JPH0613222U - Ceramic filter - Google Patents
Ceramic filterInfo
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- JPH0613222U JPH0613222U JP3846992U JP3846992U JPH0613222U JP H0613222 U JPH0613222 U JP H0613222U JP 3846992 U JP3846992 U JP 3846992U JP 3846992 U JP3846992 U JP 3846992U JP H0613222 U JPH0613222 U JP H0613222U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度を確保すると共に、特性劣化を招
くことなく、挿入損失を減少させ、帯域外減衰量を増大
させる。
【構成】 同一の圧電基板１上に複数個のエネルギー閉
じ込め型振動部２、３を有し、圧電基板１が振動部２ー
３間にスリット１０を有する。スリット１０は圧電基板
１の幅をＨとし、圧電基板の一端縁１４から振動電極の
重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしてとき、
Ｃ≦Ｄかつ（ＨーＤ）≧０．７λを満たす。また、動作
振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部２、３の
振動中心Ｏ１、Ｏ２から基板端縁までの距離をＢn（ｎ
＝１〜４）としたとき、距離Ｂn（ｎ＝１〜４）がＢ
n（ｎ＝１〜４）≧１．５λを満たす。
(57) [Abstract] [Purpose] To secure the mechanical strength, reduce the insertion loss and increase the out-of-band attenuation without deteriorating the characteristics. [Structure] A plurality of energy trap type vibration parts 2 and 3 are provided on the same piezoelectric substrate 1, and the piezoelectric substrate 1 has a slit 10 between the vibration parts 2-3. When the width of the piezoelectric substrate 1 is H and the distance from the one end edge 14 of the piezoelectric substrate to the furthest end of the overlapping portion of the vibrating electrode is C, the slit 10 is
C ≦ D and (HD) ≧ 0.7λ are satisfied. Further, the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode is λ, and the distance from the vibration centers O1 and O2 of the vibrating portions 2 and 3 to the substrate edge is B n (n
= 1 to 4) , the distance B n (n = 1 to 4) is B
n (n = 1 to 4) ≧ 1.5λ is satisfied.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、例えばＦＭチューナの中間周波フィルタとして用いられるエネルギ ー閉じ込め型のセラミックフィルタに関し、更に詳しくは、機械的強度を確保す ると共に、特性劣化を招くことなく、挿入損失を減少させ、帯域外減衰量を増大 させ得るセラミックフィルタの改良に係る。 The present invention relates to an energy confinement type ceramic filter used as, for example, an intermediate frequency filter of an FM tuner, and more specifically, it secures mechanical strength, reduces insertion loss without deteriorating the characteristics, and reduces the band loss. The present invention relates to improvement of a ceramic filter that can increase the external attenuation.
【０００２】[0002]
この種のセラミックフィルタは、実開昭５７ー２７２７号公報等の公知文献に よって知られているように、同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め型 振動部を間隔を隔てて配置した基本的構造を有する。この基本的な構造のために 、振動部間に機械的干渉を生じ、スプリアスを発生する。従来、スプリアスを低 減する手段としては、振動電極に半田等を付着させて質量負荷を付与し、そのダ ンピング作用を利用するか、または上記公知文献に記載されるごとく、振動部間 にスリットを設ける等の手段がとられている。 This type of ceramic filter has a basic structure in which a plurality of energy-trap type vibrating parts are arranged at intervals on the same piezoelectric substrate, as known from known documents such as Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-2727. Have a specific structure. Due to this basic structure, mechanical interference occurs between the vibrating parts and spurious is generated. Conventionally, as a means for reducing spurious, solder or the like is attached to the vibrating electrode to apply a mass load and the damping action is used, or as described in the above-mentioned publicly known documents, slits are provided between the vibrating parts. Are provided.
【０００３】[0003]
しかしながら、振動電極に質量負荷を付加する構造では、質量負荷となる半田 を付着させる際に、振動電極下の分極が半田付け時の熱の影響で消失し、特性が 劣化し、挿入損失が増える等の問題を生じる。 However, in the structure where a mass load is applied to the vibrating electrode, when the solder that becomes the mass load is attached, the polarization under the vibrating electrode disappears due to the heat of soldering, the characteristics deteriorate, and the insertion loss increases. Etc. causes problems.
【０００４】 スリットを設ける構造は、スリットが深すぎると圧電基板の機械的強度が低下 し、浅すぎると、十分なスプリリアス低減作用が得られない。上述した公知文献 には、機械的強度を確保して、スプリアスを低減させるためのスリットの条件が 開示されていない。In the structure having the slit, if the slit is too deep, the mechanical strength of the piezoelectric substrate decreases, and if it is too shallow, a sufficient spurious reduction effect cannot be obtained. The above-mentioned publicly-known documents do not disclose the condition of the slit for securing the mechanical strength and reducing the spurious.
【０００５】 そこで、本考案の課題は、上述する従来の問題点を解決し、機械的強度を確保 すると共に、特性劣化を招くことなく、挿入損失を減少させ、帯域外減衰量を増 大させたセラミックフィルタを提供することである。Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, to secure the mechanical strength, to reduce the insertion loss and to increase the out-of-band attenuation without causing the characteristic deterioration. Another object is to provide a ceramic filter.
【０００６】[0006]
上述した課題を解決するため、本考案は、同一の圧電基板上に複数個のエネル ギー閉じ込め型振動部を有し、前記圧電基板が前記振動部間にスリットを有する セラミックフィルタであって、 前記振動部は、前記圧電基板の表裏において重なり合う振動電極を有し、前記 圧電基板の長さ方向に間隔を隔てて配置されており、 前記スリットは、前記圧電基板の幅方向の一端縁から中央に向かって設けられ 、前記圧電基板の幅をＨとし、前記圧電基板の前記一端縁から幅方向にとられた 前記振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしたとき、幅方向の 深さＤが Ｃ≦Ｄ≦Ｈ／２ を満たしており、 動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、前記振動部の前記振動中心から基 板端縁までの距離をＢとしたとき、距離Ｂが Ｂ≧１．５λ を満たす。 In order to solve the above problems, the present invention is a ceramic filter having a plurality of energy confinement vibrating parts on the same piezoelectric substrate, wherein the piezoelectric substrate has a slit between the vibrating parts. The vibrating portion has vibrating electrodes that overlap on the front and back of the piezoelectric substrate, and is arranged at intervals in the length direction of the piezoelectric substrate, and the slit is formed from one end edge in the width direction of the piezoelectric substrate to the center. The width direction of the piezoelectric substrate is H, and the distance from the one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction is C. Depth D satisfies C ≦ D ≦ H / 2, the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode is λ, and the distance from the vibration center of the vibrating section to the edge of the substrate is B, The distance B is B ≧ 1. Meet the λ.
【０００７】[0007]
同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め型振動部を有し、圧電基板が 振動部間にスリットを有するから、スリットによって振動部相互間の機械的干渉 を防止し、スプリアスを低減できる。 Since a plurality of energy trap type vibration parts are provided on the same piezoelectric substrate and the piezoelectric substrate has slits between the vibration parts, the slits prevent mechanical interference between the vibration parts and reduce spurious.
