JPH0586902B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、円筒形インフレーシヨンフイルム
を、偏肉なしに製造しうる装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an apparatus capable of producing a cylindrical inflation film without uneven thickness.
溶融樹脂を、フイルム成形用ダイにおける狭幅
のリツプから引き出して、薄膜化する円筒形イン
フレーシヨンフイルムの製造時においては、フイ
ルムの膜厚に偏りを生じることがある。
When producing a thin cylindrical inflation film by drawing molten resin through a narrow lip in a film molding die, the thickness of the film may vary.
この溶融押出式フイルム成形時におけるの偏肉
を除去するには、リツプ間隔を変化させて、機械
的に制御する方法と、リツプの温度分布を変化さ
せて、熱的に制御する方法とがある。 To remove uneven thickness during melt extrusion film molding, there are two methods: mechanical control by changing the lip spacing, and thermal control by changing the lip temperature distribution. .
リツプ間隔を機械的に調節して、偏肉を除去す
るには、精度に限界があり、かつ、調節に時間を
要して、速応性に乏しい。 Mechanically adjusting the lip spacing to remove uneven thickness has a limited accuracy, takes time to adjust, and has poor responsiveness.
一方、リツプの温度分布を変化させることによ
り、偏肉を除去しうることは、すでによく知られ
ているが、フイルムの偏肉の程度に応じて、リツ
プの温度分布を速やかに調節して、偏肉を適切に
除去することは容易ではない。 On the other hand, it is already well known that uneven thickness can be removed by changing the temperature distribution of the lip. It is not easy to properly remove uneven thickness.
合成樹脂製フイルムの製造過程における偏肉を
生じる要因は複雑であり、主として、機械的な構
造上の寸法や形状をパラメータとするものと、温
度や引き出し速度、及び冷却風速等をパラメータ
とするものとに分けられる。
The factors that cause uneven thickness in the manufacturing process of synthetic resin films are complex, and the main parameters are mechanical structural dimensions and shapes, and parameters such as temperature, drawing speed, and cooling air speed. It can be divided into
速度や風速等の時間の要素をパラメータの中に
含むもの、及び時間を直接にパラメータの中に含
まないが、時々刻々、変化する温度をパラメータ
中に含むことによつて生じる偏肉は、フイルム成
形装置の寸法や形状を変化させることによつて除
去することは、困難もしくは不可能である。 Thickness unevenness caused by parameters including time elements such as speed and wind speed, and by including temperature, which changes from moment to moment, in the parameters, although time is not directly included in the parameters, is It is difficult or impossible to remove by changing the size or shape of the molding equipment.
一方、インフレーシヨンフイルムの製造に際し
ては、膜厚や偏肉の調節中であつても、フイルム
の引き出しを停止させることはできず、その調節
期間中に作られるフイルムは、不良品となる。 On the other hand, in the production of inflation films, it is not possible to stop the film from being pulled out even during the adjustment of the film thickness and uneven thickness, and the films produced during the adjustment period become defective.
従つて、偏肉の調節に要する時間や、調節され
たパラメータの完成品への応答時間は、できる限
り短かいことが望ましい。 Therefore, it is desirable that the time required to adjust the uneven thickness and the response time of the adjusted parameters to the finished product be as short as possible.
特に、フイルム製造装置の作動開始時の初期設
定を速やかに済ませて、所望の仕様のフイルムが
短時間に製造できる状態にしなければ、歩留りが
悪く、フイルムの価格が増大することとなる。 In particular, unless the initial settings of the film manufacturing apparatus are quickly completed at the start of operation so that films of desired specifications can be manufactured in a short period of time, yields will be poor and the price of the film will increase.
また、多種小量の生産を行なうときには、フイ
ルム製造装置を停止させないで、フイルムの仕様
を変更することがある。このような場合にも、速
やかに所望の仕様の製品が得られるように、簡単
な操作で、速やかに、偏肉を除去するような調節
が行なえることが望まれる。 Further, when producing a wide variety of products in small quantities, the specifications of the film may be changed without stopping the film manufacturing apparatus. Even in such cases, it is desirable to be able to quickly perform adjustments such as removing uneven thickness with simple operations so that a product with the desired specifications can be quickly obtained.
このようなことから、フイルム成形ダイのリツ
プ周辺に、多数のヒータを設けて偏肉除去するよ
うにした従来の装置は、原理的には偏肉を除去す
る効果があるとしても、完成品の偏肉の度合に応
じて、その偏肉を矯正するためには、多数のヒー
タを、速やかに所要に制御する必要があり、この
ような手段の実用化が望まれている次第である。 For this reason, conventional equipment that removes uneven thickness by installing a large number of heaters around the lip of a film forming die has the effect of removing uneven thickness in principle, but In order to correct the uneven thickness according to the degree of uneven thickness, it is necessary to promptly control a large number of heaters as required, and it is desired to put such a means into practical use.
上記課題を解決するため、本発明によると、円
環状のダイリツプを有し、かつダイリツプの近く
に複数の加熱手段と温度測定手段とを設けたフイ
ルム成形用ダイスと、ダイリツプから吐出された
溶融樹脂を、所要の速度で引き出すフイルム引き
出し手段と、フイルムの引き出し方向と直交する
方向に引き出し方向の適当な長さ毎に切断した帯
環状のサンプルフイルムの膜厚を、フイルムの切
口に沿つて、連続的に測定する膜厚測定手段と、
膜厚測定手段によつて測定されたフイルム膜厚デ
ータに基き、フイルム膜厚データの位置データ
を、ダイリツプ周縁に対応させて、ダイリツプの
近くに設けられた複数の加熱手段と膜厚データを
対応させるとともに、その各加熱手段に対応する
膜厚データに基き、フイルムの膜厚を均等とする
べく、各加熱手段の発熱量を電気制御する電気値
を、演算して求める演算手段と、演算手段によつ
て求められた各加熱手段対応の電気制御値に基い
て、各加熱手段の発熱量を制御する加熱手段の発
熱量制御手段とを備えることを特徴とする円筒形
インフレーシヨンフイルムの製造装置が提供され
る。
In order to solve the above problems, the present invention provides a film molding die having an annular die lip and provided with a plurality of heating means and temperature measuring means near the die lip, and a molten resin discharged from the die lip. A film pulling means that pulls out the film at a required speed, and a film thickness of a ring-shaped sample film cut at appropriate lengths in the direction perpendicular to the film drawing direction, are continuously measured along the cut edge of the film. a film thickness measuring means for measuring the film thickness;
Based on the film thickness data measured by the film thickness measuring means, the position data of the film thickness data is made to correspond to the die lip periphery, and the film thickness data is made to correspond to a plurality of heating means provided near the die lip. and a calculation means for calculating an electrical value for electrically controlling the amount of heat generated by each heating means in order to equalize the film thickness of the film based on the film thickness data corresponding to each heating means; production of a cylindrical inflation film characterized by comprising a heating amount control means for controlling the heating amount of each heating means based on the electrical control value corresponding to each heating means determined by Equipment is provided.
