JPH06149430A - Interface circuit - Google Patents

Interface circuit

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Publication number
JPH06149430A
JPH06149430A JP4327595A JP32759592A JPH06149430A JP H06149430 A JPH06149430 A JP H06149430A JP 4327595 A JP4327595 A JP 4327595A JP 32759592 A JP32759592 A JP 32759592A JP H06149430 A JPH06149430 A JP H06149430A
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JP
Japan
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transmission line
data
logic
interface circuit
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP4327595A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Kaminaga
保男 神長
Yoji Nishio
洋二 西尾
Yutaka Kobayashi
裕 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4327595A priority Critical patent/JPH06149430A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the interface circuit for small amplitude which is miniaturized and reduces energy consumption. CONSTITUTION:A pulse generation circuit 6 generates a one-shot pulse signal P in response to logic data D1 outputted from a logic circuit 11 for data transmission/reception. A pulse width TP of the pulse signal is set at a certain value sufficiently shorter than the minimum cycle of transmitting/receiving data. A storage circuit 17 temporarily stores an output signal D2 of a differential comparator 8 in response to a received clock W outputted from the logic circuit 11 for data transmission/reception.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はインターフェース回路に
係り、特に、信号振幅が1V以下である小振幅用の入出
力インターフェースに好適なインターフェース回路に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an interface circuit, and more particularly to an interface circuit suitable for an input / output interface for a small amplitude whose signal amplitude is 1V or less.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、MPU,メモリ等の高速化に伴な
って高速伝送を可能とする入出力インターフェースの必
要性が高まりつつある。ところが、従来のTTLレベル
の伝送では、反射等の雑音により高速化には限界があっ
たため、ECLレベルのように低振幅レベルとして、高
速化と共に低消費電力化をも可能とする小振幅の入出力
インターフェースが提案され始めている。
2. Description of the Related Art In recent years, as the speed of MPUs, memories, etc. has increased, the need for input / output interfaces capable of high-speed transmission has increased. However, in conventional TTL level transmission, there is a limit to speeding up due to noise such as reflection. Therefore, a low amplitude level such as the ECL level is adopted, and a small amplitude input that enables speeding up and low power consumption is achieved. Output interfaces are beginning to be proposed.

【0003】これはすなわち、伝送ラインを整合終端す
ることにより反射等の雑音を抑え、かつ小振幅とするこ
とにより伝送ラインを高速に充放電させて高速化を図
り、更には、各ドランバをCMOS回路構成として、低
電圧化、低消費電力化を達成しようとするものである。
This means that noise such as reflection is suppressed by matching-terminating the transmission line, and the transmission line is charged and discharged at a high speed by making the amplitude small, thereby further increasing the speed of each dramba. The circuit configuration is intended to achieve low voltage and low power consumption.

【0004】なお、このような小振幅の入出力インター
フェースに関しては、例えば米国特許第5023488
号、日経エレクトロニクス1992年6月8日号、第1
33〜136頁などに記載されている。
Regarding such a small-amplitude input / output interface, for example, US Pat. No. 5,023,488 is used.
Issue, Nikkei Electronics June 8, 1992 issue, 1st
33 to 136 pages and the like.

【0005】図10は、両端が整合終端用の抵抗を介し
て固定電位に接続された伝送ライン3、および当該伝送
ライン3を介して2値データを相互に送受信する従来の
論理回路網100の構成を示した図であり、当該論理回
路網は、伝送ライン3との間で送受信データの授受を行
う入出力インターフェースを具備している。
FIG. 10 shows a transmission line 3 whose both ends are connected to a fixed potential via resistors for matching termination, and a conventional logic circuit network 100 which mutually transmits and receives binary data via the transmission line 3. FIG. 2 is a diagram showing a configuration, and the logic circuit network includes an input / output interface for transmitting / receiving data to / from the transmission line 3.

