JPH06163425A - Vapor growth device - Google Patents
Vapor growth deviceInfo
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- JPH06163425A JPH06163425A JP4311588A JP31158892A JPH06163425A JP H06163425 A JPH06163425 A JP H06163425A JP 4311588 A JP4311588 A JP 4311588A JP 31158892 A JP31158892 A JP 31158892A JP H06163425 A JPH06163425 A JP H06163425A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体基板上に薄膜
を形成する気相成長装置に関し、特に化合物半導体膜を
積層形成するに好適な気相成長装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor phase growth apparatus for forming a thin film on a semiconductor substrate, and more particularly to a vapor phase growth apparatus suitable for stacking compound semiconductor films.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体基板に化合物半導体膜を多層形成
する従来の気相成長装置としては、図２に示すような反
応ガス供給配管系統を有するものがある。2. Description of the Related Art As a conventional vapor phase growth apparatus for forming multiple compound semiconductor films on a semiconductor substrate, there is one having a reaction gas supply piping system as shown in FIG.
【０００３】図２において、気相成長装置は、反応炉１
内に配置されたウェーハ２に気相成長膜を形成する反応
ガスが、反応ガス供給ライン３から反応炉１に供給され
る。反応ガス供給ライン３には、反応ガスとなる例えば
有機金属のＭＯ１，ＭＯ２，ＡｓＨ3 （アルシン）なら
びにＰＨ3 （ホスフィン）が、それぞれオート２方弁
４、流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ）
５及びオート４方弁６を介して選択的に与えられる。ま
た、反応ガス供給ライン３には、キャリアガスとなるＨ
2 がオート２方弁４及びマスフローコントローラ５を介
して与えられる。さらに、反応ガス供給ライン３には、
補償用のキャリアガス（Ｈ2 ）がオート２方弁４、マス
フローコントローラ５及びオート４方弁６を介して、そ
れぞれ異なる３つの補償ライン（１〜３）から与えられ
る。In FIG. 2, the vapor phase growth apparatus is shown in FIG.
A reaction gas for forming a vapor phase growth film on the wafer 2 arranged inside is supplied to the reaction furnace 1 from the reaction gas supply line 3. The reaction gas supply line 3, MO1 of the reactive gas such as an organic metal, MO2, AsH 3 (arsine) and PH 3 (phosphine) is a mass flow controller for controlling the automatic 2-way valve 4, the flow rate, respectively (MFC)
5 and the automatic 4-way valve 6 are selectively applied. In addition, the reaction gas supply line 3 is supplied with H as a carrier gas.
2 is given via the automatic two-way valve 4 and the mass flow controller 5. Further, in the reaction gas supply line 3,
The carrier gas (H 2 ) for compensation is supplied from three different compensation lines (1 to 3) via the auto 2-way valve 4, the mass flow controller 5 and the auto 4-way valve 6.
【０００４】一方、気相成長装置には、反応ガス供給ラ
イン３から反応炉１に供給されている反応ガスにより形
成されている気相成長膜の上に形成される気相成長膜を
成膜するための反応ガスを予め準備しておくためのベン
トライン７が備えられている。このベントライン７に
は、反応ガス供給ライン３に反応ガスならびに補償用の
キャリアガスを供給すると同じライン及びオート３方弁
８を介して、反応ガスとキャリアガスが選択的に供給さ
れる。また、ベントライン７には、反応ガス供給ライン
３にキャリアガスを供給するラインとは異なるラインの
オート２方弁４及びマスフローコントローラ５を介し
て、キャリアガスが供給される。On the other hand, in the vapor phase growth apparatus, a vapor phase growth film formed on the vapor phase growth film formed by the reaction gas supplied from the reaction gas supply line 3 to the reaction furnace 1 is formed. A vent line 7 for preliminarily preparing a reaction gas for carrying out is provided. The reaction gas and the carrier gas are selectively supplied to the vent line 7 through the same line as that for supplying the reaction gas and the carrier gas for compensation to the reaction gas supply line 3 and the auto three-way valve 8. Further, the vent line 7 is supplied with the carrier gas via the auto two-way valve 4 and the mass flow controller 5 which are different from the line for supplying the carrier gas to the reaction gas supply line 3.
