JPH06148395A - Generating apparatus of slow positron - Google Patents

Generating apparatus of slow positron

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JPH06148395A
JPH06148395A JP30123892A JP30123892A JPH06148395A JP H06148395 A JPH06148395 A JP H06148395A JP 30123892 A JP30123892 A JP 30123892A JP 30123892 A JP30123892 A JP 30123892A JP H06148395 A JPH06148395 A JP H06148395A
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positron
positrons
slow
moderator
energy
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Osamu Azuma
修 東
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Abstract

PURPOSE:To enable improvement of the efficiency of converting fast positrons into slow positrons and also generation of the slow positrons in a state of uniform energy. CONSTITUTION:Since a metal thin film 12 is provided between a radioactive isotope <22>Na and a moderator 13, fast positrons e<+> radiated from the radioactive isotope <22>Na are scattered and decelerated when they pass through the metal thin film 12, a peak value of an energy distribution shifts onto the low energy side, the depth of implantation into the moderator 13 becomes small and slow positrons e<+> emitted from the moderator 13 increase in the amount. Therefore the efficiency of turning the fast positrons e<+> into the slow positrons e<+> is improved and also the slow positrons e<+> in a state of uniform energy are generated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高速の陽電子を低速の
陽電子とする効率を向上させた低速陽電子発生装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-speed positron generator which improves the efficiency of converting a high-speed positron into a low-speed positron.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子の反粒子としての陽電子は、β+
壊する22Na、55Co、64Cu等のRI(放射性同位元
素)から得ることができる。
2. Description of the Related Art Positrons as antiparticles of electrons can be obtained from RI (radioisotope) such as β + -decaying 22 Na, 55 Co and 64 Cu.

【0003】物質中に入射した陽電子は、周囲の電子と
非弾性衝突してエネルギーを失い、10-12 秒程度の短
時間で熱エネルギー(kT)程度まで減速される。熱化
された陽電子は、10-10 〜10-7秒の寿命で電子と対
消滅して約511 [keV]のγ線を放出する。このと
きエネルギーと運動量とが保存されるので、放出された
γ線を詳細に観測すれば、陽電子が消滅した位置の電子
の状態や物質の格子欠陥等を知ることができる。
The positrons incident on the material lose their energy by inelastically colliding with surrounding electrons and are decelerated to the thermal energy (kT) in a short time of about 10 -12 seconds. The thermalized positron annihilates with the electron with a lifetime of 10 -10 to 10 -7 seconds and emits γ-rays of about 511 [keV]. At this time, the energy and the momentum are preserved, so by observing the emitted γ-rays in detail, the state of the electron at the position where the positron disappears, the lattice defect of the substance, and the like can be known.

【0004】ところで、β+ 崩壊による高エネルギー陽
電子の例えばアルミへの侵入の深さは100〜200
[μm] に達するので、陽電子を表面及び界面の研究に
利用するには、これを低速化し、かつエネルギーが揃っ
た状態で試料に打ち込む必要がある。
By the way, the penetration depth of high energy positrons into, for example, aluminum due to β + decay is 100 to 200.
Since it reaches [μm], in order to utilize positrons for surface and interface studies, it is necessary to slow them down and implant them into the sample in the state of uniform energy.

【0005】図5は低速の陽電子を用いて物質の表面を
解析する装置に用いる従来の低速陽電子発生装置の概念
図である。
FIG. 5 is a conceptual diagram of a conventional slow positron generator used in a device for analyzing the surface of a substance using slow positrons.

【0006】同図において、低速陽電子発生装置1は、
真空容器2と、真空容器2内に配置され、高速の陽電子
を発散するRIとしての22Naと、この22Naの前面
(図の上側)に配置され、β+ 崩壊によって発散する高
エネルギー(高速)の陽電子を低エネルギー(低速)の
陽電子にするための複数のタングステンのリボンからな
るモデレータ3と、モデレータ3の前面に配置され、減
速されてほとんど停止状態に近くなった(1 [eV] 程
度)陽電子を輸送に必要な速度まで加速(引き出す)す
るための電極(グリッド)4と、このグリッド4に所定
の電圧Vを印加する電源5とで構成されている。
In the figure, the slow positron generator 1 is
The vacuum container 2 and 22 Na serving as RI that emits high-speed positrons inside the vacuum container 2 and the front face of the 22 Na (upper side of the figure), and the high energy emitted by β + decay (high-speed ) Is placed in front of the moderator 3 and a moderator 3 composed of multiple ribbons of tungsten to make the positron of low energy (slow) positron, and it is decelerated and almost stopped (about 1 [eV]). ) An electrode (grid) 4 for accelerating (drawing) positrons to a speed required for transportation and a power supply 5 for applying a predetermined voltage V to the grid 4.

