JPH0612774B2 - 赤外線アニール装置 - Google Patents
赤外線アニール装置Info
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- JPH0612774B2 JPH0612774B2 JP58083017A JP8301783A JPH0612774B2 JP H0612774 B2 JPH0612774 B2 JP H0612774B2 JP 58083017 A JP58083017 A JP 58083017A JP 8301783 A JP8301783 A JP 8301783A JP H0612774 B2 JPH0612774 B2 JP H0612774B2
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- semiconductor wafer
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、赤外線アニール装置、特に半導体工業で利用
されるSi(シリコン)ウエハのアニール装置に関する
ものである。
されるSi(シリコン)ウエハのアニール装置に関する
ものである。
従来例の構成とその問題点 一般に、アニール装置は熱炉で行なうなどいろいろな種
類があるが、赤外線アニール装置は、急速加熱、急速冷
却ができるという利点があるため、将来、盛んに使用さ
れるものと予想される。
類があるが、赤外線アニール装置は、急速加熱、急速冷
却ができるという利点があるため、将来、盛んに使用さ
れるものと予想される。
従来の赤外線アニール装置は、第1図にその具体構成を
示すように、数本の赤外線ランプ1を水平面に対して平
行に配置し、そのランプは、反射鏡2によって反射光が
平行光線3となるように配置され、半導体ウエハ4は、
その反射平行光線3を最も効率よく受けるために、反射
平行光線3に対して垂直に、すなわち水平面に対して平
行に配置してある。また、半導体ウエハ4は、ガスの供
給口5及び排気口6をもつ石英ガラス角管7の中に入っ
ている。
示すように、数本の赤外線ランプ1を水平面に対して平
行に配置し、そのランプは、反射鏡2によって反射光が
平行光線3となるように配置され、半導体ウエハ4は、
その反射平行光線3を最も効率よく受けるために、反射
平行光線3に対して垂直に、すなわち水平面に対して平
行に配置してある。また、半導体ウエハ4は、ガスの供
給口5及び排気口6をもつ石英ガラス角管7の中に入っ
ている。
しかしながら上記のような構成では、半導体ウエハが水
平面に対して平行に配置されているので、処理枚数が多
くとれないという欠点があった。この従来装置の問題点
を解決する手段としては、例えば次のような構成が考え
られる。第2図にその具体構成を示すように、数本の赤
外線ランプ8を、水平面に対して水平となるように配置
し、反射鏡9によって、赤外線ランプ8の反射光が水平
面に対して垂直な平行光線10となる。また、ガスの供
給口11と排気口12を備えた外気と遮断するための石
英ガラス角管13の上面と下面に、相互に反射平行光線
10が当たるように赤外線ランプ8は配置されていて、
紙面に対して垂直に並んでいる。また、半導体ウエハ1
4は、水平面に対して垂直、すなわち平行光線に対し
て、平行となるように石英ガラス台15によって配置さ
れている。しかしながら上記のような構成では、半導体
の処理枚数は増やすことができるが、赤外線ランプ8の
平行反射光10に対して、半導体ウエハ14の面が平行
となっていることから、強い照射強度が得られないとい
う欠点がある。
平面に対して平行に配置されているので、処理枚数が多
くとれないという欠点があった。この従来装置の問題点
を解決する手段としては、例えば次のような構成が考え
られる。第2図にその具体構成を示すように、数本の赤
外線ランプ8を、水平面に対して水平となるように配置
し、反射鏡9によって、赤外線ランプ8の反射光が水平
面に対して垂直な平行光線10となる。また、ガスの供
給口11と排気口12を備えた外気と遮断するための石
英ガラス角管13の上面と下面に、相互に反射平行光線
10が当たるように赤外線ランプ8は配置されていて、
紙面に対して垂直に並んでいる。また、半導体ウエハ1
4は、水平面に対して垂直、すなわち平行光線に対し
て、平行となるように石英ガラス台15によって配置さ
れている。しかしながら上記のような構成では、半導体
の処理枚数は増やすことができるが、赤外線ランプ8の
平行反射光10に対して、半導体ウエハ14の面が平行
となっていることから、強い照射強度が得られないとい
う欠点がある。
