the bidirectional buffer.
4 and the chip input / output circuit portion are changed by changing the circuit formed on the integrated circuit chip area side. When the bonding pad 14 is connected to the input buffer, the transfer gate 4 is provided between the bonding pad 14 and the terminal TI.
4 and a bus holder 46 are provided. When the bonding pad 14 is connected to the output buffer, the bonding pad 14 and the terminal TO are connected. When the bonding pad 14 is connected to the bidirectional buffer, the connection to the terminal TI is made as in the case of the input buffer as described above, and further the output buffer described above is further connected. Similar to the case of, the connection to the terminal TO is also made.

【0064】このような合計6個の前記チップ入出力回
路部分は、それぞれが備える前記マルチプレクサの1つ
の入力と、それぞれが備える前記フリップフロップFF
の出力Qに関して、カスケード接続されている。従っ
て、シフト選択信号SSをH状態とし、それぞれの前記
チップ入出力回路部分が備える前記マルチプレクサ30
を切り替えることで、クロック信号CKの立上り毎に、
シフト入力SIから順次、合計6個の前記フリップフロ
ップFFへのビットデータを順次入力し、取り込むこと
ができる。又、このように取り込んだビットデータは、
入力バッファや双方向バッファに接続される前記ボンデ
ィングパッド14に対しては、これに対応する前記フリ
ップフロップFFの出力Qから出力することができる。
又、この出力のタイミングは、それぞれに設けられた前
記トランスファゲート44に入力するゲート信号EやE
バーにて相互に同期させることができる。
Such a total of six chip input / output circuit portions are each provided with one input of the multiplexer provided therein and the flip-flop FF provided therein.
The output Q of is connected in cascade. Therefore, the shift selection signal SS is set to the H state, and the multiplexers 30 included in the respective chip input / output circuit parts are provided.
By switching, every time the clock signal CK rises,
Bit data to a total of six flip-flops FF can be sequentially input and taken in sequentially from the shift input SI. Also, the bit data captured in this way is
The bonding pad 14 connected to the input buffer or the bidirectional buffer can be output from the corresponding output Q of the flip-flop FF.
The timing of this output is the gate signals E and E to be input to the transfer gates 44 provided for each.
The bars can be synchronized with each other.

【0065】一方、前記シフト選択信号SSをL状態と
することで、出力バッファあるいは双方向バッファに接
続される前記ボンディングパッド14の論理状態を、前
記端子TOや前記マルチプレクサ30を経由して、前記
フリップフロップFFへと取り込むことが可能である。
又、前記シフト選択信号SSをL状態として、このよう
に前記フリップフロップFFへと取り込んだ論理状態
は、該シフト選択信号SSをH状態とすることで、合計
6個の前記フリップフロップFFをシフトレジスタとし
て動作させ、前記クロック信号CKの立上り毎に、シフ
ト出力SOとして順次出力することができる。
On the other hand, by setting the shift selection signal SS to the L state, the logic state of the bonding pad 14 connected to the output buffer or the bidirectional buffer is changed to the logical state of the bonding pad 14 via the terminal TO and the multiplexer 30. It can be taken into the flip-flop FF.
In addition, the shift selection signal SS is brought into the L state, and the logical state taken in the flip-flop FF in this manner shifts the shift selection signal SS into the H state to shift a total of six flip-flops FF. It can be operated as a register and can be sequentially output as the shift output SO at each rising of the clock signal CK.

【0066】図10は、本第3実施例に用いられる前記
チップ入出力回路部分の回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram of the chip input / output circuit portion used in the third embodiment.

【0067】この図10に示されるように、前記マルチ
プレクサ30の1つの入力は、前段の前記フリップフロ
ップFFの出力Qへ接続されている。該マルチプレクサ
30のこの入力は、前記シフト選択信号SSがH状態と
なると、前記フリップフロップFFの入力Dへと接続さ
れる。一方、該マルチプレクサ30の他方の入力には、
前記端子TOを経由して、前記ボンディングパッド14
が接続される。該マルチプレクサ30のこの入力は、前
記シフト選択信号SSがL状態となると、前記フリップ
フロップFFの入力Dへと接続される。なお、該マルチ
プレクサ30のこの入力への前記ボンディングパッド1
4からの接続は、前記ボンディングパッド14に対し
て、出力バッファや双方向バッファが接続されるときの
みである。
As shown in FIG. 10, one input of the multiplexer 30 is connected to the output Q of the preceding flip-flop FF. This input of the multiplexer 30 is connected to the input D of the flip-flop FF when the shift selection signal SS goes high. On the other hand, the other input of the multiplexer 30 is
Via the terminal TO, the bonding pad 14
Are connected. This input of the multiplexer 30 is connected to the input D of the flip-flop FF when the shift selection signal SS is in the L state. The bonding pad 1 to this input of the multiplexer 30
The connection from 4 is only when an output buffer or a bidirectional buffer is connected to the bonding pad 14.

