JPH06125148A - Low-resistance semiconductor crystal substrate and manufacture thereof - Google Patents
Low-resistance semiconductor crystal substrate and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー用の基
板材料として用いられる低抵抗半導体結晶基板及びその
製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low resistance semiconductor crystal substrate used as a substrate material for a semiconductor laser and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、３元化合物半導体の１つである
ＨｇＣｄＴｅ結晶は、赤外半導体レーザー材料として注
目を集めている材料である。そのＨｇＣｄＴｅ結晶に
は、物理的に均一な特性と良質な結晶性を有することが
要求される。そのため、結晶成長にはエピタキシャル成
長法が採用され、そのエピタキシャル成長用基板には、
格子定数のマッチングの良いＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄ
ＺｎＴｅ結晶が用いられている。2. Description of the Related Art Generally, HgCdTe crystal, which is one of ternary compound semiconductors, is a material that has been attracting attention as an infrared semiconductor laser material. The HgCdTe crystal is required to have physically uniform characteristics and good crystallinity. Therefore, the epitaxial growth method is adopted for the crystal growth, and the epitaxial growth substrate is
CdTe crystal or Cd with good lattice constant matching
ZnTe crystals are used.
【０００３】基板となるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎ
Ｔｅ結晶は、ブリッジマン法あるいはグラディエント・
フリーズ法により作製することが広く知られている。ブ
リッジマン法は、ＣｄとＴｅ原料あるいはＣｄとＺｎと
Ｔｅ原料を容器の中に真空封入し、その容器を電気炉内
に設置した後、電気炉を加熱し原料を溶融させ、原料を
充分に溶融させた後、その容器を、適当な温度勾配を有
するその電気炉内の高温部から低温部へゆっくり移動さ
せ、その結果、容器内の溶液の温度が徐々に下がり、Ｃ
ｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法
である。また、グラディエント・フリーズ法は、原料を
充分溶融させた後、電気炉内に設定した温度勾配を変え
ることなく、ゆっくりと温度を下げ、その結果、容器内
の溶液の温度が徐々に下がり、ＣｄＴｅ結晶あるいはＣ
ｄＺｎＴｅ結晶を固化させる方法である。その結晶成長
過程で、結晶の伝導型の制御または結晶中の析出物の大
きさ・密度の制御を行うため、Ｃｄ蒸気圧を印加するこ
とも通常行われている。CdTe crystal or CdZn serving as a substrate
The Te crystal is based on the Bridgman method or gradient
It is widely known to manufacture by the freeze method. In the Bridgman method, Cd and Te raw materials or Cd, Zn and Te raw materials are vacuum-sealed in a container, the container is placed in an electric furnace, and then the electric furnace is heated to melt the raw material, and the raw material is sufficiently supplied. After melting, the vessel is slowly moved from the high temperature section to the low temperature section in the electric furnace having an appropriate temperature gradient, so that the temperature of the solution in the vessel gradually decreases and C
This is a method of solidifying a dTe crystal or a CdZnTe crystal. In the gradient freeze method, after the raw material is sufficiently melted, the temperature is slowly lowered without changing the temperature gradient set in the electric furnace. As a result, the temperature of the solution in the container is gradually lowered, and CdTe Crystal or C
This is a method of solidifying the dZnTe crystal. In the crystal growth process, it is also usual to apply Cd vapor pressure in order to control the conduction type of the crystal or the size and density of the precipitate in the crystal.
【０００４】その結果得られたＣｄＴｅ結晶あるいはＣ
ｄＺｎＴｅ結晶は、適当な大きさに切断し、エピタキシ
ャル成長用基板として使用されている。この方法で得ら
れるＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値は、
１０〜２００Ω・ｃｍが一般的である。また、Ｉｎを添
加したＣｄＴｅ結晶及びＣｄＺｎＴｅ結晶は、１０7〜
１０9 Ω・ｃｍ程度の高い比抵抗値が得られることが一
般に知られている。The resulting CdTe crystal or C
The dZnTe crystal is cut into an appropriate size and used as a substrate for epitaxial growth. The specific resistance values of the CdTe crystal and the CdZnTe crystal obtained by this method are
10 to 200 Ω · cm is general. Moreover, the CdTe crystal and the CdZnTe crystal to which In is added are 10 7 to
It is generally known that a high specific resistance value of about 10 9 Ω · cm can be obtained.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザーとして
使用する際、基板からエピタキシャル結晶へ電流を流す
ことが必要である。そのため、基板とエピタキシャル結
晶の比抵抗値に極めて大きな差がないことが要求され
る。しかしながら、実際にエピタキシャル成長されるＨ
ｇＣｄＴｅ結晶の比抵抗値は、約０．００５Ω・ｃｍで
あり、上述した従来の方法で得られる基板は低い比抵抗
値のものでも１０Ω・ｃｍ程度である。これらの間には
比抵抗値に極めて大きな差が存在している。そのため、
基板はエピタキシャル結晶に対して半絶縁性の挙動を示
し、レーザー発振が起こらなくなるという問題点があっ
た。When used as a semiconductor laser, it is necessary to pass a current from the substrate to the epitaxial crystal. Therefore, it is required that there is no great difference in the specific resistance value between the substrate and the epitaxial crystal. However, H actually grown epitaxially
The specific resistance value of the gCdTe crystal is about 0.005 Ω · cm, and the substrate obtained by the above-mentioned conventional method has a low specific resistance value of about 10 Ω · cm. There is an extremely large difference in specific resistance between these. for that reason,
The substrate has a problem that it exhibits semi-insulating behavior with respect to the epitaxial crystal and laser oscillation does not occur.
