JPH0579956U - Semiconductor device packaging - Google Patents

Semiconductor device packaging

Info

Publication number
JPH0579956U
JPH0579956U JP2899692U JP2899692U JPH0579956U JP H0579956 U JPH0579956 U JP H0579956U JP 2899692 U JP2899692 U JP 2899692U JP 2899692 U JP2899692 U JP 2899692U JP H0579956 U JPH0579956 U JP H0579956U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
lead frame
semiconductor device
chips
outer leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2899692U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
信一 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2899692U priority Critical patent/JPH0579956U/en
Publication of JPH0579956U publication Critical patent/JPH0579956U/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 多ピンの実装体にも容易に対応することがで
き、かつ外形寸法を小さく抑える。 【構成】 リードフレーム2,8にはそれぞれICチッ
プ4,10がダイボンディングとワイヤボンディングに
より接続され、ICチップ4,10が外側になるよう
に、かつリードフレーム2,8間が絶縁されて封止樹脂
14で封止されている。一方のアウターリード2bは他
方のアウターリード8bよりも長く、平面上での配置は
アウターリード2bがアウターリード8bの間のちょう
ど中間の位置にくるように、両リードフレーム2,8は
平面内で互いにずれた位置に配置されている。
(57) [Summary] [Purpose] It is possible to easily support a multi-pin mounting body and keep the external dimensions small. [Structure] The IC chips 4 and 10 are connected to the lead frames 2 and 8 by die bonding and wire bonding, respectively, so that the IC chips 4 and 10 are on the outside and the lead frames 2 and 8 are insulated and sealed. It is sealed with a stop resin 14. One outer lead 2b is longer than the other outer lead 8b, and the two lead frames 2 and 8 are arranged in a plane so that the outer lead 2b is located at an intermediate position between the outer leads 2b. They are arranged at positions displaced from each other.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

本考案は半導体集積回路装置を樹脂封止その他の方法により実装した半導体装 置実装体に関し、例えばQFPやSOPと称される実装体に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device mounting body in which a semiconductor integrated circuit device is mounted by resin sealing or another method, for example, a mounting body called QFP or SOP.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior Art]

樹脂封止型半導体装置実装体では、リードフレームに半導体装置チップ(以下 ICチップという)をワイヤーボンディング法により接続し、ICチップとリー ドフレームのインナーリード部分を樹脂で封止する。 ICチップの高集積化が進み、例えば10mm×10mmのICチップに10 0μmピッチでパッドを形成し、四辺で合計400ピンのICチップを作ること は可能になっている。そのICチップを実装するには、まずリードフレームにワ イヤーボンディングしなければならない。しかし、リードフレームはワイヤーボ ンディングを行なう部分(最先端)の幅が0.09mm、最先端間の間隔が0.1 6mmに作るのが限界とされている。 In the resin-sealed semiconductor device package, a semiconductor device chip (hereinafter referred to as an IC chip) is connected to a lead frame by a wire bonding method, and the IC chip and the inner lead portion of the lead frame are sealed with resin. As IC chips are highly integrated, for example, it is possible to form pads with a pitch of 100 μm on an IC chip of 10 mm × 10 mm and make an IC chip with 400 pins in total on four sides. To mount the IC chip, wire bonding must first be performed on the lead frame. However, the lead frame is limited to a width of 0.09 mm at the wire bonding part (the leading edge) and a spacing of 0.16 mm between the leading edges.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

リードフレームの最先端の幅を0.09mm、最先端間の間隔を0.16mmと して400ピン用のリードフレームを作ったとしたら、その最先端部は25mm ×25mm正方形の辺上に配列されることになる。ワイヤーボンディングを10 mm×10mmのICチップの最も外側部分からスタートするとしても、ワイヤ ーの長さは10mm以上が必要になる。ワイヤーボンディングでワイヤーの長さ が5mm以上になると樹脂封止のために樹脂を流し込んだとき、ワイヤー間が短 絡したり、ワイヤーに使用する金の使用量が多くなってコスト高を招くなどの問 題が生じ、5mm以上のワイヤーの長さは現実的ではない。 If a lead frame for 400 pins is made with the width of the leading edge of the lead frame being 0.09 mm and the space between the leading edges being 0.16 mm, the leading edge is arranged on the side of a 25 mm × 25 mm square. Will be. Even if the wire bonding is started from the outermost part of the 10 mm × 10 mm IC chip, the wire length needs to be 10 mm or more. When the wire length is 5 mm or more in wire bonding, when resin is poured for resin encapsulation, there is a short circuit between the wires, or the amount of gold used for the wire increases, leading to higher costs. Problems arise and wire lengths of 5 mm and above are not realistic.

