JPH06161907A - Memory controller - Google Patents

Memory controller

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Publication number
JPH06161907A
JPH06161907A JP4315180A JP31518092A JPH06161907A JP H06161907 A JPH06161907 A JP H06161907A JP 4315180 A JP4315180 A JP 4315180A JP 31518092 A JP31518092 A JP 31518092A JP H06161907 A JPH06161907 A JP H06161907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory device
power
memory
supplied
power supply
Prior art date
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Pending
Application number
JP4315180A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fusao Hori
房生 保里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba TEC Corp
Original Assignee
Tokyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Electric Co Ltd
Priority to JP4315180A priority Critical patent/JPH06161907A/en
Publication of JPH06161907A publication Critical patent/JPH06161907A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

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  • Power Sources (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the power consumption and the heating value of a memory device. CONSTITUTION:This memory controller consists of the memory devices 14 and 15 which store the data, a CPU 11 which makes access to the devices 14 and 15, a +Vm terminal which receives the supply of the comparatively large electric power necessary for the access control of the devices 14 and 15 from a main power supply, a +Vb terminal which receives the supply of the comparatively small electric power necessary for holding the data of the devices 14 and 15 from a backup power supply, the memory control circuits 16 and 17 which detect the non-access time of both device 14 and 15 to the CPU 11, output the power switching signals when the detected non-access time lasts for the prescribed time, and stop the output of the power switching signal when the CPU 11 starts the accesses to the devices 14 and 15, and the transistors 18 and 19 which switch the power supplied to both devices 14 and 15 to the +Vb terminal from the +Vm terminal in response to the power switching signals received from the circuits 16 and 17.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、主電源からアクセス制
御に必要な比較的大きい電力が供給され、バックアップ
電源からデータ保持に必要な比較的小さい電力が供給さ
れるメモリ制御装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory control device in which a relatively large amount of power required for access control is supplied from a main power source and a relatively small amount of power required for holding data is supplied from a backup power source.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のメモリ制御装置として
は、図3に示すものが知られている。これは、CPU
(中央処理装置)1からアドレスバス2aを介してメモ
リをアクセスするためのアドレスデータをデコーダ3に
入力し、デコーダ3はアドレスデータに基づいてメモリ
デバイス4,5を選択するようになっている。そしてC
PU1は選択されたメモリデバイスに対してデータバス
2bを介してデータを格納させるようになっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of memory control device, the one shown in FIG. 3 has been known. This is the CPU
(Central processing unit) 1 inputs address data for accessing a memory via an address bus 2a to a decoder 3, and the decoder 3 selects the memory devices 4, 5 based on the address data. And C
The PU 1 stores data in the selected memory device via the data bus 2b.

【0003】メモリデバイス4,5には主電源の+Vm
端子からアクセス制御に必要な比較的大きい電力が供給
されるとともに、バックアップ電源の+Vb端子からメ
モリデバイス4,5内のデータ保持に必要な比較的小さ
い電力が供給されるようになっている。
+ Vm of the main power source for the memory devices 4 and 5
A relatively large amount of power required for access control is supplied from the terminal, and a relatively small amount of power required for holding data in the memory devices 4 and 5 is supplied from the + Vb terminal of the backup power supply.