【０００５】ベントライン７に供給される反応ガスは、
反応炉１内の反応ガスを排気する真空ポンプ９により排
気されており、常に流れている状態にある。これによ
り、反応ガスは、反応ガス供給ライン３を流れている反
応ガスと同程度の減圧（数１０Torr）状態に保たれ、反
応ガス供給ライン３に供給されている反応ガスによる成
膜が終了した後、直ちに弁を切り換えて反応ガス供給ラ
イン３に移し、反応炉１に供給できる状態に保持されて
いる。The reaction gas supplied to the vent line 7 is
It is evacuated by the vacuum pump 9 that evacuates the reaction gas in the reaction furnace 1 and is constantly flowing. As a result, the reaction gas is kept at a reduced pressure (several tens Torr) in the same level as the reaction gas flowing in the reaction gas supply line 3, and the film formation by the reaction gas supplied to the reaction gas supply line 3 is completed. Immediately thereafter, the valve is switched to move to the reaction gas supply line 3, and the reaction gas is maintained in a state in which it can be supplied to the reaction furnace 1.
【０００６】このような気相成長装置において、ベント
ライン７に準備されている反応ガスを反応ガス供給ライ
ン３に移し反応炉１に供給した際に、反応ガス供給ライ
ン３と同圧の反応炉１の内圧とベントライン７の圧力が
同一の減圧値（数１０Torr）となっているため、配管ラ
インの閉塞、弁４，６，８の開閉シーケンスの誤り及び
動作不良、マスフローコントローラ５の動作不良等が発
生した場合に、これらを早期に発見することができなか
った。このため、所望の反応ガスが反応炉１に供給され
ず、所望の気相成長膜を形成することができなかった。
そして、このことは、成膜されたウェーハ２をＬＥＤや
レーザのＰＬ（発振）波長、格子不整合率、ドーピング
特性等により評価するまで発見することができなかっ
た。In such a vapor phase growth apparatus, when the reaction gas prepared in the vent line 7 is transferred to the reaction gas supply line 3 and supplied to the reaction furnace 1, the reaction gas has the same pressure as the reaction gas supply line 3. Since the internal pressure of 1 and the pressure of the vent line 7 are the same reduced pressure value (several 10 Torr), the piping line is blocked, the opening / closing sequence of the valves 4, 6, 8 is incorrect and malfunctions, and the mass flow controller 5 malfunctions. However, these could not be found early. Therefore, the desired reaction gas was not supplied to the reaction furnace 1 and the desired vapor phase growth film could not be formed.
This could not be found until the film-formed wafer 2 was evaluated by the PL (oscillation) wavelength of the LED or laser, the lattice mismatch rate, the doping characteristics, and the like.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
図２に示すようなベントラインを備えた従来の気相成長
装置にあっては、配管系統に異常が発生した場合に、こ
れを早期に発見することができず、所望の反応ガスで気
相成長膜を形成することができなかった。したがって、
不良品を製造することになり、生産性の低下を招いてい
た。また、高価な化合物半導体ウェーハや反応ガスを無
駄にして、製造コストの上昇を招いていた。As described above,
In the conventional vapor phase growth apparatus equipped with the vent line as shown in FIG. 2, when an abnormality occurs in the piping system, it cannot be detected early, and the desired reaction gas is used for the vapor phase growth. The growth film could not be formed. Therefore,
Defective products have to be manufactured, resulting in a decrease in productivity. In addition, expensive compound semiconductor wafers and reaction gases are wasted, resulting in an increase in manufacturing cost.
