JPH06151652A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH06151652A
JPH06151652A JP30522792A JP30522792A JPH06151652A JP H06151652 A JPH06151652 A JP H06151652A JP 30522792 A JP30522792 A JP 30522792A JP 30522792 A JP30522792 A JP 30522792A JP H06151652 A JPH06151652 A JP H06151652A
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JP
Japan
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resin
component
carboxylic acid
aliphatic carboxylic
bis
Prior art date
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Application number
JP30522792A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhisa Maeda
和久 前田
Mitsuyoshi Shirai
光義 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
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Publication of JPH06151652A publication Critical patent/JPH06151652A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve a mold separability, cracking-resistant properties, a heat- resistant reliability, etc., by a method wherein special resin composition which contains polymaleimide compound, phenol allylide resin, one or both of aliphatic carboxylic acid and metallic salt of aliphatic carboxylic acid and inorganic fillers is employed for sealing. CONSTITUTION:Phenol allylide resin which is used with polymaleimide compound functions as the curing agent of the polymaleimide compound. Curing catalyst enhances the adhesion between sealing resin and a semeconductor chip and between sealing resin and a lead frame and reduces curing time. Further, the improvement effect of the separability between the sealing resin and a mold, cracking-resistant properties and a moisture-resistant reliability can be obtained by at least one of aliphatic carboxylic acid and metalate of aliphatic carboxylic acid. Moreover, inorganic fillers improve the bonding strength between the sealing resin and the semiconductor chip and between the sealing resin and the lead frame. With this constitution, a semiconductor device which has excellent mold separability, cracking-resistant properties, heat-resistant properties and moisture-resistant reliability can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、信頼性に優れた半導
体装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having excellent reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、トランジスター,IC,LSI等
の半導体素子は、コスト,量産性の観点から、プラスチ
ックパッケージを用いた樹脂封止が主流となっている。
しかしながら、半導体分野の技術革新によって集積度の
向上とともに素子サイズの大形化、配線の微細化が進
み、パッケージも小形化,薄形化する傾向にあり、これ
に伴って封止材料に対してより以上の信頼性の向上が要
望されている。
2. Description of the Related Art In recent years, resin encapsulation using a plastic package has become the mainstream for semiconductor elements such as transistors, ICs and LSIs from the viewpoint of cost and mass productivity.
However, due to technological innovation in the semiconductor field, device sizes are becoming larger, wiring is becoming finer, and packages are becoming smaller and thinner due to improvements in integration. Further improvement in reliability is demanded.

【0003】特に、半導体パッケージの実装方法として
表面実装が主流となってきており、半田浸漬,赤外線リ
フロー,ベーパーフェイズリフロー等の工程が採用され
ている。これらの工程では、パッケージが高温(215
〜260℃)に曝されるため、樹脂封止による半導体装
置では、その封止樹脂を透過して内部に浸入した微量の
水分が急激に気化し、この水分により封止樹脂にクラッ
クが生じる。その結果、耐湿信頼性での保証が不可能と
なる問題が生じる。また、封止樹脂の膨れが生起し実装
が不可能となるという問題も生じる。
In particular, surface mounting has become the mainstream as a method for mounting a semiconductor package, and steps such as solder dipping, infrared reflow, vapor phase reflow, etc. are adopted. During these steps, the package is exposed to high temperatures (215
Therefore, in a semiconductor device having a resin encapsulation, a small amount of water that has penetrated into the inside of the resin by the resin encapsulation abruptly vaporizes, and this water causes cracks in the encapsulation resin. As a result, there arises a problem that it is impossible to guarantee the moisture resistance reliability. In addition, there is a problem that swelling of the sealing resin occurs and mounting becomes impossible.

【0004】このような表面実装工程で生じる問題に対
応するためには、封止樹脂の特性として、低応力を有
し、ガラス転移温度(Tg)が半田浴温度以上であり、
また実装温度に対応した高温強度および吸湿高温強度が
大きいという特性が要求されている。
In order to cope with the problems that occur in the surface mounting process, the sealing resin has a low stress and a glass transition temperature (Tg) higher than the solder bath temperature.
Further, it is required to have characteristics that the high temperature strength corresponding to the mounting temperature and the high humidity absorption high temperature strength are large.

【0005】そして、従来から封止樹脂に用いられてい
るエポキシ樹脂(Tg:100〜200℃)よりも耐熱
性に優れているマレイミド樹脂(Tg:200〜300
℃)が注目されている。特に、最近では、上記マレイミ
ド樹脂とエポキシ樹脂で構成された樹脂組成物や、マレ
イミド樹脂と芳香族ジアミンとの反応によって得られる
アミン変性マレイミド樹脂を用いる樹脂組成物が提案さ
れている。
Then, a maleimide resin (Tg: 200 to 300) which is superior in heat resistance to an epoxy resin (Tg: 100 to 200 ° C.) which has been conventionally used as a sealing resin.
℃) is drawing attention. In particular, recently, a resin composition composed of the above maleimide resin and an epoxy resin and a resin composition using an amine-modified maleimide resin obtained by a reaction of a maleimide resin and an aromatic diamine have been proposed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記樹
脂組成物を用いても、充分な耐熱性,耐湿信頼性および
高温強度を有する半導体装置を得ることは困難である。
また、この他に、上記マレイミド樹脂を用いたものとし
て、ポリマレイミドとアリル化フェノール樹脂を塩基性
触媒または有機過酸化物の存在下で封止する樹脂組成物
が提案されている。しかしながら、上記樹脂組成物によ
り形成される封止樹脂と、金型との離型性が悪いため
に、金型からの離型の際、封止樹脂と、半導体素子およ
びリードフレームとの剥離が生じ、その界面に水分が浸
入し、表面実装時にクラックが発生したり、耐湿信頼性
が低下するという問題が生じる。
However, even if the above resin composition is used, it is difficult to obtain a semiconductor device having sufficient heat resistance, moisture resistance reliability and high temperature strength.
In addition to the above, a resin composition in which polymaleimide and an allylated phenol resin are sealed in the presence of a basic catalyst or an organic peroxide has been proposed as a product using the above maleimide resin. However, since the mold release property between the mold resin and the sealing resin formed by the above resin composition is poor, the mold resin is peeled off from the semiconductor element and the lead frame at the time of mold release. This causes problems such that moisture enters the interface, cracks occur during surface mounting, and moisture resistance reliability decreases.

【0007】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、半田浸漬時の耐クラック性および耐湿信頼性
に優れた半導体装置の提供をその目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor device having excellent crack resistance and moisture resistance reliability during immersion of solder.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の(A)〜(E)成
分を含有する樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する
という構成をとる。 (A)1分子中に2個以上のマレイミド基を有するポリ
マレイミド化合物。 (B)アリル化フェノール樹脂。 (C)硬化触媒。 (D)脂肪族カルボン酸および脂肪族カルボン酸の金属
塩の少なくとも一方。 (E)無機質充填剤。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention encloses a semiconductor element with a resin composition containing the following components (A) to (E). Take composition. (A) A polymaleimide compound having two or more maleimide groups in one molecule. (B) Allylated phenolic resin. (C) Curing catalyst. (D) At least one of an aliphatic carboxylic acid and a metal salt of an aliphatic carboxylic acid. (E) Inorganic filler.

【0009】[0009]

【作用】すなわち、本発明者らは、金型との離型性に優
れ、しかも耐クラック性,耐熱信頼性および耐湿信頼性
に優れた封止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、耐熱性に優れた上記特定のポリマレイミド化合
物(A成分)と、アリル化フェノール樹脂(B成分)
と、脂肪族カルボン酸および脂肪族カルボン酸の金属塩
の少なくとも一方(D成分)と、無機質充填剤(E成
分)とを組み合わせて用いると、これらを含む樹脂組成
物と金型との離型性,半田浸漬時の耐クラック性,耐熱
信頼性および耐湿信頼性に優れた封止樹脂が得られるこ
とを見出しこの発明に到達した。
That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a sealing resin which is excellent in mold releasability from a mold and is also excellent in crack resistance, heat resistance reliability and moisture resistance reliability. As a result, the above-mentioned specific polymaleimide compound (component A) having excellent heat resistance and allylated phenolic resin (component B)
When at least one of the aliphatic carboxylic acid and the metal salt of the aliphatic carboxylic acid (component D) and the inorganic filler (component E) are used in combination, the resin composition containing them is released from the mold. The inventors have found that an encapsulating resin having excellent heat resistance, crack resistance when immersed in solder, heat resistance reliability and moisture resistance reliability can be obtained, and arrived at the present invention.

