JPH06112567A - Optical amplifier - Google Patents

Optical amplifier

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Publication number
JPH06112567A
JPH06112567A JP25458192A JP25458192A JPH06112567A JP H06112567 A JPH06112567 A JP H06112567A JP 25458192 A JP25458192 A JP 25458192A JP 25458192 A JP25458192 A JP 25458192A JP H06112567 A JPH06112567 A JP H06112567A
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JP
Japan
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amplifier
optical
semiconductor laser
optical amplifier
gain
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Application number
JP25458192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Masuda
浩次 増田
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPH06112567A publication Critical patent/JPH06112567A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain an optical amplifier which produces no much noise and can respond at a high speed by constituting the optical amplifier of on fiber amplifier cascade-connected in multiple stages and semiconductor laser amplifier and amplifying the optical signal inputted to the optical amplifier by means of the first-stage fiber amplifier. CONSTITUTION:The title optical amplifier is constituted so that the signal light inputted to the title optical amplifier can be first amplified by means of an amplifier 1 composed of a rare-earths doped optical fiber and again amplified by means of a semiconductor laser amplifier 2. A monitor section 7 monitors the gain or signal output of the optical amplifier and a control circuit 8 controls the gain or signal output of the optical amplifier by driving the exciting light source 4 of the amplifier 1 and current device circuit 6 of the amplifier 2 based on monitored values outputted from the section 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光増幅器に係り、たと
えば光伝送システムあるいは光信号処理に用いられる光
増幅器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical amplifier, and more particularly to an optical amplifier used in an optical transmission system or optical signal processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の光増幅器としては、従来、希土
類添加光ファイバ増幅器あるいは半導体レーザ増幅器が
知られている。
2. Description of the Related Art As an optical amplifier of this type, a rare earth-doped optical fiber amplifier or a semiconductor laser amplifier has been conventionally known.

【0003】図5(a)は、希土類添加光ファイバ増幅
器の概略構成を示したものであり、増幅部50、モニタ
部51、励起光源52を備え、該モニタ部51でこの希
土類添加光ファイバ増幅器の利得あるいは出力信号光パ
ワーをモニタし、制御回路53でこのモニタ値を基にし
て前記励起光源52を駆動して制御を行なっているもの
である。
FIG. 5A shows a schematic structure of a rare earth-doped optical fiber amplifier, which comprises an amplification section 50, a monitor section 51, and a pumping light source 52, and the monitor section 51 uses the rare earth-doped optical fiber amplifier. Is monitored or the output signal light power is monitored, and the control circuit 53 drives and controls the pumping light source 52 based on this monitor value.

【0004】また、図2(b)は、半導体レーザ増幅器
の概略構成を示したものであり、増幅部54、モニタ部
55、電流駆動回路56を備え、該モニタ部55でこの
半導体レーザ増幅器の利得あるいは出力信号光パワーを
モニタし、制御回路57でこのモニタ値を基にして前記
電流駆動回路56を駆動して制御を行なっているもので
ある。
FIG. 2B shows a schematic structure of a semiconductor laser amplifier, which includes an amplifier 54, a monitor 55, and a current drive circuit 56, and the monitor 55 controls the semiconductor laser amplifier. The gain or the output signal light power is monitored, and the control circuit 57 drives the current drive circuit 56 based on this monitor value to perform control.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成からなる希土類添加光ファイバ増幅器において
は、雑音指数は低くなっているが、利得の応答速度は遅
いという問題点が残されていた。たとえば、0.98μ
m励起のエルビウム添加光ファイバ増幅器の場合、雑音
指数は4dB程度、応答速度は1ms程度となってい
た。
However, in the rare earth-doped optical fiber amplifier having such a structure, the noise figure is low, but the problem that the gain response speed is slow remains. For example, 0.98μ
In the case of an m-pumped erbium-doped optical fiber amplifier, the noise figure was about 4 dB and the response speed was about 1 ms.

【0006】一方、半導体レーザ増幅器においては、利
得の応答速度は速いが、雑音指数は高いという問題点が
残されていた。たとえば、量子井戸構造の半導体レーザ
増幅器の場合、雑音指数は7dB程度、応答速度は10
0ps程度となっていた。
On the other hand, in the semiconductor laser amplifier, although the response speed of the gain is high, the problem that the noise figure is high remains. For example, in the case of a quantum well structure semiconductor laser amplifier, the noise figure is about 7 dB and the response speed is 10
It was about 0 ps.

