JPH06130663A - Amorphous radiation-sensitive compound and radiation-sensitive resin composition using the same - Google Patents

Amorphous radiation-sensitive compound and radiation-sensitive resin composition using the same

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JPH06130663A
JPH06130663A JP27847692A JP27847692A JPH06130663A JP H06130663 A JPH06130663 A JP H06130663A JP 27847692 A JP27847692 A JP 27847692A JP 27847692 A JP27847692 A JP 27847692A JP H06130663 A JPH06130663 A JP H06130663A
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JP
Japan
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radiation
sensitive
amorphous
resin composition
sulfonic acid
Prior art date
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Application number
JP27847692A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Kuwana
耕治 桑名
Atsushi Tomioka
淳 富岡
Hirotoshi Nakanishi
弘俊 中西
Mitsunori Kato
三典 加藤
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To decrease the number of undissolved particles just after production or after stored for a long time and to increase the production yield of ICs by using a radiation-sensitive compd. having an amorphous halo form containing at least one max. in a specified range. CONSTITUTION:This radiation-sensitive compd. shows an amorphous halo form including at least one max. in 5 deg. to 35 deg. 2theta range in powder X-ray diffraction using Cu-Kalpha ray as the X-ray source. For example, 1,2-benzoquinone diazide-4- sulfonate, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonate, etc., is used. These quinonediazide sulfonate is obtd., for example, by the reaction of compd. having hydroxyl groups and quinonediazide sulfonic acid halide such as 1,2-benzoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride in a hydrophilic org. solvent such as dioxane, acetone, and tetrahydrofuran in the presence of org. base such as triethylamine.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、紫外線、X線、電子
線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビ
ーム等の放射線に感応する感放射線性化合物、及びそれ
を用いてなる感放射線性樹脂組成物に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a radiation-sensitive compound which is sensitive to radiation such as ultraviolet rays, X-rays, electron beams, molecular beams, γ-rays, synchrotron radiation and proton beams, and radiation-sensitive compounds using the same. Resin composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSI の高集積化に伴い、集積回路のデザ
インルールも1μm付近から0.5 μm付近へと微細化し
ている。このような微細加工に用いられる感放射線性樹
脂組成物には解像度、感度、プロファイル、塗布性及び
焦点深度のような基本性能の他に、良好な保存安定性が
要求される。即ち、感放射線性樹脂組成物中に目視では
観察しえない比較的大きい非溶解粒子が多い場合、該組
成物から形成されたレジストパターンを介して基板をエ
ッチングすると、しばしば、レジストパターンにより覆
われた基板部分にピンホールが発生し、集積回路作製時
の歩留りが悪化することが知られている。上記の非溶解
粒子は主として感放射線性化合物に由来するものであ
り、感放射線性樹脂組成物中の非溶解粒子数は該組成物
の調製直後はそれほど問題になるレベルではなくとも、
逐次増加して長期保存後には異常なレベルになる。
2. Description of the Related Art With the high integration of LSIs, the design rules of integrated circuits are becoming finer from around 1 μm to around 0.5 μm. The radiation-sensitive resin composition used for such fine processing is required to have good storage stability in addition to basic performance such as resolution, sensitivity, profile, coating property and depth of focus. That is, when there are many relatively large undissolved particles that cannot be visually observed in the radiation-sensitive resin composition, when the substrate is etched through the resist pattern formed from the composition, the substrate is often covered with the resist pattern. It is known that pinholes are generated in the substrate portion and the yield at the time of manufacturing an integrated circuit is deteriorated. The above-mentioned non-dissolved particles are mainly derived from the radiation-sensitive compound, and the number of non-dissolved particles in the radiation-sensitive resin composition is not so problematic immediately after the preparation of the composition,
It increases gradually and becomes abnormal level after long-term storage.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、感放射線性
樹脂組成物中の非溶解粒子数が少ない感放射線性化合
物、並びに、製造直後及び長期保存後の非溶解粒子数が
少なく、集積回路作製時の歩留りが良好な感放射線性樹
脂組成物を提供する。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a radiation-sensitive compound having a small number of non-dissolved particles in a radiation-sensitive resin composition, and a small number of non-dissolved particles immediately after production and after long-term storage, which is an integrated circuit. Provided is a radiation-sensitive resin composition having a good yield during production.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、Cu のKα線
をX線源とする粉末X線回折において、2θ値で5°〜
35°の範囲に少なくとも1つの極大値を含む非晶質ハロ
ー図形を有することを特徴とする非晶質の感放射線性化
合物、並びに、該非晶質の感放射線性化合物、アルカリ
可溶性樹脂及び溶剤を混合してなる感放射線性樹脂組成
物である。
According to the present invention, in powder X-ray diffraction using Cu Kα ray as an X-ray source, the 2θ value is 5 ° to 5 °.
An amorphous radiation-sensitive compound characterized by having an amorphous halo diagram containing at least one maximum in the range of 35 °, and the amorphous radiation-sensitive compound, an alkali-soluble resin and a solvent. It is a radiation-sensitive resin composition formed by mixing.