【0010】つぎに、この発明を詳細に説明する。Next, the present invention will be described in detail.

【0011】この発明に用いられる樹脂組成物は、特定
のポリマレイミド化合物(A成分)と、アリル化フェノ
ール樹脂(B成分)と、硬化触媒(C成分)と、脂肪族
カルボン酸および脂肪族カルボン酸の金属塩の少なくと
も一方(D成分)と、無機質充填剤(E成分)を用いて
得られるものであり、通常、粉末状もしくはそれを打錠
したタブレット状になっている。
The resin composition used in the present invention comprises a specific polymaleimide compound (component A), an allylated phenol resin (component B), a curing catalyst (component C), an aliphatic carboxylic acid and an aliphatic carboxylic acid. It is obtained by using at least one of metal salts of acids (component D) and an inorganic filler (component E), and is usually in the form of powder or tablets formed by tableting.

【0012】上記特定のポリマレイミド化合物(A成
分)は、1分子中に2個以上のマレイミド基を有するも
のである。このようなポリマレイミド化合物は、例え
ば、下記の一般式(1)で表される。
The above-mentioned specific polymaleimide compound (component A) has two or more maleimide groups in one molecule. Such a polymaleimide compound is represented by, for example, the following general formula (1).

【0013】[0013]

【化1】 [Chemical 1]

【0014】上記特定のポリマレイミド化合物(A成
分)の具体的な代表例としては、N,N′−エチレンジ
マレイミド、N,N′−ヘキサメチレンビスマレイミ
ド、N,N′−ドデカメチレンビスマレイミド、N,
N′−m−キシリレンビスマレイミド、N,N′−p−
キシリレンビスマレイミド、N,N′−1,3−ビスメ
チレンシクロヘキサンビスマレイミド、N,N′−1,
4−ビスメチレンシクロヘキサンビスマレイミド、N,
N′−2,4−トリレンビスマレイミド、N,N′−
2,6−トリレンビスマレイミド、N,N′−3,3′
−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N′−4,
4′−ジフェニルメタンビスマレイミド、3,3′−ジ
フェニルスルホンビスマレイミド、4,4′−ジフェニ
ルスルホンビスマレイミド、N,N′−4,4′−ジフ
ェニルスルフィドビスマレイミド、N,N′−p−ベン
ゾフェノンビスマレイミド、N,N′−ジフェニルエタ
ンビスマレイミド、N,N′−ジフェニルエーテルビス
マレイミド、N,N′−(メチレン−ジテトラヒドロフ
ェニル)ビスマレイミド、N,N′−(3−エチル)−
4,4′−ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N′
−(3,3′−ジメチル)−4,4′−ジフェニルメタ
ンビスマレイミド、N,N′−(3,3′−ジエチル)
ジフェニルメタンビスマレイミド、N,N′−(3,
3′−ジクロロ)−4,4′−ジフェニルメタンビスマ
レイミド、N,N′−トリジンビスマレイミド、N,
N′−イソホロンビスマレイミド、N,N′−p,p′
−ジフェニルジメチルシリルビスマレイミド、N,N′
−ベンゾフェノンビスマレイミド、N,N′−ジフェニ
ルプロパンビスマレイミド、N,N′−ナフタレンビス
マレイミド、N,N′−p−フェニレンビスマレイミ
ド、N,N′−m−フェニレンビスマレイミド、N,
N′−4,4′−(1,1′−ジフェニル−シクロヘキ
サン)−ビスマレイミド、N,N′−3,5−(1,
2,4−トリアゾール)−ビスマレイミド、N,N′−
ピリジン−2,6−ジイルビスマレイミド、N,N′−
5−メトキシ−1,3−フェニレンビスマレイミド、
1,2−ビス−(2─マレイミドエトキシ)−エタン、
1,3−ビス−(3─マレイミドプロポキシ)−プロパ
ン、N,N′−4,4′−ジフェニルメタン−ビス−ジ
メチルマレイミド、N,N′−ヘキサメチレン−ビス−
ジメチルマレイミド、N,N′−4,4′−(ビフェニ
ルエーテル)−ビス−ジメチルマレイミド、N,N′−
4,4′−ジフェニルスルホン−ビス−ジメチルマレイ
ミド、4,4′−ジアミノ−トリフェニルホスフェート
のN,N′−ビスマレイミド、4,4′−ジアミノ−ト
リフェニルチオホスフェートのN,N′−ビスマレイミ
ド、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)
フェニル〕プロパン等があげられる。
Specific examples of the specific polymaleimide compound (component A) include N, N'-ethylenedimaleimide, N, N'-hexamethylene bismaleimide, N, N'-dodecamethylene bismaleimide. , N,
N'-m-xylylene bismaleimide, N, N'-p-
Xylylene bismaleimide, N, N'-1,3-bismethylenecyclohexane bismaleimide, N, N'-1,
4-bismethylenecyclohexane bismaleimide, N,
N'-2,4-tolylene bismaleimide, N, N'-
2,6-tolylene bismaleimide, N, N'-3,3 '
-Diphenylmethane bismaleimide, N, N'-4,
4'-diphenylmethane bismaleimide, 3,3'-diphenylsulfone bismaleimide, 4,4'-diphenylsulfone bismaleimide, N, N'-4,4'-diphenylsulfide bismaleimide, N, N'-p-benzophenone Bismaleimide, N, N'-diphenylethane bismaleimide, N, N'-diphenyl ether bismaleimide, N, N '-(methylene-ditetrahydrophenyl) bismaleimide, N, N'-(3-ethyl)-
4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N '
-(3,3'-Dimethyl) -4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N '-(3,3'-diethyl)
Diphenylmethane bismaleimide, N, N '-(3,
3'-dichloro) -4,4'-diphenylmethane bismaleimide, N, N'-tolidine bismaleimide, N,
N'-isophorone bismaleimide, N, N'-p, p '
-Diphenyldimethylsilyl bismaleimide, N, N '
-Benzophenone bismaleimide, N, N'-diphenylpropane bismaleimide, N, N'-naphthalene bismaleimide, N, N'-p-phenylene bismaleimide, N, N'-m-phenylene bismaleimide, N,
N'-4,4 '-(1,1'-diphenyl-cyclohexane) -bismaleimide, N, N'-3,5- (1,
2,4-triazole) -bismaleimide, N, N'-
Pyridine-2,6-diyl bismaleimide, N, N'-
5-methoxy-1,3-phenylene bismaleimide,
1,2-bis- (2-maleimidoethoxy) -ethane,
1,3-Bis- (3-maleimidopropoxy) -propane, N, N'-4,4'-diphenylmethane-bis-dimethylmaleimide, N, N'-hexamethylene-bis-
Dimethyl maleimide, N, N'-4,4 '-(biphenyl ether) -bis-dimethyl maleimide, N, N'-
4,4'-diphenylsulfone-bis-dimethylmaleimide, N, N'-bismaleimide of 4,4'-diamino-triphenylphosphate, N, N'-bis of 4,4'-diamino-triphenylthiophosphate Maleimide, 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy)
Examples include phenyl] propane.

