JPH06150310A - Production of magnetic recording medium - Google Patents

Production of magnetic recording medium

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JPH06150310A
JPH06150310A JP29582692A JP29582692A JPH06150310A JP H06150310 A JPH06150310 A JP H06150310A JP 29582692 A JP29582692 A JP 29582692A JP 29582692 A JP29582692 A JP 29582692A JP H06150310 A JPH06150310 A JP H06150310A
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JP
Japan
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electrodes
circuit
roll
recording medium
magnetic recording
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Withdrawn
Application number
JP29582692A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Hiratsuka
亮一 平塚
Seiichi Onodera
誠一 小野寺
Hiroshi Uchiyama
浩 内山
Kenichi Sato
研一 佐藤
Kazunobu Chiba
一信 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide the process for production of the magnetic recording medium capable of improving productivity while assuring good durability at the time of forming protective films. CONSTITUTION:After magnetic metallic thin films are formed on a continuous substrate 22, the protective films are formed by a plasma CVD method on these magnetic metallic thin films. This continuous substrate 22 is made to travel several times between a pair of electrodes 25a and 25b at this time. The continuous substrate 22 is otherwise spirally wound around the peripheral surface of a roll past between a pair of these electrodes 25a and 25b and is made to travel in this state. A pair of the electrodes are adequately parallel flat plate electrodes connected to a high-frequency power source. These parallel flat plate electrodes and the above-mentioned continuous substrate 22 may be disposed in parallel or may be disposed approximately perpendicularly to each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に磁性
層として形成された金属磁性薄膜上に保護膜を形成する
磁気記録媒体の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a magnetic recording medium in which a protective film is formed on a metal magnetic thin film formed as a magnetic layer on a non-magnetic support.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末或いは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニル─酢酸ビニル系共重合体、ポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有
機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥す
ることにより磁性層を形成する、所謂塗布型の磁気記録
媒体が広く使用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a magnetic recording medium, a powder magnetic material such as an oxide magnetic powder or an alloy magnetic powder on a non-magnetic support is used as a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyester resin, urethane resin, A so-called coating type magnetic recording medium is widely used in which a magnetic coating material is formed by coating a magnetic coating material dispersed in an organic binder such as a polyurethane resin and drying.

【0003】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりとともに、Co─Ni合金、Co─Cr合金、C
o─O等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
(真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等)によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着せし
めた、所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され実
用化されている。
On the other hand, with the increasing demand for high-density magnetic recording, Co--Ni alloys, Co--Cr alloys, C
A metal magnetic material such as o--O is coated with a polyester film or polyamide by plating or a vacuum thin film forming means (vacuum deposition method, sputtering method, ion plating method, etc.).
A so-called metal magnetic thin film type magnetic recording medium, which is directly deposited on a non-magnetic support such as a polyimide film, has been proposed and put into practical use.

【0004】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるため
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性
層中に非磁性材料であるバインダー等を混入する必要が
ないため磁性材料の充填密度を高めることができること
等、数々の利点を有する。
This metal magnetic thin film type magnetic recording medium is excellent not only in coercive force and squareness ratio but also in electromagnetic conversion characteristics at short wavelengths, and in addition, the magnetic layer can be extremely thinned for recording demagnetization and reproduction. There are various advantages such as a significantly small thickness loss at the time and the fact that it is not necessary to mix a binder, which is a non-magnetic material, in the magnetic layer, so that the packing density of the magnetic material can be increased.

【0005】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する際
に、磁性層を斜めに蒸着形成する、所謂斜方蒸着法が主
流になっている。
Further, in order to improve the electromagnetic conversion characteristics of this type of magnetic recording medium and obtain a larger output, the magnetic layer is obliquely formed when forming the magnetic layer of the magnetic recording medium. The so-called oblique vapor deposition method, in which vapor deposition is performed on a substrate, is predominant.

【0006】ところで、この金属磁性薄膜型の磁気記録
媒体においては、上述のような高密度磁気記録化に伴っ
て、トラック密度や記録密度の増加が図られている。こ
のように記録密度が高められるとスペーシングロスが大
きくなるので、その悪影響を防止するために、媒体の表
面は平滑化される傾向にある。ところが、媒体の表面が
平滑すぎると、磁性ヘッドと媒体が吸着を引き起こし、
摩擦力が増大する。このため、媒体に生じる剪断力が大
きくなり、磁気記録媒体が大きな損傷を受ける虞れが生
ずる。
In the meantime, in the metal magnetic thin film type magnetic recording medium, the track density and the recording density have been increased along with the high density magnetic recording as described above. Since the spacing loss increases as the recording density is increased, the surface of the medium tends to be smoothed in order to prevent the adverse effect. However, if the surface of the medium is too smooth, the magnetic head and the medium will be attracted,
Friction force increases. For this reason, the shearing force generated in the medium becomes large, and the magnetic recording medium may be damaged significantly.

【0007】このような状況の中で、媒体の耐久性を向
上させる目的から、磁性層の表面に保護膜を形成する方
法が検討されている。特に、耐摩耗性に優れたカーボン
膜を保護膜として使用することにより、良好な結果が得
られている。このカーボン保護膜は、例えばスパッタリ
ング法やCVD法等により形成することができる。
Under these circumstances, a method of forming a protective film on the surface of the magnetic layer has been studied for the purpose of improving the durability of the medium. In particular, good results have been obtained by using a carbon film having excellent wear resistance as a protective film. This carbon protective film can be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記カーボン保護膜を
スパッタリング法により形成する方法は、電場や磁場を
利用してArガス等の不活性ガスを加速し、その運動エ
ネルギーによりターゲットの原子をはじき出して、該は
じき出された原子を基板上に堆積させることによって膜
形成を行う物理的プロセスである。しかしながら、この
プロセスは、ターゲットに対して基板を対向配置する必
要があり、成膜装置の構造に制約がある。
The method of forming the above carbon protective film by the sputtering method is to accelerate an inert gas such as Ar gas by using an electric field or a magnetic field, and repel the target atoms by its kinetic energy. , A physical process of forming a film by depositing the ejected atoms on a substrate. However, in this process, it is necessary to dispose the substrate opposite to the target, and the structure of the film forming apparatus is limited.

【0009】また、上記スパッタリング法は、多くの種
類の膜形成が可能であるために、広く採用されているも
のの、成膜速度が非常に遅く、生産性に乏しいという欠
点を有している。
Further, although the above-mentioned sputtering method is widely adopted because it can form many kinds of films, it has a drawback that the film forming rate is very slow and the productivity is poor.

【0010】一方、上記CVD法は、電場や磁場を用い
て発生させたプラズマのエネルギーを利用して原料とな
る気体に化学反応を起こさせ、膜形成を行う化学的プロ
セスである。このうち、平行平板型プラズマCVD法に
おいては、一対の電極間に基板を導入する際に、通常、
基板は一方の電極上に取り付けられている。従来、この
平行平板型プラズマCVD法では、上記基板の取り付け
方法として電極面に対して平行方向のみのプラズマを利
用しており、電極間の深さ方向(電極面に対して垂直方
向)のプラズマは利用されていない。従って、上記電極
間に発生されたプラズマを効率良く使用しているとは言
い難く、その改善が望まれている。
On the other hand, the above-mentioned CVD method is a chemical process in which the energy of plasma generated by using an electric field or a magnetic field is used to cause a chemical reaction in a gas as a raw material to form a film. Among them, in the parallel plate plasma CVD method, when the substrate is introduced between the pair of electrodes, usually,
The substrate is mounted on one electrode. Conventionally, in the parallel plate plasma CVD method, plasma is only used in the direction parallel to the electrode surface as a method of attaching the substrate, and the plasma in the depth direction between electrodes (perpendicular to the electrode surface) is used. Is not used. Therefore, it cannot be said that the plasma generated between the electrodes is used efficiently, and improvement thereof is desired.

【0011】そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、保護膜の形成に際し、優れ
た生産性を実現することが可能な磁気記録媒体の製造方
法を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above conventional circumstances, and provides a method of manufacturing a magnetic recording medium capable of realizing excellent productivity in forming a protective film. With the goal.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、上述の目的を達成するために提案されたも
のである。即ち、本願の第1の発明は、連続基板上に金
属磁性薄膜と保護膜を順次形成する磁気記録媒体の製造
方法において、前記保護膜を形成する際に、前記連続基
板が一対の電極間を複数回走行するようになされること
を特徴とするものである。
A method of manufacturing a magnetic recording medium according to the present invention is proposed to achieve the above-mentioned object. That is, the first invention of the present application is, in a method of manufacturing a magnetic recording medium in which a metal magnetic thin film and a protective film are sequentially formed on a continuous substrate, when the protective film is formed, the continuous substrate causes a gap between a pair of electrodes. It is characterized by being run multiple times.

【0013】また、本願の第2の発明は、連続基板上に
金属磁性薄膜と保護膜を順次形成する磁気記録媒体の製
造方法において、前記保護膜を形成する際に、前記連続
基板が一対の電極間を通したロールの周面に螺旋状に巻
き付けられて走行するようになされることを特徴とする
ものである。
A second invention of the present application is a method of manufacturing a magnetic recording medium in which a metal magnetic thin film and a protective film are sequentially formed on a continuous substrate, and when the protective film is formed, the continuous substrate is a pair. It is characterized in that the roll is wound around the peripheral surface of the roll passing through between the electrodes so as to run.

【0014】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、連続
基板上に磁性層として金属磁性薄膜を形成した後、上記
磁性層の表面に保護膜を形成するものであり、この保護
膜の形成方法としてプラズマCVD法を使用するもので
ある。上記プラズマCVD法においては、上記連続基板
が一対の電極間を複数回走行せしめられる、或いは一対
の電極間を通したロールの周面に螺旋状に巻き付けられ
て走行せしめられる。これにより、一対の電極間に基板
が連続的に導入され、生産性の向上が図られるととも
に、上記電極間に発生したプラズマの使用効率を高める
ことができる。
The method of manufacturing a magnetic recording medium of the present invention comprises forming a metal magnetic thin film as a magnetic layer on a continuous substrate and then forming a protective film on the surface of the magnetic layer. The plasma CVD method is used as. In the plasma CVD method, the continuous substrate is caused to run a plurality of times between a pair of electrodes, or is wound around a circumferential surface of a roll passing between the pair of electrodes in a spiral shape and made to run. As a result, the substrate is continuously introduced between the pair of electrodes, the productivity is improved, and the use efficiency of the plasma generated between the electrodes can be increased.

【0015】上記一対の電極としては、高周波電源に接
続された平行平板電極が使用可能である。この時、この
平行平板電極と上記連続基板は、平行に配置されても良
く、略垂直に配置されても良い。いずれにしても、一対
の電極間に基板を連続的に導入し、上記電極間に発生さ
れる深さ方向のプラズマを利用する。従って、上記電極
として、例えば高周波電源に接続された放電用コイルを
使用しても良い。この場合、該放電用コイルを円筒型プ
ラズマ生成室に巻き付け、この円筒型プラズマ生成室の
中心軸上に回転ロールを配設する。そして、この回転ロ
ールの周面に上記連続基板を螺旋状に巻き付けて走行せ
しめる。
As the pair of electrodes, a parallel plate electrode connected to a high frequency power source can be used. At this time, the parallel plate electrode and the continuous substrate may be arranged in parallel or substantially vertically. In any case, the substrate is continuously introduced between the pair of electrodes, and the plasma in the depth direction generated between the electrodes is used. Therefore, for example, a discharge coil connected to a high frequency power source may be used as the electrode. In this case, the discharge coil is wound around the cylindrical plasma generation chamber, and the rotating roll is arranged on the central axis of the cylindrical plasma generation chamber. Then, the continuous substrate is spirally wound around the peripheral surface of the rotating roll and allowed to run.

【0016】また、上記保護膜材料としては、例えばカ
ーボン,SiO2 ,ZrO2 等が使用可能であるが、特
に限定されない。これらの単層膜であっても良いし、多
層膜や複合膜であっても良い。本発明により製造される
磁気記録媒体において、上記磁性層としての金属磁性薄
膜を構成する材料としては、通常この種の磁気記録媒体
に使用される強磁性金属材料であれば如何なるものであ
っても良い。
The protective film material may be carbon, SiO 2 , ZrO 2 or the like, but is not particularly limited. These may be a single layer film, a multilayer film or a composite film. In the magnetic recording medium manufactured according to the present invention, as the material forming the metal magnetic thin film as the magnetic layer, any material can be used as long as it is a ferromagnetic metal material normally used in this type of magnetic recording medium. good.