【0068】又、この図10に示されるチップ入出力回
路部分において、その前記フリップフロップFFの入力
Dには、前記マルチプレクサ30の出力が接続されてい
る。又、該フリップフロップFFの出力Qは、次段のチ
ップ入出力回路部分の前記マルチプレクサ30の1つの
入力へと接続されている。又、該フリップフロップFF
の出力Qは、前記端子TI及び前記トランスファゲート
44及び前記バスホルダ46を経由して、前記ボンディ
ングパッド14へと接続されている。このボンディング
パッド14への接続は、該ボンディングパッド14が入
力バッファや双方向バッファに接続する場合に成され
る。
In the chip input / output circuit portion shown in FIG. 10, the output of the multiplexer 30 is connected to the input D of the flip-flop FF. The output Q of the flip-flop FF is connected to one input of the multiplexer 30 in the chip input / output circuit portion of the next stage. Also, the flip-flop FF
Output Q is connected to the bonding pad 14 via the terminal TI, the transfer gate 44, and the bus holder 46. The connection to the bonding pad 14 is made when the bonding pad 14 is connected to the input buffer or the bidirectional buffer.

【0069】なお、これらトランスファゲート44及び
バスホルダ46は、集積回路チップ領域の下地に作り込
まれたものであり、このように前記ボンディングパッド
14が入力バッファや双方向バッファに接続される場
合、前記端子TIから該ボンディングパッド14への配
線が設定される。
The transfer gate 44 and the bus holder 46 are formed on the base of the integrated circuit chip area, and when the bonding pad 14 is connected to the input buffer or the bidirectional buffer as described above, The wiring from the terminal TI to the bonding pad 14 is set.

【0070】以上説明した通り、本第3実施例によれ
ば、そのボンディングパッド14が狭ピッチとなった集
積回路チップにおいても、前記プローブパッド10のピ
ッチを拡大することが可能であり、より容易に前記プロ
ーブテストを可能とすることができる。又、本第3実施
例の前記集積回路チップ入出力回路において、前記チッ
プ入出力回路部分それぞれは、入力バッファに接続され
る前記ボンディングパッド14に対しても、出力バッフ
ァに接続される前記ボンディングパッド14に対して
も、更には双方向バッファに接続される前記ボンディン
グパッド14に対しても、同一のものとなっている。
As described above, according to the third embodiment, the pitch of the probe pads 10 can be increased even in the integrated circuit chip having the bonding pads 14 having a narrow pitch, which is easier to perform. In addition, the probe test can be enabled. Further, in the integrated circuit chip input / output circuit of the third embodiment, each of the chip input / output circuit portions has the bonding pad connected to the output buffer as well as the bonding pad 14 connected to the input buffer. 14 and the bonding pad 14 connected to the bidirectional buffer are the same.

【0071】従って、本実施例の集積回路チップが前述
のようなゲートアレイ方式のものである場合には、この
ような集積回路チップ入出力回路をその下地に作り込ん
でおき、複数種類の集積回路チップに対して共用するこ
とができる。即ち、それぞれの前記ボンディングパッド
14が入力バッファに接続されるものか、出力バッファ
に接続されるものか、あるいは双方向バッファに接続さ
れるものであるかに従って、カスタム化された配線のみ
で、該ボンディングパッド14と、前記端子TOや前記
端子TIとの間の接続などで対応することができる。
Therefore, in the case where the integrated circuit chip of this embodiment is of the gate array type as described above, such an integrated circuit chip input / output circuit is built in the base thereof and a plurality of types of integrated circuits are integrated. It can be shared with the circuit chip. In other words, according to whether each of the bonding pads 14 is connected to the input buffer, the output buffer, or the bidirectional buffer, the wiring is customized only. The bonding pad 14 and the terminal TO or the terminal TI can be connected.