【0015】さらに、上記フッ素含有ポリマレイミド化
合物の具体的な代表例として、1,3−ビス(マレイミ
ド)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(マレイミ
ド)オクタフルオロブタン、1,5−ビス(マレイミ
ド)デカフルオロペンタン、1,7−ビス(マレイミ
ド)テトラデカフルオロヘブタン、2,2−ビス(4−
マレイミドフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス(3−マレイミドフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス(4−マレイミドフェニル−3′−
マレイミドフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス(3−マレイミド−4−メチルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス(4−マレイミド−3
−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス(3−マレイミド−4−メチルフェニル−4′−マ
レイミド−3′−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロ
パンなどの2核体の含フッ素芳香族ビスマレイミドや、
2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−
(3−マレイミドフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス[4−(2−マレイミドフェ
ノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス[4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル−
4′−(3′−マレイミドフェノキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(2−マレイ
ミドフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル〕ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス〔4−マレイミド−2
−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス〔3−(3−マレイミド
フェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、1,
3−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス〔4−(3
−マレイミドフェノキシ)〕ヘキサフルオロプロパン、
1,4−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕オクタフルオロブタン、1,5−ビス〔4−(4
−マレイミドフェノキシ)フェニル〕デカフルオロペン
タン、1,5−ビス〔4−(4−マレイミド−2−トリ
フルオロメチルフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロ
ペンタンなどの4核体の含フッ素芳香族ビスマレイミド
があげられる。
Further, as specific representative examples of the above-mentioned fluorine-containing polymaleimide compound, 1,3-bis (maleimide) hexafluoropropane, 1,4-bis (maleimide) octafluorobutane, 1,5-bis (maleimide) ) Decafluoropentane, 1,7-bis (maleimide) tetradecafluorohebutane, 2,2-bis (4-
Maleimidophenyl) hexafluoropropane, 2,2
-Bis (3-maleimidophenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-maleimidophenyl-3'-
Maleimidophenyl) hexafluoropropane, 2,2
-Bis (3-maleimido-4-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-maleimido-3)
-Methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-
A binuclear fluorine-containing aromatic bismaleimide such as bis (3-maleimido-4-methylphenyl-4′-maleimido-3′-methylphenyl) hexafluoropropane;
2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4-
(3-Maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (2-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-
Bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl-
4 '-(3'-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (2-maleimidophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- Maleimide-2
-Trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3- (3-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 1,
3-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3
-Maleimidophenoxy)] hexafluoropropane,
1,4-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] octafluorobutane, 1,5-bis [4- (4
Examples include tetranuclear fluorine-containing aromatic bismaleimides such as -maleimidophenoxy) phenyl] decafluoropentane and 1,5-bis [4- (4-maleimido-2-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropentane. .

【0016】そして、上記2官能マレイミドの他に、ア
ニリンとホルマリンとの反応生成物(ポリアミン化合
物)、3,4,4,−トリアミノジフェニルメタン、
3,3′,4,4′−テトラアミノジフェニルメタン、
トリアミノフェノール等と無水マレイン酸との反応で得
られる多官能マレイミド、トリス−(4−アミノフェニ
ル)ホスフェートやトリス(4−アミノフェニル)チオ
ホスフェートと無水マレイン酸との反応で得られる3官
能マレイミド等の多価マレイミドがあげられる。
In addition to the above bifunctional maleimide, a reaction product of aniline and formalin (polyamine compound), 3,4,4-triaminodiphenylmethane,
3,3 ', 4,4'-tetraaminodiphenylmethane,
Polyfunctional maleimide obtained by reaction of triaminophenol and maleic anhydride, trifunctional maleimide obtained by reaction of tris- (4-aminophenyl) phosphate or tris (4-aminophenyl) thiophosphate with maleic anhydride And other polyvalent maleimides.

【0017】また、上記多価マレイミドに加えて上記多
価マレイミドのアミン付加物,フェノール付加物,チオ
コール付加物等があげられる。さらに、上記N,N′−
置換ビスマレイミド以外に多価のN−置換マレイミド
化合物、モノ置換マレイミド,トリ置換マレイミドま
たはテトラ置換マレイミドと、上記N,N′−置換ビス
マレイミドまたはその付加物との混合物等があげられ
る。これら特定のポリマレイミド化合物は単独でもしく
は併せて用いることができ、特に併せて用いることは有
効である。
In addition to the above-mentioned polyvalent maleimide, amine adducts, phenol adducts and thiochol adducts of the above polyvalent maleimides can be mentioned. Further, the above N, N'-
In addition to the substituted bismaleimide, a polyvalent N-substituted maleimide compound, a mixture of a mono-substituted maleimide, a tri-substituted maleimide or a tetra-substituted maleimide and the above N, N'-substituted bismaleimide or an adduct thereof can be used. These specific polymaleimide compounds can be used alone or in combination, and it is particularly effective to use them in combination.

【0018】なお、この発明において、上記特定のポリ
マレイミド化合物(A成分)の一部にエポキシ樹脂を用
いても差し支えない。上記エポキシ樹脂は、特に限定さ
れるものではなく、従来公知の1分子中に2個以上のエ
ポキシ基を有する各種化合物があげられる。例えば、通
常、エポキシ当量50〜5000,軟化点が室温〜20
0℃のものが好ましく、特に好ましくはエポキシ当量1
00〜3000,軟化点が室温〜150℃のものであ
る。このようなエポキシ樹脂としては、室温で液状のも
のから固体状のものまでが含まれる。具体的には、ビス
フェノールA型,ビスフェノールF型,レゾルシール,
フェノールノボラック,クレゾールノボラック等のフェ
ノール類のグリシジルエーテル、ブタンジオール,ポリ
エチレングリコール,ポリプロピレングリコール等のア
ルコール類のグリシジルエーテル等があげられる。
In the present invention, an epoxy resin may be used as a part of the specific polymaleimide compound (component A). The epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include conventionally known various compounds having two or more epoxy groups in one molecule. For example, usually, the epoxy equivalent is 50 to 5000 and the softening point is room temperature to 20.
Those having a temperature of 0 ° C. are preferable, and epoxy equivalent 1 is particularly preferable.
It has a softening point of room temperature to 150 ° C. Such epoxy resins include those that are liquid at room temperature and those that are solid at room temperature. Specifically, bisphenol A type, bisphenol F type, resor seal,
Examples thereof include glycidyl ethers of phenols such as phenol novolac and cresol novolac, and glycidyl ethers of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol and polypropylene glycol.

【0019】上記特定のポリマレイミド化合物(A成
分)とともに用いられるアリル化フェノール樹脂(B成
分)は、上記A成分であるポリマレイミド化合物の硬化
剤として作用するものであり、下記の一般式(2)で表
される構造を有するもので、官能基を1個以上含有する
ものである。
The allylated phenolic resin (component B) used together with the specific polymaleimide compound (component A) acts as a curing agent for the polymaleimide compound which is component A and has the following general formula (2): ), And has one or more functional groups.

【0020】[0020]

【化2】 [Chemical 2]

【0021】上記アリル化フェノール樹脂(B成分)
は、例えば、フェノール,クレゾール,エチルフェノー
ル,イソプロピルフェノール,ブチルフェノール,オク
チルフェノール,キシレノール,ノニルフェノール,ビ
ニルフェノール,イソプロピルフェノール,フェニルフ
ェノール,ベンジルフェノール,クロルフェノール,ブ
ロムフェノール,エトキシフェノール等の一価フェノー
ルや、ビスフェノールA,ビスフェノールF,ヒドロキ
シ,カラコール,レゾルシノール等の二価フェノール等
を原料とし、これとホルマリン,パラホルムアルデヒ
ド,グリオキザール等のアルデヒド化合物を公知の手段
で縮合反応させて得られるフェノール類ノボラック樹脂
や、上記の一価フェノールおよび二価フェノール等を塩
化アリル,臭化アリル,ヨウ化アリル等のハロゲン化ア
リルとアルカリの存在下で反応せしめて得られるアルケ
ニルフェノール類をクライゼン転位することによって得
られる。
The above allylated phenolic resin (component B)
Are, for example, monovalent phenols such as phenol, cresol, ethylphenol, isopropylphenol, butylphenol, octylphenol, xylenol, nonylphenol, vinylphenol, isopropylphenol, phenylphenol, benzylphenol, chlorophenol, bromophenol, ethoxyphenol, and bisphenol. A, a phenol novolac resin obtained by subjecting a dihydric phenol such as A, bisphenol F, hydroxy, caracol and resorcinol as a raw material to a condensation reaction of this with an aldehyde compound such as formalin, paraformaldehyde and glyoxal, and the above The presence of allyl halides such as allyl chloride, allyl bromide and allyl iodide and alkali in the presence of monohydric phenols and dihydric phenols Alkenyl phenols obtained by reacting under obtained by Claisen rearrangement.

【0022】上記特定のポリマレイミド化合物(A成
分)とアリル化フェノール樹脂(B成分)との配合比
は、上記ポリマレイミド化合物中のマレイミド基と上記
アリル化フェノール樹脂中のアリル基との当量比が0.
1〜1.2の範囲になるように配合することが好まし
い。すなわち、上記範囲を外れると、樹脂組成物の耐熱
性,加工性および機械的強度が劣化する傾向がみられる
からである。
The compounding ratio of the specific polymaleimide compound (component A) and the allylated phenol resin (component B) is the equivalent ratio of the maleimide group in the polymaleimide compound to the allyl group in the allylated phenol resin. Is 0.
It is preferable to mix them in the range of 1 to 1.2. That is, if it is out of the above range, the heat resistance, processability and mechanical strength of the resin composition tend to deteriorate.

