JPH0589450A - Magnetic recording medium - Google Patents

Magnetic recording medium

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JPH0589450A
JPH0589450A JP24809791A JP24809791A JPH0589450A JP H0589450 A JPH0589450 A JP H0589450A JP 24809791 A JP24809791 A JP 24809791A JP 24809791 A JP24809791 A JP 24809791A JP H0589450 A JPH0589450 A JP H0589450A
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magnetic thin
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一信 千葉
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研一 佐藤
Yuichi Arizaka
裕一 蟻坂
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ゆかり 山田
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Abstract

PURPOSE:To improve electromagnetic transducing characteristics while ensuring satisfactory durability. CONSTITUTION:When a magnetic layer consisting of plural magnetic thin films 2, 3 is formed on a nonmagnetic substrate 1 by vacuum deposition, the surface of the resulting magnetic thin film 2 or 3 is subjected to bombardment with inert gas contg. reducing gas to extremely reduce the thickness of an oxidized layer formed on the surface of the thin film 2 or 3 or to remove the oxidized layer. The inert gas used for bombardment is not especially limited but gaseous Ar is generally used as the inert gas. Gaseous H2 or acetylene may be used as the reducing gas introduced into the inert gas.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に多層
構造からなる磁性層を有する強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium having a magnetic layer having a multilayer structure on a non-magnetic support.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属あるいはCo−Ni等の合金の連続
膜を磁性層とする、所謂強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体は、保磁力、角形比等に優れ、短波長域における電磁
変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能
であるために記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さ
いことや、磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入
する必要がないために磁性材料の充填密度を高くできる
こと等、数々の利点を有している。
2. Description of the Related Art A so-called ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium having a magnetic layer of a continuous film of a metal or an alloy such as Co--Ni is excellent in coercive force, squareness ratio, etc. and has electromagnetic conversion characteristics in a short wavelength region. It is not only excellent in magnetic properties, but also the magnetic layer can be thinned so that the thickness loss during recording demagnetization and reproduction is extremely small, and it is not necessary to mix a binder that is a non-magnetic material into the magnetic layer. Therefore, it has a number of advantages such as high packing density of the magnetic material.

【0003】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は、
一般に真空蒸着法により製造されており、例えば冷却キ
ャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非磁
性支持体に対して、蒸発せしめられた磁性材料を斜め方
向から被着させる、所謂斜め蒸着法が実用化されてい
る。
This ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium is
It is generally manufactured by a vacuum vapor deposition method, and for example, a so-called so-called vapor-deposited magnetic material is obliquely applied to a non-magnetic support that moves and runs in a predetermined direction along the outer peripheral surface of a cooling can. The oblique deposition method has been put to practical use.

【0004】このような斜め蒸着法により磁気記録媒体
の磁性層を形成する際には、蒸着時に非磁性支持体の表
面に酸素ガスを導入することにより、得られる磁性膜の
磁気特性の向上を図ることが行われている。
When the magnetic layer of the magnetic recording medium is formed by such an oblique vapor deposition method, oxygen gas is introduced into the surface of the non-magnetic support during vapor deposition to improve the magnetic characteristics of the obtained magnetic film. Planning is taking place.

【0005】ところで、この強磁性金属薄膜型の磁気記
録媒体における電磁変換特性は、一般に残留磁束密度B
r や飽和磁化σs 、保磁力HC に比例することが知られ
ている。従って、例えば磁性層としてCo80Ni20(数
値は重量%を表す。)の組成を有する磁性薄膜を使用し
た蒸着テープでは、Niの添加量を減少させたり、或い
は上述のように非磁性支持体の表面に導入される酸素ガ
スの導入量を少なくして、得られる磁性膜表面の酸化物
量を減少させたりすることにより、残留磁束密度Br
増大させ、電磁変換特性の向上を図ることができると考
えられる。
By the way, the electromagnetic conversion characteristics of this ferromagnetic metal thin film type magnetic recording medium generally have a residual magnetic flux density B.
It is known to be proportional to r , saturation magnetization σ s , and coercive force H C. Therefore, for example, in a vapor deposition tape using a magnetic thin film having a composition of Co 80 Ni 20 (numerical value represents weight%) as a magnetic layer, the amount of Ni added can be reduced or the non-magnetic support as described above. It is possible to increase the residual magnetic flux density B r and improve the electromagnetic conversion characteristics by decreasing the amount of oxygen gas introduced to the surface of the magnetic film and decreasing the amount of oxide on the surface of the obtained magnetic film. It is thought to be possible.

【0006】ところが、図3に示すように、蒸着時に非
磁性支持体の表面に導入される酸素ガス流量を少なくす
ると、スチル時間が低下する傾向にあり、耐久性が劣化
するという問題が生じる。またこの時、図4に示すよう
に、上記酸素ガス流量の減少に伴って、得られる磁性膜
の出力特性は向上するものの、C/N特性が著しく劣化
してしまう。
However, as shown in FIG. 3, when the flow rate of oxygen gas introduced to the surface of the non-magnetic support during vapor deposition is reduced, the still time tends to be shortened and durability deteriorates. Further, at this time, as shown in FIG. 4, although the output characteristics of the obtained magnetic film are improved with the decrease of the oxygen gas flow rate, the C / N characteristics are significantly deteriorated.

【0007】この問題の解決策として、一般的には、非
磁性支持体上に複数の磁性薄膜を積層形成して磁性層を
多層化する方法が採用されている。この方法によれば、
良好な耐久性及びC/N特性を確保しつつ、残留磁束密
度Br や保磁力HC の向上を図ることができる。
As a solution to this problem, generally, a method of forming a plurality of magnetic thin films on a non-magnetic support to form a multilayer magnetic layer is adopted. According to this method
It is possible to improve the residual magnetic flux density B r and the coercive force H C while ensuring good durability and C / N characteristics.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述のような多層膜か
らなる磁性層を有する磁気記録媒体は、例えば上述のよ
うな斜め蒸着を繰り返し行うことによって製造すること
ができるが、この場合、蒸着時に非磁性支持体の表面に
対して低入射角側から酸素ガスの導入を行うと、各磁性
薄膜の表面に酸化層(当該磁性薄膜の10%程度の膜
厚)が形成されてしまうことがある。このため、上述の
ように磁性薄膜を積層させると、各磁性薄膜間には中間
酸化層が介在する。
A magnetic recording medium having a magnetic layer composed of a multilayer film as described above can be manufactured, for example, by repeatedly performing the oblique vapor deposition as described above. If oxygen gas is introduced into the surface of the non-magnetic support from the low incident angle side, an oxide layer (a film thickness of about 10% of the magnetic thin film) may be formed on the surface of each magnetic thin film. .. Therefore, when the magnetic thin films are laminated as described above, the intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films.

【0009】しかしながら、このように磁性薄膜間に中
間酸化層が介在していると、各磁性薄膜間の磁気的な結
合を弱めることができるが、この酸化層の膜厚が厚すぎ
ると、逆にエネルギー積が減少し、電磁変換特性が劣化
する虞れが生じる。
However, when the intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films as described above, the magnetic coupling between the magnetic thin films can be weakened. In addition, the energy product may decrease, and the electromagnetic conversion characteristics may deteriorate.

【0010】また、これら複数の磁性薄膜から構成され
てなる磁性層の表面、即ち前記磁性薄膜のうち最も上層
に存在する磁性薄膜の表面に形成された酸化層は、耐久
性の向上を図る上では有効に機能するものの、その膜厚
が厚くなると、スペーシングロスを発生する原因となっ
てしまう。従って、このような多層構造を有する磁気記
録媒体においては、耐久性と電磁変換特性のバランスを
保つことが重要な課題とされる。
Further, the surface of the magnetic layer composed of the plurality of magnetic thin films, that is, the oxide layer formed on the surface of the magnetic thin film which is the uppermost layer of the magnetic thin films, improves the durability. Although it works effectively, if the film thickness becomes thick, it causes a spacing loss. Therefore, in a magnetic recording medium having such a multilayer structure, it is an important issue to maintain the balance between durability and electromagnetic conversion characteristics.

【0011】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、耐久性及び電磁変換特性に優
れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object thereof is to provide a magnetic recording medium excellent in durability and electromagnetic conversion characteristics.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、真空蒸着法により
形成される磁性薄膜の表面をボンバード処理して、この
磁性薄膜の表面に形成された酸化層の膜厚を極薄くした
り、或いはこの酸化層を除去したりすることにより、良
好な耐久性及び電磁変換特性が得られることを見出し、
本発明を完成するに到った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have earnestly studied to achieve the above-mentioned object, and as a result, bombarded the surface of a magnetic thin film formed by a vacuum deposition method to obtain a surface of the magnetic thin film. It was found that good durability and electromagnetic conversion characteristics can be obtained by making the thickness of the oxide layer formed on the layer extremely thin or by removing this oxide layer,
The present invention has been completed.

【0013】即ち、本発明は、非磁性支持体上に真空蒸
着法により複数の磁性薄膜が積層形成されてなる磁気記
録媒体において、上記磁性薄膜の表面が還元性ガスを含
む不活性ガスでボンバード処理されてなることを特徴と
するものである。
That is, according to the present invention, in a magnetic recording medium in which a plurality of magnetic thin films are laminated on a non-magnetic support by a vacuum deposition method, the surface of the magnetic thin film is bombarded with an inert gas containing a reducing gas. It is characterized by being processed.

【0014】本発明の磁気記録媒体において、磁性層は
複数の磁性薄膜からなる多層構造を有してなる。この磁
性層を構成する磁性薄膜の構成材料としては、一般的に
使用されている磁性材料であれば何れでも良いが、特に
金属磁性材料が好ましい。この場合、金属磁性材料とし
ては、通常この種の磁気記録媒体で使用されるものが何
れも使用可能であり、具体的に例示すれば、Fe、C
o、Ni等の磁性金属や、Fe−Co、Co−Ni、F
e−Co−Ni、Fe−Co−Cr、Co−Ni−C
r、Fe−Co−Ni−Cr等が挙げられる。
In the magnetic recording medium of the present invention, the magnetic layer has a multilayer structure composed of a plurality of magnetic thin films. The constituent material of the magnetic thin film forming the magnetic layer may be any magnetic material that is generally used, but a metal magnetic material is particularly preferable. In this case, as the metal magnetic material, any of those usually used in this kind of magnetic recording medium can be used.
Magnetic metals such as o and Ni, Fe-Co, Co-Ni, F
e-Co-Ni, Fe-Co-Cr, Co-Ni-C
r, Fe-Co-Ni-Cr, and the like.