【0017】例示するならば、Fe,Co,Ni等の強
磁性金属、Fe─Co,Co─Ni,Fe─Co─N
i,Fe─Cu,Co─Cu,Co─Au,Co─P
t,Mn─Bi,Mn─Al,Fe─Cr,Co─C
r,Ni─Cr,Fe─Co─Cr,Co─Ni─C
r,Fe─Co─Ni─Cr等の強磁性合金が挙げられ
る。これらの単層膜であっても良いし、多層膜であって
も良い。更には、基板と金属磁性薄膜間、或いは多層膜
の場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御
等のため、下地層又は中間層を設けても良い。また、例
えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物とな
っていても良い。
For example, ferromagnetic metals such as Fe, Co and Ni, Fe--Co, Co--Ni and Fe--Co--N.
i, Fe-Cu, Co-Cu, Co-Au, Co-P
t, Mn-Bi, Mn-Al, Fe-Cr, Co-C
r, Ni-Cr, Fe-Co-Cr, Co-Ni-C
Ferromagnetic alloys such as r and Fe-Co-Ni-Cr can be mentioned. These may be a single layer film or a multilayer film. Further, an underlayer or an intermediate layer may be provided between the substrate and the metal magnetic thin film, or in the case of a multi-layer film, in order to improve the adhesive force between the layers and control the coercive force. Further, for example, the vicinity of the surface of the magnetic layer may be an oxide for improving the corrosion resistance.

【0018】また、上記金属磁性薄膜の形成方法として
は、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ非磁性支持
体上に蒸着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発
を放電中で行うイオンプレーティング法、Arガス等を
主成分とするスパッタ雰囲気中でグロー放電を起こし生
じたArイオンでターゲット表面の原子をたたき出すス
パッタリング法等、所謂PVD技術が使用可能である。
As a method of forming the metal magnetic thin film, a vacuum vapor deposition method of heating and evaporating a ferromagnetic metal material under vacuum to deposit it on a non-magnetic support, or an evaporation of a ferromagnetic metal material in a discharge is performed. So-called PVD techniques such as an ion plating method and a sputtering method in which an atom on the target surface is knocked out by Ar ions generated by glow discharge in a sputtering atmosphere containing Ar gas as a main component can be used.

【0019】勿論、この磁気記録媒体の構成は、上述の
構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコート層
を形成したり、ベースフィルム表面に下塗層を形成した
り、或いは潤滑剤層、防錆剤層等の各種機能層を形成す
ることは何等差支えない。この場合、バックコート層に
含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤、或いは潤滑剤層、防
錆剤層に含まれる材料としては従来公知のものがいずれ
も使用可能である。
Of course, the structure of this magnetic recording medium is not limited to the above-mentioned structure, but may be changed without departing from the scope of the present invention, for example, a back coat layer may be formed or a base may be formed if necessary. There is no problem in forming an undercoat layer on the film surface or forming various functional layers such as a lubricant layer and a rust preventive agent layer. In this case, as the material contained in the non-magnetic pigment, the resin binder, or the lubricant layer or the rust preventive layer contained in the back coat layer, any conventionally known material can be used.

【0020】なお、上記連続基板としては、非磁性材料
からなる非磁性支持体が使用可能とされ、この種の磁気
記録媒体の基板材料として従来より公知のものがいずれ
も使用可能である。
A non-magnetic support made of a non-magnetic material can be used as the continuous substrate, and any conventionally known substrate material for this type of magnetic recording medium can be used.

【0021】[0021]

【作用】連続基板上に磁性層として形成された金属磁性
薄膜上に保護膜を形成する際に、保護膜の形成方法とし
てプラズマCVD法を採用することにより、比較的高い
成膜速度が確保される。また、上記プラズマCVD法に
おいて、上記連続基板を一対の電極間を複数回走行せし
める、或いは一対の電極間を通したロールの周面に螺旋
状に巻き付けて走行せしめることにより、上記一対の電
極間に基板が連続的に導入される構成とされ、生産性が
向上するとともに、上記電極間に発生した深さ方向のプ
ラズマを利用する構成とされる。
When the protective film is formed on the metallic magnetic thin film formed as the magnetic layer on the continuous substrate, the plasma CVD method is adopted as the method for forming the protective film, so that a relatively high film forming rate is secured. It Further, in the plasma CVD method, the continuous substrate is caused to travel a plurality of times between a pair of electrodes, or is wound around a circumferential surface of a roll passing between the pair of electrodes in a spiral shape so that the continuous substrate travels between the pair of electrodes. The substrate is continuously introduced into the substrate, the productivity is improved, and the plasma generated in the depth direction between the electrodes is used.

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面や実験結果をもとに詳細に説明する。実施例1 本実施例は、ベースフィルム上に金属磁性薄膜を蒸着形
成した後、前記ベースフィルムを一対の電極間を複数回
走行させながらプラズマCVDを行って、上記金属磁性
薄膜上に保護膜としてカーボン膜を成膜した例である。
EXAMPLES Specific examples to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings and experimental results. Example 1 In this example, a metal magnetic thin film was formed by vapor deposition on a base film, and then plasma CVD was performed while the base film was run between a pair of electrodes a plurality of times to form a protective film on the metal magnetic thin film. This is an example of forming a carbon film.

【0023】先ず、本実施例において使用した真空蒸着
装置の構成について説明する。図1に示すように、この
真空蒸着装置においては、頭部と底部にそれぞれ設けら
れた排気口15,15から排気されて内部が真空状態と
なされた真空室1内に、図中反時計廻り方向に定速回転
する送りロール3と、図中時計廻り方向に定速回転する
巻取りロール4とが配設されており、これら送りロール
3から巻取りロール4に向かってテープ状のベースフィ
ルム2が順次走行されるようになされている。
First, the structure of the vacuum vapor deposition apparatus used in this embodiment will be described. As shown in FIG. 1, in this vacuum vapor deposition apparatus, a counterclockwise rotation is made in a vacuum chamber 1 which is evacuated from the exhaust ports 15 and 15 provided at the head and the bottom to make the inside a vacuum state. A feed roll 3 that rotates at a constant speed in the direction and a winding roll 4 that rotates at a constant speed in the clockwise direction in the drawing are provided. A tape-shaped base film from the feed roll 3 toward the winding roll 4. 2 are run sequentially.

【0024】これら送りロール3から巻取りロール4側
に上記ベースフィルム2が走行する中途部には、上記各
ロール3,4よりも大径となされた冷却キャン5が配設
されている。この冷却キャン5は、上記ベースフィルム
2を図中下方に引き出すように設けられ、図中時計廻り
方向に定速回転する構成とされる。また、この冷却キャ
ン5には、内部に冷却装置(図示せず。)が設けられて
おり、上記ベースフィルム2の温度上昇による変形等を
抑制し得るようになされている。
A cooling can 5 having a diameter larger than that of each of the rolls 3 and 4 is disposed in the middle of the traveling of the base film 2 from the feed roll 3 to the winding roll 4 side. The cooling can 5 is provided so as to draw the base film 2 downward in the figure, and is configured to rotate at a constant speed in the clockwise direction in the figure. In addition, a cooling device (not shown) is provided inside the cooling can 5 so as to suppress deformation of the base film 2 due to temperature rise.

【0025】なお、上記送りロール3、巻取りロール4
及び冷却キャン5は、それぞれ上記ベースフィルム2の
幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。
The feed roll 3 and the take-up roll 4 are as described above.
The cooling can 5 and the cooling can 5 each have a cylindrical shape having a length substantially the same as the width of the base film 2.

【0026】従って、上記ベースフィルム2は、上記送
りロール3から順次送り出され、上記冷却キャン5の周
面に沿って移動走行され、更に上記巻取りロール4に順
次巻き取られていくようになされている。また、上記送
りロール3と上記冷却キャン5との間、及び該冷却キャ
ン5と上記巻取りロール4との間には、各ロール3,4
より小径のガイドロール6,7がそれぞれ配設され、上
記送りロール3から上記冷却キャン5、該冷却キャン5
から上記巻取りロール4に亘って走行する上記ベースフ
ィルム2に所定のテンションをかけ、該ベースフィルム
2が円滑に走行するようになされている。
Therefore, the base film 2 is sequentially fed from the feed roll 3, moved and run along the peripheral surface of the cooling can 5, and further wound on the winding roll 4 in sequence. ing. The rolls 3 and 4 are provided between the feed roll 3 and the cooling can 5 and between the cooling can 5 and the take-up roll 4.
Guide rolls 6 and 7 each having a smaller diameter are provided, and the feed roll 3 to the cooling can 5 and the cooling can 5
To a predetermined tension is applied to the base film 2 which runs over the take-up roll 4, so that the base film 2 runs smoothly.

【0027】また、上記真空室1内には、上記冷却キャ
ン5の下方にルツボ8が配設され、このルツボ8内に強
磁性金属材料9が充填されている。上記ルツボ8は、上
記冷却キャン5の幅と略同一の幅を有してなる。
In the vacuum chamber 1, a crucible 8 is arranged below the cooling can 5, and the crucible 8 is filled with a ferromagnetic metal material 9. The crucible 8 has a width substantially the same as the width of the cooling can 5.

【0028】一方、上記真空室1の側壁部には、上記ル
ツボ8内に充填された強磁性金属材料9を加熱蒸発させ
るための電子銃10が取り付けられる。この電子銃10
は、該電子銃10より放出される電子ビームXが上記ル
ツボ8内の強磁性金属材料9に照射されるような位置に
配設される。そして、この電子銃10によって加熱蒸発
せしめられた上記強磁性金属材料9が上記冷却キャン5
の周面を定速走行するベースフィルム2上に蒸着され、
磁性層である金属磁性薄膜が形成されるようになってい
る。
On the other hand, an electron gun 10 for heating and evaporating the ferromagnetic metal material 9 filled in the crucible 8 is attached to the side wall of the vacuum chamber 1. This electron gun 10
Is arranged at a position where the ferromagnetic metal material 9 in the crucible 8 is irradiated with the electron beam X emitted from the electron gun 10. The ferromagnetic metal material 9 heated and evaporated by the electron gun 10 is cooled by the cooling can 5.
Is vapor-deposited on the base film 2 which runs at a constant speed on the peripheral surface of
A metal magnetic thin film, which is a magnetic layer, is formed.

【0029】また、上記冷却キャン5と上記ルツボ6と
の間であって該冷却キャン5の近傍には、シャッタ13
が配設される。このシャッタ13は、上記冷却キャン5
の周面に沿って定速走行するベースフィルム2の所定領
域を覆うかたちで形成され、該ベースフィルム2の表面
に対する上記強磁性金属材料9の入射方向を制御するよ
うになされている。即ち、蒸発せしめられた上記強磁性
金属材料9は、上記シャッタ13の送りロール3側の端
部によって上記ベースフィルム2の表面に対する最低入
射角θ1 が規制され、所定の角度範囲θ2 〜θ1 で斜め
に蒸着される。
A shutter 13 is provided between the cooling can 5 and the crucible 6 and near the cooling can 5.
Is provided. This shutter 13 has the cooling can 5 described above.
It is formed so as to cover a predetermined region of the base film 2 which runs at a constant speed along the peripheral surface of the base film 2, and controls the incident direction of the ferromagnetic metal material 9 to the surface of the base film 2. That is, in the evaporated ferromagnetic metal material 9, the minimum incident angle θ 1 with respect to the surface of the base film 2 is regulated by the end of the shutter 13 on the feed roll 3 side, and a predetermined angle range θ 2 to θ. 1 is obliquely evaporated.

【0030】更に、このような蒸着に際し、上記真空室
1の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口14を
介して上記ベースフィルム2の表面付近に酸素ガスが供
給されており、得られる金属磁性薄膜の磁気特性、耐久
性及び耐候性の向上が図られている。
Further, during such vapor deposition, oxygen gas is supplied to the vicinity of the surface of the base film 2 through an oxygen gas inlet 14 provided through the side wall of the vacuum chamber 1 and obtained. The magnetic properties, durability and weather resistance of the metal magnetic thin film have been improved.

【0031】この真空蒸着は、上記真空室1内の真空度
を例えば1×10-4Torrに保持するとともに、この
真空室1内に上記酸素ガス導入口14より酸素ガスを例
えば250cc/分の割合で導入しながら行う。この場
合、上記ベースフィルム2に対する上記強磁性金属材料
9の入射角は、45〜90°の範囲とする。また、磁性
層とされる金属磁性薄膜は、上記冷却キャン5にて例え
ば2000Å厚に蒸着形成される。なお、上記強磁性金
属材料9として用いられるインゴットの組成は、例えば
Co80Ni20(数値は重量%を表す。)である。
In this vacuum deposition, the degree of vacuum in the vacuum chamber 1 is maintained at, for example, 1 × 10 -4 Torr, and the oxygen gas is introduced into the vacuum chamber 1 through the oxygen gas inlet 14 at, for example, 250 cc / min. Introduced in proportion. In this case, the incident angle of the ferromagnetic metal material 9 with respect to the base film 2 is in the range of 45 to 90 °. Further, the metal magnetic thin film serving as the magnetic layer is formed by vapor deposition in the cooling can 5 to have a thickness of 2000 liters, for example. The composition of the ingot used as the ferromagnetic metal material 9 is, for example, Co 80 Ni 20 (numerical values represent% by weight).