【0023】上記特定のポリマレイミド化合物(A成
分)およびアリル化フェノール樹脂(B成分)とともに
用いられ硬化触媒(C成分)としては、例えば過酸化物
触媒とそれ以外の触媒とがあげられ、これは単独あるい
は併用して用いられる。上記過酸化触媒としては、有機
過酸化物があげられ、例えば、アセチルパーオキサイ
ド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオ
キサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパー
オキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパー
オキサイド、スクシニックアシッドパーオキサイド、ベ
ンゾイルパーオキシド、2,4−ジクロロベンゾイルパ
ーオキシド、m−トルイルパーオキサイド等のジアシル
パーオキサイドがあげられる。また、ジ−t−ブチルパ
ーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジク
ミルパーオキサイド、〔1,3−フェニレンビス(1−
メチルエチリデン)〕ビス〔(1,1−ジメチルエチ
ル)パーオキサイド〕、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3等
のジアルキルパーオキサイドがあげられる。さらに、メ
チルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパ
ーオキサイド、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノ
ンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサ
イド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチ
ルアセトンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド等
があげられる。そして、1,1−ビス(t−ブチルパー
オキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,
1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、
2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)オクタン、n−
ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレレ
ート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン等
のパーオキシケタールがあげられる。また、t−ブチル
ハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイ
ド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、
p−メンタンハイドロパーオキサイド、2,5−ジメチ
ルヘキサン−2,5−ジハイドロパーオキサイド、1,
1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイ
ド等のハイドロパーオキサイドがあげられる。さらに、
t−ブチルパーオキシアセテート、t−ブチルパーオキ
シイソブチレート、t−ブチルパーオキシピバレート、
t−ブチルパーオキシネオデカノエート、クミルパーオ
キシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エ
チルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−3,5,
5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ
ラウレート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−
t−ブチルパーオキシイソフタレート、2,5−ジメチ
ル−2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t
−ブチルパーオキシマレイックアシッド、t−ブチルパ
ーオキシイソプロピルカーボネート、クミルパーオキシ
オクトエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエー
ト、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパ
ーオキシネオヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ
ネオヘキサノエート、クミルパーオキシネオヘキサノエ
ート等のパーオキシエステルがあげられる。そして、ジ
イソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチ
ルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−n−プロピ
ルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシ
クロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジミリスチ
ルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エトキシエチル
パーオキシジカーボネート、ジメトキシイソプロピルパ
ーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキ
シブチル)パーオキシジカーボネート等のパーオキシジ
カーボキートやt−ブチルパーオキシアリルカーボネー
ト等があげられる。これらは単独でもしくは併せて用い
られる。
Examples of the curing catalyst (C component) used together with the above-mentioned specific polymaleimide compound (A component) and allylated phenolic resin (B component) include peroxide catalysts and other catalysts. Are used alone or in combination. Examples of the peroxide catalyst include organic peroxides such as acetyl peroxide, isobutyryl peroxide, octanoyl peroxide, decanoyl peroxide, lauroyl peroxide, and 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide. Examples thereof include diacyl peroxides such as oxide, succinic acid peroxide, benzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, and m-toluyl peroxide. Moreover, di-t-butyl peroxide, t-butyl cumyl peroxide, dicumyl peroxide, [1,3-phenylene bis (1-
Methylethylidene)] bis [(1,1-dimethylethyl) peroxide], 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, 2,5-dimethyl-2,5-di ( Dialkyl peroxides such as t-butylperoxy) hexyne-3 can be mentioned. Further, there may be mentioned ketone peroxides such as methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, 3,3,5-trimethylcyclohexanone peroxide, methyl cyclohexanone peroxide, methyl acetoacetate peroxide, acetylacetone peroxide and the like. And 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,
1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane,
2,2-bis (t-butylperoxy) octane, n-
Examples thereof include peroxyketals such as butyl-4,4-bis (t-butylperoxy) valerate and 2,2-bis (t-butylperoxy) butane. In addition, t-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide,
p-menthane hydroperoxide, 2,5-dimethylhexane-2,5-dihydroperoxide, 1,
Examples of the hydroperoxide include 1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide. further,
t-butyl peroxyacetate, t-butyl peroxyisobutyrate, t-butyl peroxypivalate,
t-butyl peroxy neodecanoate, cumyl peroxy neodecanoate, t-butyl peroxy-2-ethylhexanoate, t-butyl peroxy-3,5
5-trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, t-butylperoxybenzoate, di-
t-butylperoxyisophthalate, 2,5-dimethyl-2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t
-Butyl peroxy maleic acid, t-butyl peroxy isopropyl carbonate, cumyl peroxy octoate, t-hexyl peroxy neodecanoate, t-hexyl peroxypivalate, t-butyl peroxy neohexanoate, Examples thereof include peroxyesters such as t-hexylperoxy neohexanoate and cumylperoxy neohexanoate. And diisopropyl peroxy dicarbonate, di-2-ethylhexyl peroxy dicarbonate, di-n-propyl peroxy dicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxy dicarbonate, dimyristyl peroxy dicarbonate, di Examples include peroxydicarbonate such as 2-ethoxyethyl peroxydicarbonate, dimethoxyisopropyl peroxydicarbonate and di (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate, and t-butylperoxyallyl carbonate. To be These may be used alone or in combination.

【0024】また、上記有機過酸化物以外の硬化触媒と
して、アニオン重合触媒があげられる。上記アニオン重
合触媒として、三級アミン、三級アミン塩類、四級アン
モニウム塩類およびイミダゾール類等の塩基性触媒、ル
イス酸アミン錯体触媒等が用いられる。
Anionic polymerization catalysts may be mentioned as curing catalysts other than the above organic peroxides. As the anionic polymerization catalyst, a basic catalyst such as a tertiary amine, a tertiary amine salt, a quaternary ammonium salt and an imidazole, a Lewis acid amine complex catalyst and the like are used.

【0025】上記三級アミン類としては、ピリジン、2
−クロロピリジン、2,4,6−コリジン、2,6−ジ
クロロピリジン、α,β,γ−ピリコン、4−フエニル
プロピルピリジン、2−プロピルピリジン、2,6−ル
チジン、2,4−ルチジン、2,5−ルチジン、3,4
−ルチジン等のピリジン類、トリエチルアミン、トリ−
n−ブチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、ベンジ
ルジメチルアミン、ジメチルアミノメチルフェノール、
トリスジメチルアミノメチルフェノール、トリエチレン
ジアミン、N,N,N′,N′−テトラメチルエチレン
ジアミン、テトラメチルグアニジン、ヘプタメチルイソ
グアニド等の脂肪族三級アミン類、N,N−ジメチルア
ニリン、N,N,N′,N′−テトラメチルジアミノジ
フェニルメタン、N,N,N′,N′−テトラメチル−
m−フェニレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラ
メチル−p−フェニレンジアミン、N,N−ジメチル−
p−トルイジン等の芳香族系三級アミン類、トリフェニ
ルホスフィン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)
ウンデセン−7およびその酸錯体等があげられる。
Examples of the tertiary amines include pyridine and 2
-Chloropyridine, 2,4,6-collidine, 2,6-dichloropyridine, α, β, γ-pyricon, 4-phenylpropylpyridine, 2-propylpyridine, 2,6-lutidine, 2,4-lutidine , 2,5-lutidine, 3, 4
-Pyridines such as lutidine, triethylamine, tri-
n-butylamine, tri-n-octylamine, benzyldimethylamine, dimethylaminomethylphenol,
Aliphatic tertiary amines such as trisdimethylaminomethylphenol, triethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylguanidine, heptamethylisoguanide, N, N-dimethylaniline, N, N, N ', N'-tetramethyldiaminodiphenylmethane, N, N, N', N'-tetramethyl-
m-phenylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethyl-p-phenylenediamine, N, N-dimethyl-
Aromatic tertiary amines such as p-toluidine, triphenylphosphine, 1,8-diazabicyclo (5,4,0)
Undecene-7 and its acid complex etc. are mentioned.

