JPH0613633A - Formation of solar array - Google Patents
Formation of solar arrayInfo
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- JPH0613633A JPH0613633A JP5062068A JP6206893A JPH0613633A JP H0613633 A JPH0613633 A JP H0613633A JP 5062068 A JP5062068 A JP 5062068A JP 6206893 A JP6206893 A JP 6206893A JP H0613633 A JPH0613633 A JP H0613633A
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は金属箔マトリクス内に
配置されたシリコンの球から、露光した時に発電する太
陽電池(ソーラー・セル)を形成する方法に関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to a method of forming a solar cell from a sphere of silicon placed in a metal foil matrix that produces power when exposed to light.
【0002】[0002]
【従来の技術】太陽光線を他の形の有用なエネルギに変
換することによつてエネルギを発生する装置はよく知ら
れており、太陽が主なエネルギ源であるという経済性の
為、こういう装置は絶えず開発され且つ改良されてい
る。この様な1つの装置が米国特許第4,021,32
3号に記載されており、この米国特許では、硝子又はプ
ラスチックの様な透明なマトリクスで構成されたソーラ
ー・アレーに、その片側にN形表皮部を持つP形のシリ
コン、又はその片側にP形表皮部を持つN形シリコンの
粒子をマトリクス内に埋込んで設けたソーラー・アレー
が記載されている。大体半分の粒子がN形表皮部を持つ
P形であり、残りがP形表皮部を持つN形であることが
好ましいが、この構成を変えることが出来る。マトリク
スの裏側では、それから突出する粒子が適当な導電メタ
ライズ部分によって相互接続される。シリコン粒子の表
皮部がマトリクスの前側から伸出す。こういうアレー
は、マトリクスの前側と接触する電解質、好ましくは臭
化水素酸(HBr)内に浸漬する。電解質と接触する異
なる導電型のシリコン粒子の間の電位差の為、HBrを
泡立つ水素ガスと溶解したままになっている臭素とに電
気分解する太陽光の下で、その間に電位差が設定され
る。水素ガスを収集し、例えば燃料電池等の様なエネル
ギ源とするが、これは周知である。BACKGROUND OF THE INVENTION Devices that generate energy by converting sunlight into other forms of useful energy are well known, and because of the economics of the sun being the primary source of energy, such devices. Is constantly being developed and improved. One such device is U.S. Pat. No. 4,021,32
No. 3, which describes a solar array made of a transparent matrix such as glass or plastic, with P-type silicon having an N-type skin on one side, or P on one side. A solar array is described in which particles of N-type silicon having a shaped skin portion are embedded in a matrix. It is preferable that about half of the particles are P-type having an N-type skin portion and the rest are N-type having a P-type skin portion, but this configuration can be changed. On the back side of the matrix, the particles protruding from it are interconnected by suitable conductive metallization. The skin portion of the silicon particles extends from the front side of the matrix. Such arrays are immersed in an electrolyte, preferably hydrobromic acid (HBr), which contacts the front side of the matrix. Due to the potential difference between the different conductivity type silicon particles in contact with the electrolyte, a potential difference is established therebetween under sunlight which electrolyzes HBr into bubbling hydrogen gas and bromine which remains dissolved. Hydrogen gas is collected and used as an energy source, such as a fuel cell, which is well known.
【0003】こういう形式のソーラー・アレーでは、シ
リコン粒子が電気分解に独立に参加する。その結果、ア
レーによって反応生成物が発生される速度は、若干の粒
子のP−N接合が短絡し又は分路されても、あまり影響
を受けない。In these types of solar arrays, silicon particles independently participate in electrolysis. As a result, the rate at which reaction products are generated by the array is not significantly affected by shorting or shunting the P-N junction of some particles.
【0004】太陽光線から有用なエネルギを発生する別
の装置は、上に述べた種類と同様であるが、電気分解を
行なわずに、電力を発生する様に構成されている。この
様な1つの装置が米国特許第2,904,613号に記
載されている。その他の構成も可能であるが、役に立つ
実施例は、硝子又はプラスチックの様な透明マトリクス
にP形表皮部を持つN形シリコンの粒子を設けて構成さ
れる。粒子のN形のコアがマトリクスの裏側から突出
し、適当な導電メタライズ部分によって相互接続され
る。P形表皮部がマトリクスの前側から突出し、細い金
属格子の上の酸化錫の様な導電性で透光性の材料によっ
て相互接続される。太陽光の下では、このアレーの後側
及び前側の相互接続部の間に電位差が設定され、それを
適当に接続して、外部の電気負荷に直接的に給電するこ
とが出来る。Another device that produces useful energy from solar radiation is similar to the type described above, but is configured to produce electrical power without electrolysis. One such device is described in US Pat. No. 2,904,613. Other configurations are possible, but a useful embodiment consists of providing a transparent matrix, such as glass or plastic, with N-type silicon particles having a P-type skin. The N-shaped core of the particles projects from the backside of the matrix and is interconnected by suitable conductive metallization. A P-shaped skin projects from the front side of the matrix and is interconnected by a conductive, translucent material such as tin oxide on a thin metal grid. Under sunlight, a potential difference is set up between the back and front interconnects of this array, which can be connected appropriately to directly feed an external electrical load.
