JPH0612979A - Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube - Google Patents
Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tubeInfo
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- JPH0612979A JPH0612979A JP16710392A JP16710392A JPH0612979A JP H0612979 A JPH0612979 A JP H0612979A JP 16710392 A JP16710392 A JP 16710392A JP 16710392 A JP16710392 A JP 16710392A JP H0612979 A JPH0612979 A JP H0612979A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、カラーブラウン管用
シャドウマスクの製造方法に係り、特にアンバー材など
からなるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a shadow mask for a color cathode ray tube, and more particularly to a method for producing a shadow mask for a color cathode ray tube made of amber material or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般にカラーブラウン管は、図5に示す
ように、有効面が曲面をなすパネル1の内面に、3色蛍
光体層からなる蛍光体スクリーン2 が形成され、この蛍
光体スクリーン2 に対向して、ファンネル3 のネック4
内に配置された電子銃5 から放出された3電子ビーム6
B,6G,6Rを選別するシャドウマスク7 が配設されてい
る。このシャドウマスク7 は、上記蛍光体スクリーン3
と対向する有効面に多数の電子ビーム通過孔が形成さ
れ、かつパネル1 の内面に対応する曲面に形成され、こ
の有効面の周辺部にスカート部が折曲形成されたマスク
本体9 と、このマスク本体9 のスカート部に溶接された
マスクフレーム10とからなる。2. Description of the Related Art Generally, as shown in FIG. 5, in a color cathode ray tube, a phosphor screen 2 composed of a phosphor layer of three colors is formed on the inner surface of a panel 1 whose effective surface is a curved surface. Opposite, funnel 3 neck 4
3 electron beams emitted from an electron gun 5 placed inside
A shadow mask 7 for selecting B, 6G, and 6R is provided. This shadow mask 7 is used for the phosphor screen 3
A large number of electron beam passage holes are formed on the effective surface opposite to, and a mask body 9 is formed on the curved surface corresponding to the inner surface of the panel 1, and a skirt portion is bent around the effective surface. It consists of a mask frame 10 welded to the skirt of the mask body 9.
【0003】従来上記シャドウマスク7 のマスク本体9
には、アルミキルド鋼などの低炭素鋼板が用いられてい
たが、近年、大形カラー受像管、高精細カラー受像管、
高精細カラーディスプレイ管などの開発にともなって、
熱膨張係数の低いアンバー材が用いられている。これ
は、電子ビームの衝突により加熱され熱膨張することに
より生ずるシャドウマスク7 のドーミング現象を防止す
るためである。Conventionally, the mask body 9 of the above-mentioned shadow mask 7
Although low-carbon steel sheets such as aluminum killed steel were used for these, in recent years, large color picture tubes, high-definition color picture tubes,
With the development of high-definition color display tubes,
Amber material with a low coefficient of thermal expansion is used. This is to prevent the doming phenomenon of the shadow mask 7 caused by the thermal expansion caused by the collision of the electron beam.
【0004】ところで、上記カラー受像管あるいはカラ
ーディスプレイ管においては、精細な画像を表示するこ
とが望まれ、それにともなって、シャドウマスク7 の電
子ビーム通過孔は、通常のカラー受像管にくらべて、高
密度かつ微細なものとなっている。By the way, in the color picture tube or the color display tube, it is desired to display a fine image, and accordingly, the electron beam passage hole of the shadow mask 7 is different from that of a normal color picture tube. It is dense and minute.
【0005】従来よりシャドウマスク7 のマスク本体9
は、所定の冷間圧延工程を経て形成されたシャドウマス
ク板に、フォトエッチング法によりその両面(圧延面)
を貫通する多数の電子ビーム通過孔を形成して平板状の
フラットマスクとし、この平板状のフラットマスクをプ
レス成形による塑性加工により、電子ビーム通過孔の形
成された有効面が曲面をなし、この有効面の周辺部にス
カート部をもつ所定形状に成形することにより製作され
ている。Conventionally, the mask body 9 of the shadow mask 7
Is a photomask on both sides (rolled surface) of a shadow mask plate formed through a predetermined cold rolling process.
A large number of electron beam passage holes penetrating through are formed into a flat plate-shaped flat mask, and the flat surface-shaped flat mask is subjected to plastic working by press forming, so that the effective surface on which the electron beam passage holes are formed has a curved surface. It is manufactured by forming a skirt portion around the effective surface into a predetermined shape.