【0007】このようなことから、従来から、低雑音か
つ高速応答の光増幅器の実現が要望されていた。
For these reasons, it has been conventionally desired to realize an optical amplifier having low noise and high speed response.

【0008】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、低雑音かつ高速応答の光増幅器を提供することにあ
る。
Therefore, the present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical amplifier with low noise and high speed response.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光増幅器は、基本的には、多段
に従続接続された少なくとも一個のファイバ増幅器と半
導体レーザ増幅器とをそれぞれ備えた光増幅器からな
り、この光増幅器に入力される光信号を第1段目に設け
られたファイバ増幅器によって増幅するように構成され
ていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, an optical amplifier according to the present invention basically comprises at least one fiber amplifier and a semiconductor laser amplifier which are cascade-connected in multiple stages. The optical amplifier is equipped with the optical amplifier, and the optical signal input to the optical amplifier is amplified by the fiber amplifier provided in the first stage.

【0010】[0010]

【作用】このように構成した光増幅器は、それに備えら
れる複数の各増幅器のうち、ファイバ増幅器は雑音特性
に優れたものとなっており、また、半導体レーザ増幅器
は光速応答特性に優れたものとなっている。
In the optical amplifier thus constructed, among the plurality of amplifiers provided therein, the fiber amplifier has excellent noise characteristics, and the semiconductor laser amplifier has excellent light speed response characteristics. Has become.

【0011】このようなファイバ増幅器および半導体レ
ーザ増幅器を多段に従属接続して光増幅器を構成し、こ
の際に、1段目の増幅器をファイバ増幅器とし、光増幅
器に入力される光信号を、まず、このファイバ増幅器に
入力させることによって、雑音特性に優れた光増幅器が
得られるようになる。
The fiber amplifier and the semiconductor laser amplifier are cascade-connected in multiple stages to form an optical amplifier. At this time, the first stage amplifier is used as a fiber amplifier, and an optical signal input to the optical amplifier is first By inputting this fiber amplifier, an optical amplifier having excellent noise characteristics can be obtained.

【0012】そして、次段以降の増幅器において、半導
体レーザ増幅器が含まれることにより、応答速度に優れ
た光増幅器が得られるようになる。
By including the semiconductor laser amplifier in the amplifier of the next stage and thereafter, an optical amplifier having an excellent response speed can be obtained.

【0013】[0013]

【実施例】基本的構成 図1は、本発明による光増幅器の基本構成を示す説明図
である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Basic Structure FIG. 1 is an explanatory diagram showing the basic structure of an optical amplifier according to the present invention.

【0014】同図において、まず、信号光が上位から下
位に伝播するものとする。そして、この光増幅器は、上
位における希土類添加光ファイバ増幅器1と下位におけ
る半導体レーザ増幅器2とが相互に接続された構成をな
し、従属接続されている。
In the figure, first, it is assumed that the signal light propagates from the higher order to the lower order. The optical amplifier has a configuration in which the upper rare-earth-doped optical fiber amplifier 1 and the lower semiconductor laser amplifier 2 are connected to each other and are cascade-connected.

【0015】すなわち、希土類添加光ファイバ増幅器1
は、増幅部3、励起光源4を備え、半導体レーザ増幅器
2は、増幅部5、電流駆動回路6を備えるとともに、こ
れら希土類添加光ファイバ増幅器1および半導体レーザ
増幅器2に共通なものとして、モニタ部5および制御回
路8を備えている。
That is, the rare earth-doped optical fiber amplifier 1
Is provided with an amplification unit 3 and a pumping light source 4, and the semiconductor laser amplifier 2 is provided with an amplification unit 5 and a current drive circuit 6, and is common to the rare earth-doped optical fiber amplifier 1 and the semiconductor laser amplifier 2 and is a monitor unit. 5 and a control circuit 8.

【0016】これにより光増幅器に入力される信号光
は、まず希土類添加光ファイバ増幅器1で増幅され、さ
らに半導体レーザ増幅器2で再び増幅されるように構成
されるようになっている。
As a result, the signal light inputted to the optical amplifier is first amplified by the rare earth-doped optical fiber amplifier 1 and further amplified by the semiconductor laser amplifier 2.