【0007】グリッド4を通過した陽電子e+ は通路を
経て試料(図示せず)まで輸送するようになっている。
途中、表面解析に必要な速度(100eV〜50ke
V)まで加速し、試料に入射する。
The positron e + that has passed through the grid 4 is transported to a sample (not shown) via a passage.
On the way, the speed required for surface analysis (100 eV to 50 ke
It accelerates to V), and injects into a sample.

【0008】ここで、上述した従来の低速陽電子発生装
置に用いる22Naは、発生する陽電子e+ のエネルギー
が、図6に示すように陽電子発生頻度のピーク値を約2
10[keV] とする0〜540 [keV] まで非常に
幅の広い分布を有している。尚、図6は22Naにより得
られる陽電子のエネルギーとその発生頻度との関係を示
すグラフである。同図において横軸は陽電子のエネルギ
ー、縦軸は陽電子の発生頻度を示す。
Here, in 22 Na used in the above-mentioned conventional slow positron generator, the generated positron e + energy has a positron generation frequency peak value of about 2 as shown in FIG.
It has a very wide distribution from 0 to 540 [keV], which is 10 [keV]. Note that FIG. 6 is a graph showing the relationship between the energy of positrons obtained from 22 Na and the frequency of their generation. In the figure, the horizontal axis represents the energy of positrons and the vertical axis represents the frequency of positron generation.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな幅広いエネルギー分布を有する陽電子をそのままモ
デレータに打ち込み減速させ、低速化することはできる
が、発生頻度がピークとなる210keV付近の陽電子
は打ち込み深さが深く熱拡散により表面に戻る割合が小
さい。すなわち、最も発生頻度の高い陽電子の低速化効
率が低い構造となっている。
However, although positrons having such a wide energy distribution can be driven into the moderator as they are to decelerate and slow them down, positrons around 210 keV, where the frequency of occurrence is a peak, are driven into the depth of implantation. Is deep and the rate of returning to the surface by thermal diffusion is small. That is, the structure has a low efficiency of slowing down positrons, which are most frequently generated.

【0010】そこで、本発明の目的は、発生頻度の高い
陽電子を低速の陽電子とする効率を向上させ、全体とし
てRIからの陽電子の低速化効率を向上させることがで
きる低速陽電子発生装置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a low-speed positron generator capable of improving the efficiency of converting a positron having a high frequency of occurrence into a slow positron, and improving the efficiency of slowing down positrons from RI as a whole. Especially.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、放射性同位元素から発散する高速の陽電子
を、モデレータで低速の陽電子とする低速陽電子発生装
置において、放射性同位元素とモデレータとの間に、発
生頻度の高い高速の陽電子の速度を減速させる金属薄膜
を設けたものである。
To achieve the above object, the present invention provides a slow positron generator in which a moderator converts a high-speed positron emitted from a radioisotope into a low-speed positron. Between them, a metal thin film that slows down the velocity of high-frequency positrons that are frequently generated is provided.

【0012】[0012]

【作用】上記構成によれば、放射性同位元素とモデレー
タとの間に金属薄膜を設けたため、放射同位元素から発
散される高速陽電子が金属薄膜を通過するときに散乱減
速され、モデレータへ浅く打ち込む陽電子の数が増加す
るので、モデレータから出射する低速の陽電子の数が増
加する。
According to the above structure, since the metal thin film is provided between the radioisotope and the moderator, the fast positrons emitted from the radioisotope are scattered and decelerated when passing through the metal thin film, and the positron is shallowly driven into the moderator. , The number of slow positrons emanating from the moderator increases.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

【0014】図1は本発明の低速陽電子発生装置の一実
施例の概念図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram of one embodiment of the slow positron generator of the present invention.