【0032】次に、本実施例において使用した平行平板
型プラズマCVD装置の構成について説明する。図2に
示すように、このプラズマCVD装置装置においては、
側壁部に設けられた排気口29から排気されて内部が真
空状態となされた真空室21内に、図中反時計廻り方向
に定速回転する送りロール23aと巻取りロール23b
とが配設されており、これら送りロール23aから巻取
りロール23bに向かって上述のように真空蒸着法によ
り金属磁性薄膜が形成されたテープ状のベースフィルム
22が順次走行されるようになされている。
Next, the structure of the parallel plate type plasma CVD apparatus used in this embodiment will be described. As shown in FIG. 2, in this plasma CVD apparatus,
A feed roll 23a and a take-up roll 23b, which are rotated at a constant speed in the counterclockwise direction in the figure, are placed in a vacuum chamber 21 which has been evacuated from an exhaust port 29 provided in the side wall and has a vacuum inside.
And the tape-shaped base film 22 on which the metal magnetic thin film is formed by the vacuum evaporation method as described above is sequentially run from the feed roll 23a to the winding roll 23b. There is.

【0033】これら送りロール23aから巻取りロール
23b側に上記ベースフィルム22が走行する中途部に
は、図中時計廻り方向に定速回転する中間ロール24が
配設されている。この中間ロール24は、上記ベースフ
ィルム22を図中側方に引き出すように設けられ、該中
間ロール24を通過した上記ベースフィルム22が走行
方向を反転して折り返し走行をするような構成とされ
る。
An intermediate roll 24, which rotates at a constant speed in the clockwise direction in the figure, is arranged in the middle of the base film 22 running from the feed roll 23a to the take-up roll 23b. The intermediate roll 24 is provided so as to pull out the base film 22 laterally in the drawing, and the base film 22 that has passed through the intermediate roll 24 reverses the traveling direction and travels back. .

【0034】なお、上記送りロール23a、巻取りロー
ル23b及び中間ロール24は、それぞれ上記ベースフ
ィルム22の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすもの
である。
The feed roll 23a, the take-up roll 23b and the intermediate roll 24 each have a cylindrical shape having a length substantially the same as the width of the base film 22.

【0035】従って、上記ベースフィルム22は、上記
送りロール23aから順次送り出され、上記真空室21
内の略中央部を図中横方向の一方向に向かって移動走行
され、上記中間ロール24の周面を通過して折り返し走
行をし、更に上記巻取りロール23bに順次巻き取られ
ていくようになされている。また、上記送りロール23
aと上記中間ロール24との間、及び該中間ロール24
と上記巻取りロール23bとの間には、上記送りロール
23a及び巻取りロール23bより小径で、且つ上記中
間ロール24と同じ径を有するガイドロール28a,2
8bがそれぞれ配設され、上記送りロール23aから上
記中間ロール24、該中間ロール24から上記巻取りロ
ール23bに亘って走行する上記ベースフィルム22に
所定のテンションをかけ、該ベースフィルム22が円滑
に走行するようになされている。
Therefore, the base film 22 is sequentially fed from the feed roll 23a, and the vacuum chamber 21
Around the central portion of the inside of the drawing, it travels and travels in one lateral direction in the drawing, passes through the peripheral surface of the intermediate roll 24, runs back, and is further wound by the winding roll 23b in sequence. Has been done. In addition, the feed roll 23
a and the intermediate roll 24, and the intermediate roll 24
Between the feed roll 23a and the take-up roll 23b, the guide rolls 28a, 2 having a smaller diameter than the feed roll 23a and the take-up roll 23b and the same diameter as the intermediate roll 24.
8b are provided respectively, and a predetermined tension is applied to the base film 22 that runs from the feed roll 23a to the intermediate roll 24 and from the intermediate roll 24 to the winding roll 23b, so that the base film 22 smoothly moves. It is designed to run.

【0036】一方、上記真空室21内には、上記ガイド
ロール28a,28bと上記中間ロール24間を往復走
行する上記ベースフィルム22を挟んで一対の平行平板
電極25a,25bが図中上下方向に対向配設される。
このうち、一方の電極25aは接地され、他方の電極2
5bは十分に接地された高周波電源27と接続されてお
り、この高周波電源27により上記電極25bに所定の
電圧を印加することによって上記電極25a,25b間
にプラズマが発生するようになされている。この電極2
5a,25bは、ガイドロール28a,28bと上記中
間ロール24間を往復走行する上記ベースフィルム22
と平行に配設される。
On the other hand, in the vacuum chamber 21, a pair of parallel plate electrodes 25a, 25b are sandwiched between the guide rolls 28a, 28b and the intermediate roll 24 so as to sandwich the base film 22 therebetween in the vertical direction in the figure. It is arranged to face each other.
Of these, one electrode 25a is grounded and the other electrode 2
5b is connected to a sufficiently grounded high frequency power source 27, and by applying a predetermined voltage to the electrode 25b by the high frequency power source 27, plasma is generated between the electrodes 25a and 25b. This electrode 2
5a and 25b are the base films 22 that travel back and forth between the guide rolls 28a and 28b and the intermediate roll 24.
Is arranged in parallel with.

【0037】従って、上記ベースフィルム22は、上記
電極25a,25b間を2回走行するようになされてお
り、上記ガイドロール28a,28bと上記中間ロール
24間を往復走行する間に保護膜が形成されるようにな
されている。このように、上記ベースフィルム22が上
記電極25a,25b間を複数回通過する構成とするこ
とにより、上記電極25a,25b間に発生した深さ方
向のプラズマを利用することができ、プラズマの使用効
率の向上が図られる。
Therefore, the base film 22 is designed to run twice between the electrodes 25a and 25b, and a protective film is formed while running back and forth between the guide rolls 28a and 28b and the intermediate roll 24. It is designed to be done. As described above, by configuring the base film 22 to pass between the electrodes 25a and 25b a plurality of times, the plasma in the depth direction generated between the electrodes 25a and 25b can be utilized, and the use of plasma The efficiency is improved.

【0038】なお、このようなプラズマCVDに際し、
上記真空室21の側壁部を貫通して設けられるガス導入
口26を介して上記中間ロール24の周面を通過する上
記ベースフィルム22の表面付近に原料気体が供給され
ており、所定の雰囲気に調節されている。
When performing such plasma CVD,
A raw material gas is supplied to the vicinity of the surface of the base film 22 that passes through the peripheral surface of the intermediate roll 24 through a gas introduction port 26 that penetrates through the side wall of the vacuum chamber 21, and a predetermined atmosphere is created. Is being adjusted.

【0039】そこで、以上のような構成を有する真空蒸
着装置及びプラズマCVD装置をそれぞれ使用し、下塗
りが施されたベースフィルム上に、酸素ガス雰囲気中で
Co─Ni合金を斜め蒸着し、膜厚0.2μmの金属磁
性薄膜を磁性層として蒸着形成した後、この金属磁性薄
膜上にカーボンを被着せしめ、膜厚が15nmとなるよ
うに保護膜を形成した。更に、これにバックコート、ト
ップコートを施して所定のテープ幅に裁断してサンプル
テープを得た。本実施例では、保護膜の形成によって劣
化する電磁変換特性を改善する目的(スペーシングロス
を小さくする目的)で、下塗り時の乾燥条件を適宜調節
し、下塗りが施されたベースフィルムの表面性を制御し
た。なお、このサンプルテープの作製条件は、下記に示
す通りである。
Then, using the vacuum vapor deposition apparatus and the plasma CVD apparatus having the above-mentioned constitutions respectively, the Co—Ni alloy is obliquely vapor-deposited in the oxygen gas atmosphere on the undercoated base film to obtain the film thickness. After depositing a metal magnetic thin film of 0.2 μm as a magnetic layer by vapor deposition, carbon was deposited on this metal magnetic thin film to form a protective film having a thickness of 15 nm. Further, a back coat and a top coat were applied to this and cut into a predetermined tape width to obtain a sample tape. In this example, in order to improve the electromagnetic conversion characteristics deteriorated by the formation of the protective film (to reduce the spacing loss), the drying conditions at the time of undercoating were appropriately adjusted, and the surface properties of the undercoated base film were adjusted. Controlled. The production conditions for this sample tape are as shown below.

【0040】〈サンプルテープの作製条件〉 ベースフィルムの材質 : ポリエチレンテレフタレー
ト ベースフィルムの膜厚 : 10μm ベースフィルムの幅 : 150mm 下塗り : アクリルエステルを主成分
とする水溶性ラテックスを塗布(表面突起密度 約1000
万個/mm2) バックコート : カーボン及びウレタンバイ
ンダーを混合したものを0.6μm厚に塗布 トップコート : パーフルオロポリエーテル
を塗布 スリット幅 : 8mm 保護膜の成膜方法 : 平行平板型プラズマCVD
法 保護膜成膜時の使用ガス: エチレン 保護膜成膜時の真空度 : 7〜9Pa
<Production conditions of sample tape> Base film material: polyethylene terephthalate Base film thickness: 10 μm Base film width: 150 mm Undercoat: Water-soluble latex containing acrylic ester as a main component (surface protrusion density of about 1000)
10,000 pieces / mm 2 ) Backcoat: Applying a mixture of carbon and urethane binder to a thickness of 0.6 μm Topcoat: Applying perfluoropolyether Slit width: 8 mm Protective film formation method: Parallel plate plasma CVD
Method Gas used for forming protective film: ethylene Vacuum degree for forming protective film: 7 to 9 Pa

【0041】実施例2 本実施例は、ベースフィルム上に上記実施例1と同様に
して金属磁性薄膜を蒸着形成した後、図3に示す平行平
板型プラズマCVD装置を用い、上記ベースフィルムを
一対の電極間を2回往復走行(計4回走行)させながら
プラズマCVDを行って、上記金属磁性薄膜上に保護膜
としてカーボン膜を成膜した例である。
Example 2 In this example, a metallic magnetic thin film was formed on a base film by vapor deposition in the same manner as in Example 1 described above, and then a pair of the base films were formed by using a parallel plate type plasma CVD apparatus shown in FIG. In this example, the carbon film is formed as a protective film on the metal magnetic thin film by performing plasma CVD while the electrode is reciprocated twice (four times in total).

【0042】先ず、本実施例で使用したプラズマCVD
装置の構成について説明する。なお、このプラズマCV
D装置は、上記実施例1で使用したプラズマCVD装置
と基本的な構造を同一としており、ここでは同一構成部
材については同じ符号を付して説明を省略した。即ち、
このプラズマCVD装置においては、送りロール23a
から巻取りロール23b側に上記ベースフィルム22が
走行する中途部には、図中時計廻り方向に定速回転する
中間ロール24a,24c及び図中反時計廻り方向に定
速回転する中間ロール24bが配設されている。
First, the plasma CVD used in this embodiment.
The configuration of the device will be described. In addition, this plasma CV
The device D has the same basic structure as the plasma CVD device used in the first embodiment, and the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted. That is,
In this plasma CVD apparatus, the feed roll 23a
The intermediate rolls 24a and 24c, which rotate at a constant speed in the clockwise direction in the figure, and the intermediate roll 24b, which rotates at a constant speed in the counterclockwise direction in the figure, are provided in the middle part where the base film 22 runs from the take-up roll 23b side. It is arranged.

【0043】これら中間ロール24a,24cは、上記
ベースフィルム22を図中右側方に引き出すように設け
られ、上記中間ロール24bは、図中左側方に引き出す
ように設けられ、これら中間ロール24a,24b,2
4cを通過した上記ベースフィルム22が走行方向を反
転して折り返し走行をするような構成とされる。なお、
これら中間ロール24a,24b,24cは、いずれも
上記送りロール23a及び巻取りロール23bと同様に
上記ベースフィルム22の幅と略同じ長さからなる円筒
状をなすものである。
The intermediate rolls 24a and 24c are provided so as to pull out the base film 22 to the right side in the figure, and the intermediate roll 24b is provided so as to be pulled out to the left side in the figure, and these intermediate rolls 24a and 24b are provided. , 2
The base film 22 that has passed 4c is configured so as to reverse the traveling direction and travel back. In addition,
Each of the intermediate rolls 24a, 24b, and 24c has a cylindrical shape having a length substantially the same as the width of the base film 22 like the feed roll 23a and the winding roll 23b.

【0044】従って、上記ベースフィルム22は、上記
送りロール23aから順次送り出され、上記真空室21
内の略中央部を図中横方向の一方向に向かって移動走行
され、上記中間ロール24aの周面を通過して折り返し
走行をした後、上記中間ロール24bの周面を通過して
再度折り返し走行をし、更に上記中間ロール24cの周
面を通過して折り返し走行をして上記電極25a,25
b間を2往復した後、上記巻取りロール23bに順次巻
き取られていくようになされている。
Therefore, the base film 22 is sequentially fed from the feed roll 23a, and the vacuum chamber 21
After traveling around a substantially central portion in one of the lateral directions in the figure, the vehicle passes the peripheral surface of the intermediate roll 24a and turns back, and then passes through the peripheral surface of the intermediate roll 24b and turns back again. The electrodes 25a, 25
After reciprocating twice between b, it is sequentially wound around the winding roll 23b.