【０００６】本発明は、半導体レーザー材料のエピタキ
シャル成長用基板材料に用いられる低抵抗のＣｄＴｅ結
晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法を提供す
ることを目的とするものである。An object of the present invention is to provide a low resistance CdTe crystal or CdZnTe crystal used as a substrate material for epitaxial growth of a semiconductor laser material and a method for producing the same.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、種々の検討を重ねた結果、所望の値のＩｎを添加
し、Ｃｄ蒸気圧を印加しながら結晶成長することにより
得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びそ
の製造方法、または、所望の値のＩｎを添加した結晶
を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することにより得られるＣｄ
Ｔｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶及びその製造方法、
によって課題が解決されることを見い出したものであ
る。As a result of various studies to achieve the above object, a CdTe crystal obtained by adding In of a desired value and growing a crystal while applying a Cd vapor pressure Alternatively, a CdZnTe crystal and a manufacturing method thereof, or a Cd obtained by heat-treating a crystal to which In of a desired value is added in a Cd atmosphere
Te crystal or CdZnTe crystal and method for producing the same,
We have found that the problem is solved by.
【０００８】すなわち、本発明は、比抵抗値が０．１Ω
・ｃｍ以下であるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結
晶からなる低抵抗半導体結晶基板である。That is, according to the present invention, the specific resistance value is 0.1Ω.
A low resistance semiconductor crystal substrate made of CdTe crystal or CdZnTe crystal having a size of cm or less.
【０００９】また、本発明は、ＣｄとＴｅからなる原
料、またはＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英
容器に、Ｉｎを添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ
蒸気圧を印加しながら結晶育成することによって得られ
るＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵
抗半導体結晶基板の製造方法であり、また結晶の育成方
法がブリッジマン法あるいはグラディエント・フリーズ
法による製造方法であり、また原料に対し、Ｉｎを１×
１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 の濃度となるよ
うに添加する製造方法である。According to the present invention, In is added to a quartz container containing a raw material composed of Cd and Te or a raw material composed of Cd, Te and Zn, and the quartz container is evacuated.
A method of manufacturing a low resistance semiconductor crystal substrate made of a CdTe crystal or a CdZnTe crystal obtained by growing a crystal while applying a vapor pressure, and a method of growing the crystal is a Bridgman method or a gradient freeze method. In addition, 1 x In for the raw material
This is a manufacturing method in which a concentration of 10 17 to 2 × 10 18 atoms / cm 3 is added.
【００１０】また、本発明は、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶
あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理す
ることによって得られるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎ
Ｔｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製造方法であ
り、またＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶がＩｎ
を１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 含む製造
方法であり、また熱処理が５５０〜６５０℃の温度で２
０時間以上とする製造方法である。The present invention also provides a CdTe crystal or CdZn crystal obtained by heat-treating a CdTe crystal or CdZnTe crystal containing In in a Cd atmosphere.
A method for manufacturing a low-resistance semiconductor crystal substrate made of Te crystal, wherein CdTe crystal or CdZnTe crystal is In
Is 1 × 10 17 to 2 × 10 18 atoms / cm 3 and the heat treatment is performed at a temperature of 550 to 650 ° C. for 2 hours.
It is a manufacturing method of 0 hours or more.
