JPH0580617A - 画像形成方法 - Google Patents
画像形成方法Info
- Publication number
- JPH0580617A JPH0580617A JP24321091A JP24321091A JPH0580617A JP H0580617 A JPH0580617 A JP H0580617A JP 24321091 A JP24321091 A JP 24321091A JP 24321091 A JP24321091 A JP 24321091A JP H0580617 A JPH0580617 A JP H0580617A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- doping
- forming method
- image forming
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な手段で階調性に優れた画像を形成す
ることができ、しかも大量印刷が可能な新規画像形成方
法を提供すること。 【構成】 導電性高分子材料のドーピングにより電気
抵抗の違いによる画像形成を行った後、静帯電により静
電潜像を形成せしめることを特徴とする画像形成方法。
ることができ、しかも大量印刷が可能な新規画像形成方
法を提供すること。 【構成】 導電性高分子材料のドーピングにより電気
抵抗の違いによる画像形成を行った後、静帯電により静
電潜像を形成せしめることを特徴とする画像形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画像形成方法に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真法としては米国特許２２
９７６９１号、特公昭４２−２３９１０号、特公昭４３
−２４７４８号及び特公昭４５−２４０７７号公報等々
多数の方法が知られているが、一般には光導電性物質を
利用し、種々の手段により感光体上に電気的潜像を形成
し、次いで該潜像をトナーを用いて現像し、必要に応じ
て紙等に粉像を転写した後、加熱あるいは溶剤蒸気等に
より定着するものである。また、簡易印刷法としてイン
クに対する親和性を制御したオフセット印刷が知られて
いる。そして、同一原稿の多数枚の複写はオフセット印
刷、少数枚の複写は電子写真プロセスが用いられてい
る。しかしながら前者はオフセットマスターを作成する
ためのプロセスに時間がかかり、また後者は簡便ではあ
るがコストの点で不利である。
９７６９１号、特公昭４２−２３９１０号、特公昭４３
−２４７４８号及び特公昭４５−２４０７７号公報等々
多数の方法が知られているが、一般には光導電性物質を
利用し、種々の手段により感光体上に電気的潜像を形成
し、次いで該潜像をトナーを用いて現像し、必要に応じ
て紙等に粉像を転写した後、加熱あるいは溶剤蒸気等に
より定着するものである。また、簡易印刷法としてイン
クに対する親和性を制御したオフセット印刷が知られて
いる。そして、同一原稿の多数枚の複写はオフセット印
刷、少数枚の複写は電子写真プロセスが用いられてい
る。しかしながら前者はオフセットマスターを作成する
ためのプロセスに時間がかかり、また後者は簡便ではあ
るがコストの点で不利である。
【０００３】また画像品質の点では前者は階調性にすぐ
れた画像形成方法であるのに対し、後者は解像力、階調
性の点で多くの制約がある。
れた画像形成方法であるのに対し、後者は解像力、階調
性の点で多くの制約がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、こうした実
情の下に簡易な手段で階調性に優れた画像を形成するこ
とができ、しかも大量印刷が可能な新規な画像形成方法
を提供することを目的とするものである。
情の下に簡易な手段で階調性に優れた画像を形成するこ
とができ、しかも大量印刷が可能な新規な画像形成方法
を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討し
た結果、本発明に至った。すなわち本発明は、導電性高
分子材料のドーピングにより電気抵抗の違いによる画像
形成を行った後、静帯電により静電潜像を形成せしめる
ことを特徴とする画像形成方法である。
た結果、本発明に至った。すなわち本発明は、導電性高
分子材料のドーピングにより電気抵抗の違いによる画像