【0017】そして、この光増幅器における利得あるい
は信号光出力はモニタ部7によってモニタされ、このモ
ニタ部7の検出するモニタ値に基づいて制御回路8は、
利得あるいは信号光出力の制御を希土類添加光ファイバ
増幅器1における励起光源4および半導体レーザ増幅器
2における電流駆動回路6の駆動によって行なうように
なっている。
Then, the gain or signal light output in this optical amplifier is monitored by the monitor section 7, and the control circuit 8 is based on the monitor value detected by this monitor section 7.
The control of the gain or the signal light output is performed by driving the pumping light source 4 in the rare earth-doped optical fiber amplifier 1 and the current drive circuit 6 in the semiconductor laser amplifier 2.

【0018】次に、このように構成された光増幅器の動
作を説明する。
Next, the operation of the optical amplifier thus constructed will be described.

【0019】ここで、本実施例のように構成された光増
幅器の動作をよりよく理解するために、その説明に先だ
って従来の光増幅器の動作をまず説明する。
Here, in order to better understand the operation of the optical amplifier configured as in this embodiment, the operation of the conventional optical amplifier will be described first before the description thereof.

【0020】図2(b)は、希土類添加光ファイバ増幅
器あるいは半導体レーザ素子からなる従来の光増幅器の
動作を示す説明図であり、その入力端から光増幅媒質に
おける入力端までの信号損失をLf、光増幅媒質の利得
をG、光増幅媒質の出力端から光増幅器の出力端までの
信号損失をLrとする。
FIG. 2B is an explanatory diagram showing the operation of a conventional optical amplifier composed of a rare earth-doped optical fiber amplifier or a semiconductor laser device, in which the signal loss from the input end to the input end of the optical amplification medium is L Let f be the gain of the optical amplification medium, and let L be the signal loss from the output end of the optical amplification medium to the output end of the optical amplifier.

【0021】この場合、光増幅媒質の実効利得G
netは、Gnet=Lf×Lr×Gで与えられるようになる。
また、実効雑音指数Fnetは、Fnet=2×Nsp/Lf
与えられるようになる。ここで、Nspは、光増幅媒質の
実効反転分布パラメータである。
In this case, the effective gain G of the optical amplification medium
The net is given by G net = L f × L r × G.
Further, the effective noise figure F net is given by F net = 2 × N sp / L f . Here, N sp is an effective population inversion parameter of the optical amplification medium.

【0022】数値例で示した場合には、希土類添加光フ
ァイバ増幅器のうち、たとえば0.98μm励起のエル
ビウム添加光ファイバ増幅器の場合は、2×Nsp〜3d
B,1/Lr〜1dBである。
In the case of the numerical examples, among the rare earth-doped optical fiber amplifiers, for example, in the case of an erbium-doped optical fiber amplifier pumped at 0.98 μm, 2 × N sp -3d.
B, 1 / L r to 1 dB.

【0023】また、半導体レーザ増幅器のうち、たとえ
ば量子井戸構造の半導体レーザ増幅器の場合は、2×N
sp〜4dB,1/Lf〜3dBである。
Of the semiconductor laser amplifiers, for example, in the case of a semiconductor laser amplifier having a quantum well structure, 2 × N.
sp ~4dB, is a 1 / L f ~3dB.

【0024】このことから、実効雑音指数Fnetは、希
土類添加光ファイバ増幅器で、Fnet〜4dB、半導体
レーザ増幅器で、Fnet〜7dBとなり、半導体レーザ
増幅器の方が高いことが判明する。
[0024] Therefore, the effective noise figure F net Non is a rare earth doped optical fiber amplifier, F net ~4dB, a semiconductor laser amplifier, F net ~7dB next, it is higher in the semiconductor laser amplifier is known.

【0025】一方、実効利得の応答速度は、光増幅媒質
の応答速度によって決定され、希土類添加光ファイバ増
幅器で1ms程度、半導体レーザ増幅器で100ps程
度であり、半導体レーザ増幅器の方が応答速度が小さい
ことが判明する。
On the other hand, the response speed of the effective gain is determined by the response speed of the optical amplification medium. It is about 1 ms for the rare earth-doped optical fiber amplifier and about 100 ps for the semiconductor laser amplifier, and the response speed of the semiconductor laser amplifier is smaller. It turns out.

