JPH06153084A

JPH06153084A - Ｃｃｄ固体撮像素子

Info

Publication number: JPH06153084A
Application number: JP4302578A
Authority: JP
Inventors: Naoki Katou; 奈沖加藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-11-12
Filing date: 1992-11-12
Publication date: 1994-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】水平走査期間中において、受光部からのスミ
ア成分の垂直転送レジスタへの混入を低減できるように
して、再生画像の画質劣化を抑える。【構成】垂直方向に配列された受光部に対して共通と
された垂直転送レジスタを有し、水平ブランキング期間
ｂ中、信号レベルが高レベルＨ及び低レベルＬとなるタ
イミングがそれぞれ異なる４相の駆動パルスＶφ１〜Ｖ
φ４を垂直転送レジスタ上に形成された４つの転送電極
にそれぞれ印加することにより、信号電荷を水平転送レ
ジスタ側に転送するＣＣＤ固体撮像素子において、４相
の駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４のうち、水平走査期間ａ中
に高レベルＨ側に固定される駆動パルスＶφ１及びＶφ
３を、この水平走査期間ａ中に、水平ブランキング期間
ｂ中の高レベルＨよりもやや低いレベル（Ｈ−ΔＶ）に
固定されるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも垂直方向に
配列された受光部に対して共通とされた垂直転送レジス
タを有し、水平ブランキング期間中、出力レベルが高レ
ベル及び低レベルとなるタイミングがそれぞれ異なる４
相の駆動パルスを垂直転送レジスタ上に形成された転送
電極に印加することにより、信号電荷を水平転送レジス
タ側に転送するＣＣＤ固体撮像素子に関し、特に、水平
走査期間中における駆動パルスのレベル及び各転送電極
におけるレジスタ長の改善に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばインターライン転送方式のＣＣＤ
固体撮像素子は、図５に示すように、ｐｎ接合で構成さ
れた多数の受光部Ｓが行方向（垂直方向）及び列方向
（水平方向）にマトリクス状に配列され、少なくとも行
方向に配列された受光部Ｓに対して共通とされた垂直転
送レジスタＶＲが列方向に配列されて構成されている。

【０００３】そして、上記垂直転送レジスタＶＲ上に
は、４つの転送電極１〜４が例えば多結晶シリコン層に
より形成されてその配線がなされている。

【０００４】具体的には、例えば４つの転送電極を有
し、各転送電極に夫々位相の異なる４相の駆動パルスが
供給される例えばフィールド読出し方式のＣＣＤ固体撮
像素子についてみると、１層目の多結晶シリコン層で２
つの転送電極（第２及び第４の転送電極２及び４）が形
成され、２層目の多結晶シリコン層で他の２つの転送電
極（第１及び第３の転送電極１及び３）が形成される。

【０００５】ここで、各転送電極１〜４中、信号電荷の
垂直転送にかかわる部分の長さがレジスタ長であり、第
１〜第４の転送電極の各レジスタ長をそれぞれＬ１，Ｌ
２，Ｌ３及びＬ４と記す。従来の各転送電極におけるレ
ジスタ長Ｌ１〜Ｌ４は、それぞれ同じ長さを有する。

【０００６】そして、各転送電極１〜４に印加される４
相の駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４の電位関係は、図６に示
すように、水平転送レジスタによる信号電荷の転送期
間、即ち水平走査期間ａにおいては、第１及び第２の駆
動パルスＶφ１及びＶφ２が高レベルＨで固定され、第
３及び第４の駆動パルスＶφ３及びＶφ４が低レベルＬ
で固定される。

【０００７】また、垂直転送レジスタＶＲによる信号電
荷の転送期間、即ち水平ブランキング期間ｂにおいて
は、図７に示すように、水平ブランキング期間ｂの開始
以後、まず、第３の駆動パルスＶφ３が高レベルＨに反
転し、その後、第１の駆動パルスＶφ１が低レベルＬに
反転し、その後、第４の駆動パルスＶφ４が高レベルＨ
に反転し、その後、第２の駆動パルスＶφ２が低レベル
Ｌに反転する。そして、所定期間後に、第１の駆動パル
スＶφ１が高レベルＨに反転し、その後、第３の駆動パ
ルスＶφ３が低レベルＬに反転し、その後、第２の駆動
パルスＶφ２が高レベルＨに反転し、その後、第４の駆
動パルスＶφ４が低レベルＬに反転する。

