JPH0586475A - Vacuum film formation device - Google Patents

Vacuum film formation device

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Publication number
JPH0586475A
JPH0586475A JP30405891A JP30405891A JPH0586475A JP H0586475 A JPH0586475 A JP H0586475A JP 30405891 A JP30405891 A JP 30405891A JP 30405891 A JP30405891 A JP 30405891A JP H0586475 A JPH0586475 A JP H0586475A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chamber
film forming
vacuum
peripheral mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP30405891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Katsuta
伸一 勝田
Kazuaki Takahashi
一秋 高橋
Masahiko Imai
雅彦 今井
Kenichi Tsuchida
謙一 土田
Masaru Koarai
勝 小荒井
Teruo Yanagibashi
輝雄 柳橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Diavac Ltd
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Diavac Ltd
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Diavac Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Publication of JPH0586475A publication Critical patent/JPH0586475A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance vacuumizing efficiency in the case of carrying a base body into a vacuum chamber. CONSTITUTION:A vacuum film formation device is provided with a vacuum chamber 41, a base body introducing/taking out chamber 43 directly connected to the upside of the vacuum chamber 41, a base body holding member 44 shared with a cover, a table 75 having a hole 75a for placing the base body, a film formation chamber for performing film formation treatment on the base body 45, an outer circumferential mask 60 for placing the base body 45 thereon and a sluice valve body 65 which partitions both the chamber 43 and the vacuum chamber 41 by interposing the outer circumferential mask 60. The base body 45 is carried into the base body introducing/taking out chamber 43 and covered with the base body holding member 44 shared with the cover. Thereafter, the chamber 43 is vacuumized and sucked from a suction port 59. Since only the chamber 43 having small volume is vacuumized and sucked at this time, this vacuumizing and suction are finished in an extremely short time. Thereafter when the sluice valve body 65 is lowered, the base body 45 is lowered together with the outer circumferential mash 60 and placed on the hole 75a of the table 75.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は,真空蒸着法,スパッ
タリング法,イオンプレーティング法等による真空成膜
装置に関し,特に,コンパクトデイスク,レーザディス
ク,光磁気ディスクに利用するプラスチック製ディスク
等に真空中で連続的にアルミニゥム等の薄膜を形成する
真空成膜装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum film forming apparatus using a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, etc., and particularly to a compact disk, a laser disk, a plastic disk used for a magneto-optical disk and the like. The present invention relates to a vacuum film forming apparatus for continuously forming a thin film of aluminum or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】ディスクを連続的に供給しながら,真空
蒸着を行うディスク連続蒸着装置とし従来,図8に示す
ものがあった。その全体構成は,同図に示すように,真
空チャンバ1内に回転テーブル3を設け,該回転テーブ
ル3の上には複数のディスク30が乗っている。回転テ
ーブル3の中心には,回転軸27が固定され,該回転軸
27はインデックスモータ201に接続される。真空チ
ャンバには,上部にディスク出入れ室16および蒸着室
35が接続され,下部に高真空に引くための油拡散ポン
プ(ターボモレキュラーポンプ等でもよい)202が接
続されている。ディスク出入れ室16にはエアシリンダ
19が接続されて上下可能となっている。回転テーブル
3の周囲には,真空チャンバとの間にスペース203が
取られている。
2. Description of the Related Art A disk continuous vapor deposition apparatus for performing vacuum vapor deposition while continuously supplying disks has conventionally been shown in FIG. As shown in the figure, the whole structure is such that a rotary table 3 is provided in the vacuum chamber 1, and a plurality of disks 30 are mounted on the rotary table 3. A rotary shaft 27 is fixed to the center of the rotary table 3, and the rotary shaft 27 is connected to the index motor 201. A disk loading / unloading chamber 16 and a vapor deposition chamber 35 are connected to the upper part of the vacuum chamber, and an oil diffusion pump (which may be a turbo molecular pump or the like) 202 for drawing a high vacuum is connected to the lower part of the vacuum chamber. An air cylinder 19 is connected to the disk loading / unloading chamber 16 and can be moved up and down. A space 203 is provided around the rotary table 3 between the rotary table 3 and the vacuum chamber.

【0003】次に,従来例のディスク出入れ室16での
処理を図9に参照して説明する。新しい未蒸着のディス
ク30の挿入前,ディスク受台保持具7(蒸着作業の途
中であれば,ここには蒸着の完了したディスクが乗って
おり,下記の新ディスクの挿入作業の直前に取り出され
ることになる)はエアシリンダ10によって上昇し,そ
の上に載置されたディスク受台4もこれとともに上昇し
て,真空チャンバ1のパッキン106に接して,真空チ
ャンバ1は高真空を保持する。また,同時にエアシリン
ダ19によって上昇した仕切り弁体17がピン34に当
たると,リーク弁体24が開いてディスク出入れ室内に
大気が導入され,さらに図示しない油回転真空ポンプの
排気口をシール材104により塞いで排気を停止する。
そして,引き続きエアシリンダ19によってディスク出
入れ室16が上昇し,適宜の高さ位置で停止する。
Next, processing in the conventional disk loading / unloading chamber 16 will be described with reference to FIG. Before the insertion of a new undeposited disc 30, the disc pedestal holder 7 (if the deposition work is in progress, the deposition-completed disc is placed here and is taken out immediately before the insertion work of the new disc described below. The air cylinder 10 moves up, and the disk pedestal 4 mounted on the air cylinder 10 also moves up to come into contact with the packing 106 of the vacuum chamber 1 and the vacuum chamber 1 maintains a high vacuum. At the same time, when the sluice valve body 17 raised by the air cylinder 19 hits the pin 34, the leak valve body 24 opens and air is introduced into the disk loading / unloading chamber, and the exhaust port of the oil rotary vacuum pump (not shown) seals the sealing material 104. To block and stop exhaust.
Then, the disk loading / unloading chamber 16 is continuously raised by the air cylinder 19 and stopped at an appropriate height position.

【0004】この状態で図9に破線で示す位置にあるデ
ィスク受台4にディスク30を乗せると,エアシリンダ
19によりディスク出入れ室16が下降して真空チャン
バ1に接する位置で停止する。この時,ディスク出入れ
室16と真空チャンバ1との接続部は,シール材105
で密着し,これによりディスク出入れ室16は密閉され
る。
In this state, when the disk 30 is placed on the disk support 4 at the position shown by the broken line in FIG. 9, the air cylinder 19 causes the disk loading / unloading chamber 16 to descend and stop at the position where it contacts the vacuum chamber 1. At this time, the connecting portion between the disk loading / unloading chamber 16 and the vacuum chamber 1 has a sealing material 105.
And the disk loading / unloading chamber 16 is sealed.

【0005】さらに,エアシリンダ19によって仕切り
弁体17が下降し,図の位置で停止する。図示しない油
回転ポンプの作動により,ディスク出入れ室内の空気
は,仕切り弁体17の中心筒17’から真空排気口13
を通じて排気される。
Further, the gate valve body 17 is lowered by the air cylinder 19 and stopped at the position shown in the figure. By operating an oil rotary pump (not shown), the air in the disk loading / unloading chamber is moved from the central cylinder 17 ′ of the gate valve body 17 to the vacuum exhaust port 13
Exhausted through.

【0006】ディスク出入れ室16内が,0.1Tor
r程度の真空にまで引かれると,ディスク受台保持具7
は,エアシリンダ10により下降し,ディスクはディス
ク受台4とともに下降して真空チャンバ1内の回転テー
ブル3に乗せられる。ディスク受台保持具7の先端は,
ディスク受台から外れて図の下方の位置まで下降して停
止する。
The inside of the disk loading / unloading chamber 16 is 0.1 Tor.
When the vacuum is pulled to about r, the disk pedestal holder 7
Is lowered by the air cylinder 10, and the disc is lowered together with the disc holder 4 and placed on the rotary table 3 in the vacuum chamber 1. The tip of the disk cradle holder 7 is
It comes off from the disk pedestal and descends to the lower position in the figure and stops.

【0007】この状態でインデックスモータ201によ
る回転軸27の回転により回転テーブル3が一ディスク
分回転して,新たに挿入されたディスクが蒸着室に向か
って送られ,さらに蒸着済みのディスクがディスク出入
れ室16の下方位置に運ばれる。
In this state, the rotation of the rotary shaft 27 by the index motor 201 causes the rotary table 3 to rotate by one disc, the newly inserted disc is sent to the vapor deposition chamber, and the vapor-deposited disc is ejected. It is carried to the lower position of the receiving chamber 16.

【0008】上記処理が同様に順次繰り返され,ディス
ク30は回転テーブル3に乗せられて蒸着室35まで送
られる。
The above process is similarly repeated in sequence, and the disk 30 is placed on the rotary table 3 and sent to the vapor deposition chamber 35.

【0009】以下,蒸着室での処理を図10を参照して
説明する。新しいディスクが蒸着室35の下方まで送ら
れ,図の点線で示す位置までくると,エアシリンダ41
によりディスク受台保持具7が上昇して,ディスク受台
4をディスク30ごと上昇させ,図の実線で示す位置ま
で至ってディスク30が外周マスク36および内周マス
ク38に接して停止する。
The processing in the vapor deposition chamber will be described below with reference to FIG. When a new disk is sent below the vapor deposition chamber 35 and reaches the position shown by the dotted line in the figure, the air cylinder 41
As a result, the disc pedestal holder 7 rises to raise the disc pedestal 4 together with the disc 30, and the disc 30 comes into contact with the outer peripheral mask 36 and the inner peripheral mask 38 and stops at the position shown by the solid line in the figure.