【０００８】そこで、この発明は、上記に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、配管系統の異
常状態を検出することにより反応ガスの異常を早期に検
出し、生産性の向上を達成し得る気相成長装置を提供す
ることにある。Therefore, the present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to detect an abnormal state of a reaction gas at an early stage by detecting an abnormal state of a piping system, thereby improving productivity. It is to provide a vapor phase growth apparatus that can achieve the above.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、半導体基板に気相成長膜を形成する反
応炉と、成膜用の第１の反応ガスを反応炉に供給する反
応ガス供給管と、反応ガス供給管から反応炉に供給され
る第１の反応ガスにより形成される気相成長膜の次に形
成される気相成長膜を成膜する反応ガスとなり、反応ガ
ス供給管から供給されている第１の反応ガスによる成膜
が終了した後、反応ガス供給管へ移されて反応炉に供給
される第２の反応ガスが準備される反応ガス準備管と、
反応ガス供給管と反応ガス準備管との間に設けられて、
反応ガス供給管を流れる第１の反応ガスと反応ガス準備
管を流れる第２の反応ガスとの圧力差が設定値から変動
したことを検出する差圧検出手段と、差圧検出手段が変
動を検出した場合に、この旨を報知する報知手段とから
構成される。In order to achieve the above object, the present invention provides a reaction furnace for forming a vapor phase growth film on a semiconductor substrate and a first reaction gas for film formation. The reaction gas supply pipe and the first reaction gas supplied from the reaction gas supply pipe to the reaction furnace serve as a reaction gas for forming a vapor growth film formed next to a vapor growth film formed next to the reaction gas. A reaction gas preparation pipe for preparing a second reaction gas which is transferred to the reaction gas supply pipe and supplied to the reaction furnace after the film formation by the first reaction gas supplied from the supply pipe is completed;
It is provided between the reaction gas supply pipe and the reaction gas preparation pipe,
The differential pressure detection means for detecting that the pressure difference between the first reaction gas flowing through the reaction gas supply pipe and the second reaction gas flowing through the reaction gas preparation pipe has changed from the set value, and the differential pressure detection means When it is detected, it is constituted by a notifying means for notifying this.
【００１０】[0010]
【作用】上記構成において、この発明は、第１の反応ガ
スと第２の反応ガスとの差圧が設定値から変動したこと
を検出することによって、第２の反応ガスの異常を早期
に検出するようにしている。In the above structure, the present invention detects an abnormality of the second reaction gas at an early stage by detecting that the differential pressure between the first reaction gas and the second reaction gas has changed from the set value. I am trying to do it.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１２】図１はこの発明の一実施例に係わる気相成
長装置の反応ガス供給配管系統を示す図である。なお、
図１において、図２と同符号のものは同一機能を有する
ものであり、その説明は省略する。FIG. 1 is a diagram showing a reaction gas supply piping system of a vapor phase growth apparatus according to an embodiment of the present invention. In addition,
In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIG. 2 have the same functions, and the description thereof will be omitted.
【００１３】図１において、気相成長装置は、この発明
の特徴的な構成要件となる差圧計１０が、反応ガス供給
ライン３の入口側とベントライン７の入口側との間に設
けられている。すなわち、差圧計１０は、反応ガス供給
ライン３に供給されるキャリアガス（Ｈ2 ）の流量を制
御するマスフローコントローラ５の排出側とベントライ
ン５に供給されるキャリアガスの流量を制御するマスフ
ローコントローラ５の排出側との間に接続され、それぞ
れのラインを流れる反応ガスの差圧が設定値からずれた
ことを検出する。In FIG. 1, the vapor phase growth apparatus is provided with a differential pressure gauge 10, which is a characteristic feature of the present invention, between the inlet side of the reaction gas supply line 3 and the inlet side of the vent line 7. There is. That is, the differential pressure gauge 10 is a mass flow controller that controls the flow rate of the carrier gas supplied to the reaction gas supply line 3 and the discharge side of the mass flow controller 5 that controls the flow rate of the carrier gas (H 2 ) and the vent line 5. It is connected to the discharge side of No. 5 and detects that the differential pressure of the reaction gas flowing through each line deviates from the set value.