完成したフイルムの厚さを、フイルムの切口方
向に、膜厚測定手段で連続的に計ると、その測定
値はコンピユータに取り込まれ、膜厚測定値に基
いて、フイルムの偏肉部所とダイリツプ近傍の加
熱素子の対応関係が演算して求められ、かつ偏肉
部の偏肉量に応じて、対応加熱素子の発熱量は好
適に制御される。
The thickness of the completed film is continuously measured in the cut direction of the film using a film thickness measuring means.The measured values are input into a computer, and based on the film thickness measurement values, uneven thickness areas and die lips of the film are determined. The correspondence of neighboring heating elements is calculated and determined, and the amount of heat generated by the corresponding heating element is suitably controlled according to the amount of uneven thickness of the uneven thickness portion.
第1図は、本発明装置の一実施例を示す。 FIG. 1 shows an embodiment of the apparatus of the present invention.
1は押出機、2はフイルム成形ダイス、3は、
ダイス2から引き出されたバブル状フイルム、4
は、フイルム3を引き出すためのニツプロール、
5は、ダイス2のダイリツプ2aの周辺に接近さ
せて設けた複数個の加熱素子、6は、複数の加熱
素子5のいずれかの近くの温度を計る測温素子で
ある。 1 is an extruder, 2 is a film molding die, 3 is
Bubble film drawn from die 2, 4
is Nitzprol for pulling out film 3,
Reference numeral 5 indicates a plurality of heating elements provided near the die lip 2a of the die 2, and reference numeral 6 indicates a temperature measuring element for measuring the temperature near any one of the plurality of heating elements 5.
7は、各加熱素子5毎の発熱量を所要に制御す
るための演算手段である。この演算手段7の周辺
には、所要に冷却されたフイルム3を、ニツプロ
ール4で偏平に折りたたんだ完成フイルム3aの
厚さを測定し、その測定データを演算手段7に入
力する膜厚測定手段8と、演算手段7の所要デー
タを表示したり、所要の指示を表示したりする
CRTモニタ装置9と、演算手段7に所要の機能
コードや数値データ等を入力するキー装置10が
設けられている。 7 is a calculation means for controlling the amount of heat generated by each heating element 5 as required. Around the calculation means 7, a film thickness measuring means 8 is provided which measures the thickness of the completed film 3a obtained by folding the film 3 which has been cooled as required into a flat shape with the nip roll 4, and inputs the measured data to the calculation means 7. and display the required data of the calculation means 7 or display the required instructions.
A CRT monitor device 9 and a key device 10 for inputting required function codes, numerical data, etc. to the calculation means 7 are provided.
各加熱素子5は、個々に発熱量を制御しうるよ
うになつており、実施例では、セラミツクシース
型の電気ヒータが用いられている。この加熱素子
5は、環状のダイリツプ2aの外周辺に、素子同
士を密に接近させて設けられている。 Each heating element 5 can individually control the amount of heat generated, and in the embodiment, a ceramic sheath type electric heater is used. This heating element 5 is provided around the outer periphery of the annular die lip 2a, with the elements closely approaching each other.
測温素子6は、加熱素子5のいずれかに接近し
て配置され、その加熱素子5の近辺の温度を、絶
対レベルで計測する。実施例においては、測温素
子6は等間隔で4個配置され、これら各測温素子
6は、測温素子6に最も近い加熱素子5の温度を
計るとともに、全加熱素子5を4等分した加熱素
子グループの代表温度をも計るものである。 The temperature measuring element 6 is arranged close to one of the heating elements 5 and measures the temperature in the vicinity of the heating element 5 at an absolute level. In the embodiment, four temperature measuring elements 6 are arranged at equal intervals, and each of these temperature measuring elements 6 measures the temperature of the heating element 5 closest to the temperature measuring element 6, and divides the total heating element 5 into four equal parts. It also measures the representative temperature of the heating element group.
ダイス2から、溶融樹脂を引き出してフイルム
3を成形し、フイルムの引き出し方向と直交する
方向に分割した個所で、成形後のフイルムの膜厚
を、膜厚測定手段8により計測し、その計測値を
演算手段7へ入力する。 A film 3 is formed by drawing out the molten resin from the die 2, and the film thickness of the formed film is measured by the film thickness measuring means 8 at the point where the film is divided in a direction perpendicular to the drawing direction of the film, and the measured value is measured. is input to the calculation means 7.
演算手段7においては、各測定位置における膜
厚測定データを、ダイリツプ2aの周縁に設けた
複数の加熱素子5と対応させ、かつ各加熱手段と
対応する膜厚データが均等になるように、各加熱
素子5の発熱を制御する電気制御値を演算する。 In the calculation means 7, the film thickness measurement data at each measurement position is made to correspond to the plurality of heating elements 5 provided at the periphery of the die lip 2a, and the film thickness data corresponding to each heating means are made equal. An electrical control value for controlling heat generation of the heating element 5 is calculated.
このようにして求められた電気制御値で各加熱
素子5が制御されているダイス2から、溶融樹脂
を引き出してフイルム3に成形することにより、
厚さが均一な円筒形インフレーシヨンフイルムが
得られる。 By drawing out the molten resin from the die 2 in which each heating element 5 is controlled by the electric control value determined in this way and forming it into a film 3,
A cylindrical inflation film of uniform thickness is obtained.
第3図は、加熱素子5と測温素子6を、ダイリ
ツプ2aの近くへ設置した状態を示すダイス2の
縦断面図である。 FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the die 2 showing a state in which the heating element 5 and the temperature measuring element 6 are installed near the die lip 2a.
ダイ本体2bの中央には、マンドレル2cが嵌
装され、また、マンドレル2cの上端部2dの外
周には、ダイリツプ2aとなる間隔をあけて、リ
ツプ調節リング2cが嵌装されている。リツプ調
節リング2eの上部には、ダイリツプ2aから引
き出されたフイルム3を空冷するためのエアーリ
ング2fが設けられている。 A mandrel 2c is fitted in the center of the die body 2b, and a lip adjustment ring 2c is fitted on the outer periphery of the upper end 2d of the mandrel 2c at an interval that forms the die lip 2a. An air ring 2f for air cooling the film 3 pulled out from the die lip 2a is provided above the lip adjustment ring 2e.
なお、インフレーシヨン成形においては、前記
フイルム3の内圧を発生するインサイドマンドレ
ルや、フイルム3の外周を案内するガイド等が設
けられるが、これらは、本発明の本質と深く関連
しないので、図示を省略する。 In inflation molding, an inside mandrel that generates the internal pressure of the film 3, a guide that guides the outer periphery of the film 3, etc. are provided, but since these are not deeply related to the essence of the present invention, they are not shown in the drawings. Omitted.
ダイ本体2b及びリツプ調節リング2eの外周
には、バンドヒータ2gが巻回され、ダイス2の
温度は、ダイス本体2bに設けた測温素子2hで
計測されて、所要に制御される。 A band heater 2g is wound around the outer periphery of the die body 2b and lip adjustment ring 2e, and the temperature of the die 2 is measured by a temperature measuring element 2h provided on the die body 2b and controlled as required.
リツプ調節リング2eは、調節ねじ2iによつ
て、マンドレル2cに対して心合せされ、ダイリ
ツプ2aの間隔を、全周に恒つて均一とする。 The lip adjustment ring 2e is centered with respect to the mandrel 2c by an adjustment screw 2i, so that the spacing between the die lips 2a remains uniform over the entire circumference.
前記各加熱素子5は、ダイリツプ2aに近いと
ころで、ダイス2の軸線方向へ向けて、リツプ調
節リング2eに埋設されている。 Each of the heating elements 5 is embedded in the lip adjustment ring 2e toward the axis of the die 2 at a location close to the die lip 2a.