【0010】蒸着室35にはアルゴンガスが流し込まれ
ており,この状態で陰極37に高電圧が印加されると,
放電が生じ,アルミニゥムのターゲット39に衝突した
アルゴン原子により,アルミニゥム粒子が放出され,こ
れがディスク30の外周マスク36,内周マスク38に
覆われずに露出している部分に蒸着される。
Argon gas is flown into the vapor deposition chamber 35, and when a high voltage is applied to the cathode 37 in this state,
Discharge occurs and the argon atoms that collide with the aluminum target 39 release aluminum particles, which are deposited on the exposed portion of the disk 30 without being covered by the outer peripheral mask 36 and the inner peripheral mask 38.

【0011】蒸着が終了すると,エアシリンダ41によ
りディスク受台保持具7が下降して,ディスク受台4を
ディスク30ごと下降させ,図の破線で示す位置まで至
ってディスク受台4が回転テーブル3の穴部で載置さ
れ,ディスク受台保持具7はさらに下降して図の破線位
置で停止する。
When vapor deposition is completed, the disk pedestal holder 7 is lowered by the air cylinder 41, the disk pedestal 4 is lowered together with the disk 30, and the disk pedestal 4 is rotated to the position shown by the broken line in the figure. The disk holder holder 7 is further lowered and stopped at the position indicated by the broken line in the figure.

【0012】この状態でインデックスモータ201によ
る回転軸27の回転により回転テーブル3が一ディスク
分回転して蒸着の終了したディスクがディスク出入れ室
16に向かって送られ,新しいディスクが蒸着室35の
下方位置に運ばれる。上記処理が同様に順次繰り返され
る。
In this state, the rotation of the rotary shaft 27 by the index motor 201 causes the rotary table 3 to rotate by one disk, and the disk for which vapor deposition has been completed is sent to the disk loading / unloading chamber 16, and a new disk is placed in the vapor deposition chamber 35. Carried to the lower position. The above process is similarly repeated in sequence.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記従来例において
は,真空チャンバ内を搬送されてきたディスクの上面に
蒸着を行っている(スパッタダウン方式)が,搬送中に
ごみが上方から落下して付着すると,形成された膜にピ
ンホールが生じることになる。これは特にCD−ROM
等において問題となる。これを避けるには,ディスクの
下面から蒸着を行うようにすればよい(スパッタアップ
方式)。
In the above-mentioned conventional example, although vapor deposition is performed on the upper surface of the disk which has been transported in the vacuum chamber (sputter-down method), dust falls from above during transport and adheres to it. Then, a pinhole is generated in the formed film. This is especially a CD-ROM
Etc. becomes a problem. To avoid this, vapor deposition should be performed from the bottom surface of the disk (sputter-up method).

【0014】ところで,ディスクに蒸着を行う場合,外
縁まで蒸着してしまうと,その後に樹脂で表面をコーテ
ィングしてもディスク端においてアルミニゥム等の膜が
露出し易く.そこから酸化して劣化することとなる。こ
のため,ディスクの外縁から一定のマージンを取り,こ
の部分にはアルミニゥム等の膜を形成しないようにする
のが一般的である。そのためには蒸着時にディスク縁部
にマスクを設け,ここにアルミニゥム等が付着しないよ
うにする必要がある。上記従来例では,蒸着室下面に外
周マスク36を設けていた(図10)。
By the way, when the disk is vapor-deposited, if the outer edge is vapor-deposited, a film such as aluminum is likely to be exposed at the edge of the disk even if the surface is subsequently coated with resin. From there, it will be oxidized and deteriorated. For this reason, it is common to take a certain margin from the outer edge of the disk and not form a film of aluminum or the like on this part. For that purpose, it is necessary to provide a mask on the edge of the disk during vapor deposition to prevent aluminum and the like from adhering to it. In the above conventional example, the outer peripheral mask 36 is provided on the lower surface of the vapor deposition chamber (FIG. 10).

【0015】しかしながら,スパッタアップ方式を取っ
た場合に,適切な外周マスクを設けるのは困難であっ
た。
However, when the spatter-up method is adopted, it is difficult to provide an appropriate outer peripheral mask.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の真空成膜装置は,真空チャンバと,この真空チャン
バの上側に直接連続して設けられた,成膜対象の基体を
真空チャンバ内に出し入れするための基体出入れ室と,
この基体出入れ室の開口部を塞ぐ蓋と,基体を穴内周縁
で受ける基体載置用穴を持ち,前記真空チャンバ内に移
動可能に設けられたテーブルと,前記基体出入れ室とは
異なる位置で,移動した前記テーブルの基体載置用穴に
面するように設けられた成膜室と,基体出入れ室の内径
0 より大きい外径D2 (D0 〈D2 )を有し,基体外
径dより小さな内径D1 (D1 〈d)を有する外周マス
クと,上下動可能であり,最上昇時に前記基体出入れ室
と真空チャンバとを前記外周マスクを介在させて仕切る
とともに,上下動して基体を前記外周マスクとともに前
記テーブルの基体載置用穴に乗せまたは基体載置用穴か
ら取り出す,前記基体載置用穴の内径D5 より小さな外
径D4 (D4 〈D5)を持つ仕切り弁体とを備えたこと
を特徴とする。
In a vacuum film forming apparatus of the present invention for solving the above problems, a vacuum chamber and a substrate to be film-formed, which is directly and continuously provided above the vacuum chamber, are provided in the vacuum chamber. A substrate loading and unloading chamber for loading and unloading
A table that has a lid that closes the opening of the substrate loading / unloading chamber, a substrate mounting hole that receives the substrate at the inner peripheral edge of the hole, and is movably provided in the vacuum chamber, and a position different from the substrate loading / unloading chamber. And having an outer diameter D 2 (D 0 <D 2 ) larger than the inner diameter D 0 of the substrate loading / unloading chamber and the film deposition chamber provided so as to face the substrate mounting hole of the moved table. An outer peripheral mask having an inner diameter D 1 (D 1 <d) smaller than the outer diameter d of the substrate is vertically movable, and at the time of maximum rise, the substrate inlet / outlet chamber and the vacuum chamber are partitioned with the outer peripheral mask interposed, and It moves up and down to put the substrate together with the outer peripheral mask in the substrate mounting hole of the table or to take it out from the substrate mounting hole. The outer diameter D 4 (D 4 <D 4 is smaller than the inner diameter D 5 of the substrate mounting hole. It is characterized by having a gate valve body having 5 ).

【0017】[0017]

【作用】上記構成において,基体は基体出入れ室の蓋を
あけて基体出入れ室内に内部に挿入する。その際,仕切
り弁体は上昇位置にあり外周マスクとともに基体出入れ
室と真空チャンバとの間の仕切りをしているので,真空
チャンバには外部の空気は侵入しない。次いで蓋をして
基体出入れ室の開口部を閉ざした後,基体出入れ室内の
真空吸引を行う。この時の真空吸引は,真空チャンバと
は仕切られた基体出入れ室のみでよいので,極めて短時
間で済む。その後,仕切り弁体を下降させると,基体が
外周マスクとともに下降し,テーブルの基体載置用穴に
載置される。仕切り弁体はテーブルよりさらに下降す
る。テーブルが回転し,基体が成膜室に搬送され,成膜
室において成膜処理が行われる。
In the above structure, the substrate is inserted into the substrate loading / unloading chamber by opening the lid of the substrate loading / unloading chamber. At that time, since the partition valve body is in the raised position and partitions the substrate loading / unloading chamber and the vacuum chamber together with the outer peripheral mask, outside air does not enter the vacuum chamber. Then, after closing the opening of the substrate loading / unloading chamber with a lid, vacuum suction is performed inside the substrate loading / unloading chamber. At this time, the vacuum suction can be performed in an extremely short time because only the substrate loading / unloading chamber separated from the vacuum chamber is required. After that, when the partition valve body is lowered, the base body is lowered together with the outer peripheral mask and placed in the base body mounting hole of the table. The gate valve body further descends from the table. The table rotates, the substrate is transferred to the film forming chamber, and the film forming process is performed in the film forming chamber.

