JPH0616170B2 - Photo mask blank and photo mask - Google Patents
Photo mask blank and photo maskInfo
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- JPH0616170B2 JPH0616170B2 JP17636186A JP17636186A JPH0616170B2 JP H0616170 B2 JPH0616170 B2 JP H0616170B2 JP 17636186 A JP17636186 A JP 17636186A JP 17636186 A JP17636186 A JP 17636186A JP H0616170 B2 JPH0616170 B2 JP H0616170B2
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路の製造工程
で用いられるフォトマスクブランク及びフォトマスクに
関する。The present invention relates to a photomask blank and a photomask used in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit such as an IC and an LSI.
半導体集積回路の製造工程においては、フォトレジスト
を塗布したシリコンウェハ等の半導体基板に所定のパタ
ーンを形成する為、所定パターンを有するフォトマスク
が用いられている。In a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, a photomask having a predetermined pattern is used to form a predetermined pattern on a semiconductor substrate such as a silicon wafer coated with a photoresist.
また、このフォトマスクを製作する為に、フォトマスク
ブランク（以下、単にブランクという。）が用いられて
いる。ブランクは、例えば、石英ガラス等の透光性基板
の一主表面上に、スパッタリング法等の成膜方法によっ
て、遮光性膜としてのクロム膜を被着している。また、
ブランクには低反射フォトマスクブランク（以下、単に
低反射ブランクという。）と呼ばれるものもあり、この
低反射ブランクは、例えば、透光性基板の一主表面上
に、アルゴンガスを用いるスパッタリング法によって、
遮光性膜としてのクロム膜を被着し、更に、酸素ガス及
び窒素ガスをアルゴンガスに混合してなる反応性ガスを
用いるスパッタリング法によって、クロム酸化物及びク
ロム窒化物を含有するクロムからなる反射防止膜を前記
したクロム膜上に被着してなり、この反射防止膜によっ
てブランクの表面反射率を低下させており、近年広く用
いられている。A photomask blank (hereinafter simply referred to as a blank) is used to manufacture this photomask. In the blank, for example, a chromium film as a light-shielding film is deposited on one main surface of a transparent substrate such as quartz glass by a film forming method such as a sputtering method. Also,
Some blanks are called low-reflection photomask blanks (hereinafter, simply referred to as low-reflection blanks). The low-reflection blanks are formed, for example, on one main surface of a transparent substrate by a sputtering method using argon gas. ,
Reflection of chromium containing chromium oxide and chromium nitride by a sputtering method using a reactive gas formed by coating a chromium film as a light-shielding film and further mixing oxygen gas and nitrogen gas with argon gas. An anti-reflection film is deposited on the above-mentioned chrome film, and the anti-reflection film reduces the surface reflectance of the blank, and has been widely used in recent years.
次に、上記した低反射ブランクからフォトマスクを製作
する方法について以下に記す。Next, a method for producing a photomask from the above-mentioned low reflection blank will be described below.
先ず、低反射ブランクの反射防止膜上にフォトレジスト
を塗布し、転写すべきパターンを有する露光マスクを通
してフォトレジストを露光し、現像し、次にエッチング
液を用いて反射防止膜及びクロム膜をエッチングし、次
にフォトレジストを剥離して、露光マスクのパターンを
転写したフォトマスクを製作している。First, a photoresist is applied on the antireflection film of a low reflection blank, the photoresist is exposed through a light exposure mask having a pattern to be transferred, developed, and then the antireflection film and the chrome film are etched using an etching solution. Then, the photoresist is peeled off, and a photomask in which the pattern of the exposure mask is transferred is manufactured.
しかしながら、クロム酸化物及びクロム窒化物を含有す
るクロムからなる反射防止膜を有する低反射ブランクか
らフォトマスクを製作した場合、以下に記すような問題
点がある。However, when a photomask is manufactured from a low-reflection blank having an antireflection film made of chromium containing chromium oxide and chromium nitride, there are the following problems.