【０００８】これら駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４の上記立
ち上がり及び立ち下がりの変化によって、信号電荷が行
単位に転送され、垂直転送レジスタＶＲの最終段に蓄積
されていた信号電荷が図示しない水平転送レジスタ内に
転送される。上記各駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４の反転状
態（出力レベル）は、次の水平ブランキング期間ｂがく
るまで保持される。

【０００９】水平転送レジスタに転送・蓄積された信号
電荷は、水平ブランキング期間ｂ後の水平走査期間ａに
おいて、例えば水平転送レジスタ上に形成された転送電
極に、例えば互いに位相の異なる２相の駆動パルスを印
加することによって、出力部（電荷−電圧変換部）に順
次転送される。

【００１０】そして、出力部に転送された信号電荷を順
次電圧信号に変換することにより、被写体からの光の入
射量に応じた撮像信号を取り出すことができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＣＣＤ固体撮像素子においては、水平走査期間ａ
中、第１及び第２の駆動パルスＶφ１及びＶφ２が高レ
ベルＨとなっているため、その期間ａ中、対応する第１
及び第２の転送電極１及び２下におけるポテンシャルが
深くなる。そのため、受光部Ｓからのスミア成分が、垂
直転送レジスタＶＲ、特に第１及び第２の転送電極１及
び２下の部分に混入し易いという問題があり、再生画像
の画質が劣化するという不都合が生じる。

【００１２】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、水平走査期間中におい
て、受光部からのスミア成分の垂直転送レジスタへの混
入を低減することができ、再生画像の画質劣化を抑える
ことができるＣＣＤ固体撮像素子を提供することにあ
る。

【００１３】また、本発明は、水平走査期間中におい
て、受光部からのスミア成分の垂直転送レジスタへの混
入を低減することができると共に、垂直転送レジスタの
取扱電荷量の低減を抑えることができるＣＣＤ固体撮像
素子を提供することにある。

【００１４】また、本発明は、上記効果に加えて、各受
光部ごとの特性のばらつきを改善することができるＣＣ
Ｄ固体撮像素子を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも垂
直方向に配列された受光部Ｓに対して共通とされた垂直
転送レジスタＶＲを有し、水平ブランキング期間ｂ中、
信号レベルが高レベルＨ及び低レベルＬとなるタイミン
グがそれぞれ異なる４相の駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４を
上記垂直転送レジスタＶＲ上に形成された転送電極１〜
４に印加することにより、信号電荷ｅを水平転送レジス
タ側に転送するＣＣＤ固体撮像素子において、上記４相
の駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４のうち、水平走査期間ａ中
に高レベルＨ側に固定される駆動パルスＶφ１及びＶφ
３が、この水平走査期間ａ中に、水平ブランキング期間
ｂ中のレベルＨよりもやや低いレベル（Ｈ−ΔＶ）に固
定されるように構成する。

【００１６】この場合、水平走査期間ａ中、高レベルＨ
側に固定される駆動パルスＶφ１及びＶφ３が印加され
る転送電極１及び３のレジスタ長Ｌ１及びＬ３を、他の
転送電極２及び４におけるレジスタ長Ｌ２及びＬ４より
も長く形成して構成するようにしてもよい。

【００１７】また、水平走査期間ａ中、高レベルＨ側に
固定される駆動パルスＶφ１及びＶφ３が印加される転
送電極１及び３を一つ置きに配列して構成するようにし
てもよい。