【００１４】低圧状態の反応ガス供給ライン３やベント
ライン７の配管系統に、前述したような異常が発生する
と、両ライン間の差圧が変化する。このことに着目し
て、正常状態時の両ライン間の差圧を予め設定してお
き、この設定値から両ライン間の差圧がずれたことが検
出できれば、配管系統の異常を早期に検出することが可
能となる。したがって、この発明においては、両ライン
間の差圧と予め設定された設定圧とのずれを検出するた
めに、差圧計１０が反応供給ライン３とベントライン７
間に設けられている。When the above-mentioned abnormality occurs in the piping system of the low pressure reaction gas supply line 3 and the vent line 7, the differential pressure between both lines changes. Focusing on this, the differential pressure between both lines in the normal state is set in advance, and if it is possible to detect that the differential pressure between both lines has deviated from this set value, abnormalities in the piping system can be detected early. It becomes possible to do. Therefore, in the present invention, in order to detect the difference between the differential pressure between both lines and the preset pressure, the differential pressure gauge 10 is provided with the reaction supply line 3 and the vent line 7.
It is provided in between.
【００１５】また、差圧計１０には、報知手段として例
えば警報装置（図示せず）が接続されており、差圧計１
０が変動を検出すると、この旨が警報装置により外部に
報知される。An alarm device (not shown), for example, is connected to the differential pressure gauge 10 as an informing means.
When 0 detects a fluctuation, this is notified to the outside by an alarm device.
【００１６】このような気相成長装置において、ウェー
ハ２に気相成長膜を均一に形成するためには、反応炉１
内の総流量を常に一定に保持する必要がある。In such a vapor phase growth apparatus, in order to uniformly form a vapor phase growth film on the wafer 2, the reaction furnace 1
It is necessary to always keep the total flow rate in the inside constant.
【００１７】例えば、反応炉１内の総流量を５ｌ／min
として気相成長膜を形成する場合には、１ｌ／min のキ
ャリアガス、１ｌ／min のＭＯ１、ＭＯ２用補償ライン
２からの１ｌ／min のキャリアガス、１ｌ／min のＡｓ
Ｈ3 ガス、ＰＨ3 用補償ライン４からの１ｌ／min のキ
ャリアガスの計５ｌ／min の流量の反応ガスを反応炉１
へ供給して成膜する。これと同時に、次の成膜用の反応
ガスをベントライン７に流して準備しておく。この場
合、例えば、１ｌ／min のキャリアガス、１ｌ／min の
ＭＯ２，ＡｓＨ3 用補償ライン３からの１ｌ／min のキ
ャリアガス、１ｌ／min のＰＨ3 ガス、ＭＯ１用補償ラ
イン１からの１ｌ／min のキャリアガスの計５ｌ／min
の流量の次反応ガスを、それぞれの弁を開閉制御してベ
ントライン７に流して用意しておく。For example, the total flow rate in the reaction furnace 1 is 5 l / min.
In the case of forming a vapor-deposited film as the above, a carrier gas of 1 l / min, a carrier gas of 1 l / min, a carrier gas of 1 l / min from the compensation line 2 for MO2, 1 l / min of As.
The reaction gas of a total flow rate of 5 l / min of the carrier gas of 1 l / min from the compensation line 4 for H 3 gas and PH 3 was supplied to the reactor 1.
To supply a film. At the same time, the reaction gas for the next film formation is allowed to flow through the vent line 7 for preparation. In this case, for example, 1 l / min carrier gas, 1 l / min MO2, 1 l / min carrier gas from AsH 3 compensation line 3, 1 l / min PH 3 gas, 1 l / min from MO1 compensation line 1 5 l / min of carrier gas at min
The flow rate of the next reaction gas is prepared by flowing the vent line 7 by controlling the opening and closing of each valve.
