JPH0612774B2 - 赤外線アニール装置 - Google Patents
赤外線アニール装置Info
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- JPH0612774B2 JPH0612774B2 JP58083017A JP8301783A JPH0612774B2 JP H0612774 B2 JPH0612774 B2 JP H0612774B2 JP 58083017 A JP58083017 A JP 58083017A JP 8301783 A JP8301783 A JP 8301783A JP H0612774 B2 JPH0612774 B2 JP H0612774B2
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- infrared
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- heated
- semiconductor wafer
- rays
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 38
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、赤外線アニール装置、特に半導体工業で利用
されるＳｉ（シリコン）ウエハのアニール装置に関する
ものである。
されるＳｉ（シリコン）ウエハのアニール装置に関する
ものである。
従来例の構成とその問題点 一般に、アニール装置は熱炉で行なうなどいろいろな種
類があるが、赤外線アニール装置は、急速加熱、急速冷
却ができるという利点があるため、将来、盛んに使用さ
れるものと予想される。
類があるが、赤外線アニール装置は、急速加熱、急速冷
却ができるという利点があるため、将来、盛んに使用さ
れるものと予想される。
従来の赤外線アニール装置は、第１図にその具体構成を
示すように、数本の赤外線ランプ１を水平面に対して平
行に配置し、そのランプは、反射鏡２によって反射光が
平行光線３となるように配置され、半導体ウエハ４は、
その反射平行光線３を最も効率よく受けるために、反射
平行光線３に対して垂直に、すなわち水平面に対して平
行に配置してある。また、半導体ウエハ４は、ガスの供
給口５及び排気口６をもつ石英ガラス角管７の中に入っ
ている。
示すように、数本の赤外線ランプ１を水平面に対して平
行に配置し、そのランプは、反射鏡２によって反射光が
平行光線３となるように配置され、半導体ウエハ４は、
その反射平行光線３を最も効率よく受けるために、反射
平行光線３に対して垂直に、すなわち水平面に対して平
行に配置してある。また、半導体ウエハ４は、ガスの供
給口５及び排気口６をもつ石英ガラス角管７の中に入っ
ている。
しかしながら上記のような構成では、半導体ウエハが水
平面に対して平行に配置されているので、処理枚数が多
くとれないという欠点があった。この従来装置の問題点
を解決する手段としては、例えば次のような構成が考え
られる。第２図にその具体構成を示すように、数本の赤
外線ランプ８を、水平面に対して水平となるように配置
し、反射鏡９によって、赤外線ランプ８の反射光が水平
面に対して垂直な平行光線１０となる。また、ガスの供
給口１１と排気口１２を備えた外気と遮断するための石
英ガラス角管１３の上面と下面に、相互に反射平行光線
１０が当たるように赤外線ランプ８は配置されていて、
紙面に対して垂直に並んでいる。また、半導体ウエハ１
４は、水平面に対して垂直、すなわち平行光線に対し
て、平行となるように石英ガラス台１５によって配置さ
れている。しかしながら上記のような構成では、半導体
の処理枚数は増やすことができるが、赤外線ランプ８の
平行反射光１０に対して、半導体ウエハ１４の面が平行
となっていることから、強い照射強度が得られないとい
う欠点がある。
平面に対して平行に配置されているので、処理枚数が多
くとれないという欠点があった。この従来装置の問題点
を解決する手段としては、例えば次のような構成が考え
られる。第２図にその具体構成を示すように、数本の赤
外線ランプ８を、水平面に対して水平となるように配置
し、反射鏡９によって、赤外線ランプ８の反射光が水平
面に対して垂直な平行光線１０となる。また、ガスの供
給口１１と排気口１２を備えた外気と遮断するための石
英ガラス角管１３の上面と下面に、相互に反射平行光線
１０が当たるように赤外線ランプ８は配置されていて、
紙面に対して垂直に並んでいる。また、半導体ウエハ１
４は、水平面に対して垂直、すなわち平行光線に対し
て、平行となるように石英ガラス台１５によって配置さ
れている。しかしながら上記のような構成では、半導体
の処理枚数は増やすことができるが、赤外線ランプ８の
