JPH06138843A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH06138843A JPH06138843A JP28910792A JP28910792A JPH06138843A JP H06138843 A JPH06138843 A JP H06138843A JP 28910792 A JP28910792 A JP 28910792A JP 28910792 A JP28910792 A JP 28910792A JP H06138843 A JPH06138843 A JP H06138843A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、アモルファスシリコン
を半導体層材料とする薄膜トランジスタをスイッチング
素子として用いる液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device using a thin film transistor using amorphous silicon as a semiconductor layer material as a switching element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】アモルファスシリコンを半導体層材料と
する薄膜トランジスタは、高温時にはオフ電流の増加に
よりオフ特性が低下し、低温時には易動度の低下により
オン特性が低下するという好ましくない特性を有する。2. Description of the Related Art A thin film transistor using amorphous silicon as a semiconductor layer material has an unfavorable characteristic that the off characteristic is deteriorated by an increase in off current at a high temperature and the on characteristic is deteriorated by a decrease in mobility at a low temperature.
【０００３】一方、車載用液晶表示装置は、−３０°Ｃ
〜８５°Ｃと比較的広範囲の環境温度下に置かれる。On the other hand, the in-vehicle liquid crystal display device has a temperature of -30 ° C.
It is exposed to a relatively wide range of environmental temperature of ~ 85 ° C.
【０００４】このため、アモルファスシリコン使用の薄
膜トランジスタをスイッチング素子として用いた車載用
液晶表示装置においては、薄膜トランジスタの高温時に
おけるオフ特性の低下、低温時におけるオン特性の低下
により、コントラストが低下するという問題があった。Therefore, in a vehicle-mounted liquid crystal display device using a thin film transistor using amorphous silicon as a switching element, the contrast is deteriorated due to the deterioration of the off characteristic at high temperature and the deterioration of the on characteristic at low temperature. was there.
【０００５】この問題を解決するために、従来から、高
温時のオフ特性を基準として薄膜トランジスタの駆動条
件を設定し、かつ、低温時には透明ヒータを用いて温度
補償をするようにした液晶表示装置が知られている。In order to solve this problem, conventionally, there has been a liquid crystal display device in which a driving condition of a thin film transistor is set with reference to an off characteristic at a high temperature and temperature compensation is performed by using a transparent heater at a low temperature. Are known.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記透
明ヒータを用いた液晶表示装置においては、透明ヒータ
が高コストであることにより装置全体がコスト高になる
という問題、及び、透明ヒータにより表示部の透過率
（表示輝度）が低下するという問題等があった。However, in the liquid crystal display device using the transparent heater, the cost of the transparent heater is high, and the cost of the entire device is high. There is a problem that the transmittance (display brightness) is reduced.
【０００７】本発明は上記問題点にかんがみ、比較的広
範囲の環境温度下で使用される場合においても、透明ヒ
ータを用いることなくコントラストの向上を図ることが
できる液晶表示装置を提供することを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of improving contrast without using a transparent heater even when used in a relatively wide range of environmental temperatures. And
【０００８】そして、本発明は、以下に述べるような点
に着目してなされたものである。The present invention has been made paying attention to the following points.
【０００９】薄膜トランジスタを用い、アクティブマト
リクス方式をとる液晶表示装置の各液晶表示素子は、図
４に示すような電気等価回路で表わされる。そして、液
晶表示素子の駆動波形は、例えば図５に示される。図５
において、ＶGH、ＶGL、ＴGO N 、ＶSW、ＶSB、ＶSC、Ｔ
S 、ＶC 、ＶCC、ＴC 、ＴF 、Ｖm1、Ｖm2、ＶCGD は、
それぞれ、ゲート電圧ハイレベル、ゲート電圧ローレベ
ル、ゲートオン時間、白表示時のソース電圧振幅、黒表
示時のソース電圧振幅、ソース電圧振幅中心、ソース周
期時間、コモン電圧振幅、コモン電圧振幅中心、コモン
周期時間、フィールド時間、電荷保持電圧、書込電圧、
突抜電圧を表わしている。Each liquid crystal display element of an active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors is represented by an electrical equivalent circuit as shown in FIG. The driving waveform of the liquid crystal display element is shown in FIG. 5, for example. Figure 5
In, V GH, V GL, T GO N, V SW, V SB, V SC, T
S , V C , V CC , T C , T F , V m1 , V m2 , and V CGD are
Gate voltage high level, gate voltage low level, gate on time, source voltage amplitude during white display, source voltage amplitude during black display, source voltage amplitude center, source cycle time, common voltage amplitude, common voltage amplitude center, common Cycle time, field time, charge retention voltage, write voltage,
It represents the breakthrough voltage.