【0005】上記の非晶質の感放射線性化合物として
は、例えば1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステルもしくは1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル等が挙げられる。これらの
キノンジアジドスルホン酸エステルは例えば、ヒドロキ
シル基を有する化合物と、1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸クロリド、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸クロリドもしくは1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド等のキノン
ジアジドスルホン酸ハライドとを、ジオキサン、アセト
ン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミドもしく
はジメチルスルホキシド等の親水性有機溶媒中、トリエ
チルアミン等の有機塩基の存在下に反応させることによ
り得られる。反応温度は好ましくは室温付近又はそれ以
上であり、短時間で反応を終了させることが好ましい。
反応終了後、直ちに、塩酸等のハロゲン化水素と有機塩
基との塩及び未反応の有機塩基を反応混合物から除去す
ることが好ましい。除去手段としては例えば、反応混合
物中のハロゲン化水素と有機塩基との塩を濾過し、次い
で、得られた濾液を酢酸等の有機酸水溶液で中和する方
法等が挙げられる。好ましい非晶質の感放射線性化合物
としては、非晶質ハロー図形が2つの極大値を含むもの
が挙げられ、より好ましくは2つの極大値の一方が2θ
値で12°〜18°の範囲にあるものが挙げられる。
Examples of the amorphous radiation-sensitive compound include 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester and 1,2-naphthoquinonediazide-ester. Examples thereof include 5-sulfonic acid ester. These quinonediazide sulfonic acid esters include, for example, a compound having a hydroxyl group, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride or 1,2-naphthoquinonediazide-5. -A quinonediazide sulfonic acid halide such as sulfonic acid chloride can be obtained by reacting with a hydrophilic organic solvent such as dioxane, acetone, tetrahydrofuran, dimethylformamide or dimethylsulfoxide in the presence of an organic base such as triethylamine. The reaction temperature is preferably around room temperature or higher, and it is preferable to complete the reaction in a short time.
Immediately after the completion of the reaction, it is preferable to remove the salt of hydrogen halide such as hydrochloric acid and the organic base and the unreacted organic base from the reaction mixture. Examples of the removing means include a method of filtering a salt of hydrogen halide and an organic base in the reaction mixture, and then neutralizing the obtained filtrate with an aqueous organic acid solution such as acetic acid. Preferred amorphous radiation-sensitive compounds include those in which the amorphous halo figure contains two local maxima, more preferably one of the two local maxima is 2θ.
The value is in the range of 12 ° to 18 °.

