JPH0579143B2 - - Google Patents

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JPH0579143B2
JPH0579143B2 JP61224867A JP22486786A JPH0579143B2 JP H0579143 B2 JPH0579143 B2 JP H0579143B2 JP 61224867 A JP61224867 A JP 61224867A JP 22486786 A JP22486786 A JP 22486786A JP H0579143 B2 JPH0579143 B2 JP H0579143B2
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JP
Japan
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temperature
gas
casing
rate sensor
temperature control
Prior art date
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JP61224867A
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Japanese (ja)
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Yasuatsu Katsuno
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Tamagawa Seiki Co Ltd
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Tamagawa Seiki Co Ltd
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  • Control Of Temperature (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 a 産業上の利用分野 本発明は、ガスレートセンサの温度制御装置に
関し、特に、電源投入時のケーシング内のガス温
度を基準として温度制御することにより、立上り
時間の短縮、温度制御に要する消費電力の低減化
等を得るための新規な改良に関する。
Detailed Description of the Invention: a. Field of Industrial Application The present invention relates to a temperature control device for a gas rate sensor, and particularly to a temperature control device for reducing the rise time by controlling the temperature based on the gas temperature in the casing when the power is turned on. , relates to novel improvements for reducing power consumption required for temperature control, etc.

b 従来の技術 従来、用いられていたこの種のガスレートセン
サとしては、種々の構成が採用されているが、そ
の中で代表的な構成について述べると、第3図に
示される通りである。
b. Prior Art Various configurations have been adopted as this type of gas rate sensor that has been used in the past, and a typical configuration among them is as shown in FIG. 3.

図において、符号1で示されるものは全体がほ
ぼ円筒状をなし、その両端が開放された形状から
なるケーシングであり、このケーシング1の各端
部は、ポンプホルダ2及び中継端子板3によつて
各々閉塞され、ケーシング1内が外部から遮断さ
れている。
In the figure, the casing designated by reference numeral 1 is approximately cylindrical as a whole and has both ends open. Each end of the casing 1 is connected to a pump holder 2 and a relay terminal plate 3. The inside of the casing 1 is shut off from the outside.

このポンプホルダ2には、電歪形のセラミツク
円板からなる振動板4aが設けられ、その周縁部
がポンプホルダ2に一体状に固着されることによ
つて、電歪振動ポンプ4が形成されいる。
This pump holder 2 is provided with a diaphragm 4a made of an electrostrictive ceramic disk, and the periphery of the diaphragm 4a is integrally fixed to the pump holder 2, thereby forming an electrostrictive oscillating pump 4. There is.

又、このケーシング1の内部には、この振動板
4aから所定距離だけ離間した位置に電極ホルダ
5が配置されている。
Further, inside the casing 1, an electrode holder 5 is arranged at a position spaced apart from the diaphragm 4a by a predetermined distance.

すなわち、電極ホルダ5には、複数のガス案内
孔5a及び5bが形成され、さらに、複数の電極
6a及び6bが、中心軸に対して対称的に配置さ
れている。これらの電極6a及び6b間には、ホ
ツトワイヤ7a(実際には2本)が溶着によつて
接続されている。
That is, a plurality of gas guide holes 5a and 5b are formed in the electrode holder 5, and a plurality of electrodes 6a and 6b are arranged symmetrically with respect to the central axis. A hot wire 7a (actually two wires) is connected between these electrodes 6a and 6b by welding.

さらに、前記ケーシング1内における前記中継
端子板3の近傍位置には、ノズル孔8及び補助孔
9を有するノズル板10が設けられ、この中継端
子板3とノズル板10との間には、それらのほぼ
中間位置にダストプレート11が設けられてい
る。
Furthermore, a nozzle plate 10 having a nozzle hole 8 and an auxiliary hole 9 is provided in the vicinity of the relay terminal plate 3 in the casing 1, and between the relay terminal plate 3 and the nozzle plate 10, A dust plate 11 is provided at a substantially intermediate position.