【００１０】図５に示したような駆動波形により駆動さ
れる薄膜トランジスタは、そのオフ特性については、電
荷保持電圧Ｖm1により決定され、また、オン特性につい
ては、書込電圧Ｖm2により決定される。ここで、電荷保
持電圧Ｖm1は下記式(1) により、書込電圧Ｖm2は下記式
(2) によりそれぞれ表わされる。The thin film transistor driven by the drive waveform as shown in FIG. 5 has its off characteristic determined by the charge holding voltage V m1 and its on characteristic determined by the write voltage V m2. . Here, the charge holding voltage V m1 is given by the following equation (1), and the write voltage V m2 is given by the following equation (1).
Each is represented by (2).
【００１１】 Ｖm1＝（ＶSC−ＶSB−ＶC ×２−ＶCGD ）−ＶGL (1) Ｖm2＝ＶGH−（ＶSC＋ＶSB） (2) 薄膜トランジスタのオフ特性は、電荷保持電圧Ｖm1が大
きいほど良好になり、また、オン特性は、書込電圧Ｖm2
が大きいほど良好になる。このため、オフ特性及びオン
特性の向上を図ろうとして、ソース電圧振幅中心ＶSCを
変化させる（この場合、突抜電圧ＶCGD を維持するため
にコモン電圧振幅中心ＶCCも同時に変化させる）ことが
考えられるが、単にソース電圧振幅中心ＶSCを変化させ
るようにしただけでは、オフ特性、オン特性の両方を同
時に向上させることはできない。なぜならば、ソース電
圧振幅中心ＶSCをゲート電圧ハイレベルＶGHに近づける
ように変化させた場合には、電荷保持電圧Ｖm1の増加に
よりオフ特性については向上するが、反面、書込電圧Ｖ
m2が減少しオン特性が低下することになり、また、ソー
ス電圧振幅中心ＶSCをゲート電圧ローレベルＶGLに近づ
けるように変化させた場合には、書込電圧Ｖm2の増加に
よりオン特性については向上するが、電荷保持電圧Ｖm1
が減少しオフ特性が低下することになるからである。V m1 = (V SC −V SB −V C × 2-V CGD ) −V GL (1) V m2 = V GH − (V SC + V SB ) (2) The off characteristic of the thin film transistor is the charge retention. The larger the voltage V m1 is, the better the voltage is, and the on-characteristic is the write voltage V m2.
The larger is, the better. Therefore, the source voltage amplitude center V SC can be changed (in this case, the common voltage amplitude center V CC is also changed at the same time in order to maintain the punch-out voltage V CGD ) in an attempt to improve the off characteristic and the on characteristic. Although considered, it is not possible to improve both the off characteristic and the on characteristic at the same time simply by changing the source voltage amplitude center V SC . This is because when the source voltage amplitude center V SC is changed so as to approach the gate voltage high level V GH , the charge retention voltage V m1 increases, but the off characteristic improves, but on the other hand, the write voltage V
When m2 decreases and the ON characteristic deteriorates, and when the source voltage amplitude center V SC is changed so as to approach the gate voltage low level V GL , the write voltage V m2 increases and the ON characteristic changes. Is improved, but the charge holding voltage V m1
Is decreased, and the off characteristic is deteriorated.
【００１２】さらに、オン特性及びオフ特性には、温度
依存性があり、下記表１に示す駆動条件の下、薄膜トラ
ンジスタの周囲温度を−３０°Ｃ、０°Ｃ、４５°Ｃ、
８５°Ｃにそれぞれ設定しておき、ソース電圧振幅中心
ＶSCを変化させた（コモン電圧振幅中心ＶCCも同時に変
化させる）場合、相対コントラストは、図６に示すよう
になった。Further, the ON characteristic and the OFF characteristic have temperature dependency, and under the driving conditions shown in Table 1 below, the ambient temperature of the thin film transistor is −30 ° C., 0 ° C., 45 ° C.