【0006】同図において、伝送ライン3の両端には整
合終端用の終端抵抗2の一端が接続され、終端抵抗2の
他端は終端電圧1(1.2V)に接続されている。伝送
ライン3には複数の論理回路網100(100−1〜1
00−n)が接続されている。各論理回路網100は、
伝送ライン3と接地電位との間に接続されたオープンド
レインNチャンネルMOSトランジスタ4(以下、単に
NMOSと表現する)、差動比較器8、駆動回路51、
およびデ−タ送受信用論理回路11から構成され、通常
はVLSIとして集積されている。
In the figure, one end of a terminating resistor 2 for matching termination is connected to both ends of the transmission line 3, and the other end of the terminating resistor 2 is connected to a terminating voltage 1 (1.2 V). The transmission line 3 includes a plurality of logic circuits 100 (100-1 to 100-1).
00-n) are connected. Each logic network 100 is
An open drain N-channel MOS transistor 4 (hereinafter simply referred to as NMOS) connected between the transmission line 3 and the ground potential, a differential comparator 8, a drive circuit 51,
And a data transmission / reception logic circuit 11 and is usually integrated as a VLSI.

【0007】差動比較器8の反転入力端は伝送ライン3
と接続され、非反転入力端には基準電圧Vref (0.8
V)が入力される。デ−タ送受信用論理回路11には送
信許可信号TENが入力され、これによって指定された唯
一の論理回路網100のみが伝送ライン3へのデータ送
信を許可される。
The inverting input terminal of the differential comparator 8 is the transmission line 3
Connected to the reference voltage Vref (0.8
V) is input. A transmission permission signal TEN is input to the data transmission / reception logic circuit 11, and only the specified logic circuit network 100 is permitted to transmit data to the transmission line 3.

【0008】このような構成において、論理回路網10
0がドライバ(データ送出端)として機能する場合、N
MOS4のゲ−トに“H”レベル信号が印加されてこれ
がオン状態になると、伝送ライン3は“L”レベルとな
り、伝送ライン3の電位はNMOS4のオン出力電圧V
OL(0.4V)となる。
In such a configuration, the logic circuit network 10
When 0 functions as a driver (data transmission end), N
When the "H" level signal is applied to the gate of the MOS4 to turn it on, the transmission line 3 becomes "L" level and the potential of the transmission line 3 becomes the ON output voltage V of the NMOS4.
It becomes OL (0.4V).

【0009】一方、NMOS4のゲ−トに“L”レベル
信号が印加されてこれがオフ状態になると、伝送ライン
3は終端電圧1(1.2V)と同電位となる。すなわ
ち、伝送ライン3上での信号振幅は、終端電圧1(1.
2V)−VOL(0.4V)=0.8Vとなって小振幅と
なる。
On the other hand, when an "L" level signal is applied to the gate of the NMOS 4 to turn it off, the transmission line 3 has the same potential as the termination voltage 1 (1.2 V). That is, the signal amplitude on the transmission line 3 is the termination voltage 1 (1.
2V) -VOL (0.4V) = 0.8V, which is a small amplitude.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術で
は、伝送ライン3へ“L”レベルを出力中の論理回路網
100では、{[終端電圧1(1.2V)−VOL(0.4
V)]/終端並列抵抗2} ×VOL(0.4V)の電力が消
費され、さらに、伝送ライン3の終端抵抗2では、{[終
端電圧1(1.2V)−VOL(0.4V)]/終端並列抵
抗2} ×振幅(0.8V)の電力が消費されるため、消
費電力が比較的大きいという問題がある。
In the above-mentioned prior art, in the logic circuit network 100 which is outputting the "L" level to the transmission line 3, {[terminal voltage 1 (1.2V) -VOL (0.4
V)] / termination parallel resistance 2} x VOL (0.4V) is consumed, and in addition, in the termination resistance 2 of the transmission line 3, {[termination voltage 1 (1.2V) -VOL (0.4V) ] / Terminal parallel resistance 2} × Amplitude (0.8 V) is consumed, which causes a problem of relatively large power consumption.

【0011】しかも、終端抵抗2の抵抗値は50Ω前後
であり、NMOS4のオン抵抗は終端抵抗2の数分の1
にしなければならないため、NMOS4のサイズを大き
くしなければならない。この結果、チップ面積が大きく
なるばかりか、伝送データが“L”レベルの期間中は常
に大きな直流電流が流れ続けるので、電力が無駄に消費
されるという問題がある。
Moreover, the resistance value of the terminating resistor 2 is around 50Ω, and the ON resistance of the NMOS 4 is a fraction of the terminating resistor 2.
Therefore, the size of the NMOS 4 must be increased. As a result, not only the chip area becomes large, but also a large direct current continues to flow during the period when the transmission data is at the "L" level, resulting in a waste of power.