【0005】この技術の改良が米国特許出願第562,
782号に記載されている。この出願には、前に述べた
発明の改良が記載されている。An improvement on this technique was found in US Patent Application No. 562.
No. 782. This application describes an improvement of the invention described above.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】然し、現状では、上に
述べた従来の方法に従って、ソーラー・セルを製造する
コストはあまり経済性がなく、この従来の方式はこれま
で経済的に大きな成功を収めていない。従って、経済的
に成り立ち得るソーラー・セルを供給する為には、こう
いうアレーを比較的高価ではなく経済的に製造出来るこ
とが絶対条件である。However, at present, according to the conventional method described above, the cost of manufacturing a solar cell is not very economical, and this conventional method has hitherto been economically very successful. I haven't. Therefore, in order to supply economically viable solar cells, it is an absolute requirement that such arrays be economically producible and relatively inexpensive.
【0007】[0007]
【問題を解決するための手段】この発明では、上に述べ
た従来の問題を大幅に削減し、前に引用した従来技術と
較べて、ソーラー・アレーを経済的に製造することが出
来る様なソーラー・アレーを形成する方法を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention significantly reduces the above-noted conventional problems and allows the solar array to be economically manufactured as compared to the prior art cited above. A method of forming a solar array is provided.
【0008】簡単に言うと、この発明では、その表面に
自然の酸化アルミニウムを持つと考えられる様な標準型
の可撓性アルミニウム箔の第1のシートを設けて、ソー
ラー・アレーを形成する。シリコンの球を配置すべき場
所で箔を打出して、金属マトリクスを形成する。その
後、箔をきれいにして有機物を除き、打出しを行なった
薄い区域を除去してそこに開口を作る為にエッチングを
し、シリコン球を挿入する為の場所を作る。別のエッチ
ング工程を用いて、箔にマット面(mattesurf
ace)を作る。箔が、それに適用すべき球に対するハ
ウジングを形成すると共にその前側接点を形成する。P
形の上にN形表皮部を持つシリコンの球を箔の表側にデ
ポジットし、箔の裏側に真空チャックを設けて、球を前
以って形成した開口に吸込み、その中に途中まで入れ
て、空気がこの開口を通過することを遮断する。最初は
開口の数に較べて過剰の数の球を使うので、最終的には
全ての開口が球で埋められ、その後使われなかった球
は、箔の後面をブラッシング等することによって除去さ
れる。Briefly, the invention provides a solar array by providing a first sheet of standard type flexible aluminum foil, such as is believed to have native aluminum oxide, on its surface. The foil is stamped where the silicon spheres are to be placed to form the metal matrix. After that, the foil is cleaned to remove organics, the punched thin area is removed and etched to create an opening there, and a place to insert a silicon ball is made. The matte surface is applied to the foil using another etching process.
ace). The foil forms the housing for the sphere to be applied to it and its front side contact. P
Deposit a silicon sphere with an N-shaped skin on the front side of the foil, place a vacuum chuck on the back side of the foil, suck the sphere into the preformed opening, and insert it halfway , Blocking the passage of air through this opening. Initially, an excess number of spheres is used compared to the number of openings, so eventually all openings are filled with spheres, and unused spheres are removed by brushing the back surface of the foil. .
