JPH06125136A - Laser diode module - Google Patents
Laser diode moduleInfo
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- JPH06125136A JPH06125136A JP4275931A JP27593192A JPH06125136A JP H06125136 A JPH06125136 A JP H06125136A JP 4275931 A JP4275931 A JP 4275931A JP 27593192 A JP27593192 A JP 27593192A JP H06125136 A JPH06125136 A JP H06125136A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバを伝送路
として用いるレーザダイオードと光ファイバを備えたレ
ーザダイオードモジュールに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser diode using an optical fiber as a transmission line and a laser diode module having the optical fiber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図８は従来のレーザダイオードモジュー
ルの構成説明図であり、図において１はレーザダイオー
ド、２はレーザダイオード１を搭載したサブマウント、
３はサブマウント２を搭載したチップキャリア、４はス
トリップ線路基板、５は温度差を生じる２面のうち一方
の面にチップキャリア３を搭載した熱電素子、６はレー
ザダイオード１の前方出射光を集光して出力する光ファ
イバ、７はパッケージ、８はリードピン、９はストリッ
プ線路基板４を保持し、レーザダイオード１のアノード
（接地側）とパッケージを電気的に接続するためのプレ
ート、１０はレーザダイオードモジュールの入力インピ
ーダンスを整合するためのインピーダンス整合抵抗であ
る。2. Description of the Related Art FIG. 8 is a diagram for explaining the structure of a conventional laser diode module, in which 1 is a laser diode, 2 is a submount on which a laser diode 1 is mounted,
3 is a chip carrier on which the submount 2 is mounted, 4 is a strip line substrate, 5 is a thermoelectric element on which the chip carrier 3 is mounted on one of two surfaces that generate a temperature difference, and 6 is the front emission light of the laser diode 1. An optical fiber that collects and outputs the light, 7 is a package, 8 is a lead pin, 9 is a strip line substrate 4, and a plate for electrically connecting the anode (ground side) of the laser diode 1 to the package is shown. It is an impedance matching resistor for matching the input impedance of the laser diode module.
【０００３】次に動作について説明する。レーザダイオ
ード１は、カソード側にリードピン８、ストリップ線路
基板４のストリップ線路、インピーダンス整合抵抗１
０、サブマウント２を経て電気信号を給電し、アノード
側をサブマウント２、チップキャリア３、ストリップ線
路基板４の接地面、プレート９を介して接地することに
より、給電された電気信号に応じて出射光強度を変化さ
せ、結合した光ファイバに光信号を伝える。Next, the operation will be described. The laser diode 1 includes a lead pin 8 on the cathode side, a strip line of the strip line substrate 4, and an impedance matching resistor 1
0, the electric signal is fed through the submount 2, and the anode side is grounded through the submount 2, the chip carrier 3, the ground plane of the strip line substrate 4, and the plate 9 to respond to the fed electric signal. The intensity of emitted light is changed and an optical signal is transmitted to the coupled optical fiber.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザダイオー
ドモジュールは以上のように構成されているので、電気
−光変換時の周波数応答特性の優れたレーザダイオード
を用いれば、遮断周波数を高周波まで延ばすことが可能
であるが、入力信号の周波数に対して遮断周波数がかな
り高い入力信号の高調波成分を含んでしまい出力スペク
トラムが異常な形になり、受信系に悪影響を与えるとい
う課題があった。Since the conventional laser diode module is constructed as described above, it is possible to extend the cutoff frequency to a high frequency by using a laser diode having an excellent frequency response characteristic at the time of electric-optical conversion. However, there is a problem that the output spectrum becomes abnormal because it contains the harmonic components of the input signal whose cutoff frequency is considerably higher than the frequency of the input signal, which adversely affects the receiving system.