【0045】なお、本実施例では、3本の中間ロール2
4a,24b,24cにより上記ベースフィルム22が
上記電極25a,25b間を4回走行せしめられる構成
としたが、これに限られず、中間ロールの本数増やす等
の方法によってベースフィルムが一対の電極間を多数回
走行せしめられるようにしても良い。
In this embodiment, three intermediate rolls 2 are used.
4a, 24b, 24c is configured to allow the base film 22 to travel between the electrodes 25a, 25b four times, but the invention is not limited to this, and the base film may be formed between the pair of electrodes by a method such as increasing the number of intermediate rolls. You may make it run many times.

【0046】そこで、上記実施例1と同一真空蒸着装置
及び上述の構成を有するプラズマCVD装置をそれぞれ
使用し、上記実施例1と同じ作製条件にてサンプルテー
プを得た。
Therefore, a sample tape was obtained under the same manufacturing conditions as in Example 1 using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 and the plasma CVD apparatus having the above-described structure.

【0047】実施例3 本実施例は、ベースフィルム上に上記実施例1と同様に
して金属磁性薄膜を蒸着形成した後、図4に示す平行平
板型プラズマCVD装置を用い、上記ベースフィルムを
該ベースフィルムの走行方向に対して電場発生方向が直
交する方向に配設された一対の電極間を2回走行させな
がらプラズマCVDを行って、上記金属磁性薄膜上に保
護膜としてカーボン膜を成膜した例である。
Example 3 In this example, a metal magnetic thin film was formed on a base film by vapor deposition in the same manner as in Example 1, and then the above-mentioned base film was formed by using a parallel plate type plasma CVD apparatus shown in FIG. Plasma CVD is performed while traveling twice between a pair of electrodes arranged in a direction in which the electric field generation direction is orthogonal to the traveling direction of the base film, and a carbon film is formed as a protective film on the metal magnetic thin film. It is an example.

【0048】先ず、本実施例で使用したプラズマCVD
装置の構成について説明する。なお、このプラズマCV
D装置は、上記実施例1で使用したプラズマCVD装置
と基本的な構造を同一としており、ここでは同一構成部
材については同じ符号を付して説明を省略した。
First, the plasma CVD used in this embodiment.
The configuration of the device will be described. In addition, this plasma CV
The device D has the same basic structure as the plasma CVD device used in the first embodiment, and the same components are designated by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

【0049】即ち、このプラズマCVD装置において
は、上記真空室21内に、上記ガイドロール28a,2
8bと上記中間ロール24間を往復走行する上記ベース
フィルム22を挟んで一対の平行平板電極30a,30
bが対向配設される。これら電極30a,30bは、高
周波電源27と接続されており、この高周波電源27に
より上記電極30a,30b間に所定の電圧を印加する
ことによってプラズマが発生するようになされている。
この電極30a,30bは、ガイドロール28a,28
bと上記中間ロール24間を往復走行する上記ベースフ
ィルム22の幅方向と平行に、即ち上記ベースフィルム
22の走行方向に対して電場発生方向が直交する方向に
配設される。
That is, in this plasma CVD apparatus, the guide rolls 28a, 2 are provided in the vacuum chamber 21.
8b and the intermediate roll 24, the pair of parallel plate electrodes 30a, 30 sandwiching the base film 22 that reciprocates.
b is arranged to face each other. These electrodes 30a and 30b are connected to a high frequency power source 27, and a plasma is generated by applying a predetermined voltage between the electrodes 30a and 30b by the high frequency power source 27.
The electrodes 30a, 30b are connected to the guide rolls 28a, 28
It is arranged in parallel with the width direction of the base film 22 that travels back and forth between b and the intermediate roll 24, that is, in the direction in which the electric field generation direction is orthogonal to the running direction of the base film 22.

【0050】そこで、上記実施例1と同一真空蒸着装置
及び上述の構成を有するプラズマCVD装置をそれぞれ
使用し、上記実施例1と同じ作製条件にてサンプルテー
プを得た。
Therefore, a sample tape was obtained under the same manufacturing conditions as in Example 1 using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 and the plasma CVD apparatus having the above-described structure.

【0051】実施例4 本実施例は、ベースフィルム上に上記実施例1と同様に
して金属磁性薄膜を蒸着形成した後、上記ベースフィル
ムを一対の電極間を通したロールの周面に螺旋状に巻き
付けて走行させながらプラズマCVDを行って、上記金
属磁性薄膜上に保護膜としてカーボン膜を成膜した例で
ある。
Example 4 In this example, a metal magnetic thin film was formed on a base film by vapor deposition in the same manner as in Example 1, and then the base film was spirally formed on the peripheral surface of a roll which passed between a pair of electrodes. In this example, the carbon film is formed as a protective film on the metal magnetic thin film by performing plasma CVD while winding and running.

【0052】先ず、本実施例で使用した平行平板型プラ
ズマCVD装置の構成について説明する。図5に示すよ
うに、このプラズマCVD装置装置においては、側壁部
に設けられた排気口99から排気されて内部が真空状態
となされた真空室91内に、図中時計廻り方向に定速回
転する送りロール93aと巻取りロール93bとが対角
線上に配設されており、これら送りロール93aから巻
取りロール93bに向かって上述のように真空蒸着法に
より金属磁性薄膜が形成されたテープ状のベースフィル
ム92が順次走行されるようになされている。
First, the structure of the parallel plate type plasma CVD apparatus used in this embodiment will be described. As shown in FIG. 5, in this plasma CVD apparatus, the inside of the vacuum chamber 91 is evacuated from the exhaust port 99 provided in the side wall and is kept in a vacuum state. The feed roll 93a and the take-up roll 93b are arranged on a diagonal line, and the tape-like tape is formed from the feed roll 93a toward the take-up roll 93b on which the metal magnetic thin film is formed by the vacuum deposition method as described above. The base film 92 is designed to run sequentially.

【0053】これら送りロール93aから巻取りロール
93b側に上記ベースフィルム92が走行する中途部に
は、図中時計廻り方向に定速回転する回転ロール94が
配設されている。この回転ロール94は、上記ベースフ
ィルム92を図中略中心部に引き出すように設けられ、
該回転ロール94の周面に上記ベースフィルム92が重
なり合わないように螺旋状に巻き付けられて走行するよ
うな構成となされている。
A rotating roll 94, which rotates at a constant speed in the clockwise direction in the figure, is disposed in the middle of the base film 92 running from the feed roll 93a to the take-up roll 93b. The rotating roll 94 is provided so as to pull out the base film 92 to a substantially central portion in the drawing,
The base film 92 is spirally wound around the rotating roll 94 so that the base film 92 does not overlap with the base film 92, and the base film 92 runs.

【0054】従って、上記ベースフィルム92は、上記
送りロール93aから順次送り出され、上記回転ロール
94の周面で支持され移動走行せしめられて、更に上記
巻取りロール93bに順次巻き取られていくようになさ
れている。なお、ここでは、上記回転ロール94の直径
は、10cmとした。一方、上記真空室91内には、上
記ベースフィルム92が螺旋状に巻き付けられた回転ロ
ール94を挟んで一対の平行平板電極95a,95bが
図中上下方向に対向配設される。このうち、一方の電極
95aは接地され、他方の電極95bは十分に接地され
た高周波電源97と接続されており、この高周波電源9
7により上記電極95bに所定の電圧を印加することに
よって上記電極95a,95b間にプラズマが発生する
ようになされている。これら電極95a,95bは、該
電極95a,95b間におけるプラズマの発生方向と上
記回転ロール94の軸方向が直交するように配設され
る。
Therefore, the base film 92 is sequentially fed out from the feed roll 93a, supported by the peripheral surface of the rotary roll 94, moved and run, and further taken up by the take-up roll 93b. Has been done. Here, the diameter of the rotating roll 94 was 10 cm. On the other hand, in the vacuum chamber 91, a pair of parallel plate electrodes 95a and 95b are arranged so as to face each other in the vertical direction in the figure with a rotating roll 94 around which the base film 92 is spirally wound between them. Of these, one electrode 95a is grounded and the other electrode 95b is connected to a sufficiently grounded high frequency power source 97.
By applying a predetermined voltage to the electrode 95b by means of 7, plasma is generated between the electrodes 95a and 95b. The electrodes 95a and 95b are arranged so that the plasma generation direction between the electrodes 95a and 95b and the axial direction of the rotating roll 94 are orthogonal to each other.

【0055】従って、上記ベースフィルム92は、上記
電極95a,95b間を通した上記回転ロール94の周
面で支持され走行するようになされており、該回転ロー
ル94の周面を通過する間に保護膜が形成されるように
なされている。このように、上記ベースフィルム92が
上記回転ロール94の周面に沿って移動する構成とする
ことにより、上記実施例1と同様の効果が得られる。
Therefore, the base film 92 is adapted to run while being supported by the peripheral surface of the rotating roll 94 passing between the electrodes 95a and 95b, and while passing through the peripheral surface of the rotating roll 94. A protective film is formed. In this way, by adopting a configuration in which the base film 92 moves along the peripheral surface of the rotating roll 94, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0056】なお、このようなプラズマCVDに際し、
上記真空室91の側壁部を貫通して設けられるガス導入
口96を介して上記回転ロール94の周面を通過する上
記ベースフィルム92の表面付近に原料気体が供給され
ており、所定の雰囲気に調節されている。
When performing such plasma CVD,
A raw material gas is supplied to the vicinity of the surface of the base film 92 passing through the peripheral surface of the rotating roll 94 through a gas inlet 96 provided through the side wall of the vacuum chamber 91, and a predetermined atmosphere is created. Is being adjusted.

【0057】そこで、上記実施例1と同一真空蒸着装置
及び上述の構成を有するプラズマCVD装置をそれぞれ
使用し、上記実施例1と同じ作製条件にてサンプルテー
プを得た。
Therefore, a sample tape was obtained under the same manufacturing conditions as in Example 1 using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 and the plasma CVD apparatus having the above configuration.

【0058】実施例5 本実施例は、ベースフィルム上に上記実施例1と同様に
して金属磁性薄膜を蒸着形成した後、上記高周波電源に
接続された放電用コイルが巻き付けられた円筒型プラズ
マ生成室の中心軸上に回転ロールを配設し、該回転ロー
ルの周面に上記ベースフィルムを螺旋状に巻き付けて走
行させながらプラズマCVDを行って、上記金属磁性薄
膜上に保護膜としてカーボン膜を成膜した例である。
Example 5 In this example, a metallic magnetic thin film was formed by vapor deposition on a base film in the same manner as in Example 1, and then a cylindrical plasma generation in which a discharge coil connected to the high frequency power source was wound. A rotating roll is arranged on the central axis of the chamber, plasma CVD is performed while the base film is spirally wound around the rotating roll and running, and a carbon film is formed on the metal magnetic thin film as a protective film. This is an example of film formation.

【0059】先ず、本実施例で使用した平行平板型プラ
ズマCVD装置の構成について説明する。図6に示すよ
うに、このプラズマCVD装置装置においては、側壁部
に設けられた排気口109から排気されて内部が真空状
態となされた真空室101内に、図中時計廻り方向に定
速回転する送りロール103aと巻取りロール103b
とが対角線上に配設されており、これら送りロール10
3aから巻取りロール103bに向かって上述のように
真空蒸着法により金属磁性薄膜が形成されたテープ状の
ベースフィルム102が順次走行されるようになされて
いる。
First, the structure of the parallel plate type plasma CVD apparatus used in this embodiment will be described. As shown in FIG. 6, in this plasma CVD apparatus, a constant speed rotation is performed in a clockwise direction in the drawing in a vacuum chamber 101 which has been evacuated from an exhaust port 109 provided in a side wall portion and has a vacuum inside. Feed roll 103a and take-up roll 103b
And are arranged on a diagonal line, and these feed rolls 10
The tape-shaped base film 102 on which the metal magnetic thin film is formed by the vacuum evaporation method as described above is sequentially run from 3a toward the winding roll 103b.

【0060】これら送りロール103aから巻取りロー
ル103b側に上記ベースフィルム102が走行する中
途部には、図中時計廻り方向に定速回転する回転ロール
104が配設されている。この回転ロール104は、上
記実施例4において使用したプラズマCVD装置の回転
ロール94と同じ構成を有するものであり、ここでは詳
説を省略する。
A rotating roll 104, which rotates at a constant speed in the clockwise direction in the figure, is disposed in the middle of the base film 102 running from the feed roll 103a to the take-up roll 103b. The rotary roll 104 has the same structure as the rotary roll 94 of the plasma CVD apparatus used in the above-described fourth embodiment, and a detailed description thereof will be omitted here.