【0004】そして通常はメモリデバイス4,5に対し
て主電源から比較的大きい電力が供給され、これにより
CPU1はメモリデバイスをアクセス制御する。また停
電等何等かの原因によりCPU1がパワーダウンモード
等の節電状態になると、主電源からバックアップ電源に
切換えてメモリバックアップするようにしている。
Usually, a relatively large amount of power is supplied from the main power source to the memory devices 4 and 5, and the CPU 1 controls the access to the memory devices. Further, when the CPU 1 enters a power saving mode such as a power down mode due to some cause such as a power failure, the main power supply is switched to the backup power supply for memory backup.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしこのようにCP
Uがパワーダウンモード等の節電状態にならない限り主
電源からバックアップ電源への切換えが行われないもの
では、CPUがメモリデバイスに対して非アクセス状態
にあるときもメモリデバイスに対して主電源から大きな
電力供給が行われ消費電力が増大する問題があった。特
に近年では、記憶容量の増大から使用するメモリデバイ
スの数も増大しているため、消費電力の増大が顕著とな
り、そのため発熱量が大きくなるという問題があった。
However, in this way CP
If the main power supply is not switched to the backup power supply unless the U is in the power-saving mode or other power-saving mode, even if the CPU is in the non-access state to the memory device, the power supply from the main power supply to the memory device is large. There is a problem that power is supplied and power consumption increases. In particular, in recent years, since the number of memory devices used has increased due to the increase in storage capacity, there has been a problem that the increase in power consumption becomes remarkable, and therefore the amount of heat generated increases.

【0006】そこで本発明は、メモリデバイスにおける
消費電力を極力抑えることができ、従って発熱量を小さ
くできるメモリ制御装置を提供しようとするものであ
る。
Therefore, the present invention is intended to provide a memory control device capable of suppressing the power consumption in the memory device as much as possible, and thus reducing the amount of heat generation.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、データを格納
するメモリデバイスと、このメモリデバイスをアクセス
する制御手段と、主電源からメモリデバイスのアクセス
制御に必要な比較的大きい電力が供給される第1の入力
部と、バックアップ電源からメモリデバイスのデータ保
持に必要な比較的小さい電力が供給される第2の入力部
とを設けたメモリ制御装置において、メモリデバイスに
対する制御手段の非アクセス時間を検知し、この非アク
セス時間が所定時間継続したとき電源切換信号を出力
し、制御手段からメモリデバイスに対してアクセスが開
始されると電源切換信号の出力を停止する電源切換信号
出力手段と、この出力手段からの電源切換信号に応動し
てメモリデバイスに供給する電力の入力部を第1の入力
部から第2の入力部に切換える電源切換手段とを設けた
ものである。
According to the present invention, a memory device for storing data, a control means for accessing the memory device, and a relatively large electric power required for access control of the memory device are supplied from a main power supply. In a memory control device provided with a first input section and a second input section to which a relatively small amount of electric power necessary for holding data in a memory device is supplied from a backup power source, the non-access time of the control means with respect to the memory device is set. A power supply switching signal output means for detecting and outputting a power supply switching signal when the non-access time continues for a predetermined time, and stopping the output of the power supply switching signal when the control means starts access to the memory device; The input unit of the power supplied to the memory device in response to the power source switching signal from the output unit is changed from the first input unit to the second input unit. It is provided with a a power source switching means for switching.

【0008】[0008]