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ローバスフィルタを内蔵し、高調
波成分をカットすることを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and an object thereof is to incorporate a low-pass filter and cut harmonic components.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係るレーザダ
イオードモジュールは、基板上のメタライズ面が持つ寄
生容量と、ボンディングワイヤが持つインダクタンスを
利用してローパスフィルタを形成したものである。A laser diode module according to the present invention forms a low-pass filter by utilizing the parasitic capacitance of a metallized surface on a substrate and the inductance of a bonding wire.
【０００７】[0007]
【作用】この発明におけるレーザダイオードモジュール
は、形成されたローパスフィルタにより遮断周波数が制
限され、入力信号の高調波成分をカットすることができ
る。In the laser diode module according to the present invention, the cut-off frequency is limited by the formed low-pass filter, and the harmonic component of the input signal can be cut.
【０００８】[0008]
実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す構成説明図
であり、図において１〜３、５〜１０は従来の実施例と
全く同一のものである。１１はメタライズ面を形成した
基板、１２ａ、１２ｂ、１２ｃは基板１１上に形成され
たメタライズ面、１３ａ、１３ｂはボンディングワイヤ
で、ボンディングワイヤ１３ａはメタライズ面１２ａと
メタライズ面１２ｂを接続し、ボンディングワイヤ１３
ｂはメタライズ面１２ｂとメタライズ面１２ｃを接続す
る。Example 1. FIG. 1 is a structural explanatory view showing an embodiment of the present invention. In the figure, 1 to 5 and 10 are exactly the same as the conventional embodiment. 11 is a substrate having a metallized surface, 12a, 12b and 12c are metallized surfaces formed on the substrate 11, 13a and 13b are bonding wires, and the bonding wire 13a connects the metallized surface 12a and the metallized surface 12b. Thirteen
b connects the metallized surface 12b and the metallized surface 12c.
【０００９】前記のように構成されたレーザダイオード
モジュールにおいては、レーザダイオード１は、従来の
実施例と同様に給電された電気信号に応じて出射光強度
を変化させ、結合した光ファイバに光信号を伝える働き
をするが、メタライズ面１２ａ、１２ｂ、１２ｃが持つ
寄生容量と、ボンディングワイヤ１３ａ、１３ｂが持つ
インダクタンスにより、図２に示す２段のπ型ローパス
フィルタ１６を含む等価回路となる。ここで、１４はレ
ーザダイオード、１５はインピーダンス整合抵抗、１７
ａ、１７ｂ、１７ｃは寄生容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、１８
ａ、１８ｂはインダクタンスＬａ、Ｌｂである。容量Ｃ
ａ、Ｃｂ、Ｃｃ及びインダクタンスＬａ、Ｌｂを、 Ｃａ＝Ｃｂ／２＝Ｃｃ＝１／２πｆｃＺｏ Ｃａ： 寄生容量 Ｃｂ： 寄生容量 Ｃｃ： 寄生容量 ｆｃ： しゃ断周波数（−３ｄＢ） Ｚｏ： 特性インピーダンス Ｌａ＝Ｌｂ＝Ｚｏ／２πｆｃ Ｌａ： インダクタンス Ｌｂ： インダクタンス と設計することにより、図３に示す遮断周波数ｆｃの電
気−光変換時の周波数応答特性を示す。この特性におい
ては、入力信号の周波数に応じて遮断周波数を設定する
ことにより入力信号の高調波成分をカットでき、純度の
高い信号を伝送できる。In the laser diode module constructed as described above, the laser diode 1 changes the intensity of emitted light in accordance with the electric signal supplied thereto in the same manner as in the conventional embodiment, and outputs the optical signal to the coupled optical fiber. However, due to the parasitic capacitance of the metallized surfaces 12a, 12b, 12c and the inductance of the bonding wires 13a, 13b, an equivalent circuit including the two-stage π-type low-pass filter 16 shown in FIG. 2 is obtained. Here, 14 is a laser diode, 15 is an impedance matching resistor, 17
a, 17b, 17c are parasitic capacitances Ca, Cb, Cc, 18
Reference numerals a and 18b are inductances La and Lb. Capacity C
a, Cb, Cc and the inductances La, Lb, Ca = Cb / 2 = Cc = 1 / 2πfcZo Ca: Parasitic capacitance Cb: Parasitic capacitance Cc: Parasitic capacitance fc: Cutoff frequency (-3 dB) Zo: Characteristic impedance La = Lb = Zo / 2πfc La: Inductance Lb: Inductance, the frequency response characteristics at the time of electric-optical conversion of the cutoff frequency fc shown in FIG. 3 are shown. With this characteristic, by setting the cutoff frequency according to the frequency of the input signal, the harmonic components of the input signal can be cut and a high-purity signal can be transmitted.