平行反射光１０に対して、半導体ウエハ１４の面が平行
となっていることから、強い照射強度が得られないとい
う欠点がある。
発明の目的 本発明の目的は、赤外線アニール装置を用いて処理枚数
を増やす装置を提供することにある。
を増やす装置を提供することにある。
発明の構成 本発明は、反射光が平行となるように反射鏡を有した数
本の赤外線ランプを用い、その平行反射光に対して、重
ならないように斜め方向に半導体ウエハを配置すること
と、半導体ウエハを水平面に対して垂直に立て、その半
導体ウエハの面に斜人射の平行光線が照射されるよう
に、赤外線ランプを被っている反射鏡を配置するという
装置から構成されており、半導体ウエハの処理枚数を増
やすという特有の効果を有する。
本の赤外線ランプを用い、その平行反射光に対して、重
ならないように斜め方向に半導体ウエハを配置すること
と、半導体ウエハを水平面に対して垂直に立て、その半
導体ウエハの面に斜人射の平行光線が照射されるよう
に、赤外線ランプを被っている反射鏡を配置するという
装置から構成されており、半導体ウエハの処理枚数を増
やすという特有の効果を有する。
実施例の説明 以下本発明の一実施例を図により説明する。第３図は本
発明の第１の実施例における赤外線アニール装置を説明
するものである。第３図において、１６は赤外線ラン
プ、１７は反射鏡、１８は半導体ウエハ、１９は半導体
ウエハを支える石英ガラス台、２０は水平に配置した透
明な石英ガラス角管である。石英ガラス角管２０は、ガ
スの供給口２１と排気口２２を有し外気を遮断するもの
である。その石英ガラス角管２０の上面と下面に互いに
平行に赤外線ランプ１６を配置し、そのランプ１６の反
射光が垂直面に対して平行光線２３となるように反射鏡
１７を配置してある。そしてまた垂直面に対してある一
定の傾きをもって斜めに、かつ反射平行光線２３に対し
て重ならないように一定の間隔で半導体ウエハ１８を配
置する石英ガラス台１９を、石英ガラス角管２０の端か
ら出し入れできるように構成されている。第４図は石英
ガラス台１９に１枚の半導体ウエハ１８を配置した場合
の斜視図である。
発明の第１の実施例における赤外線アニール装置を説明
するものである。第３図において、１６は赤外線ラン
プ、１７は反射鏡、１８は半導体ウエハ、１９は半導体
ウエハを支える石英ガラス台、２０は水平に配置した透
明な石英ガラス角管である。石英ガラス角管２０は、ガ
スの供給口２１と排気口２２を有し外気を遮断するもの
である。その石英ガラス角管２０の上面と下面に互いに
平行に赤外線ランプ１６を配置し、そのランプ１６の反
射光が垂直面に対して平行光線２３となるように反射鏡
１７を配置してある。そしてまた垂直面に対してある一
定の傾きをもって斜めに、かつ反射平行光線２３に対し
て重ならないように一定の間隔で半導体ウエハ１８を配
置する石英ガラス台１９を、石英ガラス角管２０の端か
ら出し入れできるように構成されている。第４図は石英
ガラス台１９に１枚の半導体ウエハ１８を配置した場合
の斜視図である。
以上のように本実施例によれば、半導体ウエハ１８を斜
めに配置したことから、赤外線ランプ16の長さが５イン
チ、また半導体ウエハ１８の直径が４インチである場
合、赤外線ランプ１６を数本並べた５インチ×５インチ
の領域では、以前の方法であれば１枚の半導体ウエハ４
しか処理できないのが、本実施例では、一度に数枚の半
導体ウエハ１９の処理ができ、また一様に加熱すること
ができた。
めに配置したことから、赤外線ランプ16の長さが５イン
チ、また半導体ウエハ１８の直径が４インチである場
合、赤外線ランプ１６を数本並べた５インチ×５インチ
の領域では、以前の方法であれば１枚の半導体ウエハ４
しか処理できないのが、本実施例では、一度に数枚の半
導体ウエハ１９の処理ができ、また一様に加熱すること
ができた。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。第５図は本発明の第２の実施例を示す赤外線
アニール装置の図である。同図において、赤外線ランプ
２４，ガスの供給口２５と排気口２６を有する石英ガラ
ス角管２７は第３図の構成と同様なものである。第３図
の構成と異なるのは、赤外線ランプ２４の回りにあっ
て、その赤外線ランプ２４から出た光を垂直面に対して
一定の角度の反射平行光線２８を受けるために反射鏡２
９を水平面に対して傾けてある。また、半導体ウエハ３
０は、石英ガラス台３１によって一定間隔で水平面に対
して垂直に配置されている。またその半導体ウエハ３０
の間隔は、反射鏡２９の傾きと相関関係を有し、半導体
ウエハ３０の片側全面に反射平行光線２８が照射される
ようになっている。
説明する。第５図は本発明の第２の実施例を示す赤外線
アニール装置の図である。同図において、赤外線ランプ
２４，ガスの供給口２５と排気口２６を有する石英ガラ