【作用】このような構成の本発明においては、メモリデ
バイスに対する制御手段の非アクセス時間が所定時間継
続すると、電源切換信号出力手段から電源切換信号が出
力され、それにより電力の入力部が第1の入力部から第
2の入力部に切換えられ、メモリデバイスに供給される
電力が主電源からバックアップ電源に切換えられる。従
って以降はメモリデバイスに対する電力供給はバックア
ップ電源からの小さい電力となる。この状態で制御手段
によるメモリデバイスへのアクセスが開始されると、電
力の入力部が第2の入力部から第1の入力部に切換えら
れ、メモリデバイスに供給される電力がバックアップ電
源から主電源に切換えられる。
In the present invention having such a structure, when the non-access time of the control means with respect to the memory device continues for a predetermined time, the power supply switching signal output means outputs the power supply switching signal, whereby the power input section is the first. Is switched to the second input section, and the power supplied to the memory device is switched from the main power supply to the backup power supply. Therefore, after that, the power supply to the memory device becomes a small power from the backup power supply. When access to the memory device by the control means is started in this state, the power input unit is switched from the second input unit to the first input unit, and the power supplied to the memory device is supplied from the backup power source to the main power source. Is switched to.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1において11は制御手段を構成するC
PU、14,15はそれぞれメモリデバイスである。前
記CPU11はメモリデバイス14又は15をアクセス
するときにはアドレスバス12aを介してデコーダ13
にメモリデバイスを選択するためのアドレスデータを供
給し、これによりデコーダ13はいずれかのメモリデバ
イスを選択する選択信号を出力するようになっている。
すなわち前記デコーダ13はメモリデバイス14を選択
するときには出力端子D1からLレベルな選択信号を電
源切換信号出力手段としてのメモリ制御回路16に供給
し、またメモリデバイス15を選択するときには出力端
子D2からLレベルな選択信号を電源切換信号出力手段
としてのメモリ制御回路17に供給するようになってい
る。
In FIG. 1, reference numeral 11 designates C which constitutes a control means.
PU, 14 and 15 are memory devices, respectively. When accessing the memory device 14 or 15, the CPU 11 uses the decoder 13 via the address bus 12a.
Is supplied with address data for selecting a memory device, whereby the decoder 13 outputs a selection signal for selecting one of the memory devices.
That is, the decoder 13 supplies the L level selection signal from the output terminal D1 to the memory control circuit 16 as the power source switching signal output means when selecting the memory device 14, and the output terminal D2 to L when selecting the memory device 15. A level selection signal is supplied to the memory control circuit 17 as a power supply switching signal output means.

【0011】前記メモリデバイス14は、アクセス制御
に必要な比較的大きい電力が主電源から第1の入力部で
ある+Vm端子に供給され、この+Vm端子から電源切
換手段としてのPNP型トランジスタ18及びダイオー
ド20を介して供給されるとともに、データ保持に必要
な比較的小さい電力がバックアップ電源から第2の入力
部である+Vb端子に供給され、この+Vb端子からダ
イオード22を介して供給されるようになっている。
In the memory device 14, relatively large electric power required for access control is supplied from the main power source to the + Vm terminal which is the first input section, and from this + Vm terminal, the PNP transistor 18 and the diode as the power source switching means. 20 is supplied via the backup power supply to the + Vb terminal, which is the second input section, and is supplied via the diode 22 from the + Vb terminal. ing.

【0012】また前記メモリデバイス15は、アクセス
制御に必要な比較的大きい電力が+Vm端子から電源切
換手段としてのPNP型トランジスタ19及びダイオー
ド21を介して供給されるとともにデータ保持に必要な
比較的小さい電力が+Vb端子からダイオード23を介
して供給されるようになっている。
The memory device 15 is supplied with a relatively large amount of power required for access control from the + Vm terminal via the PNP type transistor 19 and the diode 21 as a power source switching means, and a relatively small amount required for holding data. Electric power is supplied from the + Vb terminal through the diode 23.

【0013】前記メモリ制御回路16は、前記デコーダ
13の出力端子D1からLレベルな選択信号が入力され
ると、出力端子P1から前記トランジスタ18のベース
にLレベルな信号を出力し、また選択信号の入力が所定
時間継続して行われなかったときには前記トランジスタ
18のベースにHレベルな信号を電源切換信号として出
力するようになっている。また前記メモリ制御回路17
は、前記デコーダ13の出力端子D2からLレベルな選
択信号が入力されると、出力端子P2から前記トランジ
スタ19のベースにLレベルな信号を出力し、また選択
信号の入力が所定時間継続して行われなかったときには
前記トランジスタ19のベースにHレベルな信号を電源
切換信号として出力するようになっている。
When the L-level selection signal is input from the output terminal D1 of the decoder 13, the memory control circuit 16 outputs the L-level signal from the output terminal P1 to the base of the transistor 18, and also the selection signal. Is input for a predetermined period of time, an H level signal is output to the base of the transistor 18 as a power supply switching signal. In addition, the memory control circuit 17
When the L-level selection signal is input from the output terminal D2 of the decoder 13, the L-level signal is output from the output terminal P2 to the base of the transistor 19, and the selection signal is continuously input for a predetermined time. When not performed, an H level signal is output to the base of the transistor 19 as a power source switching signal.