【0072】図11は、前記第4実施例に用いられるチ
ップ入出力回路部分の回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram of a chip input / output circuit portion used in the fourth embodiment.

【0073】この図11に示される本第4実施例の前記
チップ入出力回路部分は、前記図9や前記図10に示し
た前記第3実施例のものの変形例である。
The chip input / output circuit portion of the fourth embodiment shown in FIG. 11 is a modification of the third embodiment shown in FIGS. 9 and 10.

【0074】即ち、本第4実施例では、前記第3実施例
で前記集積回路チップ領域に作り込まれていた前記トラ
ンスファゲート44や前記バスホルダ46が、一点鎖線
の右側、即ち前記スクライブライン領域に作り込まれて
いる。
That is, in the fourth embodiment, the transfer gate 44 and the bus holder 46 built in the integrated circuit chip area in the third embodiment are located on the right side of the one-dot chain line, that is, the scribe line area. It is built in.

【0075】従って、本第4実施例においても、該スク
ライブライン領域に作り込まれた前記チップ入出力回路
部分は、入力バッファに接続された前記ボンディングパ
ッドに対しても、出力バッファに接続された前記ボンデ
ィングパッド14に対しても、更には双方向バッファに
接続された前記ボンディングパッド14に対しても、同
一のものとすることができている。本第4実施例では、
前記ボンディングパッド14が入力バッファに接続され
るものである場合、該ボンディングパッド14を端子T
Iへと、例えばカスタム化された配線にて接続する。
又、出力バッファに接続されるものである場合、該ボン
ディングパッド14を端子TOへと、例えばカスタム化
された配線にて接続する。又、双方向バッファである場
合には、このような端子TOや端子TIへの配線を共に
行うようにする。
Therefore, also in the fourth embodiment, the chip input / output circuit portion formed in the scribe line region is connected to the output buffer also to the bonding pad connected to the input buffer. The same can be applied to the bonding pad 14 and also to the bonding pad 14 connected to the bidirectional buffer. In the fourth embodiment,
When the bonding pad 14 is connected to the input buffer, the bonding pad 14 is connected to the terminal T.
I is connected to I by, for example, a customized wiring.
If it is connected to an output buffer, the bonding pad 14 is connected to the terminal TO by, for example, a customized wiring. Also, in the case of a bidirectional buffer, such wiring to the terminal TO and the terminal TI is performed together.

【0076】以上説明したような本第4実施例において
も、前述の第3実施例と同様の効果を得ることができ
る。特に、スクライブライン領域に面積上の余裕がある
場合には、本第4実施例の如く、前記トランスファゲー
ト44や前記バスホルダ46を該スクライブライン領域
に作り込むことにより、前記集積回路チップ領域の集積
度を向上させることができる。
Also in the fourth embodiment as described above, the same effect as that of the above-mentioned third embodiment can be obtained. In particular, when the scribe line region has an area allowance, the transfer gate 44 and the bus holder 46 are formed in the scribe line region as in the fourth embodiment, so that the integrated circuit chip region is integrated. The degree can be improved.

【0077】図12は、前記第5実施例の半導体ウェハ
に用いられている集積回路チップ入出力回路の拡大平面
図である。
FIG. 12 is an enlarged plan view of an integrated circuit chip input / output circuit used in the semiconductor wafer of the fifth embodiment.

【0078】この図12においては、前記図7に示され
た前記集積回路チップ1a の領域と、前記集積回路チッ
プ1c の領域との間の、前記スクライブライン領域に作
り込まれている本第5実施例に用いられる集積回路チッ
プ入力回路の拡大平面図が示されている。
In FIG. 12, the fifth main circuit formed in the scribe line region between the region of the integrated circuit chip 1a shown in FIG. 7 and the region of the integrated circuit chip 1c. An enlarged plan view of an integrated circuit chip input circuit used in the example is shown.

