JPH0591055A - 光回路 - Google Patents
光回路Info
- Publication number
- JPH0591055A JPH0591055A JP3273314A JP27331491A JPH0591055A JP H0591055 A JPH0591055 A JP H0591055A JP 3273314 A JP3273314 A JP 3273314A JP 27331491 A JP27331491 A JP 27331491A JP H0591055 A JPH0591055 A JP H0591055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- semiconductor
- light source
- photodetector
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体光光源のバックライトによる漏れ光の
うち半導体光検出器へ入射する量を低減し、半導体光検
出器の出力のＳＮ比を向上させる。 【構成】 半導体光源４と半導体光源４の光出力をモニ
ターする半導体光検出器５ａの間に反射鏡８が設置され
ている。半導体光源４のバックライトはすべて反射鏡８
で反射し光軸を変え、モニター用検出器５ａに入射す
る。従って、半導体光源４のバックライトが漏れ光とし
て受信用の半導体光検出器５に入射する光量は従来の構
造に比べて大幅に低減され、受信用半導体光検出器５の
出力のＳＮ比が大幅に向上する。
うち半導体光検出器へ入射する量を低減し、半導体光検
出器の出力のＳＮ比を向上させる。 【構成】 半導体光源４と半導体光源４の光出力をモニ
ターする半導体光検出器５ａの間に反射鏡８が設置され
ている。半導体光源４のバックライトはすべて反射鏡８
で反射し光軸を変え、モニター用検出器５ａに入射す
る。従って、半導体光源４のバックライトが漏れ光とし
て受信用の半導体光検出器５に入射する光量は従来の構
造に比べて大幅に低減され、受信用半導体光検出器５の
出力のＳＮ比が大幅に向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信ネットワークにお
ける光送受信器、特に光導波路を用いた光送受信器に関
する。
ける光送受信器、特に光導波路を用いた光送受信器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの大容量化が進むと同時
に、多機能の高度なシステムが求められている一方で、
光ファイバネットワークの低コスト化の要求が強い。そ
の中で光送信器、光受信器等の光デバイスの小型化、高
集積化、低コスト化は必須である。現在実用に供されて
いる光送信器及び光受信器は半導体光源または半導体光
検出器と光ファイバの間にレンズを設置し空間的に光学
接続する構造が用いられている。このレンズを用いて空
間的に光学接続する構造はマイクロオプティックスと呼
ばれている。マイクロオプティックス構造ではレンズの
形状、半導体光源及び半導体光検出器のパッケージの形
状等に制限されて小型化に限界がある。また、空間を伝
搬する光を効率よく光ファイバや光検出器に結合させる
ためには、精度の良い光軸調整が要求され、その作業に
多大な工数が必要とされるためコストが下がらないのが
現状である。同一機能または異種機能の高集積化には全
く不適であるのは言うまでもない。
に、多機能の高度なシステムが求められている一方で、
光ファイバネットワークの低コスト化の要求が強い。そ
の中で光送信器、光受信器等の光デバイスの小型化、高
集積化、低コスト化は必須である。現在実用に供されて
いる光送信器及び光受信器は半導体光源または半導体光
検出器と光ファイバの間にレンズを設置し空間的に光学
接続する構造が用いられている。このレンズを用いて空
間的に光学接続する構造はマイクロオプティックスと呼
ばれている。マイクロオプティックス構造ではレンズの
形状、半導体光源及び半導体光検出器のパッケージの形
状等に制限されて小型化に限界がある。また、空間を伝
搬する光を効率よく光ファイバや光検出器に結合させる
ためには、精度の良い光軸調整が要求され、その作業に
多大な工数が必要とされるためコストが下がらないのが
現状である。同一機能または異種機能の高集積化には全
く不適であるのは言うまでもない。
【０００３】最近、双方向の通信システムの必要が高ま
り、また家庭にまでこのシステムを導入することが望ま
れている。このとき双方向通信を可能にする光デバイス
として光の送信器と受信器が必要となるが、これを個別
に構成していたのでは光送受信装置が大型化し、システ
ム普及の妨げになる。従って、２つの機能を一体化した
光デバイス（光送受信器）が望まれるが、マイクロオプ
ティックス構造では前述た理由から困難である。この様
な背景から小型化、高集積化、低コスト化を目指す構造
として光導波路を用いたものがヘンリーらの文献 アイ
トリプルイ ライトウエイプテクノロジィ １５３０〜
１５３９頁（１９８９年）等によれば検討されている。
図２に従来の構造の光回路の平面図を示す。
り、また家庭にまでこのシステムを導入することが望ま
れている。このとき双方向通信を可能にする光デバイス
として光の送信器と受信器が必要となるが、これを個別
に構成していたのでは光送受信装置が大型化し、システ
ム普及の妨げになる。従って、２つの機能を一体化した
光デバイス（光送受信器）が望まれるが、マイクロオプ
ティックス構造では前述た理由から困難である。この様
な背景から小型化、高集積化、低コスト化を目指す構造
として光導波路を用いたものがヘンリーらの文献 アイ
トリプルイ ライトウエイプテクノロジィ １５３０〜
１５３９頁（１９８９年）等によれば検討されている。
図２に従来の構造の光回路の平面図を示す。
【０００４】図２の光回路では基板１上に合分岐機能を
含む光導波路２が形成され、この光導波路２と光ファイ
バ３、半導体光源４及び信号検出用の半導体光検出器５
ａがそれぞれ同一の基板１上で直接光学結合されてい
る。図２では半導体光源４の光出力モニター用の半導体
光検出器５ｂも同一の基板１上に集積され、光導波路２
と光学的に接続されているが、この半導体光源４の光出
力モニター用の半導体光検出器５ｂは無くても、双方向
光通信用送受信器の機能としては何等問題無い。また、
半導体光検出器５ａ，５ｂの受信回路用電子デバイス６
が同一の基板１上に集積されているが、この電子デバイ
スは同一の基板１上に有ってもなくても双方向光通信用
送受信器の機能としては何等問題無い。図２に示した光
導波路２を用いて光送受信器を構成すれば、小型化はも
ちろんのこと、光軸がリソグラフィプロセスで決められ
一定である光導波路を伝搬する導波光との結合を行えば
良いため光軸調整も簡易化されるとともに、光導波路自
体はリソグラフィプロセスを用いて一括に多量に生産さ
れるために低コスト化が可能となる。
含む光導波路２が形成され、この光導波路２と光ファイ
バ３、半導体光源４及び信号検出用の半導体光検出器５
ａがそれぞれ同一の基板１上で直接光学結合されてい
る。図２では半導体光源４の光出力モニター用の半導体
光検出器５ｂも同一の基板１上に集積され、光導波路２
と光学的に接続されているが、この半導体光源４の光出
力モニター用の半導体光検出器５ｂは無くても、双方向
光通信用送受信器の機能としては何等問題無い。また、
半導体光検出器５ａ，５ｂの受信回路用電子デバイス６
が同一の基板１上に集積されているが、この電子デバイ
スは同一の基板１上に有ってもなくても双方向光通信用
送受信器の機能としては何等問題無い。図２に示した光
導波路２を用いて光送受信器を構成すれば、小型化はも
ちろんのこと、光軸がリソグラフィプロセスで決められ
一定である光導波路を伝搬する導波光との結合を行えば
良いため光軸調整も簡易化されるとともに、光導波路自
体はリソグラフィプロセスを用いて一括に多量に生産さ
れるために低コスト化が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この双方向光通信用光
送受信器では前述したように半導体光源と半導体光検出
器が同一基板上に形成されているから、半導体光源のバ
ックライトによる漏れ光が受信用の半導体光検出器へ入
射し、該半導体光検出器の出力のＳＮ比が劣化する欠点
がある。
送受信器では前述したように半導体光源と半導体光検出
器が同一基板上に形成されているから、半導体光源のバ
ックライトによる漏れ光が受信用の半導体光検出器へ入
射し、該半導体光検出器の出力のＳＮ比が劣化する欠点
がある。
【０００６】本発明の目的は、信号受信用の半導体光検
出器の出力において高いＳＮ比を得る光回路を与えるこ
とにある。
出器の出力において高いＳＮ比を得る光回路を与えるこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光回路は、
光の合分岐または合分波機能を有する光導波路が基板上
に形成され、また、半導体光源および第１の半導体光検
出器が前記光導波路のうちの互いに近接した第１及び第
２の光導波路のそれぞれの端面付近の前記基板上に設置
され、かつ、該第１及び第２の光導波路に光学的にそれ
ぞれ接続され、また前記半導体光源の光出力をモニター
する第２の半導体光検出器を具備する光回路において、
前記半導体光源のバックライトを反射して前記第２の半
導体光検出器に入射させる反射鏡が設けてあることを特
徴とする。
光の合分岐または合分波機能を有する光導波路が基板上
に形成され、また、半導体光源および第１の半導体光検
出器が前記光導波路のうちの互いに近接した第１及び第
２の光導波路のそれぞれの端面付近の前記基板上に設置
され、かつ、該第１及び第２の光導波路に光学的にそれ
ぞれ接続され、また前記半導体光源の光出力をモニター
する第２の半導体光検出器を具備する光回路において、
前記半導体光源のバックライトを反射して前記第２の半
導体光検出器に入射させる反射鏡が設けてあることを特
徴とする。
【０００８】
【作用】本発明による光導波路、半導体光源、第１及び
第２の半導体光検出器を同一基板上に集積した光回路を
用いれば、第１の半導体光検出器の出力において高いＳ
Ｎ比が得られる。即ち、本発明では従来の構造と異な
り、半導体光源とこの半導体光源の光出力として該半導
体光源のバックライトをモニターする第２の半導体光検
出器の間に反射鏡が設置されている。従って、半導体光
光源のバックライトによる漏れ光が第１の半導体光検出
器（受信用光検出器）へ入射する光量を低減でき、該第
１の半導体光検出器の出力のＳＮ比を向上させることが
出来る。
第２の半導体光検出器を同一基板上に集積した光回路を
用いれば、第１の半導体光検出器の出力において高いＳ
Ｎ比が得られる。即ち、本発明では従来の構造と異な
り、半導体光源とこの半導体光源の光出力として該半導
体光源のバックライトをモニターする第２の半導体光検
出器の間に反射鏡が設置されている。従って、半導体光
光源のバックライトによる漏れ光が第１の半導体光検出
器（受信用光検出器）へ入射する光量を低減でき、該第
１の半導体光検出器の出力のＳＮ比を向上させることが
出来る。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例に係わる光回路の構造を示
す平面図である。図１において、基板１にはＳｉを用
い、光パワー分岐または光波長分波機能光回路７を含む
光導波路２は石英系の材料からなる。光パワー分岐また
は光波長分波機能光回路７には、例えば光パワー分岐機
能光回路の場合は、Ｙ分岐光回路や方向性結合器などが
用いられ、光波長分波機能光回路の場合は、方向性結合
器、分岐干渉器などが用いられる。光ファイバ３、半導
体光源４及び半導体光検出器５は光導波路２ａ，２ｂ及
び２ｃに光学的にそれぞれ接続されており、また、光導
波路２、半導体光源４及び半導体光検出器５，５ａは基
板１上に集積されている。図１では、半導体光源４と半
導体光源４の光出力をモニターする半導体光検出器５ａ
（以後、モニター用検出器と呼ぶ）の間に反射鏡８が設
置されている。半導体光源４の両端の発光面のうち、光
導波路２ｂと光学的に接続された半導体光源４の発光面
４１でない側の発光面４２からのバックライトはすべて
反射鏡８で反射され光軸が変えられた後、モニター用光
検出器５ａに入射する。従って、半導体光源４のバック
ライトが漏れ光として信号受信用の半導体光検出器５に
入射する光量は従来の構造に比べて大幅に低減され、半
導体光検出器５の出力のＳＮ比が大幅に向上する。な
お、反射鏡８としては通常の反射鏡板をＳｉ基板１に設
置してもよいが、光導波路２をリソグラフィプロセスで
形成するのと同時に反射鏡パターンを形成すれば一層簡
単に設けることができる。即ち、反射鏡８のパターンを
光導波路２の形成時に全く同一の材料で製作する。この
後、反射面にスパッタリング法、蒸着法などを用いて金
（Ａｕ）等の反射材をコーティングして反射鏡８を形成
する方法などがある。ただし、反射鏡８の形成はこれら
の方法に限定されるものではなく、半導体光源４のバッ
クライトを反射するものならなんでも良い。また、反射
鏡８の半導体光源４に対する傾きは何度でもよい。な
お、基板１及び光導波路２の材料は限定されないのは明
らかである。
る。図１は本発明の一実施例に係わる光回路の構造を示
す平面図である。図１において、基板１にはＳｉを用
い、光パワー分岐または光波長分波機能光回路７を含む
光導波路２は石英系の材料からなる。光パワー分岐また
は光波長分波機能光回路７には、例えば光パワー分岐機
能光回路の場合は、Ｙ分岐光回路や方向性結合器などが
用いられ、光波長分波機能光回路の場合は、方向性結合
器、分岐干渉器などが用いられる。光ファイバ３、半導
体光源４及び半導体光検出器５は光導波路２ａ，２ｂ及
び２ｃに光学的にそれぞれ接続されており、また、光導
波路２、半導体光源４及び半導体光検出器５，５ａは基
板１上に集積されている。図１では、半導体光源４と半
導体光源４の光出力をモニターする半導体光検出器５ａ
（以後、モニター用検出器と呼ぶ）の間に反射鏡８が設
置されている。半導体光源４の両端の発光面のうち、光
導波路２ｂと光学的に接続された半導体光源４の発光面
４１でない側の発光面４２からのバックライトはすべて
反射鏡８で反射され光軸が変えられた後、モニター用光
検出器５ａに入射する。従って、半導体光源４のバック
ライトが漏れ光として信号受信用の半導体光検出器５に
入射する光量は従来の構造に比べて大幅に低減され、半
導体光検出器５の出力のＳＮ比が大幅に向上する。な
お、反射鏡８としては通常の反射鏡板をＳｉ基板１に設
置してもよいが、光導波路２をリソグラフィプロセスで
形成するのと同時に反射鏡パターンを形成すれば一層簡
単に設けることができる。即ち、反射鏡８のパターンを
光導波路２の形成時に全く同一の材料で製作する。この
後、反射面にスパッタリング法、蒸着法などを用いて金
（Ａｕ）等の反射材をコーティングして反射鏡８を形成
する方法などがある。ただし、反射鏡８の形成はこれら
の方法に限定されるものではなく、半導体光源４のバッ
クライトを反射するものならなんでも良い。また、反射
鏡８の半導体光源４に対する傾きは何度でもよい。な
お、基板１及び光導波路２の材料は限定されないのは明
らかである。
【００１０】図１の実施例における光導波路２ｂ及び２
ｃは前述の第１及び第２の光導波路にそれぞれ相当し、
光検出器５及び５ａは前述の第１及び第２の半導体光検
出器にそれぞれ相当する。
ｃは前述の第１及び第２の光導波路にそれぞれ相当し、
光検出器５及び５ａは前述の第１及び第２の半導体光検
出器にそれぞれ相当する。
【００１１】本発明による光導波路、半導体光源、半導
体光検出器を同一基板上に集積した光回路を用いれば、
高いＳＮ比を光検出器の出力として得られる。即ち、本
発明では従来の構造と異なり、半導体光源とこの半導体
光源の光出力をモニターする半導体光検出器の間に反射
鏡が設置されている。従って、半導体光光源のバックラ
イトによる漏れ光が半導体光検出器へ入射する光量を低
減でき、半導体光検出器の出力のＳＮ比を向上させるこ
とが出来る。
体光検出器を同一基板上に集積した光回路を用いれば、
高いＳＮ比を光検出器の出力として得られる。即ち、本
発明では従来の構造と異なり、半導体光源とこの半導体
光源の光出力をモニターする半導体光検出器の間に反射
鏡が設置されている。従って、半導体光光源のバックラ
イトによる漏れ光が半導体光検出器へ入射する光量を低
減でき、半導体光検出器の出力のＳＮ比を向上させるこ
とが出来る。
【図１】本発明の一実施例である光回路の構造を示した
平面図である。
平面図である。
【図２】従来の光回路の構造を示す平面図である。
１ 基板 ２，２ａ，２ｂ，２ｃ 光導波路 ３ 光ファイバ ４ 半導体光源 ５ 半導体光検出器 ５ａ モニター用光検出器 ６ 電子デバイス ７ 光パワー分岐または光波長分波機能光回路 ８ 反射鏡
Claims (1)
- 【請求項１】 光の合分岐または合分波機能を有する光
導波路が基板上に形成され、また、半導体光源および第
１の半導体光検出器が前記光導波路のうちの互いに近接
した第１及び第２の光導波路のそれぞれの端面付近の前
記基板上に設置され、かつ、該第１及び第２の光導波路
に光学的にそれぞれ接続され、また前記半導体光源の光
出力をモニターする第２の半導体光検出器を具備する光
回路において、前記半導体光源のバックライトを反射し
て前記第２の半導体光検出器に入射させる反射鏡が設け
てあることを特徴とする光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273314A JPH0591055A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273314A JPH0591055A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0591055A true JPH0591055A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17526153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273314A Pending JPH0591055A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0591055A (ja) |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP3273314A patent/JPH0591055A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5960135A (en) | Optical integrated circuit for bidirectional communications and method for producing the same | |
| US10892845B2 (en) | Method and system for a free space CWDM MUX/DEMUX for integration with a grating coupler based silicon photonics platform | |
| JPH05196844A (ja) | 光結合回路 | |
| JP2919329B2 (ja) | 光送受信モジュール | |
| US6480647B1 (en) | Waveguide-type wavelength multiplexing optical transmitter/receiver module | |
| US4955014A (en) | Broadband optical communication system, particularly in the subscriber area | |
| US7142740B2 (en) | Planar lightwave circuit type optical transceiver module | |
| US4776660A (en) | Light diplexer of a communication system comprising three light connections | |
| JP2970519B2 (ja) | 光回路とその製造方法 | |
| JP4116244B2 (ja) | 波長多重方式のためのトランシーバ | |
| JP3219781B2 (ja) | 光回路 | |
| US6950582B2 (en) | Bi-directional optical transceiver module | |
| JPH0591055A (ja) | 光回路 | |
| JPH05203830A (ja) | 光合分波器 | |
| JPH0591049A (ja) | 光回路 | |
| JP3120777B2 (ja) | 光導波路型信号光モニタデバイス | |
| JP2897742B2 (ja) | 光送受信モジュール | |
| JPH07191236A (ja) | 光回路とその製造方法 | |
| JPH05181035A (ja) | 光分波・分岐デバイス | |
| JPS60214316A (ja) | 双方向伝送用光モジユ−ル | |
| JPH0591054A (ja) | 光回路 | |
| JP3120774B2 (ja) | 光送受信モジュール及びその製造方法 | |
| JP3590222B2 (ja) | 光波長多重伝送モジュール | |
| JPH0779203A (ja) | 光受信器 | |
| JP3120842B2 (ja) | ラインモニタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000404 |