【0006】しかし上記製作方法によりアンバー材から
なるマスク本体9 を製作すると、図6に示すように、電
子ビーム通過孔12の孔13の位置(孔径が最小になる部
分)、孔13の形状などが不均一となり、高精度シャドウ
マスクとすることができない。この電子ビーム通過孔12
の孔13の位置、形状の不均一は、シャドウマスク板の両
面における結晶方向の不揃いに起因している。すなわ
ち、図7に示すように、シャドウマスク板13の両面にお
ける結晶粒の方向が不揃いであると、その両面間を貫通
する電子ビーム通過孔を形成するとき、エッチングされ
やすい結晶粒とエッチングされにくい結晶粒との間にエ
ッチング速度の差ができ、それにより破線14で示したよ
うにエッチングの進行方向が傾き、電子ビーム通過孔の
孔の位置、形状が図6に示したように不均一となる。However, when the mask body 9 made of an amber material is manufactured by the above manufacturing method, as shown in FIG. 6, the position of the hole 13 of the electron beam passage hole 12 (the portion where the hole diameter becomes the minimum), the shape of the hole 13, etc. Becomes non-uniform and a high precision shadow mask cannot be obtained. This electron beam passage hole 12
The non-uniformity of the positions and shapes of the holes 13 is caused by the non-uniformity of the crystal directions on both surfaces of the shadow mask plate. That is, as shown in FIG. 7, if the crystal grains on both sides of the shadow mask plate 13 are not aligned in the direction, the crystal grains that are easily etched and the ones that are not easily etched are formed when the electron beam passage hole penetrating between the both sides is formed. A difference in etching rate is caused between the grains and the crystal grains. As a result, the progressing direction of the etching is inclined as shown by the broken line 14, and the position and shape of the electron beam passage hole are not uniform as shown in FIG. Become.
【0007】またこのアンバー材からなるマスク本体9
は、大形管のシャドウマスク7 には、0.18〜0.2
5mmの板厚のものが用いられ、高精細カラーディスプレ
イ管には、0.10〜0.15mmの板厚のものが用いら
れている。一方、マスク本体9 の成形については、その
高い抗張力のためによる成形精度の低下を防止するため
に、平板状のフラットマスクを焼鈍したのち、温間プレ
スにより成形している。しかしアンバー材からなるマス
ク本体9 については、なお有効面の曲率精度、スカート
部のスプリングバック、このスカート部のスプリングバ
ックに基づく有効面の変形、成形後、プレス成形金型か
ら取出すときの変形などがおこるという問題がある。A mask body 9 made of this amber material
Is 0.18 to 0.2 for the shadow mask 7 of a large tube.
A plate having a plate thickness of 5 mm is used, and a plate having a plate thickness of 0.10 to 0.15 mm is used for a high-definition color display tube. On the other hand, regarding the molding of the mask body 9, in order to prevent deterioration of the molding accuracy due to its high tensile strength, a flat flat mask is annealed and then molded by warm pressing. However, for the mask body 9 made of amber material, the accuracy of curvature of the effective surface, the spring back of the skirt, the deformation of the effective surface due to the spring back of this skirt, the deformation when ejected from the press mold after molding, etc. There is a problem that occurs.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、大形カ
ラー受像管、高精細カラー受像管、高精細カラーディス
プレイ管などには、マスク本体を熱膨張係数の低いアン
バー材により製作したシャドウマスクが用いられてい
る。しかしこのアンバー材からなるマスク本体は、従来
の低炭素鋼板からなるシャドウマスクと同様の方法によ
り製作すると、フォトエッチング法により電子ビーム通
過孔を形成するとき、その電子ビーム通過孔の孔の位
置、形状の不均一となり、また成形時に、有効面の曲率
精度、スカート部のスプリングバック、このスカート部
のスプリングバックに基づく有効面の変形、成形後プレ
ス成形金型から取出すときの変形などがおこり、所要の
高精度シャドウマスクが得られないという問題がある。As described above, in large color picture tubes, high-definition color picture tubes, high-definition color display tubes, etc., the shadow mask is made of an amber material having a low thermal expansion coefficient. Is used. However, when the mask body made of this amber material is manufactured by the same method as the shadow mask made of the conventional low carbon steel plate, when the electron beam passage hole is formed by the photo etching method, the position of the hole of the electron beam passage hole, The shape becomes non-uniform, the curvature accuracy of the effective surface, the spring back of the skirt, the deformation of the effective surface due to the spring back of this skirt, the deformation when taking out from the press mold after molding, etc. occur. There is a problem that the required high precision shadow mask cannot be obtained.
