JPH0614111B2 - 磁束分布測定装置 - Google Patents
磁束分布測定装置Info
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- JPH0614111B2 JPH0614111B2 JP1065182A JP6518289A JPH0614111B2 JP H0614111 B2 JPH0614111 B2 JP H0614111B2 JP 1065182 A JP1065182 A JP 1065182A JP 6518289 A JP6518289 A JP 6518289A JP H0614111 B2 JPH0614111 B2 JP H0614111B2
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- JP
- Japan
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- magnetic flux
- head
- superconductor
- fluid
- detection coil
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/12—Measuring magnetic properties of articles or specimens of solids or fluids
- G01R33/1238—Measuring superconductive properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/028—Electrodynamic magnetometers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/842—Measuring and testing
- Y10S505/843—Electrical
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 ジョセフソンコンピュータ・生体磁気計測など高性能な
磁気シールドが必要とされる分野で超伝導磁気シールド
容器にトラップされた磁束の分布を測定する用途、ジョ
セフソン回路のグラウンドプレーンにトラップされた磁
束の分布を検出する用途など、超伝導体にトラップされ
た磁束量子単位の微小な磁束の有無と位置とを検知する
用途に係わるものである。
磁気シールドが必要とされる分野で超伝導磁気シールド
容器にトラップされた磁束の分布を測定する用途、ジョ
セフソン回路のグラウンドプレーンにトラップされた磁
束の分布を検出する用途など、超伝導体にトラップされ
た磁束量子単位の微小な磁束の有無と位置とを検知する
用途に係わるものである。
従来の技術 磁束量子単位でトラップされた磁束の位置を検出する方
法として、走査型電子顕微鏡を用いるものが開発されて
いる。ジョセフソン接合上で、電子ビームを注入する位
置と臨海電流値の変化の相関を求めることでトラップさ
れた磁束の位置を求める方法である。しかし、この方法
は、対象がジョセフソン接合部に限られるので、超伝導
体の単なる板、もしくは、円筒であるグラウンドプレー
ンや磁気シールドに応用は不可能である。また、試料の
超伝導体を電極とし、その上に絶縁層をはさんで小さな
対向電極を並べ、その特性変化からトラップされた磁束
を検出する方法も開発されている。しかし、この方法で
は特別な試料を用意する必要がある。従って本発明が目
的とする用途に適する方法は存在しなかった。
法として、走査型電子顕微鏡を用いるものが開発されて
いる。ジョセフソン接合上で、電子ビームを注入する位
置と臨海電流値の変化の相関を求めることでトラップさ
れた磁束の位置を求める方法である。しかし、この方法
は、対象がジョセフソン接合部に限られるので、超伝導
体の単なる板、もしくは、円筒であるグラウンドプレー
ンや磁気シールドに応用は不可能である。また、試料の
超伝導体を電極とし、その上に絶縁層をはさんで小さな
対向電極を並べ、その特性変化からトラップされた磁束
を検出する方法も開発されている。しかし、この方法で
は特別な試料を用意する必要がある。従って本発明が目
的とする用途に適する方法は存在しなかった。
発明が解決しようとする問題点 超伝導体表面に沿って検出コイルを走査し（超伝導体も
しくは検出コイルを移動させる）、トラップされた磁束
を検知するとき、外部磁場は（マイスナー効果により）
超伝導体の表面に平行であり、表面に垂直な磁場成分は
トラップされた磁束を起源とするもののみという性質を
利用している。その際、該検出コイルと該表面との距離
が大きくなるほど、外部磁場の垂直成分が現われるの