【００１８】

【作用】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子においては、
水平ブランキング期間ｂ中、信号レベルが高レベルＨ及
び低レベルＬとなるタイミングがそれぞれ異なる４相の
駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４を垂直転送レジスタＶＲ上に
形成された転送電極１〜４に印加することにより、信号
電荷ｅが行単位に水平転送レジスタ側に転送される。そ
して、４相の駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４のうち、水平走
査期間ａ中に高レベルＨ側に固定される駆動パルスＶφ
１及びＶφ３が、この水平走査期間ａ中に、水平ブラン
キング期間ｂ中のレベルＨよりもやや低いレベル（Ｈ−
ΔＶ）に固定される。

【００１９】従って、水平走査期間ａ中、電位的に高レ
ベルＨに固定される転送電極１及び３がやや低いレベル
（Ｈ−ΔＶ）に固定されるため、対応する転送電極１及
び３下のポテンシャルは浅くなる。即ち、受光部Ｓと垂
直転送レジスタＶＲ間にポテンシャル障壁が形成される
ことと等価となる。その結果、受光部Ｓから垂直転送レ
ジスタＶＲへのスミア成分の混入量が低減し、スミア成
分の混入に伴う再生画像の画質劣化を回避することがで
きる。

【００２０】特に、請求項２記載の本発明のＣＣＤ固体
撮像素子の場合、水平走査期間ａ中、高レベルＨ側に固
定される駆動パルスＶφ１及びＶφ３が印加される転送
電極１及び３のレジスタ長Ｌ１及びＬ３を、他の転送電
極２及び４におけるレジスタ長Ｌ２及びＬ４よりも長く
形成していることから、信号電荷ｅを蓄積できる面積が
増え、これら転送電極１及び３の電位レベルの低下に伴
う信号電荷ｅの取扱量の低下を抑えることができる。

【００２１】また、請求項３記載の本発明のＣＣＤ固体
撮像素子の場合、水平走査期間ａ中、高レベルＨ側に固
定される駆動パルスＶφ１及びＶφ３が印加される転送
電極１及び３を一つ置きに配列しているため、各受光部
Ｓに隣接する垂直転送レジスタＶＲ上の転送電極のパタ
ーン（特に、レジスタ長）及び電位関係が同一となる。
その結果、上記転送電極１及び３の電位のレベル低下に
伴う信号電荷ｅの取扱量の低下を抑えることができると
共に、各受光部Ｓにおける特性のばらつきも改善され
る。

【００２２】

【実施例】以下、本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子を例
えばインターライン転送方式のＣＣＤイメージセンサに
適用した実施例（以下、単に実施例に係るＣＣＤ固体撮
像素子と記す）を図１〜図４を参照しながら説明する。

【００２３】この実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子は、
図１に示すように、ｐｎ接合で構成された多数の受光部
Ｓが行方向（垂直方向）及び列方向（水平方向）にマト
リクス状に配列され、少なくとも行方向に配列された受
光部Ｓに対して共通とされた垂直転送レジスタＶＲが列
方向に配列されて構成されている。

【００２４】そして、上記垂直転送レジスタＶＲ上に
は、４つの転送電極１，２，３及び４が形成され、各転
送電極１，２，３及び４は、水平方向に延びる導線部と
垂直転送レジスタに沿って突出する電極部とが例えば多
結晶シリコン層により一体に形成されてその配線がなさ
れている。

【００２５】具体的には、１層目の多結晶シリコン層で
２つの転送電極（第２及び第４の転送電極２及び４）が
形成され、２層目の多結晶シリコン層で他の２つの転送
電極（第１及び第３の転送電極１及び３）が形成され
る。

【００２６】そして、第１の転送電極１は、ｎ行目の受
光部Ｓとｎ＋１行目の受光部Ｓ間において水平方向に延
びる第１の導線部１ａと垂直転送レジスタＶＲに沿って
図面上、上方に延びる第１の電極部１ｂとから構成さ
れ、第２の転送電極２は、ｎ行目の受光部Ｓとｎ＋１行
目の受光部Ｓ間において水平方向に延びる第２の導線部
２ａと垂直転送レジスタＶＲに沿って図面上、下方に延
びる第２の電極部２ｂとから構成されている。