【００１１】[0011]
【作用】本発明にあっては、ＣｄとＴｅからなる原料、
またはＣｄとＴｅとＺｎからなる原料の入った石英容器
に、Ｉｎを添加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気
圧を印加しながら結晶育成することによって、低抵抗の
ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を製造すること
を可能としたものである。０．１Ω・ｃｍ以下の比抵抗
値を得るためには、Ｉｎの濃度を１×１０17〜２×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 とすることが好ましい。また、結
晶の育成方法としては、ブリッジマン法あるいはグラデ
ィエント・フリーズ法を用いることが好ましい。In the present invention, a raw material composed of Cd and Te,
Alternatively, by adding In to a quartz container containing a raw material composed of Cd, Te, and Zn, evacuating the quartz container, and growing the crystal while applying Cd vapor pressure, a low resistance CdTe crystal or CdZnTe crystal is obtained. It is possible to manufacture In order to obtain a specific resistance value of 0.1 Ω · cm or less, the In concentration is set to 1 × 10 17 to 2 × 10.
It is preferably set to 18 atoms / cm 3 . As a crystal growing method, it is preferable to use the Bridgman method or the gradient freeze method.
【００１２】また、Ｉｎを含むＣｄＴｅ結晶またはＣｄ
ＺｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することによっ
て、低抵抗のＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を
製造することを可能としたものである。０．１Ω・ｃｍ
以下の比抵抗値を得るためには、Ｉｎの濃度が１×１０
17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 である結晶を用いる
ことが好ましい。熱処理温度に関しては、温度が高すぎ
ると結晶性の破損が生じ、また低すぎると比抵抗を低抵
抗に制御するに必要なＣｄ蒸気圧を得ることが困難であ
る。結晶性を破壊せず、所望の伝導性を得るための熱処
理温度は、５５０〜６５０℃が最適である。また、熱処
理の時間は結晶サイズにも依存されるが、伝導性を均一
に制御するためには２０時間以上が好ましい。In addition, a CdTe crystal or Cd containing In
By heat-treating a ZnTe crystal in a Cd atmosphere, a low resistance CdTe crystal or a CdZnTe crystal can be manufactured. 0.1 Ω · cm
In order to obtain the following specific resistance value, the In concentration is 1 × 10
It is preferable to use a crystal of 17 to 2 × 10 18 atoms / cm 3 . Regarding the heat treatment temperature, if the temperature is too high, crystallinity is damaged, and if it is too low, it is difficult to obtain the Cd vapor pressure necessary for controlling the specific resistance to be low. The optimum heat treatment temperature for obtaining the desired conductivity without destroying the crystallinity is 550 to 650 ° C. Although the heat treatment time depends on the crystal size, it is preferably 20 hours or more in order to uniformly control the conductivity.
【００１３】また、本発明の実施に当たっては、低抵抗
の結晶を得るため、ＣｄとＴｅあるいは（Ｃｄ＋Ｚｎ）
とＴｅのモル比として、Ｃｄ／Ｔｅ，（Ｃｄ＋Ｚｎ）／
Ｔｅを０．９〜０．９９９９９とすることが好ましい。
使用する原料の純度は、他の不純物の挙動を避けるた
め、９９．９９９９％以上であることが望ましい。Further, in the practice of the present invention, in order to obtain a low resistance crystal, Cd and Te or (Cd + Zn)
And the molar ratio of Te are Cd / Te, (Cd + Zn) /
Te is preferably 0.9 to 0.99999.
The purity of the raw material used is preferably 99.9999% or more in order to avoid the behavior of other impurities.
【００１４】[0014]
【実施例】 （実施例１）いずれも純度９９．９９９９％の、Ｃｄを
１３６５．１８ｇと、Ｚｎを２５．１６ｇと、Ｔｅを１
５９８．９１ｇと、Ｉｎを９８．２２ｍｇと、蒸気圧印
加用のＣｄを１．００ｇとを、直径１００ｍｍの石英容
器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度にて
封入した。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１
１００℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、
０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結晶化さ
せた後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取
り出した。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２
気圧とした。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの
測定用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノール
で鏡面エッチングを行った。その後、測定用サンプルに
Ｉｎ電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。そ
の結果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３３〜
０．０６８Ω・ｃｍであった。EXAMPLES (Example 1) In all cases, Cd is 136.18 g, Zn is 25.16 g, and Te is 1 with a purity of 99.9999%.