【0015】本発明では、これら磁性材料からなる上記
磁性薄膜を形成する方法として、真空蒸着法が用いら
れ、典型的に斜め蒸着が行われる。斜め蒸着とは、蒸発
源から蒸発せしめられた上記磁性材料の蒸気流を、冷却
キャンの外周面に沿って所定の方向に移動走行される非
磁性支持体の表面の法線方向に対して所定の入射角をな
す方向から入射させて、上記非磁性支持体上に蒸着させ
る方法であり、この斜め蒸着を繰り返し行うことによ
り、上述のような多層構造を有する磁性層が得られる。
In the present invention, a vacuum vapor deposition method is used as a method for forming the magnetic thin film made of these magnetic materials, and oblique vapor deposition is typically performed. Oblique vapor deposition means that the vapor flow of the magnetic material evaporated from the evaporation source is moved in a predetermined direction along the outer peripheral surface of the cooling can in a predetermined direction with respect to the normal direction of the surface of the non-magnetic support. This is a method in which the magnetic layer is made to enter from a direction forming the angle of incidence and is vapor-deposited on the non-magnetic support. By repeating this oblique vapor deposition, the magnetic layer having the above-mentioned multilayer structure can be obtained.

【0016】このような蒸着に際して、上記磁性薄膜中
に酸素を取り込むことにより磁気特性の向上を図るため
に、蒸着時に非磁性支持体の表面に酸素ガスが導入され
る。このため、得られる磁性薄膜の表面には酸化層が形
成され、この磁性薄膜上に更に磁性薄膜を積層形成する
と、各磁性薄膜間には中間酸化層が介在してしまう。こ
のように、各磁性薄膜間に中間酸化層が介在している
と、磁性層の残留磁束密度Br が低下する。
At the time of such vapor deposition, oxygen gas is introduced into the surface of the non-magnetic support during vapor deposition in order to improve the magnetic characteristics by incorporating oxygen into the magnetic thin film. Therefore, an oxide layer is formed on the surface of the obtained magnetic thin film, and when a magnetic thin film is further laminated on this magnetic thin film, an intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films. Thus, when the intermediate oxide layer is interposed between the magnetic thin films, the residual magnetic flux density B r of the magnetic layer is lowered.

【0017】これに対して、本発明では、蒸着時に上記
磁性薄膜の表面を還元性ガスを含む不活性ガスでボンバ
ード処理する。これにより、上記酸化層の膜厚を薄くさ
れるか、或いは除去される。
On the other hand, in the present invention, the surface of the magnetic thin film is bombarded with an inert gas containing a reducing gas during vapor deposition. As a result, the oxide layer is thinned or removed.

【0018】実際に、上記酸化層の膜厚は、数10Å程
度の極僅かで良く、例えば蒸着時に100Å程度の膜厚
に形成された酸化層をボンバード処理によりその膜厚が
20Å程度となるように薄膜化させれば、磁性層の残留
磁束密度Brを向上させることができるとともに、積層
された磁性薄膜の下層の磁性薄膜から出てくる磁束の低
下等が防止できるので、電磁変換特性を著しく改善する
ことができる。
Actually, the thickness of the oxide layer may be as small as several tens of liters. For example, the thickness of the oxide layer formed by vapor deposition is about 20 liters by a bombarding process. If the thickness of the magnetic layer is reduced, the residual magnetic flux density B r of the magnetic layer can be improved, and the magnetic flux generated from the magnetic thin film below the laminated magnetic thin film can be prevented from decreasing. It can be improved significantly.

【0019】このボンバード処理に使用される不活性ガ
スとしては、特に限定されないが、例えばArガス等が
一般的に使用される。また、この不活性ガスに導入され
る還元性ガスとしては、例えばH2 ガス、アセチレン等
が挙げられる。
The inert gas used in this bombarding treatment is not particularly limited, but Ar gas or the like is generally used. In addition, examples of the reducing gas introduced into the inert gas include H 2 gas and acetylene.

【0020】このようなボンバード処理の条件は、下記
の(1)式から与えられる定数Kを用いて表すことがで
きる。
The conditions for such bombarding treatment can be expressed using a constant K given by the following equation (1).

【0021】[0021]

【数1】 [Equation 1]

【0022】上記(1)式中、Eは処理装置内の電極に
加えられる電圧を表し、Iは前記電極の電流値を表す。
また、vは上記処理装置中を通過する際のテープスピー
ドを表し、wはボンバード処理がなされる磁気テープの
処理幅を表す。
In the above formula (1), E represents the voltage applied to the electrode in the processing apparatus, and I represents the current value of the electrode.
Further, v represents the tape speed when passing through the processing device, and w represents the processing width of the magnetic tape on which the bombarding processing is performed.

【0023】従って、上記Kは単位面積当たりの処理能
力を表すものと考えられ、本発明では、その値が10程
度以上となるように上記電極の電圧Eや電流値I等を適
宜選定することが望ましい。このKの値を前記範囲に制
御することにより、耐久性を確保しつつ、電磁変換特性
の改善を図ることができる。
Therefore, it is considered that K represents the processing capacity per unit area, and in the present invention, the voltage E and the current value I of the electrodes are appropriately selected so that the values are about 10 or more. Is desirable. By controlling the value of K within the above range, it is possible to improve electromagnetic conversion characteristics while ensuring durability.

【0024】なお、本発明の磁気記録媒体において、磁
性層は2層構造でも良く、3層以上の多層構造でも良
い。また、いずれの場合にも、磁性層を構成している各
磁性薄膜は、その成長方向が互いに同じ方向(順方向)
となるように形成しても良く、反対方向(逆方向)とな
るように形成しても良い。
In the magnetic recording medium of the present invention, the magnetic layer may have a two-layer structure or a multi-layer structure of three or more layers. In each case, the growth directions of the magnetic thin films forming the magnetic layer are the same (forward direction).
It may be formed so that it may be formed in the opposite direction (reverse direction).

【0025】また、上記非磁性支持体としては、通常こ
の種の磁気記録媒体において使用されるものが何れも使
用可能であり、例えばポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエステル樹
脂や芳香族ポリアミドフィルム、ポリイミド樹脂フィル
ム等が挙げられる。
As the non-magnetic support, any of those usually used in this kind of magnetic recording medium can be used. For example, a polyester resin such as polyethylene terephthalate, polyethylene-2,6-naphthalate or an aroma. Examples thereof include group polyamide films and polyimide resin films.

【0026】更に、本発明においては、必要に応じて、
上記基体上に下塗り膜を形成する工程やバックコート
層、トップコート層等を形成する工程等を加えても良
い。この場合、下塗り膜、バックコート層、トップコー
ト層等の成膜条件は、通常この種の磁気記録媒体の製造
方法に適用される方法であれば良く、特に限定されな
い。
Further, in the present invention, if necessary,
A step of forming an undercoat film, a step of forming a back coat layer, a top coat layer, or the like on the substrate may be added. In this case, the film forming conditions for the undercoat film, the back coat layer, the top coat layer and the like are not particularly limited as long as they are the methods usually applied to the manufacturing method of this type of magnetic recording medium.

【0027】[0027]

【作用】得られる磁性薄膜中に酸素を取り込むことによ
って当該磁性薄膜の磁気特性の向上を図るために、非磁
性支持体の表面に酸素ガスを導入しながら磁性材料の蒸
着を行うと、上記磁性薄膜の表面には酸化層が形成され
る。この酸化層を介して上記磁性薄膜上に更に磁性薄膜
を積層形成すると、これら磁性薄膜間には中間酸化層が
介在し、各磁性薄膜間の磁気的な結合を弱めることがで
きる。
In order to improve the magnetic characteristics of the magnetic thin film by incorporating oxygen into the obtained magnetic thin film, when the magnetic material is vapor-deposited while introducing oxygen gas on the surface of the non-magnetic support, An oxide layer is formed on the surface of the thin film. When a magnetic thin film is further laminated on the magnetic thin film via this oxide layer, an intermediate oxide layer is interposed between these magnetic thin films, and magnetic coupling between the magnetic thin films can be weakened.

【0028】しかし、実際には、上記中間酸化層の膜厚
は高々数10Å程度の極僅かでよく、厚すぎると、逆に
エネルギー積が減少し、電磁変換特性の劣化を招くこと
になる。そこで、本発明のように、蒸着時に上記磁性薄
膜の表面をボンバード処理することにより、上記酸化層
を薄膜化、或いは除去すれば、磁性層の残留磁束密度B
r が向上し、同時に積層された磁性薄膜の下層の磁性薄
膜から出てくる磁束の低下等が防止されて、電磁変換特
性が向上する。
However, in reality, the film thickness of the intermediate oxide layer is
Is a few tens of liters at most, and if it is too thick, on the contrary
Energy product decreases, causing electromagnetic conversion characteristics to deteriorate.
become. Therefore, as in the present invention, the magnetic thin film is deposited during vapor deposition.
By subjecting the surface of the film to bombardment, the above-mentioned oxide layer
Is thinned or removed, the residual magnetic flux density B of the magnetic layer is
rOf the magnetic thin film under the magnetic thin film
The decrease in magnetic flux coming out of the film is prevented, and the electromagnetic conversion characteristics are
The property is improved.