【0009】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、マスク本体がアンバー材などの面
心立方格子あるいは体心立方格子構造の金属素材からな
るシャドウマスクを高精度に製作することができるシャ
ドウマスクの製造方法を得ることを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and highly accurately manufactures a shadow mask whose mask body is made of a metal material having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure such as an amber material. An object of the present invention is to obtain a method for manufacturing a shadow mask that can be used.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】マスク本体が面心立方格
子または体心立方格子構造の金属素材からなるカラーブ
ラウン管用シャドウマスクの製造方法において、その面
心立方格子または体心立方格子構造の金属素材を冷間圧
延し、この冷間圧延された金属素材を再結晶温度以上の
温度で熱処理して圧延面に{200}結晶面を集合させ
たシャドウマスク板を形成し、フォトエッチング法によ
りそのシャドウマスク板の圧延面に多数の電子ビーム通
過孔を形成し、プレス成形による塑性加工によりその電
子ビーム通過孔の形成されたシャドウマスク板を所定形
状に成形することによりマスク本体を製作するようにし
た。A method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube, the mask body of which is made of a metal material having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure, the metal having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure. The material is cold-rolled, and this cold-rolled metal material is heat-treated at a temperature equal to or higher than the recrystallization temperature to form a shadow mask plate in which {200} crystal faces are gathered on the rolled surface, and the shadow mask plate is formed by photoetching. A large number of electron beam passage holes are formed on the rolled surface of the shadow mask plate, and the mask body is manufactured by forming the shadow mask plate with the electron beam passage holes formed into a predetermined shape by plastic working by press molding. did.
【0011】また、その電子ビーム通過孔の形成された
シャドウマスク板を圧延面の950℃における結晶の粒
度が5.0〜6.5、1150℃における結晶の粒度が
1.0〜3.0となる範囲に焼鈍し、プレス成形による
塑性加工によりその焼鈍されたシャドウマスク板を所定
形状に成形することによりマスク本体を製作するように
した。Further, the grain size of the crystal on the rolled surface of the shadow mask plate having the electron beam passage holes at 950 ° C. is 5.0 to 6.5, and the grain size at 1150 ° C. is 1.0 to 3.0. The mask body was manufactured by annealing the shadow mask plate into a predetermined shape by plastic working by press molding.
【0012】[0012]
【作用】上記のように、面心立方格子または体心立方格
子構造の金属素材を冷間圧延したのち、その金属素材の
再結晶温度以上の温度で熱処理して圧延面に{200}
結晶面を集合させたシャドウマスク板を形成し、フォト
エッチング法によりそのシャドウマスク板の圧延面に多
数の電子ビーム通過孔を形成すると、電子ビーム通過孔
を形成するエッチングの進行方向が圧延面に対してほほ
垂直となり、従来生じた電子ビーム通過孔の孔の位置、
形状の不均一を解消することができる。As described above, a metal material having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure is cold-rolled, and then heat-treated at a temperature equal to or higher than the recrystallization temperature of the metal material to form {200} on the rolled surface.
When a shadow mask plate is formed by gathering crystal planes and a large number of electron beam passage holes are formed on the rolled surface of the shadow mask plate by a photoetching method, the etching progresses to form electron beam passage holes on the rolled surface. On the other hand, it becomes almost vertical, and the position of the hole of the electron beam passage hole that has occurred conventionally,
It is possible to eliminate the non-uniformity of the shape.
【0013】また、電子ビーム通過孔の形成されたシャ
ドウマスク板を圧延面の950℃における結晶の粒度が
5.0〜6.5、1150℃における結晶の粒度が1.
0〜3.0となる範囲に焼鈍し、プレス成形による塑性
加工によりその焼鈍されたシャドウマスク板を成形する
と、{200}結晶面からなる圧延面の焼鈍による結晶
の成長を抑制して、結晶粒度を粗粒および混粒の少ない
整粒とすることができ、この結晶粒度の均一化により、
従来生じた成形上の問題点を解消することができる。Further, the grain size of the crystal on the rolled surface of the shadow mask plate having the electron beam passage holes at 950 ° C. is 5.0 to 6.5, and the grain size at 1150 ° C. is 1.