【0012】本発明の目的は、上記した従来技術の問題
点を解決して、小型かつ低消費電力の小振幅用インター
フェース回路を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and provide a small-sized and low power consumption small-amplitude interface circuit.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明では、両端が整合終端用の抵抗を介して
固定電位に接続された伝送ラインと2値データを相互に
送受信する各論理回路網との間で送受信データの授受を
行うインターフェース回路において、伝送ラインと接地
電位との間に接続されたスイッチング素子と、論理回路
網側から伝送ライン側へ“L”レベルデータを送出する
際、前記スイッチング素子に送受信データの最小サイク
ルよりも十分に短いパルス幅の信号を印加してこれを導
通させる手段と、伝送ライン側から論理回路網側へデー
タを送出する際、前記スイッチング素子が導通している
期間における伝送ライン上の論理レベルを記憶する手段
とを具備した。
In order to achieve the above object, according to the present invention, binary data is transmitted and received to and from a transmission line whose both ends are connected to a fixed potential through resistors for matching termination. In an interface circuit that sends and receives data to and from a logic circuit network, a switching element connected between a transmission line and a ground potential and "L" level data is sent from the logic circuit network side to the transmission line side. At this time, means for applying a signal having a pulse width sufficiently shorter than the minimum cycle of transmission / reception data to the switching element to make it conductive, and when transmitting data from the transmission line side to the logic circuit side, the switching element is Means for storing the logic level on the transmission line during the period of continuity.

【0014】[0014]

【作用】上記した構成よれば、論理回路網側から伝送ラ
イン側へ“L”レベルデータを伝送する際、スイッチン
グ素子は、送受信データの最小サイクルよりも十分に短
い期間だけ導通し、この間だけ伝送ラインが“L”レベ
ルとなる。
According to the above construction, when transmitting the "L" level data from the logic network side to the transmission line side, the switching element conducts only for a period sufficiently shorter than the minimum cycle of transmission / reception data, and transmits only during this period. The line becomes "L" level.

【0015】一方、伝送ライン側からデータを受信する
際には、前記スイッチング素子が導通している期間にお
ける伝送ライン上の論理レベルが記憶保持される。
On the other hand, when receiving data from the transmission line side, the logic level on the transmission line during the period when the switching element is conducting is stored and held.

【0016】したがって、当該記憶された論理レベルを
受信データとして扱うようにすれば、伝送ラインの固定
電位から接地側へ電流が流れて電力が消費される期間
は、送受信データの最小サイクルよりも十分に短い期間
だけとなるので、消費電力が大幅に低減される。
Therefore, if the stored logical level is treated as received data, the period in which current flows from the fixed potential of the transmission line to the ground side and power is consumed is more than the minimum cycle of transmitted / received data. Since it is only for a short period, the power consumption is greatly reduced.

【0017】[0017]

【実施例】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明の動作原理を説明するため
のブロック図、図2は、その主要部の動作タイミングを
示したタイミングチャートであり、前記と同一の符号は
同一または同等部分を表している。
FIG. 1 is a block diagram for explaining the operation principle of the present invention, and FIG. 2 is a timing chart showing the operation timing of the main part thereof, and the same symbols as those used above represent the same or equivalent parts. ing.

【0019】パルス発生回路6は、デ−タ送受信用論理
回路11から出力される論理データD1 に応答したワン
ショットのパルス信号Pを発生する。パルス信号Pのパ
ルス幅TP は、送受信データの最小サイクルよりも十分
に短い値に設定される。記憶回路17は、デ−タ送受信
用論理回路11から出力される受信クロックWに応答し
て差動比較器8の出力信号D2 を一時的に記憶する。
The pulse generation circuit 6 generates a one-shot pulse signal P in response to the logic data D1 output from the data transmission / reception logic circuit 11. The pulse width TP of the pulse signal P is set to a value sufficiently shorter than the minimum cycle of transmission / reception data. The memory circuit 17 temporarily stores the output signal D2 of the differential comparator 8 in response to the reception clock W output from the data transmission / reception logic circuit 11.