When the temperature was set to 85 ° C. and the source voltage amplitude center V SC was changed (the common voltage amplitude center V CC was also changed at the same time), the relative contrast was as shown in FIG.
【００１３】[0013]
【表１】 [Table 1]
【００１４】図６から、周囲温度が−３０°Ｃのとき
は、ソース電圧振幅中心ＶSCが−７．５Ｖ〜−５Ｖの範
囲内に、周囲温度が０°Ｃのときは、ソース電圧振幅中
心ＶSCが−６．５Ｖ〜３Ｖの範囲内に、周囲温度が４５
°Ｃのときは、ソース電圧振幅中心ＶSCが−５Ｖ〜−
０．５Ｖの範囲内に、周囲温度が８５°Ｃのときは、ソ
ース電圧振幅中心ＶSCが−４Ｖ〜１Ｖの範囲内にあれ
ば、コントラストが低下しないことがわかる。From FIG. 6, the source voltage amplitude center V SC is within the range of −7.5 V to −5 V when the ambient temperature is −30 ° C., and the source voltage amplitude is 0 C when the ambient temperature is 0 ° C. The center V SC is within the range of -6.5V to 3V, and the ambient temperature is 45.
When the temperature is ° C, the source voltage amplitude center V SC is -5V to-
It can be seen that when the ambient temperature is 85 ° C. within the range of 0.5 V and the center V SC of the source voltage amplitude is within the range of −4 V to 1 V, the contrast does not decrease.
【００１５】本発明は、上述したような考察に基づき、
薄膜トランジスタのオン特性及びオフ特性の温度依存性
を考慮に入れ、透明ヒータを用いることなくコントラス
トの向上を図ることを目的とする。The present invention is based on the above consideration.
It is an object of the present invention to improve the contrast without using a transparent heater in consideration of the temperature dependence of the ON characteristics and the OFF characteristics of the thin film transistor.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】このため、本発明に係る
液晶表示装置は、アモルファスシリコンを半導体層材料
とする薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い
る液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタの周囲
温度を検出する温度検出手段と、ソース電圧振幅中心Ｖ
SCとゲート電圧ＶGH，ＶGLとの電圧差を前記検出温度に
応じて変化させる電圧設定回路と、を設け、前記電圧設
定回路は、高温時には、ソース電圧振幅中心ＶSCとゲー
ト電圧ローレベルＶGLとの電圧差が大きくなるよう、ま
た、低温時には、ソース電圧振幅中心ＶSCとゲート電圧
ハイレベルＶGHとの電圧差が大きくなるよう、ソース電
圧振幅中心ＶSC又はゲート電圧ＶGH，ＶGLを設定するよ
う構成されることを特徴とする。Therefore, a liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device using a thin film transistor using amorphous silicon as a semiconductor layer material as a switching element, and a temperature detecting device for detecting an ambient temperature of the thin film transistor. Means and source voltage amplitude center V
And a voltage setting circuit that changes the voltage difference between the SC and the gate voltages V GH and V GL according to the detected temperature, the voltage setting circuit having a source voltage amplitude center V SC and a gate voltage low level at high temperature. The source voltage amplitude center V SC or the gate voltage V GH , so that the voltage difference with the V GL becomes large and the voltage difference between the source voltage amplitude center V SC and the gate voltage high level V GH becomes large at low temperature. It is characterized in that it is configured to set V GL .
【００１７】[0017]
【発明の作用効果】高温時、電圧設定回路は、ソース電
圧振幅中心ＶSCとゲート電圧ローレベルＶ GLとの電圧差
が大きくなるようソース電圧振幅中心ＶSC又はゲート電
圧ＶGLを設定する。このようにソース電圧振幅中心ＶSC
又はゲート電圧ＶGLを設定することにより、電荷保持電
圧Ｖm1が増加し、高温時におけるオフ特性が向上する。
一方、書込電圧Ｖm2は減少するが、高温時のオン特性
は、もともと良好であることから、書込電圧Ｖm2の減少
によるオン特性の低下はほとんど無視しうる。When the temperature is high, the voltage setting circuit is
Pressure amplitude center VSCAnd gate voltage low level V GLVoltage difference from
The source voltage amplitude center VSCOr gate
Pressure VGLTo set. Thus, the source voltage amplitude center VSC
Or gate voltage VGLBy setting the
Pressure Vm1And the off characteristic at high temperature is improved.