【0061】なお、ここでは、上記回転ロール104の
直径は、10cmとした。
Here, the diameter of the rotating roll 104 was 10 cm.

【0062】一方、上記真空室101内には、上記回転
ロール104の周囲で且つ該回転ロール104と同一中
心軸上に放電用コイル110が巻き付けられた円筒型の
プラズマ生成室100が配設される。即ち、このプラズ
マ生成室100の中心部を通って上記回転ロール104
が配設されるかたちとなる。上記放電用コイル110
は、高周波電源107と接続されており、この高周波電
源107により上記放電用コイル110に所定の電圧を
印加することによって上記プラズマ生成室100内にプ
ラズマが発生するようになされている。
On the other hand, in the vacuum chamber 101, a cylindrical plasma generating chamber 100 is arranged around the rotating roll 104 and on the same central axis as the rotating roll 104, around which the discharge coil 110 is wound. It That is, the rotating roll 104 passes through the center of the plasma generation chamber 100.
Will be arranged. The discharge coil 110
Is connected to a high frequency power source 107, and by applying a predetermined voltage to the discharge coil 110 by the high frequency power source 107, plasma is generated in the plasma generation chamber 100.

【0063】従って、上記ベースフィルム102は、上
記プラズマ生成室100の中心部を通した上記回転ロー
ル104の周面で支持され走行するようになされてお
り、上記プラズマ生成室100内を通過する間に保護膜
が形成されるようになされている。このように、上記ベ
ースフィルム102が上記回転ロール104の周面に沿
って移動する構成とすることにより、上記実施例1と同
様の効果が得られる。
Therefore, the base film 102 is adapted to run while being supported by the peripheral surface of the rotating roll 104 passing through the central portion of the plasma generating chamber 100, while passing through the plasma generating chamber 100. A protective film is formed on. In this way, by adopting a configuration in which the base film 102 moves along the peripheral surface of the rotating roll 104, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

【0064】なお、このようなプラズマCVDに際し、
上記真空室101の側壁部を貫通して設けられるガス導
入口106を介して上記回転ロール104の周面を通過
する上記ベースフィルム102の表面付近に原料気体が
供給されており、所定の雰囲気に調節されている。
When performing such plasma CVD,
The raw material gas is supplied to the vicinity of the surface of the base film 102 passing through the peripheral surface of the rotating roll 104 through a gas inlet 106 provided through the side wall of the vacuum chamber 101, and a predetermined atmosphere is created. Is being adjusted.

【0065】そこで、上記実施例1と同一真空蒸着装置
及び上述の構成を有するプラズマCVD装置をそれぞれ
使用し、上記実施例1と同じ作製条件にてサンプルテー
プを得た。
Therefore, a sample tape was obtained under the same manufacturing conditions as in Example 1 using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 and the plasma CVD apparatus having the above configuration.

【0066】比較例1 上記実施例1と同一真空蒸着装置を使用し、上記実施例
1と同じ作製条件にてベースフィルム上に金属磁性薄膜
を蒸着形成し、保護膜が形成されていないサンプルテー
プを作製した。
Comparative Example 1 A sample tape in which a metal magnetic thin film was vapor-deposited and formed on a base film under the same production conditions as in Example 1 using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 above, and a protective film was not formed. Was produced.

【0067】比較例2 上記実施例1と同一真空蒸着装置を使用し、ベースフィ
ルム上に金属磁性薄膜を蒸着形成した後、この金属磁性
薄膜上に図7に示すスパッタ装置を用いてスパッタリン
グによりカーボン保護膜を形成した以外は、上記実施例
1と同じ作製条件にてサンプルテープを作製した。
Comparative Example 2 Using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 above, a metal magnetic thin film was formed by vapor deposition on a base film, and then carbon was sputtered on the metal magnetic thin film using the sputtering apparatus shown in FIG. A sample tape was produced under the same production conditions as in Example 1 except that the protective film was formed.

【0068】上記スパッタ装置の構成は、以下の通りで
ある。図7に示すように、上記スパッタ装置において
は、側壁部に設けられた排気口119から排気されて内
部が真空状態となされた真空室111内に、送りロール
113aと巻取りロール113bとが配設されており、
これら送りロール113aから巻取りロール113bに
向かってベースフィルム112が順次走行されるように
なされている。
The structure of the sputtering apparatus is as follows. As shown in FIG. 7, in the above-described sputtering apparatus, the feed roll 113a and the take-up roll 113b are arranged in a vacuum chamber 111 which is evacuated from an exhaust port 119 provided in a side wall portion and has a vacuum inside. Has been set up,
The base film 112 is sequentially run from the feed roll 113a toward the winding roll 113b.

【0069】なお、上記送りロール113aと上記巻取
りロール113bの間には、ガイドロール118a,1
18bがそれぞれ配設され、上記送りロール113aか
ら巻取りロール113bに亘って走行する上記ベースフ
ィルム112に所定のテンションをかけ、該ベースフィ
ルム112が円滑に走行するようになされている。
The guide rolls 118a, 1b are provided between the feed roll 113a and the winding roll 113b.
18b are provided respectively, and a predetermined tension is applied to the base film 112 running from the feeding roll 113a to the winding roll 113b so that the base film 112 runs smoothly.

【0070】一方、上記真空室111内には、上記ベー
スフィルム112の下方に、高周波電源117が接続さ
れたターゲット電極115が配設され、上記送りロール
113aから上記巻取りロール113bに向かって移動
走行する上記ベースフィルム112に対してスパッタリ
ングがなされるような構成とされている。また、上記真
空室111の側壁部を貫通して設けられるガス導入口1
16を介して上記ベースフィルム112と上記ターゲッ
ト電極115間には、スパッタガスが供給される。
On the other hand, in the vacuum chamber 111, a target electrode 115 to which a high frequency power source 117 is connected is disposed below the base film 112, and moves from the feed roll 113a toward the take-up roll 113b. The running base film 112 is configured to be sputtered. In addition, the gas introduction port 1 provided by penetrating the side wall of the vacuum chamber 111.
A sputter gas is supplied between the base film 112 and the target electrode 115 via 16.

【0071】また、このようなスパッタリングの条件を
下記に示す。 〈スパッタリングの条件〉 方式 : 直流マグネトロンスパッタ
リング法 ターゲット材 : カーボン 投入電力 : 5W/cm2 使用ガス : Arガス スパッタ時真空度 : 2Pa 保護膜の膜厚 : 15nm
The conditions for such sputtering are shown below. <Sputtering conditions> Method: DC magnetron sputtering target material: Carbon input power: 5 W / cm 2 Working gas: Ar gas Vacuum degree during sputtering: 2 Pa Protective film thickness: 15 nm

【0072】比較例3 上記実施例1と同一真空蒸着装置を使用し、ベースフィ
ルム上に金属磁性薄膜を蒸着形成した後、この金属磁性
薄膜上に図8に示す従来の平行平板型プラズマCVD装
置を用いて上記実施例1と同じ作製条件でカーボン保護
膜を形成してサンプルテープを得た。
Comparative Example 3 Using the same vacuum vapor deposition apparatus as in Example 1 above, a metal magnetic thin film was formed by vapor deposition on a base film, and then the conventional parallel plate type plasma CVD apparatus shown in FIG. 8 was formed on this metal magnetic thin film. Was used to form a carbon protective film under the same production conditions as in Example 1 above to obtain a sample tape.

【0073】上記プラズマCVD装置の構成は、以下の
通りである。図8に示すように、上記プラズマCVD装
置においては、側壁部に設けられた排気口129から排
気されて内部が真空状態となされた真空室121内に、
送りロール123aと巻取りロール123bとが配設さ
れており、これら送りロール123aから巻取りロール
123bに向かって一方向にベースフィルム122が順
次走行されるようになされている。
The structure of the plasma CVD apparatus is as follows. As shown in FIG. 8, in the plasma CVD apparatus, the inside of the vacuum chamber 121, which is evacuated from the exhaust port 129 provided in the side wall portion to be in a vacuum state,
A feed roll 123a and a take-up roll 123b are provided, and the base film 122 is sequentially run in one direction from the feed roll 123a toward the take-up roll 123b.

【0074】なお、上記送りロール123aと上記巻取
りロール123bの間には、ガイドロール128a,1
28bがそれぞれ配設され、上記送りロール123aか
ら巻取りロール123bに亘って走行する上記ベースフ
ィルム122に所定のテンションをかけ、該ベースフィ
ルム122が円滑に走行するようになされている。
The guide rolls 128a, 1b are provided between the feed roll 123a and the take-up roll 123b.
28b are provided respectively, and a predetermined tension is applied to the base film 122 running from the feed roll 123a to the winding roll 123b so that the base film 122 runs smoothly.

【0075】一方、上記真空室121内には、上記ベー
スフィルム122を挟んで一対の平行平板電極125
a,125bが配設される。このうち、一方の電極12
5aは接地され、該電極125aの表面近傍を上記ベー
スフィルム122が通過するようになされている。ま
た、他方の電極125bは、十分に接地された高周波電
源127と接続され、この高周波電源127に所定の電
圧が印加されることによって上記電極125aとの間に
プラズマが発生されて、プラズマCVDが行われるよう
になされる。
On the other hand, in the vacuum chamber 121, a pair of parallel plate electrodes 125 with the base film 122 sandwiched therebetween.
a and 125b are provided. Of these, one electrode 12
5a is grounded so that the base film 122 passes near the surface of the electrode 125a. The other electrode 125b is connected to a sufficiently grounded high frequency power source 127, and when a predetermined voltage is applied to the high frequency power source 127, plasma is generated between the electrode 125a and the electrode 125a, and plasma CVD is performed. To be done.

【0076】また、上記真空室121の側壁部を貫通し
て設けられるガス導入口126を介して上記電極125
a,125b間には、原料気体が供給される。
Also, the electrode 125 is inserted through a gas inlet 126 provided through the side wall of the vacuum chamber 121.
A raw material gas is supplied between a and 125b.

【0077】以上のようにして各実施例1〜5及び各比
較例1〜3において作製したサンプルテープについて、
スチル耐久性、生産性をそれぞれ調べた。この結果を下
記の表1に示す。なお、スチル耐久性は、ソニー社製の
8mm用VTR(ビデオテープレコーダ),EVS─9
00(商品名)改造機により測定した。
With respect to the sample tapes produced in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 as described above,
Still durability and productivity were examined. The results are shown in Table 1 below. Still durability is 8mm VTR (Video Tape Recorder), EVS-9 manufactured by Sony Corporation.
00 (trade name) was measured by a remodeling machine.

【0078】また、生産性は、保護膜を形成する際に、
得られる保護膜の膜厚が15nmとなるようにした時の
ある程度の生産性を確保するためのベースフィルムの送
り速度により評価した。
Further, the productivity is as follows when the protective film is formed.
The evaluation was made by the feed rate of the base film for securing a certain level of productivity when the thickness of the resulting protective film was set to 15 nm.

【0079】[0079]

【表1】 [Table 1]

【0080】表1に示すように、本実施例では、いずれ
の場合においても保護膜形成時の生産性が飛躍的に向上
しており、スパッタリング法により保護膜を形成した場
合の8倍以上、従来の平行平板型プラズマCVD装置を
用いた場合の2倍となった。また、スチル耐久性に関し
ても、本実施例で作製したサンプルテープは、良好な結
果を示すことが判った。
As shown in Table 1, in each of the present examples, the productivity at the time of forming the protective film was dramatically improved in all cases, and was 8 times or more that in the case of forming the protective film by the sputtering method. This is twice as large as when using a conventional parallel plate plasma CVD apparatus. Also, regarding the still durability, it was found that the sample tape manufactured in this example showed good results.

【0081】以上のような本発明の磁気記録媒体は、次
のようなシステムに適用すると、媒体の表面性の向上に
より優れたスチル耐久性を確保することができ、良好な
結果を期待することができる。
When the magnetic recording medium of the present invention as described above is applied to the following system, it is possible to secure excellent still durability by improving the surface property of the medium and expect good results. You can

【0082】A.記録再生装置の構成 カラービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルVTRとしては、放送局用
のD1フォーマットのコンポーネント形ディジタルVT
R及びD2フォーマットのコンポジット形ディジタルV
TRが実用化されている。
A. Structure of recording / reproducing apparatus As a digital VTR for digitizing a color video signal and recording it on a recording medium such as a magnetic tape, a component type digital VT of a D1 format for a broadcasting station is used.
Composite digital V in R and D2 format
TR has been put to practical use.

【0083】前者のD1フォーマットディジタルVTR
は、輝度信号及び第1,第2の色差信号をそれぞれ1
3.5MHz、6.75MHzのサンプリング周波数で
A/D変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が4:2:2であることから、4:2:
2方式とも称されている。
The former D1 format digital VTR
Is 1 for the luminance signal and the first and second color difference signals.
After A / D conversion at a sampling frequency of 3.5 MHz and 6.75 MHz, a predetermined signal processing is performed and recording is performed on a magnetic tape. Since the sampling frequency of these component components is 4: 2: 2. 4: 2:
It is also called two methods.