【0020】このような構成において、論理回路網10
0−1がドライバ、論理回路網100−nがレシーバと
して機能する場合、データ送受信用論理回路11の出力
データD1 が“H”レベルになると、パルス発生回路6
は、D1 の立上がりを検出してワンショットのパルス信
号Pを出力する。これにより、NMOS4はパルス信号
Pのパルス幅に相当する期間TP だけ導通状態となるの
で、伝送ライン3が期間TP だけNMOS4のオン電圧
VOLとなる。
In such a configuration, the logic circuit network 10
In the case where 0-1 functions as a driver and the logic circuit network 100-n functions as a receiver, when the output data D1 of the data transmission / reception logic circuit 11 becomes "H" level, the pulse generation circuit 6
Detects the rise of D1 and outputs a one-shot pulse signal P. As a result, the NMOS 4 becomes conductive only during the period TP corresponding to the pulse width of the pulse signal P, so that the transmission line 3 becomes the ON voltage VOL of the NMOS 4 during the period TP.

【0021】このとき、レシーバとして機能する論理回
路網100−nでは、差動比較器8nの反転入力が
“L”レベルになって基準電圧Vref を下回るので、そ
の出力データD2 が期間TP だけ“H”レベルとなる。
At this time, in the logic circuit network 100-n functioning as a receiver, the inverting input of the differential comparator 8n becomes "L" level and falls below the reference voltage Vref, so that the output data D2 thereof is "T" only during the period TP. It becomes H "level.

【0022】記憶回路17nでは、受信クロックWに応
答して差動比較器8nの出力データD2 を記憶保持し、
この値をデータD3 としてデータ送受信用論理回路11
nへ出力し続ける。記憶回路17nの受信クロックW
は、ドライバ側の論理回路網100−1からの送信デ−
タがレシ−バ側の論理回路網100−nで確実に受信で
きるよう、送信許可信号TENから予定時間Δtだけ遅延
して出力されるようにすることが望ましい。
The storage circuit 17n stores and holds the output data D2 of the differential comparator 8n in response to the reception clock W,
This value is used as data D3 for data transmission / reception logic circuit 11
Continue to output to n. Reception clock W of the memory circuit 17n
Is the transmission data from the logic network 100-1 on the driver side.
In order that the data can be reliably received by the logic network 100-n on the receiver side, it is desirable to delay the transmission permission signal TEN by a predetermined time Δt and output it.

【0023】なお、消費電力に直接影響する送信用パル
ス信号Pのパルス幅TP は、伝送ライン3ヘ送出された
送信デ−タD1 がレシ−バ側で受信デ−タD3 として確
実に受信できる最小時間に設定する。
The pulse width TP of the transmission pulse signal P, which directly affects the power consumption, allows the transmission data D1 sent to the transmission line 3 to be reliably received as reception data D3 on the receiver side. Set to minimum time.

【0024】上記した構成によれば、伝送ライン3を介
して“L”レベルデータを送信する際に、ドライバして
機能する論理回路網100や終端抵抗2で電力が消費さ
れる期間が、前記パルス発生回路6が出力するワンショ
ットパルス信号Pのパルス幅に相当する期間TP だけな
ので、従来技術に比べて消費電力を格段に低減すること
ができる。
According to the above configuration, when the "L" level data is transmitted via the transmission line 3, the period during which power is consumed by the logic circuit network 100 functioning as a driver and the terminating resistor 2 is Since it is only the period TP corresponding to the pulse width of the one-shot pulse signal P output from the pulse generation circuit 6, the power consumption can be remarkably reduced as compared with the prior art.

【0025】図3は、本発明の第1実施例のブロック図
であり、前記と同一の符号は同一または同等部分を表し
ている。
FIG. 3 is a block diagram of the first embodiment of the present invention, in which the same symbols as those used in the previous description represent the same or equivalent portions.

【0026】本実施例では、前記パルス発生回路6を2
入力NAND回路61で構成し、記憶回路17を、イン
バータ9およびフリップフロップ10で構成した点に特
徴がある。
In this embodiment, the pulse generator circuit 6 is
It is characterized in that it is composed of the input NAND circuit 61 and the memory circuit 17 is composed of the inverter 9 and the flip-flop 10.