【0029】[0029]

【実施例】以下、本発明を適用した磁気記録媒体実施例
を具体的に説明する。本実施例の磁気テープは、図1に
示すように、ポリエチレンテレフタレートからなる非磁
性支持体1の一方の主面上に第1の磁性薄膜2及び第2
の磁性薄膜3からなる2層構造を有する磁性層が形成さ
れてなる。
EXAMPLES Examples of magnetic recording media to which the present invention is applied will be specifically described below. As shown in FIG. 1, the magnetic tape of this example has a first magnetic thin film 2 and a second magnetic thin film 2 formed on one main surface of a non-magnetic support 1 made of polyethylene terephthalate.
The magnetic layer having a two-layer structure composed of the magnetic thin film 3 is formed.

【0030】上記非磁性支持体1の一方の主面上には、
上記第1の磁性薄膜2の下塗り膜としてアクリル酸エス
テル系高分子ラテックスによる塗膜が形成されており、
この下塗り膜を介して該非磁性支持体1上に第1の磁性
薄膜2が形成されている。この下塗り膜は、平均粒径4
00Åの微粒子を含有してなり、この微粒子が1000
万個/mm2 の割合で存在するように形成される。
On one main surface of the non-magnetic support 1,
A coating film of acrylic acid ester-based polymer latex is formed as an undercoat film of the first magnetic thin film 2,
The first magnetic thin film 2 is formed on the non-magnetic support 1 via the undercoat film. This undercoat film has an average particle size of 4
It contains fine particles of 00Å.
It is formed so as to exist at a rate of 10,000 pieces / mm 2 .

【0031】この下塗り膜上には、第1の磁性薄膜2が
形成され、この第1の磁性薄膜2上に第2の磁性薄膜3
が積層される。これら第1の磁性薄膜2及び第2の磁性
薄膜3は、斜め蒸着法により得られるものであり、その
成長方向は互いに同じ方向(順方向)となるように形成
される。これら第1の磁性薄膜2及び第2の磁性薄膜3
の膜厚は、それぞれ1000Åである。
A first magnetic thin film 2 is formed on the undercoat film, and a second magnetic thin film 3 is formed on the first magnetic thin film 2.
Are stacked. The first magnetic thin film 2 and the second magnetic thin film 3 are obtained by the oblique vapor deposition method and are formed so that their growth directions are the same direction (forward direction). These first magnetic thin film 2 and second magnetic thin film 3
The film thickness of each is 1000 Å.

【0032】ここで、上記第1の磁性薄膜2の表面は、
部分的に酸化された状態とされ、この第1の磁性薄膜2
と該第1の磁性薄膜2上に積層される第2の磁性薄膜3
とが磁気的に分断されるようになされている。このよう
な上記第1の磁性薄膜2表面の酸化状態は、斜め蒸着時
に雰囲気中に酸素ガスを導入することにより実現するこ
とができる。
Here, the surface of the first magnetic thin film 2 is
This first magnetic thin film 2 is in a partially oxidized state.
And a second magnetic thin film 3 laminated on the first magnetic thin film 2.
And are magnetically divided. Such an oxidized state of the surface of the first magnetic thin film 2 can be realized by introducing oxygen gas into the atmosphere during oblique vapor deposition.

【0033】このような第1の磁性薄膜2の表面は、後
述するように蒸着時にボンバード処理されている。これ
により、斜め蒸着時に該第1の磁性薄膜2上に形成され
た酸化層の膜厚が薄くされ、或いは除去されて、前記酸
化層による磁性層の電磁変換特性の劣化が防止される。
The surface of the first magnetic thin film 2 as described above is subjected to a bombarding treatment during vapor deposition as described later. As a result, the film thickness of the oxide layer formed on the first magnetic thin film 2 during oblique deposition is reduced or removed, and deterioration of the electromagnetic conversion characteristics of the magnetic layer due to the oxide layer is prevented.

【0034】更に、上記第2の磁性薄膜3上には、パー
フルオロポリエーテルを用いたトップコート膜4が形成
されている。一方、上記非磁性支持体1の他方の主面上
には、カーボン、ウレタンからなるバックコート層5が
形成される。
Further, a top coat film 4 made of perfluoropolyether is formed on the second magnetic thin film 3. On the other hand, a back coat layer 5 made of carbon or urethane is formed on the other main surface of the non-magnetic support 1.

【0035】このような構成を有する磁気テープは、以
下のような構成を有する製造装置を用いて製造すること
ができる。
The magnetic tape having such a structure can be manufactured by using a manufacturing apparatus having the following structure.

【0036】この製造装置においては、図2に示すよう
に、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口23から排
気されて内部が真空状態となされた真空室11内に、図
中の反時計回り方向に定速回転する送りロール13と、
図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール14と
が設けられ、これら送りロール13から巻取りロール1
4にテープ状の非磁性支持体12が順次走行するように
なされている。
In this manufacturing apparatus, as shown in FIG. 2, a counterclockwise in the figure is placed in a vacuum chamber 11 which is evacuated from the exhaust ports 23 provided in the head and the bottom to make the inside a vacuum state. A feed roll 13 that rotates at a constant speed in the rotating direction
A winding roll 14 that rotates at a constant speed in the clockwise direction in the drawing is provided.
The tape-shaped non-magnetic support 12 is sequentially run on the magnetic recording medium 4.

【0037】これら送りロール13から巻取りロール1
4側に上記非磁性支持体12が走行する中途部には、上
記各ロール13,14の径よりも大径となされた冷却キ
ャン15が設けられている。この冷却キャン15は、上
記非磁性支持体12を図中下方に引き出すように設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
なお、上記送りロール13、巻取りロール14及び冷却
キャン15は、それぞれ非磁性支持体12の幅と略同じ
長さからなる円筒状をなすものであり、また上記冷却キ
ャン15の内部には、図示しない冷却装置が設けられ、
上記非磁性支持体12の温度上昇による変形等を抑制し
得るようになされている。
From the feed roll 13 to the take-up roll 1
A cooling can 15 having a diameter larger than the diameter of each of the rolls 13 and 14 is provided in the middle of the nonmagnetic support 12 on the fourth side. The cooling can 15 is provided so as to pull out the non-magnetic support 12 downward in the figure, and is configured to rotate at a constant speed in the clockwise direction in the figure.
The feed roll 13, the take-up roll 14 and the cooling can 15 each have a cylindrical shape having a length substantially the same as the width of the non-magnetic support 12, and inside the cooling can 15, A cooling device (not shown) is provided,
The nonmagnetic support 12 can be prevented from being deformed due to a temperature rise.

【0038】従って、上記非磁性支持体12は、送りロ
ール13から順次送り出され、さらに上記冷却キャン1
5の周面を通過し、巻取りロール14に巻き取られてい
くようになされている。なお、上記送りロール13と上
記冷却キャン15との間及び該冷却キャン15と上記巻
取りロール14との間にはそれぞれガイドロール16,
17が配設され、上記送りロール13から冷却キャン1
5及び該冷却キャン15から巻取りロール14に亘って
走行する非磁性支持体12に所定のテンションをかけ、
該非磁性支持体12が円滑に走行するようになされてい
る。
Therefore, the non-magnetic support 12 is sequentially fed from the feed roll 13, and the cooling can 1 is further fed.
It passes through the peripheral surface of No. 5, and is wound up by the winding roll 14. A guide roll 16 is provided between the feed roll 13 and the cooling can 15, and a guide roll 16 is provided between the cooling can 15 and the take-up roll 14.
17 is provided, and the cooling can 1 is fed from the feed roll 13
5 and a predetermined tension is applied to the non-magnetic support 12 running from the cooling can 15 to the winding roll 14,
The non-magnetic support 12 is designed to run smoothly.

【0039】また、上記真空室11内には、上記冷却キ
ャン15の下方にルツボ18が設けられ、このルツボ1
8内に金属磁性材料(Co80Ni20)19が充填されて
いる。このルツボ18は、上記冷却キャン15の幅と略
同一の幅を有してなる。
A crucible 18 is provided in the vacuum chamber 11 below the cooling can 15.
8 is filled with a metal magnetic material (Co 80 Ni 20 ) 19. The crucible 18 has a width substantially the same as the width of the cooling can 15.

【0040】更に、上記真空室11の側壁部には、上記
ルツボ18内に充填された金属磁性材料19を加熱蒸発
させるための電子銃20が取付けられる。この電子銃2
0は、該電子銃20より放出される電子線Xが上記ルツ
ボ18内の金属磁性材料19に照射されるような位置に
配設される。そして、この電子銃20によって蒸発せし
められた金属磁性材料19が上記冷却キャン15の周面
を定速走行する非磁性支持体12上に磁性層として被着
形成されるようになされている。
An electron gun 20 for heating and evaporating the metallic magnetic material 19 filled in the crucible 18 is attached to the side wall of the vacuum chamber 11. This electron gun 2
0 is arranged at a position where the electron beam X emitted from the electron gun 20 irradiates the metallic magnetic material 19 in the crucible 18. The metal magnetic material 19 evaporated by the electron gun 20 is deposited and formed as a magnetic layer on the non-magnetic support 12 that runs at a constant speed on the peripheral surface of the cooling can 15.

【0041】そして、上記冷却キャン15の近傍には、
該冷却キャン15の周面に沿ってシャッタ22が配設さ
れている。これにより、上記非磁性支持体12表面の一
部が覆われるかたちとなるので、蒸発せしめられた金属
磁性材料19の該非磁性支持体12の表面に対する入射
角を規制することができる。
In the vicinity of the cooling can 15,
A shutter 22 is arranged along the peripheral surface of the cooling can 15. As a result, a part of the surface of the non-magnetic support 12 is covered, so that the incident angle of the evaporated metal magnetic material 19 on the surface of the non-magnetic support 12 can be regulated.