4個の測温素子6は、加熱素子5に接近させ
て、リツプ調節リング2eに埋設されている。こ
の測温素子6は、熱電対、白金抵抗体、その他い
ずれの感温式のものでもよく、実施例では熱電対
が用いられている。 The four temperature measuring elements 6 are embedded in the lip adjustment ring 2e close to the heating element 5. The temperature measuring element 6 may be a thermocouple, a platinum resistor, or any other temperature-sensitive type, and a thermocouple is used in the embodiment.
なお、実施例においては、4個の測温素子6を
用いているが、これは、発熱体5を電気ヒータと
し、その発熱量を比例制御式の電力制御する場合
に適するからである。しかし後述するように、こ
の比例制御においては、発熱体5の温度を知るこ
とは必須ではない。 In the embodiment, four temperature measuring elements 6 are used, but this is because it is suitable for a case where the heating element 5 is an electric heater and its calorific value is controlled by proportional power control. However, as will be described later, in this proportional control, it is not essential to know the temperature of the heating element 5.
しかし、ダイリツプ2aの温度を知ることによ
つて、温度をパラメータとして偏肉を生じさせる
他の要素を経時的に温度補償しうるので、4個の
測温素子6を設けてある。 However, by knowing the temperature of the die lip 2a, other factors that cause uneven thickness can be compensated over time using the temperature as a parameter, so four temperature measuring elements 6 are provided.
発熱素子5の発熱量を、温度によつて制御する
ことも可能であり、そのためには、各発熱素子5
に対して、1個の測温素子6が設けられている。 It is also possible to control the amount of heat generated by each heating element 5 by temperature.
One temperature measuring element 6 is provided for each.
加熱素子5である電気ヒータの電力を比例制御
することによつて発熱量を制御するよりも、電気
ヒータの温度を制御する方が、フイードバツク制
御になるので、一般に応答性が高い。 Rather than controlling the amount of heat generated by proportionally controlling the electric power of the electric heater, which is the heating element 5, controlling the temperature of the electric heater provides feedback control and generally has higher responsiveness.
なお、発熱素子5の制御及び応答性については
後述する。 Note that the control and responsiveness of the heating element 5 will be described later.
演算手段7は、第4図に示す如く、マイクロプ
ロセツサユニツト(以下MPUとする)11をも
つて構成されたマイクロコンピユータからなつて
いる。 The calculation means 7 is comprised of a microcomputer having a microprocessor unit (hereinafter referred to as MPU) 11, as shown in FIG.
膜厚測定手段8は、完成フイルム3aを、引き
出し方向と直交する方向に、引き出し方向の適当
な長さ(10〜20mm程度)毎に切断した帯環状のサ
ンプルフイルム3bの膜厚を、フイルム3の引き
出し方向と直交する方向、すなわち切口に沿つ
て、連続的に測定するものである。 The film thickness measuring means 8 measures the film thickness of a ring-shaped sample film 3b obtained by cutting the completed film 3a in a direction perpendicular to the drawing direction at appropriate lengths (approximately 10 to 20 mm) in the drawing direction. The measurement is carried out continuously in the direction perpendicular to the drawing direction, that is, along the cut.
すなわち、膜厚測定手段8は、帯環状のサンプ
ルフイルム3bを、切口に沿つて移動させなが
ら、膜厚を順次測定するとともに、その膜厚測定
データと、フイルムの引き出し方向と直交する方
向の測定位置データとを対応させて、その膜厚測
定データを演算手段7に入力する。 That is, the film thickness measuring means 8 sequentially measures the film thickness while moving the ring-shaped sample film 3b along the cut, and also uses the film thickness measurement data and the measurement in the direction orthogonal to the direction in which the film is pulled out. The film thickness measurement data is input into the calculation means 7 in correspondence with the position data.
膜厚測定手段8は、ロータリーエンコーダ8a
を備える駆動ローラ8bと、案内ローラ8cと、
テンシヨンローラ8dからなる環状テープ走行手
段に、サンプルフイルム3bを掛け回して、サン
プルフイルム3bを切口に沿つて走行させるとと
もに、ロータリーエンコーダ8aで、走行方向の
測定位置データPを検出するようになつている。 The film thickness measuring means 8 is a rotary encoder 8a.
a drive roller 8b, a guide roller 8c,
The sample film 3b is wound around an annular tape running means consisting of a tension roller 8d, and the sample film 3b is run along the cut, and the rotary encoder 8a detects measurement position data P in the running direction. ing.
駆動ローラ8bと案内ローラ8cの間には、膜
厚検知センサ8eと投光器8fが設けられてい
る。膜厚検知センサ8eは、走行中のサンプルフ
イルム3dの膜厚を連続的に測定し、この測定出
力がアナログ出力の場合には、A/D変換器12
を介して、デイジタルの膜厚データDに変換され
る。 A film thickness detection sensor 8e and a light projector 8f are provided between the drive roller 8b and the guide roller 8c. The film thickness detection sensor 8e continuously measures the film thickness of the running sample film 3d, and when this measurement output is an analog output, the A/D converter 12
It is converted into digital film thickness data D via .
位置データPと膜厚データDは、MPU11に
取り込まれ、位置データPをアドレスに対応させ
たテーブル状の1次元配列データ、もしくは、位
置データPと膜厚データを1対として、別途連続
したアドレスに対応させた2次元配列データとし
て、所要の作業メモリM1に記憶させる。 The position data P and film thickness data D are taken into the MPU 11, and are either table-like one-dimensional array data in which the position data P is associated with addresses, or separate consecutive addresses with the position data P and film thickness data as a pair. The data is stored in a required working memory M1 as two-dimensional array data corresponding to .
帯環状のサンプルフイルム3bの位置データP
は無限に循環するので、予め基準点を設定して、
位置データの始端と終端を定める。 Position data P of the ring-shaped sample film 3b
will circulate endlessly, so set a reference point in advance,
Define the start and end of position data.
ニツプロール4によつてフイルム3が折りたた
まれたときの折目3cを、ダイリツプ2aの開口
部に対応させると、折目3cの部分は、常に一定
の位置となる。 If the fold line 3c formed when the film 3 is folded by the nip roll 4 is made to correspond to the opening of the die lip 2a, the fold line 3c will always be in a constant position.
すなわち、ニツプロール4の接触面を、直下の
ダイス2に投影すると、第2図におけるX−
X′線となり、このX−X′線とダイリツプ2aの
交差するところが、折目3cの部分を引き出した
位置になる。 That is, when the contact surface of the nip roll 4 is projected onto the die 2 directly below, it becomes
This becomes the line X', and the intersection of this line X-X' and the die lip 2a is the position where the fold 3c is pulled out.
折目3cは、サンプルフイルム3bにも残つて
おり、この折目3cのいずれか一方を基準点とす
る。 The fold 3c also remains on the sample film 3b, and one of the folds 3c is used as a reference point.
サンプルフイルム3bは、これをサンプリング
するとき、折目3cの一方、例えば、X′側を基
準点として、目印を付けるとともに、フイルム3
の引き出し方向にも、前後方向を後から知りうる
ように、矢印等の目印が付けられる。 When sampling the sample film 3b, mark one of the folds 3c, for example, the X' side, as a reference point, and
Marks such as arrows are also placed on the direction of withdrawal of the book so that the front and rear directions can be determined later.