【００２７】また、第３の転送電極３は、ｎ＋１行目の
受光部Ｓとｎ＋２行目の受光部Ｓ間において水平方向に
延びる第３の導線部３ａと垂直転送レジスタＶＲに沿っ
て図面上、上方に延びる第３の電極部３ｂとから構成さ
れ、第４の転送電極４は、ｎ＋１行目の受光部Ｓとｎ＋
２行目の受光部Ｓ間において水平方向に延びる第４の導
線部４ａと垂直転送レジスタＶＲに沿って図面上、下方
に延びる第４の電極部４ｂとから構成されている。

【００２８】ここで、各転送電極１〜４中、信号電荷の
垂直転送にかかわる部分の長さをそれぞれレジスタ長Ｌ
１，Ｌ２，Ｌ３及びＬ４としたとき、各転送電極１〜４
におけるレジスタ長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３及びＬ４の関係
は、第１及び第３の転送電極１及び３におけるレジスタ
長Ｌ１及びＬ３がほぼ同じで、第２及び第４の転送電極
におけるレジスタ長Ｌ２及びＬ４がほぼ同じとされてい
る。そして、第１及び第３の転送電極１及び３における
レジスタ長Ｌ１及びＬ３は、第２及び第４の転送電極２
及び４におけるレジスタ長Ｌ２及びＬ４よりも長く形成
されている。

【００２９】そして、本実施例に係るＣＣＤ固体撮像素
子においては、図２及び図３に示すように、各転送電極
１，２，３及び４に印加される第１、第２、第３及び第
４の駆動パルスＶφ１，Ｖφ２，Ｖφ３及びＶφ４は、
水平走査期間ａにおいて、それぞれ高レベル側、低レベ
ル側、高レベル側及び低レベル側にそれぞれ固定され
る。更に、第１及び第３の駆動パルスＶφ１及びＶφ３
の水平走査期間ａにおけるレベルは、水平ブランキング
期間ｂにおける高レベル（図２において破線で示すレベ
ル）Ｈよりもわずかに（図においてΔＶほど）低く設定
される。

【００３０】また、水平ブランキング期間ｂにおける各
駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４の位相関係は、図７で示す通
常のＣＣＤ固体撮像素子における駆動パルスＶφ１〜Ｖ
φ４の位相関係と同じになるように設定されている。即
ち、図３に示すように、水平ブランキング期間ｂの開始
以後、まず、第３の駆動パルスＶφ３が高レベルに反転
し、その後、第１の駆動パルスＶφ１が低レベルに反転
し、その後、第４の駆動パルスＶφ４が高レベルに反転
し、その後、第２の駆動パルスＶφ２が低レベルに反転
する。

【００３１】そして、所定期間後に、第１の駆動パルス
Ｖφ１が高レベルに反転し、その後、第３の駆動パルス
Ｖφ３が低レベルに反転し、その後、第２の駆動パルス
Ｖφ２が高レベルに反転し、その後、第４の駆動パルス
Ｖφ４が低レベルに反転するように設定される。

【００３２】従って、水平走査期間ａにおいて、第１及
び第３の駆動パルスＶφ１及びＶφ３が高レベル側に固
定されているとしても、図７に示す通常のＣＣＤ固体撮
像素子（この素子においては、第１及び第２の駆動パル
スＶφ１及びＶφ２が水平走査期間ａにおいて高レベル
側に固定されている）と同様に、水平ブランキング期間
ｂにおいて信号電荷を垂直方向に行単位に転送すること
ができる。

【００３３】そして、上記水平ブランキング期間ｂにお
いて、図７で示す通常のＣＣＤ固体撮像素子と同様なタ
イミングの位相関係とするために、本実施例では、水平
走査期間ａの終わりの部分（例えば、空送りあるいは黒
レベルの転送時）において、まず、第１及び第３の駆動
パルスＶφ１及びＶφ３をレベル（高レベルよりも僅か
に低いレベル：Ｈ−ΔＶ）から高レベルＨに引き上げ
る。その後、第２の駆動パルスＶφ２を高レベルＨに反
転し、その後、第３の駆動パルスＶφ３を低レベルＬに
反転する。この状態を維持したまま水平ブランキング期
間ｂに入る。