すなわち、上記した低反射ブランクにおいては、所定の
低い表面反射率（例えば10％）を得る為に、反射防止膜
を構成するクロム酸化物及びクロム窒化物の含有量を適
宜選択・制御しなければならない。このようにクロム酸
化物及びクロム窒化物の含有量を適宜選択・制御する
と、その含有量に対応して反射防止膜のエッチング速度
が変化してしまう。前述したように反応性スパッタリン
グ法により反射防止膜を被着して成膜した場合、一般的
にはクロム酸化物及びクロム窒化物の含有量が多くなる
程、そのエッチング速度は速くなる。その結果、クロム
膜のエッチング速度と比べて反射防止膜のエッチング速
度が速くなり、第４図に示すように、反射防止膜からな
るパターン１のエッチングがクロム膜からなるパターン
２のエッチングよりも過剰に進行し、単位時間あたりの
パターン線幅の減少量（いわゆる、サイドエッチ量）が
増大してしまう。なお、第４図中に図示した３は透光性
基板であり、また図示した４はレジストパターンであ
る。That is, in the above-mentioned low reflection blank, in order to obtain a predetermined low surface reflectance (for example, 10%), the content of chromium oxide and chromium nitride constituting the antireflection film must be appropriately selected and controlled. I won't. If the contents of the chromium oxide and the chromium nitride are appropriately selected and controlled as described above, the etching rate of the antireflection film changes depending on the contents. When the antireflection film is deposited by the reactive sputtering method as described above, generally, the higher the content of chromium oxide and chromium nitride, the faster the etching rate. As a result, the etching rate of the antireflection film is higher than that of the chromium film, and as shown in FIG. 4, the etching of the pattern 1 made of the antireflection film is more excessive than the etching of the pattern 2 made of the chromium film. Then, the reduction amount of the pattern line width per unit time (so-called side etching amount) increases. In addition, 3 shown in FIG. 4 is a transparent substrate, and 4 shown is a resist pattern.
本発明は、以上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、サイドエッチ量を少なくして所望線幅のパターンを
形成することができるフォトマスクブランク、及びその
フォトマスクブランクを用いて製作されるフォトマスク
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is manufactured using a photomask blank capable of forming a pattern having a desired line width with a reduced side etch amount, and the photomask blank. The purpose is to provide a photo mask.
本発明は、上記した目的を達成するためになされたもの
であり、第１発明は、透光性基板の一主表面上に遮光性
膜と反射防止膜とを備えたフォトマスクブランクにおい
て、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクブランクである。また、第
２発明は、透光性基板の一主表面上に遮光性膜と反射防
止膜とを形成し、前記遮光性膜及び前記反射防止膜を選
択的にパターン化してなるフォトマスクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクである。The present invention is made to achieve the above-mentioned object, and the first invention is a photomask blank including a light-shielding film and an antireflection film on one main surface of a translucent substrate, wherein: The antireflection film is a photomask blank comprising chromium containing at least a chromium compound that makes the etching rate of the antireflection film faster than that of the light-shielding film, and chromium fluoride. The second invention is a photomask in which a light-shielding film and an antireflection film are formed on one main surface of a light-transmissive substrate, and the light-shielding film and the antireflection film are selectively patterned. The antireflection film is a photomask characterized in that it comprises chromium containing at least a chromium compound for increasing the etching rate of the antireflection film as compared with the light-shielding film, and chromium fluoride.
本発明は、反射防止膜中に、反射防止膜のエッチング速
度を遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、クロム弗
化物とを少なくとも含有している。クロム弗化物は、エ
ッチング速度を遅延させることができるので、遮光性膜
よりも速くなった反射防止膜のエッチング速度をこのク
ロム弗化物によって抑制することができる。According to the present invention, the antireflection film contains at least a chromium compound that makes the etching rate of the antireflection film faster than that of the light-shielding film, and chromium fluoride. Since chromium fluoride can delay the etching rate, the chromium fluoride can suppress the etching rate of the antireflection film which is faster than that of the light-shielding film.
以下、先ず第１発明の実施例による低反射ブランクにつ
いて詳細に説明する。The low reflection blank according to the first embodiment of the present invention will be described in detail below.