これによつて、サンプルフイルム3bの位置デ
ータPは、基準点の目印を付けた折目3c′が1巡
する間を、所要の位置データPとして区切られ
る。 As a result, the positional data P of the sample film 3b is divided into required positional data P during one rotation of the fold 3c' marked as the reference point.
このようにして得られる位置データPの始点と
終点は、折目3c′と対応するとともに、ダイリツ
プ2aの開口周縁と対応し、かつ、ダイリツプ2
aに接近して設けられた各加熱素子5に対しても
対応している。 The starting point and ending point of the position data P obtained in this way correspond to the fold line 3c', and also correspond to the opening periphery of the die lip 2a.
It also corresponds to each heating element 5 provided close to a.
第5図は、サンプルフイルム3bの位置データ
Pと、それに対応する膜厚データDに対する、折
目3cの位置と、各加熱素子5の位置関係を示す
ものである。 FIG. 5 shows the position of the fold 3c and the positional relationship of each heating element 5 with respect to the position data P of the sample film 3b and the corresponding film thickness data D.
なお、各加熱素子5は、目印を付設した折目3
c′の部分が引き出された基準点X′のところから、
反時計廻りに順番に素子番号Nを付設したもので
ある。 Note that each heating element 5 has a fold 3 with a mark attached thereto.
From the reference point X′ from which part c′ was extracted,
Element numbers N are assigned in order in a counterclockwise direction.
第5図に示す如く、素子番号Nが付けられた、
各加熱素子5に対して、測定された膜厚データD
が対応し、これにより、偏肉を除去するための、
各加熱素子5の所要電気制御値が演算可能とな
る。 As shown in FIG. 5, the element number N is attached.
Measured film thickness data D for each heating element 5
corresponds to this, and thereby, to remove uneven thickness,
The required electrical control value for each heating element 5 can then be calculated.
例えば、完成フイルム3aに要求される膜厚基
準値(以下設定値とする)と、膜厚データDの大
小を比較して、その偏差を求める。 For example, the film thickness reference value (hereinafter referred to as a set value) required for the completed film 3a is compared with the film thickness data D, and the deviation thereof is determined.
これにより、設定値と一致する膜厚デーDと対
応する加熱素子5、例えば、第5図中、第7番目
〜第12番目の加熱素子5は、現在の制御状態で良
いことがわかる。 This shows that the heating elements 5 corresponding to the film thickness data D that match the set value, for example, the seventh to twelfth heating elements 5 in FIG. 5, can be kept in the current control state.
膜厚データDが設定値よりも大きい時には、厚
さが大きくつている部分と対応する加熱素子5、
例えば、1番目〜6番目の加熱素子5の発熱量を
増大させて、その加熱素子5の近くのダイリツプ
2aの温度を高め、膜生成時の膜厚を減少させれ
ばよい。 When the film thickness data D is larger than the set value, the heating element 5 corresponding to the part where the thickness is large;
For example, the amount of heat generated by the first to sixth heating elements 5 may be increased to raise the temperature of the die lip 2a near the heating elements 5, thereby reducing the film thickness during film formation.
この際における加熱素子5の発熱量の増加の程
度は、加熱素子5と対応する膜厚データDの設定
値からの偏差値に正比例する。 The degree of increase in the amount of heat generated by the heating element 5 at this time is directly proportional to the deviation value of the film thickness data D corresponding to the heating element 5 from the set value.
また、設定値より膜厚データDが小さい時に
は、厚さが不足している部分と対応する加熱素
子、例えば15番目〜25番目の加熱素子5の、発熱
量を減小させることにより、その加熱素子5の近
くのダイリツプ2aの温度を下げて、膜生成時の
膜厚を増やせばよい。 In addition, when the film thickness data D is smaller than the set value, the heating element corresponding to the part with insufficient thickness, for example, the 15th to 25th heating element 5, is heated by reducing the amount of heat generated. The temperature of the die lip 2a near the element 5 may be lowered to increase the film thickness during film formation.
この場合も、発熱量の増加のときと同様に、対
応する加熱素子5の発熱量の減小の程度は、加熱
素子5と対応する膜厚データDの設定値からの偏
差値と正比例する。 In this case, as in the case of an increase in the amount of heat generated, the degree of decrease in the amount of heat generated by the corresponding heating element 5 is directly proportional to the deviation value of the film thickness data D corresponding to the heating element 5 from the set value.
なお、基準値に対する偏差値そのものが正負の
値をとるので、加熱素子5の発熱量は、一般的
に、加熱素子5に対応する膜厚データDと、設定
膜厚値の差に正比例すると云うことができる。 Note that since the deviation value itself from the reference value takes a positive or negative value, the amount of heat generated by the heating element 5 is generally said to be directly proportional to the difference between the film thickness data D corresponding to the heating element 5 and the set film thickness value. be able to.
これにより、偏肉を除去するために必要な各加
熱素子5の発熱量は、絶対レベルではなく、相対
レベルで求められる。 Thereby, the amount of heat generated by each heating element 5 necessary to remove uneven thickness can be determined not at an absolute level but at a relative level.
すなわち、サンプルフイルム3bを成形したと
き(以下この時点を現在とする)の各加熱素子5
の発熱量、例えば、加熱素子5が電気ヒータであ
るとすれば、現在の消費電力が、実際にどの程度
であるかに拘わりなく、消費電力の現在値に対す
る増加分又は減小分の電力値として、発熱量が求
められる。 That is, each heating element 5 when the sample film 3b was molded (hereinafter this point will be referred to as the present).
For example, if the heating element 5 is an electric heater, the power value of the increase or decrease from the current value of power consumption, regardless of the actual amount of power consumption. The calorific value is calculated as follows.
電気ヒータの電力を制御する場合、電気ヒータ
の抵抗の温度係数が、零もしく極く小さいときに
は、消費電力すなわち発熱量は、電流又は電圧の
2乗に正確に比例するので、比例制御が容易とな
り、かつ温度補償の必要はない。 When controlling the power of an electric heater, when the temperature coefficient of the resistance of the electric heater is zero or extremely small, the power consumption, that is, the amount of heat generated, is exactly proportional to the square of the current or voltage, so proportional control is easy. Therefore, there is no need for temperature compensation.
以上の如く、各加熱素子5と対応する各加熱素
子5毎の発熱の加減データΔdは、基準膜厚に応
じた設定値C、位置データP、及び膜厚データD
から、位置データPに従つて、MPU11により、
Δd=D−Cを演算して求められる。 As described above, the heat generation adjustment data Δd for each heating element 5 corresponding to each heating element 5 is based on the set value C according to the reference film thickness, the position data P, and the film thickness data D.
According to the position data P, the MPU 11 performs
It is obtained by calculating Δd=D−C.
このMPU11によつて作られた位置データP
に加減データΔdを対応させたテーブルに基き、
位置データP上で、各加熱素子5に付設された素
子番号Nが対応付けされ、素子番号Nと加減デー
タΔdを対応させた加熱素子制御テーブルTxが作
られる。この制御テーブルTxは、作業用のメモ
リM1に一旦格納される。 Position data P created by this MPU11
Based on the table that corresponds to the addition/subtraction data Δd,
On the position data P, the element number N attached to each heating element 5 is associated, and a heating element control table Tx is created in which the element number N is associated with the adjustment data Δd. This control table Tx is temporarily stored in the working memory M1.