When the annealed shadow mask plate is formed by plastic working by press forming by annealing in the range of 0 to 3.0, the growth of crystals due to annealing of the rolling surface composed of {200} crystal faces is suppressed, Grain size can be adjusted to coarse grains and small mixed grains, and by homogenizing the grain size,
It is possible to solve the molding problem that has occurred conventionally.
【0014】[0014]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.
【0015】面心立方格子または体心立方格子構造の金
属素材の一例として、アンバー材を素材とするシャドウ
マスクの製造方法について説明する。As an example of a metal material having a face-centered cubic lattice structure or a body-centered cubic lattice structure, a method of manufacturing a shadow mask made of an amber material will be described.
【0016】まず、36Ni −Fe からなるアンバー合
金を溶解し、精練、鋳造、スラブ、熱間圧延、焼鈍、酸
洗、冷間圧延などの工程を経て、所定板厚の圧延板を形
成する。具体的には、たとえば熱間圧延で板厚を1.2
mmとし、この板厚1.2mmの圧延板をブライトアニール
したのち、圧延率45.8%の冷間圧延をおこなって板
厚を0.65mmとし、さらに圧延率76.9%の冷間圧
延をおこなって、板厚0.15mmの圧延板とする。その
後、この熱間圧延、焼鈍、冷間圧延などの各工程を経て
形成された圧延板を、上記アンバー合金の再結晶温度以
上の温度で熱処理してシャドウマスク板を形成する。First, an amber alloy composed of 36Ni-Fe is melted, and a rolled plate having a predetermined plate thickness is formed through steps such as refining, casting, slab, hot rolling, annealing, pickling and cold rolling. Specifically, for example, hot rolling reduces the plate thickness to 1.2.
mm, and this rolled plate having a plate thickness of 1.2 mm is bright annealed and then cold rolled at a rolling ratio of 45.8% to a plate thickness of 0.65 mm, and further cold rolled at a rolling ratio of 76.9%. Then, a rolled plate having a plate thickness of 0.15 mm is obtained. Then, the rolled plate formed through the steps of hot rolling, annealing, cold rolling and the like is heat-treated at a temperature not lower than the recrystallization temperature of the amber alloy to form a shadow mask plate.
【0017】つぎに、フォトエッチング法により上記シ
ャドウマスク板の圧延面に電子ビーム通過孔を形成して
フラットマスクを製作する。Next, a flat mask is manufactured by forming electron beam passage holes on the rolled surface of the shadow mask plate by photoetching.
【0018】すなわち、図1(a)に示すように、上記
シャドウマスク板20の両面(圧延面)に、たとえば牛乳
カゼイン酸アルカリ、重クロム酸アンモニウムを主成分
とする感光剤を塗布して感光膜21を形成する。つぎに同
(b)に示すように、上記両面の感光膜21に一対のネガ
原版22a ,22b を密着して露光し、その両面の感光膜21
に一対のネガ原版22a ,22b のパターンを焼付ける。つ
ぎにそのパターンを焼付けられた両面の感光膜21を現像
して、未感光部を除去し、同(c)に示すように、電子
ビーム通過孔形成部分の圧延面が露出したレジスト膜23
を形成する。その後、このレジスト膜23の形成されたシ
ャドウマスク板20をエッチングして、同(d)に示すよ
うに、電子ビーム通過孔24を形成する。その後、苛性ア
ルカリによりレジスト膜23を剥離除去して、同(e)に
示すように、フラットマスク25を得る。That is, as shown in FIG. 1 (a), both sides (rolled surfaces) of the shadow mask plate 20 are coated with a photosensitizer containing, for example, milk caseinate alkali and ammonium dichromate as main components. The film 21 is formed. Then, as shown in (b), a pair of negative masters 22a and 22b are closely contacted and exposed on the photosensitive films 21 on both sides to expose the photosensitive films 21 on both sides.
The pattern of a pair of negative master plates 22a and 22b is printed on. Next, the photosensitive film 21 on both sides of which the pattern has been baked is developed to remove the unexposed portion, and as shown in FIG. 7C, the resist film 23 in which the rolled surface of the electron beam passage hole forming portion is exposed.