【０００８】 振動部は、圧電基板の表裏において重なり合う振動電極を有し、圧電基板の長 さ方向に間隔を隔てて配置されており、スリットは、圧電基板の幅方向の一端縁 から中央に向かって設けられ、圧電基板の幅をＨとし、圧電基板の一端縁から幅 方向にとられた振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしたとき 、幅方向の深さＤがＣ≦Ｄ≦Ｈ／２を満たしているから、圧電基板の機械的強度 を確保して、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量を大きく取ることができる。The vibrating portion has vibrating electrodes that overlap each other on the front and back of the piezoelectric substrate, and is arranged at intervals in the length direction of the piezoelectric substrate. The slit extends from one end edge in the width direction of the piezoelectric substrate toward the center. When the width of the piezoelectric substrate is H and the distance from the one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction is C, the depth D in the width direction is Since C ≦ D ≦ H / 2 is satisfied, it is possible to secure the mechanical strength of the piezoelectric substrate, reduce spurious, and obtain a large out-of-band attenuation amount.
【０００９】 しかも、動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部の振動中心から基 板端縁までの距離をＢとしたとき、距離ＢがＢ≧１．５λを満たすから、挿入損 失を減少させることができる。Moreover, when the propagation wavelength in the substrate of the operating vibration mode is λ and the distance from the vibration center of the vibrating part to the edge of the substrate is B, the distance B satisfies B ≧ 1.5λ, so that the insertion loss Loss can be reduced.
【００１０】 上述の作用は、スリットの深さＤ及び距離Ｂの選定によって得られるものであ る。このため、振動電極に半田等を付着させて質量負荷を付与し、そのダンピン グ作用によってスプリアスを低減する従来技術と異なって、特性の劣化を招くこ とがない。The above-described operation is obtained by selecting the slit depth D and the distance B. Therefore, unlike the prior art in which solder or the like is attached to the vibrating electrode to apply a mass load and the spurious is reduced by the damping action, deterioration of characteristics is not caused.
【００１１】[0011]
図１は本考案に係るセラミックフィルタの平面図、図２は図１に示したセラミ ックフィルタの底面図である。同一の圧電基板１の一面上に２個のエネルギー閉 じ込め型振動部２、３を有し、圧電基板１が振動部２ー３間に一端縁１４から中 央に向かうスリット１０を有する。このような構造であると、、スリット１０に よって振動部２ー３相互間の機械的干渉を防止し、スプリアスを低減できる。 1 is a plan view of a ceramic filter according to the present invention, and FIG. 2 is a bottom view of the ceramic filter shown in FIG. The same piezoelectric substrate 1 has two energy confinement vibrating portions 2 and 3 on one surface thereof, and the piezoelectric substrate 1 has a slit 10 between the vibrating portions 2 and 3 and extends from one end edge 14 toward the center. With such a structure, the slit 10 can prevent mechanical interference between the vibrating portions 2-3 and reduce spurious.
【００１２】 振動部２、３は、圧電基板１の表裏において重なり合う振動電極（２１、２２ ）と振動電極２５及び振動電極（３１、３２）と振動電極３５を有する。スリッ ト１０は、圧電基板１の幅方向の一端縁１４から中央に向かって設けられ、圧電 基板１の幅をＨとし、圧電基板１の一端縁１４から幅方向にとられた振動電極２ 、３の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしたとき、幅方向の深さＤが Ｃ≦Ｄ≦Ｈ／２を満たしている。深さＤは圧電基板１の一端縁１４からスリット １０の底部１０１までの寸法である。底部１０１の位置はＣ≦Ｄ≦Ｈ／２を満た す△Ｄの範囲に設定される。深さＤが距離Ｃよりも小さくなると、スリット１０ による十分なスプリアス低減作用が得られない。深さＤが（Ｈ／２）よりも大き くなると、圧電基板１の機械的強度が低下する。本考案では、幅方向の深さＤが Ｃ≦Ｄ≦Ｈ／２を満たしているので、圧電基板の機械的強度を確保して、スプリ アスを低減させ、帯域外減衰量を大きく取ることができる。The vibrating sections 2 and 3 have vibrating electrodes (21, 22) and a vibrating electrode 25, and vibrating electrodes (31, 32) and a vibrating electrode 35 which are overlapped on the front and back of the piezoelectric substrate 1. The slit 10 is provided from the one end edge 14 in the width direction of the piezoelectric substrate 1 toward the center, the width of the piezoelectric substrate 1 is H, and the vibrating electrode 2 is taken from the one end edge 14 of the piezoelectric substrate 1 in the width direction. When the distance to the furthest end of the overlapping portion of 3 is C, the depth D in the width direction satisfies C ≦ D ≦ H / 2. The depth D is a dimension from one end edge 14 of the piezoelectric substrate 1 to the bottom portion 101 of the slit 10. The position of the bottom portion 101 is set within the range of ΔD that satisfies C ≦ D ≦ H / 2. If the depth D is smaller than the distance C, the slit 10 cannot provide a sufficient spurious reduction effect. When the depth D becomes larger than (H / 2), the mechanical strength of the piezoelectric substrate 1 decreases. In the present invention, since the depth D in the width direction satisfies C ≦ D ≦ H / 2, it is possible to secure the mechanical strength of the piezoelectric substrate, reduce spurious, and increase the out-of-band attenuation. it can.
【００１３】 図３は図１及び図２に示す構造を有する１０．７ＭＨｚのセラミックフィルタ の減衰特性及び挿入損失特性を示す図である。横軸に（Ｃ−Ｄ）λ及び（Ｃ−Ｄ ）ｍｍの２つの目盛りをとり、左縦軸に帯域外減衰量（ｄＢ）をとり、右縦軸に 挿入損失（ｄＢ）をとってある。λは動作振動モードの基板内伝搬波長であり、 １０．７ＭＨｚでは０．４２ｍｍとなる。特性Ｌ１は帯域外減衰特性、Ｌ２は挿 入損失特性である。図３に示すように、Ｃ−Ｄ＝０の付近を境界にして、Ｃ≦Ｄ の領域では約４５（ｄＢ）の帯域外減衰量を確保できる。しかも、挿入損失はほ とんど増えていない。これに対して、Ｃ＞Ｄの領域では、帯域外減衰量が直線的 に低下する。FIG. 3 is a diagram showing the attenuation characteristics and insertion loss characteristics of the 10.7 MHz ceramic filter having the structure shown in FIGS. 1 and 2. Two scales of (CD) λ and (CD) mm are taken on the horizontal axis, the out-of-band attenuation (dB) is taken on the left vertical axis, and the insertion loss (dB) is taken on the right vertical axis. . λ is the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode, which is 0.42 mm at 10.7 MHz. The characteristic L1 is the out-of-band attenuation characteristic, and the characteristic L2 is the insertion loss characteristic. As shown in FIG. 3, with the vicinity of C−D = 0 as a boundary, an out-of-band attenuation amount of about 45 (dB) can be secured in the region of C ≦ D 2. Moreover, the insertion loss has hardly increased. On the other hand, in the region of C> D, the out-of-band attenuation amount decreases linearly.