演算手段7は、不揮発性のメモリM2、、例え
ばROMもしくは電池でバツクアツプされた
RAM等によるメモリエリアを備え、このメモリ
M2には、加熱素子基準制御テーブルTfが格納
されている。 The calculation means 7 is a nonvolatile memory M2, such as a ROM or backed up by a battery.
A memory area such as RAM is provided, and a heating element reference control table Tf is stored in this memory M2.
基準制御テーブルTfは、ダイリツプ2aの間
隔寸法の偏りや各加熱素子の発熱特性のバラツキ
等、ダイス2の製造時や、ダイリツプ2aの間隔
調整時に、予め定まるダイス固有のクセによつて
生じる偏肉成分を除去するデータである。 The reference control table Tf is designed to prevent thickness deviations caused by the peculiarities of the die determined in advance during manufacturing of the die 2 and when adjusting the interval between the die lips 2a, such as deviations in the spacing between the die lips 2a and variations in the heat generation characteristics of each heating element. This is data from which components are removed.
例えば、試験運転等による初期調整において、
各加熱素子5を、制御範囲の中心に近い一定値で
加熱制御しておき、かつ、フイルム仕様や運転状
態を標準的な状況に設定して、フイルム3を成形
し、その際に得られるサンプルフイルム3bの測
定データに基いて、前述の制御テーブルTXを作
る。 For example, during initial adjustments such as test runs,
The heating of each heating element 5 is controlled to a constant value close to the center of the control range, and the film specifications and operating conditions are set to standard conditions, and the film 3 is formed, and the sample obtained at that time. The aforementioned control table T X is created based on the measurement data of the film 3b.
次に、制御テーブルTXに基づいて、各加熱素
子5の制御値に変更を加える。すなわち、最初の
各素子の一定基準値に、各素子に対応する加減デ
ータΔdを加える。 Next, changes are made to the control values for each heating element 5 based on the control table TX . That is, addition/subtraction data Δd corresponding to each element is added to the initial constant reference value of each element.
各加熱素子5の制御に変更を加えて、発熱量が
変更した後、変更があつた加熱素子5の熱平衡を
待つて、次のサンプルフイルム3bを採集する。 After the control of each heating element 5 is changed to change the amount of heat generated, the next sample film 3b is collected after waiting for thermal equilibrium of the changed heating element 5.
以下同様に、サンプルフイルム3bに偏肉がな
くなるか、もしくは、偏肉が所要の基準値以下に
小さくなるまで、この調整を繰返えす。 This adjustment is repeated in the same way until the sample film 3b has no uneven thickness or until the uneven thickness becomes smaller than a required reference value.
このサンプリングフイルム3bの採集による繰
返し調整は、実質的に、自動制御における帰還制
御である。その帰還量には、加減データΔdが相
当し、この帰還量が負帰還であれば、すなわち、
偏肉を除去する方向に作用していれば、長周期的
に偏肉成分は零に収束する。 This repeated adjustment by collecting the sampling film 3b is essentially feedback control in automatic control. The amount of feedback corresponds to the addition/subtraction data Δd, and if this amount of feedback is negative feedback, that is,
If it acts in the direction of removing the uneven thickness, the uneven thickness component will converge to zero over a long period.
上述の調整の結果、偏肉が除去されて、膜厚の
均一なフイルム3aが得られるようになつた時点
で、その時点の制御テーブルTxを制御基準テー
ブルTfとし、それを不揮発メモリM2に格納す
る。 As a result of the above adjustment, when the uneven thickness is removed and a film 3a with a uniform thickness can be obtained, the control table Tx at that point is set as the control reference table Tf, and it is stored in the nonvolatile memory M2. do.
なお、制御基準テーブルTfにおける、各加熱
素子5の制御データdに係る部分は、加減データ
Δdと同様の基準値に対する相対値、もしくは、
加熱素子の発熱量(又は消費電力)と対応する絶
対レベルの値のいずれであつてもよい。 In addition, in the control reference table Tf, the part related to the control data d of each heating element 5 is a relative value with respect to a reference value similar to the addition/subtraction data Δd, or
It may be any absolute level value corresponding to the amount of heat generated (or power consumption) of the heating element.
基準制御テーブルTfの作成は、ダイス2の組
立て時、及びダイリツプ2aのリツプ間隔調節時
に行なえばよい。 The reference control table Tf may be created when assembling the die 2 and when adjusting the lip interval of the die lip 2a.
通常のフイルム成形の開始に際しては、最初
に、基準制御チーブルTfによつて各加熱素子5
が制御される。しかし、偏肉を生じるパラメータ
は多く、かつ温度が関係するので複雑である。ま
た、基準制御テーブルTfの作成時とは異なる仕
様のフイルムを作るとき、偏肉を生じることがあ
る。 At the start of normal film forming, each heating element 5 is first controlled by the standard control Cheeble Tf.
is controlled. However, there are many parameters that cause uneven thickness, and it is complicated because it is related to temperature. Furthermore, when producing a film with specifications different from those used when creating the reference control table Tf, uneven thickness may occur.
そのため、フイルム成形の開始時に、基準制御
テーブルTfによつて予熱し、ダイス2が熱平衡
した後、フイルム3が安定して成形しうる状態に
なると、フイルムの成形を開始して、サンプルフ
イルム3bを抽出し、そのサンプルフイルム3b
を、前述のように、膜厚測定手段8に装着して膜
厚を測定し、位置データPと膜厚データDを採集
する。 Therefore, at the start of film forming, after the die 2 is preheated by the reference control table Tf and the film 3 is in a state where it can be stably formed after the die 2 is in thermal equilibrium, the film forming is started and the sample film 3b is Extract the sample film 3b
As described above, the film thickness is measured by being attached to the film thickness measuring means 8, and position data P and film thickness data D are collected.
この位置データPと膜厚データDにより、基準
制御テーブルTfの変動分が演算され、各加熱素
子5の発熱量が、速やかに再設定される。 Using this position data P and film thickness data D, the amount of variation in the reference control table Tf is calculated, and the amount of heat generated by each heating element 5 is quickly reset.
MPU11によつて演算された加熱素子番号N
と、それに対応する制御データdは、デイジタ
ル・アナログ(以下D/Aと略称する)変換部1
3と電力制御部14を介して、各加熱素子5を制
御する。 Heating element number N calculated by MPU11
and the corresponding control data d are converted into a digital-to-analog (hereinafter abbreviated as D/A) converter 1.
3 and a power control section 14, each heating element 5 is controlled.
また、各測温素子6の測定値は、温度測定部1
5とアナログ・デイジタル(以下A/Dと略称す
る)変換部16を介して、適時にMPU11に取
り込まれる。 Further, the measured value of each temperature measuring element 6 is determined by the temperature measuring section 1.
5 and an analog-to-digital (hereinafter abbreviated as A/D) converter 16, the data is taken into the MPU 11 at a proper time.
第6図は、各加熱素子5の電気ヒータを、比例
制御によつて電力制御する例を示し、第7図は、
各加熱素子5を、それと対の測温素子6′によつ
て、フイードバツク制御を行なう例を示す。 FIG. 6 shows an example in which the electrical power of the electric heater of each heating element 5 is controlled by proportional control, and FIG.