【0015】同図において、低速陽電子発生装置10
は、真空容器11と、真空容器11内に配置され、高速
の陽電子を発散する放射性同位元素16としての22Na
と、22Naの前面(図の上側)に配置され、高速の陽電
子を散乱させて減速する減速材としての金属薄膜12
と、この金属薄膜12の前面に配置され、高速の陽電子
+ を低速の陽電子e+ とするモデレータ13と、モデ
レータ13の前面に配置され、ほとんど停止状態に近い
陽電子e+ をビーム輸送に必要な速度に加速するための
グリッド14と、このグリッド14に電圧Vを印加する
ための電源15とで構成されている。
In the figure, the slow positron generator 10 is shown.
Is a vacuum container 11 and 22 Na as a radioactive isotope 16 which is placed in the vacuum container 11 and emits high-speed positrons.
And a thin metal film 12 as a moderator, which is disposed on the front surface of 22 Na (upper side in the figure) and scatters and decelerates high-speed positrons.
When this is placed in front of the metal thin film 12, a moderator 13 to the high speed of the positron e + slow positron e +, is disposed in front of the moderator 13, it requires a positron e + close to almost stop state to the beam transport It is composed of a grid 14 for accelerating to various speeds and a power supply 15 for applying a voltage V to this grid 14.

【0016】尚、RIには22Naを用いたが、これに限
定されることなく高速の陽電子を発散すれば55Co、64
Cu等を用いてもよい。
Although 22 Na was used for RI, it is not limited to this, and 55 Co and 64 can be used if a high-speed positron is emitted.
Cu or the like may be used.

【0017】ここで、一般に金属薄膜に打ち込む陽電子
+ の平均浸透深さZ1/2 は、図2に示すように打ち込
む陽電子e+ の持つエネルギーのべき乗に比例すること
が知られている。図2は銅とアルミにおける陽電子e+
の平均の浸透深さのエネルギー依存性を表わすグラフで
ある。同図において、横軸は陽電子のエネルギー、左側
の縦軸は平均の浸透深さ、右側の縦軸はアルミ及び銅の
平均浸透深さをそれぞれ表わす。同図より、銅の平均浸
透深さZ1/2 は数1、アルミの平均浸透深さZ1/2 は数
2のように表わされる。また、タングステンの平均浸透
深さZ1/2 は数3であると考える。
Here, it is generally known that the average penetration depth Z 1/2 of positron e + implanted in a metal thin film is proportional to the power of the energy of the positron e + implanted as shown in FIG. Figure 2 shows positron e + in copper and aluminum.
2 is a graph showing the energy dependence of the average penetration depth of. In the figure, the horizontal axis represents the energy of positrons, the left vertical axis represents the average penetration depth, and the right vertical axis represents the average penetration depth of aluminum and copper. From the figure, the average permeation depth Z 1/2 of copper is expressed by the formula 1, and the average permeation depth Z 1/2 of aluminum is expressed by the formula 2. Further, it is considered that the average penetration depth Z 1/2 of tungsten is Equation 3.

【0018】[0018]

【数1】Z1/2 =0.0026E1.43 [Equation 1] Z 1/2 = 0.0026E 1.43

【0019】[0019]

【数2】Z1/2 =0.0020E1.60 [Formula 2] Z 1/2 = 0.0020E 1.60

【0020】[0020]

【数3】Z1/2 =0.0012E1.43 これら数1、数2及び数3のエネルギーEに50 [ke
V] から500 [keV] まで50 [keV] ずつ増加
した値を代入すると、それぞれの平均浸透深さZ1/2
表1のようになる。
[Equation 3] Z 1/2 = 0.0012E 1.43 50 [ke for the energy E of these Equations 1, 2 and 3]
Substituting the values increased by 50 [keV] from V] to 500 [keV], the average penetration depth Z 1/2 is as shown in Table 1.

【0021】[0021]

【表1】 [Table 1]

【0022】表1より、金属薄膜12の厚さは異なって
いるもののその特性には大きな差はないことがわかる。
従って金属薄膜12の材質は特に限定されるものではな
い。
From Table 1, it can be seen that although the thickness of the metal thin film 12 is different, the characteristics are not so different.
Therefore, the material of the metal thin film 12 is not particularly limited.