第１図に示すように、本実施例による低反射ブランク５
は、石英ガラスからなる透光性基板６と、この透光性基
板６の一主表面上に被着された遮光性膜７（膜厚：550
Å）と、遮光性膜７上に被着された反射防止膜８（膜
厚：250Å）とからなる。なお、遮光性膜７はクロムか
らなり、また、反射防止膜８はクロム弗化物，クロム窒
化物及びクロム酸化物を含有するクロムからなる。As shown in FIG. 1, the low reflection blank 5 according to this embodiment.
Is a light-transmitting substrate 6 made of quartz glass, and a light-shielding film 7 (film thickness: 550 deposited on one main surface of the light-transmitting substrate 6.
Å) and the antireflection film 8 (film thickness: 250 Å) deposited on the light-shielding film 7. The light shielding film 7 is made of chromium, and the antireflection film 8 is made of chromium containing chromium fluoride, chromium nitride and chromium oxide.
次に、低反射ブランク５を製作する方法について説明す
る。Next, a method of manufacturing the low reflection blank 5 will be described.
先ず、石英ガラスの両主表面を精密研磨し透光性基板６
（寸法：５×５×0.09インチ）を得る。次に、圧力２×
10-3Torrのアルゴン(Ar)のガス雰囲気中で、スパッタリ
ング法によりクロムからなる遮光性膜７（膜厚：550
Å）を透光性基板６の一主表面上に被着する。次に、圧
力２×10-3Torrのアルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)と
四弗化炭素(CF4)との混合ガス（体積比65:15:15:5）雰
囲気中で、反応性スパッタリング法により、クロム弗化
物とクロム窒化物とクロム酸化物とを含有してなる反射
防止膜８（膜厚：250Å）を遮光性膜７上に被着して、
低反射ブランク５を製作した。なお、この低反射ブラン
ク５の表面反射率は、波長436nmの紫外光に対して約10
％であった。尚、本例において、反射防止膜のエッチン
グ速度を遮光性膜より速くするクロム化合物は、クロム
窒化物とクロム酸化物である。First, both the main surfaces of quartz glass are precisely polished and the translucent substrate 6
(Dimension: 5 × 5 × 0.09 inch). Then pressure 2 x
10 in a gas atmosphere at -3 Torr argon (Ar), the light-shielding film 7 (thickness of chrome by sputtering: 550
Å) is applied on one main surface of the transparent substrate 6. Next, a mixed gas of argon (Ar), oxygen (O 2 ), nitrogen (N 2 ) and carbon tetrafluoride (CF 4 ) at a pressure of 2 × 10 -3 Torr (volume ratio 65: 15: 15: 5 ) In the atmosphere, an antireflection film 8 (thickness: 250Å) containing chromium fluoride, chromium nitride, and chromium oxide is deposited on the light-shielding film 7 by a reactive sputtering method,
A low reflection blank 5 was manufactured. The surface reflectance of the low reflection blank 5 is about 10 with respect to ultraviolet light having a wavelength of 436 nm.
%Met. In this example, the chromium compounds that make the etching rate of the antireflection film faster than that of the light-shielding film are chromium nitride and chromium oxide.
次に、低反射ブランク５を用いて製作される、第２発明
の実施例によるフォトマスクについて詳細に説明する。Next, the photomask manufactured by using the low-reflection blank 5 according to the embodiment of the second invention will be described in detail.
第２図に示すように、本実施例によるフォトマスク９
は、前記の透光性基板６と、この透光性基板６の一主表
面上に形成された遮光性膜パターン７ａと、遮光性膜パ
ターン７ａ上に形成された反射防止膜パターン８ａとか
らなる。As shown in FIG. 2, the photomask 9 according to the present embodiment.
Is composed of the transparent substrate 6, the light-shielding film pattern 7a formed on one main surface of the light-transmitting substrate 6, and the antireflection film pattern 8a formed on the light-shielding film pattern 7a. Become.
次に、フォトマスク９を製作する方法について説明す
る。Next, a method of manufacturing the photomask 9 will be described.