【００１４】 次に、動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部２、３の振動中心Ｏ １、Ｏ２から基板端縁までの距離をＢ１〜Ｂ４としたとき、距離Ｂ１〜Ｂ４がＢ ≧１．５λを満たしている。このような構造であると、挿入損失を増大させるこ となしに、帯域外減衰量を増大できる。図４は距離Ｂと挿入損失（ｄＢ）との関 係を示す特性図である。図４において、横軸に２つの目盛軸を取り、縦軸に減衰 量（ｄＢ）をとって示してある。第１横軸（上側）は距離Ｂを基板内伝搬波長λ によって表示した目盛となっており、第２軸（下側）は距離Ｂを実寸法（ｍｍ） で表示した目盛となっている。図示するように、距離Ｂが１．５λ以上になると 、挿入損失が急激に低下する。Next, when the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode is λ and the distances from the vibration centers O 1 and O 2 of the vibrating portions 2 and 3 to the substrate edges are B 1 to B 4, the distances B 1 to B 4 are B ≧ 1.5λ is satisfied. With such a structure, the out-of-band attenuation amount can be increased without increasing the insertion loss. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance B and the insertion loss (dB). In FIG. 4, the horizontal axis shows two scale axes and the vertical axis shows the attenuation amount (dB). The first horizontal axis (upper side) is a scale in which the distance B is represented by the propagation wavelength λ in the substrate, and the second axis (lower side) is a scale in which the distance B is represented by an actual dimension (mm). As shown in the figure, when the distance B becomes 1.5λ or more, the insertion loss sharply decreases.
【００１５】 実施例において、圧電基板１は長さＬ及び幅Ｈを有する矩形平板状であって、 距離Ｂ１は圧電基板１の端縁１１から振動部２の振動中心Ｏ１までの距離、また は、圧電基板１の端縁１３から振動部３の振動中心Ｏ２までの距離である。距離 Ｂ２は圧電基板１の端縁１４から振動部２の振動中心Ｏ１、または振動部３の振 動中心Ｏ２までの距離である。距離Ｂ３は圧電基板１の端縁１２から振動部２の 振動中心Ｏ１または振動部３の振動中心Ｏ２までの距離である。距離Ｂ４はスリ ット１０の内端縁である圧電基板１の端縁１０２から振動部２の振動中心Ｏ１ま での距離、または、スリット１０の内端縁である圧電基板１の端縁１０３から振 動部３の振動中心Ｏ２までの距離である。In the embodiment, the piezoelectric substrate 1 is a rectangular flat plate having a length L and a width H, and the distance B1 is the distance from the edge 11 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2, or , The distance from the edge 13 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O2 of the vibrating portion 3. The distance B2 is the distance from the edge 14 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2 or the vibration center O2 of the vibrating portion 3. The distance B3 is a distance from the edge 12 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2 or the vibration center O2 of the vibrating portion 3. The distance B4 is the distance from the edge 102 of the piezoelectric substrate 1 which is the inner edge of the slit 10 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2, or the edge 103 of the piezoelectric substrate 1 which is the inner edge of the slit 10. To the vibration center O2 of the vibration unit 3.
【００１６】 隣り合う２つの振動部２、３における振動中心Ｏ１ーＯ２間の距離ＡはＡ≧１ ０λを満たすように定めるのが望ましい。図５は距離Ａと減衰量との関係を示す 図である。図５において、横軸に２つの目盛軸を取り、縦軸に減衰量（ｄＢ）を とって示してある。第１横軸（上側）は距離Ａを基板内伝搬波長λによって表示 した目盛となっており、第２軸（下側）は距離Ａを実寸法（ｍｍ）で表示した目 盛となっている。図中の△印は振動電極に半田を付着させて質量負荷によるダン ピング作用を得る従来品の特性を示している。図示するように、距離Ａが１０λ 以上になると、従来品である半田付着ダンピングの場合よりも、大きな帯域外減 衰を得ることができる。It is desirable that the distance A between the vibration centers O1 and O2 of the two adjacent vibrating portions 2 and 3 is set so as to satisfy A ≧ 10λ. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the distance A and the amount of attenuation. In FIG. 5, the horizontal axis represents two scale axes and the vertical axis represents the attenuation amount (dB). The first horizontal axis (upper side) is a scale indicating the distance A by the propagation wavelength λ in the substrate, and the second axis (lower side) is a scale indicating the distance A in actual dimensions (mm). . The triangles in the figure show the characteristics of the conventional product in which solder is attached to the vibrating electrode to obtain the damping action due to the mass load. As shown in the figure, when the distance A is 10λ or more, a large out-of-band attenuation can be obtained as compared with the conventional solder adhesion damping.
【００１７】 再び図１及び図２を参照すると、振動部２は圧電基板１の１面上に、幅Ｈの方 向に間隔ｇ１を隔てて配置された駆動電極２１、２２を有する。駆動電極２１は リード電極２３によって圧電基板１の端縁１１及び１２の交差する隅部に設けら れた接続電極２４に導通させてある。駆動電極２２はリード電極２７によって圧 電基板１の中央よりに導かれ、圧電基板１の端縁１２において、中央部に設けら れたコンデンサ電極４１に接続されている。振動部３は振動電極２と対称性を有 し、圧電基板１の１面上に幅Ｈの方向に間隔ｇ２を隔てて配置された駆動電極３ １、３２を有する。駆動電極３１はリード電極３３によって圧電基板１の端縁１ ３及び１２の交差する隅部に設けられた接続電極３４に導通させてある。駆動電 極３２はリード電極３７によって圧電基板１の中央よりに導かれ、圧電基板１の 端縁１２において、中央部に設けられたコンデンサ電極４１に接続されている。Referring again to FIGS. 1 and 2, the vibrating portion 2 has the drive electrodes 21 and 22 arranged on one surface of the piezoelectric substrate 1 in the width H direction with a gap g 1 therebetween. The drive electrode 21 is electrically connected by a lead electrode 23 to a connection electrode 24 provided at a corner where the edges 11 and 12 of the piezoelectric substrate 1 intersect. The drive electrode 22 is guided from the center of the piezoelectric substrate 1 by the lead electrode 27, and is connected to the capacitor electrode 41 provided at the center of the edge 12 of the piezoelectric substrate 1. The vibrating portion 3 has symmetry with the vibrating electrode 2 and has drive electrodes 31 and 32 arranged on one surface of the piezoelectric substrate 1 at intervals of g2 in the width H direction. The drive electrode 31 is electrically connected by a lead electrode 33 to a connection electrode 34 provided at a corner where the edges 13 and 12 of the piezoelectric substrate 1 intersect. The drive electrode 32 is guided from the center of the piezoelectric substrate 1 by the lead electrode 37, and is connected to the capacitor electrode 41 provided at the center of the edge 12 of the piezoelectric substrate 1.