【0042】従って、このような製造装置においては、
上記ルツボ18内に充填された金属磁性材料19が上記
電子銃20により加熱蒸発され、上記冷却キャン15の
周面を走行する非磁性支持体12に被着されるが、当該
非磁性支持体12が上記シャッタ22の一端部(上記非
磁性支持体12の送出し側の端部)13aにより被覆さ
れる時点までの領域で当該非磁性支持体12に対して蒸
着がなされ、この時点で蒸発せしめられた金属磁性材料
19の上記非磁性支持体12に対する入射角θ 1 が最低
値となるようになされている。
Therefore, in such a manufacturing apparatus,
The metallic magnetic material 19 filled in the crucible 18 is
It is heated and evaporated by the electron gun 20, and the cooling can 15
It is attached to the non-magnetic support 12 traveling on the peripheral surface.
The non-magnetic support 12 is attached to one end of the shutter 22
The end of the magnetic support 12 on the delivery side) 13a is covered.
In the region up to the point of time when the non-magnetic support 12 is vaporized.
Metal magnetic material that has been deposited and evaporated at this point
Incident angle θ of 19 with respect to the non-magnetic support 12 1Is the lowest
It is designed to be a value.

【0043】また、上記真空室11内には、上記冷却キ
ャン15の下方側と上方側を分断するごとく、仕切り板
21が設けられている。これにより、上記送りロール1
3から送り出された非磁性支持体12がこの仕切り板2
1を通過した時点より蒸着が行われ、この時点で上記蒸
発せしめられた金属磁性材料19の上記非磁性支持体1
2に対する入射角θ2 が最高値をとるようになされてい
る。また、このような仕切り板21を設けることによ
り、仕切り板21よりも上方側には蒸発せしめられた金
属磁性材料19が拡散されることがなくなるので、蒸着
効率が向上する。
A partition plate 21 is provided in the vacuum chamber 11 so as to separate the lower side and the upper side of the cooling can 15. Thereby, the feed roll 1
The non-magnetic support 12 delivered from the partition 3 is the partition plate 2
The vapor deposition is carried out from the point of time when the non-magnetic support 1 of the vaporized metal magnetic material 19 is passed.
The incident angle θ 2 with respect to 2 has a maximum value. Further, by providing such a partition plate 21, the evaporated metal magnetic material 19 is prevented from diffusing above the partition plate 21, so that the vapor deposition efficiency is improved.

【0044】更に、上記真空室11の側壁部には、酸素
ガス導入口28がこの真空室11の側壁を貫通して設け
られており、蒸着時にこの酸素ガス導入口28を介して
非磁性支持体12の表面に酸素ガスが供給されるように
なされている。これにより、得られる磁性薄膜中に酸素
が取り込まれて、磁気特性の向上が図られる。
Further, an oxygen gas inlet 28 is provided in the side wall of the vacuum chamber 11 so as to penetrate the side wall of the vacuum chamber 11, and non-magnetic support is provided through the oxygen gas inlet 28 during vapor deposition. Oxygen gas is supplied to the surface of the body 12. As a result, oxygen is taken into the obtained magnetic thin film to improve the magnetic characteristics.

【0045】また、この製造装置においては、上記非磁
性支持体12の送出し側と巻取り側の各ガイドロール1
6,17と上記冷却キャン15との中途部にそれぞれ処
理装置24,25が設けられている。
In this manufacturing apparatus, the guide rolls 1 on the feeding side and the winding side of the non-magnetic support 12 are also provided.
Processing devices 24 and 25 are provided in the middle of the cooling can 15 and 6, 17 respectively.

【0046】これら処理装置24,25は、上記非磁性
支持体12の表面及び上述のような斜め蒸着により形成
される磁性薄膜の表面をそれぞれボンバード処理するた
めに設けられるものであり、上記磁性薄膜の形成前と形
成後に、上記非磁性支持体12及び上記磁性薄膜が形成
された磁気テープが当該処理装置24,25中を通過す
るとともに、これら上記非磁性支持体12と上記磁性薄
膜の表面にボンバード処理がなされるように構成されて
いる。
These processing devices 24 and 25 are provided to perform the bombarding treatment on the surface of the non-magnetic support 12 and the surface of the magnetic thin film formed by the oblique deposition as described above, respectively. Before and after the formation of the magnetic tape, the magnetic tape on which the non-magnetic support 12 and the magnetic thin film are formed passes through the processing devices 24 and 25, and on the surfaces of the non-magnetic support 12 and the magnetic thin film. It is configured to be bombarded.

【0047】従って、送りロール13から送り出された
上記非磁性支持体12は、上記処理装置24内を通過
し、そして上記冷却キャン15の周面を走行し、更に上
記処理装置25内を通過して、上記巻取りロール14に
巻き取られる。
Therefore, the non-magnetic support 12 sent out from the feed roll 13 passes through the inside of the processing device 24, runs on the peripheral surface of the cooling can 15, and further passes through the inside of the processing device 25. And is wound around the winding roll 14.

【0048】上記処理装置24,25には、上記非磁性
支持体12及び上記磁性薄膜が形成された磁気テープが
通過するための入口24a,25aと出口24b,25
bがそれぞれ設けられており、これら入口24a,25
aから上記処理装置24,25内に介入した時点から上
記出口24b,25bに至までの間に上記非磁性支持体
12及び上記磁性薄膜が形成された磁気テープの表面に
対してボンバード処理が施される。このようなボンバー
ド処理を行うことにより、上記非磁性支持体12上、或
いは蒸着により得られた磁性薄膜上に形成された酸化層
の膜厚が薄くされる、或いは除去されるので、前記酸化
層の存在に起因する電磁変換特性の劣化が防止される。
The processing devices 24 and 25 have inlets 24a and 25a and outlets 24b and 25 through which the magnetic tape on which the non-magnetic support 12 and the magnetic thin film are formed pass.
b are provided respectively, and these entrances 24a, 25
The surface of the magnetic tape on which the non-magnetic support 12 and the magnetic thin film have been formed is subjected to a bombarding treatment between the time of intervention from a into the processing device 24, 25 to the outlet 24b, 25b. To be done. By performing such a bombarding treatment, the oxide layer formed on the non-magnetic support 12 or on the magnetic thin film obtained by vapor deposition is thinned or removed, so that the oxide layer is removed. The deterioration of the electromagnetic conversion characteristics due to the presence of is prevented.

【0049】上記処理装置24(又は処理装置25)内
には、上記非磁性支持体12(又は上記磁気テープ)を
介して1対の棒状の電極26,26(又は電極27,2
7)が配設されており、これら電極26,26(又は電
極27,27)間で放電が発生する構成とされている。
これら電極26,26(又は電極27,27)として
は、直流型でも、交流型でも何れも使用可能である。
In the processing device 24 (or the processing device 25), a pair of rod-shaped electrodes 26, 26 (or electrodes 27, 2) are provided via the non-magnetic support 12 (or the magnetic tape).
7) is provided and discharge is generated between these electrodes 26, 26 (or electrodes 27, 27).
As the electrodes 26, 26 (or the electrodes 27, 27), either a DC type or an AC type can be used.

【0050】また、これら処理装置24,25内には、
不活性ガス又は還元ガスを含む不活性ガスが導入され、
上記電極26,26(又は電極27,27)は水冷され
る。
Further, in these processing devices 24 and 25,
An inert gas containing an inert gas or a reducing gas is introduced,
The electrodes 26, 26 (or the electrodes 27, 27) are water-cooled.

【0051】なお、この処理装置によれば、上述のよう
な斜め蒸着により得られた磁性薄膜の表面に加えて、上
記非磁性支持体12の表面にもボンバード処理がなされ
るが、少なくとも上述の磁性薄膜の表面がボンバード処
理されていれば良く、上記非磁性支持体12の表面のボ
ンバード処理は省略しても良い。
According to this processing apparatus, in addition to the surface of the magnetic thin film obtained by oblique vapor deposition as described above, the surface of the non-magnetic support 12 is also subjected to the bombarding treatment. It suffices that the surface of the magnetic thin film be bombarded, and the bombarding of the surface of the nonmagnetic support 12 may be omitted.

【0052】そこで、このような製造装置を用いて以下
のような手順に従って各種磁気テープを製造した。実施例1 10μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムの一
主面にアクリル酸エステル系高分子ラテックス(平均粒
径400Å)を1000万個/mm2 となるように塗布
して下塗り膜を形成した。
Therefore, various magnetic tapes were manufactured by using the above manufacturing apparatus according to the following procedure. Example 1 An acrylic ester polymer latex (average particle size 400Å) was applied to one main surface of a 10 μm thick polyethylene terephthalate film so that the amount was 10 million pieces / mm 2 to form an undercoat film.

【0053】次に、金属磁性材料としてCo80Ni20
金(数値は組成比を表す。)を用い、上記下塗り膜が形
成されたポリエチレンテレフタレートフィルムを30m
/分のテープスピードで走行させると同時に、酸素ガス
を導入しながら真空中で斜め蒸着を行って、上記ポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に膜厚が1000Åと
なるように第1の磁性薄膜を形成した。
Next, using a Co 80 Ni 20 alloy (numerical values represent composition ratios) as the metallic magnetic material, a polyethylene terephthalate film having the above-mentioned undercoat film was formed to 30 m.
At the same time as running at a tape speed of / min, oblique vapor deposition was performed in vacuum while introducing oxygen gas to form a first magnetic thin film on the polyethylene terephthalate film so that the film thickness was 1000Å.

【0054】この時、酸素ガスの導入量を200cc/
分とし、蒸発せしめられた上記金属磁性材料の上記ポリ
エチレンテレフタレートフィルムの表面に対する入射角
を45〜90°の範囲で変化させた。
At this time, the amount of oxygen gas introduced was 200 cc /
The incident angle of the evaporated metal magnetic material with respect to the surface of the polyethylene terephthalate film was changed in the range of 45 to 90 °.

【0055】また、このような蒸着に際し、上記ポリエ
チレンテレフタレートフィルムの表面と得られた第1の
磁性薄膜の表面をボンバード処理した。このボンバード
処理の条件としては、上記ポリエチレンテレフタレート
フィルムの表面においては、Arガス雰囲気中で上記電
極の電圧を500V、電流を0.2Aとし、第1の磁性
薄膜の表面においては、5%のH2 ガスを含有するAr
ガス雰囲気中で上記電極の電圧を500V、電流を0.
3Aとした。
Further, during such vapor deposition, the surface of the polyethylene terephthalate film and the surface of the obtained first magnetic thin film were bombarded. The conditions of this bombarding treatment are as follows: on the surface of the polyethylene terephthalate film, the voltage of the electrode is 500 V and the current is 0.2 A in an Ar gas atmosphere, and on the surface of the first magnetic thin film, 5% H 2 Ar containing 2 gases
In a gas atmosphere, the voltage of the electrode is 500 V and the current is 0.
3A.