発明の目的 本発明の目的は、赤外線アニール装置を用いて処理枚数
を増やす装置を提供することにある。
を増やす装置を提供することにある。
発明の構成 本発明は、反射光が平行となるように反射鏡を有した数
本の赤外線ランプを用い、その平行反射光に対して、重
ならないように斜め方向に半導体ウエハを配置すること
と、半導体ウエハを水平面に対して垂直に立て、その半
導体ウエハの面に斜人射の平行光線が照射されるよう
に、赤外線ランプを被っている反射鏡を配置するという
装置から構成されており、半導体ウエハの処理枚数を増
やすという特有の効果を有する。
本の赤外線ランプを用い、その平行反射光に対して、重
ならないように斜め方向に半導体ウエハを配置すること
と、半導体ウエハを水平面に対して垂直に立て、その半
導体ウエハの面に斜人射の平行光線が照射されるよう
に、赤外線ランプを被っている反射鏡を配置するという
装置から構成されており、半導体ウエハの処理枚数を増
やすという特有の効果を有する。
実施例の説明 以下本発明の一実施例を図により説明する。第3図は本
発明の第1の実施例における赤外線アニール装置を説明
するものである。第3図において、16は赤外線ラン
プ、17は反射鏡、18は半導体ウエハ、19は半導体
ウエハを支える石英ガラス台、20は水平に配置した透
明な石英ガラス角管である。石英ガラス角管20は、ガ
スの供給口21と排気口22を有し外気を遮断するもの
である。その石英ガラス角管20の上面と下面に互いに
平行に赤外線ランプ16を配置し、そのランプ16の反
射光が垂直面に対して平行光線23となるように反射鏡
17を配置してある。そしてまた垂直面に対してある一
定の傾きをもって斜めに、かつ反射平行光線23に対し
て重ならないように一定の間隔で半導体ウエハ18を配
置する石英ガラス台19を、石英ガラス角管20の端か
ら出し入れできるように構成されている。第4図は石英
ガラス台19に1枚の半導体ウエハ18を配置した場合
の斜視図である。
発明の第1の実施例における赤外線アニール装置を説明
するものである。第3図において、16は赤外線ラン
プ、17は反射鏡、18は半導体ウエハ、19は半導体
ウエハを支える石英ガラス台、20は水平に配置した透
明な石英ガラス角管である。石英ガラス角管20は、ガ
スの供給口21と排気口22を有し外気を遮断するもの
である。その石英ガラス角管20の上面と下面に互いに
平行に赤外線ランプ16を配置し、そのランプ16の反
射光が垂直面に対して平行光線23となるように反射鏡
17を配置してある。そしてまた垂直面に対してある一
定の傾きをもって斜めに、かつ反射平行光線23に対し
て重ならないように一定の間隔で半導体ウエハ18を配
置する石英ガラス台19を、石英ガラス角管20の端か
ら出し入れできるように構成されている。第4図は石英
ガラス台19に1枚の半導体ウエハ18を配置した場合
の斜視図である。
以上のように本実施例によれば、半導体ウエハ18を斜
めに配置したことから、赤外線ランプ16の長さが5イン
チ、また半導体ウエハ18の直径が4インチである場
合、赤外線ランプ16を数本並べた5インチ×5インチ
の領域では、以前の方法であれば1枚の半導体ウエハ4
しか処理できないのが、本実施例では、一度に数枚の半
導体ウエハ19の処理ができ、また一様に加熱すること
ができた。
めに配置したことから、赤外線ランプ16の長さが5イン
チ、また半導体ウエハ18の直径が4インチである場
合、赤外線ランプ16を数本並べた5インチ×5インチ
の領域では、以前の方法であれば1枚の半導体ウエハ4
しか処理できないのが、本実施例では、一度に数枚の半
導体ウエハ19の処理ができ、また一様に加熱すること
ができた。
以下本発明の第2の実施例について図面を参照しながら
説明する。第5図は本発明の第2の実施例を示す赤外線
アニール装置の図である。同図において、赤外線ランプ
24,ガスの供給口25と排気口26を有する石英ガラ
ス角管27は第3図の構成と同様なものである。第3図
の構成と異なるのは、赤外線ランプ24の回りにあっ
て、その赤外線ランプ24から出た光を垂直面に対して
一定の角度の反射平行光線28を受けるために反射鏡2
9を水平面に対して傾けてある。また、半導体ウエハ3
0は、石英ガラス台31によって一定間隔で水平面に対
して垂直に配置されている。またその半導体ウエハ30
の間隔は、反射鏡29の傾きと相関関係を有し、半導体
ウエハ30の片側全面に反射平行光線28が照射される
ようになっている。
説明する。第5図は本発明の第2の実施例を示す赤外線
アニール装置の図である。同図において、赤外線ランプ
24,ガスの供給口25と排気口26を有する石英ガラ
ス角管27は第3図の構成と同様なものである。第3図