前記電歪振動ポンプ4の振動板4aと前記ポン
プホルダ2との間には、ポンプ室12が形成され
ており、この電歪振動ポンプ4によつて送り出さ
れたガスは、吐出口4b、吐出口4c、ガス案内
孔5a及び5bを経てガス流路13に送られる。
A pump chamber 12 is formed between the diaphragm 4a of the electrostrictive vibration pump 4 and the pump holder 2, and the gas sent out by the electrostrictive vibration pump 4 is discharged through the discharge port 4b and The gas is sent to the gas passage 13 via the outlet 4c and gas guide holes 5a and 5b.

前記ケーシング1の中継端子板3の外方位置に
は、ICからなる信号処理回路部14が設けられ、
この信号処理回路部14は、外部から電力を受
け、又、外部へホツトワイヤ7a及び7bの出力
信号を取り出すための中継端子板3の中継端子1
5に接続されている。
A signal processing circuit section 14 consisting of an IC is provided at a position outside the relay terminal plate 3 of the casing 1,
This signal processing circuit section 14 receives power from the outside and is connected to the relay terminal 1 of the relay terminal board 3 for taking out the output signals of the hot wires 7a and 7b to the outside.
5.

又、前記中継端子3には、リードピン16が設
けられ、このリードピン16は外部ケーシング1
7に設けられた外部端子18に接続されている。
Further, the relay terminal 3 is provided with a lead pin 16, and this lead pin 16 is connected to the outer casing 1.
It is connected to an external terminal 18 provided at 7.

さらに、前記ケーシング1の外周面には、ヒー
タ線19が巻回され、断熱性の前記外部ケーシン
グ17によつて保温されており、このケーシング
1の外周面には、図示しない温度検出素子が設け
られている。
Furthermore, a heater wire 19 is wound around the outer peripheral surface of the casing 1 and is kept warm by the heat insulating outer casing 17, and a temperature detection element (not shown) is provided on the outer peripheral surface of the casing 1. It is being

従来のガスレートセンサは以上のように構成さ
れており、以下に、その動作について説明する。
The conventional gas rate sensor is configured as described above, and its operation will be explained below.

まず、電歪振動ポンプ(気体ポンプ)4が通電
されると、振動板4aが振動し、ポンプ室12内
のガスが圧縮され、この圧縮ガスはこの振動板4
aの吐出口4b及び吐出口4cを介してガス流路
13に流れ、ノズル板10とダストプレート11
との間に形成された空間に導かれ、ノズル孔8と
補助口9とを経て、ケーシング1内の中空円筒部
1a内の空間部1b内を通過して各電極6a及び
6bに向つて噴出される。
First, when the electrostrictive vibration pump (gas pump) 4 is energized, the diaphragm 4a vibrates and the gas in the pump chamber 12 is compressed, and this compressed gas is transferred to the diaphragm 4a.
The gas flows into the gas passage 13 through the discharge ports 4b and 4c of a, and the nozzle plate 10 and the dust plate 11
The water is guided into the space formed between the two, passes through the nozzle hole 8 and the auxiliary port 9, passes through the space 1b in the hollow cylindrical part 1a in the casing 1, and is ejected toward each electrode 6a and 6b. be done.

前述の圧縮ガスは、各電極6a及び6bに溶着
されたホツトワイヤ7a(実際は複数)を均等に
冷却して通過する。この状態で、外部から角速度
運動がケーシング1に加わると、中空円筒部1a
内の空間部1b内でガス流が偏向することによ
り、ホツトワイヤ7aが不均等に冷却され、その
差が電圧として出力される。この出力電圧は、信
号処理回路部14で増幅され、外部端子18から
角速度信号として出力される。
The aforementioned compressed gas uniformly cools and passes through the hot wires 7a (actually a plurality of wires) welded to each electrode 6a and 6b. In this state, when angular velocity motion is applied to the casing 1 from the outside, the hollow cylindrical portion 1a
Due to the deflection of the gas flow within the inner space 1b, the hot wire 7a is cooled unevenly, and the difference is outputted as a voltage. This output voltage is amplified by the signal processing circuit section 14 and outputted from the external terminal 18 as an angular velocity signal.