【0027】同図において、2入力NAND回路61の
一方の入力端子には、送信許可信号TENに同期して出力
されるワンショットのパルス信号P1 が入力され、他方
の入力端子にはデータ送受信用論理回路11の出力デー
タD1 が入力される。
In the figure, the one-shot pulse signal P1 output in synchronization with the transmission enable signal TEN is input to one input terminal of the 2-input NAND circuit 61, and the other input terminal is used for data transmission / reception. The output data D1 of the logic circuit 11 is input.

【0028】また、差動比較器8の出力信号はレベル変
換用のインバータ9を介してフリップフロップ10のデ
ータ端子Dに入力される。フリップフロップ10のクロ
ック端子Tには、送信許可信号TENに同期して出力され
るパルス信号が2段構成のインバータ7を介して入力さ
れる。フリップフロップ10のデータ出力端子Qはデー
タ送受信用論理回路11に接続される。
The output signal of the differential comparator 8 is input to the data terminal D of the flip-flop 10 via the inverter 9 for level conversion. A pulse signal output in synchronization with the transmission permission signal TEN is input to the clock terminal T of the flip-flop 10 via the inverter 7 having a two-stage configuration. The data output terminal Q of the flip-flop 10 is connected to the data transmitting / receiving logic circuit 11.

【0029】このような構成において、当該論理回路網
100がドライバとして機能する場合、2入力NAND
回路61からは、送信許可信号TENに同期して、データ
送受信用論理回路11から出力される論理データD1 に
応じたパルス信号Pが出力される。この結果、NMOS
4はパルス信号Pのパルス幅に相当する期間TP だけオ
ンするので、前記同様、伝送ライン3が期間TP だけN
MOS4のオン電圧VOLとなる。
In such a configuration, when the logic circuit network 100 functions as a driver, a 2-input NAND is used.
The circuit 61 outputs a pulse signal P corresponding to the logic data D1 output from the data transmission / reception logic circuit 11 in synchronization with the transmission permission signal TEN. As a result, NMOS
4 is turned on for the period TP corresponding to the pulse width of the pulse signal P, the transmission line 3 is N for the period TP as described above.
It becomes the ON voltage VOL of the MOS4.

【0030】一方、当該論理回路網100がレシーバと
して機能する場合、伝送ライン3のレベルに応じた信号
がフリップフロップ10のデータ端子Dに入力される。
また、クロック端子Tには、前記ドライバ側での送信許
可信号TENに同期したパルス信号が2段構成のインバー
タ7で遅延され、受信クロックWとして入力されるの
で、フリップフロップ10はデータ端子Dに入力したデ
ータを確実にラッチし、データ端子Dが“L”レベルに
遷移した後も、前記記憶したデータを出力し続けること
が可能になる。ここで、レシ−ブ側の受信クロックWを
生成する遅延回路7への入力信号は送信用パルス信号P
であっても良い。
On the other hand, when the logic circuit network 100 functions as a receiver, a signal corresponding to the level of the transmission line 3 is input to the data terminal D of the flip-flop 10.
Further, since the pulse signal synchronized with the transmission permission signal TEN on the driver side is delayed by the inverter 7 having a two-stage configuration and input as the reception clock W to the clock terminal T, the flip-flop 10 is connected to the data terminal D. The input data can be surely latched, and the stored data can be continuously output even after the data terminal D transits to the “L” level. Here, the input signal to the delay circuit 7 for generating the receive clock W on the receive side is the transmission pulse signal P.
May be

【0031】図4は、本発明の第2実施例のブロック図
であり、前記と同一の符号は同一または同等部分を表し
ている。
FIG. 4 is a block diagram of the second embodiment of the present invention, in which the same symbols as those used above represent the same or equivalent portions.

【0032】本実施例では、NMOS4の代わりにNP
Nバイポ−ラトランジスタ41を利用した点に特徴があ
る。これは、ドライバとなるNMOS4には非常に大き
な駆動オン電流が必要とされるので、さらに駆動力の大
きなバイポ−ラトランジスタを用いることにより優位性
を狙うことを目的としている。
In this embodiment, NP is used instead of NMOS4.
The feature is that the N bipolar transistor 41 is used. This is because the NMOS 4 serving as a driver requires a very large drive on-current, and therefore aims to achieve superiority by using a bipolar transistor having a larger driving force.