598.91 g, In of 98.22 mg, and Cd for vapor pressure application of 1.00 g were inserted into a quartz container having a diameter of 100 mm, and sealed in a vacuum degree of 1.0 × 10 −6 Torr or less. . Next, the quartz container was placed in an electric furnace and
The raw material was melted at a temperature of 100 ° C. for 10 hours. afterwards,
After cooling to 1050 ° C. at a rate of 0.3 ° C./hour to crystallize, it was cooled to room temperature at a rate of 60 ° C./hour to take out crystals. The vapor pressure of Cd applied during crystal growth is 1 to 2
Atmospheric pressure was used. A measurement sample of 5 × 5 × 1.0 mm was cut out from the taken-out crystal and mirror-etched with 0.5% Br-methanol. Then, an In electrode was attached to the measurement sample, and the specific resistance value was measured by the Pau method. As a result, the specific resistance value of the CdZnTe crystal was 0.033 to
It was 0.068 Ω · cm.
【００１５】（実施例２）いずれも純度９９．９９９９
％の、Ｃｄを１３３４．７２ｇと、Ｔｅを１５１６．７
３ｇと、Ｉｎを２５．３６ｍｇと、蒸気圧印加用のＣｄ
を１．５０ｇとを、直径１００ｍｍの石英容器に挿入
し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度にて封入し
た。次に、その石英容器を電気炉内に設置し、１１００
℃の温度で１０時間原料を溶融した。その後、０．３℃
／時間の割合で１０５０℃まで冷却し結晶化させた後、
６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り出し
た。結晶育成中印加するＣｄの蒸気圧は、１〜２気圧と
した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定用
サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡面
エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ電
極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４２〜０．
０８１Ω・ｃｍであった。(Embodiment 2) Purity is 99.9999 in all cases.
%, Cd of 1334.72 g and Te of 1516.7.
3 g, In of 25.36 mg, and Cd for applying vapor pressure
1.50 g of was added to a quartz container having a diameter of 100 mm and sealed at a vacuum degree of 1.0 × 10 −6 Torr or less. Next, the quartz container was installed in an electric furnace and
The raw material was melted for 10 hours at a temperature of ° C. After that, 0.3 ℃
After cooling to 1050 ° C at a rate of / hour for crystallization,
After cooling to room temperature at a rate of 60 ° C./hour, crystals were taken out. The vapor pressure of Cd applied during crystal growth was 1 to 2 atm. A measurement sample of 5 × 5 × 1.0 mm was cut out from the taken-out crystal and mirror-etched with 0.5% Br-methanol. Then, an In electrode was attached to the measurement sample, and the specific resistance value was measured by the Pau method. As a result, the specific resistance value of the CdZnTe crystal was 0.042 to 0.
It was 081 Ω · cm.
【００１６】（実施例３）純度９９．９９９９％の原料
を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3 の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶２０．５０ｇと純
度９９．９９９９％のＣｄを０．６２ｇを直径３０ｍｍ
の石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真
空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置
し、６５０℃の温度で２０時間の熱処理を実施した。そ
の後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り
出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定
用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡
面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ
電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０３６〜０．
０４３Ω・ｃｍであった。(Example 3) 1.20 × 10 18 atoms of In produced by using a raw material having a purity of 99.9999%
/ Cm 3 of density, including CdZnTe crystal 20.50g and purity of 99.9999% of the diameter 30mm and 0.62g of Cd
The quartz container of No. 1 was inserted and sealed at a vacuum degree of 1.0 × 10 −6 Torr or less. Then, the container was installed in an electric furnace and heat treatment was performed at a temperature of 650 ° C. for 20 hours. Then, it was cooled to room temperature at a rate of 60 ° C./hour, and crystals were taken out. A measurement sample of 5 × 5 × 1.0 mm was cut out from the taken-out crystal and mirror-etched with 0.5% Br-methanol. After that, In
An electrode was attached and the specific resistance value was measured by the Pau method. As a result, the specific resistance value of the CdZnTe crystal was 0.036 to 0.
It was 043 Ω · cm.