前述のように、ガスレートセンサは、ホツトワ
イヤの冷却差で作動するものであるから、温度に
対しては極めて敏感であり、ヒータ線19に通電
がなされ、外部より加わると予想される最高温度
よりも更に高い一定温度に制御することにより、
外部温度の変動による影響を防止している。
As mentioned above, the gas rate sensor is extremely sensitive to temperature because it operates based on the cooling difference of the hot wire, and when the heater wire 19 is energized, By controlling the temperature to an even higher constant temperature,
This prevents the effects of external temperature fluctuations.

従つて、前記温度検出素子により、ケーシング
1内の温度を検出し、前述の一定温度となるよう
に、図示しない制御回路によつて制御を行つてい
た。
Therefore, the temperature inside the casing 1 is detected by the temperature detection element, and controlled by a control circuit (not shown) to maintain the above-mentioned constant temperature.

c 発明が解決しようとする問題点 従来のガスレートセンサは、以上のように構成
されているたため、次のような問題点を有してい
た。
c Problems to be Solved by the Invention Since the conventional gas rate sensor was configured as described above, it had the following problems.

(1) 温度制御を行う場合、一般に加熱により相当
高温の一定温度に上昇させなければならないた
め、急激な温度変化により、各部品が熱的に平
衡状態に達するためには、相当の立上り時間を
必要とし、電源投入後、安定した角速度検出を
得るまで、待期しなければならず、立上り状態
の極めて悪いガスレートセンサしか得ることが
できなかつた。
(1) When performing temperature control, it is generally necessary to raise the temperature to a fairly high constant temperature by heating. Therefore, due to sudden temperature changes, a considerable rise time is required for each component to reach a thermal equilibrium state. However, after the power is turned on, it is necessary to wait until stable angular velocity detection is obtained, and only gas rate sensors with extremely poor startup conditions can be obtained.

(2) 又、ガスレートセンサは、外気温度変化によ
つて受ける影響が無視し得ないので、レートセ
ンサとして使用環境範囲が限定されることにな
つていた。
(2) Furthermore, since gas rate sensors cannot be ignored by changes in outside air temperature, the range of environments in which they can be used as rate sensors has been limited.

(3) 従つて、第2項に述べた問題点に対応するた
めには、レートセンサとして使用する温度範囲
以上の高温状態でも十分に耐えられるような部
品を用いなければならず、大幅なコストアツプ
を招いた。
(3) Therefore, in order to address the problem mentioned in Section 2, it is necessary to use components that can withstand high temperatures that are higher than the temperature range used as a rate sensor, which would result in a significant cost increase. was invited.

(4) 一定レベルに加熱するには構造面で保温につ
いて工夫を要した。特に、保温が悪いとセンサ
自体の温度勾配が発生し、性能の低下を招くた
めである。
(4) In order to heat to a certain level, it was necessary to innovate in terms of structure and heat retention. In particular, if heat retention is poor, a temperature gradient will occur in the sensor itself, leading to a decline in performance.

(5) 温度制御において、一定の高温に短時間に到
達させるためには、電源投入初期に大きな電力
を必要とし、このガスレートセンサを用いたシ
ステムの電源容量もそれだけレートセンサの用
途が消費電力面でも限定される。
(5) In temperature control, in order to reach a certain high temperature in a short time, a large amount of electric power is required at the beginning of power-on, and the power supply capacity of the system using this gas rate sensor also increases the power consumption of the rate sensor. It is also limited in terms of

本発明は、以上のような問題点を解決するため
になされたもので、特に、電源投入時のケーシン
グ内温度に維持することにより、立上り時間の短
縮、温度制御に要する消費電力の低減化等を得る
ことができるガスレートセンサの温度制御装置を
得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in particular, by maintaining the temperature inside the casing at the time the power is turned on, it shortens the start-up time, reduces the power consumption required for temperature control, etc. The object of the present invention is to obtain a temperature control device for a gas rate sensor that can obtain the following properties.