An example will be shown in which each heating element 5 is subjected to feedback control using a temperature measuring element 6' paired with it.
第6図について説明すると、電力制御部14
は、各加熱素子5毎に、各加熱素子5の消費電力
を制御する複数の電力制御回路14aを備えてい
る。 To explain FIG. 6, the power control section 14
is equipped with a plurality of power control circuits 14a for each heating element 5 to control the power consumption of each heating element 5.
電力制御回路14aは、入力電圧の値に応じ
て、出力の負荷の消費電力を制御し、入力電圧が
一定であれば、出力の負荷(電気ヒータ)の消費
電力も一定になり、入力電圧が変化すると、出力
電力も、入力電圧の大きさに比例して変化する。 The power control circuit 14a controls the power consumption of the output load according to the value of the input voltage, and if the input voltage is constant, the power consumption of the output load (electric heater) is also constant, and the input voltage is When changing, the output power also changes in proportion to the magnitude of the input voltage.
このような電力制御回路14aは、負荷の電気
ヒータに、前述の如く、抵抗の温度係数が極く小
さいもの、又は零のものを使用すれば、入力電圧
を2乗する回路で達成できる。 Such a power control circuit 14a can be achieved by a circuit that squares the input voltage by using an electric heater of the load whose temperature coefficient of resistance is extremely small or zero, as described above.
また、サイリスタを用いた時分割制御において
も、電力制御が可能である。この場合の制御デー
タdと消費電力の対応リニアリテイは、MPU1
1における演算によつて、対処することができ
る。このリニアリテイは必須ではない。 Moreover, power control is also possible in time division control using thyristors. In this case, the corresponding linearity between control data d and power consumption is MPU1
This can be handled by the operation in 1. This linearity is not required.
前者の2乗回路によるか、又は制御データd
を、予めMPU11側で2乗しておいてから、電
力制御回路14aに与える比例制御について説明
する。 By the former square circuit or by control data d
will be squared in advance on the MPU 11 side and then proportional control applied to the power control circuit 14a will be explained.
MPU11からは、制御データd(又はそれを2
乗したデータd2)がD/A変換部13に送られ、
この制御データdは、制御データdと対応する加
熱素子番号Nに応じ、その番号Nの加熱素子5を
制御する回路のラツチ回路13aに取り込まれ
る。 From the MPU 11, control data d (or 2
The multiplied data d 2 ) is sent to the D/A converter 13,
This control data d is taken into the latch circuit 13a of the circuit that controls the heating element 5 of the number N in accordance with the heating element number N corresponding to the control data d.
取り込まれた制御データdは、ラツチ回路13
aからD/A変換回路13bに送られ、D/A変
換回路13bでD/A変換された制御データd
は、電力制御回路14aに送られる。 The captured control data d is sent to the latch circuit 13
control data d sent from a to the D/A conversion circuit 13b and D/A converted by the D/A conversion circuit 13b;
is sent to the power control circuit 14a.
このようなD/A変換部13の構成は、一例で
あり、D/A変換を先処理してから、アナログ信
号を保持するサンプル・ホールド回路によること
もある。この場合には、D/A変換したアナログ
信号を、アナログスイツチ等によるマルチプレク
サによつて、各番号Nに応じたサンプル・アン
ド・ホールド回路に分配することができる。 The configuration of the D/A converter 13 is just one example, and may include a sample-and-hold circuit that pre-processes the D/A conversion and then holds the analog signal. In this case, the D/A converted analog signal can be distributed to sample-and-hold circuits corresponding to each number N by a multiplexer such as an analog switch.
各ラツチ回路13aは、MPU11のポートア
ンドレスによつて加熱素子番号Nを指定し、
MPU11のバスラインから、制御データdを直
接取り込むこともできる。 Each latch circuit 13a specifies the heating element number N by the port address of the MPU 11,
The control data d can also be directly taken in from the bus line of the MPU 11.
第7図は、電力制御部14の別の実施例を示す
もので、電力回路14aは、第6図のものと同様
でよい。 FIG. 7 shows another embodiment of the power control unit 14, and the power circuit 14a may be the same as that in FIG.
測温素子6′は、各加熱素子5に1対1の対応
で設けられ、各加熱素子5の温度を計つている。 The temperature measuring element 6' is provided in a one-to-one correspondence with each heating element 5, and measures the temperature of each heating element 5.
測温素子6′が検出した温度は、増幅器14b
を介して温度信号に変換され、コンパレータ14
cの制御入力端子に入力する。 The temperature detected by the temperature measuring element 6' is transferred to the amplifier 14b.
is converted into a temperature signal via the comparator 14
input to the control input terminal of c.
コンパレータ14cの基準信号入力端には、前
記と同様のD/A変換回路13bからの制御デー
タが入力している。これにより、コンパレータ1
4cは、D/A変換回路13bからの制御データ
dと、増幅器14bが出力する温度信号を、等し
くなるように電力回路14aを制御している。 Control data from the D/A conversion circuit 13b similar to that described above is input to the reference signal input terminal of the comparator 14c. This allows comparator 1
4c controls the power circuit 14a so that the control data d from the D/A conversion circuit 13b and the temperature signal output from the amplifier 14b are equal.
この第7図の電力回路14aは、コンパレータ
14cの出力で制御されるので、制御データdが
新たなものに変更されると、出力を大幅変動し
て、応答性を高め、加熱素子5を制御データdに
応じた温度に速やかに制御する。 The power circuit 14a in FIG. 7 is controlled by the output of the comparator 14c, so when the control data d is changed to a new one, the output is greatly varied to improve responsiveness and control the heating element 5. The temperature is quickly controlled according to the data d.
第6図に示す電力回路14aでは、制御データ
dが新たなものに変更されると、出力電力の変化
分は、加減データΔdの大きさでしか変化しない。
そのため、応答性が悪い。 In the power circuit 14a shown in FIG. 6, when the control data d is changed to a new one, the amount of change in output power changes only by the magnitude of the addition/subtraction data Δd.
Therefore, responsiveness is poor.
これを解消するには、制御データdの変更時
に、加減データΔdの大きさに応じて、立ち上が
りが大きく、かつ所要の減衰率をもつ微分波形成
分を、MPU11の演算において重ね合せて、応
答性を高めればよい。 In order to solve this problem, when changing the control data d, depending on the magnitude of the adjustment data Δd, differential waveform components with a large rise and a required attenuation rate are superimposed in the calculation of the MPU 11 to improve the response. All you have to do is increase it.
一方、第7図の測温素子6′が増幅回路14b
によつて得る温度信号の絶対レベルの精度、すな
わち、相互の基準レベルの一致精度は、一般的な
温度制御に関するものよりも低くてもよい。 On the other hand, the temperature measuring element 6' in FIG. 7 is connected to the amplifier circuit 14b.
The accuracy of the absolute level of the temperature signal obtained by the above method, that is, the accuracy of matching of mutual reference levels, may be lower than that related to general temperature control.
例えば、各加熱素子5に対応した測温素子6′
に係る検出温度特性の相対誤差に、数℃のオフセ
ツト誤差があつても差支えない。 For example, a temperature measuring element 6' corresponding to each heating element 5
There is no problem even if there is an offset error of several degrees Celsius in the relative error of the detected temperature characteristics.