【0006】ヒドロキシル基を有する化合物としては、
例えばハイドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、2,2’,4−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,2’,5−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,3’−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,3’,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,
3’,5−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,
4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4’,5−
トリヒドロキシベンゾフェノン、2’,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、3,3’,4−トリヒドロキ
シベンゾフェノンもしくは3,4,4’−トリヒドロキ
シベンゾフェノン等のトリヒドロキシベンゾフェノン
類、2,3,3’,4−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,2’,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,2’,3,4’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2’,5,5’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3’,4’,5−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンもしくは2,3’,5,5’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン等のテトラヒドロキシベンゾフェノ
ン類、2,2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、2,2’,3,4,5’−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,2’,3,3’,4−ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノンもしくは2,3,3’,4,
5’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のペンタヒド
ロキシベンゾフェノン類、2,3,3’,4,4’,
5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンもしくは2,
2’,3,3’,4,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフ
ェノン等のヘキサヒドロキシベンゾフェノン類、没食子
酸アルキルエステル、特開平2−84650 号公報に一般式
(I)で記載されているオキシフラバン類、特開平2−
269351号公報に一般式(I)で記載されているフェノー
ル化合物、特開平3−185447号公報に一般式(I)で記
載されているフェノール化合物、及び特願平4−134862
号に一般式(IV)で記載されている化合物等が挙げら
れる。
As the compound having a hydroxyl group,
For example, hydroquinone, resorcin, phloroglucin,
2,4-dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 3-trihydroxybenzophenone, 2,2', 4-trihydroxybenzophenone, 2,2 ', 5-trihydroxybenzophenone, 2,3,3'-trihydroxybenzophenone, 2,3,4'-trihydroxybenzophenone,
2,3 ', 4-trihydroxybenzophenone, 2,
3 ', 5-trihydroxybenzophenone, 2,4
4'-trihydroxybenzophenone, 2,4 ', 5-
Trihydroxybenzophenones such as trihydroxybenzophenone, 2 ', 3,4-trihydroxybenzophenone, 3,3', 4-trihydroxybenzophenone or 3,4,4'-trihydroxybenzophenone, 2,3,3 ', 4-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 3,4-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ' , 3,4'-Tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ', 5,5'-Tetrahydroxybenzophenone, 2,3', 4 ', 5-Tetrahydroxybenzophenone or 2,3', 5,5'-Tetrahydroxy Tetrahydroxybenzophenones such as benzophenone, 2,2 ', 3,4,4'-pentahydro Shi benzophenone, 2,2 ', 3,4,5'- pentahydroxybenzophenone, 2,2', 3,3 ', 4-pentahydroxybenzophenone or 2,3,3', 4,
Pentahydroxybenzophenones such as 5′-pentahydroxybenzophenone, 2,3,3 ′, 4,4 ′,
5'-hexahydroxybenzophenone or 2,
Hexahydroxybenzophenones such as 2 ', 3,3', 4,5'-hexahydroxybenzophenone, alkyl esters of gallic acid, oxyflavans described by the general formula (I) in JP-A-2-84650, JP-A-2-
No. 269351, the phenol compound described by the general formula (I), JP-A-3-185447, the phenol compound described by the general formula (I), and Japanese Patent Application No. 4-134862.
And the compounds described in Formula (IV).

【0007】アルカリ可溶性樹脂としては、例えばポリ
ヒドロキシスチレンもしくはその誘導体、スチレン−無
水マレイン酸共重合体、ポリビニルヒドロキシベンゾエ
ート、カルボキシル基を含有するメタアクリル系樹脂、
もしくはノボラック樹脂等が挙げられる。
As the alkali-soluble resin, for example, polyhydroxystyrene or its derivative, styrene-maleic anhydride copolymer, polyvinyl hydroxybenzoate, methacrylic resin containing a carboxyl group,
Alternatively, novolac resin or the like may be used.

【0008】ノボラック樹脂としては、例えばフェノー
ル、o−、m−もしくはp−クレゾール、2,5−キシ
レノール、3,5−キシレノールもしくは3,4−キシ
レノール、2,3,5−トリメチルフェノール、4−t
−ブチルフェノール、2−t−ブチルフェノールもしく
は3−t−ブチルフェノール、3−エチルフェノール、
2−エチルフェノールもしくは4−エチルフェノール、
3−メチル−6−t−ブチルフェノールもしくは4−メ
チル−2−t−ブチルフェノール、1,3−ジヒドロキ
シナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレンもしく
は1,5−ジヒドロキシナフタレン、又は2−ナフトー
ル等のフェノール類を単独で又は2種以上組合わせて、
アルデヒド類と常法により縮合させた樹脂が挙げられ
る。
Examples of novolak resins include phenol, o-, m- or p-cresol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol or 3,4-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 4- t
-Butylphenol, 2-t-butylphenol or 3-t-butylphenol, 3-ethylphenol,
2-ethylphenol or 4-ethylphenol,
A phenol such as 3-methyl-6-t-butylphenol or 4-methyl-2-t-butylphenol, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene or 1,5-dihydroxynaphthalene, or 2-naphthol is used. Alone or in combination of two or more,
A resin condensed with an aldehyde by a conventional method can be used.

【0009】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデ
ヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニル
プロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、グルタルアルデヒド、グリオキサー
ル、o−メチルベンズアルデヒドもしくはp−メチルベ
ンズアルデヒド等が挙げられる。
Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde. , Glutaraldehyde, glyoxal, o-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde and the like.