d 問題点を解決するための手段 本発明によるガスレートセンサの温度制御装置
は、ケーシング内に設けられたガスを循環させる
ための気体ポンプと、前記気体ポンプに隣接して
設けられた電極ホルダと、前記電極ホルダに対向
して設けられ、ノズルを有するノズル板とを備え
たガスレートセンサにおいて、前記ケーシング内
に設けられた温度加熱冷却素子と、前記温度加熱
冷却素子及び前記温度検出素子に接続され、前記
温度加熱冷却素子を制御するための温度制御回路
部と、前記温度制御回路部に設けられた少なくと
もサンプルホールド回路及び比較回路とを備え、
電源投入時において前記温度検出素子によつて検
出されたガス温度信号が前記サンプルホールド回
路にて基準温度として記憶され、その後時間経過
により発生する前記ガス温度信号と前記基準温度
との差を前記比較回路で得て前記温度加熱冷却素
子を介して前記ガスの温度を前記基準温度に制御
するようにした構成である。
d Means for Solving the Problems A temperature control device for a gas rate sensor according to the present invention includes a gas pump provided in a casing for circulating gas, and an electrode holder provided adjacent to the gas pump. , a gas rate sensor comprising a nozzle plate provided opposite to the electrode holder and having a nozzle, a temperature heating and cooling element provided in the casing, connected to the temperature heating and cooling element and the temperature detection element. and comprising a temperature control circuit section for controlling the temperature heating and cooling element, and at least a sample hold circuit and a comparison circuit provided in the temperature control circuit section,
The gas temperature signal detected by the temperature detection element when the power is turned on is stored as a reference temperature in the sample hold circuit, and the difference between the gas temperature signal and the reference temperature generated over time thereafter is compared with the reference temperature. In this configuration, the temperature of the gas is controlled to the reference temperature via the temperature heating/cooling element obtained by a circuit.

e 作用 本発明におけるガスレートセンサの温度制御装
置においては、ガスレートセンサの電源を投入し
た時におけるケーシング内の温度が、温度検出素
子によつて検出され、その検出温度を基準とし
て、温度制御回路部が温度加熱冷却素子の作用を
制御し、その検出温度になるようにケーシング内
が保たれる。
e Effect In the temperature control device for a gas rate sensor according to the present invention, the temperature inside the casing when the power of the gas rate sensor is turned on is detected by the temperature detection element, and the temperature control circuit uses the detected temperature as a reference. The unit controls the action of the temperature heating and cooling element, and the inside of the casing is maintained at the detected temperature.

従つて、ケーシング内の温度が従来のように、
プリセツトして温度制御されるのではなく、電源
投入時の温度を基準として、その後もこの温度を
保つように制御するため、ガスレートセンサの立
上り時間を最短状態とすることができ、電源投入
とほぼ同時に、ガスレートセンサの動作を立上げ
ることができる。
Therefore, the temperature inside the casing remains the same as before.
The temperature is not controlled by a preset, but the temperature at power-on is used as a reference and the temperature is maintained thereafter, so the rise time of the gas rate sensor can be minimized, and the temperature is maintained even after the power is turned on. Almost simultaneously, the operation of the gas rate sensor can be started up.

そのため、立上りに要する消費電力を大幅に少
なくすることができ、低消費電力形のガスレート
センサを得ることができる。
Therefore, the power consumption required for startup can be significantly reduced, and a gas rate sensor with low power consumption can be obtained.

f 実施例 以下、図面と共に本発明によるガスレートセン
サの温度制御装置の好適な実施例について、詳細
に説明する。
f Embodiment Hereinafter, a preferred embodiment of the temperature control device for a gas rate sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

尚、第3図で示す従来例と同一部分には、同一
符号を付し、その説明は重複を避けるため省略す
る。
Components that are the same as those in the conventional example shown in FIG. 3 are given the same reference numerals, and their descriptions will be omitted to avoid duplication.