形成を行った後、静帯電により静電潜像を形成せしめる
ことを特徴とする画像形成方法である。
【０００６】本発明は、メモリー効果を有する画像形成
プロセスに関するもので、さらにくり返し画像書き込み
（ドーピング）が可能でドーピングレベルをコントロー
ルすることにより連続階調性を持たせることができる全
く新しいプロセスである。
プロセスに関するもので、さらにくり返し画像書き込み
（ドーピング）が可能でドーピングレベルをコントロー
ルすることにより連続階調性を持たせることができる全
く新しいプロセスである。
【０００７】本発明は、マルチスタイラス電極上に形成
された導電性高分子又は半導体基板上に形成された導電
性高分子へのドーピング現象を利用したものである。
された導電性高分子又は半導体基板上に形成された導電
性高分子へのドーピング現象を利用したものである。
【０００８】本発明における導電性高分子としてはポリ
アセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリビニ
ルカルバゾール等に代表されるπ電子共役系又は非共役
系高分子材料で陽イオン又は陰イオンのドーピングによ
り電気抵抗が絶縁体又は半導体の高抵抗状態から導電体
又は半導体の抵抗状態まで自在に電気抵抗を変化しうる
高分子材料である。
アセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリビニ
ルカルバゾール等に代表されるπ電子共役系又は非共役
系高分子材料で陽イオン又は陰イオンのドーピングによ
り電気抵抗が絶縁体又は半導体の高抵抗状態から導電体
又は半導体の抵抗状態まで自在に電気抵抗を変化しうる
高分子材料である。
【０００９】本材料は、ドーピング状態で低抵抗化する
ためドーピング部位と非ドーピング部位ではコロナ放電
等によるチャージングに対してチャージの保持能力が異
なるため、ポジ又はネガの静電潜像を任意に形成せしめ
ることが可能である。また、ＺｎＯ、ＴｉＯ2等の半導
体基板上に形成された導電性高分子は光照射によりドー
ピングを任意にコントロールできるため、光書き込みが
可能である。
ためドーピング部位と非ドーピング部位ではコロナ放電
等によるチャージングに対してチャージの保持能力が異
なるため、ポジ又はネガの静電潜像を任意に形成せしめ
ることが可能である。また、ＺｎＯ、ＴｉＯ2等の半導
体基板上に形成された導電性高分子は光照射によりドー
ピングを任意にコントロールできるため、光書き込みが
可能である。
【００１０】本画像形成方法についてさらに詳しく述べ
る本画像形成方法は、基本的には図１に示すように、 Ａ．電気化学的にドーピングにより導電性高分子上に画
像を形成せしめる工程、 Ｂ．静帯電により潜像を形成せしめる工程、 Ｃ．トナー又はインクを付着せしめる現像工程及び、 Ｄ．現像剤を転写又は定着せしめる工程からなる。
る本画像形成方法は、基本的には図１に示すように、 Ａ．電気化学的にドーピングにより導電性高分子上に画
像を形成せしめる工程、 Ｂ．静帯電により潜像を形成せしめる工程、 Ｃ．トナー又はインクを付着せしめる現像工程及び、 Ｄ．現像剤を転写又は定着せしめる工程からなる。
【００１１】ドーピングによる電気伝導度の変化は109
Ω・ｃｍ以上の高抵抗から104Ω・ｃｍ以下の低抵抗状
態までの変化が好ましく、さらに好ましくは1011Ω・ｃ
ｍ以上の高抵抗から102Ω・ｃｍ以下の低抵抗状態まで
の変化が好ましい。
Ω・ｃｍ以上の高抵抗から104Ω・ｃｍ以下の低抵抗状
態までの変化が好ましく、さらに好ましくは1011Ω・ｃ
ｍ以上の高抵抗から102Ω・ｃｍ以下の低抵抗状態まで
の変化が好ましい。
【００１２】導電性高分子としては、特にポリチオフェ
ン、ポリアリーレンビニレン、ポリフェニレン及びこれ
らの誘導体が好ましい。これらの材料は可溶化が可能で
あるとともにフレキシブルであり、さらにイオン化ポテ
ンシャル、電子親和力の大きな材料であるために脱ドー
プ状態が安定で、外部環境で容易に低抵抗化することは
ない。従って電気化学ドーピングにより確実にドーピン
グ部分のみを低抵抗化することができる。
ン、ポリアリーレンビニレン、ポリフェニレン及びこれ
らの誘導体が好ましい。これらの材料は可溶化が可能で
あるとともにフレキシブルであり、さらにイオン化ポテ
ンシャル、電子親和力の大きな材料であるために脱ドー
プ状態が安定で、外部環境で容易に低抵抗化することは