【0033】本実施例では、NPNバイポ−ラトランジ
スタ41のベ−スに、駆動回路5を構成するCMOSイ
ンバ−タ中のPMOSから電流が供給され続けるのでN
PN41は飽和し、オン電圧VOLは0Vとなる。これに
よりNPN41では、非動作状態はもちろん動作状態に
おいても消費電力がほぼ零となる。
In this embodiment, since the current continues to be supplied to the base of the NPN bipolar transistor 41 from the PMOS in the CMOS inverter forming the drive circuit 5, the NPN bipolar transistor 41 is connected to the base of the NPN bipolar transistor 41.
The PN41 is saturated and the ON voltage VOL becomes 0V. As a result, in the NPN 41, the power consumption becomes almost zero not only in the non-operating state but also in the operating state.

【0034】さらに、差動比較器8では、その入力がN
PN41のコレクタ電圧と基準電圧Vref との差となる
のでノイズマ−ジンが大きくなる。
Further, in the differential comparator 8, its input is N
Since there is a difference between the collector voltage of PN41 and the reference voltage Vref, the noise margin becomes large.

【0035】図5は、本発明の第3実施例のブロック図
であり、前記と同一の符号は同一または同等部分を表し
ている。
FIG. 5 is a block diagram of the third embodiment of the present invention, in which the same symbols as those used above represent the same or equivalent portions.

【0036】本実施例では、前記第2実施例におけるN
PNバイポーラトランジスタ41の代わりにPNPバイ
ポ−ラトランジスタ42を具備した点に特徴がある。
In this embodiment, N in the second embodiment is used.
The feature is that a PNP bipolar transistor 42 is provided instead of the PN bipolar transistor 41.

【0037】本実施例によれば、図6に示したように、
CMOSが形成されるP基板80上にバイポ−ラトラン
ジスタを同様に作れるようになるので、製造工程が簡単
化、素子の小型化が達成される。
According to this embodiment, as shown in FIG.
Since the bipolar transistor can be similarly formed on the P substrate 80 on which the CMOS is formed, the manufacturing process can be simplified and the device can be downsized.

【0038】図7は、本発明の第4実施例のブロック図
であり、前記と同一の符号は同一または同等部分を表し
ている。
FIG. 7 is a block diagram of a fourth embodiment of the present invention, in which the same symbols as those used above represent the same or equivalent portions.

【0039】本実施例では、前記同様、NMOS4の代
わりにNPN41を用いると共に、フィ−ドバックイン
バ−タ回路53によりNPN41のオン動作時の飽和状
態を遮断するようにした点に特徴がある。
The present embodiment is characterized in that the NPN 41 is used instead of the NMOS 4 and that the feedback inverter circuit 53 cuts off the saturated state of the NPN 41 during the ON operation, as described above.

【0040】すなわち、伝送ライン3に“L”レベルデ
ータが送信される際、駆動回路52への入力は“L”で
駆動回路52内の2段PMOSトランジスタがオンとな
り、NPN41への入力は“H”となって、NPN41
はオン飽和し、伝送ライン3はオン電圧のVOL=0Vと
なる。
That is, when "L" level data is transmitted to the transmission line 3, the input to the drive circuit 52 is "L", the two-stage PMOS transistor in the drive circuit 52 is turned on, and the input to the NPN 41 is "L". H ”, NPN41
Is on-saturated, and the transmission line 3 has an on-voltage VOL = 0V.

【0041】このとき、フィ−ドバックインバ−タ回路
53は駆動回路52内の下段PMOSをオフにしてNP
N41へのベ−ス電流を遮断する。この結果、NPN4
1がオフとなり、伝送ライン3の電圧レベルが終端電圧
1となる。この時、レシ−バ側では、送信されたデ−タ
を受信できるようデータ送受信用論理回路11に取り込
むか、あるいは記憶保持するための手段を講ずる。
At this time, the feedback inverter circuit 53 turns off the lower PMOS of the drive circuit 52 and sets NP.
Shut off the base current to N41. As a result, NPN4
1 is turned off, and the voltage level of the transmission line 3 becomes the termination voltage 1. At this time, on the receiver side, a means for taking the transmitted data into the data transmission / reception logic circuit 11 so as to be able to receive it or storing it in memory is provided.