【0004】 また、例えば400ピンのリードフレームに仮りにICチップをワイヤーボン ディングできたとしても、ワイヤーボンディングするインナーリードの最先端部 が25mm×25mmの枠よりも内側に入ることができないので、封止された実 装体の外形寸法が大きくなる欠点もある。 そこで、本考案は多ピンの実装体にも容易に対応することができ、かつ外形寸 法を小さく抑えることのできる実装体を提供することを目的とするものである。Even if the IC chip could be wire-bonded to a 400-pin lead frame, the tip of the inner lead for wire bonding cannot enter inside the 25 mm × 25 mm frame. There is also a drawback that the external dimensions of the sealed package become large. Therefore, an object of the present invention is to provide a mounting body which can easily cope with a mounting body having a large number of pins and whose external dimensions can be kept small.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

本考案の半導体装置実装体では、2個のICチップがそれぞれのリードフレー ムに接続されており、両リードフレーム間が絶縁され、ICチップを外側にした 状態で両ICチップが一体的に封止されている。 好ましい態様では、一方のリードフレームのアウターリードの平面上の位置が 他方のリードフレームのアウターリード間に配置されるように両リードフレーム が平面内で互いにずらされて配置されている。 他の好ましい態様では、アウターリードの長さは一方のリードフレームと他方 のリードフレームとで異なっている。 In the semiconductor device mounting body of the present invention, two IC chips are connected to their respective lead frames, both lead frames are insulated, and both IC chips are integrally sealed with the IC chips facing outward. It has been stopped. In a preferred mode, the two lead frames are arranged so as to be offset from each other in the plane so that the outer lead of one lead frame is located between the outer leads of the other lead frame. In another preferred embodiment, the outer leads have different lengths in one lead frame and the other lead frame.

【0006】[0006]

【作用】[Action]

リードフレームが2層構造となるので、1層構造に比べて2倍のピン密度にす ることができる。 Since the lead frame has a two-layer structure, the pin density can be doubled as compared with the one-layer structure.

【0007】[0007]

【実施例】【Example】

図1は一実施例を表わしたものである。(A)は断面図、(B)は平面図であ る。 第1のリードフレーム2のアイランド2aにICチップ4がダイボンディング され、リードフレーム2のインナーリードとICチップ4の間がワイヤー6によ って接続されている。第2のリードフレーム8にもそのアイランド部8aにはI Cチップ10がダイボンディングされ、リードフレーム8のインナーリードとI Cチップ10の間がワイヤー12によって接続されている。一方のリードフレー ム2のアウターリード2bは他方のリードフレーム8のアウターリード8bより も長い。ICチップ4,10をそれぞれのリードフレーム2,8にボンディング した状態で、ICチップ4,10が外側になり、リードフレーム2,8が対向す る状態で、リードフレーム2,8間が絶縁されてエポキシ樹脂などの封止樹脂1 4によってICチップ4,10とリードフレーム2,8のインナーリード及びア イランド2a,8aが封止されている。 FIG. 1 shows an embodiment. (A) is a sectional view and (B) is a plan view. The IC chip 4 is die-bonded to the island 2a of the first lead frame 2, and the inner lead of the lead frame 2 and the IC chip 4 are connected by a wire 6. The IC chip 10 is also die-bonded to the island portion 8a of the second lead frame 8, and the inner lead of the lead frame 8 and the IC chip 10 are connected by a wire 12. The outer lead 2b of one lead frame 2 is longer than the outer lead 8b of the other lead frame 8. With the IC chips 4 and 10 bonded to the respective lead frames 2 and 8, the IC chips 4 and 10 are on the outside, and the lead frames 2 and 8 are opposite to each other, and the lead frames 2 and 8 are insulated from each other. The IC chips 4 and 10, the inner leads of the lead frames 2 and 8 and the lands 2a and 8a are sealed with a sealing resin 14 such as an epoxy resin.