【0079】本実施例に用いられる前記集積回路チップ
入出力回路は、隣接する集積回路チップ間で共用された
ものである。例えば、この図12に示される前記スクラ
イブライン領域に作り込まれた前記集積回路チップ入出
力回路は、前記集積回路チップ1a にも用いられ、又、
前記集積回路チップ1c にも用いられる。このような前
記集積回路チップ入出力回路は、この図12の複数のプ
ローブパッド10が設けられている前記スクライブライ
ン領域の下層に作り込まれている。
The integrated circuit chip input / output circuit used in this embodiment is shared by adjacent integrated circuit chips. For example, the integrated circuit chip input / output circuit built in the scribe line region shown in FIG. 12 is also used for the integrated circuit chip 1a, and
It is also used for the integrated circuit chip 1c. Such an integrated circuit chip input / output circuit is built in the lower layer of the scribe line region where the plurality of probe pads 10 of FIG. 12 are provided.

【0080】なお、本実施例の集積回路チップ入出力回
路は、一方の集積回路チップの合計8個の前記ボンディ
ングパッドと、他方の前記集積回路チップの合計8個の
前記ボンディングパッドとを1組として設けられ、合計
4個の前記プローブパッド10を備えている。
In the integrated circuit chip input / output circuit of this embodiment, one integrated circuit chip has a total of eight bonding pads and the other integrated circuit chip has a total of eight bonding pads. And the probe pads 10 are provided in total.

【0081】図13は、本第5実施例に用いられる集積
回路チップ入出力回路のチップ入出力回路部分の回路図
である。
FIG. 13 is a circuit diagram of the chip input / output circuit portion of the integrated circuit chip input / output circuit used in the fifth embodiment.

【0082】本実施例では、この図13に示されるチッ
プ入出力回路部分50が合計8個で1組とされ、一方の
集積回路チップの合計8個の前記ボンディングパッド1
4と他方の合計8個の前記ボンディングパッド14と
の、合計16個の前記ボンディングパッド14に対して
設けられている。
In this embodiment, a total of eight chip input / output circuit portions 50 shown in FIG. 13 constitute one set, and a total of eight bonding pads 1 of one integrated circuit chip.
It is provided for a total of 16 bonding pads 14 of 4 and the other 8 bonding pads 14 in total.

【0083】この図13に示される本第5実施例の前記
チップ入出力回路部分50は、前記図11に示された前
記第4実施例のものに比べ、用いられるマルチプレクサ
30a と、各集積回路チップ領域のそれぞれの前記ボン
ディングパッド14への接続部分が異なっている。即
ち、本第5実施例で用いられる前記マルチプレクサ30
a は、3つの入力のいずれか1つを選択し、これを出力
するというものである。又、該マルチプレクサ30a
は、シフト選択信号SSとチップ選択信号CSを用い
る。即ち、前記シフト選択信号SSがH状態である場合
には、該マルチプレクサ30a は、入力a を選択し、こ
れを出力する。又、前記シフト選択信号SSがL状態の
場合、該マルチプレクサ30a は、前記チップ選択信号
CSに従って、その入力b 、又はその入力c のいずれか
一方を選択し、これを出力する。前記チップ選択信号C
SがH状態の場合には、その入力b を選択する。一方、
前記チップ選択信号CSがL状態の場合、該マルチプレ
クサ30a は、入力c を選択し、これを出力する。
The chip input / output circuit portion 50 of the fifth embodiment shown in FIG. 13 is different from that of the fourth embodiment shown in FIG. 11 in that it uses the multiplexer 30a and each integrated circuit. The connection portions of the chip regions to the bonding pads 14 are different. That is, the multiplexer 30 used in the fifth embodiment.
a is to select any one of the three inputs and output it. Also, the multiplexer 30a
Uses the shift selection signal SS and the chip selection signal CS. That is, when the shift selection signal SS is in the H state, the multiplexer 30a selects the input a and outputs it. When the shift selection signal SS is in the L state, the multiplexer 30a selects either the input b 1 or the input c 2 according to the chip selection signal CS and outputs it. The chip selection signal C
When S is in the H state, the input b is selected. on the other hand,
When the chip selection signal CS is in the L state, the multiplexer 30a selects the input c and outputs it.