【００１８】 振動部２は、更に、圧電基板１の反対側の他面上において、駆動電極２１、２ ２と対向する位置に形成された共通電極３５を有する。共通電極３５はリード電 極２６によって、コンデンサ電極４１と対向する位置に設けられたグランド電極 ４２に導通させてある。同様に、振動部３も圧電基板１の反対側の他面上におい て、駆動電極３１、３２と対向する位置に形成された共通電極３５を有する。共 通電極３５はリード電極３６によってグランド電極４２に導通させてある。The vibrating section 2 further includes a common electrode 35 formed on the other surface of the piezoelectric substrate 1 opposite to the drive electrodes 21 and 22. The common electrode 35 is electrically connected by a lead electrode 26 to a ground electrode 42 provided at a position facing the capacitor electrode 41. Similarly, the vibrating portion 3 also has a common electrode 35 formed on the other surface of the piezoelectric substrate 1 opposite to the drive electrodes 31 and 32. The common electrode 35 is electrically connected to the ground electrode 42 by the lead electrode 36.
【００１９】 接続電極２４、３４にはリード端子５、６がそれぞれ半田付け固定されており 、グランド電極４２にはリード端子７が半田付け等の手段によって固定されてい る。エネルギー閉じ込め型セラミックフィルタの完成品としては、良く知られて いるように、振動部２、３のまわりに空洞部が生じるようにして、全体を絶縁樹 脂８を被覆した構造となる。The lead terminals 5 and 6 are fixed by soldering to the connection electrodes 24 and 34, respectively, and the lead terminal 7 is fixed to the ground electrode 42 by means such as soldering. As is well known, the finished product of the energy trapping ceramic filter has a structure in which a hollow portion is formed around the vibrating portions 2 and 3 and the whole is covered with the insulating resin 8.
【００２０】 以上、２素子型セラミックフィルタを例にとって説明したが、３素子型或いは ４素子型等、更に多段のセラミックフィルタにおいても同様に適用が可能である 。Although the two-element type ceramic filter has been described above as an example, the present invention can be similarly applied to a multi-element ceramic filter such as a three-element type or a four-element type.
【００２１】[0021]
以上述べたように、本考案によれば次のような効果が得られる。 （ａ）同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め型振動部を有し、圧電基 板が振動部間にスリットを有するから、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量を 低下させたセラミックフィルタを提供できる． （ｂ）振動部は、圧電基板の表裏において重なり合う振動電極を有し、圧電基板 の長さ方向に間隔を隔てて配置されており、スリットは、圧電基板の幅方向の一 端縁から中央に向かって設けられ、圧電基板の幅をＨとし、圧電基板の一端縁か ら幅方向にとられた振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとした とき、幅方向の深さＤがＣ≦Ｄ≦Ｈ／２を満たしているから、圧電基板の機械的 強度を確保して、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量を大きく取り得るセラミ ックフィルタを提供できる。 （ｃ）圧電基板は、動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部の振動中 心から基板端縁までの距離をＢとしたとき、距離ＢがＢ≧１．５λを満たすから 、挿入損失の小さなセラミックフィルタを提供できる。 （ｄ）上述の作用は、スリットの深さＤ及び距離Ｂの選定によって得られるから 、振動電極に半田等を付着させて質量負荷を付与し、そのダンピング作用によっ てスプリアスを低減する従来技術と異なって、特性の劣化を招くことのないセラ ミックフィルタを提供できる As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) A ceramic filter that has a plurality of energy trapping vibration parts on the same piezoelectric substrate and the piezoelectric substrate has slits between the vibration parts to reduce spurious and reduce out-of-band attenuation. Can be provided. (B) The vibrating portion has vibrating electrodes that overlap each other on the front and back of the piezoelectric substrate, and is arranged at intervals in the length direction of the piezoelectric substrate. When the width of the piezoelectric substrate is H, and the distance from one edge of the piezoelectric substrate to the furthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction is C, the depth in the width direction is Since D satisfies C ≦ D ≦ H / 2, it is possible to provide a ceramic filter that can secure the mechanical strength of the piezoelectric substrate, reduce spurious, and obtain large out-of-band attenuation. (C) The piezoelectric substrate is inserted because the distance B satisfies B ≧ 1.5λ, where λ is the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode and B is the distance from the vibration center of the vibrating section to the edge of the substrate. A ceramic filter with low loss can be provided. (D) Since the above-mentioned action is obtained by selecting the depth D and the distance B of the slit, the conventional technique of applying the solder or the like to the vibrating electrode to apply a mass load and reducing the spurious by the damping action. Can provide a ceramic filter that does not cause deterioration of characteristics unlike
【提出日】平成５年８月１１日[Submission date] August 11, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【０００１】[0001]
本考案は、例えばＦＭチューナの中間周波フィルタとして用いられるエネルギ ー閉じ込め型のセラミックフィルタに関し、更に詳しくは、機械的強度を確保す ると共に、特性劣化を招くことなく、挿入損失を減少させ、帯域外減衰量を増大 させ得るセラミックフィルタの改良に係る。 The present invention relates to an energy confinement type ceramic filter used as, for example, an intermediate frequency filter of an FM tuner, and more specifically, it secures mechanical strength, reduces insertion loss without deteriorating the characteristics, and reduces the band loss. The present invention relates to improvement of a ceramic filter that can increase the external attenuation.
【０００２】[0002]
この種のセラミックフィルタは、実開昭５７ー２７２７号公報等の公知文献に よって知られているように、同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め型 振動部を間隔を隔てて配置した基本的構造を有する。この基本的な構造のために 、振動部間に機械的干渉を生じ、スプリアスを発生する。従来、スプリアスを低 減する手段としては、振動電極に半田等を付着させて質量負荷を付与し、そのダ ンピング作用を利用するか、または上記公知文献に記載されるごとく、振動部間 にスリットを設ける等の手段がとられている。 This type of ceramic filter has a basic structure in which a plurality of energy-trap type vibrating parts are arranged at intervals on the same piezoelectric substrate, as known from known documents such as Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-2727. Have a specific structure. Due to this basic structure, mechanical interference occurs between the vibrating parts and spurious is generated. Conventionally, as a means for reducing spurious, solder or the like is attached to the vibrating electrode to apply a mass load and the damping action is used, or as described in the above-mentioned publicly known documents, slits are provided between the vibrating parts. Are provided.
【０００３】[0003]
しかしながら、振動電極に質量負荷を付加する構造では、質量負荷となる半田 を付着させる際に、振動電極下の分極が半田付け時の熱の影響で消失し、特性が 劣化し、挿入損失が増える等の問題を生じる。 However, in the structure where a mass load is applied to the vibrating electrode, when the solder that becomes the mass load is attached, the polarization under the vibrating electrode disappears due to the heat of soldering, the characteristics deteriorate, and the insertion loss increases. Etc. causes problems.
【０００４】 スリットを設ける構造は、スリットが深すぎると圧電基板の機械的強度が低下 し、浅すぎると、十分なスプリリアス低減作用が得られない。上述した公知文献 には、機械的強度を確保して、スプリアスを低減させるためのスリットの条件が 開示されていない。In the structure having the slit, if the slit is too deep, the mechanical strength of the piezoelectric substrate decreases, and if it is too shallow, a sufficient spurious reduction effect cannot be obtained. The above-mentioned publicly-known documents do not disclose the condition of the slit for securing the mechanical strength and reducing the spurious.