で、トラップされた磁束の検出がより困難になる。した
がって、この距離を１０〜１００μｍ程度に保つことが
望ましいが、液体ヘリウム温度まで冷却するときの不均
一な熱収縮の影響を考えると、予め室温でこの距離を設
定しておくことは不可能である。第２に、検出コイルの
走査に際し、超伝導体表面との距離が変動すると、検出
信号の大きさが変動しノイズの原因となる。このため、
この距離自体を一定に保つ機構の導入が不可避である。
第３に、検出コイルと超伝導体表面との間にスペーサを
設け、スペーサの厚みだけの間隔を保ちつつ、しゅう動
しながら走査する場合、しゅう動による振動がノイズの
原因となるのみでなく、超伝導体表面を傷つける可能性
がある。この傷（厚みの変動）は磁束トラップの原因と
なるので、該方法は好ましくない。本発明は以上の問題
点を解決する手段を提供するものである。
しくは検出コイルを移動させる）、トラップされた磁束
を検知するとき、外部磁場は（マイスナー効果により）
超伝導体の表面に平行であり、表面に垂直な磁場成分は
トラップされた磁束を起源とするもののみという性質を
利用している。その際、該検出コイルと該表面との距離
が大きくなるほど、外部磁場の垂直成分が現われるの
で、トラップされた磁束の検出がより困難になる。した
がって、この距離を１０〜１００μｍ程度に保つことが
望ましいが、液体ヘリウム温度まで冷却するときの不均
一な熱収縮の影響を考えると、予め室温でこの距離を設
定しておくことは不可能である。第２に、検出コイルの
走査に際し、超伝導体表面との距離が変動すると、検出
信号の大きさが変動しノイズの原因となる。このため、
この距離自体を一定に保つ機構の導入が不可避である。
第３に、検出コイルと超伝導体表面との間にスペーサを
設け、スペーサの厚みだけの間隔を保ちつつ、しゅう動
しながら走査する場合、しゅう動による振動がノイズの
原因となるのみでなく、超伝導体表面を傷つける可能性
がある。この傷（厚みの変動）は磁束トラップの原因と
なるので、該方法は好ましくない。本発明は以上の問題
点を解決する手段を提供するものである。
問題点を解決するための手段 超伝導体表面に沿う方法には堅固に固定され、該表面に
垂直な方法には比較的自由に動きうる支持機構で懸架さ
れたヘッドを用意し、該ヘッドに検出コイルを取り付け
る。該ヘッドには、流体の噴出口が設けられる、流体の
供給管が備わっている。流体は圧力もしくは流量を一定
に保つ制御機構を通過した後、極低温まで冷却されつつ
該ヘッドへ供給され、該噴出口より噴き出す。超動電体
表面上を検出コイルで走査するため、該超伝導体もしく
は該検出コイルを取り付けたヘッドを移動させる駆動機
構を備える。
垂直な方法には比較的自由に動きうる支持機構で懸架さ
れたヘッドを用意し、該ヘッドに検出コイルを取り付け
る。該ヘッドには、流体の噴出口が設けられる、流体の
供給管が備わっている。流体は圧力もしくは流量を一定
に保つ制御機構を通過した後、極低温まで冷却されつつ
該ヘッドへ供給され、該噴出口より噴き出す。超動電体
表面上を検出コイルで走査するため、該超伝導体もしく
は該検出コイルを取り付けたヘッドを移動させる駆動機
構を備える。
作 用 検出コイルを取り付けたヘッドは、超伝導体表面に垂直
な方向には比較的自由に動きうるよう支持されているの
で、ヘッドに設けられた噴出口より噴き出す流体の作用
により、対向する表面上一定の高さ（間隔）に保持され
る。一方、ヘッドは表面に沿う方向には堅固に固定され
ており、超伝導体もしくはヘッドを移動させる駆動機構
によって相互の位置関係を変化させうるので、検出コイ
ルで超伝導体表面を走査しつつ、磁束分布を測定しう
る。
な方向には比較的自由に動きうるよう支持されているの
で、ヘッドに設けられた噴出口より噴き出す流体の作用
により、対向する表面上一定の高さ（間隔）に保持され
る。一方、ヘッドは表面に沿う方向には堅固に固定され
ており、超伝導体もしくはヘッドを移動させる駆動機構
によって相互の位置関係を変化させうるので、検出コイ
ルで超伝導体表面を走査しつつ、磁束分布を測定しう
る。
次に流体の作用について第１図を参照して説明する。ヘ
ッド１に壁に押しつける方向の弱くない力が働く場合の
現象を解析するためにはよく知られた軸受理論がある。
しかし、本発明によるヘッド１にはそのような力を必要
としないことが特徴であり、その場合には、従来の軸受
理論とは異なった以下に述べる理論を用いる必要があ
る。まず、ヘッド１へ供給された流体が噴出口２を通過
して狭い間隙（ヘッド１とこれに対向する表面の中間部
分）へ突入するとき、入口での流体の速度Ｕ１は断熱噴
流の式を用いて、 U1＝(RTs／M)1/2Cθ{2γ／(γ−1)}1/2 {1−(P1／Ps)1-1/r}1/2 …（１） と表わされる。ここでＲは気体定数、Ｔｓ、Ｐｓはそれ