【0084】又、本第5実施例では、前記マルチプレク
サ30a の入力a は前段の前記フリップフロップFFの
出力Qへ接続されている。該マルチプレクサ30a の入
力bは、左の集積回路チップ側の端子TOに接続されて
いる。該マルチプレクサ30a の入力c は、右側の集積
回路チップ側の端子TOに接続されている。又、前記ト
ランスファゲート44には、前記バスホルダ46と共
に、左側の端子TIと右側の端子TIとが接続されてい
る。
Also, in the fifth embodiment, the input a of the multiplexer 30a is connected to the output Q of the flip-flop FF in the preceding stage. The input b of the multiplexer 30a is connected to the terminal TO on the left integrated circuit chip side. The input c of the multiplexer 30a is connected to the terminal TO on the right side integrated circuit chip side. A left terminal TI and a right terminal TI are connected to the transfer gate 44 together with the bus holder 46.

【0085】このような本第5実施例の集積回路チップ
入出力回路は、左側あるいは右側のいずれかの集積回路
チップの前記ボンディングパッド14の論理状態を読み
出す際には、前記シフト選択信号SSをL状態とする。
又、左側か、あるいは右側か、どちらの集積回路チップ
の前記ボンディングパッド14の論理状態を読み出すか
に従って、前記チップ選択信号CSを入力する。この
後、前記クロック信号CKの立上りにて、該当する前記
ボンディングパッド14の論理状態を前記フリップフロ
ップFFへと取り込むことができる。該フリップフロッ
プFFに取り込まれた論理状態を前記プローブピンへの
読出すことは、前記シフト選択信号SSをH状態とする
ことにより、前述の第1実施例〜第4実施例と同様に行
うことができる。
The integrated circuit chip input / output circuit of the fifth embodiment as described above outputs the shift selection signal SS when reading the logical state of the bonding pad 14 of either the left or right integrated circuit chip. Set to L state.
Further, the chip selection signal CS is input according to which of the integrated circuit chip, the left side or the right side, to read the logic state of the bonding pad 14. After that, at the rise of the clock signal CK, the logic state of the corresponding bonding pad 14 can be taken into the flip-flop FF. The reading of the logic state fetched by the flip-flop FF to the probe pin is performed in the same manner as in the first to fourth embodiments by setting the shift selection signal SS to the H state. You can

【0086】又、前記プローブピンからの論理状態の入
力の際には、前記第1実施例〜第4実施例と同様に、前
記シフト選択信号SSをH状態としながら、シフトレジ
スタとして動作させることにより、それぞれの前記フリ
ップフロップFFへのビットデータのセットを行う。そ
れぞれの前記フリップフロップFFにビットデータがセ
ットされると、前記トランスファゲート44に前記ゲー
ト信号E又Eバーを入力することで、複数の前記ボンデ
ィングパッド14間で同期して、その信号を入力するこ
とが可能である。この際、前記トランスファゲート44
は左側の集積回路チップの端子TIにも、右側の集積回
路チップの端子TIにも接続されているので、前記フリ
ップフロップFFの出力はいずれの集積回路チップの前
記ボンディングパッド14にも共に出力することが可能
である。
When the logic state is input from the probe pin, the shift select signal SS is set to the H state and operated as a shift register, as in the first to fourth embodiments. Thus, the bit data is set in each of the flip-flops FF. When the bit data is set in each of the flip-flops FF, the gate signal E or E bar is input to the transfer gate 44, and the signal is input in synchronization between the plurality of bonding pads 14. It is possible. At this time, the transfer gate 44
Is connected to both the terminal TI of the left integrated circuit chip and the terminal TI of the right integrated circuit chip, so that the output of the flip-flop FF is also output to the bonding pad 14 of any integrated circuit chip. It is possible.

【0087】本第5実施例においても、集積回路チップ
領域の前記ボンディングパッド14が、入力バッファに
接続されるものであるか、出力バッファに接続されるも
のであるか、あるいは、双方向バッファに接続されるも
のであるかに従って、該ボンディングパッド14と、こ
れに対応する前記端子TOや端子TIに対する配線を行
う。この配線は、前記第3実施例や前記第4実施例の如
く、例えばカスタム化された配線にて行ってもよい。例
えば、該ボンディングパッド14が入力バッファに接続
されるものである場合、前記端子TIとの配線を行う。
一方、例えば該ボンディングパッド14が出力バッファ
に接続されるものである場合、該ボンディングパッド1
4は、これに対応する前記端子TOへの配線を行う。
Also in the fifth embodiment, whether the bonding pad 14 in the integrated circuit chip area is connected to the input buffer, the output buffer, or the bidirectional buffer. Wiring is performed for the bonding pad 14 and the terminals TO and TI corresponding to the bonding pad 14 depending on whether they are connected or not. This wiring may be, for example, a customized wiring as in the third embodiment and the fourth embodiment. For example, when the bonding pad 14 is connected to the input buffer, wiring with the terminal TI is performed.
On the other hand, for example, when the bonding pad 14 is connected to the output buffer, the bonding pad 1
4 performs wiring to the terminal TO corresponding to this.