【0042】図8、9は、本発明の第5、第6実施例の
ブロック図であり、前記と同一の符号は同一または同等
部分を表している。
8 and 9 are block diagrams of the fifth and sixth embodiments of the present invention, in which the same symbols as those used in the previous description represent the same or corresponding portions.

【0043】各実施例は、前記図10に関して説明した
従来技術のNMOSを、それぞれNPN41およびPN
P42に置き換えた点に特徴がある。
In each of the embodiments, the NMOS of the prior art described with reference to FIG.
It is characterized in that it is replaced with P42.

【0044】図8の第6実施例では、バッファ51を構
成するCMOSインバ−タ中のPMOSから電流が供給
され続けるのでNPN41は飽和し、オン電圧VOLは0
Vとなる。これによりNPN41では、非動作状態はも
ちろん動作状態においても消費電力がほぼ零となる。
In the sixth embodiment of FIG. 8, since the current is continuously supplied from the PMOS in the CMOS inverter forming the buffer 51, the NPN 41 is saturated and the ON voltage VOL is 0.
It becomes V. As a result, in the NPN 41, the power consumption becomes almost zero not only in the non-operating state but also in the operating state.

【0045】また、差動比較器8では、その入力がNP
N41のコレクタ電圧と基準電圧Vref との差となるの
でノイズマ−ジンが大きくなる。
The input of the differential comparator 8 is NP.
Since there is a difference between the collector voltage of N41 and the reference voltage Vref, the noise margin becomes large.

【0046】一方、図9の第7実施例では、PNPとC
MOSとを同じP基板上に形成することができるので、
小型化や製造工程の簡素化が達成される。
On the other hand, in the seventh embodiment of FIG. 9, PNP and C
Since the MOS and the P substrate can be formed on the same P substrate,
Miniaturization and simplification of the manufacturing process are achieved.

【0047】[0047]

【発明の効果】上記したように、本発明によれば、伝送
ラインを介して“L”レベルデータを送信する際に論理
回路網や終端抵抗で電力が消費される期間を短くするこ
とができるので、従来技術に比べて消費電力を格段に低
減することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to shorten the period in which power is consumed by the logic circuit network and the terminating resistor when transmitting "L" level data through the transmission line. Therefore, it is possible to significantly reduce the power consumption as compared with the related art.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の動作原理を説明するためのブロック
図である。
FIG. 1 is a block diagram for explaining the operation principle of the present invention.

【図2】 図1の主要部のタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart of the main part of FIG.

【図3】 本発明の第1実施例のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第2実施例のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第3実施例のブロック図である。FIG. 5 is a block diagram of a third embodiment of the present invention.

【図6】 第3実施例の製造方法を示した断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the manufacturing method of the third embodiment.

【図7】 本発明の第4実施例のブロック図である。FIG. 7 is a block diagram of a fourth embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第5実施例のブロック図である。FIG. 8 is a block diagram of a fifth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第6実施例のブロック図である。FIG. 9 is a block diagram of a sixth embodiment of the present invention.

【図10】 従来技術のブロック図である。FIG. 10 is a block diagram of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…終端電圧、2…終端抵抗、3…伝送ライン、4…N
チャンネルMOSトランジスタ、6…送信パルス駆動回
路、11…送受信制御演算論理回路、17…記憶回路
1 ... Termination voltage, 2 ... Termination resistance, 3 ... Transmission line, 4 ... N
Channel MOS transistor, 6 ... Transmission pulse drive circuit, 11 ... Transmission / reception control arithmetic logic circuit, 17 ... Storage circuit