すなわち、サンプルフイルム3bに生じた偏肉
成分を除くための加減データΔdは、サンプルフ
イルム3bを作つたときの検出温度に対して、加
減するべき相対的な温度差成分であり、サンプル
抽出時の検出温度の絶対レベル誤差は、制御に影
響しない。 That is, the adjustment data Δd for removing the uneven thickness component occurring in the sample film 3b is a relative temperature difference component that should be adjusted with respect to the detected temperature when the sample film 3b was produced, and is a relative temperature difference component that should be adjusted. Absolute level error in detected temperature does not affect control.
このことは、第6図における電力回路14aに
ついても同様であり、各電力回路14a同士の入
出力特性の絶対レベルの整合は不要である。 This also applies to the power circuits 14a in FIG. 6, and there is no need to match the absolute levels of the input/output characteristics between the power circuits 14a.
しかし、第1回目のサンプル抽出時において
は、第6図の各電力回路14aの入出力特性、又
は第7図の各検出温度特性のバラツキによる影響
が現われる。 However, during the first sampling, the influence of variations in the input/output characteristics of each power circuit 14a in FIG. 6 or the detected temperature characteristics in FIG. 7 appears.
すなわち、各D/A変換回路13bが、すべて
同じ値を基準値として出力していても、上記入出
力特性、又は検出温度特性のバラツキによつて、
各加熱素子5の発熱量にバラツキを生じ、その結
果、第1回目のサンプルフイルム3bの偏肉成分
に影響する。 That is, even if each D/A conversion circuit 13b outputs the same value as a reference value, due to variations in the input/output characteristics or detected temperature characteristics,
The amount of heat generated by each heating element 5 varies, and as a result, the uneven thickness of the first sample film 3b is affected.
加熱素子5の発熱量を変更した場合、加熱素子
5が変更された発熱量で熱平衡するには時間を要
する。このの時間が応答時間であり、これを短縮
するためには、前記微分制御やフイードバツク制
御が必要となる。 When the amount of heat generated by the heating element 5 is changed, it takes time for the heating element 5 to reach thermal equilibrium with the changed amount of heat. This time is the response time, and in order to shorten it, the differential control and feedback control described above are required.
しかし、ダイリツプ2aの部分は熱容量が大き
く、上記制御を行なつたとしても、安定期に至る
には若干の時間を要する。 However, the die lip 2a has a large heat capacity, and even if the above control is performed, it will take some time to reach a stable period.
この発熱量の変更時から熱安定期に至るまでの
時間は、発熱量の変更の度合に比例する。すなわ
ち、加減データΔdの絶対値(|Δd|)の大きさ
に比例し、加減データΔdが大幅にバラツキ、変
動値に大きなものがあれば、偏肉除去の調節に時
間を要することになる。 The time from when the calorific value is changed until the thermal stability period is reached is proportional to the degree of change in the calorific value. That is, it is proportional to the magnitude of the absolute value (|Δd|) of the addition/subtraction data Δd, and if the addition/subtraction data Δd varies widely, and the fluctuation value is large, it will take time to adjust the uneven thickness removal.
前記加熱基準制御テーブルTfには、入出力特
性や検出温度特性のバラツキを除去する成分を含
み、通常のフイルム成形の開始初期には、この制
御テーブルTfによつて、各加熱素子5を制御し、
ダイス2が十分に予熱され、熱的に安定したから
フイルム成形を開始する。 The heating reference control table Tf includes components for eliminating variations in input/output characteristics and detected temperature characteristics, and at the beginning of normal film forming, each heating element 5 is controlled by this control table Tf. ,
After the die 2 has been sufficiently preheated and thermally stabilized, film forming is started.
このようにすると、通常の作業開始の第1回目
のサンプル抽出による調節によつて、偏肉の少な
い良質のフイルムが、速やかに製造される。 In this way, a high-quality film with less uneven thickness can be quickly produced by adjusting the first sample extraction at the start of a normal operation.
日常的なフイルムの製造に際して、フイルム厚
や、フイルム幅、フイルムの引き出し速度等の所
要の各データは、キー装置10からMPU11に
入力される。 During daily film manufacturing, necessary data such as film thickness, film width, film drawing speed, etc. are input from the key device 10 to the MPU 11.
偏肉除去の調節によつて良質なフイルムが安定
して得られるようになつたところで、それを、必
要に応じてサンプルフイルム3bを採集して確認
し、そのときの各加熱素子5の制御データdを、
加熱素子番号Nと対応させて、フイルム仕様に応
じた制御テーブルTlとして不発揮メモリM3に
記憶させる。 Once a high-quality film can be stably obtained by adjusting the uneven thickness removal, it is confirmed by collecting a sample film 3b as necessary, and the control data of each heating element 5 at that time is recorded. d,
It is associated with the heating element number N and stored in the non-performance memory M3 as a control table Tl according to the film specifications.
また、フイルム仕様が変更された際、その度毎
に、制御テーブルT2,T3…として記憶し、か
つ、同一フイルム仕様であつても、最新のものに
更新記憶する。 Further, each time the film specifications are changed, the control tables are stored as control tables T2, T3, etc., and even if the film specifications are the same, they are updated to the latest one.
フイルム仕様に応じた制御テーブルT1,T2
…は、稼動初期にMPU11に入力されるフイル
ム仕様のデータに基き選択され、前記加熱素子基
準制御テーブルTfに代えて、稼動開始時に各加
熱素子を制御する。 Control tables T1 and T2 according to film specifications
... is selected based on film specification data input to the MPU 11 at the beginning of operation, and controls each heating element at the start of operation instead of the heating element reference control table Tf.
これにより、フイルム仕様に応じ、かつ常に最
新の制御テーブルT1,T2…により、膜厚が制
御できる。上記制御テーブルT1,T2…Tnを記憶
する不揮発メモリM3は、着脱自在のICカードと
することもある。ICカードによる場合は、1個
のICカードに1つの制御テーブルを、また、1
個にICカードに、フイルム仕様や発注先特注、
仕様等の特定な要素に関連させて、複数の制御テ
ーブルを記録しておいてもよい。 Thereby, the film thickness can be controlled according to the film specifications using the latest control tables T1, T2, . . . . The nonvolatile memory M3 that stores the control tables T1 , T2 ...Tn may be a removable IC card. When using an IC card, one IC card has one control table, and one IC card has one control table.
Individual IC cards, film specifications and special orders from suppliers,
A plurality of control tables may be recorded in association with specific elements such as specifications.
フイルムの厚さを、その送り方向と直交する方
向に連続的に測定して制御するので、偏肉の少な
い均一な膜厚のフイルムを得ることができる。
Since the thickness of the film is continuously measured and controlled in a direction perpendicular to the feeding direction, it is possible to obtain a film with a uniform thickness with little thickness deviation.
偏肉を除去するための調節が、速やかに行なわ
れるため、調節の間に成形される不良品が少な
く、歩留まりが良くなる。 Since the adjustment to remove uneven thickness is performed quickly, there are fewer defective products molded during the adjustment, and the yield is improved.
フイルム仕様の変更にも、速やかに対処でき、
そのため、フイルムの多種小量生産が容易とな
り、かつ膜厚の調節に熟練を要しない。 We can quickly respond to changes in film specifications,
Therefore, it becomes easy to produce a wide variety of films in small quantities, and no skill is required to adjust the film thickness.