【０００５】 そこで、本考案の課題は、上述する従来の問題点を解決し、機械的強度を確保 すると共に、特性劣化を招くことなく、挿入損失を減少させ、帯域外減衰量を増 大させたセラミックフィルタを提供することである。Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, to secure the mechanical strength, to reduce the insertion loss and to increase the out-of-band attenuation without causing the characteristic deterioration. Another object is to provide a ceramic filter.
【０００６】[0006]
上述した課題を解決するため、本考案は、同一の圧電基板上に複数個のエネル ギー閉じ込め型振動部を有し、前記圧電基板が前記振動部間にスリットを有する セラミックフィルタであって、 前記振動部は、前記圧電基板の表裏において重なり合う振動電極を有し、前記 圧電基板の長さ方向に間隔を隔てて配置されており、 前記スリットは、前記圧電基板の幅方向の一端縁から中央に向かって設けられ 、前記圧電基板の幅をＨとし、前記圧電基板の前記一端縁から幅方向にとられた 前記振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしたとき、幅方向の 深さＤが Ｃ≦Ｄ かつ （ＨーＤ）≧０．７λ を満たしており、 動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、前記振動部の前記振動中心から基 板端縁までの距離をＢn（ｎ＝１〜４）としたとき、距離Ｂn（ｎ＝１〜４）が Ｂn（ｎ＝１〜４）≧１．５λ を満たす。In order to solve the above problems, the present invention is a ceramic filter having a plurality of energy confinement vibrating parts on the same piezoelectric substrate, wherein the piezoelectric substrate has a slit between the vibrating parts. The vibrating portion has vibrating electrodes that overlap on the front and back of the piezoelectric substrate, and is arranged at intervals in the length direction of the piezoelectric substrate, and the slit is formed from one end edge in the width direction of the piezoelectric substrate to the center. The width direction of the piezoelectric substrate is H, and the distance from the one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction is C. Depth D satisfies C ≦ D and (HD) ≧ 0.7λ , and the propagation wavelength in the substrate of the operating vibration mode is λ, and the distance from the vibration center of the vibrating section to the edge of the substrate. To B n (n = 1 to 4 ) , The distance B n (n = 1 to 4) satisfies B n (n = 1 to 4) ≧ 1.5λ.
【０００７】[0007]
同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め型振動部を有し、圧電基板が 振動部間にスリットを有するから、スリットによって振動部相互間の機械的干渉 を防止し、スプリアスを低減できる。 Since a plurality of energy trap type vibration parts are provided on the same piezoelectric substrate and the piezoelectric substrate has slits between the vibration parts, the slits prevent mechanical interference between the vibration parts and reduce spurious.
【０００８】 振動部は、圧電基板の表裏において重なり合う振動電極を有し、圧電基板の長 さ方向に間隔を隔てて配置されており、スリットは、圧電基板の幅方向の一端縁 から中央に向かって設けられ、圧電基板の幅をＨとし、圧電基板の一端縁から幅 方向にとられた振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしたとき 、幅方向の深さＤがＣ≦Ｄかつ（ＨーＤ）≧０．７λを満たしているから、圧電 基板の機械的強度を確保して、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量を大きく取 ることができる。The vibrating portion has vibrating electrodes that overlap each other on the front and back of the piezoelectric substrate, and is arranged at intervals in the length direction of the piezoelectric substrate. The slit extends from one end edge in the width direction of the piezoelectric substrate toward the center. When the width of the piezoelectric substrate is H and the distance from the one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction is C, the depth D in the width direction is Since C ≦ D and (HD) ≧ 0.7λ are satisfied, the mechanical strength of the piezoelectric substrate can be secured, spurious can be reduced, and out-of-band attenuation can be increased.
【０００９】 しかも、動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部の振動中心から基 板端縁までの距離をＢn（ｎ＝１〜４）としたとき、距離Ｂn（ｎ＝１〜４）がＢ n（ｎ＝１〜４） ≧１．５λを満たすから、挿入損失を減少させることができる 。Moreover, when the propagation wavelength in the substrate of the operation vibration mode is λ and the distance from the vibration center of the vibration part to the edge of the substrate is B n (n = 1 to 4) , the distance B n (n = 1 to 4) satisfy B n (n = 1 to 4) ≧ 1.5λ, the insertion loss can be reduced.
【００１０】 上述の作用は、スリットの深さＤ及び距離Ｂn（ｎ＝１〜４）の選定によって 得られるものである。このため、振動電極に半田等を付着させて質量負荷を付与 し、そのダンピング作用によってスプリアスを低減する従来技術と異なって、特 性の劣化を招くことがない。The above-mentioned operation is obtained by selecting the depth D of the slit and the distance B n (n = 1 to 4) . Therefore, unlike the conventional technique in which solder or the like is attached to the vibrating electrode to apply a mass load and the spurious is reduced by the damping action, the characteristic is not deteriorated.
【００１１】[0011]
図１は本考案に係るセラミックフィルタの平面図、図２は図１に示したセラミ ックフィルタの裏面図である。同一の圧電基板１の一面上に２個のエネルギー閉 じ込め型振動部２、３を有し、圧電基板１が振動部２ー３間に一端縁１４から中 央に向かうスリット１０を有する。このような構造であると、、スリット１０に よって振動部２ー３相互間の機械的干渉を防止し、スプリアスを低減できる。Figure 1 is a plan view of a ceramic filter according to the present invention, FIG. 2 is a back view of a ceramic Kkufiruta shown in FIG. The same piezoelectric substrate 1 has two energy confinement vibrating portions 2 and 3 on one surface thereof, and the piezoelectric substrate 1 has a slit 10 between the vibrating portions 2 and 3 and extends from one end edge 14 toward the center. With such a structure, the slit 10 can prevent mechanical interference between the vibrating portions 2-3 and reduce spurious.