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 両端が整合終端用の抵抗を介して固定電
位に接続された伝送ラインと、当該伝送ラインを介して
2値データを相互に送受信する複数の論理回路網との間
で、前記2値データの授受を行うインターフェース回路
において、 伝送ラインと接地電位との間に接続され、特定の端子に
パルス信号を入力されてパルス幅に相当する期間だけ導
通する半導体スイッチング素子と、 論理回路網側から伝送ライン側への“L”レベルデータ
送出時に、前記半導体スイッチング素子にパルス信号を
供給する手段と、 伝送ライン側から論理回路網側へのデータ送出時に、前
記パルス信号供給時における前記伝送ライン上の論理レ
ベルを記憶する手段とを具備し、 前記パルス信号のパルス幅は、送受信データの最小サイ
クルよりも十分に短いことを特徴とするインターフェー
ス回路。
1. A transmission line, both ends of which are connected to a fixed potential via resistors for matching termination, and a plurality of logic circuits which mutually transmit and receive binary data via the transmission line, In an interface circuit for transmitting and receiving binary data, a semiconductor switching element connected between a transmission line and a ground potential, a pulse signal is input to a specific terminal, and is conductive for a period corresponding to a pulse width, and a logic circuit network. Means for supplying a pulse signal to the semiconductor switching element when transmitting "L" level data from the transmission line side to the transmission line side, and the transmission at the time of supplying the pulse signal when transmitting data from the transmission line side to the logic circuit side Means for storing a logic level on the line, wherein the pulse width of the pulse signal is sufficiently shorter than the minimum cycle of transmission / reception data. Interface circuit of symptoms.
【請求項2】 前記スイッチング素子にパルス信号を供
給する手段は、送信データおよびパルス信号を入力とす
る2入力NAND回路であることを特徴とする請求項1
記載のインターフェース回路。
2. The means for supplying a pulse signal to the switching element is a two-input NAND circuit that receives transmission data and a pulse signal as inputs.
The described interface circuit.
【請求項3】 前記伝送ライン上の論理レベルを記憶す
る手段は、伝送ライン上の論理レベルを基準信号と比較
する差動比較器と、差動比較器の出力をデータとして入
力され、前記パルス信号の遅延信号をクロックとして入
力されるフリップフロップとによって構成されたことを
特徴とする請求項1または2記載のインターフェース回
路。
3. A means for storing a logic level on the transmission line, wherein a differential comparator for comparing the logic level on the transmission line with a reference signal and an output of the differential comparator are inputted as data, and the pulse is output. 3. The interface circuit according to claim 1, wherein the interface circuit comprises a flip-flop that receives a delayed signal of the signal as a clock.
【請求項4】 前記半導体スイッチング素子は、Nチャ
ンネルMOSトランジスタおよびバイポーラトランジス
タのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし3
のいずれかに記載のインターフェース回路。
4. The semiconductor switching element is one of an N channel MOS transistor and a bipolar transistor.
The interface circuit according to any one of 1.
【請求項5】 両端が整合終端用の抵抗を介して固定電
位に接続された伝送ラインと、当該伝送ラインを介して
2値データを相互に送受信する複数の論理回路網との間
で、前記2値データの授受を行うインターフェース回路
において、 伝送ラインと接地電位との間に接続されたバイポーラト
ランジスタと、 論理回路網側から伝送ライン側への“L”レベルデータ
送出時に前記バイポーラトランジスタを導通させる手段
と、 伝送ライン側から論理回路網側へのデータ送出時に、前
記伝送ライン上の論理レベルを検出する手段とを具備し
たことを特徴とするインターフェース回路。
5. A transmission line, both ends of which are connected to a fixed potential via resistors for matching termination, and a plurality of logic circuit networks for mutually transmitting and receiving binary data via the transmission line, In an interface circuit for exchanging binary data, a bipolar transistor connected between a transmission line and a ground potential, and a bipolar transistor which conducts at the time of sending "L" level data from the logic network side to the transmission line side. An interface circuit comprising means and means for detecting a logic level on the transmission line when transmitting data from the transmission line side to the logic circuit network side.
【請求項6】 前記バイポーラトランジスタの飽和動作
を遮断するフィ−ドバックインバ−タ回路を具備したこ
とを特徴とする請求項5記載のインターフェース回路。
6. The interface circuit according to claim 5, further comprising a feedback inverter circuit for cutting off the saturation operation of the bipolar transistor.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998037633A1 (en) * 1997-02-24 1998-08-27 Hitachi, Ltd. Data processing system
US7557790B2 (en) 2003-03-12 2009-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Bus interface technology

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