【００１０】実施例２．上記実施例１では、寄生容量と
インダクタンスによりπ型のローパスフィルタを形成す
るものを示したが、図４に示すようにメタライズ面を形
成した基板１９上のメタライズ面２０ａ、２０ｂにボン
ディングワイヤ２１ａ、２１ｂ、２１ｃを接続すること
により、図５に示す２段のＴ型ローパスフィルタ２２を
含む等価回路となる。ここで、２３ａ、２３ｂ、は寄生
容量Ｃ´ａ、Ｃ´ｂ、２４ａ、２４ｂ、２４ｃはインダ
クタンスＬ´ａ、Ｌ´ｂ、Ｌ´ｃである。容量Ｃ´ａ、
Ｃ´ｂ及びインダクタンスＬ´ａ、Ｌ´ｂ、Ｌ´ｃを、 Ｃ´ａ＝Ｃ´ｂ＝１／２πｆｃＺｏ Ｃ´ａ： 寄生容量 Ｃ´ｂ： 寄生容量 Ｌ´ａ＝Ｌ´ｂ／２＝Ｌ´ｃ＝Ｚｏ／２πｆｃ Ｌ´ａ： インダクタンス Ｌ´ｂ： インダクタンス Ｌ´ｃ： インダクタンス と設計することにより、実施例１と同等の効果が期待で
きる。Embodiment 2. In the first embodiment described above, the π-type low-pass filter is formed by the parasitic capacitance and the inductance. However, as shown in FIG. 4, the bonding wires 21a, 20b are formed on the metallized surfaces 20a, 20b on the substrate 19 having the metallized surface. By connecting 21b and 21c, an equivalent circuit including the two-stage T-type low-pass filter 22 shown in FIG. 5 is obtained. Here, 23a, 23b are parasitic capacitances C'a, C'b, 24a, 24b, 24c are inductances L'a, L'b, L'c. Capacity C'a,
C'b and inductances L'a, L'b and L'c are C'a = C'b = 1 / 2πfcZo C'a: parasitic capacitance C'b: parasitic capacitance L'a = L'b / 2 = L'c = Zo / 2πfc L'a: Inductance L'b: Inductance L'c: By designing as inductance, the same effect as that of the first embodiment can be expected.
【００１１】実施例３．また、図６に示すように薄膜の
インピーダンス整合抵抗２６を形成したサブマウント２
５を用い、メタライズ面を形成した基板２７上のメタラ
イズ面２８ａ、２８ｂにボンディングワイヤ２９ａ、２
９ｂ、２９ｃを接続することにより、２段のＴ型ローパ
スフィルタとなり、実施例２と同等の効果が期待でき
る。Embodiment 3. Further, as shown in FIG. 6, the submount 2 in which a thin film impedance matching resistor 26 is formed
5, the bonding wires 29a, 2b are formed on the metallized surfaces 28a, 28b on the substrate 27 on which the metallized surface is formed.
By connecting 9b and 29c, a two-stage T-type low-pass filter is obtained, and the same effect as that of the second embodiment can be expected.