【００１２】 振動部２、３は、圧電基板１の表裏において重なり合う振動電極（２１、２２ ）と振動電極２５及び振動電極（３１、３２）と振動電極３５を有する。スリッ ト１０は、圧電基板１の幅方向の一端縁１４から中央に向かって設けられ、圧電 基板１の幅をＨとし、圧電基板１の一端縁１４から幅方向にとられた振動電極２ 、３の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとしたとき、幅方向の深さＤが Ｃ≦Ｄかつ（ＨーＤ）≧０．７λ を満たしている。深さＤは圧電基板１の一端縁 １４からスリット１０の底部１０１までの寸法である。底部１０１の位置はＣ≦ Ｄかつ（ＨーＤ）≧０．７λ を満たす△Ｄの範囲に設定される。深さＤが距離Ｃ よりも小さくなると、スリット１０による十分なスプリアス低減作用が得られな い。（ＨーＤ）が０．７λよりも小さくなると、圧電基板１の機械的強度が低下 し、図６に示すように、不良率が急激に上昇する。 本考案では、幅方向の深さＤ がＣ≦Ｄかつ（ＨーＤ）≧０．７λを満たしているので、圧電基板の機械的強度 を確保して、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量を大きく取ることができる。The vibrating sections 2 and 3 have vibrating electrodes (21, 22) and a vibrating electrode 25, and vibrating electrodes (31, 32) and a vibrating electrode 35 which are overlapped on the front and back of the piezoelectric substrate 1. The slit 10 is provided from the one end edge 14 in the width direction of the piezoelectric substrate 1 toward the center, the width of the piezoelectric substrate 1 is H, and the vibrating electrode 2 is taken from the one end edge 14 of the piezoelectric substrate 1 in the width direction. When the distance to the furthest end of the overlapping portion of 3 is C, the depth D in the width direction is C ≦ D and (HD) ≧ 0.7λ Meets The depth D is a dimension from one end edge 14 of the piezoelectric substrate 1 to the bottom portion 101 of the slit 10. The position of the bottom 101 isC ≦ D and (HD) ≧ 0.7λ It is set to the range of ΔD that satisfies the above condition. If the depth D is smaller than the distance C, the slit 10 cannot provide a sufficient spurious reduction effect.(HD) is smaller than 0.7λThen, the mechanical strength of the piezoelectric substrate 1 is reduced. Then, as shown in FIG. 6, the defective rate sharply increases. In the present invention, the depth D in the width direction isC ≦ D and (HD) ≧ 0.7λIs satisfied, it is possible to secure the mechanical strength of the piezoelectric substrate, reduce spurious, and obtain a large out-of-band attenuation amount.
【００１３】 図３は図１及び図２に示す構造を有する１０．７ＭＨｚのセラミックフィルタ の減衰特性及び挿入損失特性を示す図である。横軸に（Ｃ−Ｄ）／λ及び（Ｃ− Ｄ）ｍｍの２つの目盛りをとり、左縦軸に帯域外減衰量（ｄＢ）をとり、右縦軸 に挿入損失（ｄＢ）をとってある。λは動作振動モードの基板内伝搬波長であり 、１０．７ＭＨｚでは０．４２ｍｍとなる。特性Ｌ１は帯域外減衰特性、Ｌ２は 挿入損失特性である。図３に示すように、Ｃ−Ｄ＝０の付近を境界にして、Ｃ≦ Ｄの領域では約４５（ｄＢ）の帯域外減衰量を確保できる。しかも、挿入損失は ほとんど増えていない。これに対して、Ｃ＞Ｄの領域では、帯域外減衰量が直線 的に低下する。FIG. 3 is a diagram showing the attenuation characteristics and insertion loss characteristics of the 10.7 MHz ceramic filter having the structure shown in FIGS. 1 and 2. Two scales of (C−D) / λ and (C−D) mm are taken on the horizontal axis, the out-of-band attenuation (dB) is taken on the left vertical axis, and the insertion loss (dB) is taken on the right vertical axis. is there. λ is the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode, which is 0.42 mm at 10.7 MHz. The characteristic L1 is the out-of-band attenuation characteristic, and the characteristic L2 is the insertion loss characteristic. As shown in FIG. 3, an out-of-band attenuation amount of about 45 (dB) can be secured in the region of C ≦ D, with the vicinity of C−D = 0 as a boundary. Moreover, the insertion loss has hardly increased. On the other hand, in the region of C> D, the out-of-band attenuation amount decreases linearly.
【００１４】 次に、動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部２、３の振動中心Ｏ １、Ｏ２から基板端縁までの距離をＢn（ｎ＝１〜４）としたとき、距離Ｂn（ｎ ＝１〜４）がＢn（ｎ＝１〜４） ≧１．５λを満たしている。このような構造で あると、挿入損失を増大させることなしに、帯域外減衰量を増大できる。図４は 距離Ｂと挿入損失（ｄＢ）との関係を示す特性図である。図４において、横軸に ２つの目盛軸を取り、縦軸に減衰量（ｄＢ）をとって示してある。第１横軸（上 側）は距離Ｂn（ｎ＝１〜４）を基板内伝搬波長λによって表示した目盛となっ ており、第２軸（下側）は距離Ｂn（ｎ＝１〜４）を実寸法（ｍｍ）で表示した 目盛となっている。図示するように、距離Ｂn（ｎ＝１〜４）が１．５λ以上に なると、挿入損失が急激に低下する。Next, when the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode is λ, and the distance from the vibration centers O 1 and O 2 of the vibrating portions 2 and 3 to the substrate edge is B n (n = 1 to 4) , The distance B n (n = 1 to 4) satisfies B n (n = 1 to 4) ≧ 1.5λ. With such a structure, the out-of-band attenuation amount can be increased without increasing the insertion loss. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the distance B and the insertion loss (dB). In FIG. 4, the horizontal axis represents two scale axes and the vertical axis represents the attenuation amount (dB). The first horizontal axis (upper side) is a scale in which the distance B n (n = 1 to 4) is indicated by the propagation wavelength λ in the substrate, and the second axis (lower side) is the distance B n (n = 1 to 4). 4) is a scale showing the actual size (mm). As shown in the figure, when the distance B n (n = 1 to 4) becomes 1.5λ or more, the insertion loss sharply decreases.
【００１５】 実施例において、圧電基板１は長さＬ及び幅Ｈを有する矩形平板状であって、 距離Ｂ１は圧電基板１の端縁１１から振動部２の振動中心Ｏ１までの距離、また は、圧電基板１の端縁１３から振動部３の振動中心Ｏ２までの距離である。距離 Ｂ２は圧電基板１の端縁１４から振動部２の振動中心Ｏ１、または振動部３の振 動中心Ｏ２までの距離である。距離Ｂ３は圧電基板１の端縁１２から振動部２の 振動中心Ｏ１または振動部３の振動中心Ｏ２までの距離である。距離Ｂ４はスリ ット１０の内端縁である圧電基板１の端縁１０２から振動部２の振動中心Ｏ１ま での距離、または、スリット１０の内端縁である圧電基板１の端縁１０３から振 動部３の振動中心Ｏ２までの距離である。In the embodiment, the piezoelectric substrate 1 is a rectangular flat plate having a length L and a width H, and the distance B1 is the distance from the edge 11 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2, or , The distance from the edge 13 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O2 of the vibrating portion 3. The distance B2 is the distance from the edge 14 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2 or the vibration center O2 of the vibrating portion 3. The distance B3 is a distance from the edge 12 of the piezoelectric substrate 1 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2 or the vibration center O2 of the vibrating portion 3. The distance B4 is the distance from the edge 102 of the piezoelectric substrate 1 which is the inner edge of the slit 10 to the vibration center O1 of the vibrating portion 2, or the edge 103 of the piezoelectric substrate 1 which is the inner edge of the slit 10. To the vibration center O2 of the vibration unit 3.