【００３４】水平ブランキング期間ｂが終了した後は、
水平走査期間ａの始まりの部分（例えば、空送りあるい
は黒レベルの転送時の期間）において、まず、第３の駆
動パルスＶφ３を高レベルＨに反転し、その後、第２の
駆動パルスＶφ２を低レベルＬに反転する。その後、第
１及び第３の駆動パルスＶφ１及びＶφ３を水平ブラン
キング期間ｂの高レベルＨよりも僅かに低いレベル（Ｈ
−ΔＶ）に落とす。

【００３５】上記各駆動パルスＶφ１〜Ｖφ４の出力タ
イミングを信号電荷の転送動作の点からみると、図４に
示すように、まず、ｔ１時において、第１及び第３の駆
動パルスＶφ１及びＶφ３が高レベル側に設定されてい
ることから、信号電荷ｅは、それぞれ第１及び第３の転
送電極１及び３に形成されているポテンシャル井戸に蓄
積されている。

【００３６】この場合、第１及び第３の駆動パルスＶφ
１及びＶφ３のレベルが上記のように、水平ブランキン
グ期間ｂにおける高レベルＨよりも僅かに低いレベル
（Ｈ−ΔＶ）であることから、そのポテンシャル井戸の
深さは、高レベルＨの時（破線で示す）よりも比較的浅
くなる。従って、通常では、信号電荷ｅの取扱電荷量が
低減するが、本実施例においては、図１に示すように、
第１及び第３の転送電極１及び３におけるレジスト長Ｌ
１及びＬ３を長くとっているため、信号電荷ｅの蓄積面
積が大きくなり、上記取扱電荷量の減少を回避すること
ができる。

【００３７】次に、ｔ２時においては、第１及び第３の
駆動パルスＶφ１及びＶφ３が高レベルＨに引き上げら
れることから、第１及び第３の転送電極１及び３下のポ
テンシャル井戸の深さは、ｔ１時よりも深くなる。次
に、ｔ３時においては、第２の駆動パルスＶφ２が高レ
ベルＨになることから、第２の転送電極２におけるポテ
ンシャル井戸が深くなる。従って、信号電荷ｅは、第１
〜第３の転送電極１〜３下に連続形成されるポテンシャ
ル井戸に転送・蓄積される。

【００３８】次に、ｔ４時においては、第３の駆動パル
スＶφ３が低レベルＬになることから、第３の転送電極
３下におけるポテンシャル井戸が浅くなり、信号電荷ｅ
は、第１及び第２の転送電極１及び２下に連続形成され
ているポテンシャル井戸に転送・蓄積される。この状態
は、図７で示す通常のＣＣＤ固体撮像素子の電荷転送状
態、特に水平ブランキング期間ｂに入る前の信号電荷ｅ
の転送状態と同じになる。

【００３９】そして、次の水平ブランキング期間ｂにお
いて、信号電荷ｅは行単位に転送され、この期間の終了
時点、即ちｔ５時において、信号電荷ｅは、それぞれ次
の行の第１及び第２の転送電極１及び２下に転送・蓄積
される。

【００４０】次のｔ６時においては、第３の駆動パルス
Ｖφ３が高レベルＨになることから、信号電荷ｅは、第
１〜第３の転送電極１〜３下に連続形成されるポテンシ
ャル井戸に転送・蓄積される。次のｔ７時においては、
第２の駆動パルスＶφ２が低レベルＬになることから、
第２の転送電極２下におけるポテンシャル井戸が浅くな
り、信号電荷ｅは、第１及び第３の転送電極１及び３下
にそれぞれ分離して形成されているポテンシャル井戸に
転送・蓄積される。次のｔ８時においては、第１及び第
３の駆動パルスＶφ１及びＶφ３が僅かに低いレベル
（Ｈ−ΔＶ）に落とされることから、第１及び第３の転
送電極１及び３下に形成されているポテンシャル井戸が
僅かに浅くなる。そして、この状態を維持したまま水平
走査期間ａに入る。