【0010】アルカリ可溶性樹脂と非晶質の感放射線性
化合物との割合は、アルカリ可溶性樹脂100 重量部に対
して通常、非晶質の感放射線性化合物5〜100 重量部で
あり、好ましくは10〜50重量部である。
The ratio of the alkali-soluble resin to the amorphous radiation-sensitive compound is usually 5 to 100 parts by weight of the amorphous radiation-sensitive compound, preferably 10 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. ~ 50 parts by weight.

【0011】溶剤としては、例えばエチルセロソルブア
セテートもしくはプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート等のグリコールエーテルエステル類、特
開平2−220056号公報に記載された溶剤、酢酸アミル、
乳酸エチル、ピルビン酸メチル、2−メトキシプロピオ
ン酸メチル、2−ヘプタノン又はγ−ブチロラクトン等
が挙げられる。これらの溶剤は単独で又は2種以上組合
わせて用いられる。溶剤量は通常、感放射線性樹脂組成
物中、50〜97重量%になるように調整される。
Examples of the solvent include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate or propylene glycol monomethyl ether acetate, the solvents described in JP-A-2-220056, amyl acetate,
Examples thereof include ethyl lactate, methyl pyruvate, methyl 2-methoxypropionate, 2-heptanone and γ-butyrolactone. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount of solvent is usually adjusted to 50 to 97% by weight in the radiation sensitive resin composition.

【0012】本発明の感放射線性樹脂組成物には必要に
応じて当該技術分野で慣用されている各種の添加物を加
えることができる。
If desired, the radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain various additives commonly used in the art.

【0013】[0013]

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は製造直
後及び長期保存後も非溶解粒子数が少なく、該感放射線
性樹脂組成物を用いると集積回路作製時の歩留りを良好
にすることができる。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention has a small number of non-dissolved particles immediately after production and after long-term storage, and the use of the radiation-sensitive resin composition improves the yield in the production of integrated circuits. You can

【0014】[0014]

【実施例】以下、実施例により、本発明をより詳細に説
明する。文中、部は特に記述しない限り、重量部を示
す。
The present invention will be described in more detail with reference to examples. In the text, "part" means "part by weight" unless otherwise specified.

【0015】実施例1 500ml の4つ口フラスコに2,3,4,4’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン12.31g、1,2−ナフトキノン
ジアジドスルホン酸クロリド33.6g 及びジオキサン280g
を仕込み、20〜30℃で約1時間攪拌した。次いで、トリ
エチルアミン13.3g を15〜25℃で約1時間かけて滴下
し、滴下終了後、同温度で1時間攪拌した。反応終了
後、直ちに反応混合物を濾過した。濾過残をジオキサン
34g で洗浄した。濾液と洗液を合わせ、これを30℃で純
水930gと酢酸9.3gとの混合液中に注ぎ、28〜32℃で1時
間攪拌して結晶化させた。濾過後、得られた結晶を純水
で十分に洗浄し、次いで40℃で乾燥して約40g の非晶質
の感放射線性化合物を得た。
Example 1 12.31 g of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 33.6 g of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride and 280 g of dioxane were placed in a 500 ml four-necked flask.
Was charged and stirred at 20 to 30 ° C. for about 1 hour. Next, 13.3 g of triethylamine was added dropwise at 15 to 25 ° C. over about 1 hour, and after completion of the addition, the mixture was stirred at the same temperature for 1 hour. Immediately after completion of the reaction, the reaction mixture was filtered. Filter residue is dioxane
Washed with 34 g. The filtrate and the washing solution were combined, poured into a mixed solution of 930 g of pure water and 9.3 g of acetic acid at 30 ° C, and stirred at 28 to 32 ° C for 1 hour for crystallization. After filtration, the obtained crystals were thoroughly washed with pure water and then dried at 40 ° C. to obtain about 40 g of an amorphous radiation sensitive compound.