ぞれ供給する流体の温度および圧力、Ｍは流体の分子
量、Ｃθは流体係数、γは比熱比、Ｐ１は噴き出し後の
圧力である。一方、該表面と該ヘッドの間の狭い間隙を
流れる流体にベルヌイの定理を適用すると、 P1＝Pa−(1/2)ρU1 2［1−(Ua／U1)2］ ＝Pa−(1/2)ρU1 2［1−{R1／R2 (1-2δ／h)}２］ …（２） となる。ここで、Ｐａは周囲の圧力、ρは流体の密度、
Ｕａはヘッド１の外周部から噴き出す流体の速度、Ｒ１
は噴出口の半径、Ｒ２はヘッド１の外径、ｈは間隙の高
さ、δは変位厚さである。この変位厚さは、流体の粘性
のために壁の近くにできる境界層の厚さに関係する量で
ある。ここで、Ｐ１、Ｕ１を未知量として、式（１）、
（２）を連立して解き、さらに（２）式と同様の式で各
部分の圧力を求める。外側ほど周長が長く流路断面積が
広くなるので、速度が小さくなり圧力は高くなる。した
がって、第２図に示すような圧力分布となる。この圧力
分布は、式（２）に示すように変位厚さδと間隙の高さ
ｈとの比を通じてｈに依存しているので、この圧力分布
に基づいてヘッドに働く力を計算すると第３図に示すよ
うに、ヘッドと表面の間隙が小さいとき反発力、大きい
とき吸引力となり、ある高さで力はゼロとなる。流体の
作用以外の原因（流体の供給管等の剛性）によるヘッド
に働く力が充分小さければこの高さ（浮上力ゼロの点）
で安定に浮上する。なお、第３図は供給ガス圧８２０To
rrの際の浮上力と間隔の高さとの関係を示している。式
（２）で流体の圧縮性を考慮した計算を行なうと、定量
的変化はあるが本質的な変化はない。
ッド１に壁に押しつける方向の弱くない力が働く場合の
現象を解析するためにはよく知られた軸受理論がある。
しかし、本発明によるヘッド１にはそのような力を必要
としないことが特徴であり、その場合には、従来の軸受
理論とは異なった以下に述べる理論を用いる必要があ
る。まず、ヘッド１へ供給された流体が噴出口２を通過
して狭い間隙（ヘッド１とこれに対向する表面の中間部
分）へ突入するとき、入口での流体の速度Ｕ１は断熱噴
流の式を用いて、 U1＝(RTs／M)1/2Cθ{2γ／(γ−1)}1/2 {1−(P1／Ps)1-1/r}1/2 …（１） と表わされる。ここでＲは気体定数、Ｔｓ、Ｐｓはそれ
ぞれ供給する流体の温度および圧力、Ｍは流体の分子
量、Ｃθは流体係数、γは比熱比、Ｐ１は噴き出し後の
圧力である。一方、該表面と該ヘッドの間の狭い間隙を
流れる流体にベルヌイの定理を適用すると、 P1＝Pa−(1/2)ρU1 2［1−(Ua／U1)2］ ＝Pa−(1/2)ρU1 2［1−{R1／R2 (1-2δ／h)}２］ …（２） となる。ここで、Ｐａは周囲の圧力、ρは流体の密度、
Ｕａはヘッド１の外周部から噴き出す流体の速度、Ｒ１
は噴出口の半径、Ｒ２はヘッド１の外径、ｈは間隙の高
さ、δは変位厚さである。この変位厚さは、流体の粘性
のために壁の近くにできる境界層の厚さに関係する量で
ある。ここで、Ｐ１、Ｕ１を未知量として、式（１）、
（２）を連立して解き、さらに（２）式と同様の式で各
部分の圧力を求める。外側ほど周長が長く流路断面積が
広くなるので、速度が小さくなり圧力は高くなる。した
がって、第２図に示すような圧力分布となる。この圧力
分布は、式（２）に示すように変位厚さδと間隙の高さ
ｈとの比を通じてｈに依存しているので、この圧力分布
に基づいてヘッドに働く力を計算すると第３図に示すよ
うに、ヘッドと表面の間隙が小さいとき反発力、大きい
とき吸引力となり、ある高さで力はゼロとなる。流体の
作用以外の原因（流体の供給管等の剛性）によるヘッド
に働く力が充分小さければこの高さ（浮上力ゼロの点）
で安定に浮上する。なお、第３図は供給ガス圧８２０To
rrの際の浮上力と間隔の高さとの関係を示している。式
（２）で流体の圧縮性を考慮した計算を行なうと、定量
的変化はあるが本質的な変化はない。
実施例 本発明の実施例を第４図から第６図に示す。第４図は全
体の構成図で、高圧ガスボンベ３から減圧弁４を通して
供給されたヘリウムガスは、圧力センサ６と流量制御弁
５の作用によって一定圧力に保たれてヘッド１へ供給さ
れ、その噴出口より噴き出す。超伝導体１１にトラップ
された磁束は、検出コイル８で感知され、入力コイル９
を介してＳＱＵＩＤ１０で検出される。超伝導体１１は
駆動機構１２によって上下に移動、および、回転するこ
とが可能で、検出コイル８は超伝導体１１上の任意の位
置へ移動できる。
体の構成図で、高圧ガスボンベ３から減圧弁４を通して
供給されたヘリウムガスは、圧力センサ６と流量制御弁
５の作用によって一定圧力に保たれてヘッド１へ供給さ