【００１６】 隣り合う２つの振動部２、３における振動中心Ｏ１ーＯ２間の距離ＡはＡ≧９ λを満たすように定めるのが望ましい。図５は距離Ａと減衰量との関係を示す図 である。図５において、横軸に２つの目盛軸を取り、縦軸に減衰量（ｄＢ）をと って示してある。第１横軸（上側）は距離Ａを基板内伝搬波長λによって表示し た目盛となっており、第２軸（下側）は距離Ａを実寸法（ｍｍ）で表示した目盛 となっている。図中の△印は振動電極に半田を付着させて質量負荷によるダンピ ング作用を得る従来品の特性を示している。図示するように、距離Ａが９λ以上 になると、従来品である半田付着ダンピングの場合よりも、大きな帯域外減衰を 得ることができる。It is desirable that the distance A between the vibration centers O1 and O2 in the two adjacent vibrating portions 2 and 3 is set so as to satisfy A ≧ 9 λ. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the distance A and the amount of attenuation. In FIG. 5, the horizontal axis represents two scale axes and the vertical axis represents the attenuation amount (dB). The first horizontal axis (upper side) is a scale that shows the distance A by the propagation wavelength λ in the substrate, and the second axis (lower side) is a scale that shows the distance A in actual dimensions (mm). . The triangles in the figure show the characteristics of the conventional product in which solder is attached to the vibrating electrode to obtain the damping action due to the mass load. As shown in the figure, when the distance A is 9 λ or more, a larger out-of-band attenuation can be obtained as compared with the conventional solder adhesion damping.
【００１７】 再び図１及び図２を参照すると、振動部２は圧電基板１の１面上に、幅Ｈの方 向に間隔ｇ１を隔てて配置された駆動電極２１、２２を有する。駆動電極２１は リード電極２３によって圧電基板１の端縁１１及び１２の交差する隅部に設けら れた接続電極２４に導通させてある。駆動電極２２はリード電極２７によって圧 電基板１の中央よりに導かれ、圧電基板１の端縁１２において、中央部に設けら れたコンデンサ電極４１に接続されている。振動部３は振動電極２と対称性を有 し、圧電基板１の１面上に幅Ｈの方向に間隔ｇ２を隔てて配置された駆動電極３ １、３２を有する。駆動電極３１はリード電極３３によって圧電基板１の端縁１ ３及び１２の交差する隅部に設けられた接続電極３４に導通させてある。駆動電 極３２はリード電極３７によって圧電基板１の中央よりに導かれ、圧電基板１の 端縁１２において、中央部に設けられたコンデンサ電極４１に接続されている。Referring again to FIGS. 1 and 2, the vibrating portion 2 has the drive electrodes 21 and 22 arranged on one surface of the piezoelectric substrate 1 in the width H direction with a gap g 1 therebetween. The drive electrode 21 is electrically connected by a lead electrode 23 to a connection electrode 24 provided at a corner where the edges 11 and 12 of the piezoelectric substrate 1 intersect. The drive electrode 22 is guided from the center of the piezoelectric substrate 1 by the lead electrode 27, and is connected to the capacitor electrode 41 provided at the center of the edge 12 of the piezoelectric substrate 1. The vibrating portion 3 has symmetry with the vibrating electrode 2 and has drive electrodes 31 and 32 arranged on one surface of the piezoelectric substrate 1 at intervals of g2 in the width H direction. The drive electrode 31 is electrically connected by a lead electrode 33 to a connection electrode 34 provided at a corner where the edges 13 and 12 of the piezoelectric substrate 1 intersect. The drive electrode 32 is guided from the center of the piezoelectric substrate 1 by the lead electrode 37, and is connected to the capacitor electrode 41 provided at the center of the edge 12 of the piezoelectric substrate 1.
【００１８】 振動部２は、更に、圧電基板１の反対側の他面上において、駆動電極２１、２ ２と対向する位置に形成された共通電極３５を有する。共通電極３５はリード電 極２６によって、コンデンサ電極４１と対向する位置に設けられたグランド電極 ４２に導通させてある。同様に、振動部３も圧電基板１の反対側の他面上におい て、駆動電極３１、３２と対向する位置に形成された共通電極３５を有する。共 通電極３５はリード電極３６によってグランド電極４２に導通させてある。The vibrating section 2 further includes a common electrode 35 formed on the other surface of the piezoelectric substrate 1 opposite to the drive electrodes 21 and 22. The common electrode 35 is electrically connected by a lead electrode 26 to a ground electrode 42 provided at a position facing the capacitor electrode 41. Similarly, the vibrating portion 3 also has a common electrode 35 formed on the other surface of the piezoelectric substrate 1 opposite to the drive electrodes 31 and 32. The common electrode 35 is electrically connected to the ground electrode 42 by the lead electrode 36.
【００１９】 接続電極２４、３４にはリード端子５、６がそれぞれ半田付け固定されており 、グランド電極４２にはリード端子７が半田付け等の手段によって固定されてい る。エネルギー閉じ込め型セラミックフィルタの完成品としては、良く知られて いるように、振動部２、３のまわりに空洞部が生じるようにして、全体を絶縁樹 脂８を被覆した構造となる。The lead terminals 5 and 6 are fixed by soldering to the connection electrodes 24 and 34, respectively, and the lead terminal 7 is fixed to the ground electrode 42 by means such as soldering. As is well known, the finished product of the energy trapping ceramic filter has a structure in which a hollow portion is formed around the vibrating portions 2 and 3 and the whole is covered with the insulating resin 8.
【００２０】 以上、２素子型セラミックフィルタを例にとって説明したが、３素子型或いは ４素子型等、更に多段のセラミックフィルタにおいても同様に適用が可能である 。Although the two-element type ceramic filter has been described above as an example, the present invention can be similarly applied to a multi-element ceramic filter such as a three-element type or a four-element type.
【００２１】[0021]
以上述べたように、本考案によれば次のような効果が得られる。 (ａ）同一の圧電基板上に複数個のエネルギー閉じ込め型振動部を有し、圧電 基板が振動部間にスリットを有するから、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量 を低下させたセラミックフィルタを提供できる． (ｂ）振動部は、圧電基板の表裏において重なり合う振動電極を有し、圧電基 板の長さ方向に間隔を隔てて配置されており、スリットは、圧電基板の幅方向の 一端縁から中央に向かって設けられ、圧電基板の幅をＨとし、圧電基板の一端縁 から幅方向にとられた振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとし たとき、幅方向の深さＤがＣ≦Ｄかつ（ＨーＤ）≧０．７λを満たしているから 、圧電基板の機械的強度を確保して、スプリアスを低減させ、帯域外減衰量を大 きく取り得るセラミックフィルタを提供できる。 (ｃ）圧電基板は、動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、振動部の振動 中心から基板端縁までの距離をＢn（ｎ＝１〜４）としたとき、距離Ｂn（ｎ＝１ 〜４）がＢn（ｎ＝１〜４） ≧１．５λを満たすから、挿入損失の小さなセラミ ックフィルタを提供できる。 (ｄ）上述の作用は、スリットの深さＤ及び距離Ｂn（ｎ＝１〜４）の選定によ って得られるから、振動電極に半田等を付着させて質量負荷を付与し、そのダン ピング作用によってスプリアスを低減する従来技術と異なって、特性の劣化を招 くことのないセラミックフィルタを提供できるAs described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (a) A ceramic filter having a plurality of energy trapping vibrating parts on the same piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate having slits between the vibrating parts, thereby reducing spurious and out-of-band attenuation. it can. (b) The vibrating part has vibrating electrodes that overlap on the front and back of the piezoelectric substrate, and is arranged at intervals in the length direction of the piezoelectric substrate, and the slit is formed from one end edge in the width direction of the piezoelectric substrate to the center. When the width of the piezoelectric substrate is H, and the distance from one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction is C, the depth D in the width direction is provided. Satisfies C ≦ D and (HD) ≧ 0.7λ, so that it is possible to provide a ceramic filter that can secure the mechanical strength of the piezoelectric substrate, reduce spurious, and obtain a large out-of-band attenuation. . (c) In the piezoelectric substrate, when the propagation wavelength in the substrate in the operation vibration mode is λ and the distance from the vibration center of the vibrating portion to the substrate edge is B n (n = 1 to 4) , the distance B n (n = 1 to 4) satisfies B n (n = 1 to 4) ≧ 1.5λ, so that a ceramic filter with a small insertion loss can be provided. (d) Since the above-mentioned action is obtained by selecting the depth D of the slit and the distance B n (n = 1 to 4) , solder or the like is attached to the vibrating electrode to apply a mass load, A ceramic filter that does not deteriorate the characteristics can be provided, unlike the conventional technology that reduces spurious due to the damping action.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本考案に係るセラミックフィルタの平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of a ceramic filter according to the present invention.