【0084】一方、後者のD2フォーマットディジタル
VTRは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の4倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってA/D変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。
On the other hand, in the latter D2 format digital VTR, the composite color video signal is sampled with a signal having a frequency four times the frequency of the color subcarrier signal, A / D converted, and subjected to predetermined signal processing. , I try to record on a magnetic tape.

【0085】いずれにしても、これらのディジタルVT
Rは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、1サンプルが例えば
8ビットにA/D変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばD1フォーマットのディジ
タルVTRでは、大型のカセットテープを使用しても高
々1.5時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のVTRとして使用するには不適当である。
In any case, these digital VTs are
Since R is designed on the premise that both are used for broadcasting stations, image quality is given the highest priority, and a digital color video signal in which one sample is A / D converted into, for example, 8 bits is substantially compressed. It is designed to record without doing anything. Therefore, for example, a D1 format digital VTR can obtain a reproduction time of at most about 1.5 hours even if a large cassette tape is used, which is unsuitable for use as a general domestic VTR.

【0086】そこで、ここでは、例えば5μmのトラッ
ク幅に対して最短波長0.5μmの信号を記録するよう
にし、記録密度4×105 bit/mm2 以上、あるいは
8×105 bit/mm2 以上を実現するとともに、記録
情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方法を併用
することによって、テープ幅が8mmあるいはそれ以下の
幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・再生が可
能なディジタルVTRに適用するものとする。
Therefore, here, for example, a signal having a shortest wavelength of 0.5 μm is recorded for a track width of 5 μm, and the recording density is 4 × 10 5 bit / mm 2 or more, or 8 × 10 5 bit / mm 2 In addition to realizing the above, by using a method that compresses the recorded information in a form that causes little reproduction distortion, recording / reproduction for a long time even when using a narrow magnetic tape with a tape width of 8 mm or less Shall be applied to a digital VTR capable of

【0087】以下、このディジタルVTRの構成につい
て説明する。
The structure of this digital VTR will be described below.

【0088】a.信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルVTRの信号
処理部について説明する。図9は記録側の構成全体を示
すものであり、31Y、31U、31Vでそれぞれ示す
入力端子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信
号R,G,Bから形成されたディジタル輝度信号Y、デ
ィジタル色差信号U、Vが供給される。この場合、各信
号のクロックレートはD1フォーマットの各コンポーネ
ント信号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれ
のサンプリング周波数が13.5MHz、6.75MH
zとされ、且つこれらの1サンプル当たりのビット数が
8ビットとされている。したがって、入力端子31Y、
31U、31Vに供給される信号のデータ量としては、
約216Mbpsとなる。この信号のうちブランキング
時間のデータを除去し、有効領域の情報のみを取り出す
有効情報抽出回路32によってデータ量が約167Mb
psに圧縮される。
A. Signal Processing Unit First, the signal processing unit of the digital VTR used in this embodiment will be described. FIG. 9 shows the entire structure on the recording side. Digital luminance signal Y and digital color difference Y formed from three primary color signals R, G, B from a color video camera, for example, are provided at input terminals indicated by 31Y, 31U and 31V. The signals U and V are supplied. In this case, the clock rate of each signal is the same as the frequency of each component signal of the D1 format. That is, each sampling frequency is 13.5 MHz, 6.75 MH
z, and the number of bits per sample is 8 bits. Therefore, the input terminals 31Y,
As the data amount of signals supplied to 31U and 31V,
It becomes about 216 Mbps. The data amount of about 167 Mb is removed by the effective information extracting circuit 32 which removes the blanking time data from this signal and extracts only the information of the effective area.
Compressed to ps.

【0089】そして、上記有効情報抽出回路32の出力
のうちの輝度信号Yが周波数変換回路33に供給され、
サンプリング周波数が13.5MHzからその3/4に
変換される。周波数変換回路33としては、例えば間引
きフィルタが使用され、折り返し歪みが生じないように
なされている。この周波数変換回路33の出力信号は、
ブロック化回路35に供給され、輝度データの順序がブ
ロックの順序に変換される。ブロック化回路35は、後
段に設けられたブロック符号化回路38のために設けら
れている。
Then, the luminance signal Y of the output of the effective information extraction circuit 32 is supplied to the frequency conversion circuit 33,
The sampling frequency is converted from 13.5 MHz to 3/4 thereof. As the frequency conversion circuit 33, for example, a thinning filter is used so that aliasing distortion does not occur. The output signal of this frequency conversion circuit 33 is
The order of the luminance data supplied to the blocking circuit 35 is converted into the order of blocks. The block forming circuit 35 is provided for the block encoding circuit 38 provided in the subsequent stage.

【0090】図11は、符号化の単位のブロックの構造
を示す。この例は、3次元ブロックであって、例えば2
フレームに跨がる画面を分割することにより、同図に示
すように(4ライン×4画素×2フレーム)の単位ブロ
ックが多数形成される。なお、図11において実線は奇
数フィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドの
ラインを示す。
FIG. 11 shows the structure of a block as a unit of coding. This example is a three-dimensional block, for example, 2
By dividing the screen across the frames, a large number of unit blocks of (4 lines × 4 pixels × 2 frames) are formed as shown in FIG. In addition, in FIG. 11, a solid line indicates an odd field line, and a broken line indicates an even field line.

【0091】また、有効情報抽出回路32の出力のう
ち、2つの色差信号U、Vがサブサンプリング及びサブ
ライン回路34に供給され、サンプリング周波数がそれ
ぞれ6.75MHzからその半分に変換された後、2つ
のディジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、1
チャンネルのデータに合成される。したがって、このサ
ブサンプリング及びサブライン回路34からは線順次化
されたディジタル色差信号が得られる。このサブサンプ
リング及びサブライン回路34によってサブサンプル及
びサブライン化された信号の画素構成を図12に示す。
図12中、○は第1の色差信号Uのサブサンプリング画
素を示し、△は第2の色素信号Vのサンプリング画素を
示し、×はサブサンプルによって間引かれた画素の位置
を示す。
Of the outputs of the effective information extraction circuit 32, two color difference signals U and V are supplied to the sub-sampling and sub-line circuit 34, and the sampling frequency is converted from 6.75 MHz to half thereof, and then 2 One digital color difference signal is selected for each line
It is combined with the channel data. Therefore, a line-sequential digital color difference signal is obtained from the sub-sampling and sub-line circuit 34. FIG. 12 shows the pixel configuration of the signal subsampled and sublined by the subsampling and subline circuit 34.
In FIG. 12, ◯ indicates a sub-sampling pixel of the first color difference signal U, Δ indicates a sampling pixel of the second dye signal V, and x indicates the position of the pixel thinned by the sub-sample.

【0092】上記サブサンプリング及びサブライン回路
34からの線順次化出力信号は、ブロック化回路36に
供給される。ブロック化回路36では一方のブロック化
回路35と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色
差データがブロックの順序のデータに変換される。この
ブロック化回路36は、一方のブロック化回路35と同
様に、色差データを(4ライン×4画素×2フレーム)
のブロック構造に変換する。そしてこれらブロック化回
路35及びブロック化回路36の出力信号が合成回路3
7に供給される。
The line-sequential output signal from the sub-sampling and sub-line circuit 34 is supplied to the blocking circuit 36. Similar to the one blocking circuit 35, the blocking circuit 36 converts color difference data in the scanning order of the television signal into data in the block order. The blocking circuit 36, like the blocking circuit 35 on the one hand, stores the color difference data (4 lines × 4 pixels × 2 frames).
Convert to the block structure of. Then, the output signals of the blocking circuit 35 and the blocking circuit 36 are combined circuits 3
7 is supplied.

【0093】合成回路37では、ブロックの順序に変換
された輝度信号及び色差信号が1チャンネルのデータに
変換され、この合成回路37の出力信号がブロック符号
化回路38に供給される。ブロック符号化回路38とし
ては、後述するようにブロック毎のダイナミックレンジ
に適応した符号化回路(ADRCと称する。)、DCT
(Discrete Cosine Transfor
m)回路等が適用できる。前記ブロック符号化回路38
からの出力信号は、さらにフレーム化回路39に供給さ
れ、フレーム構造のデータに変換される。このフレーム
化回路39では、画素系のクロックと記録系のクロック
との乗り換えが行われる。
In the synthesizing circuit 37, the luminance signal and the color difference signal converted in the order of blocks are converted into 1-channel data, and the output signal of the synthesizing circuit 37 is supplied to the block coding circuit 38. As the block encoding circuit 38, an encoding circuit (referred to as ADRC) adapted to the dynamic range of each block and a DCT as described later.
(Discrete Cosine Transform)
m) A circuit or the like can be applied. The block coding circuit 38
The output signal from is further supplied to the framing circuit 39 and converted into data having a frame structure. In the framing circuit 39, the pixel clock and the recording clock are changed.

【0094】次いで、フレーム化回路39の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路40に供給され、エ
ラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回
路40の出力信号はチャンネルエンコーダ41に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ41
の出力信号が記録アンプ42A,42Bと回転トランス
(図示は省略する。)を介して一対の磁気ヘッド43
A,43Bに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ41に供給される。
Next, the output signal of the framing circuit 39 is supplied to the error correction code parity generation circuit 40, and the error correction code parity is generated. The output signal of the parity generation circuit 40 is supplied to the channel encoder 41, and channel coding is performed so as to reduce the low frequency part of the recorded data. Channel encoder 41
Output signal of the pair of magnetic heads 43 via recording amplifiers 42A and 42B and a rotary transformer (not shown).
It is supplied to A and 43B and recorded on the magnetic tape. The audio signal and the video signal are separately compression-coded and supplied to the channel encoder 41.

【0095】上述の信号処理によって、入力のデータ量
216Mbpsが有効走査期間のみを抽出するによって
約167Mbpsに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが84Mbpsに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路38で
圧縮符号化することにより、約25Mbpsに圧縮さ
れ、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情
報を加えて、記録データ量としては31.56Mbps
となる。
By the above-mentioned signal processing, the input data amount 216 Mbps is reduced to about 167 Mbps by extracting only the effective scanning period, and further it is reduced to 84 Mbps by the frequency conversion, the sub-sample and the sub-line. This data is compressed and coded by the block coding circuit 38 to be compressed to about 25 Mbps, and additional information such as parity and audio signal after that is added, and the recording data amount is 31.56 Mbps.
Becomes

【0096】次に、再生側の構成について図10を参照
しながら説明する。再生の際には、図10に示すよう
に、先ず磁気ヘッド43A,43Bからの再生データが
回転トランス及び再生アンプ44A,44Bを介してチ
ャンネルデコーダ45に供給される。チャンネルデコー
ダ45において、チャンネルコーディングの復調がさ
れ、チャンネルデコーダ45の出力信号がTBC回路
(時間軸補正回路)46に供給される。このTBC回路
46において、再生信号の時間軸変動成分が除去され
る。TBC回路46からの再生データがECC回路47
に供給され、エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラ
ー修整とが行われる。ECC回路47の出力信号がフレ
ーム分解回路48に供給される。
Next, the structure on the reproducing side will be described with reference to FIG. At the time of reproduction, as shown in FIG. 10, first, reproduction data from the magnetic heads 43A and 43B is supplied to the channel decoder 45 via the rotary transformer and the reproduction amplifiers 44A and 44B. The channel decoder 45 demodulates the channel coding, and the output signal of the channel decoder 45 is supplied to the TBC circuit (time axis correction circuit) 46. In this TBC circuit 46, the time-axis fluctuation component of the reproduction signal is removed. The reproduced data from the TBC circuit 46 is the ECC circuit 47.
The error correction code and the error correction using the error correction code are performed. The output signal of the ECC circuit 47 is supplied to the frame decomposition circuit 48.

【0097】フレーム分解回路48によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路48で分離された各データ
がブロック複号回路49に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路50に供給される。この分配回路50で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路51,52にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路51,52は、送信側のブ
ロック化回路35,36とは逆に、ブロックの順序の複
号データをラスター走査の順に変換する。
The frame decomposition circuit 48 separates each component of the block coded data from each other, and
The clock of the recording system is changed to the clock of the pixel system. The respective data separated by the frame decomposing circuit 48 are supplied to the block decoding circuit 49, the restored data corresponding to the original data is decoded in each block unit, and the decoding data is supplied to the distribution circuit 50. The distribution circuit 50 separates the decoded data into a luminance signal and a color difference signal. The luminance signal and the color difference signal are supplied to the block decomposition circuits 51 and 52, respectively. The block decomposing circuits 51 and 52 convert the decoding data in the order of blocks into the order of raster scanning, contrary to the blocking circuits 35 and 36 on the transmitting side.