To form. After that, the shadow mask plate 20 having the resist film 23 formed thereon is etched to form electron beam passage holes 24 as shown in FIG. After that, the resist film 23 is peeled and removed with a caustic alkali to obtain a flat mask 25 as shown in FIG.
【0019】上記電子ビーム通過孔のエッチングには、
たとえば塩化第2鉄44%、塩化第1鉄5%塩酸0.2
0%を含むエッチング液を70℃に加熱し、これをスプ
レイすることによりおこなわれる。そのエッチング方法
として、前後2段に分けて片面づつエッチングする2段
エッチング法、両面から同時にエッチングする同時エッ
チング法がある。For etching the electron beam passage hole,
For example, ferric chloride 44%, ferrous chloride 5% hydrochloric acid 0.2
It is carried out by heating an etching solution containing 0% to 70 ° C. and spraying this. As the etching method, there are a two-step etching method in which the etching is divided into front and rear two steps, one side each, and a simultaneous etching method in which both sides are simultaneously etched.
【0020】つぎに、上記電子ビーム通過孔24の形成さ
れた平板状のフラットマスク25を800〜1150℃の
雰囲気で約8分間焼鈍する。そしてこの焼鈍したフラッ
トマスクを、プレス成形による塑性加工により、電子ビ
ーム通過孔の形成された部分(有効面)が所定曲率の曲
面からなり、この有効面の周辺部にスカート部が折曲形
成された所定形状に成形する。Next, the flat plate-shaped flat mask 25 in which the electron beam passage holes 24 are formed is annealed in an atmosphere of 800 to 1150 ° C. for about 8 minutes. This annealed flat mask is then subjected to plastic working by press forming so that the portion where the electron beam passage hole is formed (effective surface) has a curved surface with a predetermined curvature, and the skirt portion is bent around the effective surface. Molded into a predetermined shape.
【0021】ところで、上記のように熱間圧延、焼鈍、
冷間圧延などの各工程を経て形成された所定板厚のアン
バー合金からなる圧延板を電子ビーム通過孔を形成する
前に、アンバー合金の再結晶温度以上の温度で熱処理す
ると、圧延面に{200}結晶面が約82%の割合いで
集合し、電子ビーム通過孔を形成する圧延面を結晶粒の
揃った面とすることができる。その結果、この熱処理を
施した圧延板をシャドウマスク板20として、その圧延面
にフォトエッチング法により電子ビーム通過孔24を形成
すると、結晶粒の方向が揃い、図2に破線26および矢印
27で示すように、圧延面に垂直な方向にエッチングが進
行するようになり、図3に示すように、電子ビーム通過
孔24の孔28の位置、形状を均一にすることができ、アン
バー材からなる高精度シャドウマスクを形成することが
できる。また再結晶温度以上の温度で熱処理する前に冷
間圧延をおこなうので、容易に所定の板厚のシャドウマ
スク板が得られる。By the way, as described above, hot rolling, annealing,
Prior to forming the electron beam passage hole, a rolled plate made of an amber alloy having a predetermined plate thickness formed through each step such as cold rolling is heat treated at a temperature equal to or higher than the recrystallization temperature of the amber alloy, the rolling surface is The 200} crystal planes are aggregated at a ratio of about 82%, and the rolled surface forming the electron beam passage holes can be a plane with uniform crystal grains. As a result, when the rolled plate subjected to the heat treatment is used as the shadow mask plate 20 and the electron beam passage holes 24 are formed on the rolled surface by the photo-etching method, the directions of the crystal grains are aligned, and the broken line 26 and the arrow in FIG.
As shown by 27, etching progresses in a direction perpendicular to the rolling surface, and as shown in FIG. 3, the position and shape of the electron beam passage hole 24 can be made uniform, and the amber material can be made uniform. It is possible to form a high precision shadow mask made of. Moreover, since the cold rolling is performed before the heat treatment at a temperature of the recrystallization temperature or higher, a shadow mask plate having a predetermined plate thickness can be easily obtained.
【0022】なお、このように電子ビーム通過孔の孔の
位置、形状が均一なシャドウマスクは、フォトエッチン
グ法により電子ビーム通過孔を形成する前にアンバー合
金の再結晶温度以上の温度で熱処理して、圧延面に{2
00}結晶面を70〜90%の範囲で集合させた場合に
得られる。Incidentally, the shadow mask in which the positions and shapes of the electron beam passage holes are uniform is heat-treated at a temperature higher than the recrystallization temperature of the amber alloy before the electron beam passage holes are formed by the photoetching method. The rolling surface {2
It is obtained when the {00} crystal planes are aggregated in the range of 70 to 90%.