【図２】図１に示したセラミックフィルタの底面図であ
る。FIG. 2 is a bottom view of the ceramic filter shown in FIG.
【図３】図１及び図２に示す構造を有する１０．７ＭＨ
ｚのセラミックフィルタの減衰特性及び挿入損失特性を
示す図である。FIG. 3 is a 10.7 MH having the structure shown in FIGS. 1 and 2.
It is a figure which shows the attenuation characteristic and insertion loss characteristic of the ceramic filter of z.
【図４】距離Ｂと挿入損失（ｄＢ）との関係を示す特性
図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between a distance B and an insertion loss (dB).
【図５】距離Ａと減衰量との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a distance A and an attenuation amount.
１ 圧電基板 １０ スリット ２、３ 振動部 Ｈ 圧電基板の幅 Ｃ 圧電基板の一端縁から幅方向にとられ
た振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離 Ｄ スリットの幅方向の深さ Ｂ 振動部の振動中心から基板端縁までの
距離1 Piezoelectric substrate 10 Slits 2, 3 Vibrating portion H Piezoelectric substrate width C Distance from one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction D Depth in the width direction of the slit B Distance from the vibration center of the vibration part to the edge of the substrate
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【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年８月１１日[Submission date] August 11, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【考案の名称】 セラミックフィルタ[Title of device] Ceramic filter
【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本考案に係るセラミックフィルタの平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view of a ceramic filter according to the present invention.
【図２】図１に示したセラミックフィルタの裏面図であ
る。2 is a back side view of the ceramic filter shown in FIG.
【図３】図１及び図２に示す構造を有する１０．７ＭＨ
ｚのセラミックフィルタの減衰特性及び挿入損失特性を
示す図である。FIG. 3 is a 10.7 MH having the structure shown in FIGS. 1 and 2.
It is a figure which shows the attenuation characteristic and insertion loss characteristic of the ceramic filter of z.
【図４】距離Ｂn（ｎ＝１〜４）と挿入損失（ｄＢ）と
の関係を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between a distance B n (n = 1 to 4) and an insertion loss (dB).
【図５】距離Ａと減衰量との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a distance A and an attenuation amount.
【図６】不良率と（Ｈ−Ｄ）ｍｍ及びλ（Ｈ−Ｄ）ｍｍ6] Defect rate and (HD) mm and λ (HD) mm
との関係をグラフ化して示す図である。It is a figure which shows the relationship with and graphing.
【符号の説明】 １ 圧電基板 １０ スリット ２、３ 振動部 Ｈ 圧電基板の幅 Ｃ 圧電基板の一端縁から幅方向にとられ
た振動電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離 Ｄ スリットの幅方向の深さＢn（ｎ＝１〜４） 振動部の振動中心から基板端縁
までの距離[Explanation of symbols] 1 piezoelectric substrate 10 slits 2, 3 vibrating portion H width of piezoelectric substrate C distance from one edge of the piezoelectric substrate to the farthest end of the overlapping portion of the vibrating electrodes taken in the width direction D width of the slit Depth in the direction B n (n = 1 to 4) Distance from the vibration center of the vibrating part to the substrate edge
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図３[Name of item to be corrected] Figure 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図３】 [Figure 3]
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図４[Name of item to be corrected] Fig. 4
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図４】 [Figure 4]
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図６[Name of item to be corrected] Figure 6
【補正方法】追加[Correction method] Added
【補正内容】[Correction content]
【図６】 [Figure 6]
Claims (1)
閉じ込め型振動部を有し、前記圧電基板が前記振動部間
にスリットを有するセラミックフィルタであって、 前記振動部は、前記圧電基板の表裏において重なり合う
振動電極を有し、前記圧電基板の長さ方向に間隔を隔て
て配置されており、 前記スリットは、前記圧電基板の幅方向の一端縁から中
央に向かって設けられ、前記圧電基板の幅をＨとし、前
記圧電基板の前記一端縁から幅方向にとられた前記振動
電極の重なり部分の最も遠い端部までの距離をＣとした
とき、幅方向の深さＤが Ｃ≦Ｄ≦Ｈ／２ を満たしており、 動作振動モードの基板内伝搬波長をλとし、前記振動部
の前記振動中心から基板端縁までの距離をＢとしたと
き、距離Ｂが Ｂ≧１．５λ を満たすセラミックフィルタ。1. A plurality of energies on the same piezoelectric substrate
The piezoelectric substrate has a confinement type vibrating part, and
A ceramic filter having a slit in the front and back of the piezoelectric substrate.
Having vibrating electrodes, spaced apart in the length direction of the piezoelectric substrate
The slit is formed from one end edge in the width direction of the piezoelectric substrate to the center.
Provided toward the center, the width of the piezoelectric substrate is H,
The vibration taken in the width direction from the one edge of the piezoelectric substrate
The distance to the furthest end of the overlapping portion of the electrodes is C
At this time, the depth D in the width direction satisfies C ≦ D ≦ H / 2, the propagation wavelength in the substrate in the operating vibration mode is λ, and the vibrating part is
Let B be the distance from the vibration center to the substrate edge.
And a distance B satisfies B ≧ 1.5λ.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992038469U JP2604839Y2 (en) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ceramic filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992038469U JP2604839Y2 (en) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ceramic filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613222U true JPH0613222U (en) | 1994-02-18 |
| JP2604839Y2 JP2604839Y2 (en) | 2000-06-05 |
Family
ID=12526104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992038469U Expired - Lifetime JP2604839Y2 (en) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ceramic filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604839Y2 (en) |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP1992038469U patent/JP2604839Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2604839Y2 (en) | 2000-06-05 |
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