【0098】ブロック分解回路51からの複号輝度信号
が補間フィルタ53に供給される。補間フィルタ53で
は、輝度信号のサンプリングレートが3fsから4fs
(4fs=13.5MHz)に変換される。補間フィル
タ53からのディジタル輝度信号Yは出力端子56Yに
取り出される。
The composite luminance signal from the block decomposition circuit 51 is supplied to the interpolation filter 53. In the interpolation filter 53, the sampling rate of the luminance signal is 3 fs to 4 fs.
(4fs = 13.5 MHz). The digital luminance signal Y from the interpolation filter 53 is taken out to the output terminal 56Y.

【0099】一方、ブロック分解回路52からのディジ
タル色差信号が分配回路54に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号U,Vがディジタル色差信号U及
びVにそれぞれ分離される。分配回路54からのディジ
タル色差信号U,Vが補間回路55に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路55は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路55からはサンプリングレートが2f
sのディジタル色差信号U及びVが得られ、出力端子5
6U,56Vにそれぞれ取り出される。
On the other hand, the digital color difference signal from the block decomposition circuit 52 is supplied to the distribution circuit 54, and the line-sequential digital color difference signals U and V are separated into the digital color difference signals U and V, respectively. The digital color difference signals U and V from the distribution circuit 54 are supplied to the interpolation circuit 55 and are interpolated. The interpolator 55 interpolates the data of the thinned lines and pixels using the restored pixel data, and the sampling rate from the interpolator 55 is 2f.
s digital color difference signals U and V are obtained and output terminal 5
6U and 56V are taken out respectively.

【0100】b.ブロック符号化 図9におけるブロック符号化回路38としては、ADR
C(AdaptiveDynamic Range C
oding)エンコーダが用いられる。このADRCエ
ンコーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの
最大値MAXと最小値MINを検出し、これら最大値M
AX及び最小値MINからブロックのダイナミックレン
ジDRを検出し、このダイナミックレンジDRに適応し
た符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ない
ビット数により、再量子化を行うものである。ブロック
符号化回路38の他の例としては、各ブロックの画素デ
ータをDCT(Discrete Cosine Tr
ansform)した後、このDCTで得られた係数デ
ータを量子化し、量子化データをランレングス・ハフマ
ン符号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。
B. Block Coding As the block coding circuit 38 in FIG.
C (Adaptive Dynamic Range C
oding) encoder is used. The ADRC encoder detects the maximum value MAX and the minimum value MIN of a plurality of pixel data included in each block, and the maximum value M
The dynamic range DR of the block is detected from the AX and the minimum value MIN, the coding adapted to this dynamic range DR is performed, and the requantization is performed by the bit number smaller than the bit number of the original pixel data. As another example of the block encoding circuit 38, the pixel data of each block is converted into a DCT (Discrete Cosine Tr).
After the transformation, the coefficient data obtained by the DCT may be quantized, and the quantized data may be run-length Huffman-encoded and compression-encoded.

【0101】ここでは、ADRCエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図13を参照しながら説明する。図13に
おいて、入力端子57に例えば1サンプルが8ビットに
量子化されたディジタルビデオ信号(或いはディジタル
色差信号)が図9の合成回路37より入力される。入力
端子57からのブロック化データが最大値,最小値検出
回路59及び遅延回路60に供給される。最大値,最小
値検出回路59は、ブロック毎に最小値MIN、最大値
MAXを検出する。遅延回路60からは、最大値及び最
小値が検出されるのに要する時間、入力データを遅延さ
せる。遅延回路60からの画素データが比較回路61及
び比較回路62に供給される。
Here, an example of an encoder that uses an ADRC encoder and in which image quality deterioration does not occur even when multi-dubbing is performed will be described with reference to FIG. In FIG. 13, for example, a digital video signal (or digital color difference signal) in which one sample is quantized into 8 bits is input to the input terminal 57 from the synthesizing circuit 37 of FIG. The blocked data from the input terminal 57 is supplied to the maximum value / minimum value detection circuit 59 and the delay circuit 60. The maximum value / minimum value detection circuit 59 detects the minimum value MIN and the maximum value MAX for each block. From the delay circuit 60, the input data is delayed by the time required to detect the maximum value and the minimum value. The pixel data from the delay circuit 60 is supplied to the comparison circuit 61 and the comparison circuit 62.

【0102】最大値,最小値検出回路59からの最大値
MAXが減算回路63に供給され、最小値MINが加算
回路64に供給される。これらの減算回路63及び加算
回路64には、ビットシフト回路65から4ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の1量子化ス
テップ幅の値(△=1/16DR)が供給される。ビッ
トシフト回路65は、(1/16)の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジDRを4ビットシフトする構成
とされている。減算回路63からは(MAX−△)のし
きい値が得られ、加算回路64からは(MIN+△)の
しきい値が得られる。これらの減算回路63及び加算回
路64からのしきい値が比較回路61,62にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。
The maximum value MAX from the maximum / minimum value detection circuit 59 is supplied to the subtraction circuit 63, and the minimum value MIN is supplied to the addition circuit 64. The subtraction circuit 63 and the addition circuit 64 are supplied from the bit shift circuit 65 with a value of one quantization step width (Δ = 1 / 16DR) when non-edge matching quantization is performed with a fixed length of 4 bits. The bit shift circuit 65 is configured to shift the dynamic range DR by 4 bits so as to perform division by (1/16). The subtraction circuit 63 obtains a threshold value of (MAX-Δ), and the addition circuit 64 obtains a threshold value of (MIN + Δ). The threshold values from the subtraction circuit 63 and the addition circuit 64 are supplied to the comparison circuits 61 and 62, respectively. The value Δ defining this threshold is not limited to the quantization step width and may be a fixed value corresponding to the noise level.

【0103】比較回路61の出力信号がANDゲート6
6に供給され、比較回路62の出力信号がANDゲート
67に供給される。ANDゲート66及びANDゲート
67には、遅延回路60からの入力データが供給され
る。比較回路61の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってANDゲ
ート66の出力端子には、(MAX〜MAX−△)の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路62の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てANDゲート67の出力端子には、(MIN〜MIN
+△)の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。
The output signal of the comparison circuit 61 is the AND gate 6
6 and the output signal of the comparison circuit 62 is supplied to the AND gate 67. The input data from the delay circuit 60 is supplied to the AND gate 66 and the AND gate 67. The output signal of the comparison circuit 61 becomes high level when the input data is larger than the threshold value. Therefore, the output terminal of the AND gate 66 has the pixel data of the input data included in the maximum level range of (MAX to MAX-Δ). Is extracted. On the other hand, the output signal of the comparison circuit 62 becomes high level when the input data is smaller than the threshold value. Therefore, the output terminal of the AND gate 67 has (MIN to MIN).
Pixel data of the input data included in the minimum level range of + Δ) is extracted.

【0104】ANDゲート66の出力信号が平均化回路
68に供給され、ANDゲート67の出力信号が平均化
回路69に供給される。これらの平均化回路68,69
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子70か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路68,69
に供給されている。平均化回路68からは、(MAX〜
MAX−△)の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値MAX´が得られ、平均化回路69からは(MIN
〜MIN+△)の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値MIN´が得られる。平均値MAX´から平均値
MIN´が減算回路71で減算され、この減算回路71
からダイナミックレンジDR´が得られる。
The output signal of the AND gate 66 is supplied to the averaging circuit 68, and the output signal of the AND gate 67 is supplied to the averaging circuit 69. These averaging circuits 68, 69
Calculates the average value for each block, and the reset signal of the block period from the terminal 70 is averaged by the averaging circuits 68, 69.
Is being supplied to. From the averaging circuit 68, (MAX ~
The average value MAX ′ of the pixel data belonging to the maximum level range of (MAX−Δ) is obtained, and the averaging circuit 69 outputs (MIN).
The average value MIN ′ of the pixel data belonging to the minimum level range of ˜MIN + Δ) is obtained. The subtraction circuit 71 subtracts the average value MIN ′ from the average value MAX ′.
From the dynamic range DR '.

【0105】また、平均値MIN´が減算回路72に供
給され、遅延回路73を介された入力データから平均値
MIN´が減算回路72において減算され、最小値除去
後のデータPDIが形成される。このデータPDI及び
修整されたダイナミックレンジDR´が量子化回路74
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数nが0ビット(コード信号を転送しない)、
1ビット、2ビット、3ビット、4ビットの何れかとさ
れる可変長のADRCであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数nは、ブロック毎にビ
ット数決定回路75において決定され、ビット数nのデ
ータが量子化回路74に供給される。
Further, the average value MIN 'is supplied to the subtraction circuit 72, and the average value MIN' is subtracted from the input data passed through the delay circuit 73 in the subtraction circuit 72 to form the data PDI after removal of the minimum value. . The data PDI and the modified dynamic range DR ′ are used by the quantization circuit 74.
Is supplied to. In this embodiment, the number of bits n assigned to quantization is 0 bit (code signal is not transferred),
It is a variable length ADRC that is any one of 1 bit, 2 bits, 3 bits, and 4 bits, and is subjected to edge matching quantization. The allocated bit number n is determined for each block in the bit number determination circuit 75, and the data of the bit number n is supplied to the quantization circuit 74.

【0106】可変長ADRCは、ダイナミックレンジD
R´が小さいブロックでは、割り当てビット数nを少な
くし、ダイナミックレンジDR´が大きいブロックで
は、割り当てビット数nを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数nを決
定する際のしきい値をT1〜T4(T1<T2<T3<
T4)とすると、(DR´<T1)のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジDR´の情報
のみが転送され、(T1≦DR´<T2)のブロック
は、(n=1)とされ、(T2≦DR´<T3)のブロ
ックは、(n=2)とされ、(T3≦DR´<T4)の
ブロックは、(n=3)とされ、(DR´≧T4)のブ
ロックは、(n=4)とされる。
The variable length ADRC has a dynamic range D
Efficient encoding can be performed by reducing the number of allocated bits n in a block having a small R ′ and increasing the number of allocated bits n in a block having a large dynamic range DR ′. That is, the threshold values for determining the number of bits n are set to T1 to T4 (T1 <T2 <T3 <
T4), the code signal is not transferred to the block of (DR ′ <T1), only the information of the dynamic range DR ′ is transferred, and the block of (T1 ≦ DR ′ <T2) is (n = 1). The block of (T2 ≦ DR ′ <T3) is (n = 2), the block of (T3 ≦ DR ′ <T4) is (n = 3), and the block of (DR ′ ≧ T4) is The block is (n = 4).

【0107】かかる可変長ADRCではしきい値T1〜
T4を変えることで、発生情報量を制御すること(いわ
ゆるバッファリング)ができる。したがって、1フィー
ルド或いは、1フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ADRCを
適用できる。
In such variable length ADRC, the threshold values T1.about.
By changing T4, the generated information amount can be controlled (so-called buffering). Therefore, the variable length ADRC can be applied to a transmission line such as the digital video tape recorder of the present invention which requires that the amount of generated information per field or frame be a predetermined value.

【0108】発生情報量を所定値にするためのしきい値
T1〜T4を決定するバッファリング回路76では、し
きい値の組(T1、T2、T3、T4)が複数例えば3
2組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードPi(i=0、1、2・・・・31)により区
別される。パラメータコードPiの番号iが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。
In the buffering circuit 76 for determining the threshold values T1 to T4 for making the generated information amount a predetermined value, a plurality of threshold value sets (T1, T2, T3, T4), for example, 3 are set.
Two sets are prepared, and these sets of thresholds are distinguished by the parameter code Pi (i = 0, 1, 2, ... 31). The generated information amount is set to monotonically decrease as the number i of the parameter code Pi increases. However, the quality of the restored image deteriorates as the amount of generated information decreases.

【0109】バッファリング回路76からのしきい値T
1〜T4が比較回路77に供給され、遅延回路78を介
されたダイナミックレンジDR´が比較回路77に供給
される。遅延回路78は、バッファリング回路76でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、DR´を遅延
させる。比較回路77では、ブロックのダイナミックレ
ンジDR´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路75に供給され、そのブロックの
割り当てビット数nが決定される。量子化回路74で
は、ダイナミックレンジDR´と割り当てビット数nと
を用いて遅延回路79を介された最小値除去後のデータ
PDIがエッジマッチングの量子化により、コード信号
DTに変換される。量子化回路74は、例えばROMで
構成されている。
Threshold value T from buffering circuit 76
1 to T4 are supplied to the comparison circuit 77, and the dynamic range DR ′ through the delay circuit 78 is supplied to the comparison circuit 77. The delay circuit 78 delays DR ′ by the time required for the buffering circuit 76 to determine the threshold set. In the comparison circuit 77, the dynamic range DR ′ of the block is compared with each threshold value, the comparison output is supplied to the bit number determination circuit 75, and the allocated bit number n of the block is determined. In the quantizing circuit 74, the data PDI after the minimum value removal via the delay circuit 79 is converted into the code signal DT by the edge matching quantization using the dynamic range DR ′ and the allocated bit number n. The quantization circuit 74 is composed of, for example, a ROM.