ス角管２７は第３図の構成と同様なものである。第３図
の構成と異なるのは、赤外線ランプ２４の回りにあっ
て、その赤外線ランプ２４から出た光を垂直面に対して
一定の角度の反射平行光線２８を受けるために反射鏡２
９を水平面に対して傾けてある。また、半導体ウエハ３
０は、石英ガラス台３１によって一定間隔で水平面に対
して垂直に配置されている。またその半導体ウエハ３０
の間隔は、反射鏡２９の傾きと相関関係を有し、半導体
ウエハ３０の片側全面に反射平行光線２８が照射される
ようになっている。
以上の第２の実施例によれば、赤外線ランプ24の反射平
行線２８が一定の斜め方向となるように反射鏡２９を配
置することにより、第１の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
行線２８が一定の斜め方向となるように反射鏡２９を配
置することにより、第１の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
なお、第１の実施例においては、半導体ウエハ１８を水
平面に対して何度傾けるかは、反射平行光線２３の性質
より問題としないが、特に反射平行線２３に対して半導
体ウエハ１８が重ならないようにしなければならない。
平面に対して何度傾けるかは、反射平行光線２３の性質
より問題としないが、特に反射平行線２３に対して半導
体ウエハ１８が重ならないようにしなければならない。
また、第２の実施例では、半導体ウエハ３０の間隔と赤
外線反射境２９の角度については、反射平行光線２８を
利用していることから、赤外線ランプ２４の反射平行光
線２８が他の半導体ウエハ３０に遮られることなく半導
体ウエハ３０の片側全面に照射できるように設計しなけ
ればならない。
外線反射境２９の角度については、反射平行光線２８を
利用していることから、赤外線ランプ２４の反射平行光
線２８が他の半導体ウエハ３０に遮られることなく半導
体ウエハ３０の片側全面に照射できるように設計しなけ
ればならない。
また、第１，第２の実施例において、容器２０，２７は
石英角管を使用したが、容器２０，２７は石英ガラス丸
管を使用してもよい。
石英角管を使用したが、容器２０，２７は石英ガラス丸
管を使用してもよい。
また、第１，第２の実施例において、被加熱物は半導体
ウエハ１８，３０としたが、薄板状の物質であれば半導
体ウエハ１８，３０に限られたものではないことは言う
までもない。
ウエハ１８，３０としたが、薄板状の物質であれば半導
体ウエハ１８，３０に限られたものではないことは言う
までもない。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体ウエハを赤外線ランプの
反射平行光線に対して、重ならないように斜めに配置す
ること。また半導体ウエハを水平面に対して垂直に立
て、赤外線ランプの反射平行光線が一定の方向に向くよ
うに反射境を配置する。そしてその反射平行光線が、他
の半導体ウエハに遮られることなく半導体ウエハの片側
全面を照射することができるように半導体ウエハを、一
定間隔づつ離して配置することにより、半導体ウエハは
薄板（０．２インチ）であることから、加熱効率を損な
わずに処理枚数を増やすことができる。
反射平行光線に対して、重ならないように斜めに配置す
ること。また半導体ウエハを水平面に対して垂直に立
て、赤外線ランプの反射平行光線が一定の方向に向くよ
うに反射境を配置する。そしてその反射平行光線が、他
の半導体ウエハに遮られることなく半導体ウエハの片側
全面を照射することができるように半導体ウエハを、一
定間隔づつ離して配置することにより、半導体ウエハは
薄板（０．２インチ）であることから、加熱効率を損な
わずに処理枚数を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は従来の赤外線アニール装置の断面図、第２図は
半導体ウエハを水平面に対して垂直に配置した同赤外線
アニール装置の断面図、第３図は本発明の第１の実施例
における赤外線アニール装置の断面図、第４図は半導体
ウエハを支える石英ガラス台の斜視図、第５図は本発明
の第２の実施例における赤外線アニール装置の断面図で
ある。 １６，２４……赤外線ランプ、１７，２９……反射鏡、
２３，２８……反射平行光線、１８，３０……半導体ウ
エハ、１９，３１……半導体ウエハを支える石英ガラス
台、２０，２７……石英ガラス角管、２１，２５……ガ
スの供給口、２２，26……ガスの排気口。
半導体ウエハを水平面に対して垂直に配置した同赤外線
アニール装置の断面図、第３図は本発明の第１の実施例
における赤外線アニール装置の断面図、第４図は半導体
ウエハを支える石英ガラス台の斜視図、第５図は本発明
の第２の実施例における赤外線アニール装置の断面図で