【0056】そして、上記巻取りロールに巻き取られた
上記ポリエチレンテレフタレートフィルムを巻き戻した
後、上記第1の磁性薄膜と同様にして膜厚が1000Å
となるように第2の磁性薄膜を形成するとともに、得ら
れた第2の磁性薄膜の表面をボンバード処理した。な
お、このボンバード処理の条件は、上記ポリエチレンテ
レフタレートフィルムの表面に施した場合と同様とし
た。
Then, after rewinding the polyethylene terephthalate film wound on the winding roll, the film thickness is 1000Å in the same manner as the first magnetic thin film.
Then, the second magnetic thin film was formed so that the surface of the obtained second magnetic thin film was bombarded. The conditions of this bombarding treatment were the same as those applied to the surface of the polyethylene terephthalate film.

【0057】このような蒸着後、得られた磁気テープに
カーボン、ウレタンからなるバックコート層と、パーフ
ルオロポリエーテルを用いたトップコート層をそれぞれ
形成し、更にこの磁気テープを8mm幅に裁断した。
After such vapor deposition, a back coat layer made of carbon or urethane and a top coat layer using perfluoropolyether were formed on the obtained magnetic tape, and the magnetic tape was cut into a width of 8 mm. ..

【0058】実施例2 上記実施例1において第1の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、5%のH2 ガスを含有するArガス雰
囲気中で行ったのを、4%のアセチレンを含有するAr
ガス雰囲気に変えて、その他は実施例1と同様にして磁
気テープを作製した。
Example 2 When the surface of the first magnetic thin film in Example 1 was bombarded, the treatment was carried out in an Ar gas atmosphere containing 5% H 2 gas containing 4% acetylene. Ar to
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the gas atmosphere was changed.

【0059】実施例3 上記実施例1において第1の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、上記電極の電圧を500V、電流を
0.3Aとしたのを、電圧を500V、電流を0.05
Aに変えて、その他は実施例1と同様にして磁気テープ
を作製した。
Example 3 When the surface of the first magnetic thin film in Example 1 was bombarded, the voltage of the electrode was set to 500 V and the current was set to 0.3 A. 05
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except for A.

【0060】実施例4 上記実施例1において第1の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、上記電極の電圧を500V、電流を
0.3Aとしたのを、電圧を500V、電流を0.9A
に変えて、その他は実施例1と同様にして磁気テープを
作製した。
Example 4 When the surface of the first magnetic thin film in Example 1 was bombarded, the voltage of the electrode was set to 500 V and the current was set to 0.3 A. 9A
A magnetic tape was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the above.

【0061】比較例 上記実施例1において第1の磁性薄膜の表面をボンバー
ド処理した際に、5%のH2 ガスを含有するArガス雰
囲気中で行ったのを、還元性ガスを含まないArガス雰
囲気に変えて、その他は実施例1と同様にして磁気テー
プを作製した。
Comparative Example When the surface of the first magnetic thin film in Example 1 was bombarded, it was carried out in an Ar gas atmosphere containing 5% H 2 gas by using Ar containing no reducing gas. A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the gas atmosphere was changed.

【0062】このようにして得られた各磁気テープにつ
いて、ソニー社製の商品名EVS−900により0.5
4μmの波長における再生出力、C/N及びエラーレー
トをそれぞれ測定した。この結果を表1に示す。なお、
表1中に、各磁気テープにおける第1の磁性薄膜の表面
をボンバード処理した際の処理能力を示す定数K(上記
(1)式参照。)の値も併せて記した。
For each magnetic tape thus obtained, 0.5 according to the product name EVS-900 manufactured by Sony Corporation
The reproduction output, C / N, and error rate at a wavelength of 4 μm were measured. The results are shown in Table 1. In addition,
In Table 1, the value of the constant K (see the above formula (1)) indicating the processing capacity when the surface of the first magnetic thin film in each magnetic tape is subjected to the bombarding treatment is also shown.

【0063】[0063]

【表1】 [Table 1]

【0064】表1に示すように、実施例1〜4では、比
較例に比べて再生出力及びC/Nが高く、またエラーレ
ートが低減されていることが判った。従って、蒸着時に
上述のようなボンバード処理を行うことにより、良好な
耐久性が得られるとともに、電磁変換特性の向上が図ら
れることが判った。
As shown in Table 1, in Examples 1 to 4, it was found that the reproduction output and C / N were higher and the error rate was reduced as compared with the comparative example. Therefore, it was found that by performing the above-mentioned bombarding treatment during vapor deposition, good durability can be obtained and electromagnetic conversion characteristics can be improved.

【0065】但し、実施例3のようにボンバード処理に
おける定数Kの値が小さいと、再生出力やC/N、或い
はエラーレートを十分に改善することが出来なかった。
このことから、上記ボンバード処理における定数Kの値
はおよそ10以上とされることが望ましいと言える。
However, if the value of the constant K in the bombarding process is small as in Example 3, the reproduction output, C / N, or error rate could not be sufficiently improved.
From this, it can be said that the value of the constant K in the bombarding process is desirably set to about 10 or more.

【0066】以上のような本発明の磁気記録媒体は、次
のようなシステムに適用すると、エネルギー積が小さく
なり、エラーレートが抑えられて、良好な結果を期待す
ることができる。
When the magnetic recording medium of the present invention as described above is applied to the following system, the energy product becomes small, the error rate is suppressed, and good results can be expected.

【0067】A.記録再生装置の構成 からービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルVTRとしては、放送局用
のD1フォーマットのコンポーネント形ディジタルVT
R及びD2フォーマットのコンポジット形ディジタルV
TRが実用化されている。
A. From the structure of the recording / reproducing apparatus, a digital VTR for digitizing a video signal and recording it on a recording medium such as a magnetic tape is a D1 format component type digital VT for a broadcasting station.
R and D2 format composite type digital V
TR has been put to practical use.

【0068】前者のD1フォーマットディジタルVTR
は、輝度信号及び第1,第2の色差信号をそれぞれ1
3.5MHz、6.75MHzのサンプリング周波数で
A/D変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が4:2:2であることから、4:2:
2方式とも称されている。
The former D1 format digital VTR
Is 1 for the luminance signal and the first and second color difference signals.
After A / D conversion at a sampling frequency of 3.5 MHz and 6.75 MHz, a predetermined signal processing is performed and recording is performed on a magnetic tape. Since the sampling frequency of these component components is 4: 2: 2. 4: 2:
It is also called two methods.

【0069】一方、後者のD2フォーマットディジタル
VTRは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の4倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってA/D変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。
On the other hand, in the latter D2 format digital VTR, the composite color video signal is sampled with a signal having a frequency four times the frequency of the color subcarrier signal, A / D-converted, and subjected to predetermined signal processing. , I record it on a magnetic tape.

【0070】いずれにしても、これらのディジタルVT
Rは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、1サンプルが例えば
8ビットにA/D変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばD1フォーマットのディジ
タルVTRでは、大型のカセットテープを使用しても高
々1.5時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のVTRとして使用するには不適当である。
In any case, these digital VTs are
Since R is designed on the assumption that both are used for broadcasting stations, image quality is given the highest priority, and a digital color video signal in which one sample is A / D converted into, for example, 8 bits is substantially compressed. It is designed to record without doing anything. Therefore, for example, a D1 format digital VTR can obtain a reproduction time of at most about 1.5 hours even if a large cassette tape is used, which is unsuitable for use as a VTR for general household use.

【0071】そこで、ここでは、例えば5μmのトラッ
ク幅に対して最短波長0.5μmの信号を記録するよう
にし、記録密度4×105 bit/mm2 以上、あるいは
8×105 bit/mm2 以上を実現するとともに、記録
情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方法を併用
することによって、テープ幅が8mmあるいはそれ以下の
幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・再生が可
能なディジタルVTRに適用するものとする。
Therefore, here, for example, a signal having a shortest wavelength of 0.5 μm is recorded for a track width of 5 μm, and the recording density is 4 × 10 5 bit / mm 2 or more, or 8 × 10 5 bit / mm 2 In addition to realizing the above, by using the method of compressing the recorded information in such a way that there is little reproduction distortion, recording / reproducing for a long time even when using a narrow magnetic tape with a tape width of 8 mm or less Shall be applied to a digital VTR capable of

【0072】以下、このディジタルVTRの構成につい
て説明する。
The structure of this digital VTR will be described below.

【0073】a.信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルVTRの信号
処理部について説明する。図5は記録側の構成全体を示
すものであり、1Y、1U、1Vでそれぞれ示す入力端
子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号R,
G,Bから形成されたディジタル輝度信号Y、ディジタ
ル色差信号U、Vが供給される。この場合、各信号のク
ロックレートはD1フォーマットの各コンポーネント信
号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれのサン
プリング周波数が13.5MHz、6.75MHzとさ
れ、且つこれらの1サンプル当たりのビット数が8ビッ
トとされている。したがって、入力端子31Y、31
U、31Vに供給される信号のデータ量としては、約2
16Mbpsとなる。この信号のうちブランキング時間
のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す有効
情報抽出回路32によってデータ量が約167Mbps
に圧縮される。
A. Signal Processing Unit First, the signal processing unit of the digital VTR used in this embodiment will be described. FIG. 5 shows the entire configuration on the recording side. The input terminals indicated by 1Y, 1U, and 1V are provided with three primary color signals R from a color video camera,
A digital luminance signal Y formed from G and B and digital color difference signals U and V are supplied. In this case, the clock rate of each signal is the same as the frequency of each component signal of the D1 format. That is, the respective sampling frequencies are 13.5 MHz and 6.75 MHz, and the number of bits per sample is 8 bits. Therefore, the input terminals 31Y, 31
The data amount of the signal supplied to U and 31V is about 2
It will be 16 Mbps. The amount of data is about 167 Mbps by the effective information extraction circuit 32 which removes the blanking time data from this signal and extracts only the information of the effective area.
Is compressed into.