第1図において、第3図の従来例と異なる本発
明による実施例について説明すると、電歪振動ポ
ンプ(気体ポンプ)4に隣接するケーシング1の
端部には、サーモモジユールからなる温度加熱冷
却素子20が設けられ、この温度加熱冷却素子2
0には、放熱板21が接合した状態で設けられて
いる。
In FIG. 1, an embodiment according to the present invention that is different from the conventional example shown in FIG. A temperature heating and cooling element 20 is provided.
0 is provided with a heat sink 21 connected thereto.

さらに、内部が真空状態に保持された前記ケー
シング1の壁部には、その長手方向に沿つて真空
部1cが形成されており、従来構成のように外部
ケーシングを用いることなく、断熱構造に構成さ
れている。又、前記ダストプレート11の内部側
には、サーミスタからなる温度検出素子22が設
けられ、この温度検出素子22は、ガスが流れる
通路であるガス流路13内に面して配設されてい
る。
Furthermore, a vacuum section 1c is formed along the longitudinal direction of the wall of the casing 1, the interior of which is kept in a vacuum state, and the structure has a heat-insulating structure without using an external casing as in the conventional structure. has been done. Further, a temperature detection element 22 made of a thermistor is provided inside the dust plate 11, and this temperature detection element 22 is disposed facing the inside of the gas flow path 13, which is a passage through which gas flows. .

次に、第2図に示す構成は、温度制御回路部2
3を示すブロツク図であり、ガスレートセンサ2
4に設けられた温度検出素子22のガス温度信号
GSは、サンプルホールド回路25及び比較回路
26に入力され、この比較回路26の出力は、増
幅器27を経て、三角波発振器28が接続された
PWM変調回路29に入力されている。
Next, the configuration shown in FIG.
3 is a block diagram showing gas rate sensor 2.
Gas temperature signal of temperature detection element 22 provided in 4
GS is input to a sample and hold circuit 25 and a comparison circuit 26, and the output of this comparison circuit 26 passes through an amplifier 27 to which a triangular wave oscillator 28 is connected.
It is input to the PWM modulation circuit 29.

このPWM変調回路29の出力信号は、スイツ
チング回路30を経て温度加熱冷却素子20に入
力されている。
The output signal of this PWM modulation circuit 29 is input to the temperature heating/cooling element 20 via a switching circuit 30.

本発明によるガスレートセンサの温度制御装置
は、前述したように構成されており、以下に、そ
の動作について説明する。
The temperature control device for a gas rate sensor according to the present invention is configured as described above, and its operation will be described below.

まず、電源(図示せず)が投入されると、振動
板4aが振動し、ポンプ室12内のガスが圧縮さ
れ、この圧縮ガスはこの振動板4aの吐出口4b
及び4cを介してガス流路13に流れ、温度検出
素子22を通過し、ノズル孔8と補助口9を経
て、ケーシング1内の中空円筒部1a内の空間部
1bを通過して各電極6a及び6bに向つて噴出
する。従つて、ガスの循環供給が開始される。
First, when a power source (not shown) is turned on, the diaphragm 4a vibrates and the gas in the pump chamber 12 is compressed, and this compressed gas is transferred to the discharge port 4b of the diaphragm 4a.
and 4c to the gas flow path 13, passes through the temperature detection element 22, passes through the nozzle hole 8 and the auxiliary port 9, and passes through the space 1b in the hollow cylindrical portion 1a in the casing 1 to each electrode 6a. and ejects toward 6b. Therefore, the circulating supply of gas is started.

一方、前記電源の投入と同時に、温度検出素子
22は、ケーシング1内のガス温度を検出し、こ
の検出されたガス温度信号GSが、サンプルホー
ルド回路25に入力され、このガス温度信号GS
の検出温度が基準温度として記憶される。
On the other hand, at the same time as the power is turned on, the temperature detection element 22 detects the gas temperature inside the casing 1, and the detected gas temperature signal GS is input to the sample hold circuit 25, and the gas temperature signal GS is input to the sample hold circuit 25.
The detected temperature is stored as the reference temperature.