ある。 １６，２４……赤外線ランプ、１７，２９……反射鏡、
２３，２８……反射平行光線、１８，３０……半導体ウ
エハ、１９，３１……半導体ウエハを支える石英ガラス
台、２０，２７……石英ガラス角管、２１，２５……ガ
スの供給口、２２，26……ガスの排気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水口 信一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−67555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−131454（ＪＰ，Ａ) 実公 昭54−37256（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (3)
- 【請求項１】光を透過可能な材質よりなる容器と、この
容器の外部に設けられ、前記容器の内部を照射する赤外
線ランプヒーターと、この赤外線ランプから出た光線を
平行光線として反射する反射面をもった反射鏡と、前記
容器内に設けられ、前記反射平行光線に対して、この反
射平行光線を相互に遮ることのない位置関係で複数枚の
薄板状の被加熱物を配置し、かつその反射平行光線が斜
めに前記被加熱物を照射するように、前記被加熱物を配
置することができる光透過性の支持台とから構成された
赤外線アニール装置。 - 【請求項２】前記反射鏡はその反射平行光線を水平面に
対して垂直に反射し、前記支持台は前記被加熱物を水平
面に対して傾斜配置させた構成からなる特許請求の範囲
第１項記載の赤外線アニール装置。 - 【請求項３】前記反射鏡はその反射平行光線を水平面に
対して斜めに反射し、前記支持台は前記被加熱物を水平
面に対して垂直に配置させた構成からなる特許請求の範
囲第１項記載の赤外線アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083017A JPH0612774B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 赤外線アニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083017A JPH0612774B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 赤外線アニール装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208717A JPS59208717A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0612774B2 true JPH0612774B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=13790469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58083017A Expired - Lifetime JPH0612774B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 赤外線アニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612774B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770498B2 (ja) * | 1989-04-21 | 1995-07-31 | 株式会社精工舎 | 絶縁ゲート型トランジスタの製造方法 |
| CN105493231B (zh) * | 2013-09-06 | 2019-04-02 | 应用材料公司 | 圆形灯阵列 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5067555A (ja) * | 1973-10-15 | 1975-06-06 | ||
| JPS52131454A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-04 | Hitachi Ltd | Thermal treating method of wafer |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083017A patent/JPH0612774B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59208717A (ja) | 1984-11-27 |
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