On the other hand, the write voltage Vm2Decrease, but on characteristics at high temperature
Is originally good, the write voltage Vm2Decrease of
The deterioration of the on-characteristic due to is almost negligible.
【００１８】一方、低温時、電圧設定回路は、ソース電
圧振幅中心ＶSCとゲート電圧ハイレベルＶGHとの電圧差
が大きくなるようソース電圧振幅中心ＶSC又はゲート電
圧Ｖ GHを設定する。このようにソース電圧振幅中心ＶSC
又はゲート電圧ＶGHを設定することにより、書込電圧Ｖ
m2が増加し、低温時におけるオン特性が向上する。一
方、電荷保持電圧Ｖm1は減少するが、低温時のオフ特性
は、もともと良好であることから、電荷保持電圧Ｖm1の
減少によるオフ特性の低下はほとんど無視しうる。On the other hand, at low temperature, the voltage setting circuit
Pressure amplitude center VSCAnd gate voltage high level VGHVoltage difference from
The source voltage amplitude center VSCOr gate
Pressure V GHTo set. Thus, the source voltage amplitude center VSC
Or gate voltage VGHBy setting the write voltage V
m2And the on-characteristic at a low temperature is improved. one
The charge holding voltage Vm1Decrease, but off characteristics at low temperature
Is originally good, the charge holding voltage Vm1of
The decrease in the off characteristic due to the decrease can be almost ignored.
【００１９】従って、本発明に係る液晶表示装置を比較
的広範囲の環境温度下で使用した場合においても、薄膜
トランジスタのオン特性及びオフ特性が良好なものとし
て維持されるため、従来のような透明ヒータを用いるこ
となくコントラストの向上を図ることができるようにな
る。Therefore, even when the liquid crystal display device according to the present invention is used in a relatively wide range of environmental temperatures, the ON and OFF characteristics of the thin film transistor are maintained as good, so that the conventional transparent heater is used. It becomes possible to improve the contrast without using.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】本実施例に係る液晶表示装置は、図１に示
すように、アモルファスシリコンを半導体層材料とする
薄膜トランジスタ１をスイッチング素子として用いたア
クティブマトリクス型のものであり、各薄膜トランジス
タ１のソース電極はソース線２に、ゲート電極はゲート
線３に、ドレイン電極は画素電極４にそれぞれ接続され
ている。なお、図示を省略したが、各画素電極４は液晶
層を挟んでコモン電極と対向配置されている。各ソース
線２はソースドライバ５に、また、各ゲート線３はゲー
トドライバ６に接続されている。As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device according to this embodiment is an active matrix type in which a thin film transistor 1 using amorphous silicon as a semiconductor layer material is used as a switching element, and a source electrode of each thin film transistor 1 is used. Is connected to the source line 2, the gate electrode is connected to the gate line 3, and the drain electrode is connected to the pixel electrode 4. Although not shown, each pixel electrode 4 is arranged so as to face the common electrode with the liquid crystal layer interposed therebetween. Each source line 2 is connected to a source driver 5, and each gate line 3 is connected to a gate driver 6.
【００２２】液晶表示装置のパネル近傍には、薄膜トラ
ンジスタ１の周囲温度（動作温度）を検出するべく、サ
ーミスタその他の温度検出手段７が配設されている。温
度検出手段７は電圧設定回路８に接続されている。A temperature detecting means 7 such as a thermistor is arranged near the panel of the liquid crystal display device to detect the ambient temperature (operating temperature) of the thin film transistor 1. The temperature detecting means 7 is connected to the voltage setting circuit 8.
【００２３】電圧設定回路８は、図２に示すように構成
されている。図２において、符号５は上記ソースドライ
バ、７は上記温度検出手段としてのサーミスタ、９は全
系オフセット調整抵抗、１０は単位温度当たりオフセッ
ト調整抵抗、１１はコモン信号オフセット調整抵抗をそ
れぞれ表わしている。The voltage setting circuit 8 is constructed as shown in FIG. In FIG. 2, reference numeral 5 is the source driver, 7 is the thermistor as the temperature detecting means, 9 is the entire system offset adjusting resistor, 10 is the offset adjusting resistor per unit temperature, and 11 is the common signal offset adjusting resistor. .