【0023】モデレータ13にはタングステンのリボン
が用いられ、複数のタングステンリボンが平行かつ等間
隔で紙面に垂直になるように配置されると共に、これら
のリボンは電圧V(例えば100 [V] )の電源15の
陽極に接続されている。尚、モデレータ13にはタング
ステンを用いたが、低速の陽電子e+ を引き出すことが
できれば、イリジウム等の金属を用いてもよい。
A tungsten ribbon is used for the moderator 13, and a plurality of tungsten ribbons are arranged in parallel and at equal intervals perpendicular to the paper surface, and these ribbons have a voltage V (for example, 100 [V]). It is connected to the anode of the power supply 15. Although tungsten is used for the moderator 13, a metal such as iridium may be used as long as the slow positron e + can be extracted.

【0024】グリッド14には網状の金属が用いられ、
電源15の陰極に接続されている。
A mesh metal is used for the grid 14,
It is connected to the cathode of the power supply 15.

【0025】低速電子発生装置10で発生した低速の陽
電子e+ は通路を経て試料(図示せず)まで輸送され
る。
The low-speed positron e + generated by the low-speed electron generator 10 is transported to the sample (not shown) via the passage.

【0026】次に実施例の作用を述べる。Next, the operation of the embodiment will be described.

【0027】図1において、22Naから(前方向に)高
速の陽電子e+ が発散し、この高速の陽電子e+ が、22
Naとモデレータ13との間に設けた金属薄膜12を通
過するときに散乱して減速されるので、図6に示した陽
電子e+ のエネルギー分布のピーク値付近の陽電子を、
図3に示すように低レベル側にシフトさせることができ
る。なお、図3は金属薄膜12を配置したときの陽電子
エネルギーとその発生頻度との関係を示すグラフであ
る。同図において横軸は陽電子のエネルギー、縦軸は陽
電子の発生頻度を示す。
In FIG. 1, high-speed positron e + diverges from 22 Na (in the forward direction), and this high-speed positron e + is 22
When passing through the metal thin film 12 provided between the Na and the moderator 13, the light is scattered and decelerated, so that the positron near the peak value of the energy distribution of the positron e + shown in FIG.
It can be shifted to the low level side as shown in FIG. Note that FIG. 3 is a graph showing the relationship between the positron energy when the metal thin film 12 is arranged and the generation frequency thereof. In the figure, the horizontal axis represents the energy of positrons and the vertical axis represents the frequency of positron generation.

【0028】このようなエネルギーが低レベル側にシフ
トした陽電子e+ をモデレータ13に打ち込むことは、
モデレータ13に陽電子e+ を浅く打ち込むことにな
り、モデレータ13から出射する約1 [eV] 程度の低
速の陽電子e+ の数が増加することになるので、高速の
陽電子e+ を低速の陽電子e+ にする効率が向上する。
Implanting the positron e + with such energy shifted to the low level side into the moderator 13
Since the positron e + is shallowly driven into the moderator 13, the number of low-speed positrons e + of about 1 [eV] emitted from the moderator 13 is increased, so that the high-speed positron e + is changed to the low-speed positron e +. The efficiency of making + increases.

【0029】この低速の陽電子e+ のエネルギーはグリ
ッド14に印加される電圧Vによりビーム輸送に必要な
速度まで加速され、試料(図示せず)まで輸送される。
途中再度加速させることにより図4に示すような分析に
必要なエネルギー(100 [eV] 〜50 [keV] )
にし試料へ入射される。尚、図4は本実施例の低速陽電
子発生装置より発生される陽電子のエネルギーと陽電子
の発生頻度との関係を示すグラフである。同図におい
て、横軸は陽電子のエネルギー、縦軸は陽電子の発生頻
度を示す。
The energy of the slow positron e + is accelerated by the voltage V applied to the grid 14 to the velocity required for beam transportation, and is transported to the sample (not shown).
Energy (100 [eV] to 50 [keV]) required for analysis as shown in Fig. 4 by accelerating again on the way.
It is incident on the sample. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the energy of positrons generated by the slow positron generator and the frequency of positron generation. In the figure, the horizontal axis represents the energy of positrons and the vertical axis represents the frequency of positron generation.

【0030】以下、具体例を述べる。A specific example will be described below.

【0031】(具体例)陽電子e+ のエネルギー分布
(図6)を考慮すると、100 [keV] 以上のものを
通過させること、すなわち高速の陽電子e+ を平均20
0 [keV] 程度減速させることが望ましい。そのため
には下記の厚さの金属薄膜を使用するのが望ましい。
(Concrete example) Considering the energy distribution of positron e + (FIG. 6), it is necessary to pass a positron e + of 100 [keV] or more, that is, a high-speed positron e + has an average of 20.
It is desirable to reduce the speed by about 0 [keV]. For that purpose, it is desirable to use a metal thin film having the following thickness.