【0088】以上説明した通り、本実施例によれば、前
記第4実施例と同様の効果を得ることができる。更に、
本第5実施例によれば、隣接する集積回路チップ間で前
記集積回路チップ入出力回路が共有されているため、該
集積回路チップ入出力回路が組み込まれている前記スク
ライブライン領域の面積を有効に用いることができる。
As described above, according to this embodiment, the same effect as that of the fourth embodiment can be obtained. Furthermore,
According to the fifth embodiment, since the integrated circuit chip input / output circuit is shared between the adjacent integrated circuit chips, the area of the scribe line region in which the integrated circuit chip input / output circuit is incorporated is effective. Can be used for.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、集
積回路チップのボンディングパッドの数の増加などによ
って、該ボンディングパッドが狭ピッチとなった集積回
路チップにおいても、より容易に前記プローブテストを
可能にすることができるという優れた効果を得ることが
できる。
As described above, according to the present invention, the probe test can be more easily performed even in an integrated circuit chip having a narrow pitch of bonding pads due to an increase in the number of bonding pads of the integrated circuit chip. It is possible to obtain an excellent effect that it is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明が適用された第1実施例の半導体ウェハ
に用いられる集積回路チップ入出力回路の回路図
FIG. 1 is a circuit diagram of an integrated circuit chip input / output circuit used in a semiconductor wafer according to a first embodiment of the present invention.

【図2】前記第1実施例の前記集積回路チップ入出力回
路に用いられるバウンダリスキャンレジスタの回路図
FIG. 2 is a circuit diagram of a boundary scan register used in the integrated circuit chip input / output circuit of the first embodiment.

【図3】前記第1実施例の前記集積回路チップ入出力回
路の動作を示すタイムチャート
FIG. 3 is a time chart showing the operation of the integrated circuit chip input / output circuit of the first embodiment.

【図4】本発明が適用された第2実施例の半導体ウェハ
に用いられる集積回路チップ入出力回路の回路図
FIG. 4 is a circuit diagram of an integrated circuit chip input / output circuit used for a semiconductor wafer according to a second embodiment of the present invention.

【図5】前記第2実施例の前記集積回路チップ入出力回
路に用いられるバウンダリスキャンレジスタの回路図
FIG. 5 is a circuit diagram of a boundary scan register used in the integrated circuit chip input / output circuit of the second embodiment.

【図6】前記第2実施例の前記集積回路チップ入出力回
路の動作を示すタイムチャート
FIG. 6 is a time chart showing the operation of the integrated circuit chip input / output circuit of the second embodiment.

【図7】本発明が適用される第3実施例〜第5実施例の
半導体ウェハ上の一部拡大平面図
FIG. 7 is a partially enlarged plan view of a semiconductor wafer according to third to fifth embodiments of the present invention.

【図8】前記第3実施例及び前記第4実施例の集積回路
チップ領域とスクライブライン領域との境界部分の一部
拡大平面図
FIG. 8 is a partially enlarged plan view of a boundary portion between an integrated circuit chip region and a scribe line region of the third embodiment and the fourth embodiment.

【図9】前記第3実施例に用いられる集積回路チップ入
出力回路の回路図
FIG. 9 is a circuit diagram of an integrated circuit chip input / output circuit used in the third embodiment.

【図10】前記第3実施例の前記集積回路チップ入出力
回路のチップ入出力回路部分の回路図
FIG. 10 is a circuit diagram of a chip input / output circuit portion of the integrated circuit chip input / output circuit of the third embodiment.

【図11】前記第4実施例に用いられる集積回路チップ
入出力回路のチップ入出力回路部分の回路図
FIG. 11 is a circuit diagram of a chip input / output circuit portion of an integrated circuit chip input / output circuit used in the fourth embodiment.

