JPH06120176A - Method and apparatus of etching - Google Patents
Method and apparatus of etchingInfo
- Publication number
- JPH06120176A JPH06120176A JP17347992A JP17347992A JPH06120176A JP H06120176 A JPH06120176 A JP H06120176A JP 17347992 A JP17347992 A JP 17347992A JP 17347992 A JP17347992 A JP 17347992A JP H06120176 A JPH06120176 A JP H06120176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- substrate
- plasma etching
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、エッチング方法とそ
の装置に関するものである。さらに詳しくは、この発明
は、高精度、高効率での酸化物導電性膜のドライエッチ
ングを可能とする新しいエッチング方法とそのための装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching method and its apparatus. More specifically, the present invention relates to a new etching method that enables dry etching of an oxide conductive film with high accuracy and high efficiency, and an apparatus therefor.
【0002】[0002]
【従来の技術とその課題】従来より、電子デバイス、液
晶表示装置等の製造のための中核的要素技術として各種
方式による薄膜エッチング方法が開発され、液相法、気
相法として実用化されてきている。しかしながら、エッ
チングプロセスについては、対象とする物質の種類やエ
ッチングの精度、効率等の点を慎重に考慮して具体的手
段を選択することが必要であるため、その手段の選定は
必ずしも容易ではない。しかも、現状においてはこれま
でのエッチング方法には、解決すべき多くの課題が残さ
れてもいた。2. Description of the Related Art Conventionally, a thin film etching method by various methods has been developed as a core elemental technology for manufacturing electronic devices, liquid crystal display devices, etc., and has been put to practical use as a liquid phase method or a vapor phase method. ing. However, in the etching process, it is necessary to carefully select the type of target substance, the accuracy and efficiency of etching, etc., and to select a specific means, so it is not always easy to select that means. . Moreover, in the present circumstances, many problems to be solved remain in the etching methods so far.
【0003】このような課題の一つとしてタッチパネ
ル、液晶カラーフィルターの電極等としてその重要性が
高まってきているITO(インジウム・スズ酸化物)、
酸化スズ等の透明酸化物導電性膜のドライ(気相)方式
によるエッチングがいまだ実用的に満足のできる技術と
して確立されていないことである。この酸化物導電性膜
については、実際のところ、酸を用いた液相エッチング
で行っており、その精度、効率には限界があり、エッチ
ング速度もせいぜい200Å/分のレベルに止まってい
る。また処理液の後処理等の点でもこの液相法には問題
があった。このため、ドライ方式によるエッチングの実
現が強く望まれていた。As one of these problems, ITO (Indium Tin Oxide), which is becoming more important as a touch panel, an electrode of a liquid crystal color filter, etc.,
That is, dry (gas phase) etching of a transparent oxide conductive film such as tin oxide has not been established as a practically satisfactory technique. This oxide conductive film is actually subjected to liquid phase etching using an acid, and its accuracy and efficiency are limited, and the etching rate is at most 200 Å / min. Further, this liquid phase method also has a problem in terms of post-treatment of the treatment liquid. Therefore, realization of etching by a dry method has been strongly desired.
【0004】もちろん、このITO等のドライエッチン
グについても、ドライ方式による方法が検討されてきて
いる。たとえば、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスに
よるプラズマエッチングや、この不活性ガスにメタノー
ル等のアルコールを添加した混合ガスをエッチング剤と
するもの等が提案されている。だが、これらの方法も、
実用的な精度や効率の点からは満足することができない
のが実情であった。Of course, a dry method has also been studied for the dry etching of ITO and the like. For example, plasma etching with an inert gas such as argon or helium, or one using an etching agent of a mixed gas obtained by adding alcohol such as methanol to this inert gas has been proposed. But these methods also
The reality was that we could not be satisfied in terms of practical accuracy and efficiency.
【0005】この発明は、以上の通りの事情に鑑みてな
されたものであり、従来の酸化物導電性膜のエッチング
方法の欠点を解消し、ドライ(気相)方式での高精度、
高効率エッチングを可能とする、酸化物導電性膜の新し
いエッチング方法とそのための装置を提供することを目
的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, solves the drawbacks of the conventional method for etching an oxide conductive film, and achieves high accuracy in a dry (gas phase) system.
It is an object of the present invention to provide a new etching method for an oxide conductive film and a device therefor, which enables highly efficient etching.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、低級炭化水素含有ガスにより低
温プラズマエッチングすることを特徴とする酸化物導電
性膜のエッチング方法を提供する。また、この発明は、
低級炭化水素と水素ガスとの混合ガスによりプラズマエ
ッチングすることをその態様の一つとしてもいる。In order to solve the above problems, the present invention provides a method for etching an oxide conductive film, which comprises performing low temperature plasma etching with a lower hydrocarbon-containing gas. Further, the present invention is
Plasma etching with a mixed gas of a lower hydrocarbon and a hydrogen gas is also one of its modes.