【0026】ここで、本発明による光増幅器を示す図2
(a)において、希土類添加光ファイバ増幅器1におけ
る光増幅器の入力端から光増幅媒質の入力端までの信号
光損失をLf-1、光増幅媒質の利得をG-1、光増幅媒質
の出力端から希土類添加光ファイバ増幅器1の出力端ま
での信号損失をLr-1とする。また、半導体レーザ増幅
器2における入力端から光増幅媒質の入力端までの信号
光損失をLf-2、光増幅媒質の利得をG-2、光増幅媒質
の出力端から半導体レーザ増幅器2の出力端までの信号
損失をLr-2とする。そして、希土類添加光ファイバ増
幅器1における光増幅媒質の出力端から半導体レーザ増
幅器2における光増幅媒質の入力端までの信号光損失を
intとする。
FIG. 2 showing an optical amplifier according to the present invention.
In (a), the signal light loss from the input end of the optical amplifier to the input end of the optical amplification medium in the rare earth-doped optical fiber amplifier 1 is L f-1 , the gain of the optical amplification medium is G -1 , and the output of the optical amplification medium. The signal loss from the end to the output end of the rare earth-doped optical fiber amplifier 1 is L r-1 . Further, the signal light loss from the input end of the semiconductor laser amplifier 2 to the input end of the optical amplification medium is L f-2 , the gain of the optical amplification medium is G -2 , and the output of the semiconductor laser amplifier 2 from the output end of the optical amplification medium. The signal loss up to the end is L r-2 . The signal light loss from the output end of the optical amplification medium in the rare earth-doped optical fiber amplifier 1 to the input end of the optical amplification medium in the semiconductor laser amplifier 2 is L int .

【0027】このように定義した場合、この光増幅器の
実効利得Gnetは、Gnet=Lf-1×Lint×Lr-2×G-1
×G-2で与えられるようになる。
When defined in this way, the effective gain G net of this optical amplifier is G net = L f-1 × L int × L r-2 × G -1
× G -2 will be given.

【0028】また、実効雑音指数Fnetは、Fnet〜2×
sp-1/Lf-1+2×Nsp-2/(Lf -1×Lint×G-1
で与えられるようになる。ここで、Nsp-1は、希土類添
加光ファイバの実効実効反転分布パラメータを、Nsp-2
は、半導体素子の実効実効反転分布パラメータを示して
いる。
The effective noise figure F net is F net ˜2 ×
N sp-1 / L f-1 + 2 × N sp-2 / (L f -1 × L int × G -1 )
Will be given in. Here, N sp-1 is the effective effective population inversion parameter of the rare earth-doped optical fiber, and N sp-2
Shows the effective effective population inversion parameter of the semiconductor element.

【0029】数値例で示した場合には、希土類添加光フ
ァイバ増幅器のうち、たとえば0.98μm励起のエル
ビウム添加光ファイバ増幅器の場合は、2×Nsp-1〜3
dB,1/Lf〜1dB,G-1〜20dBである。
In the case of numerical examples, among the rare earth-doped optical fiber amplifiers, for example, in the case of an erbium-doped optical fiber amplifier pumped with 0.98 μm, 2 × N sp-1 to 3
dB, 1 / L f ~1dB, a G -1 ~20dB.

【0030】また、半導体レーザ増幅器のうち、たとえ
ば量子井戸構造の半導体レーザ増幅器の場合は、2×N
sp-2〜4dB,1/Lf〜3dB,G-2〜10dBであ
る。
Of the semiconductor laser amplifiers, for example, in the case of a quantum well structure semiconductor laser amplifier, 2 × N.
sp-2 ~4dB, 1 / L f ~3dB, a G -2 ~10dB.

【0031】そして、この際、実効雑音指数Fnetは、
エルビウム添加光ファイバ増幅器および量子井戸構造の
半導体レーザ増幅器の場合もともに、Fnet=4dBと
なる。また、1/Lint=5dBである。
At this time, the effective noise figure F net is
In the case of the erbium-doped optical fiber amplifier and the semiconductor laser amplifier of the quantum well structure, F net = 4 dB. Also, 1 / L int = 5 dB.

【0032】このとき、実効雑音指数FnetはFnet=4
dBとなり、希土類添加ファイバ増幅器の実効雑音指数
とほぼ同じになる。
At this time, the effective noise figure F net is F net = 4
It becomes dB, which is almost the same as the effective noise figure of the rare earth-doped fiber amplifier.

【0033】一方、実効利得Gnetは、G-1×G-2に比
例するため、その応答速度Tnetは、T-1≫T-2の関係
からTnet〜T-2となる。ここで、エルビウム添加光フ
ァイバ増幅器の応答速度T-1=1ms程度、半導体レー
ザ増幅器の応答速度T-2=100ps程度である。
On the other hand, the effective gain G net Non is proportional to the G -1 × G -2, the response speed T net Non becomes T net Non through T -2 from the relation T -1 »T -2. Here, the response speed T −1 of the erbium-doped optical fiber amplifier is about 1 ms, and the response speed T −2 of the semiconductor laser amplifier is about 100 ps.

【0034】このことから、実効利得Gnetの応答速度
は半導体レーザ増幅器の応答速度の応答速度とほぼ同じ
になる。
From this, the response speed of the effective gain G net is almost the same as the response speed of the semiconductor laser amplifier.

【0035】したがって、上述した構成の光増幅器は、
希土類添加光ファイバ増幅器と同等の実効雑音指数と、
半導体レーザ増幅器と同等の応答速度を有することにな
る。
Therefore, the optical amplifier having the above-mentioned configuration is
Effective noise figure equivalent to rare earth doped optical fiber amplifier,
It will have a response speed equivalent to that of a semiconductor laser amplifier.

【0036】実施例1.図3は、本発明による光増幅器
の一実施例を示す構成図である。
Example 1. FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the optical amplifier according to the present invention.

【0037】同図において、希土類添加光ファイバとし
てエルビウム添加光ファイバ30を、半導体レーザ素子
として1.5μm帯偏波無依存型半導体レーザ31を用
いている。
In the figure, an erbium-doped optical fiber 30 is used as a rare earth-doped optical fiber, and a 1.5 μm band polarization-independent semiconductor laser 31 is used as a semiconductor laser element.

【0038】該エルビウム添加光ファイバ30の両端に
光アイソレータ32、33が配置され、エルビウム添加
光ファイバ30から出射した信号光を光学レンズ34を
用いて1.5μm帯偏波無依存型半導体レーザ31に導
くようになっている。
Optical isolators 32 and 33 are arranged at both ends of the erbium-doped optical fiber 30, and the signal light emitted from the erbium-doped optical fiber 30 is polarized by using an optical lens 34 in a 1.5 μm band polarization-independent semiconductor laser 31. It is supposed to lead to.

【0039】ここで、信号光波長は1.55μm、エル
ビウム添加光ファイバ30は0.98μm半導体レーザ
で激起するようにしている。
Here, the signal light wavelength is 1.55 μm, and the erbium-doped optical fiber 30 is set to agitate with a 0.98 μm semiconductor laser.

【0040】そして、出力信号光を分岐器35内の図示
しないフォトダイオードによってモニタし、制御回路3
6によって出力一定の制御を行なっている。
Then, the output signal light is monitored by a photodiode (not shown) in the branching device 35, and the control circuit 3
The constant output is controlled by the control unit 6.

【0041】ここでの制御は、0.98μm半導体励起
光源37と、電流駆動回路38を介して1.5μm帯偏
波依存型半導体レーザ31の駆動電流を変化させること
によって行なっている。
The control here is performed by changing the drive current of the 0.98 μm semiconductor pumping light source 37 and the 1.5 μm band polarization dependent semiconductor laser 31 via the current drive circuit 38.

【0042】このように構成した光増幅器は、出力一定
制御において、その利得は25dB、雑音指数は4d
B、利得応答速度は100psであることが確かめられ
た。
The optical amplifier configured as described above has a gain of 25 dB and a noise figure of 4 d in the constant output control.
B, it was confirmed that the gain response speed was 100 ps.

【0043】なお、この出力一定制御を、1.5μm帯
偏波無依存型半導体レーザ31のみで行なった場合は、
その利得は25dB、雑音指数は7dB、利得応答速度
は100psであった。
When this constant output control is performed only by the 1.5 μm band polarization independent type semiconductor laser 31,
The gain was 25 dB, the noise figure was 7 dB, and the gain response speed was 100 ps.

【0044】このことから、低雑音で動作し、かつ出力
一定制御を高速で行なうことができるようになる。
From this, it becomes possible to operate with low noise and to perform constant output control at high speed.

【0045】実施例2.図4は、本発明による光増幅器
の他の実施例を示す構成図である。
Example 2. FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the optical amplifier according to the present invention.

【0046】同図において、希土類添加光ファイバとし
てエルビウム添加光ファイバ30、半導体レーザ素子と
して1.5μm帯偏波無依存型半導体レーザ31を用
い、エルビウム添加光ファイバ30の両端に光アイソレ
ータ32、33を置き、エルビウム添加光ファイバ30
から出射した信号光を光学レンズ34を用いて1.5μ
m帯偏波無依存型半導体レーザ31に導いている。信号
光波長は1.55μm、エルビウム添加光ファイバは
0.98μm半導体レーザで励起している。
In the figure, an erbium-doped optical fiber 30 is used as a rare earth-doped optical fiber, a 1.5 μm band polarization independent semiconductor laser 31 is used as a semiconductor laser element, and optical isolators 32 and 33 are provided at both ends of the erbium-doped optical fiber 30. Erbium-doped optical fiber 30
The signal light emitted from the
This leads to the m-band polarization-independent semiconductor laser 31. The signal light wavelength is 1.55 μm, and the erbium-doped optical fiber is excited by a 0.98 μm semiconductor laser.

【0047】入力信号光および出力信号光のそれぞれを
分岐器35A、35B内の図示しないフォトダイオード
を用いてモニタし、これらのモニタ値より利得を算出
し、制御回路36を介して利得の高速スイッチングを行
なっている。
Each of the input signal light and the output signal light is monitored by using a photodiode (not shown) in the splitters 35A and 35B, the gain is calculated from these monitor values, and the gain is switched at high speed via the control circuit 36. Are doing.

【0048】ここでの制御は、0.98μm半導体励起
光源37と、電流駆動回路38を介して1.5μm帯偏
波依存型半導体レーザ31の駆動電流を変化させること
によって行なっている。なお、1.5μm帯偏波依存型
半導体レーザの駆動速度は100psである。
The control here is performed by changing the drive current of the polarization-dependent semiconductor laser 31 of the 1.5 μm band via the 0.98 μm semiconductor pumping light source 37 and the current drive circuit 38. The drive speed of the polarization-dependent semiconductor laser of the 1.5 μm band is 100 ps.

【0049】このように構成した光増幅器は、出力一定
制御において、その利得は25dB、雑音指数は4d
B、利得応答速度は100psであることが確かめられ
た。
The optical amplifier thus constructed has a gain of 25 dB and a noise figure of 4 d in the constant output control.
B, it was confirmed that the gain response speed was 100 ps.

【0050】なお、この出力一定制御を、1.5μm帯
偏波無依存型半導体レーザのみで行なった場合は、その
利得は25dB、雑音指数は7dB、利得応答速度は1
00psであった。
When the constant output control is performed only by the 1.5 μm band polarization independent semiconductor laser, the gain is 25 dB, the noise figure is 7 dB, and the gain response speed is 1 dB.
It was 00 ps.

【0051】このことから、低雑音で動作し、かつ利得
を高速で制御することができるようになる。
From this, it becomes possible to operate with low noise and to control the gain at high speed.

【0052】以上説明した実施例のように構成した光増
幅器によれば、それに備えられるファイバ増幅器および
半導体レーザ増幅器のうち、ファイバ増幅器は雑音特性
に優れたものとなっており、また、半導体レーザ増幅器
は光速応答特性に優れたものとなっている。
According to the optical amplifier configured as in the above-described embodiment, of the fiber amplifier and the semiconductor laser amplifier provided therein, the fiber amplifier has excellent noise characteristics, and the semiconductor laser amplifier is also excellent. Has excellent light speed response characteristics.

【0053】このようなファイバ増幅器および半導体レ
ーザ増幅器を従属接続して光増幅器を構成し、この際
に、初段の増幅器をファイバ増幅器とし、光増幅器に入
力される光信号を、まず、このファイバ増幅器に入力さ
せることによって、雑音特性に優れた光増幅器が得られ
るようになる。
Such a fiber amplifier and a semiconductor laser amplifier are cascade-connected to form an optical amplifier. At this time, the first stage amplifier is used as a fiber amplifier, and an optical signal input to the optical amplifier is first fed to this fiber amplifier. By inputting it to the optical amplifier, an optical amplifier with excellent noise characteristics can be obtained.

【0054】そして、次段の増幅器において、半導体レ
ーザ増幅器とすることにより、応答速度に優れた光増幅
器が得られるようになる。
By using a semiconductor laser amplifier in the next stage amplifier, an optical amplifier excellent in response speed can be obtained.

【0055】なお、上述した各実施例では、そのいずれ
においても、ファイバ増幅器と半導体レーザ増幅器をそ
れぞれ一個ずつ接続した場合を説明したものであるが、
これに限定されることはない。すなわち、ファイバ増幅
器と半導体レーザ増幅器のいずれか一方を、あるいはそ
れら双方を複数にして従続接続するように構成してもよ
いことはいうまでもない。この場合において、光増幅器
に入力される光信号を第1段目に設けられたファイバ増
幅器によって増幅するように構成することによって同様
の効果が得られることになる。
In each of the above-described embodiments, the case where one fiber amplifier and one semiconductor laser amplifier are connected has been described.
It is not limited to this. That is, it goes without saying that either one of the fiber amplifier and the semiconductor laser amplifier, or a plurality of both of them may be configured to be cascade-connected. In this case, a similar effect can be obtained by configuring the optical signal input to the optical amplifier to be amplified by the fiber amplifier provided in the first stage.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による光増幅器によれば、低雑音かつ高速応答の
ものが得られるようになる。
As is apparent from the above description,
According to the optical amplifier of the present invention, a low noise and high speed response can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明による光増幅器の基本的構成の一実施
例を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a basic configuration of an optical amplifier according to the present invention.

【図2】 (a)は、本発明による光増幅器の目的が達
成できる理由を示す説明図であり、(b)は、その理由
を理解しやすいように示した従来の光増幅器の場合の説
明図である。
FIG. 2 (a) is an explanatory diagram showing the reason why the object of the optical amplifier according to the present invention can be achieved, and FIG. 2 (b) is a description of the case of the conventional optical amplifier, which is shown for easy understanding. It is a figure.

【図3】 本発明による光増幅器の一実施例を示す説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing an embodiment of an optical amplifier according to the present invention.

【図4】 本発明による光増幅器の他の実施例を示す説
明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing another embodiment of the optical amplifier according to the present invention.

【図5】 (a)、(b)は、それぞれ従来の光増幅器
の例を示す構成図である。
5A and 5B are configuration diagrams showing examples of conventional optical amplifiers.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…希土類添加光ファイバ増幅器、2…半導体レーザ増
幅器、3,5…増幅部、4…激起光源、6…電流駆動回
路、7…モニタ部、8…制御回路。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Rare earth doped optical fiber amplifier, 2 ... Semiconductor laser amplifier, 3, 5 ... Amplification part, 4 ... Emergent light source, 6 ... Current drive circuit, 7 ... Monitor part, 8 ... Control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多段に従続接続された少なくとも一個の
ファイバ増幅器と半導体レーザ増幅器とをそれぞれ備え
た光増幅器からなり、この光増幅器に入力される光信号
を第1段目に設けられたファイバ増幅器によって増幅す
るように構成されていることを特徴とする光増幅器。
1. A fiber comprising an optical amplifier having at least one fiber amplifier and a semiconductor laser amplifier connected in a multistage cascade, and an optical signal input to the optical amplifier provided in the first stage. An optical amplifier characterized by being configured to be amplified by an amplifier.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08248455A (en) * 1995-03-09 1996-09-27 Fujitsu Ltd Optical amplifier for wavelength multiplexing
US7924499B2 (en) 1998-03-19 2011-04-12 Fujitsu Limited Gain and signal level adjustments of cascaded optical amplifiers
JP2011138933A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Fujitsu Ltd Optical amplifier
US8004752B2 (en) 1996-05-28 2011-08-23 Fujitsu Limited Multi-wavelength light amplifier

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