先ず、低反射ブランク５の反射防止膜８（第１図参照）
上にポジ型フォトレジスト（例；ヘキスト社製AZ-135
0，膜厚：5000Å）をスピンコート法により塗布する。
次に、遮光パターンを有する露光マスクを通して紫外光
あるいは遠紫外光によりポジ型フォトレジストを露光
し、次に現像液（例；AZ専用現像液）により現像し、ポ
ジ型フォトレジストの被露光部分を除去してレジストパ
ターンを形成する。続いて、エッチング液（例；硝酸第
２セリウムアンモニウム165ｇと過塩素酸（70％）42ｍ
に純水を加えて1000ｍにした溶液，液温20℃）を用
いて、反射防止膜８及び遮光性膜７（第１図参照）を所
定時間（本例；35秒）エッチングし、遮光性膜パターン
７ａ及び反射防止膜パターン８ａ（第２図参照）を形成
する。このとき、反射防止膜８中にクロム弗化物が含有
されている為、反射防止膜８のエッチング速度がクロム
弗化物の含有されていない場合と比べて遅くなり、反射
防止膜８のエッチング速度が遮光性膜７のエッチング速
度と略等しくなっている。それ故、第３図に示したよう
に、反射防止膜パターン８ａのエッチングが遮光性膜パ
ターン７ａのエッチングより過剰に進行してしまうこと
が抑制・防止されて、反射防止膜パターン８ａ及び遮光
性膜パターン７ａからなるパターン10のパターンエッヂ
が透光性基板６の一主表面に対して略垂直状態となり、
また、この場合のサイドエッチ量も0.07/10secと極めて
微小であった。なお、第３図中に図示した11はレジスト
パターンである。First, the antireflection film 8 of the low reflection blank 5 (see FIG. 1)
Positive photoresist on top (eg Hoechst AZ-135
0, film thickness: 5000Å) is applied by spin coating.
Next, the positive photoresist is exposed to ultraviolet light or far ultraviolet light through an exposure mask having a light-shielding pattern, and then developed with a developer (eg, AZ dedicated developer) to expose the exposed portion of the positive photoresist. A resist pattern is formed by removing. Then, etchant (eg, cerium ammonium nitrate 165g and perchloric acid (70%) 42m)
The antireflection film 8 and the light-shielding film 7 (see FIG. 1) are etched for a predetermined time (this example; 35 seconds) using a solution of 1000 m of pure water added to the solution, at a liquid temperature of 20 ° C. The film pattern 7a and the antireflection film pattern 8a (see FIG. 2) are formed. At this time, since the antireflection film 8 contains chromium fluoride, the etching rate of the antireflection film 8 is slower than that in the case where no chromium fluoride is contained, and the etching rate of the antireflection film 8 is reduced. It is almost equal to the etching rate of the light shielding film 7. Therefore, as shown in FIG. 3, the etching of the antireflection film pattern 8a is prevented or prevented from proceeding more than the etching of the light shielding film pattern 7a, and the antireflection film pattern 8a and the light shielding property are prevented. The pattern edge of the pattern 10 composed of the film pattern 7a is substantially perpendicular to the main surface of the translucent substrate 6,
Also, the side etch amount in this case was 0.07 / 10 sec, which was extremely small. Reference numeral 11 shown in FIG. 3 is a resist pattern.
なお、ここで比較例として、前述した低反射ブランク５
の反射防止膜８の代わりに、クロム弗化物を含有せずク
ロム窒化物及びクロム酸化物を含有するクロムからなる
反射防止膜を具備してなる低反射ブランクを用意した。
そして、低反射ブランク５からフォトマスク９を製作し
た場合と同様のフォトリソグラフィー工程を経てフォト
マスクを製作した場合、そのサイドエッチ量は0.13μｍ
／10secであった。Here, as a comparative example, the low reflection blank 5 described above is used.
In place of the antireflection film 8 of No. 1, a low reflection blank was prepared which was provided with an antireflection film made of chromium containing no chromium fluoride but containing chromium nitride and chromium oxide.
When the photomask is manufactured through the same photolithography process as the case where the photomask 9 is manufactured from the low reflection blank 5, the side etching amount is 0.13 μm.
It was / 10 sec.
以上のように、第１発明の実施例による低反射ブランク
５によれば、反射防止膜８がクロム弗化物を含有するの
で、反射防止膜のエッチング速度を遅くして反射防止膜
パターン８ａの過剰なエッチングの進行を抑制・防止す
ることができる。そして、パターン10のパターンエッヂ
を透光性基板６の一主表面に対して略垂直状にし、サイ
ドエッチ量を微小にして、所望線幅のパターンを有する
フォトマスク９を製作することができる。また、反射防
止膜８へのクロム弗化物の含有量を変化させることによ
って、反射防止膜８のエッチング速度を変化させること
ができる。従って、反射防止膜８の下の遮光性膜のエッ
チング速度に対応して反射防止膜８のエッチング速度を
制御して、上記したと同様に所望線幅のパターンを有す
るフォトマスクを製作することができる。As described above, according to the low reflection blank 5 according to the embodiment of the first invention, since the antireflection film 8 contains chromium fluoride, the etching rate of the antireflection film is slowed to prevent the antireflection film pattern 8a from being excessive. It is possible to suppress / prevent the progress of various etchings. Then, the pattern edge of the pattern 10 is made substantially vertical to the one main surface of the transparent substrate 6 and the side etching amount is made small, whereby the photomask 9 having a pattern of a desired line width can be manufactured. Moreover, the etching rate of the antireflection film 8 can be changed by changing the content of chromium fluoride in the antireflection film 8. Therefore, by controlling the etching rate of the antireflection film 8 in accordance with the etching rate of the light-shielding film below the antireflection film 8, it is possible to manufacture a photomask having a pattern of a desired line width as described above. it can.
一方、第２発明の実施例によるフォトマスク９によれ
ば、所望線幅のパターンが形成されているので、レジス
ト付きシリコンウェハ等の被転写板にパターンを確実に
転写することができる。On the other hand, according to the photomask 9 of the embodiment of the second aspect of the present invention, since the pattern having the desired line width is formed, the pattern can be surely transferred to the transfer plate such as a silicon wafer with a resist.
本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。The present invention is not limited to the above embodiments.
本実施例中の低反射ブランク５の反射防止膜８は、クロ
ム弗化物，クロム窒化物及びクロム酸化物を含有するク
ロムからなったが、クロム弗化物と、クロム窒化物，ク
ロム酸化物及びクロム炭化物のうち少なくとも一つとを
含有してなるクロムからなってもよく、要は、所望の表
面反射率を得ることができて、かつクロム弗化物を少な
くとも含有するクロムからなればよい。また、その膜厚
も250Åに限定されず、所望する表面反射率等に応じて
適宜決定してよい。The antireflection film 8 of the low reflection blank 5 in the present embodiment was made of chromium containing chromium fluoride, chromium nitride and chromium oxide, but chromium fluoride, chromium nitride, chromium oxide and chromium were used. It may be made of chromium containing at least one of carbides, as long as it is made of chromium capable of obtaining a desired surface reflectance and containing at least chromium fluoride. Further, the film thickness is not limited to 250 Å and may be appropriately determined according to the desired surface reflectance and the like.
また、遮光性膜７はクロムからなったが、所望の遮光性
（光学濃度）を有すればクロム中にクロム炭化物，クロ
ム硼化物，クロム窒化物等を含有してなってもよく、ま
た、その膜厚も550Åに限定されず所望する光学濃度等
に応じて適宜決定してよい。さらに、遮光性膜７はタン
タル，チタン，アルミニウム，モリブデン，タングステ
ン，ニッケル等のエッチング可能な金属や、これらの金
属の窒化物，炭化物，酸化物，珪化物等の膜や、これら
の二層以上の多層膜からなってもよい。Although the light-shielding film 7 is made of chromium, chromium may contain chromium carbide, chromium boride, chromium nitride or the like as long as it has a desired light-shielding property (optical density). The film thickness is not limited to 550Å and may be appropriately determined according to the desired optical density and the like. Further, the light-shielding film 7 is an etchable metal such as tantalum, titanium, aluminum, molybdenum, tungsten, or nickel, a film of nitride, carbide, oxide, or silicide of these metals, or two or more layers of these. It may be composed of a multilayer film.
また、透光性基板６は石英ガラス以外に、ソーダライム
ガラス，アルミノシリケートガラス，アルミノボロシリ
ケートガラス及びサファイア等からなってもよく、その
寸法も必要に応じて選択決定してよい。In addition to the quartz glass, the translucent substrate 6 may be made of soda lime glass, aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, sapphire, or the like, and the size thereof may be selected and determined as needed.
次に、低反射ブランク５を製作する方法において、反射
防止膜８を成膜するとき、混合ガスとしてArとO2とN2と
CF4とからなるものを用いたが、CF4ガスの代わりにNF3,
HF,C2F6,C Cl2F2,CBrF3等の弗素を含有するガスを用い
てもよく、また、O2及びN2ガスの代わりにNO,NO2,N2Oガ
ス等を用いてもよく、また、反射防止膜８を成膜する方
法も反応性スパッタリング法以外に、CVD法やイオンプ
レーティング法等を採用してもよい。また、反射防止膜
８を成膜するときの圧力も２×10-3Torrに限定されず、
また、ArとO2とN2とCF4との混合ガスの体積比も適宜決
定してよい。Next, in the method of manufacturing the low reflection blank 5, when the antireflection film 8 is formed, Ar, O 2 and N 2 are used as a mixed gas.
We used one consisting of CF 4 and NF 3 , instead of CF 4 gas.
HF, may be used C 2 F 6, C Cl 2 F 2, a gas containing fluorine such as CBrF 3, also, NO instead of O 2 and N 2 gas, the NO 2, N 2 O gas or the like The antireflection film 8 may be formed by a CVD method, an ion plating method, or the like other than the reactive sputtering method. Further, the pressure when forming the antireflection film 8 is not limited to 2 × 10 −3 Torr,
Also, the volume ratio of the mixed gas of Ar, O 2 , N 2, and CF 4 may be appropriately determined.
また、遮光性膜７を成膜する方法において、その成膜時
の圧力も２×10-3Torrに限定されず適宜選択決定してよ
く、また、その成膜方法もスパッタリング法以外に、真
空蒸着法，CVD法，イオンプレーティング法等を採用し
てもよい。Further, in the method of forming the light-shielding film 7, the pressure at the time of forming the film is not limited to 2 × 10 −3 Torr and may be appropriately selected. The film forming method may be a vacuum method other than the sputtering method. A vapor deposition method, a CVD method, an ion plating method or the like may be adopted.
次に、フォトマスク９を製作する方法において、低反射
ブランク５の反射防止膜８上にポジ型フォトレジストを
塗布したが、フォトレジストとしてはネガ型のものであ
ってもよく、また、その膜厚も適宜決定してよく、さら
に、フォトレジストの塗布方法もスピンコート法以外に
ロールコート法やスプレーコート法等を採用してもよ
い。さらに、レジストとしてはポジ型あるいはネガ型フ
ォトレジスト以外に、ポジ型あるいはネガ型電子線レジ
ストを使用した電子線による露光法を採用してもよい。Next, in the method of manufacturing the photomask 9, a positive photoresist was applied on the antireflection film 8 of the low reflection blank 5, but a negative photoresist may be used as the photoresist. The thickness may be appropriately determined, and the coating method of the photoresist may be a roll coating method, a spray coating method or the like other than the spin coating method. Further, as the resist, an exposure method using an electron beam using a positive or negative electron beam resist may be adopted in addition to the positive or negative photoresist.
また、エッチング液としては実施例中に例示したものに
限定されず、反射防止膜８及び遮光性膜７の各組成及び
膜厚等に応じて適宜選択してよい。Further, the etching solution is not limited to the one exemplified in the examples, and may be appropriately selected according to each composition and film thickness of the antireflection film 8 and the light shielding film 7.