【0026】上記三級アミン塩類としては、上記三級ア
ミン類とトリアセテートまたはトリベンゾエート等との
塩類が挙げられる。
Examples of the tertiary amine salts include salts of the tertiary amines with triacetate or tribenzoate.

【0027】上記四級アンモニウム塩類としては、テト
ラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラエチルアンモニウムクロライ
ド、テトラエチルアンモニウムブロマイド、トリメチル
セチルアンモニウムクロライド、トリメチルセチルアン
モニウムブロマイド、トリエチルセチルアンモニウムク
ロライド、トリエチルセチルアンモニウムブロマイド、
テトラエチルアンモニウムアイオダイド等があげられ
る。
The above quaternary ammonium salts include tetramethylammonium chloride, tetramethylammonium bromide, tetraethylammonium chloride, tetraethylammonium bromide, trimethylcetylammonium chloride, trimethylcetylammonium bromide, triethylcetylammonium chloride, triethylcetylammonium bromide,
Examples include tetraethylammonium iodide.

【0028】上記イミダゾール類としては、2−メチル
イミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、
2−フエニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾー
ル、2−エチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダ
ゾール、2−イソプロピルイミダゾールあるいはそれら
のアジン誘導体、トリメリット酸誘導体およびニトリル
エチル誘導体等があげられる。
The above-mentioned imidazoles include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole,
Examples thereof include 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-ethylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-isopropylimidazole or their azine derivatives, trimellitic acid derivatives and nitrileethyl derivatives.

【0029】上記ルイス酸アミン錯体としては、B
3 ,ZnCl2 ,AlCl3 ,SiCl4 ,SnCl
4 ,FeCl3 等のルイス酸とモノエチルアミン、n−
ヘキシルアミン、ベンジルアミン、トリエチルアミン、
アニリン、ピペリジン等のアミン化合物の錯体があげら
れる。
Examples of the Lewis acid amine complex include B
F 3 , ZnCl 2 , AlCl 3 , SiCl 4 , SnCl
4 , Lewis acid such as FeCl 3 and monoethylamine, n-
Hexylamine, benzylamine, triethylamine,
Examples thereof include complexes of amine compounds such as aniline and piperidine.

【0030】これらアニオン重合触媒は単独でもしくは
併せて用いることができる。
These anionic polymerization catalysts can be used alone or in combination.

【0031】そして、上記硬化触媒(C成分)の配合量
は、ポリマレイミド化合物(A成分)とアリル化フェノ
ール樹脂(B成分)の総重量100部に対して0.01
〜10部の範囲内に設定することが、封止樹脂と半導体
素子,封止樹脂とリードフレームの接着性、硬化時間の
観点から好ましい。すなわち、硬化触媒(C成分)の配
合量が0.01部未満では、半導体素子やリードフレー
ムとの接着力が小さくなり、またTgが低下する。さら
に、得られる半導体装置の半田浸漬時の耐クラック性と
耐湿信頼性の向上効果が充分に得られず、逆に10部を
超えて配合しても一層の向上効果はみられないからであ
る。
The amount of the curing catalyst (component C) blended is 0.01 with respect to 100 parts by weight of the total weight of the polymaleimide compound (component A) and the allylated phenolic resin (component B).
It is preferable to set it in the range of 10 parts from the viewpoint of the adhesiveness between the sealing resin and the semiconductor element, the sealing resin and the lead frame, and the curing time. That is, when the amount of the curing catalyst (component C) is less than 0.01 part, the adhesive force with the semiconductor element or the lead frame becomes small, and the Tg also decreases. Further, the effect of improving crack resistance and moisture resistance reliability of the obtained semiconductor device during immersion in solder cannot be sufficiently obtained, and conversely, even if it exceeds 10 parts, further improvement effect is not observed. .

【0032】上記特定のポリマレイミド化合物(A成
分),アリル化フェノール樹脂(B成分)および硬化触
媒(C成分)とともに用いられる脂肪族カルボン酸およ
び脂肪族カルボン酸の金属塩の少なくとも一方(D成
分)において、上記脂肪族カルボン酸としては、カプリ
ン酸,ウンデカン酸,ラウリン酸,トリデカン酸,ミリ
スチン酸,ペンタデカン酸,パルチミン酸,マルガリン
酸,ステアリン酸,ノナデカン酸,アラキジン酸,ベヘ
ン酸,リグノセリン酸,セロチン酸,モンタン酸,メリ
シン酸,テトラコンタン酸,パルミトレイン酸,オレイ
ン酸,リノール酸,リノレン酸等があげられる。また、
上記脂肪族カルボン酸の金属塩としては、ステアリン酸
カルシウム,ステアリン酸マグネシウム,ステアリン酸
亜鉛等上記脂肪族カルボン酸を金属塩にしたものがあげ
られる。これらは単独でもしくは併せて用いられる。
At least one of an aliphatic carboxylic acid and a metal salt of an aliphatic carboxylic acid (D component) used together with the above specific polymaleimide compound (A component), allylated phenolic resin (B component) and curing catalyst (C component). ), The above-mentioned aliphatic carboxylic acids include capric acid, undecanoic acid, lauric acid, tridecanoic acid, myristic acid, pentadecanoic acid, partimic acid, margaric acid, stearic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, behenic acid, lignoceric acid, Examples thereof include cerotic acid, montanic acid, melissic acid, tetracontanoic acid, palmitoleic acid, oleic acid, linoleic acid, and linolenic acid. Also,
Examples of the metal salt of the aliphatic carboxylic acid include salts of the above aliphatic carboxylic acid such as calcium stearate, magnesium stearate and zinc stearate. These may be used alone or in combination.

【0033】そして、上記脂肪族カルボン酸および脂肪
族カルボン酸の金属塩の少なくとも一方(D成分)は、
いずれも炭素数が10〜40のものを用いることが封止
樹脂と金型との離型性,粘度の観点から好ましい。すな
わち、脂肪族カルボン酸およひ脂肪族カルボン酸の金属
塩の少なくとも一方(D成分)の炭素数が10未満で
は、充分な離型性が発現せず、得られる半導体装置の半
田浸漬時の耐クラック性と耐湿信頼性の向上効果が得ら
れ難い。逆に、炭素数が40を超えると離型性が薄れ、
得られる半導体装置の半田浸漬時の耐クラック性と耐湿
信頼性が大幅に低下する傾向がみられるからである。
Then, at least one of the aliphatic carboxylic acid and the metal salt of the aliphatic carboxylic acid (component D) is
It is preferable to use one having a carbon number of 10 to 40 from the viewpoints of releasability and viscosity between the sealing resin and the mold. That is, when the carbon number of at least one of the aliphatic carboxylic acid and the metal salt of the aliphatic carboxylic acid (component D) is less than 10, sufficient releasability is not exhibited, and the obtained semiconductor device is not easily exposed to solder. It is difficult to obtain the effects of improving crack resistance and moisture resistance reliability. On the other hand, when the carbon number exceeds 40, the releasability is reduced,
This is because there is a tendency that the crack resistance and moisture resistance reliability of the obtained semiconductor device when dipped in solder are significantly reduced.

【0034】また、上記脂肪族カルボン酸および脂肪族
カルボン酸の金属塩の少なくとも一方(D成分)の配合
量は、特定のポリマレイミド化合物(A成分)とアリル
化フェノール樹脂(B成分)の総重量100重量部(以
下「部」と略す)に対して0.01〜10部の範囲に設
定することが、封止樹脂と金型との離型性,機械的特性
の観点から好ましい。すなわち、D成分の配合量が0.
01部未満では封止樹脂と金型との離型性が低下し、得
られる半導体装置の半田浸漬時の耐クラック性と耐湿信
頼性の向上効果が充分に得られ難い。逆に、10部を超
えて配合しても一層の向上効果はみられないからであ
る。
Further, the compounding amount of at least one of the aliphatic carboxylic acid and the metal salt of the aliphatic carboxylic acid (component D) is such that the total amount of the specific polymaleimide compound (component A) and the allylated phenol resin (component B) is the same. It is preferable to set it in the range of 0.01 to 10 parts with respect to 100 parts by weight (hereinafter abbreviated as “part”) from the viewpoint of releasability between the sealing resin and the mold, and mechanical properties. That is, the blending amount of the D component is 0.
If it is less than 01 part, the releasability between the sealing resin and the mold is deteriorated, and it is difficult to sufficiently obtain the effect of improving crack resistance and moisture resistance reliability of the obtained semiconductor device during solder dipping. On the contrary, if the amount is more than 10 parts, no further improvement effect is observed.