【００２４】この電圧設定回路８において、ビデオ信号
は、コンデンサ１２により直流分がカットされて交流信
号となる。この交流信号は、サーミスタ７の抵抗変化に
応じたオフセットがかけられ、周囲温度（動作温度）に
対し、図３に示すようなソース電圧振幅中心ＶSCをもつ
ソース信号がソースドライバから出力されるよう構成さ
れている。また、コモン電圧振幅中心ＶCCについてもソ
ース電圧振幅中心ＶSCと同様、周囲温度に対し、変化す
るよう構成されている。ただし、コモン電圧振幅中心Ｖ
CCは、周囲温度（動作温度）とは関係なく常にソース電
圧振幅中心ＶSCより一定の突抜電圧ＶCGD だけ小さい値
となるよう、コモン信号オフセット調整抵抗１１により
調整される。その他、調整用として、全系オフセット調
整抵抗９、単位温度当たりオフセット調整抵抗１０が設
けられている。In this voltage setting circuit 8, the DC component of the video signal is cut by the capacitor 12 to become an AC signal. This AC signal is offset according to the resistance change of the thermistor 7, and a source signal having a source voltage amplitude center V SC as shown in FIG. 3 is output from the source driver with respect to the ambient temperature (operating temperature). Is configured. The common voltage amplitude center V CC is also configured to change with respect to the ambient temperature, like the source voltage amplitude center V SC . However, the common voltage amplitude center V
CC is adjusted by the common signal offset adjusting resistor 11 so that CC is always smaller than the source voltage amplitude center V SC by a constant punch-through voltage V CGD regardless of the ambient temperature (operating temperature). Besides, for adjustment, an entire system offset adjusting resistor 9 and an offset adjusting resistor 10 per unit temperature are provided.
【００２５】なお、図３に示した周囲温度（動作温度）
に対するソース電圧振幅中心ＶSCの設定値は、「発明が
解決しようとする課題」の項で述べたように、所定の駆
動条件で薄膜トランジスタ１を駆動することにより図６
に示す実験データが得られたことに基づいて決定したも
のである。The ambient temperature (operating temperature) shown in FIG.
The set value of the source voltage amplitude center V SC with respect to is set by driving the thin film transistor 1 under a predetermined driving condition as described in the section “Problems to be Solved by the Invention”.
It is determined based on the experimental data shown in.
【００２６】その他の実施例に係る液晶表示装置とし
て、温度検出手段７により検出された周囲温度に従っ
て、高温時には、ソース電圧振幅中心ＶSCとゲート電圧
ローレベルＶGLとの電圧差が大きくなるよう、また、低
温時には、ソース電圧振幅中心Ｖ SCとゲート電圧ハイレ
ベルＶGHとの電圧差が大きくなるよう、電圧設定回路８
がゲート電圧ＶGH，ＶGLを設定するよう構成してもよ
い。この場合、ソース電圧振幅中心ＶSC及びコモン電圧
振幅中心ＶCCは一定に保持する。A liquid crystal display device according to another embodiment
According to the ambient temperature detected by the temperature detecting means 7.
At high temperature, the source voltage amplitude center VSCAnd gate voltage
Low level VGLThe voltage difference between the
When warm, the source voltage amplitude center V SCAnd gate voltage
Bell VGHVoltage setting circuit 8 so that the voltage difference between
Is the gate voltage VGH, VGLCan be configured to set
Yes. In this case, the source voltage amplitude center VSCAnd common voltage
Amplitude center VCCHolds constant.
【００２７】以上説明したように、高温時、電圧設定回
路８は、ソース電圧振幅中心ＶSCとゲート電圧ローレベ
ルＶGLとの電圧差が大きくなるようソース電圧振幅中心
ＶSC又はゲート電圧ローレベルＶGLを設定する。このよ
うな設定により、電荷保持電圧Ｖm1が増加し、高温時に
おけるオフ特性が向上する。一方、書込電圧Ｖm2は減少
するが、高温時のオン特性は、もともと良好であること
から、書込電圧Ｖm2の減少によるオン特性の低下はほと
んど無視しうる。As described above, at high temperature, the voltage setting circuit 8 sets the source voltage amplitude center V SC or the gate voltage low level so that the voltage difference between the source voltage amplitude center V SC and the gate voltage low level V GL becomes large. Set V GL . By such setting, the charge holding voltage V m1 is increased and the off characteristic at high temperature is improved. On the other hand, although the write voltage V m2 decreases, the on-characteristic at the time of high temperature is originally good, so that the deterioration of the on-characteristic due to the decrease of the write voltage V m2 can be almost ignored.