【0074】そして、上記有効情報抽出回路32の出力
のうちの輝度信号Yが周波数変換回路33に供給され、
サンプリング周波数が13.5MHzからその3/4に
変換される。周波数変換回路33としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路33の出力信号は、
ブロック化回路35に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路35は、後
段に設けられたブロック符号化回路38のために設けら
れている。
Then, the luminance signal Y of the output of the effective information extraction circuit 32 is supplied to the frequency conversion circuit 33,
The sampling frequency is converted from 13.5 MHz to 3/4 thereof. As the frequency conversion circuit 33, for example, a thinning filter is used so that aliasing distortion does not occur. The output signal of this frequency conversion circuit 33 is
The luminance data is supplied to the blocking circuit 35, and the order of the luminance data is converted into the order of blocks. The block forming circuit 35 is provided for the block encoding circuit 38 provided in the subsequent stage.

【0075】図7は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、3次元ブロックであって、例えば2フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように(4ライン×4画素×2フレーム)の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図7において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。
FIG. 7 shows the structure of a block as a unit of coding. This example is a three-dimensional block, and for example, by dividing a screen across two frames, a large number of unit blocks of (4 lines × 4 pixels × 2 frames) are formed as shown in FIG. In addition, in FIG. 7, a solid line indicates an odd field line, and a broken line indicates an even field line.

【0076】また、有効情報抽出回路32の出力のう
ち、2つの色差信号U、Vがサブサンプリング及びサブ
ライン回路34に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ6.75MHzからその半分に変換された後、2つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、1
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路34からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路34によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図8に示す。図
8中、○は第1の色差信号Uのサブサンプリング画素を
示し、△は第2の色素信号Vのサンプリング画素を示
し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置を
示す。
Of the outputs of the effective information extraction circuit 32, two color difference signals U and V are supplied to the sub-sampling and sub-line circuit 34, and the sampling frequency is converted from 6.75 MHz to half thereof, and then 2 Two digital color difference signals are selected for each line,
Combined with channel data. Therefore, the line sampling digital color difference signal is obtained from the subsampling and subline circuit 34. FIG. 8 shows a pixel configuration of a signal subsampled and sublined by the subsampling and subline circuit 34. In FIG. 8, ∘ indicates a sub-sampling pixel of the first color difference signal U, Δ indicates a sampling pixel of the second dye signal V, and x indicates a pixel position thinned by the sub-sample.

【0077】上記サブサンプリング及びサブライン回路
34からの線順次化出力信号は、ブロック化回路36に
供給される。ブロック化回路36では一方のブロック化
回路35と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路36は、一方のブロック化回路35と同
様に、色差データを(4ライン×4画素×2フレーム)
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路35及びブロック化回路36の出力信号が合成回路3
7に供給される。
The line-sequential output signal from the sub-sampling and sub-line circuit 34 is supplied to the blocking circuit 36. Similar to the one blocking circuit 35, the blocking circuit 36 converts color difference data in the scanning order of the television signal into data in the block order. This blocking circuit 36, like one blocking circuit 35, outputs color difference data (4 lines × 4 pixels × 2 frames).
Convert to the block structure. The output signals of the blocking circuits 35 and 36 are combined circuits 3
7 is supplied.

【0078】合成回路37では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が1チャンネルのデータに
変換され、この合成回路37の出力信号がブロック符号
化回路38に供給される。ブロック符号化回路38とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路(ADRCと称する。)、DCT
(Discrete Cosine Transfor
m)回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路38
からの出力信号は、さらにフレーム化回路39に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路39では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。
In the synthesizing circuit 37, the luminance signal and chrominance signal converted in the order of blocks are converted into 1-channel data, and the output signal of the synthesizing circuit 37 is supplied to the block coding circuit 38. As the block coding circuit 38, as will be described later, a coding circuit (referred to as ADRC) adapted to the dynamic range of each block, DCT.
(Discrete Cosine Transform)
m) A circuit or the like can be applied. The block coding circuit 38
The output signal from is further supplied to the framing circuit 39 and converted into data having a frame structure. In the framing circuit 39, the pixel system clock and the recording system clock are changed.

【0079】次いで、フレーム化回路39の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路40に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路40の出力信号はチャンネルエンコーダ41に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ41
の出力信号が記録アンプ42A,42Bと回転トランス
(図示は省略する。)を介して一対の磁気ヘッド43
A,43Bに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ41に供給される。
Next, the output signal of the framing circuit 39 is supplied to the error correction code parity generation circuit 40, and the error correction code parity is generated. The output signal of the parity generation circuit 40 is supplied to the channel encoder 41, and channel coding is performed so as to reduce the low frequency part of the recording data. Channel encoder 41
Output signal of the pair of magnetic heads 43 via recording amplifiers 42A and 42B and a rotary transformer (not shown).
It is supplied to the A and 43B and recorded on the magnetic tape. The audio signal and the video signal are separately compression-coded and supplied to the channel encoder 41.

【0080】上述の信号処理によって、入力のデータ量
216Mbpsが有効走査期間のみを抽出するによって
約167Mbpsに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが84Mbpsに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路38で
圧縮符号化することにより、約25Mbpsに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては31.56Mbps
となる。
By the above-described signal processing, the input data amount of 216 Mbps is reduced to about 167 Mbps by extracting only the effective scanning period, and further it is reduced to 84 Mbps by the frequency conversion, the sub-sample and the sub-line. This data is compressed and coded by the block coding circuit 38 to about 25 Mbps, and thereafter, additional information such as parity and audio signal is added, and the recording data amount is 31.56 Mbps.
Becomes

【0081】次に、再生側の構成について図6を参照し
ながら説明する。再生の際には、図6に示すように、先
ず磁気ヘッド43A,43Bからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ44A,44Bを介してチャンネ
ルデコーダ45に供給される。チャンネルデコーダ45
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ45の出力信号がTBC回路(時間軸補
正回路)46に供給される。このTBC回路46におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。TBC回
路46からの再生データがECC回路47に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ECC回路47の出力信号がフレーム分解回路
48に供給される。
Next, the structure on the reproducing side will be described with reference to FIG. At the time of reproduction, as shown in FIG. 6, first, reproduction data from the magnetic heads 43A and 43B is supplied to the channel decoder 45 via the rotary transformer and the reproduction amplifiers 44A and 44B. Channel decoder 45
In, the channel coding is demodulated and the output signal of the channel decoder 45 is supplied to the TBC circuit (time axis correction circuit) 46. In this TBC circuit 46, the time-axis fluctuation component of the reproduction signal is removed. The reproduction data from the TBC circuit 46 is supplied to the ECC circuit 47,
Error correction using the error correction code and error correction are performed. The output signal of the ECC circuit 47 is supplied to the frame decomposition circuit 48.

【0082】フレーム分解回路48によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路48で分離された各データ
がブロック複号回路49に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路50に供給される。この分配回路50で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路51,52にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路51,52は、送信側のブ
ロック化回路35,36とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。
The frame decomposing circuit 48 separates each component of the block coded data from each other, and
The clock of the recording system is changed to the clock of the pixel system. The respective data separated by the frame decomposing circuit 48 are supplied to the block decoding circuit 49, the restored data corresponding to the original data is decoded in each block unit, and the decoding data is supplied to the distribution circuit 50. The distribution circuit 50 separates the decoded data into a luminance signal and a color difference signal. The luminance signal and the color difference signal are supplied to the block decomposition circuits 51 and 52, respectively. The block decomposing circuits 51 and 52 convert the decoding data in the order of blocks into the order of raster scanning, contrary to the blocking circuits 35 and 36 on the transmitting side.

【0083】ブロック分解回路51からの複号輝度信号
が補間フィルタ53に供給される。補間フィルタ53で
は、輝度信号のサンプリングレートが3fsから4fs
(4fs=13.5MHz)に変換される。補間フィル
タ53からのディジタル輝度信号Yは出力端子56Yに
取り出される。
The decoded luminance signal from the block decomposition circuit 51 is supplied to the interpolation filter 53. In the interpolation filter 53, the sampling rate of the luminance signal is 3 fs to 4 fs.
(4fs = 13.5 MHz). The digital luminance signal Y from the interpolation filter 53 is taken out to the output terminal 56Y.

【0084】一方、ブロック分解回路52からのディジ
タル色差信号が分配回路54に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号U,Vがディジタル色差信号U及
びVにそれぞれ分離される。分配回路54からのディジ
タル色差信号U,Vが補間回路55に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路55は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路55からはサンプリングレートが2f
sのディジタル色差信号U及びVが得られ、出力端子5
6U,56Vにそれぞれ取り出される。
On the other hand, the digital color difference signal from the block decomposition circuit 52 is supplied to the distribution circuit 54, and the line-sequential digital color difference signals U and V are separated into the digital color difference signals U and V, respectively. The digital color difference signals U and V from the distribution circuit 54 are supplied to the interpolation circuit 55 and are interpolated. The interpolation circuit 55 interpolates the data of the thinned lines and pixels using the restored pixel data, and the sampling rate from the interpolation circuit 55 is 2f.
s digital color difference signals U and V are obtained, and output terminal 5
6U and 56V are taken out respectively.

【0085】b.ブロック符号化 図5におけるブロック符号化回路38としては、ADR
C(AdaptiveDynamic Range C
oding)エンコーダが用いられる。このADRCエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値MAXと最小値MINを検出し、これら最大値M
AX及び最小値MINからブロックのダイナミックレン
ジDRを検出し、このダイナミックレンジDRに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路38の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをDCT(Discrete Cosine Tr
ansform)した後、このDCTで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。
B. Block Coding As the block coding circuit 38 in FIG.
C (Adaptive Dynamic Range C
oding) encoder is used. This ADRC encoder detects the maximum value MAX and the minimum value MIN of a plurality of pixel data included in each block, and the maximum value M
The dynamic range DR of the block is detected from the AX and the minimum value MIN, the coding adapted to this dynamic range DR is performed, and the requantization is performed with the number of bits smaller than the number of bits of the original pixel data. As another example of the block encoding circuit 38, pixel data of each block may be converted into DCT (Discrete Cosine Tr).
After the transformation, the coefficient data obtained by this DCT may be quantized, and the quantized data may be run-length Huffman encoded and compression-encoded.