【0035】上記A成分,B成分およびC成分とともに
用いられる無機充填剤(E成分)としては、特に限定す
るものではなく、従来公知のものが用いられ、例えば石
英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末およびアルミナ粉末
等があげられる。特に好適なのはシリカ粉末である。こ
のような無機質充填剤の含有量は、シリカ粉末の場合、
樹脂組成物全体の50重量%(以下「%」と略す)以上
に設定するのが好ましい。特に好ましくは70%以上で
あり、さらに好ましくは80%以上である。すなわち、
無機質充填剤の含有量が50%を下回ると封止樹脂と半
導体素子,封止樹脂とリードフレームとの接着力の低下
傾向がみられ、半田浸漬時の耐クラツク性の向上効果が
大幅に低下するからである。
The inorganic filler (E component) used together with the above A component, B component and C component is not particularly limited, and conventionally known ones are used, for example, quartz glass powder, talc, silica powder and Examples thereof include alumina powder. Particularly preferred is silica powder. The content of such an inorganic filler, in the case of silica powder,
It is preferably set to 50% by weight (hereinafter abbreviated as “%”) of the entire resin composition or more. It is particularly preferably 70% or more, further preferably 80% or more. That is,
If the content of the inorganic filler is less than 50%, the adhesive strength between the encapsulating resin and the semiconductor element and the encapsulating resin and the lead frame tends to decrease, and the effect of improving the crack resistance during solder immersion is significantly reduced. Because it does.

【0036】さらに、上記A〜E成分に加えて、シリコ
ーン化合物(F成分)を配合すると、耐熱性および樹脂
強度の向上から一層効果的である。
Further, it is more effective to add a silicone compound (F component) in addition to the above A to E components in order to improve heat resistance and resin strength.

【0037】上記シリコーン化合物(F成分)は、末端
あるいは側鎖に少なくとも1個のエポキシ基,SiH
基,ビニル基またはアミノ基を有するものである。そし
て、上記シリコーン化合物としては、エポキシ当量,S
iH当量およびアミン当量が100〜15000で、S
i含有率が1〜35%に設定することが好ましい。さら
に、シリコーン化合物(F成分)の配合量は、A成分+
B成分+シリコーン化合物(F成分)の合計量の50%
以下に設定するのが好ましく、さらに好ましくは5〜3
0%の範囲に設定することである。すなわち、シリコー
ン化合物(F成分)の配合量が50%を超えると、樹脂
組成物の耐熱性および樹脂強度に著しい低下傾向がみら
れるからである。
The above-mentioned silicone compound (component F) contains at least one epoxy group or SiH at the terminal or side chain.
It has a group, a vinyl group or an amino group. The silicone compound includes epoxy equivalent, S
iH equivalent and amine equivalent of 100-15000, S
The i content is preferably set to 1 to 35%. Furthermore, the blending amount of the silicone compound (F component) is A component +
50% of the total amount of B component + silicone compound (F component)
The following setting is preferable, and more preferably 5 to 3
It is to set in the range of 0%. That is, when the blending amount of the silicone compound (F component) exceeds 50%, the heat resistance and the resin strength of the resin composition tend to be remarkably lowered.

【0038】上記A〜E成分およびF成分以外に必要に
応じて連鎖移動剤,ラジカル重合防止剤,充填剤,着色
剤,難燃剤およびシランカップリング剤等のカップリン
グ剤等を適宜添加することができる。
In addition to the components A to E and the component F, a chain transfer agent, a radical polymerization inhibitor, a filler, a colorant, a flame retardant, a coupling agent such as a silane coupling agent, etc. may be appropriately added, if necessary. You can

【0039】上記連鎖移動剤としては、例えばメルカプ
タン類、サルファイト類、β−ジケトン類、金属キレー
ト類、金属石ケン等があげられる。
Examples of the chain transfer agent include mercaptans, sulfites, β-diketones, metal chelates, metal soaps and the like.

【0040】上記ラジカル重合防止剤としては、熱硬化
性組成物の室温における貯蔵安定性を良好にするために
用いられるものであり、例えばp−ベンゾキノン、ナフ
トキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ハイドロ
キノン、p−三級ブチルカテコール、2,5−ジ−三級
ブチルハイドロキノン等のフェノール及びニトロ化合
物、金属塩類等を適宜用いることができる。
The above radical polymerization inhibitor is used for improving the storage stability of the thermosetting composition at room temperature, and examples thereof include quinones such as p-benzoquinone, naphthoquinone and phenanthraquinone. Phenols and nitro compounds such as hydroquinone, p-tertiary butyl catechol and 2,5-di-tertiary butyl hydroquinone, metal salts and the like can be appropriately used.

【0041】上記充填剤としては、酸化アルミニウム,
酸化マグネシウム,水酸化アルミニウム,炭酸アルミニ
ウム,炭酸カルシウム,炭酸マグネシウム,ケイソウ
土,ケイ酸カルシウム,焼成クレー,粉末シリカ,カー
ボンブラック,カオリン,粉末マイカ,グラファイト,
アスベスト,三酸化アンチモン,ガラス繊維,ロックウ
ール,カーボンファイバー等があげられる。上記充填剤
の配合量は、用途により適宜配合されるが、例えば(A
成分+B成分)100部に対して900部まで使用する
ことができる。
As the above-mentioned filler, aluminum oxide,
Magnesium oxide, aluminum hydroxide, aluminum carbonate, calcium carbonate, magnesium carbonate, diatomaceous earth, calcium silicate, calcined clay, powder silica, carbon black, kaolin, powder mica, graphite,
Examples include asbestos, antimony trioxide, glass fiber, rock wool and carbon fiber. The blending amount of the above-mentioned filler is appropriately blended depending on the use, but for example, (A
It is possible to use up to 900 parts per 100 parts of component + B component).

【0042】上記着色剤としては、二酸化チタン,カー
ボンブラック,黄鉛カーボンブラック,鉄黒,モリブデ
ン赤,群青,紺青,カドミウム黄,カドミウム赤等が挙
げられる。
Examples of the colorant include titanium dioxide, carbon black, yellow lead carbon black, iron black, molybdenum red, ultramarine blue, navy blue, cadmium yellow, cadmium red and the like.

【0043】上記難燃剤としては、リン系化合物,ハロ
ゲン化物等があげられる。
Examples of the flame retardant include phosphorus compounds and halides.

【0044】そして、上記カップリング剤としては、上
記シラン系カップリング剤の他に、チタネート系,アル
ミ系カップリング剤等があげられる。
Examples of the coupling agent include titanate-based and aluminum-based coupling agents in addition to the silane-based coupling agent.