ない。従って電気化学ドーピングにより確実にドーピン
グ部分のみを低抵抗化することができる。
【００１３】本発明におけるドーピングによる画像形成
工程についてさらに述べる。
工程についてさらに述べる。
【００１４】導電性高分子のド−ピングは一般に電解質
溶液中で電界を印加することにより誘起される。電界に
よって導電性高分子の電位が変化し、電位に応じた一定
量のイオンが電解質溶液中からド−ピングされる。電界
の強さがド−ピングを引き起こすまでに至らなくても導
電性高分子と溶液との界面は半導体と導体との接合界面
として働くため光によってド−ピングを誘起させること
もできる。
溶液中で電界を印加することにより誘起される。電界に
よって導電性高分子の電位が変化し、電位に応じた一定
量のイオンが電解質溶液中からド−ピングされる。電界
の強さがド−ピングを引き起こすまでに至らなくても導
電性高分子と溶液との界面は半導体と導体との接合界面
として働くため光によってド−ピングを誘起させること
もできる。
【００１５】光によるド−ピングではパタ−ン形成は容
易であるが、電界による形成では画像部、非画像部は電
界パタ−ンで決まるため導電性高分子はスタイラス状に
加工された電極又はスイッチング素子上に形成される。
電極上に印加される電界分布にしたがい、電解質溶液中
の導電性高分子はパタ−ン状にド−ピングされる。
易であるが、電界による形成では画像部、非画像部は電
界パタ−ンで決まるため導電性高分子はスタイラス状に
加工された電極又はスイッチング素子上に形成される。
電極上に印加される電界分布にしたがい、電解質溶液中
の導電性高分子はパタ−ン状にド−ピングされる。
【００１６】電解質溶液は水系、非水系いずれでもよ
く、電解質を溶解、解離せしめるものであればよい。
水、アセトニトリル、ベンゾニトリル、メタノ−ル、エ
タノ−ル、グリコ−ル、プロピレンカ−ボネ−ト、γ−
ブチルラクトン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン
等が挙げられる。
く、電解質を溶解、解離せしめるものであればよい。
水、アセトニトリル、ベンゾニトリル、メタノ−ル、エ
タノ−ル、グリコ−ル、プロピレンカ−ボネ−ト、γ−
ブチルラクトン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン
等が挙げられる。
【００１７】また、電解質としては、NaCl、NaClO4、Na
BF4、LiCl、LiClO4、LiBF4、KCl、KClO4、KBF4、HCl、H
ClO4、HBF4、Bu4NCl、Bu4NClO4、Bu4NBF4、Et4NCl、Et4
NClO4、Et4NBF4、パラトルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸、パラトルエンスルホ
ン酸ナトリウム、スチレンスルホン酸ナトリウム、スチ
レンスルホン酸アンモニウムなどが挙げられ、あるいは
これらの塩は導電性高分子に修飾することもできる。
BF4、LiCl、LiClO4、LiBF4、KCl、KClO4、KBF4、HCl、H
ClO4、HBF4、Bu4NCl、Bu4NClO4、Bu4NBF4、Et4NCl、Et4
NClO4、Et4NBF4、パラトルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ナフタレンスルホン酸、パラトルエンスルホ
ン酸ナトリウム、スチレンスルホン酸ナトリウム、スチ
レンスルホン酸アンモニウムなどが挙げられ、あるいは
これらの塩は導電性高分子に修飾することもできる。
【００１８】印加される電界は、導電性高分子固有の酸
化還元電位によって決定される。ポリアニリンの場合
は、ＳＣＥの電位を０とすると−0.4Ｖ〜＋0.4Ｖの間の
電位で連続階調の導電性パタ−ンが形成できる。
化還元電位によって決定される。ポリアニリンの場合
は、ＳＣＥの電位を０とすると−0.4Ｖ〜＋0.4Ｖの間の
電位で連続階調の導電性パタ−ンが形成できる。
【００１９】光ド−ピングについては先にも述べたよう
に、導電性高分子にあらかじめ電界を印加しておくが、
溶液との界面の半導体特性を利用して導電性高分子表面
に光を照射し、ド−ピングを誘起する方法があるが、他
にも光解離性の塩、例えばヨ−ドニウム塩などを光によ
って解離せしめ、解離したイオンをド−ピングする方法