【0032】 銅 …約3.7 [μm] アルミ …約20 [μm] タングステン…約1.7 [μm] このように、本実施例においては、放射性同位元素22
aとモデレータ13との間に金属薄膜12を設けたた
め、放射同位元素22Naから発散される高速陽電子e+
が金属薄膜12を通過するときに散乱して減速し、陽電
子e+ のエネルギー分布のピーク値を低レベル側にシフ
トさせることで、それらの陽電子の打ち込み深さが浅く
なり、モデレータ13から出射する低速の陽電子e+
量が増加するので、高速の陽電子e+ を低速の陽電子e
+ とする効率を向上させると共に、エネルギーの揃った
状態の低速陽電子e+ を発生することができる。
Copper: about 3.7 [μm] Aluminum: about 20 [μm] Tungsten: about 1.7 [μm] As described above, in this embodiment, the radioactive isotope 22 N is used.
Since the metal thin film 12 is provided between the a and the moderator 13, the fast positron e + emitted from the radioisotope 22 Na
Are decelerated by passing through the metal thin film 12 and are decelerated, and by shifting the peak value of the energy distribution of the positron e + to the low level side, the implantation depth of these positrons becomes shallow and the positron e + is emitted from the moderator 13. Since the amount of slow positron e + increases, the fast positron e + is replaced by the slow positron e +.
+ Improves the efficiency of the, uniform state of the slow positron e + energy can be generated.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、放射性同
位元素から発散する高速の陽電子を、モデレータで低速
の陽電子とする低速陽電子発生装置において、放射性同
位元素とモデレータとの間に、陽電子のエネルギー分布
のピーク値を持つ高速の陽電子の速度を減速させる金属
薄膜を設けたので、それらのモデレータへの打ち込み深
さを浅くすることができ、高速の陽電子を低速の陽電子
とする効率を向上させると共に、エネルギーの揃った状
態の低速陽電子を発生することができる。
In summary, according to the present invention, in the slow positron generator in which the high speed positron emitted from the radioisotope is converted into the low speed positron by the moderator, the energy of the positron is between the radioisotope and the moderator. Since a metal thin film that slows down the velocity of high-speed positrons with a distribution peak value is provided, the depth of implantation into these moderators can be made shallow, improving the efficiency of making high-speed positrons into slow positrons. , Slow positrons with uniform energy can be generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の低速陽電子発生装置の一実施例の概念
図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram of an embodiment of a slow positron generator of the present invention.

【図2】銅とアルミにおける陽電子の平均の浸透深さの
エネルギー依存性を表わすグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the energy dependence of the average penetration depth of positrons in copper and aluminum.

【図3】金属薄膜を配置したときの陽電子エネルギーと
その発生頻度との関係を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between positron energy and the frequency of occurrence when a metal thin film is arranged.

【図4】本実施例の低速陽電子発生装置より発生される
陽電子のエネルギーと陽電子の発生頻度との関係を示す
グラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the energy of positrons generated by the slow positron generator of this example and the frequency of positron generation.

【図5】従来の低速陽電子発生装置の概念図である。FIG. 5 is a conceptual diagram of a conventional slow positron generator.

【図6】放射性同位元素より得られる陽電子のエネルギ
ーとその発生頻度との関係を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the energy of positrons obtained from radioisotopes and their frequency of occurrence.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 低速陽電子発生装置 11 真空容器 12 金属薄膜 13 モデレータ 14 グリッド 15 電源 16 放射性同位元素(22Na)10 Low-speed positron generator 11 Vacuum container 12 Metal thin film 13 Moderator 14 Grid 15 Power supply 16 Radioisotope ( 22 Na)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放射性同位元素から発散する高速の陽電
子を、モデレータで低速の陽電子とする低速陽電子発生
装置において、前記放射性同位元素と前記モデレータと
の間に、発生頻度の高い前記高速の陽電子の速度を減速
させる金属薄膜を設けたことを特徴とする低速陽電子発
生装置。
1. A slow positron generator in which a moderator converts a high-speed positron emitted from a radioisotope into a low-speed positron, and a high-speed positron with a high frequency is generated between the radioisotope and the moderator. A low-speed positron generator characterized in that a metal thin film for reducing the speed is provided.
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