【0023】また、電子ビーム通過孔24の形成された平
板状のフラットマスクを成形する前に800〜1150
℃の雰囲気で約8分焼鈍すると、従来のアンバー合金か
らなるシャドウマスクでは、結晶粒が成長して粗粒ある
いは混粒が増加し、成形時に変形したり、シャドウマス
ク組立時のわずかな衝撃や応力により変形するという問
題が生じたが、上記のように圧延面に{200}結晶面
を約82%の割合いで集合したものでは、結晶粒の成長
による粗粒、混粒の増加がなく、高精度の成形が得られ
る。Before molding the flat mask having a flat plate having the electron beam passage holes 24, 800 to 1150
When annealed for about 8 minutes in an atmosphere at ℃, in the shadow mask made of conventional amber alloy, crystal grains grow and coarse grains or mixed grains increase, which causes deformation during molding and slight impact during assembly of the shadow mask. The problem of deformation due to stress occurred, but in the case where {200} crystal faces were aggregated in the rolling face at a ratio of about 82% as described above, there was no increase in coarse grains and mixed grains due to the growth of crystal grains, High precision molding can be obtained.
【0024】上記フラットマスクを800〜1150℃
の雰囲気で8分間焼鈍した場合における{200}結晶
面の集合度と結晶粒との関係は、図4に示すように、
{200}結晶面の集合度を70〜90%の範囲とした
場合、2つの直線29,30に挟まれた範囲となり、結晶の
粗大化、混粒の増加を抑制することができる。たとえば
焼鈍前の{200}結晶面の結晶粒度が9.0のものを
950℃の雰囲気で焼鈍すると、その{200}結晶面
の結晶粒度が5.0〜6.5となり、1150℃の雰囲
気で焼鈍すると、その{200}結晶面の結晶粒度が
1.0〜3.0となり、結晶粒の成長による粗大化、混
粒の増加を抑制でき、高精度に成形することができる。
しかし{200}結晶面の集合度が上記範囲を越え、た
とえば95%のものでは、同一条件で焼鈍しても、焼鈍
前の{200}結晶面の結晶粒度が9.0のものが、焼
鈍により結晶粒が成長して3.6〜6.0と、粗粒、混
粒が増加し、高精度の成形が困難となる。また{20
0}結晶面の集合度が75%のものでも、同様の結果と
なった。The above flat mask is heated at 800 to 1150 ° C.
As shown in FIG. 4, the relationship between the degree of aggregation of {200} crystal faces and the crystal grains in the case of annealing for 8 minutes in the atmosphere of
When the degree of aggregation of {200} crystal planes is in the range of 70 to 90%, the area is sandwiched between two straight lines 29 and 30, and it is possible to suppress crystal coarsening and increase in mixed grains. For example, when the {200} crystal plane having a grain size of 9.0 before annealing is annealed in an atmosphere of 950 ° C., the grain size of the {200} crystal face becomes 5.0 to 6.5 and an atmosphere of 1150 ° C. When annealed, the crystal grain size of the {200} crystal face becomes 1.0 to 3.0, coarsening due to crystal grain growth and increase in mixed grains can be suppressed, and high precision molding is possible.
However, if the degree of aggregation of {200} crystal faces exceeds the above range, for example, 95%, even if annealed under the same conditions, the grain size of the {200} crystal faces before annealing is 9.0. As a result, crystal grains grow to 3.6 to 6.0, and coarse grains and mixed grains increase, making it difficult to perform high-precision molding. Also {20
Similar results were obtained even when the degree of aggregation of 0} crystal faces was 75%.
【0025】つまり、アンバー材からなるシャドウマス
クの成形については、圧延面に{200}結晶面を集合
させ、この{200}結晶面の集合度を70〜90%の
範囲として、その圧延面に電子ビーム通過孔を形成し、
その{200}結晶面の結晶粒度を、950℃で5.0
〜6.5、1150℃で1.0〜3.0となる範囲に焼
鈍することにより、所要の高精度に成形することができ
るようになる。That is, in forming a shadow mask made of amber material, {200} crystal planes are aggregated on the rolled surface, and the degree of aggregation of the {200} crystal planes is set in the range of 70 to 90%, and the rolled surface is formed. Forming an electron beam passage hole,
The grain size of the {200} crystal face is 5.0 at 950 ° C.