【0008】 図1はQFPの例を示したものであり、アウターリード2bと8bは封止樹脂 14の四辺に突出している。 平面上でのアウターリード2b,8bの配置は、一方のアウターリード2bが 他方のアウターリード8bの間のちょうど中間の位置にくるように、両リードフ レーム2,8は平面内で互いにずれた位置に配置されている。FIG. 1 shows an example of the QFP, in which the outer leads 2 b and 8 b are projected on four sides of the sealing resin 14. The outer leads 2b and 8b are arranged on a plane so that the outer leads 2b and 8 are offset from each other in the plane so that one outer lead 2b is located at an intermediate position between the other outer leads 8b. It is located in.

【0009】 図2は図1の実施例を用いてアウターリード2b,8bを折り曲げた状態を表 わしたものである。(A)はアウターリード2bと8bがともに先端が外方向を 向くようにL字形に折り曲げられている。つまり両リードフレーム2,8がQF P形に折り曲げられたものである。 (B)は長い方のアウターリード2bがQFP形に、つまり先端が外方向を向 くようにL字形に折り曲げられ、短い方のアウターリード8bがQFJ形に、つ まり先端が内方向を向くようにL字形に折り曲げられたものである。FIG. 2 shows a state in which the outer leads 2b and 8b are bent by using the embodiment of FIG. In (A), the outer leads 2b and 8b are both bent in an L shape so that the tips thereof are directed outward. That is, both lead frames 2 and 8 are bent into a QFP shape. In (B), the longer outer lead 2b is bent into a QFP shape, that is, an L-shape so that the tip faces outward, and the shorter outer lead 8b has a QFJ shape, that is, the tip faces inward. It is bent into an L shape.

【0010】 図1、図2では四辺にアウターリードが突出しているが、両リードフレームが ともに対向する二辺のみにアウターリードを突出させた形状のものであってもよ い。その場合はアウターリードの折り曲げ方は図2(A)のように両方がSOP 形のものと、図2(B)のように一方がSOPで他方がSOJ形になるように折 り曲げることができる。 SOP又はSOJ形の場合には一方のリードフレームと他方のリードフレーム でアウターリードが突出する辺が異なるようにすれば、互いに接触するのを有効 に防ぐことができる。その場合には、両リードフレームでアウターリードの長さ を異ならせる必要はなく、同じ長さであっても突出する方向が互いに90度ずれ ているので、何ら接触しない。 図1の実施例で、長さの異なる2つのリードフレームのアウターリード2b, 8bの平面位置が重なる位置であってもよい。その場合でも長さが異なっている ので互いの接触を防ぐことができる。In FIG. 1 and FIG. 2, the outer leads project from the four sides, but both lead frames may have a shape in which the outer leads project from only two opposite sides. In that case, the outer leads may be bent so that both are SOP type as shown in FIG. 2 (A) and one is SOP type and the other is SOJ type as shown in FIG. 2 (B). it can. In the case of the SOP or SOJ type, if one lead frame and the other lead frame have different sides from which the outer leads protrude, it is possible to effectively prevent them from coming into contact with each other. In that case, it is not necessary to make the outer leads different in length between the two lead frames, and even if the outer leads have the same length, the projecting directions are deviated from each other by 90 degrees, so there is no contact. In the embodiment of FIG. 1, the outer leads 2b and 8b of the two lead frames having different lengths may be located at a position where the planar positions thereof overlap. Even in that case, since the lengths are different, contact with each other can be prevented.

【0011】 次に、図1と図2で示された実施例の実装体を製造する方法について説明する と、それぞれのICチップ4,10をそれぞれのリードフレーム2,8にダイボ ンディングとワイヤーボンディングにより接続する。リードフレーム2,8どお しが対向するように、かつ互いに絶縁して配置し、封止樹脂14で封止する。リ ードフレームを枠から切り離して所定のアウターリード2b,8bの長さにし、 その後アウターリード2b,8bを図2の(A)又は(B)のように折り曲げる 。Next, a method of manufacturing the mounting body of the embodiment shown in FIGS. 1 and 2 will be described. Each IC chip 4, 10 is bonded to each lead frame 2, 8 by die bonding and wire bonding. To connect. The lead frames 2 and 8 are arranged so as to face each other and are insulated from each other, and sealed with a sealing resin 14. The lead frame is separated from the frame to a predetermined length of the outer leads 2b, 8b, and then the outer leads 2b, 8b are bent as shown in FIG. 2 (A) or (B).