【0007】さらに詳しく説明すると、まず、この発明
が対象とする酸化物導電性膜としては、前記の通りのI
TO(インジウム・スズ酸化物)、酸化スズ等の各種の
ものが例示され、これらの導電性膜は、ガラス、セラミ
ックス、ポリマーファイル等の各種の基板上に成膜され
たものとすることができる。通常、これらの導電性膜
は、500〜3000Å程度の厚みで成膜されたものと
することができ、たとえばITO膜については、10〜
20Ω/単位面積の抵抗値を有するものとして1500
〜1800Å程度のものをを対象とすることができる。Explaining in more detail, first, as the oxide conductive film targeted by the present invention, the above-mentioned I
Various materials such as TO (indium tin oxide) and tin oxide are exemplified, and these conductive films can be formed on various substrates such as glass, ceramics and polymer files. . Usually, these conductive films can be formed with a thickness of about 500 to 3000 Å.
1500 with a resistance value of 20 Ω / unit area
It is possible to target a thing of about 1800Å.
【0008】低温プラズマエッチングには、前記の通り
の低級炭化水素、より好ましくは炭素数1〜4程度の飽
和炭化水素、たとえばメタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、イソブタン等の低級炭化水素が好適なものとして例
示され、これらを単独もしくは混合状態で使用すること
ができる。この場合、エチレン、プロピレン等の不飽和
炭化水素を使用、混合してもよい。For low temperature plasma etching, lower hydrocarbons as described above, more preferably saturated hydrocarbons having about 1 to 4 carbon atoms, for example, lower hydrocarbons such as methane, ethane, propane, butane and isobutane are suitable. , And these can be used alone or in a mixed state. In this case, unsaturated hydrocarbons such as ethylene and propylene may be used or mixed.
【0009】低級炭化水素は、単独で使用するか、また
はアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスによって希釈して
使用することができる。この際の低級炭化水素の割合
は、たとえば1〜50vol %程度の適宜な範囲とするこ
とができる。また、エッチングに際しては、これらの低
級炭化水素に水素ガスを混合使用するのが有効でもあ
る。この場合の混合割合は、モル比として、1:0.1 〜
1:5程度とすることができる。もちろん、これらの数
値は、一つの目安であって、さらに変更可能なことは言
うまでもない。The lower hydrocarbon can be used alone or diluted with an inert gas such as argon or helium. The proportion of lower hydrocarbons in this case can be set in an appropriate range of, for example, about 1 to 50 vol%. It is also effective to use hydrogen gas mixed with these lower hydrocarbons for etching. In this case, the mixing ratio is 1: 0.1 as a molar ratio.
It can be about 1: 5. Of course, it goes without saying that these numerical values are only a guideline and can be changed.
【0010】プラズマエッチングは、真空排気した反応
装置内において、エッチング反応域の圧力が1×10-4
〜1×10-2Torr程度の範囲において、低温プラズマ放
電によるグロープラズマの状態において実施する。この
際にヒーター等によって基板を適宜に加熱してもよい。
このエッチングのための反応装置については各種の形式
と構造のものが採用できるが、より好適には、たとえば
図1および図2に例示した平行平板型のものを使用する
ことができる。In plasma etching, the pressure in the etching reaction region is 1 × 10 −4 in a vacuum-exhausted reactor.
It is carried out in the state of glow plasma by low temperature plasma discharge in the range of about 1 × 10 -2 Torr. At this time, the substrate may be appropriately heated by a heater or the like.
Various types and structures can be adopted as the reactor for this etching, but more preferably, for example, the parallel plate type illustrated in FIGS. 1 and 2 can be used.
【0011】この図1の斜視図および図2の断面図に例
示した装置は、基板(1)のエレベーター機構を内蔵し
た供給部(2)、エッチング反応部(3)および取出し
部(4)の区域から構成し、エッチング反応部(3)
は、上部電極(31)、下部電極(32)、石英カバー
(33)、たとえばアルミナ製の基板押え(34)等を
有し、上部電極(31)は、開閉自在な蓋部(35)の
内側に固定し、下部電極(32)は、たとえばテフロン
等の絶縁体(36)によって固定支持している。The apparatus illustrated in the perspective view of FIG. 1 and the cross-sectional view of FIG. 2 includes a substrate (1) including a supply section (2) having an elevator mechanism built therein, an etching reaction section (3) and an extraction section (4). Comprised of areas, etching reaction part (3)
Has an upper electrode (31), a lower electrode (32), a quartz cover (33), for example, a substrate holder (34) made of alumina, and the like, and the upper electrode (31) is a lid (35) that can be opened and closed. It is fixed inside, and the lower electrode (32) is fixed and supported by an insulator (36) such as Teflon.