その後、自己発熱及び周囲環境温度の時間経過
と共に発生する温度変化は、比較回路26で前記
基準温度との差が差電圧として検出され、増幅回
路27、PWM変調回路29及びスイツチング回
路30を経て、サーモモジユールからなる温度加
熱冷却素子20に入力され、前述の基準温度より
もガス温度が高くなれば、冷却作用をなし、逆
に、基準温度よりもガス温度が低くなれば、加熱
作用をなし、常に、前述の基準温度になるように
制御される。
Thereafter, as for the self-heating and the temperature change that occurs over time in the ambient environment temperature, the difference from the reference temperature is detected as a differential voltage by the comparator circuit 26, and then passes through the amplifier circuit 27, the PWM modulation circuit 29, and the switching circuit 30. If the gas temperature is input to the temperature heating/cooling element 20 consisting of a thermo module, and the gas temperature becomes higher than the reference temperature mentioned above, it will have a cooling effect, and conversely, if the gas temperature is lower than the reference temperature, it will not have a heating effect. , is always controlled to be at the reference temperature mentioned above.

前述のようにして、ケーシング1内が基準温度
に保たれ、定温状態のガスが流過する状態におい
て、外部から角速度運動がケーシング1に加わる
と、空間部1b内のガス流が偏向することによ
り、ホツトワイヤ7aが不均等に冷却され、その
差が電圧として出力される。この出力電圧は、信
号処理回路部14で増幅され、外部端子18から
角速度信号として出力される。
As described above, when the inside of the casing 1 is maintained at the reference temperature and gas at a constant temperature is flowing past, when an angular velocity movement is applied to the casing 1 from the outside, the gas flow inside the space 1b is deflected. , the hot wire 7a is cooled unevenly, and the difference is output as a voltage. This output voltage is amplified by the signal processing circuit section 14 and outputted from the external terminal 18 as an angular velocity signal.

従つて、ケーシング1内に封止されたガスの温
度を電源投入時に検出して、この検出温度でガス
温度を制御するため、ホツトワイヤ7aは、ガス
中で温度的に極めて安定した条件下に置かれるこ
とになり、極めて安定した対温度特性が得られ
る。
Therefore, since the temperature of the gas sealed in the casing 1 is detected when the power is turned on and the gas temperature is controlled based on this detected temperature, the hot wire 7a is placed in the gas under extremely thermally stable conditions. As a result, extremely stable temperature characteristics can be obtained.

尚、温度加熱冷却素子としては、サーモモジユ
ールを用いたが、他の好適な素子を用いた場合も
同等の作用効果が得られることは、述べるまでも
ないことである。
Although a thermomodule was used as the temperature heating and cooling element, it goes without saying that the same effects can be obtained when other suitable elements are used.

g 発明の効果 本発明によるガスレートセンサの温度制御装置
は、以上のように構成されているため、次のよう
な種々の効果を得ることができる。
g Effects of the Invention Since the temperature control device for a gas rate sensor according to the present invention is configured as described above, it is possible to obtain the following various effects.

(1) ガスレートセンサの電源オン時におけるガス
温度を基準として、その後のガス温度を制御す
るため、ガスレートセンサの出力信号の安定性
を得るためのウオーミングアツプに要する時間
が大幅に短縮化され、電源投入直後から、正常
な動作を得ることができる。
(1) Since the subsequent gas temperature is controlled based on the gas temperature when the gas rate sensor is powered on, the time required for warming up to stabilize the output signal of the gas rate sensor is greatly reduced. , normal operation can be obtained immediately after the power is turned on.