第1図は、本発明の一実施例のブロツク図、第
2図は、第1図の−線におけるダイスの拡大
平面図、第3図は、第2図の−線における拡
大縦断面図、第4図は、第1図に示す、演算手段
のブロツク図、第5図は、サンプルフイルムの位
置データPとそれに対応する膜厚データDのグラ
フに、ダイリツプ開口周縁に設けた各加熱素子の
位置関係を対応させて示す図、第6図は、第4図
に示す電力制御部の一実施例を示すブロツク図、
第7図は、同じく第4図の電力制御部の別の実施
例を示すブロツク図である。
1……押出機、2……フイルム成形ダイス、2
a……ダイリツプ、2b……ダイ本体、2c……
マンドレル、2d……上端部、2e……リツプ調
節リング、2f……エアーリング、2g……バン
ドヒータ、2h……測温素子、2i……調節ね
じ、3……フイルム、3a……完成フイルム、2
b……サンプルフイルム、3c……折目、4……
ニツプロール、5……加熱素子、6……測温素
子、7……演算手段、8……膜厚測定手段、8a
……ロータリーエンコーダ、8b……駆動ロー
ラ、8c……案内ローラ、8d……テンシヨンロ
ーラ、8e……膜厚検知センサ、8f……投光
器、9……CRTモニタ装置、10……キー装置
10、11……MPU、12……A/D変換器、
13……D/A変換部、13a……ラツチ回路、
13b……D/A変換回路、14……電力制御
部、14a……電力制御回路、14b……増幅
器、14c……コンパレータ、15……温度測定
部、16……アナログ・デイジタル変換部、d…
…制御データ、D……膜厚データ、P……位置デ
ータ、Δd……加減データ、d2……データ、N
……素子番号、M1……作業メモリ、M2,M3
……不発揮メモリ、tx……加熱素子制御テーブ
ル、Tf……加熱素子基準制御テーブル、Tl〜Tn
……制御テーブル。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged plan view of the die taken along the line - in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged longitudinal sectional view taken along the line - in FIG. FIG. 4 is a block diagram of the calculation means shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a graph of the position data P of the sample film and the corresponding film thickness data D, and the graph of each heating element provided at the periphery of the die lip opening. FIG. 6 is a block diagram showing an embodiment of the power control section shown in FIG. 4;
FIG. 7 is a block diagram showing another embodiment of the power control section of FIG. 4. 1... Extruder, 2... Film forming die, 2
a...Die lip, 2b...Die body, 2c...
Mandrel, 2d... Upper end, 2e... Lip adjustment ring, 2f... Air ring, 2g... Band heater, 2h... Temperature measuring element, 2i... Adjustment screw, 3... Film, 3a... Completed film ,2
b...Sample film, 3c...Fold, 4...
Nipprol, 5... Heating element, 6... Temperature measuring element, 7... Calculating means, 8... Film thickness measuring means, 8a
... Rotary encoder, 8b ... Drive roller, 8c ... Guide roller, 8d ... Tension roller, 8e ... Film thickness detection sensor, 8f ... Light emitter, 9 ... CRT monitor device, 10 ... Key device 10 , 11...MPU, 12...A/D converter,
13...D/A converter, 13a...latch circuit,
13b...D/A conversion circuit, 14...Power control unit, 14a...Power control circuit, 14b...Amplifier, 14c...Comparator, 15...Temperature measurement unit, 16...Analog-digital conversion unit, d …
...Control data, D...Film thickness data, P...Position data, Δd...Adjustment data, d2...Data, N
...Element number, M1...Working memory, M2, M3
...Non-performance memory, tx...Heating element control table, Tf...Heating element reference control table, Tl~Tn
...control table.
Claims (1)
の近くに複数の加熱手段と温度測定手段とを設け
たフイルム成形用ダイスと、 ダイリツプから吐出された溶融樹脂を、所要の
速度で引き出すフイルム引き出し手段と、 フイルムの引き出し方向と直交する方向に引き
出し方向の適当な長さ毎に切断した帯環状のサン
プルフイルムの膜厚を、フイルムの切口に沿つ
て、連続的に測定する膜厚測定手段と、 膜厚測定手段によつて測定されたフイルム膜厚
データに基き、フイルム膜厚データの位置データ
を、ダイリツプ周縁に対応させて、ダイリツプの
近くに設けられた複数の加熱手段と膜厚データを
対応させるとともに、その各加熱手段に対応する
膜厚データに基き、フイルムの膜厚を均等とする
べく、各加熱手段の発熱量を電気制御する電気値
を、演算して求める演算手段と、 演算手段によつて求められた各加熱手段対応の
電気制御値に基いて、各加熱手段の発熱量を制御
する加熱手段の発熱量制御手段 とを備えることを特徴とする円筒形インフレーシ
ヨンフイルムの製造装置。[Scope of Claims] 1. A film molding die having an annular die lip and provided with a plurality of heating means and temperature measuring means near the die lip; and a membrane for continuously measuring the film thickness of a ring-shaped sample film cut at appropriate lengths in the direction perpendicular to the film drawing direction along the cut edge of the film. A thickness measuring means; Based on the film thickness data measured by the film thickness measuring means, the positional data of the film thickness data is made to correspond to the die lip periphery and is connected to a plurality of heating means provided near the die lip. In addition to matching the film thickness data, based on the film thickness data corresponding to each heating means, calculation is performed to calculate the electrical value for electrically controlling the amount of heat generated by each heating means in order to equalize the film thickness of the film. and a heating amount control means for controlling the amount of heat generated by each heating means based on the electrical control value corresponding to each heating means determined by the calculation means. Flation film manufacturing equipment.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63143694A JPH01314135A (en) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | Synthetic resin film, method and device for molding thereof in uniform thickness |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63143694A JPH01314135A (en) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | Synthetic resin film, method and device for molding thereof in uniform thickness |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01314135A JPH01314135A (en) | 1989-12-19 |
JPH0586902B2 true JPH0586902B2 (en) | 1993-12-14 |
Family
ID=15344791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63143694A Granted JPH01314135A (en) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | Synthetic resin film, method and device for molding thereof in uniform thickness |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01314135A (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0423386B1 (en) * | 1989-10-17 | 1993-07-28 | Tomi Machinery Manfuacturing Co., Ltd. | Synthetic resin film, method of uniforming the film thickness upon molding of such film and apparatus therefor |
JP7249192B2 (en) * | 2019-03-29 | 2023-03-30 | 住友重機械工業株式会社 | Inflation molding equipment |
JP7469998B2 (en) | 2020-09-09 | 2024-04-17 | 株式会社日本製鋼所 | Resin film manufacturing apparatus and control method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5295768A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-11 | Mitsubishi Plastics Ind | Method of extrusion molding thermoplastic synthetic resin film |
JPS56135028A (en) * | 1980-02-21 | 1981-10-22 | Windmoeller & Hoelscher | Method of controlling thickness of flat film manufactured by flat film extruding device |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143694A patent/JPH01314135A/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5295768A (en) * | 1976-02-09 | 1977-08-11 | Mitsubishi Plastics Ind | Method of extrusion molding thermoplastic synthetic resin film |
JPS56135028A (en) * | 1980-02-21 | 1981-10-22 | Windmoeller & Hoelscher | Method of controlling thickness of flat film manufactured by flat film extruding device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01314135A (en) | 1989-12-19 |
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