【００１８】このような状態において、反応ガス供給ラ
イン３から反応炉１へ供給されている反応ガスによる成
膜が終了すると、直ちに弁を切り換えてベントライン７
に用意された次反応ガスを反応ガス供給ライン３に移し
て反応炉１に供給する。In such a state, when the film formation by the reaction gas supplied from the reaction gas supply line 3 to the reaction furnace 1 is completed, the valve is immediately switched to the vent line 7
The next reaction gas prepared in 1 above is transferred to the reaction gas supply line 3 and supplied to the reaction furnace 1.
【００１９】この時に、反応ガス供給ライン３とベント
ライン７の両ラインはともに５ｌ／min の流量の反応ガ
スが流されているため、正常状態時には両ライン間の差
圧は“０”となる。したがって、差圧計１０における設
定圧としては“０”が設定され、前述したような異常が
配管系統に発生して、両ライン間の差圧が設定圧の
“０”からずれたことが差圧計１０によって検出される
と、警報装置により外部に異常が報知され、装置が停止
される。At this time, both the reaction gas supply line 3 and the vent line 7 are supplied with the reaction gas at a flow rate of 5 l / min, so that the pressure difference between both lines becomes "0" in a normal state. . Therefore, "0" is set as the set pressure in the differential pressure gauge 10, and the above-mentioned abnormality occurs in the piping system, and the differential pressure between the two lines deviates from the set pressure of "0". When detected by 10, the alarm device externally notifies the abnormality and the device is stopped.
【００２０】これにより、配管系統の異常、すなわち反
応ガスの異常を早期に検出して対処することが可能とな
り、不良な気相成長膜が形成されることを防止すること
ができる。したがって、配管系統の異常、すなわち反応
ガスの異常を検出できず、不良品を大量に製造するとい
った不具合は回避され、生産性を高めることができる。
また、高価な化合物半導体ウェーハや反応ガスを不良品
製造のために浪費することはなくなり、原材料を節約し
て、製造コストを下げることも可能となる。With this, it becomes possible to detect an abnormality of the piping system, that is, an abnormality of the reaction gas at an early stage and deal with it, and it is possible to prevent a defective vapor phase growth film from being formed. Therefore, an abnormality of the piping system, that is, an abnormality of the reaction gas cannot be detected, and a defect that a large number of defective products are manufactured can be avoided, and the productivity can be improved.
In addition, expensive compound semiconductor wafers and reaction gases are not wasted for manufacturing defective products, raw materials can be saved, and manufacturing costs can be reduced.
【００２１】なお、この発明は、上記実施例に限ること
はなく、例えば差圧計の配置場所は、反応ガス供給ライ
ン３とベントライン７の出力側、あるいは両ライン間の
いずれかの位置であってもよく、両ライン間の差圧を正
確に検出できる位置であれば、いずれであってもかまわ
ない。The present invention is not limited to the above embodiment, and for example, the differential pressure gauge is arranged at the output side of the reaction gas supply line 3 and the vent line 7 or at any position between the two lines. However, any position may be used as long as it can accurately detect the pressure difference between the two lines.
【００２２】また、差圧計の設定圧は“０”に限ること
はなく、それぞれのライン３，７の流量に応じて設定す
るようにすればよい。Further, the set pressure of the differential pressure gauge is not limited to "0", and it may be set according to the flow rates of the respective lines 3 and 7.