By annealing to a range of 1.0 to 3.0 at 16.5 ° C to 6.5 ° C, it becomes possible to perform molding with a required high accuracy.
【0026】なお、上記実施例では、アンバー材からな
るシャドウマスクの製造方法について説明したが、この
発明は、アンバー材ばかりでなく、面心立方格子あるい
は体心立方格子構造の金属素材からマスク本体を形成す
るシャドウマスクの製造方法に適用可能である。In the above embodiment, the method of manufacturing a shadow mask made of amber material has been described. However, the present invention is not limited to the amber material, and the mask body is made of a metal material of face centered cubic lattice or body centered cubic lattice structure. It is applicable to a method for manufacturing a shadow mask for forming a.
【0027】[0027]
【発明の効果】面心立方格子または体心立方格子構造の
金属素材を冷間圧延し、その冷間圧延された金属素材を
再結晶温度以上の温度で熱処理して、圧延面に{20
0}結晶面を集合させたシャドウマスク板を形成し、フ
ォトエッチング法によりそのシャドウマスク板の圧延面
に多数の電子ビーム通過孔を形成すると、エッチングの
進行方向が電子ビーム通過孔を形成する圧延面に対して
ほほ垂直となり、従来生じた電子ビーム通過孔の孔の位
置、形状の不均一を解消することができる。[Effects of the Invention] A metal material having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure is cold-rolled, and the cold-rolled metal material is heat-treated at a temperature equal to or higher than the recrystallization temperature to form a {20
When a shadow mask plate in which 0} crystal planes are aggregated is formed and a large number of electron beam passage holes are formed on the rolled surface of the shadow mask plate by a photoetching method, the rolling direction in which the etching progresses forms the electron beam passage holes. It becomes almost perpendicular to the surface, and it is possible to eliminate the nonuniformity of the position and shape of the electron beam passage hole that has been conventionally generated.
【0028】また、冷間圧延された金属素材を再結晶温
度以上の温度で熱処理して圧延面に{200}結晶面を
75〜90%集合させたシャドウマスク板を形成し、そ
のシャドウマスク板の圧延面に電子ビーム通過孔を形成
したのち、その電子ビーム通過孔の形成されたシャドウ
マスク板の圧延面を950℃における結晶の粒度が5.
0〜6.5、1150℃における結晶の粒度が1.0〜
3.0となる範囲に焼鈍し、プレス成形による塑性加工
によりその焼鈍されたシャドウマスク板を成形すると、
{200}結晶面からなる圧延面の結晶粒度を、粗粒お
よび混粒の少ない整粒とすることができ、その結晶粒度
の均一化により、従来生じた成形上の問題点を解消し
て、シャドウマスクを高精度に成形することができる。Further, the cold-rolled metal material is heat-treated at a temperature not lower than the recrystallization temperature to form a shadow mask plate in which 75 to 90% of {200} crystal faces are aggregated on the rolled surface, and the shadow mask plate is formed. After forming the electron beam passage holes on the rolled surface, the grain size of the crystal at 950 ° C. on the rolled surface of the shadow mask plate on which the electron beam passage holes are formed is 5.
0 to 6.5, the grain size of the crystal at 1150 ° C is 1.0 to
When annealed to a range of 3.0 and the annealed shadow mask plate is formed by plastic working by press forming,
The crystal grain size of the rolled surface composed of {200} crystal faces can be adjusted with coarse grains and few mixed grains, and by homogenizing the crystal grains, the conventional problems in forming can be solved. The shadow mask can be molded with high precision.
【図1】図1(a)乃至(e)はそれぞれこの発明の一
実施例におけるフォトエッチング法によりシャドウマス
ク板に電子ビーム通過孔を形成する方法を説明するため
の図である。1A to 1E are views for explaining a method of forming an electron beam passage hole in a shadow mask plate by a photoetching method according to an embodiment of the present invention.