【0018】[0018]

【実施例】以下,本発明の一実施例を図1〜図7を参照
して説明する。図1は本発明の一実施例の真空成膜装置
40の断面図,図2は同概略平面図,図3は同概略の側
面図,図4は図1における基体出入れ室近傍の拡大断面
図,図6は図1における成膜室近傍の拡大断面図で,こ
の実施例の真空成膜装置40は,コンパクトディスク基
板等のプラスチック製の基体45に例えばアルミニゥム
等の材料をスパッタリング法により成膜する装置であ
る。これらの図において,符号41は真空チャンバを示
す。真空チャンバ41はチャンバ筐体42内の内部空間
として形成されている。この真空チャンバ41は,高真
空吸引が可能な油拡散ポンプ,ターボ分子ポンプ,クラ
イオンポンプ等を用いた高真空用真空ポンプ51により
真空吸引される。真空チャンバ41の上側に直接接続し
て基体出入れ室43が形成されている。符号44は前記
基体出入れ室43の開口部を塞ぐ蓋としての機能と基体
45を保持する基体保持部としての機能を兼ねる蓋兼基
体保持部材である。この蓋兼基体保持部材44は,基体
供給排出アーム46の両端部にそれぞれボルト47で固
定されている。基体供給排出アーム46の中心部には垂
直な軸48が固定され,基体供給排出アーム46は駆動
機構49により駆動されて180°回転する動作と,昇
降する動作を行うようにされている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 is a sectional view of a vacuum film forming apparatus 40 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view thereof, FIG. 3 is a schematic side view thereof, and FIG. 4 is an enlarged sectional view in the vicinity of a substrate loading / unloading chamber in FIG. FIG. 6 and FIG. 6 are enlarged cross-sectional views of the vicinity of the film forming chamber in FIG. 1. The vacuum film forming apparatus 40 of this embodiment is configured such that a plastic substrate 45 such as a compact disk substrate is formed with a material such as aluminum by a sputtering method. It is a device for filming. In these figures, reference numeral 41 indicates a vacuum chamber. The vacuum chamber 41 is formed as an internal space inside the chamber housing 42. The vacuum chamber 41 is vacuum-sucked by a high-vacuum vacuum pump 51 using an oil diffusion pump, a turbo-molecular pump, a Klaion pump or the like capable of high-vacuum suction. A substrate loading / unloading chamber 43 is formed directly connected to the upper side of the vacuum chamber 41. Reference numeral 44 is a lid / base body holding member which has a function as a lid for closing the opening of the base body loading / unloading chamber 43 and a function as a base body holding portion for holding the base body 45. The lid / base body holding member 44 is fixed to both ends of the base body supply / discharge arm 46 by bolts 47. A vertical shaft 48 is fixed to the center of the substrate supply / discharge arm 46, and the substrate supply / discharge arm 46 is driven by a drive mechanism 49 to rotate 180 ° and move up and down.

【0019】前記蓋兼基体保持部材44は,基体45の
内周部を吸着する吸着パッド55を備えている。この吸
着パッド55は蓋兼基体保持部材44を貫通する吸引筒
56,基体供給排出アーム46に設けた吸引口46aを
経て外部に図示略の真空ポンプで吸引して真空圧による
基体45の吸着保持を行う。なお,基体吸着手段自体は
その他種々の手段を採用できる。また,蓋兼基体保持部
材44の下面外周部にOリングによるシール部材57が
設けられ,このシール部材57でチャンバ筐体42の上
面との間のシールを行うようになっている。また,蓋兼
基体保持部材44の下面には,基体45の傾き,ずれ等
の取り付け状態を検出するためのセンサ58を取り付け
ている。このセンサ58は,発光素子と受光素子との1
対を備えた光センサその他任意の方式を採用できる。ま
た,ディスク出入れ室43内を真空吸引するための吸引
口59をチャンバ筐体42部分に設けている。吸引口5
9からの基体出入れ室43内の真空吸引は,図示略のロ
ータリポンプ等の荒引き用の真空ポンプを用いる。
The lid / base body holding member 44 is provided with a suction pad 55 for sucking the inner peripheral portion of the base body 45. The suction pad 55 is sucked and held outside by a vacuum pump (not shown) through a suction cylinder 56 penetrating the lid / base holding member 44 and a suction port 46a provided in the base supply / discharge arm 46 to suck and hold the base 45 by vacuum pressure. I do. Note that various other means can be adopted as the substrate adsorbing means itself. Further, a seal member 57 formed of an O-ring is provided on the outer peripheral portion of the lower surface of the lid / base body holding member 44, and the seal member 57 seals the upper surface of the chamber housing 42. Further, a sensor 58 is attached to the lower surface of the lid / base body holding member 44 to detect the mounting state of the base body 45 such as inclination and displacement. This sensor 58 is composed of a light emitting element and a light receiving element.
An optical sensor having a pair or any other method can be adopted. Further, a suction port 59 for vacuum suctioning the inside of the disk loading / unloading chamber 43 is provided in the chamber housing 42 portion. Suction port 5
For vacuum suction in the substrate loading / unloading chamber 43 from 9, a vacuum pump for rough evacuation such as a rotary pump (not shown) is used.

【0020】符号60は後述する成膜室79における成
膜処理に際して,基体45の外周に非成膜領域を形成す
るための外周マスクであり,基体45を乗せるための段
部60aを持ち,図5に寸法関係を示すように,基体出
入れ室43の内径D0 より大きな外径D2 と基体45の
外径dより小さな内径D1 とを持つ。また,この外周マ
スク60が接触するチャンバ筐体42内壁面にシール部
材61を設けている。
Reference numeral 60 denotes an outer peripheral mask for forming a non-film-forming region on the outer periphery of the base body 45 in a film forming process in a film forming chamber 79, which will be described later, and has a step portion 60a on which the base body 45 is placed. As shown in the dimensional relationship in FIG. 5, it has an outer diameter D 2 that is larger than the inner diameter D 0 of the base body inlet / outlet chamber 43 and an inner diameter D 1 that is smaller than the outer diameter d of the base body 45. Further, a seal member 61 is provided on the inner wall surface of the chamber housing 42 with which the outer peripheral mask 60 is in contact.

【0021】符号65は前記外周マスク60とともに前
記基体出入れ室43と真空チャンバ41との間を仕切り
を行う(すなわち両室43,41間の連通を密閉遮断す
る)とともに,上下動して基体45を前記外周マスク6
0とともに後述のテーブル75の基体載置用穴75aに
乗せまたは基体載置用穴75aから取り出す仕切り弁体
であり,前記基体載置用穴75aの内径D5 より小さな
外径D4 を持ち,外周マスク60との接触部にシール部
材66を設けている。仕切り弁体65の上面の中央部
に,基体45と仕切り弁体65との密着を避けるための
間隔をあけた複数の小突起65aを設けている。この仕
切り弁体65はエアシリンダ67によって昇降駆動され
る駆動軸68上端に固定されている。前記蓋兼基体保持
部材44にはばね69によって下方に付勢されて外周マ
スク60を下方に押す垂直な可動のピン70が設けられ
ている。このばね69とピン70とは,外周マスク60
を基体出入れ室43と真空チャンバ41との境界面から
強制的に離脱させる離脱機構71を構成する。
Reference numeral 65 is a partition between the substrate inlet / outlet chamber 43 and the vacuum chamber 41 together with the outer peripheral mask 60 (that is, the communication between the chambers 43 and 41 is hermetically closed), and is vertically moved to move the substrate. 45 is the peripheral mask 6
0 is a partition valve body that is placed on a base body mounting hole 75a of the table 75 described below or taken out from the base body mounting hole 75a, and has an outer diameter D 4 smaller than the inner diameter D 5 of the base body mounting hole 75a. A seal member 66 is provided at a contact portion with the outer peripheral mask 60. A plurality of small projections 65a are provided at the center of the upper surface of the partition valve body 65 at intervals so as to avoid close contact between the base body 45 and the partition valve body 65. The partition valve body 65 is fixed to the upper end of a drive shaft 68 which is vertically driven by an air cylinder 67. The lid / substrate holding member 44 is provided with a vertically movable pin 70 which is urged downward by a spring 69 and pushes the outer peripheral mask 60 downward. The spring 69 and the pin 70 are combined with the outer peripheral mask 60.
A separating mechanism 71 for forcibly separating the substrate from the boundary surface between the substrate loading / unloading chamber 43 and the vacuum chamber 41 is configured.

【0022】前述した基体45を搬送するためのテーブ
ル75は,基体45を外周マスク60とともに受ける前
述の基体載置用穴75aを図2に示すように例えば8個
備えている。このテーブル75はインデックスモータ7
6により回転駆動される垂直な駆動軸77に固定され,
一方向に45°ずつすなわち基体載置用穴75aの間隔
ずつ間欠的に回転するようになっている。
The table 75 for transporting the substrate 45 described above is provided with, for example, eight substrate mounting holes 75a for receiving the substrate 45 together with the outer peripheral mask 60 as shown in FIG. This table 75 is index motor 7
Fixed to a vertical drive shaft 77 that is driven to rotate by 6,
It is adapted to rotate intermittently in one direction by 45 °, that is, by the interval of the substrate mounting holes 75a.

【0023】テーブル75の基体載置用穴75aの停止
位置のうちの前記基体出入れ室43の位置から90°回
転した位置にボンバー室78が設けられ,さらに90°
回転した位置に成膜室79が設けられている。前記ボン
バー室78の詳細は省略するが,高電圧による放電によ
り注入したアルゴンガスのプラズマを発生させ,このプ
ラズマにより基体45の洗浄を行うものであり,ターゲ
ットが存在しない点を除けば,成膜室79の構成と類似
したものである。
A bomber chamber 78 is provided at a position rotated by 90 ° from the position of the substrate loading / unloading chamber 43 in the stop position of the substrate mounting hole 75a of the table 75, and further 90 °.
A film forming chamber 79 is provided at the rotated position. Although the details of the bomber chamber 78 are omitted, plasma of argon gas injected by high-voltage discharge is generated, and the substrate 45 is cleaned by this plasma. Except that there is no target, film formation The configuration is similar to that of the chamber 79.