がある。
に、導電性高分子にあらかじめ電界を印加しておくが、
溶液との界面の半導体特性を利用して導電性高分子表面
に光を照射し、ド−ピングを誘起する方法があるが、他
にも光解離性の塩、例えばヨ−ドニウム塩などを光によ
って解離せしめ、解離したイオンをド−ピングする方法
がある。
【００２０】光解離性のド−パントとしては、ジフェニ
ルヨウドニウムテトラフルオロボレ−ト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロホスフェ−ト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、４，４’ジ
タ−シャリ−ブチルジフェニルヨウドニウムテトラフル
オロボレ−ト、トリフェニルサルフォニウムテトラフル
オロボレ−ト、４−タ−シャリ−ブチルトリフェニルラ
ルフォニウムヘキサフルオロフォスフェ−ト等が挙げら
れる。
ルヨウドニウムテトラフルオロボレ−ト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロホスフェ−ト、ジフェニルヨ
ウドニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、４，４’ジ
タ−シャリ−ブチルジフェニルヨウドニウムテトラフル
オロボレ−ト、トリフェニルサルフォニウムテトラフル
オロボレ−ト、４−タ−シャリ−ブチルトリフェニルラ
ルフォニウムヘキサフルオロフォスフェ−ト等が挙げら
れる。
【００２１】静帯電による潜像の形成は、前記ドーピン
グ工程後の導電性高分子層に対して例えばコロナ放電等
によってチャージングすることにより行うことができ
る。
グ工程後の導電性高分子層に対して例えばコロナ放電等
によってチャージングすることにより行うことができ
る。
【００２２】導電性高分子層に形成された潜像は、次い
でトナー又はインクを付着させて顕像化することができ
るが、これらの現像剤は電子写真法に使用させているも
のを適用することができる。最終工程の転写には、紙、
プラスチックシート等の媒体が用いられ、この工程も従
来の電子写真法の技術を利用することができる。
でトナー又はインクを付着させて顕像化することができ
るが、これらの現像剤は電子写真法に使用させているも
のを適用することができる。最終工程の転写には、紙、
プラスチックシート等の媒体が用いられ、この工程も従
来の電子写真法の技術を利用することができる。
【００２３】以下に図１に従って実施例を示す。
【００２４】実施例１ (1)50μｍ間隔で形成された金のスタイラス電極上に３
−ヘキシルチオフェンを約10μｍの膜厚でコ−ティング
により形成した。
−ヘキシルチオフェンを約10μｍの膜厚でコ−ティング
により形成した。
【００２５】(2)１Ｍパラトルエンスルホン酸のアセト
ニトリル溶液中で対向極との間に＋5Ｖの電圧をＴ字パ
タ−ンで印加した。ド−ピング部分はＴ字型のパタ−ン
に青色を呈した。
ニトリル溶液中で対向極との間に＋5Ｖの電圧をＴ字パ
タ−ンで印加した。ド−ピング部分はＴ字型のパタ−ン
に青色を呈した。
【００２６】(3)これを十分にアセトニトリルで洗浄し
た後、コロナチャ−ジを行ないネガ画像の静電潜像を形
成させた。
た後、コロナチャ−ジを行ないネガ画像の静電潜像を形
成させた。
【００２７】(4)次に乾式トナ−によりトナ−画像を形
成せしめた。
成せしめた。
【００２８】(5)トナ−画像を記録紙上に転写し、定着
を行なった。
を行なった。
【００２９】なお、ポジ画像を得るためには(2)におい
てネガのド−ピングパタ−ンにすることで容易に得られ
る。
てネガのド−ピングパタ−ンにすることで容易に得られ
る。
【００３０】実施例２ (1)面抵抗10Ω以下のＩＴＯガラス上にポリアニリンの
電解重合（0.5Ｍアニリン、 3NHClO4水溶液 0.8ＶVS
ＳＣＥ 20mC/cm2)を行なった。
電解重合（0.5Ｍアニリン、 3NHClO4水溶液 0.8ＶVS
ＳＣＥ 20mC/cm2)を行なった。
【００３１】(2)同溶液中で−0.4ＶVSＳＣＥで脱ド−プ
を行い、さらに20％ヒドラジン水溶液で処理した。
を行い、さらに20％ヒドラジン水溶液で処理した。
【００３２】(3)0.05Ｍジフェニルヨウドニウムテトラ
フルオロボレ−トアセトニトリル溶液中で対向極との間
に＋0.3Ｖの電圧を印加し、0.05mmφの白色光で電極ガ