れ、その噴出口より噴き出す。超伝導体１１にトラップ
された磁束は、検出コイル８で感知され、入力コイル９
を介してＳＱＵＩＤ１０で検出される。超伝導体１１は
駆動機構１２によって上下に移動、および、回転するこ
とが可能で、検出コイル８は超伝導体１１上の任意の位
置へ移動できる。
第５図はヘッド１の部分断面図で、ヘリウムガスは流体
ヘリウム温度近くまで冷却されつつ、供給管２１を通っ
てヘッド１へ供給され、噴出口２より吹き出す。コイル
８は非磁性材料の芯棒２２に巻かれている。第６図はヘ
ッド１を超伝導体１１の側から見込んだ図である。室温
部に連結された太い供給管２４で供給されたヘリウムガ
スは、中空のリング型枠２３内で３分割され、微細な供
給管２１を通って、ヘッド１へ供給される。ヘッド１は
超伝導体１１の表面に沿う方向へは、供給管２１の長手
方向の伸縮に対する抵抗によって堅固に固定されている
が、該表面に垂直な方向へは、供給管２１の曲げによっ
て比較的容易に動きうる。第７図は、供給ガスの圧力と
浮上力がゼロとなる高さ（浮上の高さ）との関係を示
す。この図より１５〜２５μｍの高さの浮上が可能なこ
とがわかる。第８図は、直径０．１mmの検出コイル８が
捕える磁束量を、コイルと超伝導体１１の表面との間隔
（浮上高さ）を変えて計算したものである。浮上高さが
小さいほど、捕える磁束量が増加し、測定が容易になる
（Ｓ／Ｎ比が向上する）ことがわかる。磁束源は超伝導
体１１にトラップされた１本の磁束量子と仮定した。
ヘリウム温度近くまで冷却されつつ、供給管２１を通っ
てヘッド１へ供給され、噴出口２より吹き出す。コイル
８は非磁性材料の芯棒２２に巻かれている。第６図はヘ
ッド１を超伝導体１１の側から見込んだ図である。室温
部に連結された太い供給管２４で供給されたヘリウムガ
スは、中空のリング型枠２３内で３分割され、微細な供
給管２１を通って、ヘッド１へ供給される。ヘッド１は
超伝導体１１の表面に沿う方向へは、供給管２１の長手
方向の伸縮に対する抵抗によって堅固に固定されている
が、該表面に垂直な方向へは、供給管２１の曲げによっ
て比較的容易に動きうる。第７図は、供給ガスの圧力と
浮上力がゼロとなる高さ（浮上の高さ）との関係を示
す。この図より１５〜２５μｍの高さの浮上が可能なこ
とがわかる。第８図は、直径０．１mmの検出コイル８が
捕える磁束量を、コイルと超伝導体１１の表面との間隔
（浮上高さ）を変えて計算したものである。浮上高さが
小さいほど、捕える磁束量が増加し、測定が容易になる
（Ｓ／Ｎ比が向上する）ことがわかる。磁束源は超伝導
体１１にトラップされた１本の磁束量子と仮定した。
第９図は、検出コイル８の中心軸と磁束源との面に平行
な方向での距離を変えたとき、検出コイル８が捕える磁
束量の変化である。浮上高さ（ｈ）が小さいほど、磁束
量の変化率が大きく、空間分解能が高い。
な方向での距離を変えたとき、検出コイル８が捕える磁
束量の変化である。浮上高さ（ｈ）が小さいほど、磁束
量の変化率が大きく、空間分解能が高い。
他の実施例 第４図の例では検出コイル８と入力コイル９とで磁束ト
ランスを構成しているが、検出コイル８としてＳＱＵＩ
Ｄリング１０を用いて、直接磁束を感知することも可能
である。
ランスを構成しているが、検出コイル８としてＳＱＵＩ
Ｄリング１０を用いて、直接磁束を感知することも可能
である。
第４図の例では、高圧ガスボンベ３からヘリウムガスを
供給しているが、噴出口２から噴き出したヘリウムガス
および液体ヘリウム７の蒸発ガスを回収し、圧縮機で加
圧して再び供給することも可能である。
供給しているが、噴出口２から噴き出したヘリウムガス
および液体ヘリウム７の蒸発ガスを回収し、圧縮機で加
圧して再び供給することも可能である。
第４図の例では、液体ヘリウム７の中へ、ヘリウムガス
を噴き出しているが、液体ヘリウム中にヘリウムガスを
満たした別室を設け、その中にヘッド１と超伝導体１１
とを収めることもできる。
を噴き出しているが、液体ヘリウム中にヘリウムガスを
満たした別室を設け、その中にヘッド１と超伝導体１１
とを収めることもできる。
第４図では供給されるヘリウムガスの冷却手段は明示さ
れていないが、液体ヘリウムと直接熱交換する方法、も
しくは、熱交換器を設け、蒸発ガスと熱交換させる方法
がある。
れていないが、液体ヘリウムと直接熱交換する方法、も
しくは、熱交換器を設け、蒸発ガスと熱交換させる方法
がある。
第５図で検出コイル８として一次微分型を用いることも
外部磁場の影響を更に減じることになり有効である。
外部磁場の影響を更に減じることになり有効である。
第６図ではヘッド１を３本の微細管で支持しているが、
１本もしくは２本は細線でもよく、また、ガス供給は別
のペローズで行ない、支持は３本の細線で行なう方法も
ある。