【0024】前記成膜室79の詳細を図6に示す。図6
において,符号80は基体45の表面に形成する薄膜の
個体材料であるターゲットで,例えばCD(コンパクト
ディスク)の場合には反射膜となるアルミニゥムであ
る。この実施例ではターゲット80を環状にしている。
符号81は高電圧を印加して放電を行うための電極,符
号82はターゲット80を電極81上に固定するターゲ
ット押さえである。図示のように,成膜室79はテーブ
ル75の下方に設けられている。
The details of the film forming chamber 79 are shown in FIG. Figure 6
In the figure, reference numeral 80 is a target which is a solid material of a thin film formed on the surface of the substrate 45, and is an aluminum which becomes a reflective film in the case of a CD (compact disc), for example. In this embodiment, the target 80 has an annular shape.
Reference numeral 81 is an electrode for applying a high voltage to perform discharge, and reference numeral 82 is a target holder for fixing the target 80 on the electrode 81. As illustrated, the film forming chamber 79 is provided below the table 75.

【0025】この成膜室79は,マグネトロンスパッタ
リング方式を採用しており,環状のターゲット80の中
心穴部分の下方に位置する小径の環状の磁石83aとタ
ーゲット80の外周部分の下方に位置する大径の環状の
磁石83bとを備えている。符号84は磁石83a,8
3bを取り付けるマグネットベースである。マグネトロ
ンスパッタリング方式は,磁石83a,83bによりタ
ーゲット80の表面で電界と垂直方向に磁界を作りプラ
ズマをターゲット80付近に集めることにより効率よく
スパッタリングを行うようにしたものである。符号85
はターゲット80からたたき出されたスパッタ粒子の飛
散を防止する防着板である。
This film forming chamber 79 employs a magnetron sputtering method, and has a small-diameter annular magnet 83a located below the center hole of the annular target 80 and a large magnet located below the outer peripheral portion of the target 80. And an annular magnet 83b having a diameter. Reference numeral 84 is a magnet 83a, 8
It is a magnet base to which 3b is attached. The magnetron sputtering method is a method in which magnets 83a and 83b generate a magnetic field in the direction perpendicular to the electric field on the surface of the target 80 to collect plasma in the vicinity of the target 80 for efficient sputtering. Code 85
Is an anti-adhesion plate that prevents scattering of sputtered particles knocked out from the target 80.

【0026】符号86は基体45の内周部に非成膜領域
を形成するための内周マスクであり,基体45の上側の
内周マスク受け87とともに基体45の内周部を挟持す
る。内周マスク86は,電極81の中心穴81a部分を
挿通された垂直な支持軸88の上端に取り付けボルト9
0で固定されている。前記支持軸88は,内周マスク8
6を冷却するための冷却水を循環するように中空パイプ
を用いており,内部に流入側の通路となる内パイプ89
を収容している。冷却水は内パイプ89内を通ってその
上端部において内周マスク86を冷却し,内パイプ89
の外側を通って外部に流出する。なお,支持軸88と内
周マスク86との結合部の構造は,詳細図示は省略する
が,支持軸88の中空部がさらに上まで及ぶ構造とし,
取り付けボルトとして小さなボルトを用い,かつボルト
位置を工夫して,冷却水が内周マスク86を効果的に冷
却できる構造とするとよい。支持軸88は,エアシリン
ダ91により昇降駆動され,前記内周マスク受け87
は,同様にエアシリンダ92により昇降駆動されるよう
になっている。
Reference numeral 86 denotes an inner peripheral mask for forming a non-film-forming region on the inner peripheral portion of the base body 45, and holds the inner peripheral portion of the base body 45 together with the inner peripheral mask receiver 87 on the upper side of the base body 45. The inner peripheral mask 86 is attached to the upper end of a vertical support shaft 88, which is inserted through the central hole 81a of the electrode 81, by attaching the bolt 9
It is fixed at 0. The support shaft 88 is the inner peripheral mask 8
A hollow pipe is used so as to circulate cooling water for cooling 6, and the inner pipe 89 that serves as a passage on the inflow side is provided inside.
Are housed. The cooling water passes through the inner pipe 89 and cools the inner peripheral mask 86 at the upper end portion thereof.
Flows to the outside through the outside of. The structure of the connecting portion between the support shaft 88 and the inner peripheral mask 86 is not shown in detail, but the hollow portion of the support shaft 88 extends further upward.
It is advisable to use a small bolt as the mounting bolt and devise the bolt position so that the cooling water can effectively cool the inner peripheral mask 86. The support shaft 88 is driven up and down by an air cylinder 91, and the inner peripheral mask receiver 87 is moved.
Is likewise driven up and down by an air cylinder 92.

【0027】電極81の上面中央部にダストカバー84
を設けている。このダストカバー84は,電極81の中
心穴81aと支持軸88の外周面との隙間に内周マスク
86等より落下した不要堆積薄膜つまりダストが侵入す
るのを防ぐためのものである。符号97は支持軸88の
案内部,98はガス道入り口である。
A dust cover 84 is provided on the center of the upper surface of the electrode 81.
Is provided. The dust cover 84 is for preventing the unwanted deposition thin film, that is, dust, which has dropped from the inner peripheral mask 86 or the like, from entering the gap between the center hole 81a of the electrode 81 and the outer peripheral surface of the support shaft 88. Reference numeral 97 is a guide portion of the support shaft 88, and 98 is a gas passage entrance.

【0028】上記の真空成膜装置40の動作について説
明する。成膜室79において成膜処理が行われている時
は,基体供給排出アーム46の外側位置にある蓋兼基体
保持部材44は,次に供給すべき基体45を保持して待
機している。この時他方の蓋兼基体保持部材44は,図
4のようにチャンバ筐体42の上面にシール部材57を
介して接触して基体出入れ室43の開口部をシールして
いる(この時基体45は保持していない)。また,仕切
り弁体65は同図に2点鎖線で示すように下降した位置
にある。成膜室79において1つの基体についての成膜
処理が終了すると,テーブル75が45°回転し,先に
成膜処理を終えていた基体45が基体出入れ室43の直
下に運ばれてくる。ここで,エアシリンダ67を作動さ
せて駆動軸68を上昇させ,仕切り弁体65を上昇さ
せ,テーブル75の基体載置用穴75aに保持されてい
る外周マスク60および成膜済みの基体45を図4に実
線で示す位置まで持ち上げ,外周マスク60をチャンバ
筐体42の内壁面に接触させ,外周マスク60と仕切り
弁体65とで基体出入れ室43と真空チャンバ41との
仕切りを行う(すなわち,両室41,43間の連通を遮
断する)。同時に基体45の内周部が吸着パッド55に
接触して吸着パッド55に吸着される。
The operation of the above vacuum film forming apparatus 40 will be described. When the film forming process is being performed in the film forming chamber 79, the lid / substrate holding member 44 located outside the substrate supply / discharge arm 46 holds the substrate 45 to be supplied next and stands by. At this time, the other lid / substrate holding member 44 contacts the upper surface of the chamber housing 42 via the seal member 57 to seal the opening of the substrate loading / unloading chamber 43 as shown in FIG. 45 is not held). Further, the gate valve body 65 is in a lowered position as shown by a two-dot chain line in FIG. When the film forming process for one substrate is completed in the film forming chamber 79, the table 75 is rotated by 45 °, and the substrate 45, which has been previously subjected to the film forming process, is carried directly below the substrate loading / unloading chamber 43. Here, the air cylinder 67 is actuated to raise the drive shaft 68, raise the partition valve body 65, and remove the outer peripheral mask 60 and the film-formed substrate 45 held in the substrate mounting hole 75a of the table 75. 4, the outer peripheral mask 60 is brought into contact with the inner wall surface of the chamber housing 42, and the outer peripheral mask 60 and the partition valve body 65 partition the substrate loading / unloading chamber 43 and the vacuum chamber 41 ( That is, the communication between the two chambers 41 and 43 is cut off). At the same time, the inner peripheral portion of the base body 45 contacts the suction pad 55 and is sucked by the suction pad 55.

【0029】次いで,吸引口59からアルゴンガスを基
体出入れ室43内に供給し,次いで,駆動機構49によ
り軸48を上昇させ基体供給排出アーム46と一体に蓋
兼基体保持部材44を上昇させ,基体45を持ち上げ
る。この時,基体出入れ室43内にはアルゴンガスが供
給されているので,かつこのこのアルゴンガスの重量は
空気より重いので,蓋兼基体保持部材44を開いた際に
外部の空気が基体出入れ室43内に巻き込まれるのを防
ぐことができる。外周マスク60や仕切り弁体65や基
体出入れ室43の内壁が外部の空気が触れると,空気が
付着して残り,真空チャンバ41内に空気を侵入するの
を許してしまい,成膜の品質を低下させる1つの原因と
なるが,上記のようにアルゴンガスで空気を巻き込まな
いので,そのような不都合を防止できる。
Next, argon gas is supplied from the suction port 59 into the substrate inlet / outlet chamber 43, and then the drive mechanism 49 raises the shaft 48 to raise the lid / substrate holding member 44 integrally with the substrate supply / discharge arm 46. , Lift the base 45. At this time, since the argon gas is being supplied into the substrate loading / unloading chamber 43, and the weight of this argon gas is heavier than the air, when the lid / substrate holding member 44 is opened, the outside air flows out of the substrate. It is possible to prevent being caught in the receiving chamber 43. When the outer peripheral mask 60, the partition valve body 65, or the inner wall of the substrate loading / unloading chamber 43 is exposed to the outside air, the air remains attached and allows the air to enter the vacuum chamber 41, which leads to the film formation quality. This is one of the causes for lowering the temperature, but since the air is not entrained by the argon gas as described above, such inconvenience can be prevented.