【0014】また前記各メモリ制御回路16,17は、
出力端子C1,C2,CS1,CS2から信号を前記各
メモリデバイス14,15に対して供給するとともにウ
エイト端子WAIT1,WAIT2からの信号をオアゲ
ート24を介して前記CPU11に供給するようになっ
ている。
The memory control circuits 16 and 17 are
Signals from the output terminals C1, C2, CS1 and CS2 are supplied to the memory devices 14 and 15, and signals from the wait terminals WAIT1 and WAIT2 are supplied to the CPU 11 via an OR gate 24.

【0015】前記各メモリ制御回路16,17は、具体
的には図2に示すように、カウンタ31、32及びラッ
チ回路33を設け、前記デコーダ13からの選択信号を
カウンタ31のクリア端子CLに供給するとともにイン
バータ34を介してカウンタ32のクリア端子CLに供
給している。また前記デコーダ13からの選択信号をイ
ンバータ35を介して2入力アントゲート36の一方の
入力端子に供給している。なお、前記各カウンタ31,
32にはクロック信号CKが供給されるようになってい
る。
As shown in FIG. 2, each of the memory control circuits 16 and 17 is provided with counters 31 and 32 and a latch circuit 33, and a selection signal from the decoder 13 is applied to a clear terminal CL of the counter 31. The power is supplied to the clear terminal CL of the counter 32 via the inverter 34. Also, the selection signal from the decoder 13 is supplied to one input terminal of a 2-input ant gate 36 via an inverter 35. The counters 31,
A clock signal CK is supplied to 32.

【0016】前記カウンタ31は前記デコーダ13から
の選択信号によりクリアされ、その状態では出力端子C
CからLレベルな信号をバッファ37を介して前記トラ
ンジスタ18,19に出力し、選択信号の入力が停止さ
れるとクロック信号CKをカウントし、選択信号の入力
停止状態が所定時間継続されると出力端子CCからHレ
ベルなキャリー信号を電源切換信号としてバッファ37
を介して前記トランジスタ18,19に出力するように
なっている。
The counter 31 is cleared by the selection signal from the decoder 13, and in that state, the output terminal C
An L level signal is output from C to the transistors 18 and 19 through the buffer 37, and when the selection signal input is stopped, the clock signal CK is counted, and when the selection signal input stopped state continues for a predetermined time. The H level carry signal from the output terminal CC is used as a power supply switching signal in the buffer 37.
Is output to the transistors 18 and 19 via the.

【0017】また前記カウンタ31の出力端子CCから
の信号を前記ラッチ回路33に供給するとともにインバ
ータ38を介して前記メモリデバイス14,15に出力
端子C(C1,C2)からの信号として供給している。
Further, the signal from the output terminal CC of the counter 31 is supplied to the latch circuit 33 and is also supplied to the memory devices 14 and 15 via the inverter 38 as a signal from the output terminal C (C1, C2). There is.

【0018】前記ラッチ回路33は、前記カウンタ31
の出力端子CCからの信号をラッチして出力端子Qから
ラッチ出力を前記アンドゲート36の他方の入力端子に
供給している。前記アンドゲート36は出力されるHレ
ベル信号を前記カウンタ32のイネーブル端子ENに供
給するとともに前記CPU11にウエイト信号WAIT
として供給している。
The latch circuit 33 includes the counter 31.
The signal from the output terminal CC of the AND gate 36 is latched, and the latch output is supplied from the output terminal Q to the other input terminal of the AND gate 36. The AND gate 36 supplies the output H level signal to the enable terminal EN of the counter 32, and sends a wait signal WAIT to the CPU 11.
Is supplied as.