【0016】実施例2 実施例1で得られた非晶質の感放射線性化合物172 部、
クレゾールノボラック樹脂〔m−クレゾール/p−クレ
ゾール=5/5、クレゾール/ホルマリン=1/0.75
(いずれもモル比)の条件で蓚酸触媒の存在下に縮合さ
せたポリスチレン換算重量平均分子量8000の樹脂〕800
部及びエチルセロソルブアセテート2652部を遮光条件下
に攪拌・混合した。次いで、孔径0.1 μmのテフロン製
フィルターで濾過後、清浄なガロン瓶に充填して感放射
線性樹脂組成物を得た。リオン(株)製自動微粒子計測
器(KL-20 型)を用いて製造直後の組成物中の非溶解粒
子数を測定して次の結果を得た。 0.25μm以上の粒子数 35個/ml 0.25〜0.3 μmの粒子数 18個/ml 上記組成物を22〜24℃のクリーンルーム内に1カ月保存
後、非溶解粒子数を測定して次の結果を得た。 0.25μm以上の粒子数 47個/ml 0.25〜0.3 μmの粒子数 24個/ml 以上のように、本実施例で得られた感放射線性樹脂組成
物はその中の非溶解粒子数が少ないので、22〜24℃で1
カ月保存後に集積回路を作製しても、その歩留りは良好
である。
Example 2 172 parts of the amorphous radiation-sensitive compound obtained in Example 1,
Cresol novolac resin [m-cresol / p-cresol = 5/5, cresol / formalin = 1 / 0.75
Resin having a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of 8000, condensed in the presence of an oxalic acid catalyst under the conditions of (both are molar ratios)] 800
And 2652 parts of ethyl cellosolve acetate were stirred and mixed under light-shielding conditions. Then, the mixture was filtered through a Teflon filter having a pore size of 0.1 μm and filled in a clean gallon bottle to obtain a radiation-sensitive resin composition. The number of non-dissolved particles in the composition immediately after production was measured by using an automatic particle counter (KL-20 type) manufactured by Rion Co., Ltd., and the following results were obtained. Number of particles of 0.25 μm or more 35 / ml Number of particles of 0.25 to 0.3 μm 18 / ml After storing the above composition in a clean room at 22 to 24 ° C for 1 month, measure the number of non-dissolved particles and obtain the following results. Obtained. The number of particles of 0.25 μm or more 47 particles / ml The number of particles of 0.25 to 0.3 μm 24 particles / ml As described above, the radiation-sensitive resin composition obtained in this example has a small number of non-dissolved particles. , 1 at 22-24 ℃
Even if an integrated circuit is manufactured after storage for a month, the yield is good.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例1で得られた非晶質の感放射線性化合物
のX線回折図である。
1 is an X-ray diffraction diagram of the amorphous radiation-sensitive compound obtained in Example 1. FIG.

フロントページの続き (72)発明者 加藤 三典 大阪市此花区春日出中3丁目1番98号 住 友化学工業株式会社内Front page continuation (72) Inventor Sannori Kato 3-98 Kasugade, Konohana-ku, Osaka Sumitomo Chemical Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】Cu のKα線をX線源とする粉末X線回折
において、2θ値で5°〜35°の範囲に少なくとも1つ
の極大値を含む非晶質ハロー図形を有することを特徴と
する非晶質の感放射線性化合物。
1. A powder X-ray diffraction using Cu Kα ray as an X-ray source, which has an amorphous halo pattern including at least one local maximum in a 2θ value range of 5 ° to 35 °. Amorphous radiation sensitive compound.
【請求項2】非晶質ハロー図形が2つの極大値を含む請
求項1に記載の感放射線性化合物。
2. The radiation-sensitive compound according to claim 1, wherein the amorphous halo diagram includes two local maxima.
【請求項3】2つの極大値の一方が2θ値で12°〜18°
の範囲にある請求項2に記載の感放射線性化合物。
3. One of the two maxima is a 2θ value of 12 ° to 18 °.
The radiation-sensitive compound according to claim 2, which is within the range.
【請求項4】請求項1に記載の感放射線性化合物、アル
カリ可溶性樹脂及び溶剤を混合してなる感放射線性樹脂
組成物。
4. A radiation-sensitive resin composition obtained by mixing the radiation-sensitive compound according to claim 1, an alkali-soluble resin and a solvent.
JP27847692A 1992-10-16 1992-10-16 Amorphous radiation-sensitive compound and radiation-sensitive resin composition using the same Pending JPH06130663A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000081700A (en) * 1998-07-02 2000-03-21 Nippon Zeon Co Ltd Formation of pattern
DE19757681C2 (en) * 1996-12-25 2003-06-26 Nat Ind Res I Of Nagoya Nagoya Sintered material based on cubic boron nitride and process for its production

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