【0030】仕切り弁体65の上面の間隔をあけて設け
た小突起65aにより,基体45と仕切り弁体65の上
面との間に隙間が生じているので,基体45が仕切り弁
体65に密着することを防止でき,吸着パッド55で基
体45を持ち上げる際に基体45が仕切り弁体65から
離れないというトラブルを防止できる。
Since the small projections 65a provided on the upper surface of the gate valve body 65 form a gap between the base body 45 and the upper surface of the gate valve body 65, the base body 45 adheres to the gate valve body 65 closely. Therefore, it is possible to prevent the trouble that the base body 45 is not separated from the gate valve body 65 when the base body 45 is lifted by the suction pad 55.

【0031】次いで,基体供給排出アーム46が180
°回転して,外側の蓋兼基体保持部材44で保持してい
た新たに挿入する基体45が基体出入れ室43の上方に
位置し,次いで,軸48および基体供給排出アーム46
と一体に蓋兼基体保持部材44が下降して,基体出入れ
室43の開口部を閉ざし,図4の状態となる。この時,
センサ58は基体45の傾き,ずれ等の取り付け状態の
異常を検出する。次いで,図示略の荒引き用の真空ポン
プで基体出入れ室43のアルゴンガスを吸引口59から
吸引し,内部を真空にする。基体出入れ室43内が真空
になると,吸着パッド55はその吸着機能を失い,基体
45は吸着パッド55から容易にはずれる状態となる。
次いで,エアシリンダ67を作動させて軸68を下降さ
せ,仕切り弁体65を下降させると,基体45および外
周マスク60が下降する。その際,離脱機構のピン70
が外周マスク60を下方に押すので,外周マスク60が
仕切り弁体65の下降に追随せずディスク出入れ室43
と真空チャンバ41との境界面から離れない,というト
ラブルの発生は確実に防止できる。仕切り弁体65が図
4の2点鎖線で示す位置まで下降するが,その途中で,
外周マスク60がテーブル75の基体載置用穴75aの
段部に乗せられる。これにより,新たな基体45のテー
ブル75の基体載置用穴75aへの搬入が完了する。
Next, the substrate supply / discharge arm 46
The base 45 to be newly inserted and held by the outer lid / base holding member 44 is positioned above the base loading / unloading chamber 43, and then the shaft 48 and the base supply / discharge arm 46 are rotated.
The lid / base body holding member 44 descends integrally with and closes the opening of the base body loading / unloading chamber 43, and the state shown in FIG. 4 is obtained. At this time,
The sensor 58 detects an abnormality in the mounting state such as inclination or displacement of the base body 45. Then, an argon gas in the substrate loading / unloading chamber 43 is sucked from the suction port 59 by a vacuum pump (not shown) for roughing to make the inside vacuum. When the inside of the substrate loading / unloading chamber 43 is evacuated, the suction pad 55 loses its suction function and the substrate 45 is easily detached from the suction pad 55.
Next, when the air cylinder 67 is operated to lower the shaft 68 and lower the partition valve body 65, the base body 45 and the outer peripheral mask 60 are lowered. At that time, the pin 70 of the detachment mechanism
Since the outer peripheral mask 60 pushes downward, the outer peripheral mask 60 does not follow the downward movement of the partition valve body 65, and the disc loading / unloading chamber 43
It is possible to reliably prevent the occurrence of the trouble of not separating from the boundary surface between the vacuum chamber 41 and the vacuum chamber 41. The sluice valve body 65 descends to the position shown by the chain double-dashed line in FIG.
The outer peripheral mask 60 is placed on the stepped portion of the substrate mounting hole 75 a of the table 75. As a result, the loading of the new substrate 45 into the substrate mounting hole 75a of the table 75 is completed.

【0032】続いて,テーブル75が45°回転する
と,その前に搬入されていた基体45がボンバー室78
に移動し,ボンバー室78では放電により発生したプラ
ズマによる基体45の洗浄が行われる。続いてテーブル
75が45°回転すると,先にボンバー室78で洗浄さ
れていた基体45が成膜室79に移動する。ガス道入り
口98より低圧のアルゴンガスが流し込まれているこの
成膜室79において,電極81に負の高電圧が印加され
ると,接地されている成膜室79内の他の内壁部分が対
向電極となって放電が生じ,アルゴンガスのプラズマが
発生し,プラズマ粒子がターゲット80に衝突してその
表面の原子を飛び出させ,飛び出したターゲット原子つ
まりスパッタ粒子が基体45の表面に積層し,こうして
基体45の表面への成膜が行われる。
Subsequently, when the table 75 is rotated by 45 °, the substrate 45 which has been carried in before is rotated by the bomber chamber 78.
Then, in the bomber chamber 78, the substrate 45 is cleaned by the plasma generated by the discharge. Subsequently, when the table 75 is rotated by 45 °, the substrate 45 previously washed in the bomber chamber 78 moves to the film forming chamber 79. When a negative high voltage is applied to the electrode 81 in the film forming chamber 79 in which a low pressure argon gas is introduced from the gas passage inlet 98, the other inner wall portion of the film forming chamber 79 which is grounded faces each other. The discharge serves as an electrode, plasma of argon gas is generated, and the plasma particles collide with the target 80 to eject atoms on the surface thereof, and the ejected target atoms, that is, sputtered particles are stacked on the surface of the substrate 45. A film is formed on the surface of the substrate 45.

【0033】上記の成膜処理の際,内周マスク86等に
スパッタ粒子が堆積して不要堆積薄膜を形成する。この
不要堆積薄膜が一定以上になると,剥離して落下し,タ
ーゲット80上に付着し,基体45の成膜の品質を低下
させる原因となる。しかし,内周マスク86は支持軸8
8に対して着脱可能なので,不要堆積薄膜が一定以上に
なると取り外して不要堆積薄膜を削除することができ
る。これにより,内周マスク86等から落下した不要堆
積薄膜つまりダストの発生を少なくすることができる。
During the above film forming process, sputtered particles are deposited on the inner peripheral mask 86 and the like to form an unnecessary deposited thin film. When the unnecessary deposited thin film exceeds a certain level, it peels off, falls, and adheres to the target 80, which causes the quality of the film formation of the substrate 45 to deteriorate. However, the inner peripheral mask 86 is
Since it is detachable with respect to 8, the unnecessary deposition thin film can be removed and removed when the unwanted deposition thin film exceeds a certain level. As a result, it is possible to reduce the generation of unnecessary deposited thin film, that is, dust, which has fallen from the inner peripheral mask 86 or the like.

【0034】支持軸88内に冷却水が循環して内周マス
ク86の冷却が行われるので,内周マスク86が高温に
なることが防止され,基体45の熱変形などの不都合が
防止される。また,ダストカバー84は支持軸88の摺
動部にダストが入り込むことを防止でき,支持軸88の
円滑な上下動作を維持する働きをする。
Since cooling water is circulated in the support shaft 88 to cool the inner peripheral mask 86, the inner peripheral mask 86 is prevented from being heated to a high temperature, and thermal deformation of the substrate 45 is prevented. .. Further, the dust cover 84 can prevent dust from entering the sliding portion of the support shaft 88, and functions to maintain the smooth vertical movement of the support shaft 88.

【0035】図7にダストカバー近傍部についての他の
実施例を示す。ダストカバー84の上面に支持軸88を
挿通させる内側保護筒95を固定し,内周マスク86の
下部に前記内側保護筒95の外周を囲む外側保護筒96
を取り付けている。この構造により,支持軸88の摺動
部にダストが入り込むことがさらによく防止される。ま
た,取り外すことが容易でない支持軸88にスパッタ粒
子が付着することが極力防止され,一方,内側保護筒9
5や外側保護筒96に不要堆積薄膜が生じてもこれらの
部品は容易に取り外して不要堆積薄膜を削除することが
できるので,成膜室79内に不要堆積薄膜が残ることを
極力防止できる。
FIG. 7 shows another embodiment of the vicinity of the dust cover. An inner protective cylinder 95, through which the support shaft 88 is inserted, is fixed to the upper surface of the dust cover 84, and an outer protective cylinder 96 surrounding the outer periphery of the inner protective cylinder 95 is provided below the inner peripheral mask 86.
Is attached. This structure further prevents dust from entering the sliding portion of the support shaft 88. Further, it is possible to prevent spatter particles from adhering to the support shaft 88, which is not easy to remove, as much as possible.
Even if an unnecessary deposition thin film is generated on the outer wall 5 or the outer protective cylinder 96, these components can be easily removed and the unnecessary deposition thin film can be deleted, so that the unnecessary deposition thin film can be prevented from remaining in the film forming chamber 79 as much as possible.

【0036】前記内周マスク86,ダストカバー84,
内側保護筒95および外側保護筒96等の材質を,室温
で非磁性を示す金属とすると,磁石83a,83bによ
る磁界を乱すことがないので,マグネトロンスパッタリ
ング法を採用した効果を有効に得ることができる。ま
た,内周マスク86等の材質として酸,アルカリに溶融
しにくい金属を用いると,不要堆積薄膜の除去する手段
として,ブラスト処理でなく酸やアルカリなどの薬品に
よる除去を行うこともできる。
The inner peripheral mask 86, the dust cover 84,
If the inner protective cylinder 95 and the outer protective cylinder 96 are made of a metal that is non-magnetic at room temperature, the magnetic fields of the magnets 83a and 83b are not disturbed, so that the effect of adopting the magnetron sputtering method can be effectively obtained. it can. If a metal that is unlikely to be melted by an acid or an alkali is used as the material of the inner peripheral mask 86 or the like, as a means for removing the unnecessary deposited thin film, a chemical such as an acid or an alkali can be used instead of the blast treatment.