【0019】前記カウンタ32は、イネーブル端子EN
にHレベルな信号が入力されるとクロック信号CKをカ
ウントし、所定値をカウントすると出力端子CCからH
レベルなキャリー信号を出力し、そのキャリー信号をイ
ンバータ37を介して前記ラッチ回路33のクリア端子
CLに供給している。なお、前記カウンタ32が所定値
をカウントする時間はCPU11がメモリデバイス1
4,15をアクセスするに要する時間に設定されてい
る。
The counter 32 has an enable terminal EN.
When a signal of H level is input to, the clock signal CK is counted, and when a predetermined value is counted, H is output from the output terminal CC.
A carry signal of level is output, and the carry signal is supplied to the clear terminal CL of the latch circuit 33 through the inverter 37. It should be noted that during the time when the counter 32 counts a predetermined value, the CPU 11 operates in the memory device 1
It is set to the time required to access 4 and 15.

【0020】このような構成の本実施例においては、例
えばCPU11がメモリデバイス14をアクセスすると
きにはCPU11からデコーダ13にメモリデバイス1
4のアドレスデータが出力される。これによりデコーダ
13は出力端子D1からメモリ制御回路16にLレベル
な選択信号を出力する。
In the present embodiment having such a configuration, for example, when the CPU 11 accesses the memory device 14, the CPU 11 transfers the memory device 1 to the decoder 13.
4 address data is output. As a result, the decoder 13 outputs an L level selection signal from the output terminal D1 to the memory control circuit 16.

【0021】メモリ制御回路16では選択信号の入力に
よりカウンタ31をクリアする。しかしてカウンタ31
の出力端子CCからの信号はLレベルでトランジスタ1
8がオン動作し、メモリデバイス14に対して主電源か
ら電力が供給される。カウンタ31はその後初期状態か
らクロック信号CLをカウントするが所定時間経過する
前に次のアクセスが行われ、デコーダ13は出力端子D
1からLレベルな選択信号が入力されるとカウンタ31
が再びクリアされ、トランジスタ18のオン状態が継続
される。
The memory control circuit 16 clears the counter 31 by inputting a selection signal. Then counter 31
The signal from the output terminal CC of the
8 is turned on, and power is supplied to the memory device 14 from the main power supply. The counter 31 thereafter counts the clock signal CL from the initial state, but the next access is performed before a predetermined time elapses, and the decoder 13 outputs the output terminal D.
When an L-level selection signal is input from 1, the counter 31
Is cleared again, and the ON state of the transistor 18 is continued.

【0022】こうしてCPU11によるメモリデバイス
14のアクセス制御が所定時間内で繰返し行われている
ときにはトランジスタ18がオンし続け、メモリデバイ
ス14に対しては主電源から電力が継続して供給され
る。こうしてCPU11はメモリデバイス14をアクセ
スしデータの書込みや読出しを行う。
Thus, when the access control of the memory device 14 by the CPU 11 is repeatedly performed within a predetermined time, the transistor 18 continues to be turned on, and the power is continuously supplied to the memory device 14 from the main power source. In this way, the CPU 11 accesses the memory device 14 and writes or reads data.

【0023】CPU11によるメモリデバイス14のア
クセス制御が所定時間以上継続して行われない状態が発
生すると、このときにはメモリ制御回路16のカウンタ
31からHレベルなキャリー信号が発生するので、トラ
ンジスタ18に電源切換信号が供給され、トランジスタ
18はオフ動作する。これにより主電源が断たれるの
で、代わってバックアップ電源からの電力供給が+Vb
端子からダイオード22を介して行われるようになる。
このときの電力は主電源に比べて小さく、メモリデバイ
ス14のデータを保持できる程度の電力となる。
When a state in which the access control of the memory device 14 by the CPU 11 is not continued for a predetermined time or longer occurs, an H level carry signal is generated from the counter 31 of the memory control circuit 16 at this time. The switching signal is supplied and the transistor 18 is turned off. This cuts off the main power supply, so the power supply from the backup power supply is + Vb instead.
From the terminal through the diode 22.
The electric power at this time is smaller than that of the main power supply, and is such that the data of the memory device 14 can be held.