１本もしくは２本は細線でもよく、また、ガス供給は別
のペローズで行ない、支持は３本の細線で行なう方法も
ある。
発明の効果 本発明によれば、超伝導シールド容器壁やジョセフソン
回路のグラウンドプレーン等にトラップされた磁束の有
無とその位置とを検出できるので、この磁束を排除する
方策を施すことにより、超微弱磁場空間を実現するこ
と、また、トラップされた磁束によるジョセフソン素子
の誤動作を防止することが可能となる。
回路のグラウンドプレーン等にトラップされた磁束の有
無とその位置とを検出できるので、この磁束を排除する
方策を施すことにより、超微弱磁場空間を実現するこ
と、また、トラップされた磁束によるジョセフソン素子
の誤動作を防止することが可能となる。
第１図は本発明におけるヘッド浮上の原理を説明するた
めの概略図、 第２図は第１図に示されたヘッドにおける圧力分布を示
す図、 第３図は該ヘッドに働く力と間隙の高さとの関係を示す
図、 第４図は本発明による磁束分布測定装置の全体図、 第５図は本発明のヘッドの中心軸を含む平面での断面
図、 第６図は超伝導体側からの本発明のヘッドの平面図、 第７図は供給ガス圧力と浮上の高さとの関係を示す図、 第８図は検出コイルが捕える磁束量と浮上の高さとの関
係を示す図、 第９図は磁束源とコイルの中心軸との距離を変えたとき
の検出コイルが捕える磁束量の変化の様子を示す図であ
る。 １……ヘッド ２……噴出口 ３……高圧ボンベ ４……減圧弁 ５……圧力制御弁 ６……圧力センサ ７……液体ヘリウム ８……検出コイル ９……入力コイル １０……ＳＱＵＩＤ １１……超伝導体 ２１……供給管 ２２……芯棒 ２３……リング型枠 ２４……供給管
めの概略図、 第２図は第１図に示されたヘッドにおける圧力分布を示
す図、 第３図は該ヘッドに働く力と間隙の高さとの関係を示す
図、 第４図は本発明による磁束分布測定装置の全体図、 第５図は本発明のヘッドの中心軸を含む平面での断面
図、 第６図は超伝導体側からの本発明のヘッドの平面図、 第７図は供給ガス圧力と浮上の高さとの関係を示す図、 第８図は検出コイルが捕える磁束量と浮上の高さとの関
係を示す図、 第９図は磁束源とコイルの中心軸との距離を変えたとき
の検出コイルが捕える磁束量の変化の様子を示す図であ
る。 １……ヘッド ２……噴出口 ３……高圧ボンベ ４……減圧弁 ５……圧力制御弁 ６……圧力センサ ７……液体ヘリウム ８……検出コイル ９……入力コイル １０……ＳＱＵＩＤ １１……超伝導体 ２１……供給管 ２２……芯棒 ２３……リング型枠 ２４……供給管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯山 純平 神奈川県伊勢原市沼目２―14―51 オリー ブハイツ中野101 (72)発明者 南 展史 神奈川県茅ケ崎市本村４丁目２―40―205 (72)発明者 成瀬 文雄 神奈川県横浜市港北区大豆戸町808―２ 大倉山ハイム８―1001 (72)発明者 後藤 英一 神奈川県藤沢市辻堂東海岸３―９ 湘南ハ イムＦＥ305 (56)参考文献 特開 昭64−49111（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−1954（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−39677（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−268174（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−249983（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】超伝導体にトラップされた磁束の分布を測
定するために、ＳＱＵＩＤを備えた磁束分布測定装置に
おいて、超伝導体表面に垂直な方向には比較的自由に動
きうる支持機構で懸架されたヘッドに検出コイルを取り
付け、かつ、該ヘッドに流体の噴出口を設け、圧力もし
くは流量を制御する機構を介して、流体を極低温まで冷
却しつつ噴出口まで供給できるようにし、かつ、該超伝
導体と該ヘッドとの表面に沿う方向での相互位置関係を
変化させる駆動機構を設けたことを特徴とする磁束分布
測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065182A JPH0614111B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 磁束分布測定装置 |