【0037】前記内周マスク86,ダストカバー84,
内側保護筒95および外側保護筒96等の表面をブラス
ト処理(前記の不要堆積薄膜の除去のためのものではな
く,部材表面自体のブラスト処理)すれば,そのブラス
ト処理による表面の粗さにより,不要堆積薄膜の密着性
が高まり,剥離しにくくなる。したがって,内周マスク
等を取り外してその表面の不要堆積薄膜を除去する頻度
を少なくすることができ,装置の稼働率を向上させるこ
とができる。
The inner peripheral mask 86, the dust cover 84,
If the surfaces of the inner protective cylinder 95, the outer protective cylinder 96 and the like are blasted (not for removing the above-mentioned unnecessary deposited thin film, but for the member surface itself), the surface roughness due to the blasting causes The adhesion of the unnecessary deposited thin film is improved and it becomes difficult to peel it off. Therefore, the frequency of removing the inner peripheral mask or the like to remove the unnecessary deposited thin film on the surface can be reduced, and the operating rate of the apparatus can be improved.

【0038】基体45に強磁性体薄膜を成膜する場合に
は,内周マスク86の材質として,マコール等に代表さ
れるアルミシリケート系切削性セラミックを用いると適
切である。内周マスクがアルミシリケート系切削性セラ
ミックであれば,不要堆積薄膜の除去する手段として,
ブラスト処理でなく,強酸,強アルカリといった薬品に
浸積して除去する方法を採用することができる。また,
切削性セラミックを用いているので,素材から内周マス
クを切削加工する際に従来の金属製内周マスクの場合と
ほぼ同レベルの工作精度を維持することができ,製作上
の問題は少ない。
When a ferromagnetic thin film is formed on the substrate 45, it is appropriate to use an aluminum silicate-based machinable ceramic typified by Macor as the material of the inner peripheral mask 86. If the inner peripheral mask is aluminum silicate-based machinable ceramic, as a means for removing unnecessary deposited thin films,
Instead of blasting, a method of immersing in a chemical such as strong acid or strong alkali to remove it can be adopted. Also,
Since a machinable ceramic is used, it is possible to maintain the same level of machining accuracy when cutting the inner peripheral mask from the material as with the conventional metal inner peripheral mask, and there are few manufacturing problems.

【0039】以上の説明では,一層の成膜について説明
したが,テーブル75の複数箇所の基体載置用穴75a
に対応させて成膜室を複数設けて,基体45に多数層の
成膜を行う構成とすることも当然可能である。この場合
において,強磁性体薄膜と非強磁性体薄膜とを多層成膜
する場合には,強磁性体薄膜を成膜する成膜室における
内周マスクには非磁性材を用いるとよい。内周マスクが
非磁性材であれば,強磁性体のスパッタ粒子が内周マス
クに飛散し付着することは極力防止される。
In the above description, the film formation of one layer is explained. However, the plurality of substrate mounting holes 75a of the table 75 are provided.
It is of course possible to provide a plurality of film forming chambers corresponding to the above, and to form a multi-layer film on the substrate 45. In this case, when a ferromagnetic thin film and a non-ferromagnetic thin film are formed in multiple layers, a non-magnetic material may be used for the inner peripheral mask in the film forming chamber for forming the ferromagnetic thin film. If the inner mask is made of a non-magnetic material, it is possible to prevent the sputtered particles of ferromagnetic material from scattering and adhering to the inner mask.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば,ターゲットに対して基
体を静止対向させて成膜処理するものであるから,ター
ゲットサイズの小形化,真空チャンバの小形化が可能で
あり,これにより真空成膜装置全体構成の小形化を容易
に実現できる。
According to the present invention, since the substrate is statically opposed to the target to perform the film forming process, the target size and the vacuum chamber can be downsized. The downsizing of the entire structure of the membrane device can be easily realized.

【0041】基体の供給は,真空チャンバ内に直接行う
のでなく,真空チャンバとは外周マスクおよび仕切り弁
体で仕切られる基体出入れ室内に行えばよく,基体供給
時にこの容積の小さな基体出入れ室のみを荒引きの真空
引きすればよいので,瞬時に荒引きすることができ,基
体供給時の真空引き作業が著しく高速化される。
The substrate is not directly supplied into the vacuum chamber, but may be supplied to a substrate loading / unloading chamber which is partitioned from the vacuum chamber by an outer peripheral mask and a partition valve body. Since only the rough evacuation is required, the rough evacuation can be performed instantly, and the vacuum evacuation work at the time of supplying the substrate is significantly speeded up.

【0042】外周マスクを真空チャンバと基体出入れ室
との仕切りに利用する構成としたことにより,請求項8
のように成膜室をテーブルの下方に設けることが可能と
なり,スパッタアップ方式の成膜が可能となり,ダスト
等による欠陥の少ない良好な成膜を得ることが可能とな
る。
The outer peripheral mask is used as a partition between the vacuum chamber and the substrate loading / unloading chamber.
As described above, the film forming chamber can be provided below the table, the film can be formed by the sputter-up method, and a good film with few defects due to dust or the like can be obtained.

【0043】請求項3によれば,基体供給排出アームの
基体保持部が基体出入れ室の蓋を兼ねるので,機構が簡
略化されるともに,基体供給作業の能率が向上する。
According to the third aspect of the present invention, the substrate holding portion of the substrate supply / discharge arm also serves as the lid of the substrate loading / unloading chamber, so that the mechanism is simplified and the efficiency of the substrate supply operation is improved.

【0044】請求項4によれば,離脱機構により外周マ
スクが弾性的に下方に押されているので,ディスク出入
れ室と真空チャンバとの仕切りを解除する際に,外周マ
スクが仕切り弁体の下降に追随せずディスク出入れ室側
から離れない,というトラブルの発生は確実に防止でき
る。
According to the fourth aspect, since the outer peripheral mask is elastically pushed downward by the detaching mechanism, when the partition between the disk loading / unloading chamber and the vacuum chamber is released, the outer peripheral mask serves as a partition valve body. It is possible to reliably prevent the occurrence of the trouble that the disc does not follow the downward movement and does not separate from the disc loading / unloading chamber side.

【0045】請求項5によれば,基体の正しい供給を確
認することができ,成膜不良となるトラブルは防止でき
る。
According to the fifth aspect, it is possible to confirm the correct supply of the substrate, and it is possible to prevent the trouble of defective film formation.

【0046】請求項6によれば,成膜済みの基体を排出
する際に,基体が仕切り弁体と密着して容易に離れない
というトラブルは防止でき,基体の確実な排出を行うこ
とができる。
According to the sixth aspect of the present invention, it is possible to prevent the trouble that the substrate does not come into close contact with the partition valve body and is not easily separated when the film-formed substrate is discharged, and the substrate can be discharged reliably. ..

【0047】請求項7によれば,不活性ガスの存在によ
り,成膜済みの基体を排出するための蓋を開けた時外部
の空気をディスク出入れ室内に巻き込むことを防止で
き,ディスク出入れ室内に外部の空気が侵入することを
防止し,空気を嫌う真空チャンバ内に空気が侵入するこ
とを防止できる。
According to the present invention, the presence of the inert gas makes it possible to prevent external air from being entrained in the disk loading / unloading chamber when the lid for discharging the film-formed substrate is opened. It is possible to prevent the outside air from entering the room and prevent the air from entering the vacuum chamber that does not like the air.

【0048】請求項9によれば,成膜処理に障害なく,
基体の内周部分に非成膜領域を確保することができる。
According to the ninth aspect, there is no obstacle in the film forming process,
A non-film-forming region can be secured in the inner peripheral portion of the base.

【0049】請求項10によれば,内周マスクが高温に
なることを防止し,基体の熱変形などのトラブルを防止
できる。
According to the tenth aspect, it is possible to prevent the inner peripheral mask from being heated to a high temperature and prevent troubles such as thermal deformation of the substrate.

【0050】請求項11によれば,内周マスクが支持軸
に対して着脱可能なので,これを取り外して内周マスク
に付着した不要堆積薄膜を除去することができ,成膜室
における成膜処理時に内周マスクから不要堆積薄膜がダ
ストとして剥離落下しターゲット表面に付着して,品質
の悪い膜を形成することを防止できる。
According to the eleventh aspect, since the inner peripheral mask is attachable to and detachable from the support shaft, it is possible to remove the unnecessary deposited thin film adhering to the inner peripheral mask. At this time, it is possible to prevent the unnecessary deposited thin film from being peeled off from the inner peripheral mask as dust and adhering to the target surface to form a poor quality film.

【0051】請求項12によれば,可動部材である支持
軸の摺動部にダストが入り込むことを防止でき,支持軸
の円滑な動作を維持することができる。
According to the twelfth aspect, it is possible to prevent dust from entering the sliding portion of the support shaft, which is a movable member, and to maintain the smooth operation of the support shaft.

【0052】請求項13によれば,内側保護筒と外側保
護筒との存在により,支持軸の摺動部にダストが入り込
むことをさらに確実に防止できる。
According to the thirteenth aspect, the presence of the inner protective cylinder and the outer protective cylinder can more reliably prevent dust from entering the sliding portion of the support shaft.