【００１７】（実施例４）純度９９．９９９９％の原料
を用いて作製した、Ｉｎを１．２０×１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3 の濃度含むＣｄＺｎＴｅ結晶１８．７６ｇと純
度９９．９９９９％のＣｄを０．６５ｇを直径３０ｍｍ
の石英容器に挿入し、１．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真
空度にて封入した。その後、その容器を電気炉に設置
し、５５０℃の温度で４０時間の熱処理を実施した。そ
の後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し結晶を取り
出した。取り出した結晶から５×５×１．０ｍｍの測定
用サンプルを切り出し、０．５％Ｂｒ−メタノールで鏡
面エッチングを行った。その後、測定用サンプルにＩｎ
電極を付け、パウ法により比抵抗値を測定した。その結
果、ＣｄＺｎＴｅ結晶の比抵抗値が、０．０４６〜０．
０４９Ω・ｃｍであった。(Example 4) 1.20 × 10 18 atoms of In produced by using a raw material having a purity of 99.9999%
CdZnTe crystal containing 18.76 g of Cd / cm 3 and 0.65 g of Cd of 99.9999% purity having a diameter of 30 mm
The quartz container of No. 1 was inserted and sealed at a vacuum degree of 1.0 × 10 −6 Torr or less. Then, the container was installed in an electric furnace and heat treatment was carried out at a temperature of 550 ° C. for 40 hours. Then, it was cooled to room temperature at a rate of 60 ° C./hour, and crystals were taken out. A measurement sample of 5 × 5 × 1.0 mm was cut out from the taken-out crystal and mirror-etched with 0.5% Br-methanol. After that, In
An electrode was attached and the specific resistance value was measured by the Pau method. As a result, the specific resistance value of the CdZnTe crystal was 0.046 to 0.
It was 049 Ω · cm.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザー材料用
のエピタキシャル成長用基板として需要のある低抵抗の
ＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を提供でき、ま
た、安定して容易に製造し得ることが可能である。According to the present invention, it is possible to provide a low-resistance CdTe crystal or CdZnTe crystal which is in demand as an epitaxial growth substrate for a semiconductor laser material, and can be stably and easily manufactured. .
Claims (7)
とを特徴とするＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶
からなる低抵抗半導体結晶基板。1. A low-resistance semiconductor crystal substrate made of CdTe crystal or CdZnTe crystal having a specific resistance value of 0.1 Ω · cm or less.
ＴｅとＺｎからなる原料の入った石英容器に、Ｉｎを添
加し、石英容器を真空にした後、Ｃｄ蒸気圧を印加しな
がら結晶育成することを特徴とするＣｄＴｅ結晶あるい
はＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低抵抗半導体結晶基板の製
造方法。2. A quartz container containing a raw material composed of Cd and Te or a raw material composed of Cd, Te and Zn, In is added, the quartz container is evacuated, and a crystal is grown while applying Cd vapor pressure. A method of manufacturing a low-resistance semiconductor crystal substrate made of a CdTe crystal or a CdZnTe crystal.
はグラジェント・フリーズ法であることを特徴とする請
求項２記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。3. The method for producing a low-resistance semiconductor crystal substrate according to claim 2, wherein the crystal growing method is the Bridgman method or the gradient freeze method.
に対し、Ｉｎが１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 の濃度となるようにＩｎを添加することを特徴とす
る請求項２または請求項３記載の低抵抗半導体結晶基板
の製造方法。4. In 1 × 10 17 to 2 × 10 18 atoms / c of CdTe crystal or CdZnTe crystal.
4. The method for producing a low-resistance semiconductor crystal substrate according to claim 2, wherein In is added so that the concentration becomes m 3 .
ｎＴｅ結晶を、Ｃｄ雰囲気下で熱処理することを特徴と
するＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶からなる低
抵抗半導体結晶基板の製造方法。5. A CdTe crystal or CdZ containing In
A method of manufacturing a low-resistance semiconductor crystal substrate made of a CdTe crystal or a CdZnTe crystal, which comprises heat-treating an nTe crystal in a Cd atmosphere.
ｎ結晶に対し、１×１０17〜２×１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3 含まれるＣｄＴｅ結晶あるいはＣｄＺｎＴｅ結晶を
用いることを特徴とする請求項５記載の低抵抗半導体結
晶基板の製造方法。6. In is a CdTe crystal or CdTeZ.
1 × 10 17 to 2 × 10 18 atoms / c for n crystal
The method for producing a low-resistance semiconductor crystal substrate according to claim 5, wherein a CdTe crystal or CdZnTe crystal contained in m 3 is used.
０時間以上であることを特徴とする請求項５または請求
項６記載の低抵抗半導体結晶基板の製造方法。7. The heat treatment is performed at a temperature of 550 to 650 ° C. for 2 hours.
7. The method for manufacturing a low resistance semiconductor crystal substrate according to claim 5, wherein the time is 0 hours or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296622A JP2555847B2 (en) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | Low resistance semiconductor crystal substrate and manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|
| JP4296622A JP2555847B2 (en) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | Low resistance semiconductor crystal substrate and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125148A true JPH06125148A (en) | 1994-05-06 |
| JP2555847B2 JP2555847B2 (en) | 1996-11-20 |
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ID=17835934
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|---|---|---|---|
| JP4296622A Expired - Fee Related JP2555847B2 (en) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | Low resistance semiconductor crystal substrate and manufacturing method thereof |
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