【0012】そして、基板押え(34)は上下動できる
ようにし、前記のエッチング用ガスは、上部電極(3
1)側から反応域に供給するようにしている。このよう
な装置において、下部電極(32)は、その中心部を0.
2 〜0.3mm 程度高くした円弧状とすることも有効であ
る。これは、たとえばガラス基板等においては、エッチ
ング終了後の基板の真平面性を確保するために有効な手
段となる。The substrate retainer (34) is allowed to move up and down, and the etching gas is used for the upper electrode (3
1) side is supplied to the reaction zone. In such a device, the lower electrode (32) is centered at 0.
It is also effective to make it arc-shaped with a height of about 2 to 0.3 mm. For example, in a glass substrate, this is an effective means for ensuring the true flatness of the substrate after etching is completed.
【0013】もちろん、この発明のエッチング方法には
さらに様々な態様が可能なことは言うまでもない。以
下、実施例を示し、さらに詳しくこの発明について説明
する。Needless to say, the etching method of the present invention can have various modes. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
【0014】[0014]
【実施例】実施例1 図1および図2に例示した装置を用い、ガラス基板上に
2000Åの厚みでスパッタリング法によって成膜した
ITO(インジウム・スズ酸化物)膜をエッチング処理
した。 Example 1 Using the apparatus illustrated in FIGS. 1 and 2, an ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 2000 Å formed on a glass substrate by a sputtering method was etched.
【0015】1000W電力、3×10-3Torrの圧力、
ガス流量 60SCCMのメタンガスを用い、また、下
部電極は20℃の温度として低温プラズマエッチングを
行った。その結果、500Å/分のエッチング速度でI
TOの所要パターンでのエッチングが実現された。その
パターン精度は極めて良好であった。1000 W power, 3 × 10 −3 Torr pressure,
Methane gas with a gas flow rate of 60 SCCM was used, and the lower electrode was subjected to low temperature plasma etching at a temperature of 20 ° C. As a result, at an etching rate of 500Å / min, I
Etching with the required pattern of TO was realized. The pattern accuracy was extremely good.
【0016】なお、この場合、下部電極として。中心部
が0.2mm 高い円弧状電極を使用した。真平面度の優れた
エッチングパターン基板を得た。実施例2 実施例1に沿って、メタン:H2 (モル比)=1:0.5
、およびメタン:H2(モル比)=1:1の混合ガスを
各々用いてエッチングを行った。600〜700Å/分
のエッチング速度でITOのエッチングが実現された。In this case, as the lower electrode. An arc-shaped electrode whose center is 0.2 mm higher was used. An etching pattern substrate having excellent flatness was obtained. Example 2 In line with Example 1, methane: H 2 (molar ratio) = 1: 0.5
, And methane: H 2 (molar ratio) = 1: 1 were used for etching. Etching of ITO was realized at an etching rate of 600 to 700Å / min.
【0017】エッチングパターンは、極めて良好であっ
た。実施例3 メタン:エタン:H2 (モル比)=1:0.5 、およびメ
タン:エタン:H2 (モル比)=1:1:2の混合ガス
を用い、基板温度を60℃まで上昇させながらエッチン
グを行った。 550〜600Å/分の速度で、高精度
のエッチングが実現された。The etching pattern was very good. Example 3 Using a mixed gas of methane: ethane: H 2 (molar ratio) = 1: 0.5 and methane: ethane: H 2 (molar ratio) = 1: 1: 2 while raising the substrate temperature to 60 ° C. Etching was performed. High-precision etching was achieved at a speed of 550 to 600Å / min.
【0018】実施例4 メタンにアルゴンを混合して実施例1を実現した。この
場合のメタンの割合は、20vol%とした。ガス流量
を80SCCMとした。650Å/分の速度でエッチン
グが可能であった。 Example 4 Example 1 was realized by mixing methane with argon. The proportion of methane in this case was 20 vol%. The gas flow rate was 80 SCCM. Etching was possible at a rate of 650Å / min.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
り、ドライ方式での高精度、高効率な酸化物導電性膜の
エッチングが実現される。今後の導電性膜のドライエッ
チングの発展を主導するものである。As described in detail above, according to the present invention, highly accurate and highly efficient etching of an oxide conductive film is realized by a dry method. It will lead the future development of dry etching of conductive films.
【図1】この発明の装置を例示した斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating a device of the present invention.
【図2】図1に対応する断面図である。FIG. 2 is a sectional view corresponding to FIG.