【0053】請求項14によれば,内周マスク等が非磁
性であるから,磁石によりターゲット周囲に磁力線を発
生させるマグネトロンスパッタリング法を採用した場合
に,磁石による前記磁力線を乱すことがなく,マグネト
ロンスパッタリング法の効果が有効に得られる。
According to the fourteenth aspect, since the inner peripheral mask and the like are non-magnetic, when the magnetron sputtering method in which the magnetic field lines are generated around the target by the magnet is adopted, the magnetic field lines by the magnet are not disturbed and the magnetron is not disturbed. The effect of the sputtering method can be effectively obtained.

【0054】請求項15によれば,内周マスク等がブラ
ストされているので,不要堆積薄膜の密着性は高く剥離
しにくい。したがって,内周マスク等を取り外してその
表面の不要堆積薄膜を除去する頻度を少なくすることが
でき,装置の稼働率を向上させることができる。
According to the fifteenth aspect, since the inner peripheral mask and the like are blasted, the adhesion of the unnecessary deposited thin film is high and the peeling is difficult. Therefore, the frequency of removing the inner peripheral mask or the like to remove the unnecessary deposited thin film on the surface can be reduced, and the operating rate of the apparatus can be improved.

【0055】請求項16によれば,強磁性体薄膜と非強
磁性体薄膜とを多層成膜する場合に,強磁性体薄膜を成
膜する成膜室において,内周マスク等に不要な強磁性体
薄膜が飛散し付着することが極力防止される。基体接地
部である内周マスクに付着した不要な強磁性体薄膜は,
良好な成膜を阻害する要因であるが,このような不都合
が防止される。
According to the sixteenth aspect, when a ferromagnetic thin film and a non-ferromagnetic thin film are formed in multiple layers, in a film forming chamber for forming the ferromagnetic thin film, unnecessary strength is imparted to an inner peripheral mask or the like. It is possible to prevent the magnetic thin film from scattering and adhering. The unnecessary ferromagnetic thin film attached to the inner peripheral mask, which is the base grounding part,
Although this is a factor that hinders good film formation, such inconvenience is prevented.

【0056】内周マスクがアルミシリケート系切削性セ
ラミックであれば,不要堆積薄膜の除去する手段とし
て,ブラスト処理でなく,強酸,強アルカリといった薬
品に浸積して除去する方法を採用することができる。ま
た,切削性セラミックを用いているので,素材より内周
マスクに加工する際に従来の金属製内周マスクの場合と
ほぼ同レベルの工作精度を維持することができ,製作上
の問題は少ない。
If the inner peripheral mask is an aluminum silicate-based machinable ceramic, a method of immersing and removing the unnecessary deposited thin film by immersing in a chemical such as strong acid or strong alkali instead of blasting can be adopted. it can. In addition, since a machinable ceramic is used, it is possible to maintain machining accuracy of the same level as in the case of a conventional metal inner peripheral mask when processing the material into an inner peripheral mask, and there are few problems in manufacturing. ..

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の真空成膜装置の断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of a vacuum film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同概略の平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the same.

【図3】同概略の側面図である。FIG. 3 is a schematic side view of the same.

【図4】図1における基体出入れ室近傍の拡大断面図で
ある。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the substrate loading / unloading chamber in FIG.

【図5】基体出入れ室近傍における仕切り弁体等の各部
の寸法関係を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating the dimensional relationship of each part such as a partition valve body near the substrate loading / unloading chamber.

【図6】図1における成膜室近傍の拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view near the film forming chamber in FIG.

【図7】図6におけるダストカバー近傍部分についての
他の実施例を示すもので,ダストカバー近傍部分の断面
図である。
7 is a cross-sectional view of a portion near the dust cover, showing another embodiment of the portion near the dust cover in FIG.

【図8】従来の真空成膜装置の一部を破断して示す斜視
図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a part of a conventional vacuum film forming apparatus in a cutaway manner.

【図9】図8におけるディスク出入れ室部分の断面図で
ある。
9 is a cross-sectional view of the disk loading / unloading chamber portion in FIG.

【図10】図8における蒸着室部分の断面図である。10 is a cross-sectional view of a vapor deposition chamber portion in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

40 真空成膜装置 41 真空チャンバ 42 チャンバ筐体 43 基体出入れ室 44 蓋兼基体保持部材 45 基体 46 基体供給排出アーム 55 吸着パッド 58 センサ 59 吸引口 57,61,66 シール部材 60 外周マスク 65 仕切り弁体 65a 小突起 68 軸 75 テーブル 75a 基体載置用穴 79 成膜室 80 ターゲット 81 電極 81a 中心穴 83a,83b 磁石 84 ダストカバー 86 内周マスク 88 支持軸 89 内パイプ 91 エアシリンダ 40 vacuum film forming apparatus 41 vacuum chamber 42 chamber housing 43 substrate loading / unloading chamber 44 lid / substrate holding member 45 substrate 46 substrate supply / discharge arm 55 adsorption pad 58 sensor 59 suction port 57, 61, 66 sealing member 60 outer peripheral mask 65 partition Valve body 65a Small protrusion 68 Axis 75 Table 75a Substrate mounting hole 79 Deposition chamber 80 Target 81 Electrode 81a Center hole 83a, 83b Magnet 84 Dust cover 86 Inner peripheral mask 88 Support shaft 89 Inner pipe 91 Air cylinder

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 一秋 大阪府大阪市中央区城見1丁目4番24号 日本電気ホ−ムエレクトロニクス株式会社 内 (72)発明者 今井 雅彦 大阪府大阪市中央区城見1丁目4番24号 日本電気ホ−ムエレクトロニクス株式会社 内 (72)発明者 土田 謙一 千葉県八千代市大和田新田495 大亜真空 株式会社内 (72)発明者 小荒井 勝 千葉県八千代市大和田新田495 大亜真空 株式会社内 (72)発明者 柳橋 輝雄 千葉県八千代市大和田新田495 大亜真空 株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuaki Takahashi, 1-4-4 Jomi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, NEC Electronics Corporation (72) Inventor Masahiko Imai, Osaka-shi, Osaka 1-4-2-4, Jomi-ku, Nippon Electric Home Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Kenichi Tsuchida 495 Owada Nitta, Yachiyo-shi, Chiba Daia Vacuum Co., Ltd. (72) Inventor Masaru Koarai Yachiyo Chiba City Owada Nitta 495, Daia Vacuum Co., Ltd. (72) Inventor Teruo Yanagibashi 495 Owada Nitta, Yachiyo City, Chiba Daia Vacuum Co., Ltd.