【0045】この発明に用いられる樹脂組成物は、例え
ばつぎのようにして製造することができる。すなわち、
上記A〜E成分の必須成分ならびに必要に応じて上記添
加剤を適宜配合して、ミキシングロール機等の混練機に
掛けて加熱溶融混練して半硬化状の樹脂組成物とする。
これを室温に冷却したのち公知の手段により粉砕し、必
要に応じて打錠することにより目的とする樹脂組成物を
得ることができる。あるいは、適当な溶剤を用いて混合
するようにしてもよい。さらに、上記成分に加えてシリ
コーン化合物(F成分)を用いる場合は、まず上記ポリ
マレイミド化合物(A成分)またはアリル化フェノール
樹脂(B成分)とシリコーン化合物を反応させて変性シ
リコーン化合物を作製する。この場合、シリコーン化合
物(F成分)として、エポキシ基含有シリコーン化合物
を用いるときは、三級アミン類,イミダゾール類,四級
アンモニウム塩,有機ホスフィン化合物等の硬化触媒
(C成分)を0.1〜10%添加するのが好適である。
また、SiH基含有シリコーン化合物を用いるときは、
Pt触媒を0.1〜10%添加するのが好適である。つ
ぎに、上記のようにして作製された変性シリコーン化合
物と、残りのポリマレイミド化合物,アリル化フェノー
ル樹脂,硬化触媒,脂肪族カルボン酸および脂肪族カル
ボン酸の金属塩の少なくとも一方ならびに無機質充填剤
の必須成分と、必要に応じて上記添加剤を適宜配合し、
あとは上記と同様の工程を経由することにより目的とす
る樹脂組成物を得ることができる。
The resin composition used in the present invention can be manufactured, for example, as follows. That is,
The above essential components A to E and, if necessary, the above additives are appropriately blended, and the mixture is applied to a kneading machine such as a mixing roll machine and heat-melted and kneaded to obtain a semi-cured resin composition.
The desired resin composition can be obtained by cooling this to room temperature, pulverizing it by a known means, and tableting it as needed. Alternatively, they may be mixed using an appropriate solvent. When a silicone compound (F component) is used in addition to the above components, the polymaleimide compound (A component) or the allylated phenolic resin (B component) is first reacted with the silicone compound to prepare a modified silicone compound. In this case, when an epoxy group-containing silicone compound is used as the silicone compound (F component), a curing catalyst (C component) such as a tertiary amine, an imidazole, a quaternary ammonium salt or an organic phosphine compound is added in an amount of 0.1 to 0.1%. It is preferable to add 10%.
When using a SiH group-containing silicone compound,
It is preferable to add 0.1 to 10% of Pt catalyst. Next, the modified silicone compound prepared as described above and the remaining polymaleimide compound, allylated phenolic resin, curing catalyst, at least one of aliphatic carboxylic acid and metal salt of aliphatic carboxylic acid, and inorganic filler Properly mix the essential ingredients and the above additives as necessary,
After that, the desired resin composition can be obtained by going through the same steps as above.

【0046】このような樹脂組成物を用いての半導体素
子の封止はとくに限定するものではなく、通常のトラン
スフアー成形等の公知のモールド方法により行うことが
できる。
The encapsulation of the semiconductor element using such a resin composition is not particularly limited and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.

【0047】このようにして得られる半導体装置は、封
止材料と金型との離型性、半田浸漬時における優れた耐
クラック性,耐熱性および耐湿信頼性を有している。
The semiconductor device thus obtained has releasability between the encapsulating material and the mold, excellent crack resistance during immersion of solder, heat resistance and moisture resistance reliability.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特定のポリマレイミド化合物(A成分)と、アリル
化フェノール樹脂(B成分)と、硬化触媒(C成分)
と、脂肪族カルボン酸および脂肪族カルボン酸の金属塩
の少なくとも一方(D成分)と、無機質充填剤(E成
分)とを含有する特殊な樹脂組成物を用いて樹脂封止さ
れており、その封止プラスチックパッケージが、従来の
マレイミド樹脂組成物封止材料とは異なるため、封止樹
脂と金型との離型性に優れており、しかも吸湿後の半田
浸漬時においてもパッケージクラックが生じず、耐熱性
に優れている。そして、耐湿信頼性が向上し、過酷な使
用条件下における信頼性が一層高くなっている。
As described above, the semiconductor device of the present invention has a specific polymaleimide compound (A component), an allylated phenol resin (B component), and a curing catalyst (C component).
Resin-sealed with a special resin composition containing at least one of an aliphatic carboxylic acid and a metal salt of an aliphatic carboxylic acid (component D) and an inorganic filler (component E), Since the encapsulating plastic package is different from the conventional maleimide resin composition encapsulating material, it has excellent releasability between the encapsulating resin and the mold, and package cracks do not occur even when solder is dipped after absorbing moisture. It has excellent heat resistance. Further, the moisture resistance reliability is improved, and the reliability is further enhanced under severe usage conditions.

【0049】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
Next, examples will be described together with comparative examples.

【0050】まず、下記に示す各成分を準備した。First, the following components were prepared.

【0051】〔ポリマレイミド化合物a〕 2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェ
ニル〕プロパン
[Polymaleimide compound a] 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy) phenyl] propane

【0052】〔ポリマレイミド化合物b〕 N,N′−(4,4′−ジフェニルメタン)ビスマレイ
ミド
[Polymaleimide Compound b] N, N ′-(4,4′-diphenylmethane) bismaleimide

【0053】〔アリル化フェノールノボラック樹脂c〕 下記の式(3)で表される繰り返し単位を有するアリル
化フェノールノボラック樹脂である。
[Allylated phenol novolac resin c] An allylated phenol novolac resin having a repeating unit represented by the following formula (3).

【化3】 [Chemical 3]

【0054】〔シリコーン化合物d〕[Silicone compound d]

【化4】 ハイドロジェン型[Chemical 4] Hydrogen type

【0055】〔シリコーン化合物e〕[Silicone compound e]

【化5】 ハイドロジェン型[Chemical 5] Hydrogen type

【0056】〔シリコーン化合物f〕[Silicone compound f]

【化6】 アミノ基型 アミン当量:2000[Chemical 6] Amino group type amine equivalent: 2000

【0057】〔シリコーン化合物g〕[Silicone compound g]

【化7】 エポキシ基型 エポキシ当量:2000[Chemical 7] Epoxy group type Epoxy equivalent: 2000

【0058】〔クレゾールノボラックエポキシ樹脂j〕 エポキシ当量:195[Cresol Novolac Epoxy Resin j] Epoxy Equivalent: 195

【0059】〔フェノールノボラック樹脂k〕 水酸基当量:117[Phenol novolac resin k] Hydroxyl equivalent: 117

【0060】〔離型剤j〕 カルナバワックス[Release agent j] Carnauba wax

【0061】〔離型剤k〕 ステアリン酸亜鉛[Release Agent k] Zinc Stearate

【0062】〔離型剤l〕 ペンタコンタン酸[Release Agent 1] Pentacontanoic acid

【0063】〔離型剤m〕 カプロン酸[Release Agent m] Caproic Acid

【0064】〔離型剤n〕 モンタン酸エチレングリコールエステル[Release agent n] Montanic acid ethylene glycol ester

【0065】〔離型剤o〕 ステアリン酸アミド[Release Agent o] Stearic acid amide

【0066】〔離型剤p〕 ステアリン酸n−ドデシル[Release agent p] n-dodecyl stearate

【0067】〔離型剤q〕 ポリエチレン系ワックス(分子量9000)[Release agent q] Polyethylene wax (molecular weight 9000)

【0068】〔離型剤r〕 酸化ポリエチレン系ワックス(分子量6000)[Release Agent r] Polyethylene oxide wax (molecular weight 6000)

【0069】〔離型剤s〕 ステアリルアルコール[Release Agent s] Stearyl alcohol

【0070】〔離型剤t〕 ラウリン酸[Release Agent t] Lauric Acid

【0071】〔離型剤u〕 パルチミン酸カルシウム[Release Agent u] Calcium palmitate

【0072】〔離型剤v〕 ステアリン酸[Release Agent v] Stearic acid

【0073】〔離型剤w〕 リノール酸[Release Agent w] Linoleic Acid

【0074】〔離型剤x〕 ステアリン酸カルシウム[Release Agent x] Calcium stearate

【0075】〔離型剤y〕 ステアリン酸マグネシウム[Release Agent y] Magnesium stearate

【0076】〔離型剤z〕 ベヘン酸マグネシウム[Release Agent z] Magnesium behenate

【0077】〔離型剤α〕 モンタン酸[Release Agent α] Montanic Acid

【0078】〔離型剤β〕 モンタン酸カルシウム[Release Agent β] Calcium montanate

【0079】〔離型剤γ〕 テトラコンタン酸[Release Agent γ] Tetracontanoic Acid

【0080】〔離型剤δ〕 ステアリン酸亜鉛[Release Agent δ] Zinc Stearate

【0081】〔有機過酸化物〕 〔1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)〕
ビス〔(1,1−ジメチルエチル)パーオキサイド〕
[Organic Peroxide] [1,3-Phenylenebis (1-methylethylidene)]
Bis [(1,1-dimethylethyl) peroxide]

【0082】[0082]

【実施例1〜18、比較例1〜11】下記の表1〜表5
に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、ミキシング
ロール機(温度110℃)で3分間混練し、シート状物
を作製した。そして、このシート状物を冷却粉砕したの
ち、目的とする粉末状の樹脂組成物を得た。
Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 11 Tables 1 to 5 below
The components shown in Table 1 were blended in the proportions shown in the same table, and kneaded for 3 minutes with a mixing roll machine (temperature: 110 ° C.) to prepare a sheet-like material. Then, after cooling and pulverizing the sheet-like material, a target powdery resin composition was obtained.