【0024】またカウンタ31からのキャリー信号をラ
ッチ回路33がラッチし、ラッチ回路33は出力端子Q
からHレベルな信号を出力するようになる。
The latch circuit 33 latches the carry signal from the counter 31, and the latch circuit 33 outputs the output terminal Q.
To output an H level signal.

【0025】こうしてCPU11によるメモリデバイス
14のアクセス制御が所定時間以上継続して行われない
場合にはメモリデバイス14に供給される電力は小さく
なり、消費電力を極力抑える。
In this way, when the access control of the memory device 14 by the CPU 11 is not continuously performed for a predetermined time or longer, the power supplied to the memory device 14 becomes small and the power consumption is suppressed as much as possible.

【0026】その後CPU11によりメモリデバイス1
4のアクセス制御が再開されると、デコーダ13の出力
端子D1からのLレベルな選択信号により、カウンタ3
1がクリアされる。これによりカウンタ31の出力端子
CCからの信号がLレベルとなりトランジスタ18がオ
ン動作してメモリデバイス14に対する電力の供給がバ
ックアップ電源から主電源に切替わる。
Thereafter, the CPU 11 causes the memory device 1
4 is restarted, the counter 3 is activated by the L-level selection signal from the output terminal D1 of the decoder 13.
1 is cleared. As a result, the signal from the output terminal CC of the counter 31 becomes L level, the transistor 18 is turned on, and the power supply to the memory device 14 is switched from the backup power supply to the main power supply.

【0027】またカウンタ31の出力端子CCからのL
レベル信号がインバータ35を介してアンドゲート36
に供給されるので、アンドゲート36からはHレベルな
信号が出力され、その信号がCPU11にウエイト信号
WAITとして供給されるとともにカウンタ32にイネ
ーブル信号として供給される。こうしてカウンタ32は
クロック信号CKをカウントするようになる。そしてカ
ウンタ32のカウント値が所定値になるとカウンタ32
の出力端子CCからキャリー信号が出力され、ラッチ回
路33がクリアされる。こうしてCPU11に対するウ
エイト状態が解除され、CPU11はメモリデバイス1
4をアクセス制御するようになる。
Further, L from the output terminal CC of the counter 31
The level signal passes through the inverter 35 and the AND gate 36.
The AND gate 36 outputs an H level signal, which is supplied to the CPU 11 as a wait signal WAIT and to the counter 32 as an enable signal. Thus, the counter 32 counts the clock signal CK. When the count value of the counter 32 reaches a predetermined value, the counter 32
The carry signal is output from the output terminal CC of the latch circuit 33 and the latch circuit 33 is cleared. In this way, the wait state for the CPU 11 is released, and the CPU 11 makes the memory device 1
4 will be access controlled.

【0028】このようにCPU11によるアクセスが再
開されてもCPU11に対してウエイトがかかり、この
間に例えば周辺機器の動作準備等が整えられる。そして
ウエイト状態が解除されメモリデバイス14に対するア
クセス制御が可能となったときには周辺機器が何時でも
動作できる状態となる。
Even if the access by the CPU 11 is restarted in this way, the CPU 11 is put in a wait state, and during this period, for example, preparations for operation of peripheral devices are prepared. Then, when the wait state is released and access control to the memory device 14 becomes possible, the peripheral device is ready to operate.

【0029】以上はCPU11によるメモリデバイス1
4のアクセス制御の場合について述べたが、CPU11
によるメモリデバイス15のアクセス制御の場合も同様
である。
The above is the memory device 1 by the CPU 11.
The case of the access control of No. 4 has been described.
The same applies to the case of access control of the memory device 15 by.