【００１２】実施例４．さらに、図７に示すように薄膜
のインピーダンス整合抵抗３１を形成し、かつインピー
ダンス整合抵抗３１を形成した面の面積を広げたサブマ
ウント３０を用い、メタライズ面を形成した基板３２上
のメタライズ面３３ａ、３３ｂにボンディングワイヤ３
４ａ、３４ｂを接続することにより、２段のπ型ローパ
スフィルタとなり、実施例１と同等の効果が期待でき
る。Embodiment 4. Further, as shown in FIG. 7, a thin film impedance matching resistor 31 is formed, and a submount 30 in which the surface of the surface on which the impedance matching resistor 31 is formed is widened is used. , 33b with bonding wire 3
By connecting 4a and 34b, a two-stage π-type low-pass filter is obtained, and an effect equivalent to that of the first embodiment can be expected.
【００１３】ところで上記説明では、この発明をレーザ
ダイオードモジュールへの利用の場合について述べた
が、発光ダイオードモジュール、フォトダイオードモジ
ュール、アバランシ・フォトダイオードモジュールへも
転用でる。In the above description, the present invention is applied to the laser diode module, but it can be applied to a light emitting diode module, a photodiode module, and an avalanche photodiode module.
【００１４】また上記説明では、２段のローパスフィル
タの場合について述べたが、Ｎ段のローパスフィルタへ
も転用できる。In the above description, the case of a two-stage low-pass filter has been described, but it can be diverted to an N-stage low-pass filter.
【００１５】[0015]
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects.
【００１６】ローパスフィルタにより遮断周波数を制限
することにより、入力信号の高周波成分がカットできる
ため、純度の高い信号を伝送できる。By limiting the cutoff frequency with the low-pass filter, high-frequency components of the input signal can be cut, so that a high-purity signal can be transmitted.
【図１】この発明の実施例１の構成説明図である。FIG. 1 is a configuration explanatory diagram of a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の実施例１の等価回路を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of Embodiment 1 of the present invention.
【図３】この発明の実施例１の電気−光変換時の周波数
応答特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing frequency response characteristics at the time of electro-optical conversion according to the first embodiment of the present invention.
【図４】この発明の実施例２の構成説明図である。FIG. 4 is a structural explanatory view of a second embodiment of the present invention.
【図５】この発明の実施例２の等価回路を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit of Embodiment 2 of the present invention.
【図６】この発明の実施例３の構成説明図である。FIG. 6 is a structural explanatory view of a third embodiment of the present invention.
【図７】この発明の実施例４の構成説明図である。FIG. 7 is a structural explanatory view of a fourth embodiment of the present invention.
【図８】従来のレーザダイオードモジュールの構成説明
図である。FIG. 8 is a structural explanatory view of a conventional laser diode module.
１１ 基板 １２ａ メタライズ面 １２ｂ メタライズ面 １２ｃ メタライズ面 １３ａ ボンディングワイヤ １３ｂ ボンディングワイヤ 11 substrate 12a metallized surface 12b metallized surface 12c metallized surface 13a bonding wire 13b bonding wire
Claims (4)
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上記
インピーダンス整合抵抗と接続された第１のメタライズ
面と、上記第１のメタライズ面とボンディングワイヤで
接続された第２のメタライズ面と、上記第２のメタライ
ズ面とボンディングワイヤで接続された第３のメタライ
ズ面と、上記第３のメタライズ面と接続されたリードピ
ンを設けたことを特徴とするレーザダイオードモジュー
ル。1. A laser diode and an optical fiber are provided,
In a laser diode module in which the laser diode and the optical fiber are hermetically sealed in a package and an impedance matching resistor is mounted inside the package, a first metallized surface connected to the impedance matching resistor and the first A second metallization surface connected to the first metallization surface with a bonding wire, a third metallization surface connected to the second metallization surface with a bonding wire, and a lead pin connected to the third metallization surface. A laser diode module characterized in that
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上記
インピーダンス整合抵抗とボンディングワイヤで接続さ
れた第１のメタライズ面と、上記第１のメタライズ面と
ボンディングワイヤで接続された第２のメタライズ面
と、上記第２のメタライズ面とボンディングワイヤで接
続されたリードピンを設けたことを特徴とするレーザダ
イオードモジュール。2. A laser diode and an optical fiber are provided,
In a laser diode module in which the laser diode and the optical fiber are hermetically sealed with a package and an impedance matching resistor is mounted therein, a first metallized surface connected to the impedance matching resistor with a bonding wire, A laser diode module comprising: a second metallized surface connected to the first metallized surface with a bonding wire; and a lead pin connected to the second metallized surface with a bonding wire.