【００２８】一方、低温時、電圧設定回路８は、ソース
電圧振幅中心ＶSCとゲート電圧ハイレベルＶGHとの電圧
差が大きくなるようソース電圧振幅中心ＶSC又はゲート
電圧ハイレベルＶGHを設定する。このような設定によ
り、書込電圧Ｖm2が増加し、低温時におけるオン特性が
向上する。一方、電荷保持電圧Ｖm1は減少するが、低温
時のオフ特性は、もともと良好であることから、電荷保
持電圧Ｖm1の減少によるオフ特性の低下はほとんど無視
しうる。On the other hand, when the temperature is low, the voltage setting circuit 8 sets the source voltage amplitude center V SC or the gate voltage high level V GH to the voltage difference between the source voltage amplitude center V SC and the gate voltage high level V GH is larger To do. With such a setting, the write voltage V m2 is increased and the ON characteristic at low temperature is improved. On the other hand, although the charge holding voltage V m1 decreases, the off characteristic at low temperature is originally good, so that the deterioration of the off characteristic due to the decrease of the charge holding voltage V m1 can be almost ignored.
【００２９】従って、液晶表示装置を比較的広範囲の環
境温度下で使用した場合においても、薄膜トランジスタ
のオン特性及びオフ特性が良好なものとして維持される
ため、従来のような透明ヒータを用いることなくコント
ラストの向上を図ることができるようになる。Therefore, even when the liquid crystal display device is used in a relatively wide range of environmental temperatures, the ON and OFF characteristics of the thin film transistor are maintained as good, so that it is possible to use a transparent heater unlike the conventional one. It becomes possible to improve the contrast.
【図１】一実施例に係る液晶表示装置の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment.
【図２】電圧設定回路を中心とする構成図FIG. 2 is a configuration diagram centering on a voltage setting circuit.
【図３】ソース電圧振幅中心の設定値を示すグラフFIG. 3 is a graph showing a set value of a source voltage amplitude center.
【図４】液晶表示素子の電気等価回路FIG. 4 is an electrical equivalent circuit of a liquid crystal display device.
【図５】液晶表示素子の駆動波形図FIG. 5 is a drive waveform diagram of a liquid crystal display element.
【図６】相対コントラストを示すグラフFIG. 6 is a graph showing relative contrast
１ 薄膜トランジスタ ７ 温度検出手段 ８ 電圧設定回路 1 thin film transistor 7 temperature detecting means 8 voltage setting circuit
Claims (1)
する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる
液晶表示装置において、 前記薄膜トランジスタの周囲温度を検出する温度検出手
段と、 ソース電圧振幅中心とゲート電圧との電圧差を前記検出
温度に応じて変化させる電圧設定回路と、 を設け、前記電圧設定回路は、高温時には、ソース電圧
振幅中心とゲート電圧ローレベルとの電圧差が大きくな
るよう、また、低温時には、ソース電圧振幅中心とゲー
ト電圧ハイレベルとの電圧差が大きくなるよう、ソース
電圧振幅中心又はゲート電圧を設定するよう構成される
ことを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device using a thin film transistor using amorphous silicon as a semiconductor layer material as a switching element, wherein a temperature detecting means for detecting an ambient temperature of the thin film transistor, and a voltage difference between a source voltage amplitude center and a gate voltage are measured. A voltage setting circuit that changes according to the detected temperature is provided, and the voltage setting circuit increases the voltage difference between the center of the source voltage amplitude and the low level of the gate voltage when the temperature is high, and the source voltage amplitude when the temperature is low. A liquid crystal display device, characterized in that the source voltage amplitude center or the gate voltage is set so that the voltage difference between the center and the gate voltage high level becomes large.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28910792A JPH06138843A (en) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28910792A JPH06138843A (en) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138843A true JPH06138843A (en) | 1994-05-20 |
Family
ID=17738886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28910792A Pending JPH06138843A (en) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138843A (en) |
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