【0012】[0012]

【考案の効果】[Effect of the device]

本考案では2個のICチップを2層にして1つのパッケージに封止したので、 それぞれのリードフレームのインナーリードピッチより狭いピッチでワイヤーボ ンディングを施したのと実質的に同一となる。 2つのICチップ分のピン数を小型で狭いピッチの実装体として実現できる。 ICチップ2個分のパッドをもつ1つのICチップを実装する場合に比べると 実装体の外形寸法を小さくすることができる。 In the present invention, two IC chips are formed into two layers and sealed in one package, which is substantially the same as wire bonding with a pitch narrower than the inner lead pitch of each lead frame. The number of pins for two IC chips can be realized as a small-sized package with a narrow pitch. The external dimensions of the mounting body can be reduced as compared with the case of mounting one IC chip having pads for two IC chips.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】一実施例を示す図であり、(A)は断面図、
(B)は平面図である。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment, (A) is a sectional view,
(B) is a plan view.

【図2】図1の実施例においてアウターリードを折り曲
げた状態を表わしたものである。
FIG. 2 shows a state in which outer leads are bent in the embodiment of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2,8 リードフレーム 2b,8b アウターリード 4,10 ICチップ 6,12 ワイヤー 14 封止用樹脂 2,8 Lead frame 2b, 8b Outer lead 4,10 IC chip 6,12 Wire 14 Sealing resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/07 25/18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 25/07 25/18

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 2個の半導体装置チップがそれぞれのリ
ードフレームに接続されており、両リードフレーム間が
絶縁され、半導体装置チップを外側にした状態で両半導
体装置チップが一体的に封止されていることを特徴とす
る半導体装置実装体。
1. Two semiconductor device chips are connected to respective lead frames, the lead frames are insulated from each other, and both semiconductor device chips are integrally sealed with the semiconductor device chips facing outward. A semiconductor device package characterized by the above.
【請求項2】 一方のリードフレームのアウターリード
の平面上の位置が他方のリードフレームのアウターリー
ド間に配置されるように両リードフレームが平面内で互
いにずらされて配置されている請求項1に記載の半導体
装置実装体。
2. The lead frames are arranged so as to be offset from each other in the plane so that the outer lead of one lead frame is located between the outer leads of the other lead frame. The semiconductor device package according to the item 1.
【請求項3】 アウターリードの長さは一方のリードフ
レームと他方のリードフレームとで異なっている請求項
1又は2に記載の半導体装置実装体。
3. The semiconductor device mounting body according to claim 1, wherein the length of the outer lead is different between one lead frame and the other lead frame.
JP2899692U 1992-04-03 1992-04-03 Semiconductor device packaging Pending JPH0579956U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2899692U JPH0579956U (en) 1992-04-03 1992-04-03 Semiconductor device packaging

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2899692U JPH0579956U (en) 1992-04-03 1992-04-03 Semiconductor device packaging

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0579956U true JPH0579956U (en) 1993-10-29

Family

ID=12264027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2899692U Pending JPH0579956U (en) 1992-04-03 1992-04-03 Semiconductor device packaging

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0579956U (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036072A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and packaging method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036072A (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and packaging method thereof
JP4580304B2 (en) * 2005-07-29 2010-11-10 Okiセミコンダクタ株式会社 Semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7084490B2 (en) Leads under chip IC package
US5894165A (en) Leads between chips assembly
US6762079B2 (en) Methods for fabricating dual loc semiconductor die assembly employing floating lead finger structure
US6483181B2 (en) Multi-chip package
JP3046630B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2800967B2 (en) Manufacturing method of stacked semiconductor device and semiconductor package thereby
JP3497775B2 (en) Semiconductor device
US6884657B1 (en) Angularly offset stacked die multichip device and method of manufacture
JPH0579956U (en) Semiconductor device packaging
JPH05183010A (en) Laminated type semiconductor package
JPS60150660A (en) Semiconductor device
JPH0777256B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
KR940005490Y1 (en) Leadframe for semiconductor device
JP2001085604A (en) Semiconductor device
KR0155440B1 (en) Semiconductor chip package
JP3082562U (en) Multi-chip package
JPH07106462A (en) Semiconductor device
KR940006581B1 (en) Lead on chip
JP3082561U (en) Multi-chip package
JP2002100719A (en) Resin-sealed semiconductor device
JP3358697B2 (en) Semiconductor package
JPH08125069A (en) Semiconductor device
JPH0555452A (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2000196002A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH06132475A (en) Semiconductor package