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空チャンバと,この真空チャンバの上
側に直接連続して設けられた,成膜対象の基体を真空チ
ャンバ内に出し入れするための基体出入れ室と,この基
体出入れ室の開口部を塞ぐ蓋と,基体を穴内周縁で受け
る基体載置用穴を持ち,前記真空チャンバ内に移動可能
に設けられたテーブルと,前記基体出入れ室とは異なる
位置で,移動した前記テーブルの基体載置用穴に面する
ように設けられた成膜室と,基体出入れ室の内径D0
り大きい外径D2(D0 〈D2)を有し,かつ基体外径d
より小さな内径D1 (D1 〈d)を有する外周マスク
と,上下動可能であり,最上昇時に前記基体出入れ室と
真空チャンバとを前記外周マスクを介在させて仕切ると
ともに,上下動して基体を前記外周マスクとともに前記
テーブルの基体載置用穴に乗せまたは基体載置用穴から
取り出す,前記基体載置用穴の内径D5 より小さな外径
4 (D4 〈D5 )を持つ仕切り弁体とを備えたことを
特徴とする真空成膜装置。
1. A vacuum chamber, a substrate loading / unloading chamber for directly loading and unloading a substrate for film formation into and out of the vacuum chamber, which is directly provided above the vacuum chamber, and an opening of the substrate loading / unloading chamber. A table having a lid for closing the portion and a substrate mounting hole for receiving the substrate at the inner peripheral edge of the hole and movably provided in the vacuum chamber, and a table moved at a position different from the substrate loading / unloading chamber. A film forming chamber provided so as to face the substrate mounting hole and an outer diameter D 2 (D 0 <D 2 ) larger than the inner diameter D 0 of the substrate loading / unloading chamber, and the substrate outer diameter d
An outer peripheral mask having a smaller inner diameter D 1 (D 1 <d) can be moved up and down, and at the time of the maximum rise, the substrate loading / unloading chamber and the vacuum chamber are partitioned with the outer peripheral mask interposed and moved up and down. An outer diameter D 4 (D 4 <D 5 ) smaller than the inner diameter D 5 of the substrate mounting hole is placed on the substrate mounting hole of the table together with the outer peripheral mask or is taken out from the substrate mounting hole. A vacuum film forming apparatus comprising a partition valve body.
【請求項2】 前記基体出入れ室内を真空吸引する吸引
口を設け,基体供給時に,前記仕切り弁体と外周マスク
とで真空チャンバと基体出入れ室とを仕切った状態で,
基体を基体出入れ室内に挿入し,次いで前記蓋をし,基
体出入れ室内を前記吸引口より真空吸引した後,前記仕
切り弁体を下降させて真空チャンバと基体出入れ室との
仕切りを解除し,かつ基体を外周マスクとともにテーブ
ルの基体載置用穴に受け渡す構成としたことを特徴とす
る請求項1記載の真空成膜装置。
2. A suction port for vacuum-sucking the substrate loading / unloading chamber is provided, and when the substrate is supplied, the partition valve body and the outer peripheral mask partition the vacuum chamber and the substrate loading / unloading chamber,
The substrate is inserted into the substrate loading / unloading chamber, the lid is closed, the substrate loading / unloading chamber is vacuum-sucked through the suction port, and then the partition valve is lowered to release the partition between the vacuum chamber and the substrate loading / unloading chamber. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate is delivered to the substrate mounting hole of the table together with the peripheral mask.
【請求項3】 前記基体を基体出入れ室に挿入する基体
供給排出アームの基体保持部を前記基体出入れ室の開口
部を塞ぐ蓋としたことを特徴とする請求項1記載の真空
成膜装置。
3. The vacuum film formation according to claim 1, wherein the substrate holding portion of the substrate supply / discharge arm for inserting the substrate into the substrate loading / unloading chamber is a lid for closing the opening of the substrate loading / unloading chamber. apparatus.
【請求項4】 前記蓋に,外周マスクを弾性的に下方に
付勢する離脱機構を設けたことを特徴とする請求項1記
載の真空成膜装置。
4. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the lid is provided with a separating mechanism for elastically urging the outer peripheral mask downward.
【請求項5】 前記蓋に,前記基体出入れ室における基
体の傾き,ずれ等の取り付け状態を検出するためのセン
サを設けたことを特徴とする請求項1記載の真空成膜装
置。
5. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein the lid is provided with a sensor for detecting a mounting state such as inclination or displacement of the substrate in the substrate loading / unloading chamber.
【請求項6】 前記仕切り弁体の上面に仕切り弁体と基
体との間隙を確保するための小突起を設けたことを特徴
とする請求項1記載の真空成膜装置。
6. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein a small protrusion is provided on the upper surface of the partition valve body to secure a gap between the partition valve body and the base body.
【請求項7】 前記基体出入れ室内から成膜済みの基体
を取り出す際に,前記仕切り弁体と外周マスクとで真空
チャンバと基体出入れ室とを仕切り,基体出入れ室内に
不活性ガスを充満させた後,蓋を開く構成としたことを
特徴とする請求項1記載の真空成膜装置。
7. When removing a film-formed substrate from the substrate loading / unloading chamber, the partition valve body and the peripheral mask partition the vacuum chamber and the substrate loading / unloading chamber, and an inert gas is introduced into the substrate loading / unloading chamber. The vacuum film-forming apparatus according to claim 1, wherein the lid is opened after the filling.
【請求項8】 前記成膜室に設ける成膜材料のターゲッ
トを前記テーブルの位置より下方に設けたことを特徴と
する請求項1記載の真空成膜装置。
8. The vacuum film forming apparatus according to claim 1, wherein a target of a film forming material provided in the film forming chamber is provided below a position of the table.
【請求項9】 前記成膜室に,基体載置用穴に載置され
た基体の内周部を覆う内周マスクと,環状のターゲット
の中央穴部を通って前記内周マスクを支持する垂直な支
持軸と,この支持軸を上下動させて前記内周マスクを上
下動させる昇降駆動機構とを設けたことを特徴とする請
求項8記載の真空成膜装置。
9. An inner peripheral mask that covers the inner peripheral portion of a substrate placed in a substrate mounting hole in the film forming chamber, and the inner peripheral mask is supported through a central hole portion of an annular target. 9. The vacuum film forming apparatus according to claim 8, further comprising a vertical support shaft and an elevating drive mechanism for vertically moving the support shaft to vertically move the inner peripheral mask.
【請求項10】 前記支持軸の内部を中空とし,この中
空部に前記内周マスクを冷却するための冷却水を循環さ
せる構成としたことを特徴とする請求項8記載の真空成
膜装置。
10. The vacuum film forming apparatus according to claim 8, wherein the inside of the support shaft is hollow, and cooling water for cooling the inner peripheral mask is circulated in the hollow portion.
【請求項11】 前記内周マスクが前記支持軸に対して
着脱可能にされたことを特徴とする請求項8記載の真空
成膜装置。
11. The vacuum film forming apparatus according to claim 8, wherein the inner peripheral mask is detachable from the support shaft.
【請求項12】 前記成膜室における前記環状のターゲ
ットを乗せた電極の中央部に,前記支持軸を挿通させる
支持軸挿通穴と支持軸外周面との隙間に内周マスク等よ
り落下した不要堆積薄膜が侵入するのを防ぐためのダス
トカバーを設けたことを特徴とする請求項8記載の真空
成膜装置。
12. It is unnecessary to drop from an inner peripheral mask or the like into a gap between a support shaft insertion hole for inserting the support shaft and an outer peripheral surface of the support shaft in a central portion of an electrode on which the annular target is placed in the film forming chamber. The vacuum film forming apparatus according to claim 8, further comprising a dust cover for preventing the deposited thin film from entering.
【請求項13】 前記ダストカバーの上面に前記支持
軸を挿通させる内側保護筒を取り付け,前記内周マスク
の下面に前記内側保護筒の外周を囲む外側保護筒を取り
付けたことを特徴とする請求項12記載の真空成膜装
置。
13. An inner protective cylinder through which the support shaft is inserted is attached to an upper surface of the dust cover, and an outer protective cylinder that surrounds an outer periphery of the inner protective cylinder is attached to a lower surface of the inner peripheral mask. Item 12. The vacuum film forming apparatus according to item 12.
【請求項14】 前記内周マスク,ダストカバー,内
側保護筒および外側保護筒等の材質が室温で非磁性を示
す金属であり,かつ酸,アルカリに溶融しにくいもので
あることを特徴とする請求項9または12または13記
載の真空成膜装置。
14. The material of the inner peripheral mask, the dust cover, the inner protective cylinder, the outer protective cylinder and the like is a metal that is non-magnetic at room temperature and is resistant to melting in acid or alkali. The vacuum film forming apparatus according to claim 9, 12, or 13.
【請求項15】 前記内周マスク,ダストカバー,内
側保護筒および外側保護筒等をブラスト処理したことを
特徴とする請求項9または12または13または14記
載の真空成膜装置。
15. The vacuum film forming apparatus according to claim 9, 12 or 13 or 14, wherein the inner peripheral mask, the dust cover, the inner protective cylinder, the outer protective cylinder and the like are blasted.
【請求項16】 前記成膜室を複数備え,異なる成膜
室において強磁性体薄膜と非強磁性体薄膜とを多層成膜
する真空成膜装置であって,強磁性体薄膜を成膜する成
膜室における前記内周マスクが非磁性材よりなることを
特徴とする請求項8記載の真空成膜装置。
16. A vacuum film forming apparatus comprising a plurality of film forming chambers, wherein a ferromagnetic thin film and a non-ferromagnetic thin film are formed in multiple layers in different film forming chambers. 9. The vacuum film forming apparatus according to claim 8, wherein the inner peripheral mask in the film forming chamber is made of a non-magnetic material.
【請求項17】 前記内周マスクがアルミシリケート
系切削性セラミックであることを特徴とする請求項16
記載の真空成膜装置。
17. The inner peripheral mask is made of an aluminum silicate based machinable ceramic.
The vacuum film forming apparatus described.
JP30405891A 1990-10-23 1991-10-23 Vacuum film formation device Pending JPH0586475A (en)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194538A (en) * 2000-12-27 2002-07-10 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for forming multilayer film
JP2006016666A (en) * 2004-07-01 2006-01-19 Shibaura Mechatronics Corp Vacuum treatment apparatus
JP2006245719A (en) * 2005-03-01 2006-09-14 Mitsumi Electric Co Ltd Antenna assembly
JP2008069393A (en) * 2006-09-13 2008-03-27 Oshima Denki Seisakusho:Kk Vacuum film deposition system and vacuum film deposition method
JP2012138551A (en) * 2010-12-28 2012-07-19 Shibaura Mechatronics Corp Load lock apparatus and vacuum processing apparatus
JP2013012447A (en) * 2011-06-30 2013-01-17 Ulvac Japan Ltd Thin film lithium secondary battery manufacturing device and thin film lithium secondary battery manufacturing method
CN113056572A (en) * 2018-11-16 2021-06-29 株式会社爱发科 Vacuum processing apparatus

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002194538A (en) * 2000-12-27 2002-07-10 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for forming multilayer film
JP4557418B2 (en) * 2000-12-27 2010-10-06 芝浦メカトロニクス株式会社 Multi-layer film forming equipment
JP2006016666A (en) * 2004-07-01 2006-01-19 Shibaura Mechatronics Corp Vacuum treatment apparatus
JP2006245719A (en) * 2005-03-01 2006-09-14 Mitsumi Electric Co Ltd Antenna assembly
JP4497308B2 (en) * 2005-03-01 2010-07-07 ミツミ電機株式会社 Antenna device
JP2008069393A (en) * 2006-09-13 2008-03-27 Oshima Denki Seisakusho:Kk Vacuum film deposition system and vacuum film deposition method
JP2012138551A (en) * 2010-12-28 2012-07-19 Shibaura Mechatronics Corp Load lock apparatus and vacuum processing apparatus
JP2013012447A (en) * 2011-06-30 2013-01-17 Ulvac Japan Ltd Thin film lithium secondary battery manufacturing device and thin film lithium secondary battery manufacturing method
CN113056572A (en) * 2018-11-16 2021-06-29 株式会社爱发科 Vacuum processing apparatus
CN113056572B (en) * 2018-11-16 2023-09-05 株式会社爱发科 Vacuum processing apparatus

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