【0110】遅延回路78、80をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジDR´、平均値MIN´が出
力され、さらにコード信号DTとしきい値の組を示すパ
ラメータコードPiが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。
The modified dynamic range DR 'and average value MIN' are output via the delay circuits 78 and 80, respectively, and the parameter code Pi indicating the set of the code signal DT and the threshold value is output. In this example, the signal that has been non-edge-match quantized is edge-match quantized newly based on the dynamic range information, so that image deterioration when dubbing is small.

【0111】 c.チャンネルエンコーダ及びチャンネルデコーダ 次に、図9のチャンネルエンコーダ41及びチャンネル
デコーダ45について説明する。チャンネルエンコーダ
41においては、図14に示すように、パリティ発生回
路40の出力が供給される適応型スクランブル回路で、
複数のM系列のスクランブル回路81が用意され、その
中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少な
い出力が得られるようなM系列が選択されるように構成
されている。パーシャルレスポンス・クラス4検出方式
のためのプリコーダ82で、1/1−D2(Dは単位遅
延用回路)の演算処理がなされる。このプリコーダ82
の出力を記録アンプ42A,42Bを介して磁気ヘッド
43A,43Bにより、記録再生し、再生出力を再生ア
ンプ44A,44Bによって増幅するようになされてい
る。
C. Channel Encoder and Channel Decoder Next, the channel encoder 41 and the channel decoder 45 of FIG. 9 will be described. In the channel encoder 41, as shown in FIG. 14, an adaptive scramble circuit to which the output of the parity generation circuit 40 is supplied,
A plurality of M-sequence scramble circuits 81 are prepared, and among them, the M-sequence is selected so as to obtain an output with the least high frequency component and DC component with respect to the input signal. The precoder 82 for the partial response class 4 detection method performs arithmetic processing of 1 / 1-D 2 (D is a unit delay circuit). This precoder 82
Is output and recorded and reproduced by the magnetic heads 43A and 43B via the recording amplifiers 42A and 42B, and the reproduction output is amplified by the reproduction amplifiers 44A and 44B.

【0112】一方、チャンネルデコーダ45において
は、図15に示すように、パーシャルレスポンス・クラ
ス4の再生側の演算処理回路83は、1+Dの演算が再
生アンプ44A,44Bの出力に対して行われる。ま
た、いわゆるビタビ複号回路84においては、演算処理
回路83の出力に対してデータの相関性や確からしさ等
を用いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行わ
れる。このビタビ複号回路84の出力がディスクランブ
ル回路85に供給され、記録側のスクランブル処理によ
って並び変えられたデータが元の系列に戻されて原デー
タが復元される。この実施例において用いられるビタビ
複号回路84によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生C/N換算が3dBで改良が得られる。
On the other hand, in the channel decoder 45, as shown in FIG. 15, the arithmetic processing circuit 83 on the reproducing side of the partial response class 4 performs 1 + D arithmetic on the outputs of the reproducing amplifiers 44A and 44B. Further, in the so-called Viterbi decoding circuit 84, the noise-resistant data is decoded by the calculation using the correlation and the accuracy of the data with respect to the output of the calculation processing circuit 83. The output of the Viterbi decoding circuit 84 is supplied to the descrambling circuit 85, the data rearranged by the scrambling process on the recording side is returned to the original series, and the original data is restored. With the Viterbi decoding circuit 84 used in this embodiment, the reproduction C / N conversion is improved by 3 dB as compared with the case of performing decoding for each bit.

【0113】d.走行系 磁気ヘッド43A及び磁気ヘッド43Bは、図16に示
すように、一体構造とされた形でドラム86に取付けら
れる。ドラム86の周面には、180°よりやや大きい
か、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ(図示
せず。)が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッド43
A及び磁気ヘッド43Bが同時に磁気テープを走査する
ように構成される。
D. The traveling magnetic heads 43A and 43B are attached to the drum 86 in an integrated structure as shown in FIG. A magnetic tape (not shown) is obliquely wound around the peripheral surface of the drum 86 at a winding angle slightly larger than 180 ° or slightly smaller than 180 °.
A and the magnetic head 43B are configured to scan the magnetic tape at the same time.

【0114】また、前記磁気ヘッド43A及び磁気ヘッ
ド43Bのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に(例えば磁気ヘッド43Aはトラック幅方向に対して
+20°、磁気ヘッド43Bは−20°傾斜するよう
に)設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。
Further, the directions of the gaps of the magnetic head 43A and the magnetic head 43B are inclined to the opposite sides (for example, the magnetic head 43A is inclined + 20 ° with respect to the track width direction, and the magnetic head 43B is inclined -20 °. Is set so that the amount of crosstalk between adjacent tracks is reduced by so-called azimuth loss during reproduction.

【0115】図17及び図18は、磁気ヘッド43A,
43Bを一体構造(いわゆるダブルアジマスヘッド)と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム86に一体構造の磁気ヘッド43
A,43Bが取り付けられ、下ドラム87が固定とされ
ている。ここで、磁気テープ88の巻き付け角θは16
6°、ドラム径φは16.5mmである。
17 and 18 show magnetic heads 43A,
This shows a more specific structure when 43B is an integral structure (so-called double azimuth head). For example, the magnetic head 43 is integral with the upper drum 86 rotated at a high speed.
A and 43B are attached, and the lower drum 87 is fixed. Here, the winding angle θ of the magnetic tape 88 is 16
6 °, drum diameter φ is 16.5 mm.

【0116】したがって、磁気テープ88には、1フィ
ールドのデータが5本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。
Therefore, on the magnetic tape 88, one field of data is divided into five tracks and recorded. With this segment system, the length of the track can be shortened, and the error due to the linearity of the track can be reduced.

【0117】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、180°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。
As described above, by performing the simultaneous recording with the double azimuth head, the error amount due to the linearity can be reduced as compared with the case where the pair of magnetic heads are arranged at the facing angle of 180 °. In addition, since the head-to-head distance is small, the pairing adjustment can be performed more accurately. Therefore, with such a traveling system, recording / reproducing can be performed on a narrow track.

【0118】[0118]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、保護膜の形成方法としてプラズマCVD
法を採用し、この保護膜を形成する際に、一対の電極間
を基板が複数回走行するような構成、或いは一対の電極
間を通したロールに基板が螺旋状に巻き付けられて走行
されるような構成としているので、上記電極間に発生す
る深さ方向のプラズマを利用することが可能となる。従
って、本発明によれば、プラズマCVD法による保護膜
の形成時において、プラズマの使用効率を高めることが
でき、優れた耐久性を確保しつつ、高い生産性を実現す
ることができる。
As is apparent from the above description, in the present invention, plasma CVD is used as the method of forming the protective film.
When the protective film is formed by adopting the method, the substrate travels between the pair of electrodes a plurality of times, or the substrate is spirally wound around a roll passing through the pair of electrodes and travels. With such a structure, it is possible to utilize the plasma generated in the depth direction between the electrodes. Therefore, according to the present invention, when the protective film is formed by the plasma CVD method, the use efficiency of plasma can be increased, and high productivity can be realized while ensuring excellent durability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を適用した磁気記録媒体の製造において
使用される真空蒸着装置の一構成例を示す模式図であ
る。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a vacuum vapor deposition apparatus used in the manufacture of a magnetic recording medium to which the present invention is applied.

【図2】本発明を適用した磁気記録媒体の製造において
使用されるプラズマCVD装置の第一の構成例を示す模
式図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a first configuration example of a plasma CVD apparatus used in manufacturing a magnetic recording medium to which the present invention is applied.

【図3】プラズマCVD装置の第一の構成例の変形例を
示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a modified example of the first configuration example of the plasma CVD apparatus.

【図4】プラズマCVD装置の第二の構成例を示す模式
図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a second configuration example of the plasma CVD apparatus.

【図5】プラズマCVD装置の第三の構成例を示す模式
図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a third configuration example of a plasma CVD apparatus.

【図6】プラズマCVD装置の第四の構成例の変形例を
示す模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a modification of the fourth configuration example of the plasma CVD apparatus.

【図7】保護膜形成時に使用されるスパッタ装置の構成
を示す模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a sputtering apparatus used when forming a protective film.

【図8】保護膜形成時に使用される従来の平行平板型プ
ラズマCVD装置の構成を示す模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional parallel plate type plasma CVD apparatus used when forming a protective film.

【図9】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮して記録するディジタルVTRの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。
FIG. 9 is a block diagram showing a configuration on a recording side of a signal processing unit of a digital VTR which compresses and records a digital image signal in a form such that reproduction distortion is small.

【図10】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図
である。
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a signal processing unit on the reproduction side.

【図11】ブロック符号化のためのブロックの一例を示
す略線図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of a block for block coding.

【図12】サブサンプリング及びサブラインの説明のた
めの略線図である。
FIG. 12 is a schematic diagram for explaining subsampling and sublines.

【図13】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図
である。
FIG. 13 is a block diagram showing an example of a block encoding circuit.

【図14】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブ
ロック図である。
FIG. 14 is a block diagram showing an outline of an example of a channel encoder.

【図15】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。
FIG. 15 is a block diagram illustrating an outline of an example of a channel decoder.

【図16】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。
FIG. 16 is a plan view schematically showing an example of the arrangement of magnetic heads.

【図17】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。
FIG. 17 is a plan view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.

【図18】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。
FIG. 18 is a front view showing a configuration example of a rotating drum and a winding state of a magnetic tape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・真空室 2・・・ベースフィルム 3・・・送りロール 4・・・巻取りロール 5・・・冷却キャン 8・・・ルツボ 9・・・強磁性金属材料 10・・・電子銃 13・・・シャッタ 14・・・酸素ガス導入口 1 ... Vacuum chamber 2 ... Base film 3 ... Feed roll 4 ... Winding roll 5 ... Cooling can 8 ... Crucible 9 ... Ferromagnetic metal material 10 ... Electron gun 13 ... Shutter 14 ... Oxygen gas inlet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 研一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 千葉 一信 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Kenichi Sato, 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Kazumasa Chiba, 6-35, Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. Sony Corporation

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 連続基板上に金属磁性薄膜と保護膜を順
次形成する磁気記録媒体の製造方法において、 前記保護膜を形成する際に、前記連続基板が一対の電極
間を複数回走行することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
1. A method of manufacturing a magnetic recording medium in which a metal magnetic thin film and a protective film are sequentially formed on a continuous substrate, wherein the continuous substrate travels between a pair of electrodes a plurality of times when the protective film is formed. And a method for manufacturing a magnetic recording medium.
【請求項2】 連続基板上に金属磁性薄膜と保護膜を順
次形成する磁気記録媒体の製造方法において、 前記保護膜を形成する際に、前記連続基板が一対の電極
間を通したロールの周面に螺旋状に巻き付けられて走行
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. A method of manufacturing a magnetic recording medium in which a metal magnetic thin film and a protective film are sequentially formed on a continuous substrate, wherein the continuous substrate passes between a pair of electrodes when the protective film is formed. A method of manufacturing a magnetic recording medium, characterized in that the magnetic recording medium is spirally wound around a surface and runs.
【請求項3】 前記一対の電極として高周波電源に接続
された平行平板電極が使用され、該平行平板電極と前記
連続基板が平行に配置されることを特徴とする請求項1
記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. A parallel plate electrode connected to a high frequency power source is used as the pair of electrodes, and the parallel plate electrode and the continuous substrate are arranged in parallel.
A method for manufacturing the magnetic recording medium described.
【請求項4】 前記一対の電極として高周波電源に接続
された平行平板電極が使用され、該平行平板電極と前記
連続基板が略垂直に配置されることを特徴とする請求項
1記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. The magnetic recording according to claim 1, wherein parallel plate electrodes connected to a high frequency power source are used as the pair of electrodes, and the parallel plate electrodes and the continuous substrate are arranged substantially vertically. Medium manufacturing method.
【請求項5】 連続基板上に金属磁性薄膜と保護膜を順
次形成する磁気記録媒体の製造方法において、 前記保護膜を形成する際に、高周波電源に接続された放
電用コイルが巻き付けられた円筒型プラズマ生成室の中
心軸上に回転ロールが配設され、該回転ロールの周面に
前記連続基板が螺旋状に巻き付けられて走行することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
5. A method of manufacturing a magnetic recording medium in which a metal magnetic thin film and a protective film are sequentially formed on a continuous substrate, and a cylinder around which a discharge coil connected to a high frequency power source is wound when the protective film is formed. A method of manufacturing a magnetic recording medium, characterized in that a rotating roll is arranged on a central axis of a mold plasma generating chamber, and the continuous substrate is spirally wound around a peripheral surface of the rotating roll to run.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003062451A (en) * 2001-08-23 2003-03-04 Ulvac Japan Ltd Thin film plasma treatment method and apparatus
US8652587B2 (en) 2010-06-18 2014-02-18 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Method and apparatus for forming film
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