【００２３】さらに、反応炉１内の総流量値が一定であ
れば、反応炉１内に供給される反応ガスを形成するそれ
ぞれのガスの流量値は、１ｌ／min でなくともよい。Further, if the total flow rate value in the reaction furnace 1 is constant, the flow rate values of the respective gases forming the reaction gas supplied into the reaction furnace 1 may not be 1 l / min.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの差圧の異常を
検出するようにしているので、第２の反応ガスの異常を
早期に発見することが可能となる。これにより、異常状
態の第２の反応ガスによる成膜は回避され、生産の向上
を達成することができるようになる。As described above, according to the present invention, the abnormality of the differential pressure between the first reaction gas and the second reaction gas is detected, so that the abnormality of the second reaction gas is detected. It is possible to detect the early. As a result, film formation by the second reaction gas in an abnormal state can be avoided, and improvement in production can be achieved.
【図１】この発明の一実施例に係わる気相成長装置の要
部構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of a vapor phase growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】従来の気相成長装置の要部構成を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a main part configuration of a conventional vapor phase growth apparatus.
１ 反応炉 ２ ウェーハ ３ 反応ガス供給ライン ４ オート２方弁 ５ マスフローコントローラ（ＭＦＣ） ６ オート４方弁 ７ ベントライン ８ オート３方弁 ９ 真空ポンプ １０ 差圧計 1 Reactor 2 Wafer 3 Reactive Gas Supply Line 4 Auto 2-Way Valve 5 Mass Flow Controller (MFC) 6 Auto 4-Way Valve 7 Vent Line 8 Auto 3-Way Valve 9 Vacuum Pump 10 Differential Pressure Meter
Claims (1)
炉と、 成膜用の第１の反応ガスを反応炉に供給する反応ガス供
給管と、 反応ガス供給管から反応炉に供給される第１の反応ガス
により形成される気相成長膜の次に形成される気相成長
膜を成膜する反応ガスとなり、反応ガス供給管から供給
されている第１の反応ガスによる成膜が終了した後、反
応ガス供給管へ移されて反応炉に供給される第２の反応
ガスが準備される反応ガス準備管と、 反応ガス供給管と反応ガス準備管との間に設けられて、
反応ガス供給管を流れる第１の反応ガスと反応ガス準備
管を流れる第２の反応ガスとの圧力差が設定値から変動
したことを検出する差圧検出手段と、 差圧検出手段が変動を検出した場合に、この旨を報知す
る報知手段とを有することを特徴とする気相成長装置。1. A reaction furnace for forming a vapor phase growth film on a semiconductor substrate, a reaction gas supply pipe for supplying a first reaction gas for film formation to the reaction furnace, and a reaction gas supply pipe for supplying the reaction gas to the reaction furnace. Becomes a reaction gas for forming a vapor phase growth film formed next to the vapor phase growth film formed by the first reaction gas, and film formation by the first reaction gas supplied from the reaction gas supply pipe is performed. After the completion, it is provided between the reaction gas supply pipe and the reaction gas preparation pipe, and the reaction gas preparation pipe in which the second reaction gas that is transferred to the reaction gas supply pipe and supplied to the reaction furnace is prepared.
The differential pressure detection means for detecting that the pressure difference between the first reaction gas flowing through the reaction gas supply pipe and the second reaction gas flowing through the reaction gas preparation pipe has fluctuated from the set value, and the differential pressure detection means A vapor phase growth apparatus comprising: a notifying means for notifying the user when it is detected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311588A JPH06163425A (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Vapor growth device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4311588A JPH06163425A (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Vapor growth device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163425A true JPH06163425A (en) | 1994-06-10 |
Family
ID=18019051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4311588A Pending JPH06163425A (en) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | Vapor growth device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163425A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203208A (en) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing apparatus of semiconductor element having four-way valve, controlling method of valve of the manufacturing apparatus of semiconductor element, and manufacturing method of semiconductor element using the same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4311588A patent/JPH06163425A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006203208A (en) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing apparatus of semiconductor element having four-way valve, controlling method of valve of the manufacturing apparatus of semiconductor element, and manufacturing method of semiconductor element using the same |
| US9029244B2 (en) | 2005-01-19 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
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| US9702041B2 (en) | 2005-01-19 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
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