(2) 従つて、立上り時間の短縮化により、温度制
御に要する消費電力を大幅に低減することが可
能となり、低消費電力形のガスレートセンサを
得ることができる。
(2) Therefore, by shortening the rise time, it is possible to significantly reduce the power consumption required for temperature control, and a gas rate sensor with low power consumption can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は、本発明によるガスレート
センサの温度制御装置を示すためのもので、第1
図は全体構成を示す断面図、第2図は温度制御回
路部を示すブロツク図、第3図は従来のガスレー
トセンサを示す断面図である。 1はケーシング、1cは真空層、4は電歪振動
ポンプ(気体ポンプ)、5は電極ホルダ、8はノ
ズル、10はノズル板、13はガス流路、20は
温度加熱冷却素子、22は温度検出素子、23は
温度制御回路部である。
1 and 2 are for showing a temperature control device for a gas rate sensor according to the present invention.
2 is a sectional view showing the overall configuration, FIG. 2 is a block diagram showing a temperature control circuit section, and FIG. 3 is a sectional view showing a conventional gas rate sensor. 1 is a casing, 1c is a vacuum layer, 4 is an electrostrictive vibration pump (gas pump), 5 is an electrode holder, 8 is a nozzle, 10 is a nozzle plate, 13 is a gas flow path, 20 is a temperature heating/cooling element, 22 is a temperature The detection element 23 is a temperature control circuit section.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ケーシング1内に設けられガスを循環させる
ための気体ポンプ4と、前記気体ポンプ4に隣接
して設けられた電極ホルダ5と、前記電極ホルダ
5に対向して設けられ、ノズル8を有するノズル
板10とを備えたガスレートセンサにおいて、前
記ケーシング1に設けられた温度加熱冷却素子2
0と、前記ケーシング1内に設けられた温度検出
素子22と、前記温度加熱冷却素子20及び前記
温度検出素子22に接続され、前記温度加熱冷却
素子20を制御するための温度制御回路部23
と、前記温度制御回路部23に設けられた少なく
ともサンプルホールド回路25及び比較回路26
とを備え、電源投入時において前記温度検出素子
22によつて検出されたガス温度信号GSの検出
温度が前記サンプルホールド回路25にて基準温
度として記憶され、その後の時間経過により発生
する前記検出温度と前記基準温度との差を前記比
較回路26で得て前記温度加熱冷却素子20を介
して前記ガスの温度を前記基準温度に制御するよ
うに構成したことを特徴とするガスレートセンサ
の温度制御装置。 2 前記温度加熱冷却素子20は、前記ケーシン
グ1の端部に設けられたサーモモジユールからな
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
ガスレートセンサの温度制御装置。 3 前記温度検出素子22は、前記ケーシング1
内のガス流路13に面して設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載
のガスレートセンサの温度制御装置。 4 前記ケーシング1は、真空層1cを有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項
の何れかに記載のガスレートセンサの温度制御装
置。
[Claims] 1. A gas pump 4 provided in the casing 1 for circulating gas, an electrode holder 5 provided adjacent to the gas pump 4, and an electrode holder 5 provided opposite the electrode holder 5. , a nozzle plate 10 having a nozzle 8, and a temperature heating/cooling element 2 provided in the casing 1.
0, a temperature detection element 22 provided in the casing 1, and a temperature control circuit section 23 connected to the temperature heating and cooling element 20 and the temperature detection element 22, and for controlling the temperature heating and cooling element 20.
and at least a sample hold circuit 25 and a comparison circuit 26 provided in the temperature control circuit section 23.
The detected temperature of the gas temperature signal GS detected by the temperature detecting element 22 when the power is turned on is stored as a reference temperature in the sample hold circuit 25, and the detected temperature generated as time passes thereafter. and the reference temperature is obtained by the comparison circuit 26 and the temperature of the gas is controlled to the reference temperature via the temperature heating and cooling element 20. Device. 2. The temperature control device for a gas rate sensor according to claim 1, wherein the temperature heating/cooling element 20 comprises a thermomodule provided at an end of the casing 1. 3 The temperature detection element 22 is connected to the casing 1
The temperature control device for a gas rate sensor according to claim 1 or 2, wherein the temperature control device is provided facing the gas flow path 13 in the gas rate sensor. 4. The temperature control device for a gas rate sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein the casing 1 has a vacuum layer 1c.
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