の構成と異なるのは、赤外線ランプ24の回りにあっ
て、その赤外線ランプ24から出た光を垂直面に対して
一定の角度の反射平行光線28を受けるために反射鏡2
9を水平面に対して傾けてある。また、半導体ウエハ3
0は、石英ガラス台31によって一定間隔で水平面に対
して垂直に配置されている。またその半導体ウエハ30
の間隔は、反射鏡29の傾きと相関関係を有し、半導体
ウエハ30の片側全面に反射平行光線28が照射される
ようになっている。
以上の第2の実施例によれば、赤外線ランプ24の反射平
行線28が一定の斜め方向となるように反射鏡29を配
置することにより、第1の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
行線28が一定の斜め方向となるように反射鏡29を配
置することにより、第1の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
なお、第1の実施例においては、半導体ウエハ18を水
平面に対して何度傾けるかは、反射平行光線23の性質
より問題としないが、特に反射平行線23に対して半導
体ウエハ18が重ならないようにしなければならない。
平面に対して何度傾けるかは、反射平行光線23の性質
より問題としないが、特に反射平行線23に対して半導
体ウエハ18が重ならないようにしなければならない。
また、第2の実施例では、半導体ウエハ30の間隔と赤
外線反射境29の角度については、反射平行光線28を
利用していることから、赤外線ランプ24の反射平行光
線28が他の半導体ウエハ30に遮られることなく半導
体ウエハ30の片側全面に照射できるように設計しなけ
ればならない。
外線反射境29の角度については、反射平行光線28を
利用していることから、赤外線ランプ24の反射平行光
線28が他の半導体ウエハ30に遮られることなく半導
体ウエハ30の片側全面に照射できるように設計しなけ
ればならない。
また、第1,第2の実施例において、容器20,27は
石英角管を使用したが、容器20,27は石英ガラス丸
管を使用してもよい。
石英角管を使用したが、容器20,27は石英ガラス丸
管を使用してもよい。
また、第1,第2の実施例において、被加熱物は半導体
ウエハ18,30としたが、薄板状の物質であれば半導
体ウエハ18,30に限られたものではないことは言う
までもない。
ウエハ18,30としたが、薄板状の物質であれば半導
体ウエハ18,30に限られたものではないことは言う
までもない。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体ウエハを赤外線ランプの
反射平行光線に対して、重ならないように斜めに配置す
ること。また半導体ウエハを水平面に対して垂直に立
て、赤外線ランプの反射平行光線が一定の方向に向くよ
うに反射境を配置する。そしてその反射平行光線が、他
の半導体ウエハに遮られることなく半導体ウエハの片側
全面を照射することができるように半導体ウエハを、一
定間隔づつ離して配置することにより、半導体ウエハは
薄板(0.2インチ)であることから、加熱効率を損な
わずに処理枚数を増やすことができる。
反射平行光線に対して、重ならないように斜めに配置す
ること。また半導体ウエハを水平面に対して垂直に立
て、赤外線ランプの反射平行光線が一定の方向に向くよ
うに反射境を配置する。そしてその反射平行光線が、他
の半導体ウエハに遮られることなく半導体ウエハの片側
全面を照射することができるように半導体ウエハを、一
定間隔づつ離して配置することにより、半導体ウエハは
薄板(0.2インチ)であることから、加熱効率を損な
わずに処理枚数を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の赤外線アニール装置の断面図、第2図は
半導体ウエハを水平面に対して垂直に配置した同赤外線
アニール装置の断面図、第3図は本発明の第1の実施例
における赤外線アニール装置の断面図、第4図は半導体
ウエハを支える石英ガラス台の斜視図、第5図は本発明
の第2の実施例における赤外線アニール装置の断面図で
ある。 16,24……赤外線ランプ、17,29……反射鏡、
23,28……反射平行光線、18,30……半導体ウ
エハ、19,31……半導体ウエハを支える石英ガラス
台、20,27……石英ガラス角管、21,25……ガ
スの供給口、22,26……ガスの排気口。
半導体ウエハを水平面に対して垂直に配置した同赤外線
アニール装置の断面図、第3図は本発明の第1の実施例
における赤外線アニール装置の断面図、第4図は半導体
ウエハを支える石英ガラス台の斜視図、第5図は本発明