【図12】前記第5実施例のスクライブライン領域の一
部拡大平面図
FIG. 12 is a partially enlarged plan view of a scribe line region of the fifth embodiment.

【図13】前記第5実施例に用いられる前記集積回路チ
ップ入出力回路のチップ入出力回路部分の回路図
FIG. 13 is a circuit diagram of a chip input / output circuit portion of the integrated circuit chip input / output circuit used in the fifth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a 〜1i …集積回路チップ 10…プローブパッド 12a 、12b …バウンダリスキャンレジスタ 14…ボンディングパッド 16a …入力バッファ 16b …出力バッファ 30、30a …マルチプレクサ 44…トランスファゲート 46…バスホルダ SI、SI1、SI2…シフトデータ入力 SO、SO1、SO2…シフトデータ出力 CK、CK1、CK2…クロック信号 SS…シフト選択信号 CS…チップ選択信号 Wa 〜Wd …出力バッファの出力 Ba 〜Bd …ビットデータ FF…フリップフロップ TO、TI…端子 1a to 1i ... Integrated circuit chip 10 ... Probe pads 12a, 12b ... Boundary scan register 14 ... Bonding pad 16a ... Input buffer 16b ... Output buffer 30, 30a ... Multiplexer 44 ... Transfer gate 46 ... Bus holder SI, SI1, SI2 ... Shift data Input SO, SO1, SO2 ... Shift data output CK, CK1, CK2 ... Clock signal SS ... Shift selection signal CS ... Chip selection signal Wa-Wd ... Output buffer output Ba-Bd ... Bit data FF ... Flip-flop TO, TI ... Terminal

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/82 Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display area H01L 21/82

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウェハ上の、集積回路チップ間のスクライ
ブライン領域に設けられ、 前記集積回路チップ上のボンディングパッドのうち、信
号の入出力に用いられるものに対応して設けられた複数
のバウンダリスキャンレジスタと、 複数の前記バウンダリスキャンレジスタを、シフトレジ
スタとして動作させてアクセスするための、前記ボンデ
ィングパッドよりも広ピッチのプローブパッドとを備え
たことを特徴とする集積回路チップ入出力回路。
1. A plurality of boundaries provided on a wafer in a scribe line region between integrated circuit chips and corresponding to bonding pads on the integrated circuit chip used for inputting / outputting signals. An integrated circuit chip input / output circuit comprising a scan register and a probe pad having a wider pitch than the bonding pad for operating and accessing the plurality of boundary scan registers as a shift register.
【請求項2】請求項1において、 隣接する前記集積回路チップのそれぞれの当該集積回路
チップ入出力回路について、前記バウンダリスキャンレ
ジスタと前記プローブパッドとの、少なくとも一方が共
用されていることを特徴とする集積回路チップ入出力回
路。
2. The integrated circuit chip input / output circuit of each of the adjacent integrated circuit chips according to claim 1, wherein at least one of the boundary scan register and the probe pad is shared. Integrated circuit chip I / O circuit.
【請求項3】請求項1において、 前記集積回路チップが、セミカスタム集積回路チップで
あって、 又、入力用の前記ボンディングパッドへの配線と、出力
用の前記ボンディングパッドへの配線とを、前記セミカ
スタム集積回路チップ側へと、共に備え、 前記セミカスタム集積回路チップ中のカスタム化された
回路部分の設計にて、前記バウンダリスキャンレジスタ
を入力用に用いるか、出力用に用いるか定めることがで
きることを特徴とする集積回路チップ入出力回路。
3. The integrated circuit chip according to claim 1, wherein the integrated circuit chip is a semi-custom integrated circuit chip, and wiring to the bonding pad for input and wiring to the bonding pad for output are provided. Both are provided on the side of the semi-custom integrated circuit chip, and in the design of the customized circuit portion in the semi-custom integrated circuit chip, it is determined whether the boundary scan register is used for input or output. An integrated circuit chip input / output circuit characterized by being capable of
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6717235B2 (en) 2001-08-16 2004-04-06 Renesas Technology Corp. Semiconductor integrated circuit device having a test path
US7747914B2 (en) 2007-01-08 2010-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory diagnosis test circuit and test method using the same

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