【図2】冷間圧延された金属素材を再結晶温度以上の温
度で熱処理して圧延面に{200}結晶面を集合させた
シャドウマスク板の結晶方向およびエッチング方向を示
す図である。FIG. 2 is a diagram showing a crystal direction and an etching direction of a shadow mask plate in which a cold-rolled metal material is heat-treated at a temperature equal to or higher than a recrystallization temperature to collect {200} crystal faces on a rolled face.
【図3】圧延面に{200}結晶面を集合させたシャド
ウマスク板に形成される電子ビーム通過孔の孔の位置、
形状を示す図である。FIG. 3 shows the positions of electron beam passage holes formed in a shadow mask plate in which {200} crystal faces are gathered on a rolled surface,
It is a figure which shows a shape.
【図4】成形前の焼鈍における{200}結晶面の集合
度と結晶粒との関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between the degree of aggregation of {200} crystal faces and crystal grains in annealing before forming.
【図5】カラーブラウン管の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a color CRT.
【図6】従来のアンバー材からなるシャドウマスク板に
形成される電子ビーム通過孔の孔の位置、形状を示す図
である。FIG. 6 is a view showing positions and shapes of electron beam passage holes formed in a conventional shadow mask plate made of an amber material.
【図7】従来のアンバー材からなるシャドウマスク板の
結晶方向を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a crystal direction of a shadow mask plate made of a conventional amber material.
20…シャドウマスク板 21…感光膜 23…レジスト膜 24…電子ビーム通過孔 25…フラットマスク 20 ... Shadow mask plate 21 ... Photosensitive film 23 ... Resist film 24 ... Electron beam passage hole 25 ... Flat mask
Claims (2)
金属素材を冷間圧延し、この冷間圧延された金属素材を
再結晶温度以上の温度で熱処理して圧延面に{200}
結晶面を集合させたシャドウマスク板を形成する工程
と、 フォトエッチング法により上記シャドウマスク板の圧延
面に多数の電子ビーム通過孔を形成する工程と、 プレス成形による塑性加工により上記電子ビーム通過孔
の形成されたシャドウマスク板を所定形状に成形する工
程とからなることを特徴とするカラーブラウン管用シャ
ドウマスクの製造方法。1. A metal material having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure is cold-rolled, and the cold-rolled metal material is heat-treated at a temperature equal to or higher than a recrystallization temperature to form a rolled surface on {200}.
A step of forming a shadow mask plate in which crystal planes are aggregated, a step of forming a large number of electron beam passage holes on the rolled surface of the shadow mask plate by a photo-etching method, and a step of forming the electron beam passage holes by plastic working by press molding. And a step of molding the formed shadow mask plate into a predetermined shape.
金属素材を冷間圧延し、この冷間圧延された金属素材を
再結晶温度以上の温度で熱処理して圧延面に{200}
結晶面を75〜90%集合させたシャドウマスク板を形
成する工程と、 フォトエッチング法により上記シャドウマスク板の圧延
面に多数の電子ビーム通過孔を形成する工程と、 上記電子ビーム通過孔の形成されたシャドウマスク板を
上記圧延面の950℃における結晶粒度が5.0〜6.
5、1150℃における結晶の粒度が1.0〜3.0と
なる範囲に焼鈍する工程と、 プレス成形による塑性加工により上記焼鈍されたシャド
ウマスク板を所定形状に成形する工程とからなることを
特徴とするカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方
法。2. A metal material having a face-centered cubic lattice or a body-centered cubic lattice structure is cold-rolled, and the cold-rolled metal material is heat-treated at a temperature equal to or higher than a recrystallization temperature to form a rolled surface on {200}.
A step of forming a shadow mask plate having 75 to 90% of crystal planes aggregated therein, a step of forming a large number of electron beam passage holes in the rolled surface of the shadow mask plate by a photoetching method, and a formation of the electron beam passage holes The grain size of the rolled shadow mask plate at 950 ° C. on the rolled surface is 5.0 to 6.
5, a step of annealing the grain size of the crystal at 1150 ° C. to a range of 1.0 to 3.0, and a step of forming the annealed shadow mask plate into a predetermined shape by plastic working by press forming. A method for producing a shadow mask for a characteristic color cathode ray tube.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16710392A JPH0612979A (en) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16710392A JPH0612979A (en) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0612979A true JPH0612979A (en) | 1994-01-21 |
Family
ID=15843487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16710392A Pending JPH0612979A (en) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0612979A (en) |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP16710392A patent/JPH0612979A/en active Pending
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