の第2の実施例における赤外線アニール装置の断面図で
ある。 16,24……赤外線ランプ、17,29……反射鏡、
23,28……反射平行光線、18,30……半導体ウ
エハ、19,31……半導体ウエハを支える石英ガラス
台、20,27……石英ガラス角管、21,25……ガ
スの供給口、22,26……ガスの排気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水口 信一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−67555(JP,A) 特開 昭52−131454(JP,A) 実公 昭54−37256(JP,Y1)
Claims (3)
- 【請求項1】光を透過可能な材質よりなる容器と、この
容器の外部に設けられ、前記容器の内部を照射する赤外
線ランプヒーターと、この赤外線ランプから出た光線を
平行光線として反射する反射面をもった反射鏡と、前記
容器内に設けられ、前記反射平行光線に対して、この反
射平行光線を相互に遮ることのない位置関係で複数枚の
薄板状の被加熱物を配置し、かつその反射平行光線が斜
めに前記被加熱物を照射するように、前記被加熱物を配
置することができる光透過性の支持台とから構成された
赤外線アニール装置。 - 【請求項2】前記反射鏡はその反射平行光線を水平面に
対して垂直に反射し、前記支持台は前記被加熱物を水平
面に対して傾斜配置させた構成からなる特許請求の範囲
第1項記載の赤外線アニール装置。 - 【請求項3】前記反射鏡はその反射平行光線を水平面に
対して斜めに反射し、前記支持台は前記被加熱物を水平
面に対して垂直に配置させた構成からなる特許請求の範
囲第1項記載の赤外線アニール装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083017A JPH0612774B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 赤外線アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58083017A JPH0612774B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 赤外線アニール装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59208717A JPS59208717A (ja) | 1984-11-27 |
JPH0612774B2 true JPH0612774B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=13790469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58083017A Expired - Lifetime JPH0612774B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 赤外線アニール装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0612774B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770498B2 (ja) * | 1989-04-21 | 1995-07-31 | 株式会社精工舎 | 絶縁ゲート型トランジスタの製造方法 |
CN105493231B (zh) | 2013-09-06 | 2019-04-02 | 应用材料公司 | 圆形灯阵列 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5067555A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-06 | ||
JPS52131454A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Thermal treating method of wafer |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083017A patent/JPH0612774B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59208717A (ja) | 1984-11-27 |
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