【0086】ここでは、ADRCエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図9を参照しながら説明する。図9におい
て、入力端子57に例えば1サンプルが8ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号(或いはディジタル色差
信号)が図5の合成回路37より入力される。入力端子
57からのブロック化データが最大値,最小値検出回路
59及び遅延回路60に供給される。最大値,最小値検
出回路59は、ブロック毎に最小値MIN、最大値MA
Xを検出する。遅延回路60からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路60からの画素データが比較回路61及び
比較回路62に供給される。
Here, an example of an encoder that uses an ADRC encoder and in which image quality deterioration does not occur even when multi-dubbing is performed will be described with reference to FIG. In FIG. 9, for example, a digital video signal (or digital color difference signal) in which one sample is quantized into 8 bits is input to the input terminal 57 from the synthesizing circuit 37 of FIG. The blocked data from the input terminal 57 is supplied to the maximum value / minimum value detection circuit 59 and the delay circuit 60. The maximum value / minimum value detection circuit 59 determines the minimum value MIN and the maximum value MA for each block.
Detect X. From the delay circuit 60, the input data is delayed for the time required to detect the maximum value and the minimum value. The pixel data from the delay circuit 60 is supplied to the comparison circuit 61 and the comparison circuit 62.

【0087】最大値,最小値検出回路59からの最大値
MAXが減算回路63に供給され、最小値MINが加算
回路64に供給される。これらの減算回路63及び加算
回路64には、ビットシフト回路65から4ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の1量子化ス
テップ幅の値(△=1/16DR)が供給される。ビッ
トシフト回路65は、(1/16)の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジDRを4ビットシフトする構成
とされている。減算回路63からは(MAX−△)のし
きい値が得られ、加算回路64からは(MIN+△)の
しきい値が得られる。これらの減算回路63及び加算回
路64からのしきい値が比較回路61,62にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。
The maximum value MAX from the maximum / minimum value detection circuit 59 is supplied to the subtraction circuit 63, and the minimum value MIN is supplied to the addition circuit 64. The subtraction circuit 63 and the addition circuit 64 are supplied from the bit shift circuit 65 with a value of one quantization step width (Δ = 1 / 16DR) when non-edge matching quantization is performed with a fixed length of 4 bits. The bit shift circuit 65 is configured to shift the dynamic range DR by 4 bits so as to perform division by (1/16). The subtraction circuit 63 obtains a threshold value of (MAX-Δ), and the addition circuit 64 obtains a threshold value of (MIN + Δ). The threshold values from the subtraction circuit 63 and the addition circuit 64 are supplied to the comparison circuits 61 and 62, respectively. The value Δ that defines this threshold is not limited to the quantization step width, and may be a fixed value that corresponds to the noise level.

【0088】比較回路61の出力信号がANDゲート6
6に供給され、比較回路62の出力信号がANDゲート
67に供給される。ANDゲート66及びANDゲート
67には、遅延回路60からの入力データが供給され
る。比較回路61の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってANDゲ
ート66の出力端子には、(MAX〜MAX−△)の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路62の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てANDゲート67の出力端子には、(MIN〜MIN
+△)の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。
The output signal of the comparison circuit 61 is the AND gate 6
6 and the output signal of the comparison circuit 62 is supplied to the AND gate 67. The input data from the delay circuit 60 is supplied to the AND gate 66 and the AND gate 67. The output signal of the comparison circuit 61 becomes high level when the input data is larger than the threshold value. Therefore, the output terminal of the AND gate 66 has the pixel data of the input data included in the maximum level range of (MAX to MAX-Δ). Is extracted. On the other hand, the output signal of the comparison circuit 62 becomes high level when the input data is smaller than the threshold value. Therefore, the output terminal of the AND gate 67 has
The pixel data of the input data included in the minimum level range of + Δ) is extracted.

【0089】ANDゲート66の出力信号が平均化回路
68に供給され、ANDゲート67の出力信号が平均化
回路69に供給される。これらの平均化回路68,69
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子70か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路68,69
に供給されている。平均化回路68からは、(MAX〜
MAX−△)の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値MAX´が得られ、平均化回路69からは(MIN
〜MIN+△)の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値MIN´が得られる。平均値MAX´から平均値
MIN´が減算回路71で減算され、この減算回路71
からダイナミックレンジDR´が得られる。
The output signal of the AND gate 66 is supplied to the averaging circuit 68, and the output signal of the AND gate 67 is supplied to the averaging circuit 69. These averaging circuits 68, 69
Is for calculating an average value for each block.
Is being supplied to. From the averaging circuit 68, (MAX ~
The average value MAX ′ of the pixel data belonging to the maximum level range of (MAX−Δ) is obtained, and the averaging circuit 69 outputs (MIN).
The average value MIN ′ of the pixel data belonging to the minimum level range of ˜MIN + Δ) is obtained. The subtraction circuit 71 subtracts the average value MIN ′ from the average value MAX ′.
From the dynamic range DR '.

【0090】また、平均値MIN´が減算回路72に供
給され、遅延回路73を介された入力データから平均値
MIN´が減算回路72において減算され、最小値除去
後のデータPDIが形成される。このデータPDI及び
修整されたダイナミックレンジDR´が量子化回路74
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数nが0ビット(コード信号を転送しない)、
1ビット、2ビット、3ビット、4ビットの何れかとさ
れる可変長のADRCであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数nは、ブロック毎にビ
ット数決定回路75において決定され、ビット数nのデ
ータが量子化回路74に供給される。
Further, the average value MIN 'is supplied to the subtraction circuit 72, and the average value MIN' is subtracted from the input data passed through the delay circuit 73 in the subtraction circuit 72 to form the data PDI after removal of the minimum value. .. The data PDI and the modified dynamic range DR ′ are used by the quantization circuit 74.
Is supplied to. In this embodiment, the number of bits n assigned to quantization is 0 bit (code signal is not transferred),
It is a variable length ADRC of 1 bit, 2 bits, 3 bits, or 4 bits, and is subjected to edge matching quantization. The number of allocated bits n is determined by the number-of-bits determination circuit 75 for each block, and the data of the number of bits n is supplied to the quantization circuit 74.

【0091】可変長ADRCは、ダイナミックレンジD
R´が小さいブロックでは、割り当てビット数nを少な
くし、ダイナミックレンジDR´が大きいブロックで
は、割り当てビット数nを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数nを決
定する際のしきい値をT1〜T4(T1<T2<T3<
T4)とすると、(DR´<T1)のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジDR´の情報
のみが転送され、(T1≦DR´<T2)のブロック
は、(n=1)とされ、(T2≦DR´<T3)のブロ
ックは、(n=2)とされ、(T3≦DR´<T4)の
ブロックは、(n=3)とされ、(DR´≧T4)のブ
ロックは、(n=4)とされる。
The variable length ADRC has a dynamic range D
Efficient encoding can be performed by reducing the number of allocated bits n in a block having a small R ′ and increasing the number of allocated bits n in a block having a large dynamic range DR ′. That is, the threshold values for determining the number of bits n are set to T1 to T4 (T1 <T2 <T3 <
T4), the code signal is not transferred to the block of (DR ′ <T1), only the information of the dynamic range DR ′ is transferred, and the block of (T1 ≦ DR ′ <T2) is (n = 1). The block of (T2 ≦ DR ′ <T3) is (n = 2), the block of (T3 ≦ DR ′ <T4) is (n = 3), and the block of (DR ′ ≧ T4) is The block is (n = 4).

【0092】かかる可変長ADRCではしきい値T1〜
T4を変えることで、発生情報量を制御すること(いわ
ゆるバッファリング)ができる。したがって、1フィー
ルド或いは、1フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ADRCを
適用できる。
In such variable length ADRC, the threshold values T1.about.
By changing T4, the generated information amount can be controlled (so-called buffering). Therefore, the variable length ADRC can be applied to a transmission line such as the digital video tape recorder of the present invention which requires that the amount of generated information per field or frame be set to a predetermined value.

【0093】発生情報量を所定値にするためのしきい値
T1〜T4を決定するバッファリング回路76では、し
きい値の組(T1、T2、T3、T4)が複数例えば3
2組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードPi(i=0、1、2・・・・31)により区
別される。パラメータコードPiの番号iが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。
In the buffering circuit 76 for determining the threshold values T1 to T4 for making the generated information amount a predetermined value, a plurality of threshold value sets (T1, T2, T3, T4), for example, 3 are set.
Two sets are prepared, and these sets of thresholds are distinguished by the parameter code Pi (i = 0, 1, 2, ... 31). The generated information amount is set to monotonically decrease as the number i of the parameter code Pi increases. However, the quality of the restored image deteriorates as the amount of generated information decreases.

【0094】バッファリング回路76からのしきい値T
1〜T4が比較回路77に供給され、遅延回路78を介
されたダイナミックレンジDR´が比較回路77に供給
される。遅延回路78は、バッファリング回路76でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、DR´を遅延
させる。比較回路77では、ブロックのダイナミックレ
ンジDR´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路75に供給され、そのブロックの
割り当てビット数nが決定される。量子化回路74で
は、ダイナミックレンジDR´と割り当てビット数nと
を用いて遅延回路79を介された最小値除去後のデータ
PDIがエッジマッチングの量子化により、コード信号
DTに変換される。量子化回路74は、例えばROMで
構成されている。
Threshold value T from buffering circuit 76
1 to T4 are supplied to the comparison circuit 77, and the dynamic range DR ′ through the delay circuit 78 is supplied to the comparison circuit 77. The delay circuit 78 delays DR ′ by the time required for the buffering circuit 76 to determine the set of threshold values. In the comparison circuit 77, the dynamic range DR ′ of the block is compared with each threshold value, the comparison output is supplied to the bit number determination circuit 75, and the number of allocated bits n of the block is determined. In the quantization circuit 74, the data PDI after removal of the minimum value via the delay circuit 79 is converted into the code signal DT by the edge matching quantization using the dynamic range DR ′ and the assigned bit number n. The quantization circuit 74 is composed of, for example, a ROM.