ラス背面より光照射を行いＴ字型パタ−ン状に光を走査
した（図２）。
フルオロボレ−トアセトニトリル溶液中で対向極との間
に＋0.3Ｖの電圧を印加し、0.05mmφの白色光で電極ガ
ラス背面より光照射を行いＴ字型パタ−ン状に光を走査
した（図２）。
【００３３】光照射部分は濃緑色の色を呈し、ド−ピン
グが行われた。
グが行われた。
【００３４】(4)以下実施例１の(3)以後と同様の操作を
行って記録紙に転写画像を得た。
行って記録紙に転写画像を得た。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の画像形成
方法によれば、(1)ド−ピングは電気信号によりコント
ロ−ルできるためネガ、ポジ画像は容易に変換すること
ができる。
方法によれば、(1)ド−ピングは電気信号によりコント
ロ−ルできるためネガ、ポジ画像は容易に変換すること
ができる。
【００３６】(2)ド−ピングパタ−ンは逆電界を印加し
ないかぎり導電性高分子に記憶されるため、１回のド−
ピングパタ−ン形成で多数枚の転写ができる。
ないかぎり導電性高分子に記憶されるため、１回のド−
ピングパタ−ン形成で多数枚の転写ができる。
【００３７】(3)導電性高分子の導電率はド−ピング量
をコントロ−ルすることで連続的に変化するため、画像
の階調性が高い。
をコントロ−ルすることで連続的に変化するため、画像
の階調性が高い。
【図１】本発明の画像形成方法の原理を説明する図。
【図２】実施例２の説明図。
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性高分子材料のドーピングにより電
気抵抗の違いによる画像形成を行った後、静帯電により
静電潜像を形成せしめることを特徴とする画像形成方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の画像形成方法において、
画像部に荷電粒子を付着させた後、記録紙に転写するこ
とを特徴とする画像形成方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の画像形成方法において、
画像部に荷電インクを付着させた後、記録紙に転写する
ことを特徴とする画像形成方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の画像形成方法において、
導電性高分子材料のドーピングが光により誘起されるこ
とを特徴とする画像形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24321091A JPH0580617A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24321091A JPH0580617A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 画像形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580617A true JPH0580617A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17100469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24321091A Pending JPH0580617A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013088812A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Xerox Corp | デジタルフレキソ印刷用装置 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24321091A patent/JPH0580617A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013088812A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Xerox Corp | デジタルフレキソ印刷用装置 |
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