| US07/494,987 US5053707A (en) | 1989-03-17 | 1990-03-16 | Apparatus for positioning a pick-up coil for detecting magnetic flux quantum trapped in a superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065182A JPH0614111B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 磁束分布測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02243982A JPH02243982A (ja) | 1990-09-28 |
| JPH0614111B2 true JPH0614111B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=13279518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1065182A Expired - Lifetime JPH0614111B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 磁束分布測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5053707A (ja) |
| JP (1) | JPH0614111B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03264874A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Shin Gijutsu Jigyodan | 高感度磁束計 |
| EP0634663B1 (en) * | 1993-07-12 | 2000-02-16 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Non-destructive testing equipment having SQUID type magnetic sensor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3437919A (en) * | 1965-07-01 | 1969-04-08 | Nasa | Cryogenic apparatus for measuring the intensity of magnetic fields |
| US3445761A (en) * | 1965-09-22 | 1969-05-20 | Us Army | Magnetic field intensity meter |
| US3646813A (en) * | 1969-09-09 | 1972-03-07 | Atomic Energy Commission | Cryogenic-sensing device using uranium monophosphide-uranium monosulphide |
| US3696290A (en) * | 1970-07-22 | 1972-10-03 | Hays Corp | Magnetic non-contact thickness gauge with means to compensate the effects of stray fields on the gauge |
| US4528507A (en) * | 1981-10-26 | 1985-07-09 | Accuray Corporation | Sheet measuring apparatus with two structurally isolated non-contacting surface follower bodies and wireless signal transmission |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1065182A patent/JPH0614111B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-16 US US07/494,987 patent/US5053707A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5053707A (en) | 1991-10-01 |
| JPH02243982A (ja) | 1990-09-28 |
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