【0083】[0083]

【表1】 [Table 1]

【0084】[0084]

【表2】 [Table 2]

【0085】[0085]

【表3】 [Table 3]

【0086】[0086]

【表4】 [Table 4]

【0087】[0087]

【表5】 [Table 5]

【0088】以上の実施例および比較例によって得られ
た粉末状樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフア
ー成形(条件:175℃×2分)、200℃×5時間後
硬化することにより半導体装置を得た。このパツケージ
は80ピンQFT(クワッドフラットパッケージ,サイ
ズ:20×14×2mm)であり、ダイパッドサイズは
8×8mmである。
Using the powdery resin compositions obtained in the above Examples and Comparative Examples, semiconductor elements were subjected to transfer molding (conditions: 175 ° C. × 2 minutes) and post-curing at 200 ° C. × 5 hours to obtain semiconductor devices. Got This package is an 80-pin QFT (quad flat package, size: 20 × 14 × 2 mm), and the die pad size is 8 × 8 mm.

【0089】このようにして得られた半導体装置につい
て、85℃/85%RHの恒温槽中に96時間放置し吸
湿させた後に、260℃の半田溶融液に10秒間浸漬す
る試験を行い、パッケージクラックの発生数を測定し
た。また、電圧印加状態でのプレッシャー釜による10
00時間の信頼性テスト(PCBTテスト)を行い不良
発生数を測定した。これは、1辺が2mmの正方形の半
導体素子上に、粉末状樹脂組成物を用いてトランスファ
ー成形(条件:175℃×2分)、200℃×5時間後
硬化して成形物を形成することにより試験片を作製し
た。そして、上記成形物と成形用金型との離型加重を測
定した。これらの結果を下記の表6〜表10に示した。
なお、下記の表6〜表10に示した離型加重値は5ショ
ット目の値を記載した。
The semiconductor device thus obtained was left to stand in a constant temperature bath of 85 ° C./85% RH for 96 hours to absorb moisture, and then immersed in a solder melt at 260 ° C. for 10 seconds. The number of cracks generated was measured. In addition, 10 by the pressure cooker in the voltage applied state
A 00-hour reliability test (PCBT test) was performed to measure the number of defects. This is transfer molding (conditions: 175 ° C. × 2 minutes) using a powdery resin composition on a square semiconductor element having a side of 2 mm, followed by curing at 200 ° C. × 5 hours to form a molded product. A test piece was prepared by. Then, the mold release load between the molded product and the molding die was measured. The results are shown in Tables 6 to 10 below.
The release weights shown in Tables 6 to 10 below are the values for the fifth shot.

【0090】[0090]

【表6】 [Table 6]

【0091】[0091]

【表7】 [Table 7]

【0092】[0092]

【表8】 [Table 8]

【0093】[0093]

【表9】 [Table 9]

【0094】[0094]

【表10】 [Table 10]

【0095】上記表6〜表10の結果から、比較例品は
TCTテストおよびPCBTテストではクラックおよび
不良品が多く発生し、さらに耐クラック試験では非常に
多くの試験品にクラックが生じた。また、比較例5〜1
3品は離型加重が高く離型性に劣るものであった。これ
に対して、実施例品はTCTテスト,耐クラック試験お
よびPCBTテストではクラックの発生および不良品は
全く生じなかったか、もしくは僅かであった。しかも、
離型加重が低かった。このことから、実施例品は耐熱性
および耐湿信頼性に優れ、しかも封止樹脂となる樹脂硬
化体は高い接着性を備えていることがわかる。
From the results of Tables 6 to 10 above, the comparative example products showed many cracks and defective products in the TCT test and the PCBT test, and further many cracks occurred in the crack resistance test. Moreover, Comparative Examples 5-1
The three products had a high mold release load and were inferior in mold releasability. On the other hand, in the example products, cracks and defective products were not generated at all or were slight in the TCT test, the crack resistance test and the PCBT test. Moreover,
The mold release weight was low. From this, it is understood that the product of Example has excellent heat resistance and moisture resistance reliability, and that the cured resin body as the sealing resin has high adhesiveness.

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09D 4/00 PDS 7921−4J C09J 4/00 JBK 7921−4J // C08F 222/40 MNE 7242−4J C08L 61/14 LMQ 8215−4J B29K 77:00 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location C09D 4/00 PDS 7921-4J C09J 4/00 JBK 7921-4J // C08F 222/40 MNE 7242-4J C08L 61 / 14 LMQ 8215-4J B29K 77:00

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の(A)〜(E)成分を含有する樹
脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装
置。 (A)1分子中に2個以上のマレイミド基を有するポリ
マレイミド化合物。 (B)アリル化フェノール樹脂。 (C)硬化触媒。 (D)脂肪族カルボン酸および脂肪族カルボン酸の金属
塩の少なくとも一方。 (E)無機質充填剤。
1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with a resin composition containing the following components (A) to (E). (A) A polymaleimide compound having two or more maleimide groups in one molecule. (B) Allylated phenolic resin. (C) Curing catalyst. (D) At least one of an aliphatic carboxylic acid and a metal salt of an aliphatic carboxylic acid. (E) Inorganic filler.
【請求項2】 (A)成分であるポリマレイミド化合物
が、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)
フェニル〕プロパンである請求項1記載の半導体装置。
2. A polymaleimide compound as the component (A) is 2,2-bis [4- (4-maleimidophenoxy)
The semiconductor device according to claim 1, which is phenyl] propane.
【請求項3】 (A)〜(E)成分に加えて、さらに
(G)成分としてシリコーン化合物が含有された樹脂組
成物を用いた請求項1または2記載の半導体装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a resin composition containing a silicone compound as a component (G) in addition to the components (A) to (E) is used.
【請求項4】 (G)成分であるシリコーン化合物が、
ハイドロジェンオルガノポリシロキサンである請求項3
記載の半導体装置。
4. The silicone compound which is the component (G),
A hydrogen organopolysiloxane.
The semiconductor device described.
【請求項5】 下記の(A)〜(E)成分を含有する半
導体封止用樹脂組成物。 (A)1分子中に2個以上のマレイミド基を有するポリ
マレイミド化合物。 (B)アリル化フェノール樹脂。 (C)硬化触媒。 (D)脂肪族カルボン酸および脂肪族カルボン酸の金属
塩の少なくとも一方。 (E)無機質充填剤。
5. A resin composition for semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (E). (A) A polymaleimide compound having two or more maleimide groups in one molecule. (B) Allylated phenolic resin. (C) Curing catalyst. (D) At least one of an aliphatic carboxylic acid and a metal salt of an aliphatic carboxylic acid. (E) Inorganic filler.
【請求項6】 (A)〜(E)成分に加えて、さらに
(G)成分としてシリコーン化合物が含有されている請
求項5記載の半導体封止用樹脂組成物。
6. The resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 5, further comprising a silicone compound as a component (G) in addition to the components (A) to (E).
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001234033A (en) * 2000-02-24 2001-08-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for optical semiconductor sealing use and optical semiconductor device
JP2002037816A (en) * 2000-07-24 2002-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component
US7006344B2 (en) 2000-07-24 2006-02-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor comprising bis(4-mercaptophenyl) sulfide derivative
JP2011178986A (en) * 2010-02-02 2011-09-15 Nitto Denko Corp Adhesive composition for production of semiconductor device and adhesive sheet for production of semiconductor device
US20130026660A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same
US8470936B2 (en) 2011-07-29 2013-06-25 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001234033A (en) * 2000-02-24 2001-08-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd Epoxy resin composition for optical semiconductor sealing use and optical semiconductor device
JP2002037816A (en) * 2000-07-24 2002-02-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component
US7006344B2 (en) 2000-07-24 2006-02-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitor comprising bis(4-mercaptophenyl) sulfide derivative
JP2011178986A (en) * 2010-02-02 2011-09-15 Nitto Denko Corp Adhesive composition for production of semiconductor device and adhesive sheet for production of semiconductor device
US20130026660A1 (en) * 2011-07-29 2013-01-31 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same
US8470936B2 (en) 2011-07-29 2013-06-25 Namics Corporation Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
CN103717634A (en) * 2011-07-29 2014-04-09 纳美仕有限公司 Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using the same, and method for producing semiconductor device

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