【0030】このようにCPU11がパワーダウンモー
ド等の節電状態にならなくても、CPU11によるメモ
リデバイスへのアクセス制御が所定時間以上にわたって
行われない場合にはメモリデバイスへの供給電源を主電
源から電力の小さいバックアップ電源に切換えるように
しているので、メモリデバイスによる消費電力を極力抑
えることができ、メモリデバイスからの発熱量も低く抑
えることができる。
As described above, even if the CPU 11 does not enter the power saving mode such as the power-down mode, if the access control to the memory device by the CPU 11 is not performed for a predetermined time or longer, the power supply to the memory device is supplied from the main power source. Since the backup power source is switched to a low power consumption, the power consumption by the memory device can be suppressed as much as possible, and the heat generation amount from the memory device can also be suppressed.

【0031】従ってメモリデバイスの数が多い場合には
多大な省力化を図ることができ、しかもこのようにすれ
ばメモリデバイスの数が多い場合にすべてのメモリデバ
イスに対して同時に主電源から電力を供給することはほ
とんど無くなり、従って電源容量を小さくすることもで
きる。
Therefore, when the number of memory devices is large, a great amount of labor can be saved, and in this way, when the number of memory devices is large, power is simultaneously supplied from the main power source to all the memory devices. There is almost no supply, so the power supply capacity can be reduced.

【0032】なお、前記実施例はメモリデバイスを2つ
使用した場合について述べたが必ずしもこれに限定され
るものではなく、1つの場合でも、また3つ以上の場合
であってもよい。
In the above embodiment, the case where two memory devices are used has been described, but the present invention is not limited to this, and it may be one case or three or more cases.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、メ
モリデバイスにおける消費電力を極力抑えることがで
き、従って発熱量を小さくできるメモリ制御装置を提供
できるものである。
As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a memory control device capable of suppressing the power consumption of a memory device as much as possible and thus reducing the amount of heat generation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】同実施例におけるメモリ制御回路の具体回路構
成を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a specific circuit configuration of a memory control circuit in the embodiment.

【図3】従来例を示すブロック図。FIG. 3 is a block diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…CPU 14,15…メモリデバイス 16,17…メモリ制御回路 18,19…トランジスタ 11 ... CPU 14, 15 ... Memory device 16, 17 ... Memory control circuit 18, 19 ... Transistor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データを格納するメモリデバイスと、こ
のメモリデバイスをアクセスする制御手段と、主電源か
ら前記メモリデバイスのアクセス制御に必要な比較的大
きい電力が供給される第1の入力部と、バックアップ電
源から前記メモリデバイスのデータ保持に必要な比較的
小さい電力が供給される第2の入力部とを設けたメモリ
制御装置において、前記メモリデバイスに対する前記制
御手段の非アクセス時間を検知し、この非アクセス時間
が所定時間継続したとき電源切換信号を出力し、前記制
御手段から前記メモリデバイスに対してアクセスが開始
されると前記電源切換信号の出力を停止する電源切換信
号出力手段と、この出力手段からの電源切換信号に応動
して前記メモリデバイスに供給する電力の入力部を前記
第1の入力部から前記第2の入力部に切換える電源切換
手段とを具備することを特徴とするメモリ制御装置。
1. A memory device for storing data, a control means for accessing the memory device, and a first input section to which a relatively large power required for access control of the memory device is supplied from a main power supply. In a memory control device provided with a second input section to which a relatively small electric power required for holding data of the memory device is supplied from a backup power source, a non-access time of the control means with respect to the memory device is detected, A power supply switching signal output means for outputting a power supply switching signal when the non-access time has continued for a predetermined time, and for stopping the output of the power supply switching signal when the control means starts accessing the memory device; An input part of power supplied to the memory device in response to a power source switching signal from the first input part, A memory control device comprising: a power source switching means for switching to a second input section.
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