【0095】遅延回路78、80をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジDR´、平均値MIN´が出
力され、さらにコード信号DTとしきい値の組を示すパ
ラメータコードPiが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。
The modified dynamic range DR 'and average value MIN' are output through the delay circuits 78 and 80, respectively, and the parameter code Pi indicating the set of the code signal DT and the threshold value is output. In this example, a signal that has been non-edge-match quantized is newly edge-match quantized based on the dynamic range information, so that image degradation when dubbing is small.

【0096】c.チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図5のチャンネルエンコーダ41及びチャンネル
デコーダ45について説明する。チャンネルエンコーダ
41においては、図10に示すように、パリティ発生回
路40の出力が供給される適応型スクランブル回路で、
複数のM系列のスクランブル回路81が用意され、その
中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少な
い出力が得られるようなM系列が選択されるように構成
されている。パーシャルレスポンス・クラス4検出方式
のためのプリコーダ82で、1/1−D2 (Dは単位遅
延用回路)の演算処理がなされる。このプリコーダ82
の出力を記録アンプ42A,42Bを介して磁気ヘッド
43A,43Bにより、記録再生し、再生出力を再生ア
ンプ44A,44Bによって増幅するようになされてい
る。
C. Channel Encoder and Channel Decoder Next, the channel encoder 41 and the channel decoder 45 of FIG. 5 will be described. In the channel encoder 41, as shown in FIG. 10, an adaptive scramble circuit to which the output of the parity generation circuit 40 is supplied,
A plurality of M-sequence scramble circuits 81 are prepared, and among them, the M-sequence is selected so that an output with the least high frequency component and DC component can be obtained for the input signal. The precoder 82 for the partial response class 4 detection method performs arithmetic processing of 1 / 1-D 2 (D is a unit delay circuit). This precoder 82
Is output and recorded and reproduced by the magnetic heads 43A and 43B via the recording amplifiers 42A and 42B, and the reproduction output is amplified by the reproduction amplifiers 44A and 44B.

【0097】一方、チャンネルデコーダ45において
は、図11に示すように、パーシャルレスポンス・クラ
ス4の再生側の演算処理回路83は、1+Dの演算が再
生アンプ44A,44Bの出力に対して行われる。ま
た、いわゆるビタビ複号回路84においては、演算処理
回路83の出力に対してデータの相関性や確からしさ等
を用いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行わ
れる。このビタビ複号回路84の出力がディスクランブ
ル回路85に供給され、記録側のスクランブル処理によ
って並び変えられたデータが元の系列に戻されて原デー
タが復元される。この実施例において用いられるビタビ
複号回路84によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生C/N換算が3dBで改良が得られる。
On the other hand, in the channel decoder 45, as shown in FIG. 11, the arithmetic processing circuit 83 on the reproducing side of the partial response class 4 performs 1 + D arithmetic on the outputs of the reproducing amplifiers 44A and 44B. Further, in the so-called Viterbi decoding circuit 84, the noise-resistant data is decoded by the calculation using the correlation and the accuracy of the data with respect to the output of the calculation processing circuit 83. The output of the Viterbi decoding circuit 84 is supplied to the descrambling circuit 85, the data rearranged by the scrambling process on the recording side is returned to the original series, and the original data is restored. With the Viterbi decoding circuit 84 used in this embodiment, the reproduction C / N conversion is improved by 3 dB as compared with the case of performing decoding for each bit.

【0098】d.走行系 磁気ヘッド43A及び磁気ヘッド43Bは、図12に示
すように、一体構造とされた形でドラム106に取付け
られる。ドラム106の周面には、180°よりやや大
きいか、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ
(図示せず。)が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッ
ド43A及び磁気ヘッド43Bが同時に磁気テープを走
査するように構成される。
D. The traveling magnetic heads 43A and 43B are attached to the drum 106 in an integrated structure as shown in FIG. A magnetic tape (not shown) is obliquely wound around the peripheral surface of the drum 106 at a winding angle slightly larger than 180 ° or slightly smaller than 180 °, and the magnetic heads 43A and 43B simultaneously scan the magnetic tape. To be configured.

【0099】また、前記磁気ヘッド43A及び磁気ヘッ
ド43Bのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に(例えば磁気ヘッド43Aはトラック幅方向に対して
+20°、磁気ヘッド43Bは−20°傾斜するよう
に)設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。
Further, the directions of the gaps of the magnetic head 43A and the magnetic head 43B are inclined in opposite directions (for example, the magnetic head 43A is inclined + 20 ° with respect to the track width direction, and the magnetic head 43B is inclined -20 °. Are set so that the amount of crosstalk between adjacent tracks is reduced by so-called azimuth loss during reproduction.

【0100】図13及び図14は、磁気ヘッド43A,
43Bを一体構造(いわゆるダブルアジマスヘッド)と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム106に一体構造の磁気ヘッド4
3A,43Bが取り付けられ、下ドラム107が固定と
されている。ここで、磁気テープ108の巻き付け角θ
は166°、ドラム径φは16.5mmである。
13 and 14 show magnetic heads 43A,
This shows a more specific structure when 43B is an integral structure (so-called double azimuth head). For example, the magnetic head 4 is integral with the upper drum 106 rotated at a high speed.
3A and 43B are attached, and the lower drum 107 is fixed. Here, the winding angle θ of the magnetic tape 108
Is 166 ° and the drum diameter φ is 16.5 mm.

【0101】したがって、磁気テープ108には、1フ
ィールドのデータが5本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。
Therefore, on the magnetic tape 108, one field of data is divided into five tracks and recorded. With this segment system, the length of the track can be shortened, and the error due to the linearity of the track can be reduced.

【0102】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、180°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。
As described above, by performing the simultaneous recording by the double azimuth head, the error amount due to the linearity can be reduced as compared with the case where the pair of magnetic heads are arranged at the facing angle of 180 °. In addition, since the head-to-head distance is small, the pairing adjustment can be performed more accurately. Therefore, with such a traveling system, recording / reproducing can be performed on a narrow track.

【0103】[0103]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁性層を形成するための蒸着時に、得られる磁
性薄膜の表面をボンバード処理しているので、前記磁性
薄膜の表面に形成される酸化層の膜厚が薄くされるか、
又は除去される。従って、上記磁性薄膜上にさらに繰り
返し蒸着を行って磁性薄膜を積層形成しても、上記酸化
層による悪影響を防止することができ、良好な耐久性を
確保するとともに、電磁変換特性の向上を図ることがで
きる。
As is clear from the above description, in the present invention, since the surface of the magnetic thin film obtained is subjected to the bombarding treatment during the vapor deposition for forming the magnetic layer, it is formed on the surface of the magnetic thin film. The thickness of the oxide layer is reduced,
Or removed. Therefore, even if the magnetic thin film is laminated repeatedly by further vapor deposition on the magnetic thin film, the adverse effect of the oxide layer can be prevented, good durability can be ensured, and electromagnetic conversion characteristics can be improved. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の磁気記録媒体の構成を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a magnetic recording medium of the present invention.

【図2】本発明の磁気記録媒体を製造する際に使用され
る製造装置の一例を示す模式図である。
FIG. 2 is a schematic view showing an example of a manufacturing apparatus used when manufacturing the magnetic recording medium of the present invention.

【図3】蒸着時の酸素ガス流量とこの蒸着により得られ
る磁性層のスチル時間の関係を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the oxygen gas flow rate during vapor deposition and the still time of the magnetic layer obtained by this vapor deposition.

【図4】蒸着時の酸素ガス流量とこの蒸着により得られ
る磁性層の出力特性及びC/N特性を示す特性図であ
る。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing an oxygen gas flow rate during vapor deposition, output characteristics and C / N characteristics of a magnetic layer obtained by this vapor deposition.

【図5】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮いて記録するディジタルVTRの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration on a recording side of a signal processing unit of a digital VTR which compresses and records a digital image signal in a form such that reproduction distortion is small.

【図6】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration on a reproduction side of a signal processing unit.

【図7】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of a block for block coding.

【図8】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining subsampling and sublines.

【図9】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。
FIG. 9 is a block diagram showing an example of a block encoding circuit.

【図10】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブ
ロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing an outline of an example of a channel encoder.

【図11】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing an outline of an example of a channel decoder.

【図12】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。
FIG. 12 is a plan view schematically showing an example of the arrangement of magnetic heads.

【図13】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.

【図14】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。
FIG. 14 is a front view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,12・・・非磁性支持体 2・・・第1の磁性薄膜 3・・・第2の磁性薄膜 4・・・トップコート膜 5・・・バックコート層 15・・・冷却キャン 18・・・ルツボ 19・・・金属磁性材料 20・・・電子銃 22・・・シャッタ 24,25・・・処理装置 1, 12 ... Non-magnetic support 2 ... First magnetic thin film 3 ... Second magnetic thin film 4 ... Top coat film 5 ... Back coat layer 15 ... Cooling can 18. ..Crucible 19 ... Metal magnetic material 20 ... Electron gun 22 ... Shutter 24,25 ... Processing device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 ゆかり 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Yukari Yamada 6-5-6 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Magne Products Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 非磁性支持体上に真空蒸着法により複数
の磁性薄膜が積層形成されてなる磁気記録媒体におい
て、 少なくとも下層となる磁性薄膜の表面が還元ガスを含む
不活性ガスでボンバード処理されてなることを特徴とす
る磁気記録媒体。
1. A magnetic recording medium in which a plurality of magnetic thin films are laminated on a non-magnetic support by a vacuum deposition method, at least the surface of the lower magnetic thin film is bombarded with an inert gas containing a reducing gas. A magnetic recording medium characterized by the following.
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