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上部
に上記インピーダンス整合抵抗を薄膜で形成した上記レ
ーザダイオードを搭載しているサブマウントと、上記サ
ブマウントとボンディングワイヤで接続された第１のメ
タライズ面と、上記第１のメタライズ面とボンディング
ワイヤで接続された第２のメタライズ面と、上記第２の
メタライズ面とボンディングワイヤで接続されたリード
ピンを設けたことを特徴とするレーザダイオードモジュ
ール。3. A laser diode and an optical fiber are provided,
A laser diode module in which the laser diode and the optical fiber are hermetically sealed with a package, and an impedance matching resistor is mounted therein, and the laser diode having the impedance matching resistor formed of a thin film is mounted on the upper part. A submount, a first metallization surface connected to the submount with a bonding wire, a second metallization surface connected to the first metallization surface with a bonding wire, and a second metallization surface to be bonded. A laser diode module having lead pins connected by wires.
上記レーザダイオードと上記光ファイバをパッケージで
気密封止して、その内部にインピーダンス整合抵抗を実
装しているレーザダイオードモジュールにおいて、上部
に上記インピーダンス整合抵抗を薄膜で形成し、かつ上
記インピーダンス整合抵抗を形成した面の面積を広げた
上記レーザダイオードを搭載しているサブマウントと、
上記サブマウントとボンディングワイヤで接続された第
１のメタライズ面と、上記第１のメタライズ面とボンデ
ィングワイヤで接続された第２のメタライズ面と、上記
第２のメタライズ面と接続されたリードピンを設けたこ
とを特徴とするレーザダイオードモジュール。4. A laser diode and an optical fiber are provided,
In the laser diode module in which the laser diode and the optical fiber are hermetically sealed with a package, and the impedance matching resistor is mounted therein, the impedance matching resistor is formed as a thin film on the upper part, and the impedance matching resistor is A submount equipped with the above laser diode with an expanded surface area formed,
A first metallization surface connected to the submount with a bonding wire, a second metallization surface connected to the first metallization surface with a bonding wire, and a lead pin connected to the second metallization surface are provided. A laser diode module characterized in that
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275931A JP2906868B2 (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Laser diode module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275931A JP2906868B2 (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Laser diode module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125136A true JPH06125136A (en) | 1994-05-06 |
| JP2906868B2 JP2906868B2 (en) | 1999-06-21 |
Family
ID=17562427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275931A Expired - Fee Related JP2906868B2 (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Laser diode module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906868B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961372A1 (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | High-frequency laser module and method for making the same |
| KR100480244B1 (en) * | 2002-06-03 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | Laser module |
| KR100903124B1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-06-16 | 한국전자통신연구원 | Light transmission module |
| JP2015177115A (en) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | Optical module and manufacturing method for the same |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP4275931A patent/JP2906868B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0961372A1 (en) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | High-frequency laser module and method for making the same |
| KR100480244B1 (en) * | 2002-06-03 | 2005-04-06 | 삼성전자주식회사 | Laser module |
| KR100903124B1 (en) * | 2007-08-02 | 2009-06-16 | 한국전자통신연구원 | Light transmission module |
| JP2015177115A (en) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 三菱電機株式会社 | Optical module and manufacturing method for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2906868B2 (en) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |