JPH0590150A - マスクパタ−ンの自動現像装置及び現像方法 - Google Patents

マスクパタ−ンの自動現像装置及び現像方法

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JPH0590150A
JPH0590150A JP24734091A JP24734091A JPH0590150A JP H0590150 A JPH0590150 A JP H0590150A JP 24734091 A JP24734091 A JP 24734091A JP 24734091 A JP24734091 A JP 24734091A JP H0590150 A JPH0590150 A JP H0590150A
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JP
Japan
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pattern
substrate
developing
development
resist
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Application number
JP24734091A
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English (en)
Inventor
Yasuo Munakata
泰夫 宗形
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、直接パタ−ン寸法を測定することで
寸法精度を向上させることが可能な自動現像装置を提供
することを目的とする。 【構成】現像槽1内に載置された被現像基板2が現像液
3に浸漬される。被現像基板2の垂直方向に備えられた
寸法測定機5により、現像パタ−ンは直接測定される。
測定値と設定寸法値を比較し、測定値が許容値になった
時点で、現像終了処理をする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自動現像装置に関する
もので、特にウェハまたはガラスマスクのレジスト現像
処理に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウェハまたはマスク用ガラス基板上に塗
布されたレジストをパタ−ニングするためには、パタ−
ンをレジストに露光した後に、レジストの現像工程を必
要とする。近年、半導体装置の高密度化が進み、パタ−
ン寸法は非常に高い精度が要求されている。一般にパタ
−ン幅は現像時間の影響を大きく受けることから、現像
時間の制御を適切にする必要がある。
【0003】この現像時間の制御は作業者の経験および
熟練技術に依存することが多い。即ち、作業者は現像を
基準時間よりも数十秒早めに終了させ、リンス及び乾燥
を行った後、レジストパタ−ンを顕微鏡で観察し、ある
いは測微計や寸法測定機によって寸法測定を行い、現像
が不足しているときは適正な現像となるまで数回の追加
現像を行っていた(マニュアル現像方式)。
【0004】このような方式では作業者の勘に頼らざる
を得ないため、適正な現像を安定して得ることは困難で
あった。このため、基準電極とレジストが塗布された導
電体からなる第2の電極を現像液に浸漬させ、浸漬現像
中に両電極間に流れる電流を観察することにより適正な
現像になる時間を決定した時間制御型の自動現像装置が
提案されている。(特開昭58−118115)(電流
モニタ−方式)。
【0005】これを図4を参照して説明する。図4は、
レジストを塗布しない基準電極とレジストを塗布した電
極とを現像液の中に漬け、現像中における両電極間に流
れる電流の変化を現像時間の経過とともに示したもので
ある。これによれば、現像液を流れる電流は時間ta
おいて最大値となり、taを境に微分係数の符号が反転
している。このta に対し経験的な係数をかけてtb
算出し、ta とtb との合計時間を現像時間とする。
【0006】しかし、製品の種類に従って変わるパタ−
ンの形状、密度、大きさ及び露光装置の露光量に起因す
る現像速度の変化等の影響を受ける。そのため、所望の
パタ−ン寸法を得るためのta /tb の値は一定ではな
い。また、現像液温度によっても現像時間は影響され
る。図5は、現像時間の経過に対するレジストパタ−ン
寸法の変化を示している。レジストはポジ型、寸法は露
光部である。図5の中で実線は現像液温度が高く、破線
は現像液温度が低い場合である。
【0007】ここで、明らかなのは以下の二つのことで
ある。一つは現像時間とパタ−ン寸法値は一対一の関係
にあり、設計寸法値に対応する最適現像時間は必ず存在
すること。二つめには、その最適現像時間は現像液の温
度によって振られることである。
【0008】従って、最適な現像時間に影響する要因
は、パタ−ン形状、密度、大きさ、露光装置の露光量の
ばらつき及び現像液の温度変化等種々ある。そのため現
像されたパタ−ン寸法には、バラツキが生じざるを得な
い。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来の時間制御型の自
動現像装置では、製品の種類、露光装置の露光量及び現
像液の温度変化に伴う寸法精度のばらつきを押さえるこ
とができないという問題点がある。故に、本発明は直接
パタ−ン寸法を測定しながら現像処理を行うことによ
り、寸法精度を向上させることが可能な自動現像装置を
提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】被現像基板上のレジスト
に描画されたパタ−ンを現像液に浸漬して現像する自動
現像装置は、現像槽に上記被現像基板を載置するための
基板セット台と少なくとも1ヶ所以上の所定のパタ−ン
寸法を測定するためのパタ−ン寸法測定機または測定機
能付顕微鏡を備えている。基板セット台は所定の位置に
水平上に移動、回転及び上下できるように基板セット台
駆動系に制御される。パタ−ン寸法測定機または測定機
能付顕微鏡も本体あるいはそれらの対物レンズ部を移動
と回転および上下できるように制御される。現像中、上
記パタ−ンは一定のサイクルで測定される。測定値と設
定寸法値(通常は設計値)とを比較し、上記測定値が上
記寸法設定値の許容範囲に入った時点で、現像液を現像
槽から除去したりまた被現像基板を現像液から引上げ、
その後リンス処理をすることによって現像を終了させ
る。
【0011】
【作用】本発明によれば、直接パタ−ン寸法を測定し、
現像終了の判別を行うため、種々の条件が変わっても極
めて高精度に仕上がり寸法を制御することができる。
【0012】
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説
明する。
【0013】先ず、図1により自動現像装置の構成を示
す。現像槽1には、被現像基板2を出し入れするための
基板搬出入口10、現像液またはリンス液を注入するた
めの給液口9とそれらの液を排出するための排液口8が
備えられている。現像槽1内の下方に、被現像基板2を
載置するための基板セット台11が設置される。その基
板セット台11は、現像液等と隔てられかつ現像槽1内
にある基板台セット駆動系6に制御される。
【0014】現像槽1内の上方に寸法測定機5が備えら
れている。該寸法測定機5は、レ−ザ光を被現像基板2
上のパタ−ンに走査して該レ−ザ光の反射光によりパタ
−ンの寸法を測定する。寸法測定機5は、現像槽1内の
上面に設置された寸法測定機駆動系7に制御される。寸
法測定機5の下部には、保護カバ−12に覆われた対物
レンズ4が含まれる。
【0015】次に、図2により現像工程を説明する。先
ず、各パラメ−タ即ち、被現像基板2内の測定パタ−ン
位置、設定(設計)寸法値、許容値、測定開始までの時
間及び測定サイクル等を、測定位置決め回路、寸法測定
制御回路、測定値と設定値の比較判定回路及び計時回路
にセットする。
【0016】その後、現像液へ被現像基板の浸漬を開始
する。先ず、基板搬出入口10から被現像基板2を基板
セット台11にセットする。この時、寸法測定機5及び
基板セット台11は各々寸法測定機駆動系7、基板セッ
ト台駆動系6を用いて必要な場所に移動する。現像槽1
内に現像液3を供給口9より供給する。この被現像基板
2をセットする工程は、現像液3を供給する工程の前ま
たは同時または後に行っても良い。そして、基板セット
台駆動系6を下降させることにより、被現像基板2の現
像液3への浸漬を開始する。この時点から計時回路の時
間カウントをスタ−トさせる。
【0017】次に、パラメ−タセットされた測定パタ−
ン位置の情報に基づいて、基板セット台駆動系6と寸法
測定機駆動系7にて、被現像基板2上に露光されている
測定パタ−ンへ対物レンズ4のプリアライメントを行
う。
【0018】パタ−ンが見え始める時間、即ち測定開始