【００４１】ここで、一つの比較を示す。即ち、図７で
示す通常のＣＣＤ固体撮像素子において、水平走査期間
ａに高レベルＨに固定される第１及び第２の駆動パルス
Ｖφ１及びＶφ２を単に低いレベルにした場合と上記本
実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子とを比較する。

【００４２】まず、前者の通常のＣＣＤ固体撮像素子の
場合は、以下のような不都合が生じる。つまり、図５を
参照して説明すると、第１の駆動パルスＶφ１が印加さ
れる第１の転送電極１は、ｎ行目の受光部Ｓに隣接して
おり、また、第２の駆動パルスＶφ２が印加される第２
の転送電極２は、ｎ＋１行目の受光部Ｓに隣接してい
る。しかも、その隣接する長さがそれぞれ異なることか
ら、各受光部Ｓに隣接する転送電極のバイアス条件が行
ごとに異なることになり、その結果、受光部Ｓごとの特
性にばらつきが生じる。

【００４３】また、高レベルＨよりも僅かに低いレベル
（Ｈ−ΔＶ）を印加することからそのポテンシャル井戸
の深さが浅くなり、その分、取扱電荷量が減ってしまう
が、この場合、本実施例のように、第１及び第２の転送
電極１及び２の各レジスタ長Ｌ１及びＬ２を長くして取
扱電荷量の低減を防止することが考えられるが、上記の
ように、各受光部Ｓと隣接するパターン及び横方向容量
の影響などによって、結果として、受光部Ｓごとの取扱
電荷量にばらつきが発生するという不都合がある。

【００４４】これに対して、本実施例においては、上述
したように、水平走査期間ａ中、信号電荷ｅを蓄積する
部分を、第１及び第３の転送電極１及び３下としたの
で、ｎ行及びｎ＋１行の各受光部Ｓに隣接する転送電極
のパターン（長さ）が同じになる。しかも、第１及び第
３の転送電極１及び３における各レジスト長Ｌ１及びＬ
３を他の転送電極２及び４における各レジスト長Ｌ２及
びＬ４よりも長くしたので、水平走査期間ａ中における
第１及び第３の駆動パルスＶφ１及びＶφ３の出力レベ
ルを水平ブランキング期間ｂでの高レベルＨよりも低い
レベル（Ｈ−ΔＶ）にしたことによる垂直転送レジスタ
ＶＲの取扱電荷量の減少を改善することができる。ま
た、各受光部Ｓに隣接する転送電極のバイアス条件が完
全に一致することになるため、受光部Ｓごとの特性にば
らつきは生じなくなる。

【００４５】このように、本実施例に係るＣＣＤ固体撮
像素子によれば、水平走査期間ａ中、電位的に高レベル
Ｈに固定される第１及び第３の転送電極１及び３をやや
低いレベル（Ｈ−ΔＶ）に固定するようにしたので、対
応する第１及び第３の転送電極１及び３下のポテンシャ
ルは浅くなる。即ち、受光部Ｓと垂直転送レジスタＶＲ
間にポテンシャル障壁が形成されることと等価となる。
その結果、受光部Ｓから垂直転送レジスタＶＲへのスミ
ア成分の混入量が低減し、スミア成分の混入に伴う再生
画像の画質劣化を回避することができる。

【００４６】特に、第１及び第３の転送電極１及び３の
各レジスタ長Ｌ１及びＬ３を、他の第２及び第４の転送
電極２及び４における各レジスタ長Ｌ２及びＬ４よりも
長く形成するようにしたので、信号電荷ｅを蓄積できる
面積が増え、これら第１及び第３の転送電極１及び３の
電位レベルの低下に伴う信号電荷ｅの取扱量の低下を抑
えることができる。

【００４７】また、上記第１及び第３の転送電極１及び
３を一つ置きに配列するようにしているため、各受光部
Ｓに隣接する垂直転送レジスタＶＲ上の転送電極のパタ
ーン（特に、レジスタ長）及び電位関係が同一となる。
その結果、各受光部Ｓにおける特性のばらつきを改善す
ることができる。

【００４８】上記実施例においては、インターライン転
送方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用した例を示したが、
その他、フレームインターライン転送方式のＣＣＤ固体
撮像素子にも適用することができる。

【００４９】

【発明の効果】上述のように、本発明に係るＣＣＤ固体
撮像素子によれば、４相の駆動パルスのうち、水平走査
期間中に高レベル側に固定される駆動パルスが、この水
平走査期間中に、水平ブランキング期間中のレベルより
もやや低いレベルに固定されるようにしたので、水平走
査期間中において、受光部からのスミア成分の垂直転送
レジスタへの混入を低減することができ、再生画像の画
質劣化を抑えることができる。

【００５０】また、本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子に
よれば、上記構成に加えて、水平走査期間中、高レベル
側に固定される駆動パルスが印加される転送電極のレジ
スタ長を、他の転送電極におけるレジスタ長よりも長く
形成するようにしたので、水平走査期間中において、受
光部からのスミア成分の垂直転送レジスタへの混入を低
減することができると共に、垂直転送レジスタの取扱電
荷量の低減を抑えることができる。

【００５１】また、本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子に
よれば、上記構成に加えて、水平走査期間中、高レベル
側に固定される駆動パルスが印加される転送電極を一つ
置きに配列するようにしたので、上記効果のほか、各受
光部ごとの特性のばらつきを改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＣＣＤ固体撮像素子を例えばイン
ターライン転送方式のＣＣＤイメージセンサに適用した
実施例（以下、単に実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子と
記す）の受光部及び垂直転送レジスタの部分を示す要部
の平面図である。

【図２】本実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子の各転送電
極に印加される駆動パルスの水平走査期間における電位
の固定状態を示すタイミングチャートである。

【図３】本実施例に係るＣＣＤ固体撮像素子の各転送電
極に印加される駆動パルスの水平ブランキング期間にお
ける出力タイミングの変化を示すタイミングチャートで
ある。

【図４】水平ブランキング期間に入る直前及び直後の信
号電荷の転送動作を示すポテンシャル概念図である。

【図５】従来例に係るＣＣＤ固体撮像素子の受光部及び
垂直転送レジスタの部分を示す要部の平面図である。

【図６】従来例に係るＣＣＤ固体撮像素子の各転送電極
に印加される駆動パルスの水平走査期間における電位の
固定状態を示すタイミングチャートである。

【図７】従来例に係るＣＣＤ固体撮像素子の各転送電極
に印加される駆動パルスの水平ブランキング期間におけ
る出力タイミングの変化を示すタイミングチャートであ
る。

【符号の説明】

Ｓ受光部ＶＲ垂直転送レジスタ１第１の転送電極２第２の転送電極３第３の転送電極４第４の転送電極Ｖφ１第１の駆動パルスＶφ２第２の駆動パルスＶφ３第３の駆動パルスＶφ４第４の駆動パルス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも垂直方向に配列された受光部
に対して共通とされた垂直転送レジスタを有し、水平ブランキング期間中、信号レベルが高レベル及び低
レベルとなるタイミングがそれぞれ異なる４相の駆動パ
ルスを上記垂直転送レジスタ上に形成された転送電極に
印加することにより、信号電荷を水平転送レジスタ側に
転送するＣＣＤ固体撮像素子において、上記４相の駆動パルスのうち、水平走査期間中に高レベ
ル側に固定される駆動パルスが、この水平走査期間中
に、水平ブランキング期間中のレベルよりもやや低いレ
ベルに固定されていることを特徴とするＣＣＤ固体撮像
素子。
【請求項２】水平走査期間中、高レベル側に固定され
る駆動パルスが印加される転送電極のレジスタ長が、他
の転送電極におけるレジスタ長よりも長く形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載のＣＣＤ固体撮像素
子。
【請求項３】水平走査期間中、高レベル側に固定され
る駆動パルスが印加される転送電極が一つ置きに配列さ
れていることを特徴とする請求項１又は２記載のＣＣＤ
固体撮像素子。