第１発明の低反射ブランクによれば、反射防止膜は、反
射防止膜のエッチング速度を遮光性膜より速くさせるク
ロム化合物と、クロム弗化物とを少なくとも含有してい
る。この結果、そのクロム弗化物の含有量を制御するこ
とによって反射防止膜のエッチング速度を適宜制御し
て、形成される反射防止膜パターンの過剰なエッチング
の進行を抑制・防止でき、サイドエッチ量を微小にして
所望線幅のパターンを有するフォトマスクを製作するこ
とができる。According to the low reflection blank of the first aspect of the present invention, the antireflection film contains at least a chromium compound that makes the antireflection film etch faster than the light-shielding film, and a chromium fluoride. As a result, by controlling the content of the chromium fluoride, the etching rate of the antireflection film can be appropriately controlled, and the progress of excessive etching of the antireflection film pattern to be formed can be suppressed or prevented. A photomask having a pattern with a desired line width can be made minute.
また、第２発明のフォトマスクによれば、被転写板に所
望線幅のパターンを確実に転写することができる。Further, according to the photomask of the second invention, it is possible to reliably transfer the pattern having the desired line width to the transfer target plate.
第１図は第１発明の実施例による低反射フォトマスクブ
ランクをを示す断面図、第２図は第２発明の実施例によ
るフォトマスクを示す断面図、第３図は第１発明の実施
例による低反射フォトマスクブランクを用いることによ
って形成された、反射防止膜パターン及び遮光性膜パタ
ーンからなるパターンの断面を示す断面図、並びに第４
図は従来の低反射フォトマスクブランクを用いることに
よって形成された、反射防止膜パターン及び遮光性膜パ
ターンの断面を示す断面図である。 ５…低反射フォトマスクブランク、６…透光性基板、７
…遮光性膜、７ａ…遮光性膜パターン、８…反射防止
膜、８ａ…反射防止膜パターン、９…フォトマスク、10
…パターン1 is a sectional view showing a low reflection photomask blank according to an embodiment of the first invention, FIG. 2 is a sectional view showing a photomask according to the embodiment of the second invention, and FIG. 3 is an embodiment of the first invention. 4 is a cross-sectional view showing a cross section of a pattern composed of an antireflection film pattern and a light-shielding film pattern, which is formed by using the low-reflection photomask blank according to
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cross section of an antireflection film pattern and a light shielding film pattern formed by using a conventional low reflection photomask blank. 5 ... Low reflection photomask blank, 6 ... Translucent substrate, 7
... Light-shielding film, 7a ... Light-shielding film pattern, 8 ... Antireflection film, 8a ... Antireflection film pattern, 9 ... Photomask, 10
…pattern
Claims (3)
防止膜とを備えたフォトマスクブランクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクブランク。1. A photomask blank comprising a light-shielding film and an antireflection film on one main surface of a light-transmitting substrate, wherein the antireflection film has an etching rate of the antireflection film higher than that of the light-shielding film. A photomask blank comprising chromium containing at least a chromium compound for speeding up and chromium fluoride.
物及びクロム酸化物のうち少なくとも一つとを含有して
なるクロムからなることを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項記載のフォトマスクブランク。2. The antireflection film is made of chromium containing chromium fluoride and at least one of chromium nitride and chromium oxide.
The photomask blank according to item (1).
防止膜とを形成し、前記遮光性膜及び前記反射防止膜を
選択的にパターン化してなるフォトマスクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスク。3. A photomask comprising a light-shielding film and an antireflection film formed on one main surface of a light-transmissive substrate, and the light-shielding film and the antireflection film being selectively patterned. A photomask characterized in that the anti-reflection film is made of chromium containing at least a chromium compound for increasing the etching rate of the anti-reflection film as compared with the light-shielding film, and chromium fluoride.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP17636186A JPH0616170B2 (en) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Photo mask blank and photo mask |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP17636186A JPH0616170B2 (en) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Photo mask blank and photo mask |
Publications (2)
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Family
ID=16012268
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP17636186A Expired - Lifetime JPH0616170B2 (en) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Photo mask blank and photo mask |
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|---|---|
| JP (1) | JPH0616170B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1986
- 1986-07-25 JP JP17636186A patent/JPH0616170B2/en not_active Expired - Lifetime
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