時間まで一定時間現像を行う。そして、現像パタ−ンが
測定できるようになってから、微少なアライメントを行
い、正式に測定を開始する。しかし、現像を始めて直ぐ
測定に入っても良い。この場合は、パタ−ンが見えない
ため寸法測定値はエラ−出力となるがかまわない。
【0019】パラメ−タセットで指定された測定サイク
ルで測定を行い、その測定値とパラメ−タセットで指定
した設定寸法値とを比較する。測定値が設定寸法値の許
容範囲内に入ったら、現像終了作業に入る。
【0020】尚、この寸法値モニタ−の様子を図3に示
す。潜像パタ−ン像21は被現像基板2上に露光されて
いる像を、現像パタ−ン像22は現像により表れたパタ
−ン像を示す。a1,a2,a3のa群はレジストパタ
−ン平面図であり、つまり被現像基板2上に露光されて
いる潜像パタ−ン像21が現像される様子を、現像時間
の経過にそって模式的に表している。またb1,b2,
b3のb群は、a群を寸法測定機5により測定し表れた
該寸法測定機5の波形をレジストパタ−ンプロフィル像
23により示している。a群とb群は、a1を測定した
ものがb1というように、それぞれ対応している。
【0021】現像終了作業は、先ず被現像基板2を現像
液3から引き上げ、排液口8を開け現像液3を除去す
る。次に、排液口8を閉じて供給口9よりリンス液を供
給し、被現像基板2をリンス液に浸してリンス処理を行
う。
【0022】以上、実施例は一例であって、本発明を限
定するものではない。例えば、基板内の複数ヶ所を同時
または順次測定し、それら複数のパタ−ン寸法値から総
合的に現像終了を判別するものもある。これによって、
基板内のパタ−ン寸法全体を一定のばらつき内にいれる
ことが可能である。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、従来型の時間制御型ま
たは電流モニタ−方式の自動現像装置では、製品の種
類、露光装置のばらつき、現像液の温度変化等によっ
て、仕上がり寸法にばらつきが生じるのに対し、直接的
にパタ−ン寸法を測定して現像終了を決めるために、所
望のパタ−ン寸法を極めて高精度に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の自動現像装置の構成を示す概略図であ
る。
【図2】本発明の現像工程を示す図である。
【図3】現像過程を本発明による測定方法で模式的に表
す図である。
【図4】現像液中を流れる電流の変化を現像時間の経過
とともに示す図である。
【図5】現像液温度の違いによる現像速度の差を表す図
である。
【符号の説明】
1…現像槽、2…被現像基板、3…現像液、4…対物レ
ンズ、5…寸法測定機6…基板セット台駆動系、7…寸
法測定機駆動系、8…排液口、9…給液口10…基板搬
出入口、11…基板セット台、12…保護カバ−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板にレジストを塗布し、該レジストに
    描画されたパタ−ンを、現像槽内に満たされた現像液に
    浸漬して現像を行う自動現像装置において、上記基板ま
    たは上記基板が載置されたステ−ジを所定の位置に移動
    する手段と、レ−ザ光を上記パタ−ン上に走査して該レ
    −ザ光の反射光により上記パタ−ンの寸法を測定する手
    段と、上記パタ−ンの寸法を測定する手段を上記パタ−
    ンの所定の位置に移動する手段、及び測定した寸法と所
    望の寸法を比較する手段を具備することを特徴とする自
    動現像装置。
  2. 【請求項2】 基板にレジストを塗布し、該レジストに
    描画されたパタ−ンを、現像液に浸漬して現像を行う方
    法において、上記基板の表面にレ−ザ光を照射しかつ該
    レ−ザ光の焦点を結像し上記レ−ザ光を上記パタ−ン上
    に走査しかつ該レ−ザ光の反射光により測定する寸法測
    定機により上記パタ−ンの寸法を順次測定すると共に測
    定値と設定寸法値を比較し、上記測定値が上記設定寸法
    値の所定の許容範囲内の値となるときに現像を終了させ
    ることを特徴とするパタ−ンの現像方法。
JP24734091A 1991-09-26 1991-09-26 マスクパタ−ンの自動現像装置及び現像方法 Pending JPH0590150A (ja)

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