1 基板 2 供給部 3 エッチング反応部 4 取出し部 31 上部電極 32 下部電極 33 石英カバー 34 基板押え 35 蓋部 36 絶縁体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Supply part 3 Etching reaction part 4 Extraction part 31 Upper electrode 32 Lower electrode 33 Quartz cover 34 Substrate retainer 35 Lid part 36 Insulator
Claims (7)
マエッチングすることを特徴とする酸化物導電性膜のエ
ッチング方法。1. A method for etching an oxide conductive film, which comprises low-temperature plasma etching with a lower hydrocarbon-containing gas.
より低級プラズマエッチングすることを特徴とする酸化
物導電性膜のエッチング方法。2. A method for etching an oxide conductive film, which comprises performing a lower plasma etching with a gas containing a lower hydrocarbon and hydrogen.
のエッチング方法。3. A method for etching an ITO film according to claim 1 or 2.
よりエッチングする請求項1,2または3のエッチング
方法。4. The etching method according to claim 1, wherein the etching is performed with a gas containing methane and / or ethane.
型プラズマ装置において、上部電極は、開閉蓋の内側面
に配置し、かつ、下部電極の側部には基板押えを配置す
るとともに、反応域の左右には、基板の供給部と取出し
部とを各々設け、反応ガスは上部電極側より供給するこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。5. In a parallel plate type plasma device having an upper electrode and a lower electrode, the upper electrode is arranged on an inner side surface of the opening / closing lid, and a substrate retainer is arranged on a side portion of the lower electrode, and a reaction is performed. A plasma etching apparatus characterized in that a substrate supply unit and a substrate extraction unit are respectively provided on the left and right sides of the region, and the reaction gas is supplied from the upper electrode side.
る請求項1のエッチング装置。6. The etching apparatus according to claim 1, wherein the substrate mounting surface of the lower electrode has an arc shape.
TO膜のエッチング装置。7. A glass substrate I according to claim 6 or 7.
TO film etching equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17347992A JPH06120176A (en) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Method and apparatus of etching |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17347992A JPH06120176A (en) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Method and apparatus of etching |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06120176A true JPH06120176A (en) | 1994-04-28 |
Family
ID=15961261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17347992A Pending JPH06120176A (en) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | Method and apparatus of etching |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06120176A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6316355B1 (en) | 1998-06-27 | 2001-11-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming metal wire using titanium film in semiconductor device having contact holes |
KR100494677B1 (en) * | 1997-12-22 | 2005-11-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Method of manufacturing liquid crystal display device |
JPWO2014010310A1 (en) * | 2012-07-10 | 2016-06-20 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17347992A patent/JPH06120176A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100494677B1 (en) * | 1997-12-22 | 2005-11-11 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Method of manufacturing liquid crystal display device |
US6316355B1 (en) | 1998-06-27 | 2001-11-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming metal wire using titanium film in semiconductor device having contact holes |
JPWO2014010310A1 (en) * | 2012-07-10 | 2016-06-20 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101480110B (en) | Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage | |
CN101981659B (en) | Method for depositing an amorphous carbon film with improved density and step coverage | |
TWI332240B (en) | Low temperature process to produce low-k dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition (pecvd) | |
TWI405864B (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
JP5113830B2 (en) | Method for forming amorphous carbon film, method for manufacturing semiconductor device, and computer-readable storage medium | |
KR20080096787A (en) | Film forming method of amorphous carbon film and manufacturing method of semiconductor device using the same | |
CN102934209A (en) | Ultra high selectivity ashable hard mask film | |
JPS63110726A (en) | Etching method | |
JPH08111531A (en) | Multi-stage chemical vapor deposition process for thin film transistor | |
US4038439A (en) | Method for producing selected alignment in liquid crystal | |
JPH0660412B2 (en) | Thin film formation method | |
JP2521815B2 (en) | Method for etching transparent conductive film | |
JPH06120176A (en) | Method and apparatus of etching | |
JP2653404B2 (en) | Preparation of conductive polymer-metal compounds. | |
JPH02156688A (en) | Thin film two-terminal element | |
JP2723472B2 (en) | Apparatus and method for depositing borophosphosilicate glass on a substrate | |
JPH0813170A (en) | Etching method and device | |
JPS62287513A (en) | Transparent conducting film and manufacture thereof | |
JPS644591B2 (en) | ||
JP3491470B2 (en) | Dry etching method and method for manufacturing liquid crystal display device | |
JP2642418B2 (en) | Manufacturing method of electronic element | |
Cho et al. | Enhancement of the chemical stability of hydrogenated aluminum nitride thin films by nitrogen plasma treatment | |
JPS5826603B2 (en) | Plasma etching method for transparent conductive film | |
JPH06175116A (en) | Siox film forming plastic substrate and mim element formed by using this substrate | |
Buck et al. | VUV-light-induced deposited silica films |