【0009】次にシリコンの球をインパクト・プレスを
使うことによってアルミニウム箔に結合する。このプレ
スが球を開口の中に押込み、球の赤道が箔より上方にあ
って、箔の表側(太陽又は光の方を向いた側)に来る様
にする。強い力で球を開口の中にこの様に押込むことに
より、シリコンの球と接触した表面のアルミニウムが裂
け、その場所で新鮮なアルミニウムが露出する。アルミ
ニウムに対するシリコンの球の移動によって生ずる剪断
により、表面の酸化アルミニウムも削り落されて、この
様な露出した新鮮なアルミニウムが得られる。この作用
は、アルミニウム箔、特に露出したアルミニウムと接触
する球の部分から、酸化シリコンの実質上前部を除去す
る。この作用は、約500℃乃至577℃未満の範囲内
の温度にアルミニウムをおいて行なわれ、この時、アル
ミニウムは固体であるが変形し易くなり、これに対して
シリコンはこの温度では依然として剛体である。(イン
パクトの持続時間が十分短かければ、577℃より高い
温度にすることも出来る。)新鮮なアルミニウムが2酸
化シリコンを浸食し、インパクトの際、インパクトを加
えた場所で実質的にそれを除去する。この様にして、シ
リコンとアルミニウムの間の結合が得られ、シリコンの
N形表皮層に対するアルミニウム接点が形成される。こ
の後、箔と球から成るアレーを周囲温度まで冷却して、
箔が再び硬化するのに任せる。The spheres of silicon are then bonded to aluminum foil by using an impact press. This press forces the sphere into the opening so that the equator of the sphere is above the foil and is on the front side of the foil (the side facing the sun or light). This strong pushing of the sphere into the opening tears the aluminum on the surface in contact with the silicon sphere, exposing fresh aluminum at that location. The shear caused by the movement of the silicon spheres relative to the aluminum also scrapes off the surface aluminum oxide, resulting in such exposed fresh aluminum. This action removes substantially the front of the silicon oxide from the aluminum foil, especially the portion of the sphere that contacts the exposed aluminum. This action takes place with aluminum at a temperature in the range of about 500 ° C to less than 577 ° C, at which time aluminum is solid but prone to deformation, whereas silicon is still rigid at this temperature. is there. (If the duration of the impact is sufficiently short, the temperature can be higher than 577 ° C.) Fresh aluminum erodes silicon dioxide, and at the time of impact, virtually removes it at the place of impact. To do. In this way, a bond between silicon and aluminum is obtained, forming an aluminum contact to the N-type skin layer of silicon. After this, cool the array of foils and spheres to ambient temperature,
Let the foil cure again.
【0010】次に、球が露出している箔の裏側をエッチ
して、そこにあるN形表皮部を除去する。これは、アル
ミニウム箔がシリコン・エッチャントに対するマスクと
して作用するからである。箔自体は、普通はその上にご
く薄い自然の酸化物コーティングが形成されている為
に、あまり反応性はない。次に、アレーを硫酸バス(b
ath)(約10%H2 SO4 )内に約1/2分間入れ
てアレーを陽極酸化し、アルミニウムの上に酸化物コー
ティングを設ける。次に、アルミニウムを密封してシリ
コンを陽極酸化する為に、0.5%H3 PO4 を含む別
の陽極酸化バスを用いる。この様にして約10μmのA
l2 O3 及び0.1μmのSiO2 が成長する。次に球
の後面をラップして、それと接触させる為の面を設け
る。ラップ過程により、この面が粗面化され、この為良
好なオーミック接点が形成されるようになる。次に、薄
いアルミニウムの第2の箔をラップした面に適用し、5
00℃乃至577℃未満の範囲内の温度まで予熱した
後、箔をラップした領域にインパクト・プレスして、こ
の領域に対する接点を形成する。Next, the back side of the foil with the exposed spheres is etched to remove the N-shaped skin portion there. This is because the aluminum foil acts as a mask for the silicon etchant. The foil itself is not very reactive because it usually has a very thin native oxide coating formed on it. Next, the array is placed in a sulfuric acid bath (b
the anodization of the array by placing it in a) (about 10% H 2 SO 4 ) for about 1/2 minute to provide an oxide coating on aluminum. Then another anodizing bath containing 0.5% H 3 PO 4 is used to seal the aluminum and anodize the silicon. In this way, A of about 10 μm
l 2 O 3 and 0.1 μm SiO 2 grow. Next, the back surface of the sphere is wrapped to provide a surface for contacting it. The lapping process causes this surface to be roughened so that a good ohmic contact is formed. Then apply a thin foil of aluminum to the wrapped surface and apply 5
After preheating to a temperature in the range of 00 ° C to less than 577 ° C, the foil is impact pressed into the wrapped area to form a contact to this area.
【0011】リール形実施例でアレーを形成する場合、
第2の箔を球に結合する前に、隣接するアレーの間の場
所で、表皮部を2つの箔の間に配置する。この実施例で
は、第2の箔を球に結合する際、上側及び下側の箔を表
皮部に押付けるが、それと結合はしない。その後、アレ
ーの両側で、表皮部の上で箔を適当にけがき、アレーの
両側で、各々の箔に対する箔延長部を設ける。次にこの
箔延長部を直列回路に互いに接続して、拡大回路を形成
することが出来る。When forming an array in a reel type embodiment,
Prior to bonding the second foil to the sphere, the skin is placed between the two foils, at a location between adjacent arrays. In this embodiment, when the second foil is bonded to the sphere, the upper and lower foils are pressed against the skin, but not with it. The foil is then scribed appropriately on the skin on both sides of the array, and foil extensions for each foil are provided on both sides of the array. The foil extensions can then be connected together in a series circuit to form an enlarged circuit.
【0012】上に述べた様な表皮部を持つアレーをけが
き、互いに分離し、面取りして、長方形のアレーの片側
だけが接点の形で外向きに伸びる第2の箔部分を持つ様
にすることが出来る。こういう接点を他のアレーの第1
の箔部分に任意の幾何学的な形で接続して、入力及び出
力を持つモジュールを作る。An array having skins as described above is scribed, separated from each other and chamfered so that only one side of the rectangular array has a second foil portion extending outward in the form of a contact. You can do it. These contacts are the first of the other arrays
Make a module with inputs and outputs by connecting it to the foil part of any geometry.
【0013】その結果、各々のシリコンの球のおもな部
分がアレーの前側に配置されて太陽光線を受取る為に利
用し得る表面の大きさを大きくしたソーラー・セルが得
られる。更に、当然ながら、このアレーは可撓性であ
り、アルミニウム箔に光反射器を持っており、比較的少
数の高価ではない材料及び処理工程を用いて提供され
る。The result is a solar cell in which the main portion of each silicon sphere is located in front of the array to increase the surface area available for receiving sunlight. Further, of course, the array is flexible, has a light reflector on the aluminum foil, and is provided using a relatively small number of inexpensive materials and processing steps.
【0014】[0014]
【実施例】第1図及び第2図には、この発明に従ってソ
ーラー・アレーを形成する為の、この発明の特徴を利用
した処理工程が略図で示されている。最初、厚さ約2ミ
ルのアルミニウム箔1を用意する。この箔は可撓性であ
って、環境に対して普通に露出している為に、その表面
にごく薄い自然の酸化物層を持っているのが普通であ
る。以下の説明はソーラー・アレーの1個の部材に関す
るものであるが、前に説明した従来技術から判る様に、
アレー全体には多数のアレー部材があることを承知され
たい。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIGS. 1 and 2 are schematic illustrations of process steps utilizing the features of this invention to form solar arrays in accordance with this invention. First, prepare an aluminum foil 1 having a thickness of about 2 mils. Because the foil is flexible and normally exposed to the environment, it typically has a very thin layer of native oxide on its surface. The following description relates to one element of the solar array, but as can be seen from the prior art described above,
It should be noted that there are multiple array members throughout the array.
【0015】最初にアルミニウム箔1を(a)に示す様
に周期的な6角形の配置で、例えば中心間16ミルで打
出し、厚さが薄くなった打出し部3は、その中に配置し
ようとする球の直径より若干小さい直径にする。打出し
部は円形又は6角形の様なその他の幾何学的な形であっ
てよい。多角形の打出しの場合、中心を通って多角形を
横切る線は、これに適用する球の直径より小さくする。
次に、箔を洗浄して有機物を除去し、その後(b)に示
す様に熱した水酸化ナトリウム又はカリウムを用いてエ
ッチし、箔の内、打出し部3を作った領域を除去すると
共に、その場所に開口5を設ける。打出し領域3は、エ
ッチングの間、箔の他の部分よりも一層薄手である為
に、箔の他の部分より先に除去されると共に、そこで行
われた打出しによる冷間加工がなされている為にも、エ
ッチされるのが一層速い。これをアルミニウム・マトリ
クスと呼ぶ。First, the aluminum foil 1 is arranged in a periodic hexagonal arrangement as shown in (a), for example, a punching section 3 having a thickness of 16 mils and having a reduced thickness is arranged therein. The diameter should be slightly smaller than the diameter of the sphere to be tried. The embossments may be circular or other geometric shapes such as hexagons. In the case of a polygonal embossing, the line through the center and across the polygon is smaller than the diameter of the sphere applied to it.
Next, the foil is washed to remove the organic matter, and then etched using heated sodium or potassium hydroxide as shown in (b) to remove the region of the foil where the embossed portion 3 is formed. The opening 5 is provided at that location. Since the stamped region 3 is thinner than the other parts of the foil during etching, it is removed before the other parts of the foil and cold worked by the stamping performed there. Because it is there, it is even faster to be etched. This is called an aluminum matrix.
【0016】この点で、随意選択により、25%HF、
60%HNO3 及び15%氷酢酸であるエッチャントの
50%溶液を用いたエッチングにより、箔に或る生地を
持たせ、後方反射を最小限に抑えるマトリクス面を作る
ことが出来る。In this respect, 25% HF, optionally
Etching with a 50% solution of an etchant that is 60% HNO 3 and 15% glacial acetic acid can give the foil some texture and create a matrix surface that minimizes back reflection.
【0017】(c)に示す様に、N形表皮部9及びP形
内部11を持つ複数個のシリコンの球7を箔1上のマト
リクスの上側15にデポジットし、真空チャックを用い
て箔の裏側13に真空を加えて、球7を開口5の中に引
込む。最初に箔の裏側では、開口5の数に比べて過剰の
球7を用いるので、全ての開口が球7で埋まり、その後
過剰の球7がブラシがけ等により、箔1の上側から除去
される。ここで用る球は直径が14.5ミルであること
が好ましく、前に述べた様に、開口5の断面直径は1
4.5ミルより小さく、箔の裏側で箔に真空がかけられ
るが、その理由は後で説明する。As shown in (c), a plurality of silicon spheres 7 having an N-type skin portion 9 and a P-type interior 11 are deposited on the upper side 15 of the matrix on the foil 1 and the foil is deposited using a vacuum chuck. A vacuum is applied to the back side 13 to draw the sphere 7 into the opening 5. First, on the back side of the foil, excess spheres 7 are used compared to the number of openings 5, so all the openings are filled with spheres 7 and then excess spheres 7 are removed from the upper side of foil 1 by brushing or the like. . The spheres used here preferably have a diameter of 14.5 mils and, as mentioned previously, the cross-sectional diameter of the openings 5 is 1
A vacuum of less than 4.5 mils is applied to the foil on the back side of the foil, the reason for which will be explained later.
【0018】この後、(d)に示す様に、箔を加熱し、
ついでインパクト・プレスを使うことにより、球7がア
ルミニウム箔1の開口5の中に結合される。この時、球
7が素早く開口5の中に埋込まれ、開口内で剪断作用を
生じ、それが開口の所の箔の内面にある酸化アルミニウ
ムを削取り、新鮮なアルミニウム元素を露出する。前に
述べた様に、球7が開口5の中に埋込まれる時にアルミ
ニウムは530℃の温度に加熱されており、この為アル
ミニウムは反応性であって、機械的な性質が幾分粘性を
持ち、容易に変形する。従って、元素のアルミニウムが
球の上にある非常に薄い自然の酸化シリコン層と反応し
て、それを除去し、この為箔1のアルミニウムがこの時
球のN形層9内にあるシリコン元素と直接的に結合し
て、それに対する接点を形成することが出来る。Thereafter, as shown in (d), the foil is heated,
The sphere 7 is then bonded into the opening 5 of the aluminum foil 1 by using an impact press. At this time, the sphere 7 is quickly embedded in the opening 5, causing a shearing action in the opening, which scrapes away the aluminum oxide on the inner surface of the foil at the opening, exposing fresh aluminum element. As mentioned previously, when the sphere 7 is embedded in the opening 5, the aluminum is heated to a temperature of 530 ° C., which makes it reactive and its mechanical properties somewhat viscous. Holds and transforms easily. Thus, the elemental aluminum reacts with and removes the very thin native silicon oxide layer on top of the sphere, so that the aluminum of the foil 1 is now replaced by the silicon element present in the N-type layer 9 of the sphere. It can be directly coupled to form a contact point thereto.
【0019】球の赤道がアルミニウム箔1より上方、又
はその上方15にある様に、球7が開口5内に配置され
る。こういう配置は、アルミニウム箔1の上下に配置さ
れた圧力パッドを使うことによって可能になる。圧力パ
ッドはクッションとして作用する窒化硼素の粉末の様な
離型剤で被覆した厚さ約8ミルのアルミニウム箔で形成
されており、この為、インパクト・プレスのハンマーが
インパクトを加える際に球を損傷することがない。更
に、圧力パッドがハンマーの衝撃を吸収する。箔1の1
5側にある上側の圧力パッドで箔1の13側にある下側
の圧力パッドよりも厚手であって、前に述べた様に、球
の赤道が箔からずれる様にする。2cm平方のアレーに
対し、約48フィート・ポンドのインパクト・エネルギ
ぎ首尾よく作用することが判った。この為、アルミニウ
ムがこの時シリコンに直接的に結合されることは、前に
述べた通りである。A sphere 7 is arranged in the opening 5 such that the equator of the sphere is above or 15 above the aluminum foil 1. Such an arrangement is possible by using pressure pads arranged above and below the aluminum foil 1. The pressure pad is made of about 8 mil thick aluminum foil coated with a release agent, such as boron nitride powder, which acts as a cushion, which allows the hammer of the impact press to squeeze the sphere when it is impacted. No damage. In addition, the pressure pad absorbs the impact of the hammer. Foil 1 of 1
The upper pressure pad on the 5 side is thicker than the lower pressure pad on the 13 side of the foil 1 so that the equator of the sphere is offset from the foil, as previously described. It has been found that for a 2 cm square array, an impact energy of about 48 ft-lbs works well. Therefore, aluminum is directly bonded to silicon at this time, as described above.
【0020】箔1の後側の面13及び球7の内、この側
にある部分を、この後(e)に示す様にエッチャントを
用いてエッチして、N形層9の内、アレー後面の上にあ
る部分を取去り、P形領域を露出する。自然の酸化物を
その上に持つアルミニウム箔1がこのエッチャントに対
してマスクとして作用し、アレーの後側13にある層9
の部分だけを除去することが出来る様にする。この後、
アレーを脱イオン水で洗滌してエッチャントを除き、次
に(f)に示す様に、約20ボルトで約1/2分間の
間、10%H2 SO4 溶液内でアレーを陽極酸化して、
露出したシリコン及びアルミニウム箔1を不働態化す
る。次に約20ボルトで約1/2分間0.5%H3 PO
4 溶液内でアレーを陽極酸化する。陽極酸化に要する時
間は、バスの電流がゼロになって打切られる時の関数で
あり、これが約1/2分であることが判った。燐酸を使
うことが重要であり、これは酸化アルミニウム内の孔を
塞ぎ、前にエッチしたシリコン表面に約1,000Åの
酸化物層21を作ることが判った。The surface 13 on the rear side of the foil 1 and the portion on this side of the sphere 7 are etched using an etchant as shown in (e), and the rear surface of the array in the N-type layer 9 is etched. The portion overlying is removed to expose the P-shaped region. The aluminum foil 1 with the native oxide on it acts as a mask for this etchant, the layer 9 on the rear side 13 of the array.
Make it possible to remove only the part. After this,
The array is washed with deionized water to remove the etchant and then anodized in a 10% H 2 SO 4 solution for about 1/2 minute at about 20 volts as shown in (f). ,
Passivate the exposed silicon and aluminum foil 1. Next, 0.5% H 3 PO for about 1/2 minute at about 20 volts
4 Anodize the array in solution. It has been found that the time required for anodization is a function of when the bus current is zero and is cut off, which is about 1/2 minute. It has been found that it is important to use phosphoric acid, which blocks the pores in the aluminum oxide and creates an oxide layer 21 of approximately 1,000Å on the previously etched silicon surface.
【0021】次に、陽極酸化の際に形成された後側21
を周知の方法で機械的に削磨することにより、陽極酸化
したアレーの球7をラップする。このラッピングによ
り、2酸化シリコン21及び若干のシリコンの両方が除
去されて、球7の後面17が平坦になり、17に示す様
に粗面が得られ、この為その上にオーミック接点を形成
することが出来る。次に、約1/2ミルのアルミニウム
の薄箔19を(h)に示す様に各々の球7の後面17の
上に配置して、それがラップした平坦な領域17の上に
来る様にする。このアルミニウムは好ましくは530℃
の温度、又は約500乃至577℃の範囲内の温度に加
熱するが、前に述べた様な条件がある。加熱された箔1
9がこの後インパクト・プレスによって球7に圧着さ
れ、このインパクトによって露出したアルミニウムと、
ラッピング並びにアルミニウム元素によるインパクトの
為に球7の後面で露出したシリコンとの間の結合部が形
成される。前に(d)について述べたのと同じ様に結合
を行なうことにより、シリコン領域11に対する箔の接
点19が形成される。アルミニウム箔1の陽極酸化の
為、この箔の表面の上には厚い酸化アルミニウムがあっ
て、箔1の及び箔19の間の短絡を防止する。((i)
に示す様に、アレーの前側の面の上に標準的な反射防止
コーティングを適用し、シリコンの光の吸収を改善する
ことが出来る。)従って、シリコンの球の大部分が入射
する太陽光線に露出し、アレーが可撓性であって、使わ
れる処理並びに使われる材料が比較的高価でなく且つ数
が少ない様にして、ソーラー・アレーが提供されたこと
が理解されよう。Next, the rear side 21 formed during anodization
The spheres 7 of the anodized array are lapped by mechanically abrading them in a known manner. This lapping removes both the silicon dioxide 21 and some of the silicon, flattening the rear surface 17 of the sphere 7 and providing a rough surface as shown at 17, thus forming an ohmic contact thereon. You can Next, a thin foil 19 of aluminum, about 1/2 mil, is placed on the back surface 17 of each sphere 7 as shown in (h) so that it is over the flat area 17 that is wrapped. To do. This aluminum is preferably 530 ° C
Or at a temperature in the range of about 500 to 577 ° C., with the conditions as previously described. Heated foil 1
9 is then pressure-bonded to the ball 7 by an impact press, and aluminum exposed by this impact,
A bond is formed between the exposed silicon on the rear surface of the sphere 7 due to lapping and impact by the aluminum element. Bonding in the same manner as previously described for (d) forms a foil contact 19 to the silicon region 11. Due to the anodic oxidation of the aluminum foil 1, there is thick aluminum oxide on the surface of this foil, which prevents a short circuit between foil 1 and foil 19. ((I)
A standard anti-reflective coating can be applied on the front side of the array to improve the light absorption of the silicon, as shown in. ) Therefore, most of the silicon spheres are exposed to the incident sun rays, the array is flexible, the processing used and the materials used are relatively inexpensive and few, It will be appreciated that the array was provided.
【0022】実際の処理工程では、上に述べた様なアレ
ーは、別々のアレーとしてではなく、リール形の実施例
で設けるのが普通である。その後、アレーは寸法が例え
ば1m×2mである様なモジュールに形成され、こうい
う設計のままで試験される。これまで述べた様にして形
成された各々のアレーは各辺が10cm程度であるのが
普通である。In actual processing, the array as described above is typically provided in a reel-type embodiment rather than as a separate array. After that, the array is formed into a module whose dimensions are, for example, 1 m × 2 m, and is tested as it is. Each of the arrays formed as described above is normally about 10 cm on each side.
【0023】上に述べた様なソーラー・アレーをリール
形に作り、それからモジュールを形成する為には、図3
乃至図6に示す様な手順に従う。最初に図3について説
明すると、この図にはアレー相互接続装置が1次元で示
されている。図3(a)では、前側の接点箔部材33に
球31を固定した1個のアレー30が示されており、後
側箔部材35はまだ球に取付けられていない。図4
(a)にはっきりと示されている様に、アレー30の間
にシム37を挿入する。図4(a)から判る様に、前側
の箔33は後側の箔35より寸法が小さいが、その理由
は後で明らかになる。To make a solar array such as that described above in the form of a reel and then to form a module, the process shown in FIG.
Through the procedure as shown in FIG. Referring first to FIG. 3, an array interconnect device is shown in one dimension. FIG. 3 (a) shows one array 30 in which the sphere 31 is fixed to the front contact foil member 33, and the rear foil member 35 is not yet attached to the sphere. Figure 4
A shim 37 is inserted between the arrays 30, as clearly shown in (a). As can be seen from FIG. 4 (a), the front foil 33 has a smaller size than the rear foil 35, but the reason for this will become clear later.
【0024】次に図3(b)を見ると、この時後側の箔
35が球31及びシム37と接触していることが判る。
上側の箔33もシムと接触している。これは図1の工程
(h)で、この処理工程の一部分として後側の箔35を
球31に結合する時に達成される。箔33,35はシム
37に接着せず、単にそれと接触しているだけである。
この後、次にシムの上の、図3(b)のV字形記号の場
所で箔をけがき、アレーを互いに分離し且つシムを取外
した後、図3(c)及び図4(c)に示す様な装置を作
る。次に図3(c)及び図4(b)に示す様なアレーを
図4(c)に示す様に面取りして、後側の箔35の一部
分である4つの耳を作る。これらの耳はアレーの四角の
各辺にあって、A,B,C,Dと記してある。次に図3
(d)及び図4(d)に示す様に、耳B,C,Dをアレ
ーの下に折返し、その後図3(e)に示す様に、超音波
結合等により、耳Aをこの後、アレーの耳B,C又はD
の内の1つに結合することにより、このアレーをこの後
のアレーに固定する。Next, referring to FIG. 3B, it can be seen that the foil 35 on the rear side is in contact with the sphere 31 and the shim 37 at this time.
The upper foil 33 is also in contact with the shim. This is accomplished in step (h) of FIG. 1 when bonding the rear foil 35 to the sphere 31 as part of this processing step. The foils 33, 35 do not adhere to the shim 37, they are merely in contact with it.
After this, the foil is then scribed on the shim at the location of the V-shaped symbol in FIG. 3 (b), the arrays are separated from each other and the shim is removed, and then FIG. 3 (c) and FIG. 4 (c). Make a device as shown in. The array as shown in FIGS. 3 (c) and 4 (b) is then chamfered as shown in FIG. 4 (c) to create four ears that are part of the rear foil 35. These ears are on each side of the square of the array and are labeled A, B, C, D. Next in FIG.
As shown in (d) and FIG. 4 (d), the ears B, C, and D are folded back under the array, and thereafter, as shown in FIG. Array ears B, C or D
This array is secured to the subsequent array by bonding to one of the two.
【0025】相互接続工程は図5の3次元表示の装置で
示す様に行なうことが出来る。この装置では、耳Aが伸
出している1つのアレーを、別のアレーの耳B,C又は
Dの内の1つとこの耳Aとが接触する様に位置ぎめす
る。この手順を直線又はその他の通路で続けて、完全な
モジュールを作る。完成されたモジュールが図6に示さ
れており、耳Aが隣接するアレー30の耳B,C又はD
に固定されて、60個のアレーの直列回路を形成する前
後に配置された通路を作る。更に、モジュールに対する
入力41及び出力43となる耳を設ける。The interconnection process can be performed as shown in the three-dimensional display device of FIG. In this device, one array with the extending ear A is positioned so that the ear A is in contact with one of the ears B, C or D of another array. Continue this procedure in a straight line or other passage to make a complete module. The completed module is shown in FIG. 6, with ears A, B, C or D of adjacent array 30.
Fixed in place to form the front and rear passages forming a series circuit of 60 arrays. In addition, ears are provided that are inputs 41 and outputs 43 to the module.
【0026】図6のモジュールを形成した後、図2につ
いて説明すると、モジュールを試験し、試験に成功すれ
ば、モジュールは支持材料等に取り付けられる工程に進
み、その後結合出で耳を超音波で結合し、その後モジュ
ールをカプセル封じして、環境に対する適当な封じを施
す。次にカプセル封じしたモジュールを標準的に試験
し、動作し得るモジュールが使える状態になる。Referring to FIG. 2 after forming the module of FIG. 6, the module is tested, and if the test is successful, the module proceeds to the step of attaching it to a support material or the like, after which the ear is ultrasonically ultrasonically coupled. After bonding, the module is then encapsulated to provide the appropriate environmental seal. The encapsulated module is then standardly tested and the working module is ready for use.
【0027】この発明を特定の好ましい実施例について
説明したが、当業者にはいろいろな変更が考えられよ
う。従って特許請求の範囲は、この様な全ての変更を抱
括する様に、従来技術から見て可能な限り広く解釈され
るべきである。While this invention has been described in terms of a particular preferred embodiment, various modifications will occur to those skilled in the art. Therefore, the scope of the claims should be construed as broadly as possible in view of the prior art so as to cover all such modifications.
【図1】本発明に従ってソーラー・アレーを形成するの
に使われる処理工程を示す略図。FIG. 1 is a schematic diagram showing the process steps used to form a solar array in accordance with the present invention.
【図2】図1のプロセスを示すプロセス線図。FIG. 2 is a process diagram showing the process of FIG.
【図3】1次元で表わしたアレー相互接続手順を示す略
図。FIG. 3 is a schematic diagram showing a one-dimensional array interconnection procedure.
【図4】2次元で示したアレー相互接続手順を示す略
図。FIG. 4 is a schematic diagram showing an array interconnection procedure shown in two dimensions.
【図5】3次元で表わしたアレー相互接続を示す略図。FIG. 5 is a schematic diagram showing an array interconnect in three dimensions.
【図6】本発明のモジュールの略図。FIG. 6 is a schematic diagram of the module of the present invention.
1 第1のアルミニウム箔 5 開口 7 シリコンの球 9 N型表皮部 11 P型内部 19 第2のアルミニウム箔 1 First Aluminum Foil 5 Opening 7 Sphere of Silicon 9 N-Type Skin 11 P-Type Inside 19 Second Aluminum Foil
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロナルド イー.ヘネイ アメリカ合衆国テキサス州リチヤードソ ン,ノツテインガム 748 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Ronald E. Hennei 748 Nottingham, Richardson, Texas, United States 748
Claims (1)
て、 (a) 第1のアルミ箔を用意し、 (b) 前記第1アルミ箔の所定位置に開口を形成し、 (c) 表皮部が第1導電形でその表皮部下が第2導電
形の半導体粒子を前記開口の各々に、該半導体粒子が前
記第1アルミ箔の両側から突出するように配置し、 (d) 前記第1アルミ箔の片側にある前記第1導電形
表皮部を除去し、 (e) 前記第1アルミ箔の前記片側、並びに前記第1
導電形表皮部が除去された前記半導体粒子面の上に絶縁
層を形成し、 (f) 前記第1導電形表皮部が除去された前記半導体
粒子面の一部、並びにそれを覆う前記絶縁層を除去し、 (g) 前記半導体粒子面の一部が除去された領域に第
2のアルミニウム箔を結合するステップを含むソーラー
・アレーを形成する方法。1. A method for forming a solar array comprising: (a) preparing a first aluminum foil; (b) forming an opening at a predetermined position of the first aluminum foil; and (c) a skin portion. Is arranged in each of the openings so that the semiconductor particles protrude from both sides of the first aluminum foil, and (d) the first aluminum is used. Removing the first conductivity type skin on one side of the foil, (e) the one side of the first aluminum foil, and the first
An insulating layer is formed on the surface of the semiconductor particle from which the conductivity type skin is removed, and (f) a part of the surface of the semiconductor particle from which the first conductivity type skin is removed, and the insulating layer covering the part. And (g) bonding a second aluminum foil to a region of the semiconductor grain surface where a portion of the semiconductor grain surface has been removed, thereby forming a solar array.
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